KR20110031856A - 도파민 검출용 개질 전극 및 이를 이용한 도파민 검출센서 - Google Patents

도파민 검출용 개질 전극 및 이를 이용한 도파민 검출센서 Download PDF

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Abstract

본 발명은 시바크론 블루(F3GA) 또는 빌마픽스 블루 A-R(vilmafix Blue A-R) 중 어느 하나의 화합물 존재 하에서 디아미노나프탈렌(DAN) 단량체의 전기중합을 통해 전극을 표면 개질한 도파민 검출용 개질 전극 및 이를 이용한 도파민 검출센서에 관한 것으로, 상기 도파민 검출센서는 종래 알려진 도파민 센서와 비교하여 정확하고, 재현성있고, 민감하며, 선택적이고, 보다 신속하고 저가로 도파민을 검출할 수 있기 때문에 실제 인간 뇨 샘플에서 도파민의 정량적 분석에 매우 유용하게 사용될 수 있다.
시바크론 블루, 빌마픽스 블루 A-R, 디아미노나프탈렌, DAN, 도파민, 개질, 센서

Description

도파민 검출용 개질 전극 및 이를 이용한 도파민 검출센서{Modified electrode for detecting dopamine and dopamine detecting sensor using the same}
본 발명은 정확하고, 재현성있고, 민감하며, 선택적이고, 보다 신속하고 저가로 도파민을 검출할 수 있는 도파민 검출용 개질 전극 및 이를 이용한 도파민 검출센서에 관한 것이다.
도파민(dopamine, DA)은 중추신경계에서 중요한 신경전달물질로서, 아드레날린 및 노르아드레날린의 전구체이며, 호르몬 균형 유지를 도울 뿐 아니라, 감정 제어에 기여하는 것으로 알려져 있다.
뇌에서 낮은 수준의 도파민은 신경변성 및 도파민을 생성하는 중뇌 흑질 신경의 손상을 유발시켜 파킨슨병과 같은 심각한 질환을 초래하며, 휴식 중 진전, 초기 또는 완전한 운동부전, 근육 경직, 자세 불균형, 안면 표정 결핍 등의 문제를 야기할 수 있다. 따라서, 도파민의 농도를 제어하는 것이 중요하다.
그러나, 종래의 경우 요산, 아스코르브산 등의 방해 작용으로 인해 도파민 분석의 감도와 선택성이 매우 낮았다.
이에, 본 발명의 목적은 정확하고, 재현성 있고, 민감하며, 선택적이고, 보다 신속하며 저가로 도파민을 검출할 수 있는 도파민 검출센서 및 이를 이용한 도파민 검출방법을 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 시바크론 블루(F3GA) 또는 빌마픽스 블루 A-R(vilmafix Blue A-R) 중 어느 하나의 화합물 존재 하에서 디아미노나프탈렌(DAN) 단량체의 전기중합을 통해 전극을 표면 개질한 도파민 검출용 개질 전극을 제공한다.
상기 전기중합은 100mV/s의 주사속도에서 -0.2V 및 +0.9V 간의 7회 전위 주기에 의해 수행되는 것이 전극, 특히 유리탄소전극(GCE) 상의 복합 필름 형성에 유리하다.
