KR20110030876A - 박막증착장치 - Google Patents

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KR20110030876A
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Abstract

본 발명은 반도체, LCD, PDP 생산설비의 CVD/PVD 공정에서 기판상에 박막을 증착하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 CVD/PVD 공정에서 기판상에 박막을 증착할 때 히터 스테이지에 공급되는 백사이드 가스의 온도를 원하는 온도에 맞게 가열하여 공급하는 새로운 형태의 박막 증착방식을 구현함으로써, 히터 스테이지에 놓여지는 기판의 가장자리 온도를 고온으로 유지할 수 있도록 할 수 있으며, 이에 따라 히터 스테이지에 놓여진 기판의 중심부와 가장자리 간의 온도차 문제 등을 완전히 해소할 수 있는 등 균일한 두께의 필름이 증착된 고품질의 기판을 얻을 수 있는 박막증착장치를 제공한다.
반도체, LCD, PDP, CVD 공정, PVD 공정, 기판, 박막, 증착, 디포지션 가스, 백사이드 가스, 기판, 히터 스테이지 챔버, 가열 유니트

Description

박막증착장치{Apparatus for depositting thin film}
본 발명은 박막증착장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체, LCD, PDP 생산설비의 CVD/PVD 공정에서 기판상에 박막을 증착하는 장치에 관한 것이다.
최근에 반도체 제작자에 의해 제작된 반도체 집적회로의 집적수준은 계속 증가하고 있는 추세이다.
현재, 메가비트의 저장용량을 가지는 현재 DRAM의 제작 노력에서 기가비트의 저장용량을 가지는 미래 DRAM을 생산하는 데로 연구 및 개발 활동이 전환되고 있다.
이 DRAM은 가능한한 적은 영역을 차지하면서 가능한한 큰 용량을 제공할 수 있는 용량성 소자를 포함하고 있다.
용량성 소자를 제공하는 기술에 현재 사용되는 비유전 박막은 산화실리콘막이나 질화실리콘막을 포함하고 있다,
이들 막은 10 이하의 비유전 상수를 가지며, 미래에 사용되는 박막 재료 중에는 비유전상수 약 20을 가지는 탈타륨 펜톡시드(Ta2O3)과, 비유전상수 약 300을 가지는 바륨 티타네이트(BaTiO3)과, 스트론튬 티타네이트(SrTiO3)을 가지는 금속산화물, 또는 그 혼합물인 바륨 스트론튬 티타네이트가 있다.
이러한 증기상 화학 반응으로 기판상의 금속 산화 박막이 성장할 때, 기판은 진공밀폐식 박막 증착 챔버 내에 놓인 서셉터(susceptor)상에 위치하고, 기판은 소정의 온도로 서셉터 내에 둘러싸인 가열기와 같은 장치에 의해 가열되며, 공급가스 및 반응가스(산소 함유)의 혼합가스는 가스 분사 헤드를 통해 기판상에 분출된다.
보통 반도체 집적회로 공정에서 필수적으로 요구되는 박막형성 공정 가운데 화학 기상 증착법(Chemical Vaper Deposition;CVD)이 있다.
이 증착방법은 한 종류 이상의 화합물 가스를 CVD 공정을 위해 마련된 챔버 내로 투입하여 고온으로 가열된 기판, 예를 들면 반도체 웨이퍼와 기상으로 화학반응을 일으키면서 반도체 웨이퍼상에 박막을 형성시키는 공정이다.
이와 같은 CVD 공정을 수행하기 위한 CVD 장치는, 도 1에 도시한 바와 같이, 챔버(10), 상기 챔버(10)의 내부에 구비되어 디포지션 가스(Deposition gas)를 기판(100)으로 분사하는 샤워 헤드(11) 및 기판(100)이 놓여지는 히터 스테이지(12) 등을 포함한다.
따라서, 챔버(10)의 내부를 진공으로 조성하고, 히터 스테이지(12)를 통해 기판(100)을 고온으로 가열한 후에 샤워 헤드(11)의 분사구를 통해 챔버(10) 내부로 유입된 디포지션 가스는 기판(100) 방향으로 분사되어 기판(100) 위에서 화학반응을 일으켜 필름으로 증착된다.
