KR20110023165A - Gas feeding equipments for fabricating optical semiconductor - Google Patents

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KR20110023165A
KR20110023165A KR1020090080814A KR20090080814A KR20110023165A KR 20110023165 A KR20110023165 A KR 20110023165A KR 1020090080814 A KR1020090080814 A KR 1020090080814A KR 20090080814 A KR20090080814 A KR 20090080814A KR 20110023165 A KR20110023165 A KR 20110023165A
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강지훈
김규범
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박종규
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Abstract

PURPOSE: A gas supplying apparatus for manufacturing an optical semiconductor is provided to uniformly maintain the quality of the optical semiconductor by uniformly supplying source gas or atmosphere gas to a reactor. CONSTITUTION: A liquid gas reservoir(20) stores liquid gas to be supplied to a reactor(60). A gas supply line(50) connects the liquid gas reservoir to the reactor. A heating device(30) changes a liquefied state to a gaseous state by heating the liquid gas from the liquid gas reservoir. The heating device includes thermal fluid which is directly contacted with a gas supply line. A gas feed back line(52) is connected from the lower side of the heating device to the liquid gas reservoir.

Description

광반도체 제조용 가스공급장치{GAS FEEDING EQUIPMENTS FOR FABRICATING OPTICAL SEMICONDUCTOR} GAS FEEDING EQUIPMENTS FOR FABRICATING OPTICAL SEMICONDUCTOR}

본 발명은, 광반도체 제조기술에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 광반도체 제조 공정에서, 액화 상태로 저장된 소스 가스 또는 분위기 가스를 다시 기체로 바꾸어, 반도체 성장 또는 증착이 이루어지는 반응로 내에 공급하는 광반도체 제조용 가스공급장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor manufacturing technology, and more particularly, in an optical semiconductor manufacturing process, an optical source for supplying a source gas or an atmosphere gas stored in a liquefied state to a gas and supplying it into a reaction furnace in which semiconductor growth or deposition is performed. A gas supply apparatus for semiconductor manufacturing.

발광다이오드(Light Emitting Diode; LED) 또는 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)등과 같은 광반도체를 제조하기 위해, 반응로 내에서 반도체의 증착 및/또는 성장시키는 공정이 요구된다. 일반적으로, 반응로 내에는 반응을 위해 분위기 가스가 필요하며, 특히, 유기 화학 기상 증착(MOCVD), 기상 에피택시(VPE), 또는 유기 금속 기상 에피텍시(OMVPE) 등의 기상 증착 또는 기상 에피텍시 공정에서는, 반도체의 성분을 결정하는 소스 가스(source gas)가 요구된다. 반응로에 공급되는 가스 중에는 부피를 줄이기 위해 액화된 상태로 저장되는 것들이 있는데, 예컨대, 소스 가스로서의 암모니아(NH3), 질소, 헬륨 등이 대표적이다. 특히, 암모니아는 질화물계 반도체 제조에 있어 소스 가스로 많이 이용되고 있다.In order to manufacture an optical semiconductor such as a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD), a process of depositing and / or growing a semiconductor in a reactor is required. In general, an atmosphere gas is required for the reaction in the reactor, and in particular, vapor deposition or vapor deposition such as organic chemical vapor deposition (MOCVD), vapor phase epitaxy (VPE), or organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE). In the taxi process, a source gas for determining the components of the semiconductor is required. Among the gases supplied to the reactor are those stored in a liquefied state to reduce volume, for example, ammonia (NH 3) as a source gas, nitrogen, helium and the like. In particular, ammonia is widely used as a source gas in the production of nitride semiconductors.

도 1은 종래에 이용되는 광반도체 제조용 가스공급장치의 한 예를 보인다. 도 01을 참조하면, 액화가스 저장용기(2)와 반도체 증착/성장용 반응로(6)가 가스공급라인(5)에 의해 연결되어 있다. 또한, 액화가스 저장용기(2)와 반응로(6) 사이에는 분배장치(4)가 설치된다. 도시하지는 않았지만, 분배장치(4)는 하나의 상류측 가스공급라인으로부터 가스를 받아 여러 갈래로 분기된 복수의 하류측 가스공급라인을 통해 복수의 반응로(6; 하나만이 도시됨)로 가스를 공급한다.1 shows an example of a gas supply apparatus for manufacturing an optical semiconductor conventionally used. Referring to FIG. 01, a liquefied gas storage container 2 and a reactor 6 for semiconductor deposition / growth are connected by a gas supply line 5. In addition, a distribution device 4 is provided between the liquefied gas storage container 2 and the reactor 6. Although not shown, the distribution device 4 receives gas from one upstream gas supply line and passes the gas to a plurality of reactors 6 (only one is shown) through a plurality of branched downstream gas supply lines. Supply.

