KR20110021960A - 암모니아 함유 가스를 형성하기 위해 개선된 요소의 기화를 제공하는 선택적 촉매 ＮＯｘ 환원 방법 및 장치 - Google Patents

암모니아 함유 가스를 형성하기 위해 개선된 요소의 기화를 제공하는 선택적 촉매 ＮＯｘ 환원 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

암모니아 공급을 가능하게 하도록 요소를 효율적이며 완전하게 기화시키도록 설계된 챔버로 요소를 공급할 수 있는 NOX의 선택적 촉매 환원(SCR)과 같은 목적을 위해 요소의 효율적인 활용을 가능하게 하는 방법 및 장치가 개시된다. 바람직하게, 수성 요소는 기화 챔버로 공급되며, 가열된 가스로 또한 공급된다. 미세한 비말로서 수성 요소를 분배할 수 있는 분사기 수단은 챔버 내의 가스 분배 플레이트의 중심에 위치된다. 가스 분배 플레이트 내에 이격되어 있는 구멍의 배열은 챔버의 벽에 인접하기 보다 분사기 수단의 부근에 보다 높은 가스 속도를 제공한다. 장비 오염 없이 균일한 가스 분배가 얻어진다.

Description

암모니아 함유 가스를 형성하기 위해 개선된 요소의 기화를 제공하는 선택적 촉매 ＮＯｘ 환원 방법 및 장치{SELECTIVE CATALYTIC NOx REDUCTION PROCESS AND APPARATUS PROVIDING IMPROVED GASIFICATION OF UREA TO FORM AMMONIA-CONTAINING GAS}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 전체 내용이 참조로 통합되는 2008년 5월 27일자로 제출된 U.S.가특허출원 제61056121호에 대한 우선권을 주장하며 이의 부분계속출원이다.
본 발명은 일반적으로 NOx의 선택적 촉매 환원(SCR)과 같은 용도를 위한 요소(urea)의 효율적인 활용에 관한 것이며, 보다 상세하게는 SCR 유닛에 공급하기 위해 요소를 (열분해 및/또는 가수분해에 의해) 효율적으로 및 완전히 기화시키도록 설계된 챔버로 요소를 공급하는 것에 관한 것이다.
암모니아가 가열된 가스 흐름에 유용한 많은 프로세스가 존재한다. 공기 오염 제어의 경우, 예시는 소량의 암모니아가 분사되는 배연 가스 조절과, 비교적 많은 양의 암모니아에 좌우되는 SCR 시스템이다. 암모니아가 고온 가스 흐름에 요구되는 경우는 언제나, 본질적으로 암모니아를 처리하는데 대한 손실 및 위험성을 방지하는 것이 바람직할 것이다.
SCR은 NOx 환원에 매우 효과적인 것으로 증명되었으며, SCR 유닛은 일반적으로 요구되는 크기의 일정한 비율로 만들어질 수 있다. 그러나 SCR 유닛은 통상적으로 환원 시약으로서 암모니아의 사용을 요구하며, 암모니아는 특히 차지된 영역에 저장하기가 어렵고 위험한 것이 일반적인 문제점이다. 따라서, Sun 등의 U.S.특허 제7,090,810호 및 Cooper 등의 U.S.특허 제6,077,491호에 기재된 바와 같은 요소 및 암모니아 발생기의 사용이 종종 효과적이지만, 요구되는 바에 기초하여 요소를 충분히 기화시키는 능력은 정확하게 실행되지 않는 한 문제를 일으킬 수 있다.
이러한 기화 챔버를 위한 요소 또는 다른 상업용 유닛을 위한 다른 유사한 화학물질이 도입될 때, 장비의 오염없는 효과적인 작동은 균일한 분배 및 빠른 열분해 및/또는 가수분해를 필요로 한다. 요소의 도입 이전 및 이후의 고온 공기의 적절한 속도 분배는 이러한 기화 챔버의 작동에 중요하다. 다공성 플레이트의 개념이 요소 분배에 바람직한 가스 패턴을 제공하기 위해 요소 분사 이전에 균일한 유동을 제공하도록 제안되었지만, 실제로 이들 장치는 부적절한 시약의 역류 또는 재순환을 일으킬 수 있으며, 이는 플레이트, 챔버 벽 또는 인접한 노즐을 덮는 고체 요소를 초래하여 오염 및 관련 문제점을 야기한다. 특히 노즐 상의 오염을 방지하는 것이 바람직할 것이다.