그러나, 샤워 헤드(11)에서 분사되는 디포지션 가스는 직진성을 띠지 않기 때문에, 도3에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 옆면과 히터 스테이지(12)에도 증착되게 된다.
이로 인해, 디포지션 가스가 기판(100)의 가장자리에 쌓이게 되어 증착 필름이 두께가 일정하지 않는 문제점이 발생하며, 특히 기판(100)의 옆면에 증착된 필름에 의해 기판(100)과 히터 스테이지(12)간에 달라붙는 현상(sticking, 도3의 “A"부분)이 발생하게 되는 문제점이 있다.
이를 위하여, 히터 스테이지(12)를 통해 기판(100)의 뒷면과 옆면을 통해 백사이드 가스(Back side gas)를 공급하는 기술이 널리 활용되고 있다. 이러한 백사이드 가스는 Ar, N2, He 등의 비활성 가스가 사용되어 진다.
도4 및 도5에 도시된 바와 같이, 백사이드 가스는 백사이드 가스배관(13)으로 유입되어 히터 스테이지(12) 내부에 형성된 백사이드 가스 공급유로(14)를 따라 기판(100)의 뒷면과 옆면을 통하여 나가게 된다.
여기서, 백사이드 가스 공급유로(14)는 백사이드 가스배관(13)과 연결되어 히터 스테이지(12)의 기둥(12a) 중심을 따라 상하 방향으로 형성된 수직형 유로(14a)와, 이를 수직형 유로(14)의 상단을 중심으로 히터 스테이지(12) 본체(12b)에 방사상으로 여러 갈래로 나누어져 기판(100)의 뒷면과 옆면으로 백사이드 가스가 배출되는 방사형 유로(14b)로 이루어진다.
그러나, 백사이드 가스배관(13)으로 공급되는 백사이드 가스는 상온의 온도 로 공급되기 때문에, 도6에 도시된 바와 같이, 방사형 유로(14B)를 통해 기판(100)의 뒷면과 옆면으로 배출되는 상온의 백사이드 가스가 히터 스테이지(12)에서 기판(100)으로의 열전달을 방해 작용을 하는 요인이 되어 기판(100)의 가장자리의 온도가 떨어지는 현상이 발생된다. 이때, 히터 스테이지(12)에서 가열되는 온도는 대략 100℃~1000℃이다.
이와 같이 기판(100)의 가장자리의 온도가 떨어지는 현상(도6(a)의 파란색부분(“B"부분))에 따라, 기판(100)의 가장자리로 공급되는 디포지션 가스 입자의 운동이 활발하지 못하여 기판(100)의 필름 증착이 잘 이루어지지 않아 기판(100) 가장자리 부분이 기판의 중심 부분보다 증착 두께가 낮아지게 되는 문제점이 있다
이러한 문제점은 히터 스테이지(12) 온도와 백사이드 가스의 온도 차이로 기인한 것으로, 이로 인해 디포지션 필름의 전체 두께가 균일하지 못한 현상이 발생하게 되어 박막 필름의 품질이 떨어지게 된다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로서, CVD/PVD 공정에서 기판상에 박막을 증착할 때 히터 스테이지로 공급되는 가스의 온도를 원하는 온도에 맞게 가열하여 공급하는 새로운 형태의 박막 증착방식을 구현함으로써, 히터 스테이지와 백사이드 가스의 온도차를 줄일 수 있으며, 이에 따라 기판 중심과 기판 가장자리 간의 온도차 문제 등을 완전히 해소할 수 있는 등 균일한 두께의 필름이 증착된 고품질의 기판을 얻을 수 있는 박막증착장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서 제공하는 박막증착장치는 기판에 박막을 증착하기 위한 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버의 내부 공간에 설치되며 상기 기판이 놓여지는 히터 스테이지와, 상기 챔버이 상부에 설치되어 상기 기판를 향해 디포지션 가스를 분사하는 샤워헤드와, 상기 히터 스테이지에 형성된 공급 유로와 연결되어 상기 기판으로 백사이드 가스를 공급하는 백사이드 가스 공급 배관 및 상기 백사이드 공급 배관 상에 설치되어 공급되는 백사이드 가스의 온도를 높여주기 위한 가열 유니트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 가열 유니트는 유입구와 배출구을 갖는 유니트 본체와, 상기 유니트 본체의 내부에 조성되고 유입구에서부터 배출구까지 이어지는 소정의 경로를 갖는 가스 통로와, 상기 가스 통로의 내부에 설치되어 가스 흐름상에 노출되면 서 가스를 가열하는 히터 등을 포함하는 형태로 구성하는 것이 바람직하다..