또한, 본 발명은 (i) 전극을 세정하는 전처리 단계; 및 (ii) 디아미노나프탈렌과 시바크론 블루(F3GA) 또는 빌마픽스 블루 A-R(vilmafix Blue A-R) 중 어느 하나의 화합물을 함유한 황산 용액을 이용하여 전처리된 전극 상에서 전기중합반응을 수행하는 단계를 포함하는 도파민 검출센서용 개질 전극의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 개질 전극을 작동전극으로 포함하는 도파민 검출센서를 제공한다. 이때, 표준전극 및 반대전극으로 각각 Ag/AgCl 및 백금선을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 도파민 검출센서를 이용하여, 전기중합반응 주기의 횟수를 1 내지 7회, 시바크론 블루(F3GA) 또는 빌마픽스 블루 A-R(vilmafix Blue A-R) 중 어느 하나의 화합물 농도를 0.1 내지 0.5mM, 최적 pH를 5.0 내지 9.0, 최적 온도를 10 내지 60℃ 및 전류반응시 적용 전위를 +0.05 내지 +0.3V로 설정하는 도파민 검출방법을 제공한다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 도파민 검출용 개질 전극은 폴리-1,5-디아미노나프탈렌(PDAN) 층에 시바크론 블루(F3GA) 또는 빌마픽스 블루 A-R(vilmafix Blue A-R)를 삽입함으로써 개발되었다. 주사전자현미경(SEM), X-선 광전자 분광기(XPS) 및 순환 전압전류기(CV)를 이용하여 개질 전극의 특성을 평가한 결과, 선택적으로 도파민의 전자 전달을 촉진하며, 아스코르빈산 등과 같은 방해물질들의 존재 유무에 관계없이 안정하게 도파민을 선택적으로 검출할 수 있었다.
본 발명에 따른 도파민 검출용 개질 전극은 5.0 내지 100μM의 도파민 농도를 검출할 수 있는 우수한 성능을 나타내었고, 검출한계는 0.1±0.01μM로서 종래 도파민 센서보다 낮았다.
특히, 본 발명에 따른 도파민 검출용 개질 전극을 이용하여 인간 뇨 샘플에서 도파민을 선택적이면서도 저가의 비용으로 정확하고 신속하게 검출할 수 있었다.
본 발명에 따른 도파민 검출센서는 종래 알려진 도파민 센서와 비교하여 정 확하고, 재현성있고, 민감하며, 선택적이고, 보다 신속하고 저가로 도파민을 검출할 수 있기 때문에 실제 인간 뇨 샘플에서 도파민의 정량적 분석에 매우 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 하기 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만, 이러한 실시 예에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1> F3GA/PDAN-개질 전극 제조
유리탄소전극(GCE)의 개질에 앞서, GCE를 0.05㎛ 알루미나 슬러리로 닦은 후, 증류수에서 1분 동안 초음파 세정하였다. 그후, GCE를 이차 증류수로 철저하게 세정하였다.
PDAN-개질 전극(PDAN/GCE) 제조를 위해, 1.0mM DAN을 함유한 0.5M H2SO4 용액에서 중합반응을 수행하였다. F3GA/PDAN 개질 전극(F3GA/PDAN/GCE) 제조를 위해, 1.0mM DAN 및 0.5M F3GA를 함유한 0.5M H2SO4 용액에서 중합반응을 수행하였다.
중합된 필름은 100mVs-1의 주사속도에서 -0.2V 및 +0.9V 간의 7번 전위 주기에 의해 형성되었다. 그후, 개질된 전극을 안정한 전압전류도를 얻을 때까지 인산완충액(pH 7.0)으로 처리하였다.
앞서 제조된 F3GA/PDAN/GCE, PDAN/GCE 및 개질되지 않은 나전극(0.07cm2의 전극 면적을 지닌 전극)을 작동전극으로 사용하였고, 표준전극 및 반대전극으로 각 각 Ag/AgCl 및 백금선을 사용하여 도파민 센서를 제작하였다.
<실시예 2> F3GA/PDAN 복합 필름의 전압전류도 분석
0.5M H2SO4 용액에 용해된 1.0mM DAN과 1.0mM DNA 및 0.5mM F3GA의 혼합물에 관하여 100mVs-1 주사속도에서 기록한 연속 전압전류도(CV)를 도 2a 및 도 2b에 각각 나타내었다. DAN 단량체는 첫 양극성 스캔 동안 +0.72V에서 산화피크를 나타났고, 이는 DAN 단량체 아민기가 양이온성 라디칼로 산화된 산화공정에 대응하였다.