NOX의 선택적 촉매 환원(SCR)과 같은 용도를 위한 요소의 효율적인 활용을 위한 방법, 장치 및 시스템, 보다 구체적으로는 SCR 유닛에 공급하기 위해 요소를 (열분해 및/또는 가수분해에 의해) 효율적으로 완전히 기화시키도록 설계된 챔버로 요소를 공급할 수 있는 기화 장치, 방법 및 시스템에 대한 필요성이 존재한다.
요소를 암모니아로 전환시키고, 또한 오염 제어 효과의 손실 또는 과도한 시약 사용 또는 장비 오염 없이 암모니아 발생을 완전히 제어할 수 있는 능력을 유지하는 이러한 시스템에 대한 특정한 필요성이 존재한다.
본 발명은 암모니아를 벌크 형태로 실제로 저장하거나 취급하지 않고 암모니아를 가열된 가스 흐름으로 도입시키는 방법을 제공한다.
본 발명은 연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키기 위한 방법, 장치 및 시스템을 제공한다.
일 양태에서, 기화 챔버로 요소를 공급하는 단계, 요소를 도입하기 위한 지점의 상류의 기화 챔버로 미세한 미립자 또는 비말(droplets)과 같은 요소를 분배할 수 있는 분사기 수단에 의해 가열된 가스를 공급하는 단계, 상기 분사기 수단에 근접하여 상기 챔버 내에 가스 분배 플레이트를 제공하는 단계, 상기 챔버의 벽에 인접하기 보다 상기 분사기 수단의 부근에 보다 높은 가스 속도를 제공하도록 상기 가스 분배 플레이트에 구멍의 간격 및 배열을 제공하는 단계, 및 상기 챔버로부터 나가기 전에 상기 요소를 유효하게 기화시키도록 가열된 가스 및 요소의 공급률을 조정하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다. 바람직하게, 요소는 수용액으로서 사용된다.
다른 양태에서, 최상부, 바닥 및 측벽을 갖는 기화 챔버, 상기 기화 챔버로 요소를 공급하고 상기 챔버 내의 요소를 미세한 미립자 또는 비말로 분배할 수 있는 분사기 수단, 상기 분사기 수단의 상류의 상기 기화 챔버로 가열된 가스를 공급하기 위한 덕트 수단, 상기 분사기 수단 부근에 있는 상기 챔버 내의 가스 분배 플레이트로서, 상기 챔버의 측벽에 인접하기 보다 상기 분사기 수단의 부근에 보다 높은 가스 속도를 제공하기에 효과적인 구멍의 간격 및 배열을 갖는, 가스 분배 플레이트, 및 가열된 가스를 함유하는 기화된 요소를 상기 챔버로부터 지향시키기 위한 가스 출구 수단을 포함하는 장치가 제공된다.
바람직하게, 상기 방법 및 장치는 선택적 촉매 NOX 환원을 위한 촉매와 함께 사용된다.
개시된 바와 같은 방법 및 장치를 사용하는 시스템이 또한 제공된다.
본 발명의 다른 바람직한 양태가 하기에 기재된다.
상세한 설명에 통합되며 상세한 설명의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명의 현재의 바람직한 실시예를 도시하며, 상기 제공된 개략적인 상세한 설명 및 하기에 주어지는 바람직한 실시예의 상세한 설명과 함께, 본 발명의 원리를 설명하도록 제공된다. 도면에 걸쳐서 도시된 바와 같이, 동일한 참조 부호는 동일하거나 대응하는 부분을 지시한다.
도 1은 본 발명의 방법 및 시스템의 바람직한 실시예의 개략적 측면도이고,
도 2는 도 1에 도시된 바와 같은 시스템의 개략적 평면도이며,
도 3은 도 1에 도시된 바와 같은 시스템에 사용하기 위한 바람직한 분배 플레이트 설계의 평면도이다.