그리고, 상기 가열 유니트의 경우에는 챔버로 공급되는 가스의 온도를 제어하기 위한 수단으로 히터의 작동을 제어하는 컨트롤러와, 이 컨트롤러에 온도정보를 제공하는 가스온도검출용 센서 및 히터온도검출용 센서를 적용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 제공하는 박막증착장치는 다음과 같은 장점이 있다.
첫째, 박막 증착 공정시 가열 유니트를 이용하여 히터 스테이지로부터 기판으로 제공되는 백사이드 가스의 온도를 원하는 온도에 맞게 가열한 후에 공급함으로써, 기판 가장자리의 온도가 떨어지지 않게 되어 기판 가장지리에서도 디포지션 가스의 증착이 활발히 이루어질 수 있고, 따라서 기판 전체에 균일한 두께의 필름층을 얻을 수 있는 등 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.
둘째, 가열 유니트를 포함하는 장치의 적용 범위를 반도체 제조 및 액정 제조에 사용되는 진공 설비의 배관 등으로 폭넓게 확보할 수 있으므로, 장치의 활용성 및 효용성을 크게 높일 수 있다.
셋째, 가열 유니트 내의 가스 흐름방향을 지그재그 형식으로 여러 개의 히터 카트리지를 경유하는 방식으로 설정하여 가스를 가열함으로써, 가스의 온도 제어가 용이할 뿐 아니라, 폭넓은 온도 대역을 제어할 수 있다.
넷째, 가스가 흐르는 유로의 내부를 세라믹 볼로 채움으로써, 가열시간을 단축할 수 있는 동시에 적정온도로 가열된 상태를 지속적으로 유지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치를 나타내는 개략도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, CVD 공정이나 PVD 공정에서 반도체 웨이퍼 등과 같은 기판(100) 위에 박막을 증착하기 위한 공간을 제공하는 챔버(10)가 마련되고, 상기 챔버(10)에는 기판(100)으로 디포지션 가스 분사를 위한 샤워 헤드(11), 기판(100)이 놓여지며 기판(100)을 가열하는 히터 스테이지(12) 등이 구비되며, 상기 히터 스테이지(12) 내부에 형성된 공급유로(도3의 14)와 연결되어 상기 기판(100)의 뒷면과 측면으로 백사이드 가스를 공급하기 백사이드 가스 공급 배관(13)이 설치된다.
특히, 상기 백사이드 가스 공급 배관(13)상에는 기판(100)으로 공급되는 백사이드 가스의 온도를 높여주기 위한, 즉 기판(100)의 뒷면과 측면으로 공급되는 백사이드 가스를 원하는 온도에 맞게 가열하기 위한 가열 유니트(19)가 설치된다.
이에 따라, 상기 가열 유니트(19)에 의해 히터 스테이지(12)로 유입되는 모든 가스가 고온으로 가열될 수 있고, 이러한 가열로 인해 히터 스테이지(12)를 통해 기판(100)의 뒷면과 측면으로 공급되는 고온의 백사이드 가스 입자들에 의해 기판(100)의 가장자리 온도가 떨어지는 현상이 사라질 수 있다.
이렇게 기판(100)을 가열하는 히터 스테이지(12)온도와 동일한 온도로 상승된 백사이드 가스 입자들이 기판(100)의 가장자리를 따라 공급되므로 기판(100) 전체적으로 동일한 고온의 온도를 유지할 수 있게 되어, 즉 기판(100)의 중심부의 온도와 가장자리의 온도가 모두 고온으로 동일하게 유지되어, 기판(100) 가장자리로 공급되는 디포지션 가스 입자의 운동이 활발하게 일어나서 필름 증착이 잘 이루어질 수 있게 된다.