연속 전위 주기에서, 고분자 필름 형성으로 인해 이러한 산화피크는 감소하고 다른 환원피크가 +0.33, +0.49, +0.53, +0.52, +0.47 및 +0.06V에서 나타났다. 이러한 피크 전류는 증가된 전위 주기에 따라 증가되었다. F3GA에 관한 CV는 +0.89V에서 산화피크를 나타내었고, 이는 F3GA 아민기의 산화와 대응하였다.
DAN 및 F2GA의 혼합용액에서의 전위 주기 동안, 첫 양극성 스캔 동안 2개의 산화피크가 +0.66 및 +0.76V에서 관찰되었고, 이는 DAN의 아민기가 양이온성 라디칼로 산화되는 산화공정 및 F3GA의 아민기가 이민으로 산화되는 산화공정과 각각 대응하였다.
DAN 및 F3GA는 혼합용액에서 음의 방향으로 이동하였다. 이는 F3GA의 음이온 전하를 띤 설포네이트기와 PDAN에서 양이온 전하를 띤 아닐리늄 이온 간의 강한 정전기적 상호작용을 통하여 F3GA가 PDAN로 삽입되었기 때문인 것으로 판단된다.
전위 주기 수가 증가됨에 따라 +0.57 및 +0.76V에서의 산화피크 전류가 증가하였고, 이러한 피크 전위는 복합 필름 형성으로 인해 양의 방향으로 이동하였다. 그럼에도 불구하고, 전극 표면에 즉시 형성된 산화된 고분자의 작은 환원피크는 +0.45 및 +0.15V에서 나타났다. 이 피크 전류는 전위 주기의 수가 증가함에 따라 약간 증가하였다. 이는 F3GA의 존재 하에서 중합반응시 형성된 다른 중간매개물에 기인한 것으로 파악된다.
고분자 필름의 색은 금빛 노란색에서 복합 필름이 지닌 파란색으로 변화하였고, 이는 전해중합 동안 F3GA가 성공적으로 PDAN 필름 내로 삽입된 것을 증명한다.
<실시예 3> F3GA/PDAN 복합 필름의 특성 평가
GCE 전극 표면 상의 F3GA/PDAN 복합 필름 특성을 Cambridge Stereoscan 240를 사용한 SEM 이미지를 통해 평가하였다. 도 3a에 나타난 바와 같이, PDAN 필름 및 F3GA/PDAN 복합 필름의 표면 형상은 서로 매우 상이하였다. 즉, PDAN 필름에 대한 SEM 이미지는 작은 입자들(약 5nm)를 나타낸 반면, F3GA/PDAN 복합 필름에 대한 SEM 이미지는 보다 큰 입자(약 50nm)를 나타내었고, 이는 전해중합반응 동안 F3GA와 PDAN 간의 결합에 의해 작은 입자들이 응집된 것으로 판단된다.
개질된 전극 표면을 VG Scientific Escalab 250 XPS 분광계[단색화된 Al Kα 광원 (KBSI Busan, Korea)]를 사용하여 XPS 분석을 수행하였다. XPS 스펙트럼은 50초 동안 아르곤 이온 에칭 후에 얻어졌고, 내부 표준으로 284.6eV에서 C1s 피크를 이용하였다.
도 3b는 XPS 분석 스펙트럼을 나타내며, 도 3c, 3d 및 3e는 각각 (i) 표면개질 없는 나전극, (ii) PDAN/GCE, (iii) F3GA/PDAN/GCE에서 얻어진 N, S 및 Cl 피크를 나타낸다. F3GA/PDAN/GCE에서 얻어진 스펙트럼은 398.9, 200.1 및 167.3eV의 결합 에너지에서의 N1s, Cl2p 및 S2p 피크를 나타내었다. 그러나, Cl2p 및 S2p 피크는 PDAN 필름에 관한 스펙트럼에서 관찰되지 않았다.