도시된 바와 같이, 종래의 광반도체 제조용 가스공급장치는, 액화가스 저장용기(2)에 직접 히팅장치(3)가 설치된다. 가스 공급시, 히팅장치(3)가 액화가스 저장용기(2)의 액화가스를 직접 가열하여 기체 상태로 만들고, 그 기체 상태의 가스를 가스공급라인(5)을 통해 반응로(6)에 공급한다. 액화가스 저장용기(2)에 대해 직접 히팅을 하는 구조는, 교체 작업시 제약이 따르는 것은 물론이고, 과도한 내부 압력의 변화로 인해 폭발 및 화재의 위험성이 높아 안전 상에 큰 문제가 있었다. 또한, 반응로(6) 내부의 압력 불규칙한 변화로 인해, 반응로(6)에 대한 균일한 가스공급이 용이하지 않다는 문제점이 있다. 액화가스 저장용기(2)로부터 반응로(6)에 가스가 공급되면, 저장용기(2) 내 압력이 낮아져서, 반응로(6)에 대한 가스 공급이 원활하게 이루어지지 않는 현상이 발생할 수 있다.As shown in the drawing, in the conventional gas supply apparatus for optical semiconductor manufacturing, a heating device 3 is directly installed in the liquefied gas storage container 2. In the gas supply, the heating device 3 directly heats the liquefied gas of the liquefied gas storage container 2 to a gas state, and supplies the gas in the gas state to the reactor 6 through the gas supply line 5. do. The direct heating of the liquefied gas storage container (2), as well as constraints in the replacement operation, as well as the risk of explosion and fire due to the change of excessive internal pressure, there was a big problem in safety. In addition, there is a problem that the uniform gas supply to the reactor 6 is not easy due to the irregular change in pressure inside the reactor 6. When gas is supplied from the liquefied gas storage container 2 to the reactor 6, the pressure in the storage container 2 is lowered, which may cause a phenomenon that the gas supply to the reactor 6 is not smoothly performed.

따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 액화가스 저장용기 내 압력을 종래에 비해 일정하게 유지시킴과 동시에 반응로에 공급되는 가스량을 균일하게 할 수 있는 안전성이 좋은 광반도체 제조용 가스공급장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the problem to be solved by the present invention is to provide a gas supply apparatus for manufacturing a good optical semiconductor that can maintain a constant pressure in the liquefied gas storage container as compared to the prior art and to uniformize the amount of gas supplied to the reactor. will be.

본 발명의 일 측면에 따라, 소스 가스 또는 분위기 가스를 반도체 성장 또는 증착을 위한 반응로에 공급하는 광반도체 제조용 가스공급장치가 제공된다. 상기 가스공급장치는, 상기 반응로에 공급할 가스를 액화 상태로 저장하는 액화가스 저장용기와, 상기 액화가스 저장용기와 상기 반응기 사이를 연결하는 가스공급라인과, 상기 가스공급라인에 설치되어, 상기 액화가스 저장용기로부터 나온 액화가스를 가열해 기체 상태로 변화시키는 히팅장치와, 상기 히팅장치의 하류측에서 상기 가스공급라인으로부터 분기해 상기 액화가스 저장용기로 이어지는 가스 피드백 라인을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a gas supply apparatus for manufacturing an optical semiconductor that supplies a source gas or an atmosphere gas to a reactor for semiconductor growth or deposition. The gas supply device includes a liquefied gas storage container for storing a gas to be supplied to the reactor in a liquefied state, a gas supply line connecting the liquefied gas storage container with the reactor, and installed in the gas supply line, And a heating device for heating the liquefied gas from the liquefied gas storage container into a gas state, and a gas feedback line branching from the gas supply line downstream of the heating device to the liquefied gas storage container.