도 8와 도 9은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 가열 유니트를 나타내는 사시도와 단면도이다.
도 8과 도 9에 도시한 바와 같이, 상기 가열 유니트(19)는 얇은 직사각형 형태의 케이스로 이루어진 유니트 본체(22)를 포함하며, 상기 유니트 본체(22)의 상부에는 한 쪽에 유입구(20)가, 다른 한 쪽에 배출구(21)가 각각 마련된다.
이때의 유입구(20)는 상온의 백사이드 가스가 들어오는 부분으로서 외부의 가스공급원(미도시)측에서 연장되는 배관이 연결되고, 상기 배출구(21)는 고온의 가스가 나가는 부분으로서 히터 스테이지(12)측으로 연장되는 배관에 연결된다.
그리고, 상기 유니트 본체(22)의 내부에는 가스의 흐름을 위한 유로인 가스 통로(23)가 마련되는데, 이때의 가스 통로(23)는 일정한 양의 가스가 충분히 가열될 수 있는 경로를 갖는 형태로 이루어진다.
예를 들면, 상기 가스 통로(23)는 유입구(20)와 배출구(21) 사이 구간에서 수차례 경로가 꺽이면서 방향이 바뀌는 지그재그 형태의 통로, 즉 수직으로 나란한 다수의 수직구간(23a)과 하나씩 엇배열되면서 각 수직구간(23a)의 상단과 하단을 연결하는 수평구간(23b)으로 이루어져 전체 구간이 하나로 통해 있는 형태의 통로로 이루어질 수 있다.
이에 따라, 상기 유입구(20)로 들어온 가스는 지그재그 형태의 구간을 경유 하면서 흐른 후에 배출구(21)를 통해 빠져나가게 되므로서, 결국 가스는 유니트 본체(22)의 내부에서 충분히 체류하면서 가열될 수 있다.
특히, 상기 가스 통로(23)의 내부에는 작은 알갱이 형태의 세라믹 볼(25)이 채워져 있으며, 이때의 세라믹 볼(25)들은 후술하는 히터(24)에 의해 가열되어 열을 발산하면서 히터(24)와 함께 가스를 가열하는 일을 보조하게 된다.
여기서, 상기 세라믹 볼(25)의 경우 가스 통로(23)의 내부 공간에 적당한 수량을 채울 수 있으며, 통로 내부 공간에 빈틈없이 꽉 채우는 것이 전열효과를 높이는 측면에서 바람직하다 할 수 있다.
가스의 가열을 위한 히터(24)는 가스 통로(23)의 내부에 설치되어 통로를 흐르는 가스를 가열하는 역할을 수행한다.
이를 위하여, 상기 히터(24)는 카트리지 형태로 이루어져 있으며, 유니트 본체(22)의 하부로부터 진입하여 가스 통로(23)의 중심축선을 따라 나란하게 배치되는 구조로 설치된다.
물론, 이렇게 설치되는 히터(24)와 통로 벽면 간에는 가스가 흐를 수 있는 간격이 확보될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 가스 통로(23)를 구성하는 4개의 수직구간(23a) 내에 히터(24)가 각각 하나씩 배속된 구조를 제공한다.
이때의 히터(24)는 컨트롤러(26)측과 전기적으로 연결되어 있어서 전원 인가 등의 제어를 받아 작동될 수 있다.
그리고, 상기 유니트 본체(22)의 한 쪽 측부에는 위아래로 각각 센서 설치 부(30a),(30b)가 마련되고, 이곳에 후술하는 가스온도검출용 센서(27)와 히터온도검출용 센서(28)가 체결구조로 설치될 수 있으며, 이때의 가스온도검출용 센서(27)는 그 감지부분이 가스 통로(23) 내에 위치되고, 히터온도검출용 센서(28)의 감지부분은 히터(24)측과 연결된다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 가열 유니트에서 가스의 흐름을 나타내는 단면도이다.