이와 같은 SEM 및 XPS 분석 결과로부터 F3GA/PDAN 복합 필름이 GCE 전극 표면에서 형성된 것을 확인할 수 있었다.
<실시예 4> F3GA/PDAN-복합 필름의 전기화학적 거동 평가
F3GA/PDAN 복합 필름의 전압측정 특성을 CV를 이용하여 평가하였다. CV는 나전극, PDAN 개질 전극 및 F3GA/PDAN 개질 전극에 대하여 (a) 1.0mM K3[Fe(CN)6], (b) 1.0mM Ru[(NH3)6]Cl3, (c) 100μM DA 및 (d) 1.0mM AA를 함유한 0.1M PBS(pH 7.4)에서 각각 평가하였다.
도 4a는 F3GA/PDAN 개질 전극(실선)과 나전극(파선)에 관하여 1.0mM K3[Fe(CN)6]에서 기록한 CV를 나타낸 것으로, [Fe(CN)6]4-/[Fe(CN)6]3- 쌍의 잘 세분화된 환원피크가 나전극에서 관찰된 반면, 복합 필름에 관한 CV에서는 환원피크가 관찰되지 않았다. 전극표면과 [Fe(CN)6]3- 이온의 접촉이 복합 필름에 존재하는 설포네이트기에 의해 차단된 것이다. 따라서, 전극 표면 상에 대한 [Fe(CN)6]3-의 전자 전달과정은 복합 필름에서 완전히 차단되었다.
그러나, F3GA/PDAN 개질 전극이 1.0mM Ru[(NH3)6]Cl3을 함유한 용액에 노출된 경우에는 도 4b와 같이 Ru[(NH3)6]3+ 양이온과 F3GA/PDAN 필름에 있는 음이온으로 하전된 설포네이트기 간의 정전기적 상호작용으로 인해 증가된 환원피크(실선)를 나타내었다. 이는 F3GA/PDAN 필름이 측정용액에서 음으로 하전된 외래종 하에서 도파민의 선택적인 검출을 위해 유용할 수 있음을 암시한다.
도 4c는 인산완충액(pH 7.4)에서 나전극(파선), PDAN 개질 전극(점선) 및 F3GA/PDAN 개질 전극(실선)을 이용한 100μM DA의 전형적인 CV를 나타낸 것으로, 나전극에서는 +0.32/+0.12V에서 작은 환원피크를 나타내었고, F3GA/PDAN 개질 전극에서는 환원피크가 유의성있게 증가하였다.
도 4d는 인산완충액(pH 7.4)에서 나전극(파선), PDAN 개질 전극(점선) 및 F3GA/PDAN 개질 전극(실선)을 이용한 1.0mM AA의 전형적인 CV를 나타낸 것으로, 나전극에서는 +0.43V에서 현저한 양이온성 피크를 나타낸 반면, AA의 산화공정은 F3GA/PDAN 개질 전극에 의해 전적으로 억제되었다. 이는 AA의 음이온성 아스코르베이트에 대하여 음으로 하전된 복합 필름에 의해 나타난 정전기적 반발에 따른 것이다.
반면, 도 1과 같이 중성 pH에서 양이온의 형태인 DA는 복합 필름 표면에 끌려가서 접촉하였다. 비교를 위해, F3GA 없는 PDAN 개질 전극에서 DA 및 AA의 전기화학적 거동을 동일하게 평가한 결과, DA 및 AA 둘에 대응하는 산화피크는 PDAN 전극에서 관찰되지 않았다. 이는 PDAN은 전극에 대한 DA 및 AA의 전자 전달을 증진시키지 못하는 것으로 나타났다. 결론적으로, F3GA/PDAN 복합 필름에서 F3GA의 존 재는 DA의 촉매적 산화에 대한 반응을 유발하지만, AA에 대한 반응은 없었다.