본 발명을 설명할 때, 도 1에 개략적으로 도시된 바람직한 실시예가 보여지는 도면이 참조된다. 이들이 나타내는 방법 및 도면은 전체로서 본 명세서에 통합되는 U.S.특허 제7,090,810호에 기재된 다양한 구성요소들에 대한 부적당한 반복없이 하기에 간략히 설명될 것이다.
용어 "요소"는 요소와 대등한 시약을 포함하는 것을 의미하며, 말하자면 시약은 도입되는 형태로 대량의 순수한 화학적 요소를 포함하는지 여부에 관계없이, 가열될 때 HNCO 및 암모니아를 형성한다; 그러나 요소와 대등한 시약은 통상적으로 그 시판용 형태로 측정 가능한 양의 요소를 포함하며 따라서 요소를 포함한다. 기화될 수 있는 NOX-환원 시약 중에, 아멜라이드(ammelide); 아멜라인(ammeline); 암모늄 카보네이트(ammonium carbonate); 암모늄 바이카보네이트(ammonium bicarbonate); 암모늄 카바메이트(ammonium carbamate); 암모늄 시아네이트(ammonium cyanate); 황산 및 인산을 포함하는 무기산의 암모늄 염; 포름산 및 아세트산을 포함하는 유기산의 암모늄 염; 뷰렛(biuret); 트라이유렛(triuret), 시아누르산(cyanuric acid); 이소시아닉 산(isocyanic acid); 요소 포름알데히드(urea formaldehyde); 멜라민(melamine); 트라이시아노 요소(tricyanourea) 및 상당히 많은 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 구성요소를 포함하는 시약들이 있다. HNCO를 형성하지 않지만 탄화수소를 포함하는 가스의 혼합물로 분해하는 또 다른 NOX-환원 시약이 이용 가능하다. 이들 그룹 중에는 구아니딘, 구아니딘 카보네이트, 메틸 아민 카보네이트, 에틸 아민 카보네이트, 디메틸 아민 카보네이트, 헥사메틸아민을 포함하는 다양한 아민 및 그 염(특히 이들의 탄산염); 헥사메틸아민 카보네이트; 및 화학 프로세스로부터 요소를 포함하는 부산물 폐기물이 있다. 해제된 탄화수소 성분이 NOX-환원 반응을 방해하지 않는 정도로 더 높은 알킬기를 갖는 아민이 사용될 수 있다.
용어 "요소"는 따라서 모든 그 시판용 형태 및 동등한 형태로 요소를 포함함을 의미한다. 통상적으로, 요소의 시판용 형태는 본질적으로 중량으로 95% 또는 그보다 많은 요소를 포함하는 요소로 이루어질 것이다. 이러한 비교적 순수한 형태의 요소가 바람직하며, 이는 본 발명의 방법에서 몇몇 이점을 갖는다. 이는 약 5 내지 약 70%의 농도의 수용액으로 프로세스에 공급되며, 이때 약 30 내지 약 60%가 가장 전형적이다. 요소는 또한 미세하게 분할된 고체 또는 융해물로서 사용될 수 있다. 이들 시약 중 몇몇이 기화될 때, 반응 가스는 또한 이산화탄소 및 암모니아로 전환시키기 위해 물과 반응할 수 있는 HNCO를 또한 포함할 것이다. 본 발명의 이점은 본 발명이 노즐 및 다른 장비를 막는 부수적인 위험성을 갖는 NOX-환원 시약의 사전가수분해 없이 용이하게 얻어질 수 있는 것이다. 용어 "기화"에 따르면, 실질적으로 모든 요소가 가스로 전환되어, SCR 촉매와 접촉할 수 있는 상당히 용해되거나 자유로운 고체 또는 액체를 남기지 않음을 의미한다.