본 발명에 따르면, 히팅장치가 액화가스 저장용기가 아닌 가스공급라인 상에서 액화가스를 가열하여, 액화가스를 기체 상태로 변화시키고, 그 변화된 가스 중 일정량을 피드백 라인을 통해 액화가스 저장용기 내로 피드백하여, 그 피드백된 가스에 의해, 액화가스 저장용기 내의 입력을 일정하게 제어할 수 있다. According to the present invention, the heating apparatus heats the liquefied gas on the gas supply line, not the liquefied gas storage container, changes the liquefied gas into a gas state, and feeds a predetermined amount of the changed gas into the liquefied gas storage container through a feedback line. By the feedback gas, the input in the liquefied gas storage container can be controlled constantly.

바람직하게는, 상기 액화가스는 액화 암모니아, 액화 질소 또는 액화 헬륨일 수 있으며, 액화 암모니아는 질화물 반도체의 질소 성분이 되는 소스 가스로 이용되고, 액화 질소 또는 액화 헬륨은 반응로 내 분위기 가스로 이용된다.Preferably, the liquefied gas may be liquefied ammonia, liquefied nitrogen, or liquefied helium, liquefied ammonia is used as the source gas to be a nitrogen component of the nitride semiconductor, liquefied nitrogen or liquefied helium is used as the atmosphere gas in the reactor. .

일 실시예에 따라, 상기 히팅장치는 상기 가스공급라인의 일부 구간을 감싸는 히팅 코일일 수 있다. 이때, 상기 히팅코일은 전기 열선 코일이거나, 또는, 온수 등 열유체가 흐르는 코일형의 파이프일 수 있다. According to one embodiment, the heating device may be a heating coil surrounding a portion of the gas supply line. In this case, the heating coil may be an electric heating coil, or a coil-shaped pipe through which a heat fluid such as hot water flows.

다른 실시예에 따라, 상기 히팅장치는 상기 가스공급라인과 직접 접촉하는 열유체를 포함하는 열유체 저장장치일 수 있다.According to another embodiment, the heating device may be a thermal fluid storage device including a thermal fluid in direct contact with the gas supply line.

또 다른 실시예에 따라, 상기 히팅장치는 상기 가스공급라인의 일부 구간에 온풍을 가하는 온풍장치일 수 있다.According to another embodiment, the heating device may be a warm air device for applying warm air to a portion of the gas supply line.

바람직하게는, 상기 가스공급라인은, 상기 히팅장치의 하류측에 분배장치를 구비하며, 상기 분배장치로부터 복수의 반응로까지 복수의 라인으로 이어진다.Preferably, the gas supply line is provided with a distribution device downstream of the heating device, and is connected to the plurality of lines from the distribution device to the plurality of reactors.

본 발명에 따르면, 히팅장치를 거쳐 나온 가스 일부를 피드백 라인(즉, 피드백 배관)을 통하여 액화가스 저장용기 내로 피드백시켜, 그 가스로 인한 압력 증가분 조절을 통해, 상기 액화가스 저장용기 내부의 압력을 일정하게 유지 제어할 수 있다. 또한, 액화가스 저장용기를 직접 가열하는 히팅장치가 없으므로, 액화가스 저장용기의 교체가 용이하고, 별도의 기화기를 설치할 필요가 없어서 영하의 날씨 하에서도 안정적인 가스공급이 가능하며, 가스공급장치의 유지 및 보수에 소요되는 비용을 절감하는데에도 기여할 수 있다. 또한, 액화가스 저장용기 내부의 압력을 균일하게 유지하는 것이 가능하므로, 소스 가스 또는 분위기 가스를 균일한 양으로 반응로에 공급할 수 있어, 생산되는 광반도체 제품의 품질을 균일하게 유지시킬 수 있다.According to the present invention, a part of the gas from the heating device is fed back into the liquefied gas storage container through a feedback line (that is, a feedback pipe), and the pressure inside the liquefied gas storage container is controlled by adjusting the pressure increase due to the gas. It can be kept constant and controlled. In addition, since there is no heating device for directly heating the liquefied gas storage container, it is easy to replace the liquefied gas storage container, and there is no need to install a separate vaporizer, so stable gas supply is possible even in sub-zero weather, and the gas supply device is maintained. And it can also contribute to reducing the cost of repair. In addition, since the pressure inside the liquefied gas storage container can be maintained uniformly, the source gas or the atmosphere gas can be supplied to the reactor in a uniform amount, and thus the quality of the optical semiconductor product produced can be maintained uniformly.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있 도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to ensure that the spirit of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Accordingly, the invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And, in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광반도체 제조용 가스공급장치를 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining a gas supply device for manufacturing an optical semiconductor according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 광반도체 제조용 가스공급장치는 광반도체 제조를 위해 반도체층이 증착 및/또는 성장되는 반응로(60)에 가스를 공급하도록 구성된다.As shown in FIG. 2, the gas supply apparatus for manufacturing an optical semiconductor according to the present exemplary embodiment is configured to supply gas to a reactor 60 in which a semiconductor layer is deposited and / or grown for manufacturing an optical semiconductor.