<실시예 5> DA의 분석조건 최적화
DA 분석을 위한 실험조건의 최적화를 위하여, 중합반응 주기의 횟수, F3GA 농도, pH, 온도 및 전류법에서의 적용 전위을 기준으로 최적 조건을 검토하였다.
도 5a는 DA의 산화전류 상에서 F3GA/PDAN 복합 필름 성장시 전위 주기의 횟수의 효과를 나타낸 것이다. 전위 주기의 횟수가 1에서 7로 증가함에 따라 DA 산화의 촉매적 전류가 증가하였다. 게다가, 7회를 초과하는 전위 주기 횟수에서는 DA의 산화피크 전류가 감소되었다. 따라서, 약 200nm의 필름 두께를 지닌 7회 주기가 F3GA/PDAN 복합 필름 형성의 최적 주기 횟수인 것으로 선정하였다.
DA의 전기촉매적 산화와 관련하여, 다양한 농도의 F3GA로 개질된 전극을 조사하였다. 도 5b와 같이, F3GA의 농도를 0.1에서 0.5mM로 증가시킴에 따라 전류 반응도 증가하였다. 그러나, 0.5mM보다 높은 F3GA 농도에서는 DA 산화에 관한 피크 전류가 감소되었다. 따라서, 0.5mM F3GA가 개질 전극의 준비를 위한 최적 농도로 선정하였다.
F3GA/PDAN 복합 필름 전극을 이용한 DA 검출에 있어서 용액의 pH 효과를 5.0 내지 9.0의 pH 범위에서 검토하였다. 도 5c와 같이, DA의 음이온성 피크 전류는 pH 7.4가 될 때까지 pH 증가에 따라 증가되었고, 더 이상의 pH가 증가될 경우에는 감소되었다. 따라서, DA 검출을 위한 최적 pH는 7.4로 선정하였다.
도 5d와 같이, DA의 양극성 전류의 온도 의존성을 10 내지 90℃에서 조사하였다. 온도가 10에서 60℃로 증가함에 따라 DA의 피크 전류도 유의성있게 증가하 였다. 이는 전극 표면 상에서 DA의 확산율이 온도 증가에 따라 증가함에 따른 것으로 판단된다. 그러나, 60℃보다 높은 온도에서는 피크 전류가 증가하지 않았다. DA 검출을 위한 다음 실험에서는 실온에서 실험을 진행하였다.
도 5e와 같이, DA의 전류측정 반응에 대한 적용 전위의 효과를 F3GA/PDAN 복합 필름 전극에서 조사하였다. 적용 전위가 +0.05V에서 보다 양의 값이 적용됨에 따라 전류 반응이 증가되었고, 최대 반응은 +0.3V에서 얻어졌다. +0.5V에서는 전류반응이 증가하지 않았다. 따라서, +0.3V를 DA 분석을 위한 최적 적용 전위로 선정하였다.
<실시예 6> F3GA/PDAN 개질 전극을 이용한 DA 및 AA의 혼합물에서 DA의 전기화학적 검출
중추신경계의 세포외액에서는 AA가 DA와 함께 존재하며, 이러한 복합계에서 DA의 선택적 검출은 전기분석적 연구의 중요한 목적이 되어 왔다.
100μM DA 및 1.0mM AA의 혼합용액에서 개질되지 않은 나전극 및 F3GA/PDAN 복합 필름으로 개질된 전극의 CV를 측정하였다. 나전극에서는 2개의 종들의 중첩된 양극성 피크가 관찰되었고, DA 및 AA의 피크 전위가 구별되지 않았다. 따라서, 중첩된 산화 피크로부터 이들 화합물들을 선택적으로 검출할 수 없었다.
F3GA/PDAN 복합 필름으로 개질된 전극에서는 AA의 존재 유무가 DA의 양극성 피크에 어떠한 변화를 주기 못하였고, 따라서 AA 존재 하에서 DA의 선별적 검출을 위해 F3GA/PDAN 복합 필름으로 개질된 전극을 사용할 수 있을 것으로 판단되었다.