도 10에 도시한 바와 같이, 여기서는 유입구(20)를 통해 유니트 본체(22)의 내부로 들어온 상온의 백사이드 가스가 가스 통로(23)를 경유하면서 소정의 온도로 가열된 후, 히터 스테이지(12)로 공급되기 위해 배출구(21)를 빠져나가는 가스의 흐름을 보여준다.
즉, 상온의 백사이드 가스는 서로 연결된 가스 통로(23)의 4개의 수직구간(23a)을 지나게 된다.
이때, 서로 연결된 4개의 수직구간(23a)은 작은 알갱이 형태의 세라믹 볼(25)로 채워져 있다.
그리고, 서로 연결된 4개의 수직구간(23a)의 각각의 통로 중심에는 카트리지 형태의 히터(24)가 삽입되어 있다.
이때의 히터(24)는 수직구간(23a)의 내부 및 세라믹 볼(25)을 가열하게 된다.
이렇게 가열되어 있는 상태의 수직구간(23a), 즉 가스 통로(23) 및 그 내부의 세라믹 볼(25)을 통과함으로써, 백사이드 가스는 고온 상태를 유지한 채 히터 스테이지(12)의 내부로 공급될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 가열 유니트에서 온도제어관계를 나타내는 개략도이다.
도 11에 도시한 바와 같이, 히터 스테이지(12)의 내부로 공급되는 백사이드 가스의 온도를 원하는 온도, 즉 설정된 온도로 가열하고, 또 이를 제어하기 위한 수단으로 컨트롤러(26)와 다수의 센서류가 마련된다.
이를 위하여, 가열 유니트(19)의 유니트 본체(22)에 설치되는 히터(24)는 컨트롤러(26)에 의해 그 작동이 제어되고, 유니트 본체(22)의 측면에 있는 각 센서 설치부(30a),(30b)에는 컨트롤러(26)측에 백 사이드 가스 및 히터 온도정보를 제공하는 가스온도검출용 센서(27)와 히터온도검출용 센서(28)가 각각 설치된다.
이에 따라, 상기 컨트롤러(26)는 각 센서류로부터 입력되는 온도값을 근거로 하여 설정된 온도에 따라 백사이드 가스의 온도를 제어할 수 있다.
예를 들면, 먼저 컨트롤러에 가열한 온도값을 입력한다(Set point setting).
다음, 히터(24) 및 백사이드 가스의 현재 온도를 센싱한다.
다음, 히터 및 백사이드 가스의 현재 온도가 가열할 온도값에 못 미쳤을 때, 히터에 대한 히팅 전원을 계속 공급한다.
다음, 히터 및 백사이드 가스의 현재 온도가 가열할 온도값이 도달했거나 넘어 섰을 때, 히터에 대한 히팅 전원을 차단한다.
여기서, 상기 컨트롤러(26)에 의해 제어되는 백사이드 가스의 가열 온도, 즉 가열 유니트(19)를거쳐 히터 스테이지(12)를 통해 기판(100)의 뒷면과 측면으로 공 급되는 고온의 백사이드 가스 온도는 히터 스테이지(12) 가열 온도와 동일한 대략 100 ～1000℃ 정도의 범위로 설정될 수 있다.
도 12는 본 발명에 의해 디포지션 가스 입자가 기판에 균일한 두께로 증착된 상태를 보인 개략도이다.
본 발명에서와 같이 히터 스테이지(12)로 백사이드 가스를 공급하는 배관상에 가열유니트(19)를 설치하여, 기판(100)의 뒷면과 측면으로 공급되는 백사이드 가스의 온도를 히터 스테이지(12) 온도와 동일한 온도로 제공할 수 있게 되어, 기판(100) 전체가 동일한 온도를 유지할 수 있게 되어(도6a의 붉은색 부분), 기판(100) 전체에 디포지션 가스의 증착이 원활하게 일어나서 기판(100) 전체에 균일한 두께의 박막 필름이 증착된다.
이와 같은 가열 유니트는 진공의 환경이 조성되는 챔버에서 박막을 증착 시키는 장치 등에 유용하게 적용될 수 있다. 즉, 가열 유니트는 반도체 제조장치 및 LCD 제조장치, 그리고 PDP 제조장치 중에서 CVD 프로세서를 사용하는 모든 장치에서 히터 스테이지에 놓여지는 기판에 박막 필름을 증착시키기 위해 백사이드 가스를 사용하는 모든 공정 설비에 적용될 수 있다.