상기 반응로(60)는, 유기 화학 기상 증착(MOCVD), 기상 에피택시(VPE), 또는 유기 금속 기상 에피텍시(OMVPE) 등 반도체층의 증착 및/또는 성장에 이용되는 반응로일 수 있다. 또한, 상기 반응로(60)에는 여러 종류의 소스 가스 및/또는 분위기 가스가 공급될 수 있는데, 본 발명의 명세서에서 다루어지는 가스공급장치는 반응로(60) 외부에서 액화 상태로 저장되며, 반응로(60) 내로는 기체 상태로 공급되는 가스의 공급장치이다. 액화 상태로 저장되는 가스는, 예컨대, 소스 가스로서의 NH3 또는 분위기 가스로서의 액화 질소 또는 액화 헬륨일 수 있는데, 본 발명이 이에 의해 한정되어서는 아니 될 것이다.The reactor 60 may be a reactor used for deposition and / or growth of a semiconductor layer, such as organic chemical vapor deposition (MOCVD), vapor phase epitaxy (VPE), or organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE). . In addition, various kinds of source gas and / or atmosphere gas may be supplied to the reactor 60, and the gas supply device covered by the specification of the present invention is stored in a liquefied state outside the reactor 60, and The furnace 60 is a gas supply device which is supplied in a gaseous state. The gas stored in the liquefied state may be, for example, NH 3 as a source gas or liquefied nitrogen as an atmosphere gas or liquefied helium, but the present invention should not be limited thereto.

도 2를 참조하면, 상기 광반도체 제조용 가스공급장치는, 액화가스 저장용기(20), 히팅장치(30), 분배장치(40), 가스공급라인(50) 및 가스 피드백 라인(52) 등을 포함한다.Referring to FIG. 2, the gas supply apparatus for manufacturing an optical semiconductor includes a liquefied gas storage container 20, a heating device 30, a distribution device 40, a gas supply line 50, a gas feedback line 52, and the like. Include.

본 발명의 선호되는 실시예에 따라, 상기 액화가스 저장용기(20)에는 액화 암모니아(NH3) 가스가 저장된다. 상기 액화가스 저장용기(20)와 상기 반응로(60)는 가스공급라인(50)에 의해 연결되어 있다. 또한, 상기 가스공급라인(50)에는 분배장치(40)가 설치된다. 도시하지는 않았지만, 상기 분배장치(40)의 출구 측에서 상기 가스공급라인(50)은 여러 갈래의 라인으로 나뉘어져 도 2에 도시된 반응로(60) 외의 다른 반응로(들)로 이어진다.According to a preferred embodiment of the present invention, the liquefied ammonia (NH 3) gas is stored in the liquefied gas storage container 20. The liquefied gas storage container 20 and the reactor 60 are connected by a gas supply line 50. In addition, a distribution device 40 is installed in the gas supply line 50. Although not shown, at the outlet side of the distribution device 40, the gas supply line 50 is divided into several branch lines leading to other reactor (s) other than the reactor 60 shown in FIG.