<실시예 7> F3GA/PDAN 개질 전극의 민감도, 안정성 및 선택성 평가
도 6a는 인산완충액(pH 7.4)에서 다양한 농도의 DA 첨가시 F3GA/PDAN 전극에서 얻어진 LSV를 나타낸 것이다. 도 6a의 삽입도와 같이, 5.0 내지 100μM 사이의 DA 농도에서 선형 검량선이 얻어졌다. 선형 회귀식은 Ip(μA) = -0.050 (±0.02) + 0.076 (±0.0004) [DA] (μM), 상관계수는 0.999이었다. 상대표준편차(RSD)는 3.1%이며, DA 검출한계는 0.1±0.03μM이었고, 이는 종래 알려진 전기화학적 DA 센서들보다 낮다.
개질 전극의 안정성 평가를 위하여, 도 6b와 같이 전류측정도를 측정한 결과, +0.3V의 적용 전위에서 측정용액에 5.0μM DA의 연속적인 첨가에 의해 검량선이 얻어졌고, DA에 대한 안정한 반응을 나타내었다. DA 센서의 민감도는 0.036±0.001μM-1이며, 1.34±0.23sμM-1의 반응시간을 나타내었다. 선형 회귀식은 Ip(μA) = -0.066 (±0.01) + 0.033 (±0.0002) [DA] (μM), 상관계수는 0.999이었다. 상대표준편차(RSD)는 1.5%이며, DA 검출한계는 0.1±0.01μM이었다. 게다가, 개질 전극은 한달 기간 넘게 DA 검출을 위한 좋은 안정성을 나타내었고, DA 산화에 대한 초기반응의 약 95% 정도를 유지하였다.
방해효과를 검토하기 위하여, DA와 다른 방해종들에 대한 F3GA/PDAN 개질 전극의 전류측정 반응을 수행하였다. 도 6c는 10μM DA 및 0.1mM의 어떤 생화학적 화합물 예를들어, AA, UA, 글리신, 글루타민, 글루코오스, 아세트아미노펜, 알라닌 및 시스테인을 첨가한 반응을 나타낸 것이다. 이러한 화합물들은 DA 검출을 방해하지 못하였고, F3GA/PDAN 복합 필름은 방해종들의 확산을 방지할 뿐 아니라, 전극 파울링을 감소시켰다.
<실시예 8> 실제 샘플에서의 도파민 분석
앞서 제조된 F3GA/PDAN/GCE(0.07cm2의 전극 면적을 지닌 전극)을 작동전극으로 사용하였고, 표준전극 및 반대전극으로 각각 Ag/AgCl 및 백금선을 사용하여 도파민 센서를 제작하였다.
상기 도파민 센서의 실제 응용 시 신뢰성을 검증하기 위하여, 인간 뇨 샘플에서 DA의 검출을 분석하였다. 샘플에서 DA 검출을 위해 표준첨가법이 수행되었다. 인간 뇨 샘플 2.0ml를 8.0ml PBS(pH 7.4)에 첨가하였고, 3가지 다른 농도의 DA(1.0, 2.0, 3.0μM)를 첨가하였다. 검량선의 선형 회귀식은 Ip(μA) = -8.32 (±0.41) + 20.87 (±0.21) [DA] (μM), 상관계수는 0.9998이었다.
인간 뇨 샘플에서 DA의 농도는 1.95±0.04μM로 결정되었다. 이 값은 종래 보고된 방법에 따라 얻어진 결과 즉, 액체 크로마토그래피 형광광도법(LC-F) 2.13±0.92μM, 액체 크로마토그래피 전기화학법(LC-EC) 2.17±0.94μM, 고성능액체크로마토그래피(HPLC) 1.32±0.10μM와 비교하여 좋은 일치를 보였다.