이상으로 본 발명에 따른 특정의 바람직한 실시예에 대해서 도시하고 설명하였다. 그러나, 본 발명이 상술한 실시예로 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상의 요지를 벗어남이 없이 얼마든지 다양하게 변경 실시할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 박막증착장치를 나타내는 사시도
도 2는 종래 박막증착장치를 나타내는 단면도
도 3은 종래의 박막증착장치에 따라 기판에 디포지션 가스가 증착되는 상태를 나타내는 개략도
도 4는 일반적인 히터 스테이지를 나타내는 사시도
도 5는 일반적인 히터 스테이지를 나타내는 단면도
도 6a 및 6b는 종래의 박막증착장치에 따라 기판이 가열되는 온도와 기판에 디포지션 가스가 증착되는 상태를 각각 나타내는 개략도
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치를 나타내는 개략도
도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 가열 유니트를 나타내는 사시도
도 9은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 가열 유니트를 나타내는 나타내는 단면도
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 가열 유니트에서 가스의 흐름을 나타내는 단면도
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 가열 유니트에서 온도제어관계를 나타내는 개략도
도 12은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치에 따라 기판이 가열되는 온도와 기판에 디포지션 가스가 증착되는 상태를 각각 나타내는 개략도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 챔버 11 : 샤워 헤드
12 : 히터 스테이지 13 : 백사이드 가스 배관
14 : 공급 유로 19 : 가열 유니트
20 : 유입구 21 : 배출구
22 : 유니트 본체 23 : 가스 통로
23a : 수직구간 23b : 수평구간
24 : 히터 25 : 세라믹 볼
26 : 컨트롤러 27 : 가스온도검출용 센서
28 : 히터온도검출용 센서 30a,30b : 센서 설치부

Claims (7)

  1. 기판(100)에 박막을 증착하기 위한 공간을 제공하는 챔버(10)와,
    상기 챔버(100)의 내부 공간에 설치되며 상기 기판(100)이 놓여지는 히터 스테이지(12)와,
    상기 챔버(100)이 상부에 설치되어 상기 기판(100)를 향해 디포지션 가스를 분사하는 샤워헤드(11)와,
    상기 히터 스테이지(12)에 형성된 공급 유로와 연결되어 상기 기판(100)으로 백사이드 가스를 공급하는 백사이드 가스 공급 배관(13) 및
    상기 백사이드 공급 배관(14) 상에 설치되어 공급되는 백사이드 가스의 온도를 높여주기 위한 가열 유니트(19)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 가열 유니트(19)는 유입구(20)와 배출구(21)을 갖는 유니트 본체(22)와, 상기 유니트 본체(22)의 내부에 조성되고 유입구(20)에서부터 배출구(21)까지 이어지는 가스 흐름 경로를 갖는 가스 통로(23)와, 상기 가스 통로(23)에 설치되어 가스 흐름상에 노출되면서 가스를 가열하는 히터(24)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 가열 유니트(19)의 가스 통로(23)는 유입구(20)와 배출구(21) 사이 구간에서 수차례 경로가 꺽이면서 방향이 바뀌는 지그재그 형태의 통로로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  4. 청구항 2에 있어서, 상기 가열 유니트(19)의 가스 통로(23)에는 다수의 세라믹 볼(25)이 채워지는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 세라믹 볼(25)은 가스 통로(23)의 내벽 공간 전체에 걸쳐 빈틈없이 꽉 채워지는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  6. 청구항 2에 있어서, 상기 히터(24)는 카트리지 형태의 히터로서 가스 통로(23)의 중심축선을 따라 나란하게 배치되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  7. 청구항 2에 있어서, 상기 가열 유니트(19)의 유니트 본체(22)에는 히터(24)의 작동을 제어하는 컨트롤러(26)에 온도정보를 제공하는 가스온도검출용 센서(27)와 히터온도검출용 센서(28)가 마련되어, 컨트롤러에 설정된 온도에 따라 공급되는 가스의 온도를 제어할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
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