상기 가스공급라인(50)에는 히팅장치(30)가 설치된다. 상기 히팅장치(30)는 액화가스 저장용기(20)로부터 나와 가스공급라인(50)을 흐르는 액화가스를 가열하여 기체 상태로 변화시킨다. 본 실시예에서, 상기 히팅장치(30)는 상기 분배장치(40)에 대하여 상류측에 위치한다. The heating device 30 is installed in the gas supply line 50. The heating device 30 changes the liquefied gas flowing out of the liquefied gas storage container 20 and flows through the gas supply line 50 to a gas state. In this embodiment, the heating device 30 is located upstream with respect to the distribution device 40.

상기 히팅장치(30)를 거쳐 기화된 가스는 상기 분배장치(40)를 거쳐 해당 반응로(60)에 공급된다. 이때, 상기 가스 일부는 가스 피드백 라인(52)을 통해 상기 액화가스 저장용기(20) 내로 다시 보내어져, 상기 액화가스 저장용기(20) 내의 압력 제어에 이용된다. 이를 위해, 상기 가스 피드백 라인(52)은, 상기 분배장치(40)의 상류측에서, 상기 가스공급라인(50)으로부터 분기되어 상기 액화가스 저장용기(20)로 이어지는 배관 구조를 갖는다. The gas vaporized via the heating device 30 is supplied to the reactor 60 via the distribution device 40. At this time, the part of the gas is sent back to the liquefied gas storage container 20 through the gas feedback line 52, it is used for pressure control in the liquefied gas storage container 20. To this end, the gas feedback line 52 has a piping structure branching from the gas supply line 50 upstream of the distribution device 40 to the liquefied gas storage container 20.

상기 히팅장치(30)를 거친 가스 중 일정량을 가스 피드백 라인(52)을 통하여 액화가스 저장용기(20)로 다시 공급함으로써, 배출된 액화가스로 인하여 줄어든 액화가스 저장용기(20) 내 압력을 보충한다. 이에 따라, 상기 액화가스 저장용기(20) 내 압력을 일정 압력으로 제어할 수 있으며, 이는 상기 액화가스 저장용 기(20)로부터 상기 반응로(60)로의 가스 공급량을 균일하게 유지시키는데 기여한다. By supplying a predetermined amount of the gas that passed through the heating device 30 to the liquefied gas storage container 20 through the gas feedback line 52, the pressure in the liquefied gas storage container 20 reduced by the discharged liquefied gas is replenished. do. Accordingly, the pressure in the liquefied gas storage container 20 can be controlled to a predetermined pressure, which contributes to maintaining a uniform gas supply amount from the liquefied gas storage container 20 to the reactor 60.

본 발명의 실시예에 따라, 상기 가스 피드백 라인(52)의 분기 위치에 대해 하류측으로, 상기 가스공급라인(50) 및 상기 피드백 라인(52) 각각에는 가스의 흐름을 개폐하는 밸브들(54, 55)이 각각 설치될 수 있다. 예컨대, 가스공급라인(50) 상의 밸브(54)가 유로를 닫고, 피드백 라인(52)의 밸브(55)가 유로를 개방하면, 가스는 피드백 라인(52)을 통해 액화가스 저장용기(20)로 흐른다. 이때, 상기 피드백 라인(52)에는 액화가스 저장용기(20) 내 압력에 기초하여, 저장용기(20) 내로 흐르는 가스의 양을 조절하는 조절유닛(57)이 설치될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, valves 54 for opening and closing the flow of gas to each of the gas supply line 50 and the feedback line 52 downstream to the branch position of the gas feedback line 52. 55 may be installed respectively. For example, when the valve 54 on the gas supply line 50 closes the flow path, and the valve 55 of the feedback line 52 opens the flow path, the gas passes through the feedback line 52 to the liquefied gas storage container 20. Flows into. At this time, the feedback line 52 may be provided with a control unit 57 for adjusting the amount of gas flowing into the storage container 20, based on the pressure in the liquefied gas storage container 20.