이러한 결과로부터, 본 발명에 따른 개질 전극은 인간 뇨 실제 샘플로부터 정확한 DA 검출이 가능하다는 것을 확인할 수 있었다.
도 1은 본 발명에 따른 F3GA/PDAN 개질 전극의 개략도 및 상기 개질 전극의 도파민 검출 원리를 도시한 개념도이고,
도 2a 및 도 2b는 DAN과 DAN 및 F3GA 혼합물을 함유하는 각 황산용액의 CV를 나타낸 것이고,
도 3a는 (i) 표면개질 없는 나전극, (ii) PDAN/GCE, (iii) F3GA/PDAN/GCE 상의 전극 표면의 SEM 이미지를 나타낸 것이고,
도 3b는 (i) 표면개질 없는 나전극, (ii) PDAN/GCE, (iii) F3GA/PDAN/GCE 상의 XPS 분석 결과를 나타낸 것이고,
도 3c 내지 도 3e는 (i) 표면개질 없는 나전극, (ii) PDAN/GCE, (iii) F3GA/PDAN/GCE에서 얻어진 각각의 N, S 및 Cl 피크를 나타낸 것이고,
도 4는 각각 (a) 1.0mM K3[Fe(CN)6], (b) 1.0mM Ru[(NH3)6]Cl3, (c) 100μM DA 및 (d) 1.0mM AA를 함유한 0.1M PBS(pH 7.4)에서 측정한 나전극(파선), PDAN 개질 전극(점선) 및 F3GA/PDAN 개질 전극(실선)에 관한 CV를 나타낸 것이고,
도 5는 도파민 분석 조건의 최적화를 위해 (a) 중합반응 주기의 횟수, (b) F3GA 농도, (c) pH, (d) 온도 및 (e) 적용 전위의 효과를 각각 검토한 것이고,
도 6 중 a는 다양한 농도의 DA 첨가시 F3GA/PDAN 전극에서 얻어진 LSV를 나타낸 것이고, b는 F3GA/PDAN 전극에서 5μM 도파민의 다수 주입에 따른 전류 반응을 나타낸 것이고, c는 방해물질 존재 하 F3GA/PDAN 전극에서 10μM 도파민의 주입 에 따른 전류 반응을 나타낸 것이다.

Claims (5)

  1. 시바크론 블루(F3GA) 또는 빌마픽스 블루 A-R(vilmafix Blue A-R) 중 어느 하나의 화합물 존재 하에서 디아미노나프탈렌(DAN) 단량체의 전기중합을 통해 전극을 표면 개질한 도파민 검출용 개질 전극.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 전기중합은 100mV/s의 주사속도에서 -0.2V 및 +0.9V 간의 7회 전위 주기에 의해 수행되는 도파민 검출용 개질 전극.
  3. (i) 전극을 세정하는 전처리 단계; 및 (ii) 디아미노나프탈렌과 시바크론 블루(F3GA) 또는 빌마픽스 블루 A-R(vilmafix Blue A-R) 중 어느 하나의 화합물을 함유한 황산 용액을 이용하여 전처리된 전극 상에서 전기중합반응을 수행하는 단계를 포함하는 도파민 검출센서용 개질 전극의 제조방법.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2 중 어느 한 항의 개질 전극을 작동전극으로 포함하는 도파민 검출센서.
  5. 청구항 4의 도파민 검출센서를 이용하여, 전기중합반응 주기의 횟수를 1 내지 7회, 시바크론 블루(F3GA) 또는 빌마픽스 블루 A-R(vilmafix Blue A-R) 중 어느 하나의 화합물의 농도를 0.1 내지 0.5mM, 최적 pH를 5.0 내지 9.0, 최적 온도를 10 내지 60℃ 및 전류반응시 적용 전위를 +0.05 내지 +0.3V로 설정하는 도파민 검출방법.
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