한편, 상기 히팅장치(30)는 상기 가스공급라인(50)의 일정 구간에서 일정 길이만큼 설치되는데, 적어도 20cm의 길이를 갖도록 설치되는 것이 바람직하다. 상기 히팅장치(30)의 설치 구간이 너무 짧은 경우, 액화가스를 기체 상태로 바꾸는 가열 작용이 충분히 이루어지지 못하며, 상기 히팅장치(30)의 설치 구간이 너무 긴 것은 경제성을 떨어뜨린다.On the other hand, the heating device 30 is installed in a predetermined length of the gas supply line 50 by a predetermined length, it is preferably installed to have a length of at least 20cm. When the installation section of the heating device 30 is too short, the heating action for converting the liquefied gas into a gas state is not sufficiently achieved, and the installation section of the heating device 30 is too long to reduce the economics.

상기 히팅장치(30)는 가스공급라인(50)의 일 구간을 가열할 수 있는 다양한 구조의 것들이 채택될 수 있는데, 도 3a, 도 3b 및 도 3c에는 히팅장치(30)의 바람직한 예들이 도시되어 있다.The heating device 30 may be adopted in a variety of structures that can heat a section of the gas supply line 50, the preferred examples of the heating device 30 is shown in Figures 3a, 3b and 3c have.

도 3a는 가스공급라인(50)의 배관을 감싸는 코일 구조의 히팅장치(30)를 보여준다. 도 3a에 도시된 히팅장치(30)는 전기 저항에 의해 발열하는 열선 코일이거나, 또는, 열유체(특히, 온수)가 흐르는 코일형의 파이프일 수 있다. 3a shows a heating device 30 having a coil structure surrounding a pipe of the gas supply line 50. The heating apparatus 30 shown in FIG. 3A may be a hot wire coil that generates heat by electric resistance, or may be a coiled pipe through which a heat fluid (especially hot water) flows.

도 3b를 참조하면, 상기 히팅장치(30)는 상기 가스공급라인(50)의 배관과 직접 접촉하는 열유체(특히, 온수) 및 그것을 담는 용기(32)를 포함하는 열유체 저장장치일 수 있다.Referring to FIG. 3B, the heating device 30 may be a thermofluid storage device including a thermofluid (in particular, hot water) in direct contact with a pipe of the gas supply line 50 and a container 32 containing the heat fluid. .

도 3c를 참조하면, 상기 히팅장치(30)는 상기 가스공급라인(50)의 배관에 온풍을 가하는 온풍장치일 수 있다.Referring to FIG. 3C, the heating device 30 may be a warm air device that applies warm air to a pipe of the gas supply line 50.

도 3a, 도 3b 및 도 3c에 도시된 것과 같은 다양한 구조의 히팅장치(30)가 액화가스 저장용기(10)의 크기 및 지형 지물에 따라 적당히 선택될 수 있다.The heating apparatus 30 having various structures as shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C may be appropriately selected according to the size and feature of the liquefied gas storage container 10.

위에서 설명된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 광반도체 제조용 가스공급장치는, 액화가스 저장용기(20) 내 압력 제어를 위한 가스를 그 저장용기(20) 내로 피드백하도록, 액화가스 저장용기(20)와 반응로(60)(또는, 분배장치(40) 사이를 잇는 가스공급라인(50)에 히팅장치(30)를 포함하는 한편, 그 히팅장치(30) 하류로부터 상기 액화가스 저장용기(20)로부터 이어지는 가스 피드백 라인(52)을 구비한다. 상기 가스 피드백 라인(52)을 통해 상기 액화가스 저장용기(20) 내로 가스를 공급하여, 액화가스 저장용기(20) 내 압력을 일정하게 유지 제어한다. 상기 히팅장치(30)를 이용하여 액화가스 저장용기(20)에 직접적인 가열을 하지 않기 때문에 액화가스 저장용기(20)의 교체가 용이하고 안전하며, 더 나아가, 별도의 기화기를 사용하지 않기 때문에, 영하의 날씨 하에서도 안정적으로 균일한 압력의 가스를 반응로(60)에 공급할 수 있다.As described above, the gas supply apparatus for manufacturing an optical semiconductor according to an embodiment of the present invention, the liquefied gas storage container to feed back the gas for pressure control in the liquefied gas storage container 20 into the storage container 20. A heating device 30 in the gas supply line 50 between the 20 and the reactor 60 (or the distribution device 40), while the liquefied gas storage vessel is downstream from the heating device 30. And a gas feedback line 52 extending from 20. The gas is supplied into the liquefied gas storage container 20 through the gas feedback line 52, so that the pressure in the liquefied gas storage container 20 is constant. Since the heating device 30 does not directly heat the liquefied gas storage container 20, the replacement of the liquefied gas storage container 20 is easy and safe, and further, a separate vaporizer is used. Because we do not, it is sub-zero weather Also it can be supplied to a gas of a uniform pressure to the reaction as a stable (60).

도 1은 종래의 광반도체 제조용 가스공급장치를 도시한 도면.1 is a view showing a conventional gas supply device for optical semiconductor manufacturing.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광반도체 제조용 가스공급장치를 도시한 도면.2 is a view showing a gas supply device for manufacturing an optical semiconductor according to an embodiment of the present invention.

도 3a, 도 3b 및 도 3c는 가스공급라인을 흐르는 액화가스를 기화시키는데 이용되는 히팅장치의 예들을 보여주는 도면들.3A, 3B and 3C show examples of a heating apparatus used to vaporize liquefied gas flowing through a gas supply line.

Claims (6)

소스 가스 또는 분위기 가스를 반도체 성장 또는 증착을 위한 반응로에 공급하는 광반도체 제조용 가스공급장치로서,A gas supply device for manufacturing an optical semiconductor that supplies a source gas or an atmosphere gas to a reactor for semiconductor growth or deposition, 상기 반응로에 공급할 가스를 액화 상태로 저장하는 액화가스 저장용기;A liquefied gas storage container for storing a gas to be supplied to the reactor in a liquefied state; 상기 액화가스 저장용기와 상기 반응기 사이를 연결하는 가스공급라인;A gas supply line connecting the liquefied gas storage container and the reactor; 상기 가스공급라인에 설치되어, 상기 액화가스 저장용기로부터 나온 액화가스를 가열해 기체 상태로 변화시키는 히팅장치; 및A heating device installed in the gas supply line and configured to heat the liquefied gas from the liquefied gas storage container to change into a gas state; And 상기 히팅장치의 하류측에서 상기 가스공급라인으로부터 분기해 상기 액화가스 저장용기로 이어지는 가스 피드백 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 제조용 가스공급장치.And a gas feedback line branching from the gas supply line on the downstream side of the heating device and leading to the liquefied gas storage container. 청구항 1에 있어서, 상기 액화가스는 액화 암모니아, 액화 질소 또는 액화 헬륨인 것을 특징으로 하는 광반도체 제조용 가스공급장치.The gas supply apparatus for manufacturing an optical semiconductor according to claim 1, wherein the liquefied gas is liquefied ammonia, liquefied nitrogen, or liquefied helium. 청구항 1에 있어서, 상기 히팅장치는 상기 가스공급라인의 일부 구간을 감싸는 히팅 코일인 것을 특징으로 하는 광반도체 제조용 가스공급장치.The gas supply apparatus for manufacturing an optical semiconductor according to claim 1, wherein the heating apparatus is a heating coil surrounding a portion of the gas supply line. 청구항 1에 있어서, 상기 히팅장치는 상기 가스공급라인과 직접 접촉하는 열유체를 포함하는 열유체 저장장치 것을 특징으로 하는 광반도체 제조용 가스공급장 치.The gas supply apparatus of claim 1, wherein the heating apparatus comprises a thermal fluid storage device including a thermal fluid in direct contact with the gas supply line. 청구항 1에 있어서, 상기 히팅장치는 상기 가스공급라인의 일부 구간에 온풍을 가하는 온풍장치인 특징으로 하는 광반도체 제조용 가스공급장치.The gas supply apparatus of claim 1, wherein the heating apparatus is a warm air apparatus that applies warm air to a portion of the gas supply line. 청구항 1에 있어서, 상기 가스공급라인은, 상기 히팅장치의 하류측에 분배장치를 구비하며, 상기 분배장치로부터 복수의 반응로까지 복수의 라인으로 이어진 것을 특징으로 하는 광반도체 제조용 가스공급장치.The gas supply apparatus for manufacturing an optical semiconductor according to claim 1, wherein the gas supply line includes a distribution device downstream of the heating device, and is connected to the plurality of lines from the distribution device to a plurality of reactors.
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