도 1을 참조하면, 미세한 미립자(고체 요소의 경우) 또는 비말(액체 요소의 경우)의 스프레이(19)로서 라인(20)을 통하여 공급되는 수성 요소 용액을 도입하기 위한 분사기(18), 가스 분배 플레이트(16), 가스 배출구(14) 및 가스 유입구(12)를 갖는 기화 챔버(10)가 도시된다. 챔버(10)에 관하여 가스 유입구(12) 및 배출구(14)의 바람직한 배치는 도 1 및 도 2를 함께 고려함으로써 알 수 있다. 챔버(10)는 최상부 벽(102), 바닥벽(104) 및 측벽(106)을 포함하도록 도시된다.
분배 플레이트의 일 실시예의 세부 사항은 도 3에 도시된다. 도면에는 중심 구멍(160) 및 더 작은 구멍(162, 164)으로 된 8개의 원형 배열이 도시된다. 중심 구멍(160)은 분사기가 이를 통해 요소를 도입시키고 가스 순환을 방지하는 속도로 챔버(10) 내에서 가열된 가스와 만나게 하기에 충분한 크기이다. 분사기는 바람직하게 플레이트와 나란히 놓인다. 분사기 개구는 노즐 디자인 및 유속에 따라 플레이트의 높이 위에, 플레이트의 높이 아래에 또는 플레이트의 높이에 있을 수 있다. 바람직하게 노즐은 플레이트로부터 이격되어 분사기(18)와 플레이트(16) 사이에서 구멍(160)을 통과하는 유동을 허용할 것이다. 한가지 바람직한 치수의 세트가 도면에 도시된다. 이러한 예시적인 유형 및 치수의 구멍에 대해, 요소 용액에 대한 (35% 용액에 대한) 유속은 약 0.1 내지 약 10 리터/분일 수 있으며, 가스 유속은 약 50 내지 약 1000 ft3/분일 수 있다.
요소 분사기(18)는 미세하게 분산되는 미립자 또는 비말을 도입시킨다. 스프레이 패턴(19)은 바람직하게 원뿔형으로 설계되거나 그렇지 않으면 균일한 분배를 제공할 정도로 설계된다. 임의의 적합한 분사기 또는 노즐이 사용될 수 있으며, 예를 들면 공기 보조식, 비-공기식 및 기계식 분무기(atomizers)가 사용될 수 있다. 비말 또는 미립자는 500 미크론 미만의 크기이지만 통상적으로 100 미크론 미만, 바람직하게는 50 미크론 미만의 임의의 물을 빠르게 증발시키고 요소를 분해하는데 바람직하다. 또한, 용기 크기를 고려하여, 예를 들면 초음파 노즐로부터 발생된 작고 느린 비말이 크고 빠른 비말보다 더 바람직할 수 있다. 요구되는 경우, 증기가 분무화 유체로 사용될 수 있다. 요소 공급 라인(20)은 분사기(18)를 나가기 전에 라인(20) 내에서의 분해로부터 요소를 보호할 수 있는 분무화 유체를 위한 둘레의 환형 채널 및 요소를 위한 중심 채널을 제공할 수 있다.
유입구(12)를 통해 챔버(10)로 들어가는 가열된 가스는 열분해 및/또는 가수분해에 의해 요소를 기화시킬 것이며, 기화된 요소를 포함하는 가스는 배출구(14)를 통해 챔버(10)로부터 빠져나간다. 가스는 바람직하게 400℉ 이상, 바람직하게는 500℉보다 높은 온도로, 보다 바람직하게는 약 600℉ 내지 약 1300℉, 예를 들면 약 700℉ 내지 약 1200℉의 온도로 챔버(10)로 도입된다. 챔버(10)로부터 나가기 전에 가스의 온도 및 체류 시간은 충분한 기화를 달성하는데 효과적일 것이다. 입구 온도는 약 350℉ 이상 내지 바람직하게는 450℉ 이상의 출구 온도를 또한 유지하도록 충분히 높아야 한다. 들어가는 가스 또는 요소 용액으로부터의 수분의 존재는 가수분해를 용이하게 할 것이며, 이는 바람직하지만 필수적인 것은 아니다. 본 발명은 노즐 및 노즐의 단단한 외피를 향하여 요소 또는 부산물의 역류를 방지하는데 효과적인 다양한 크기의 개구를 갖는 다공성 플레이트 설계를 이용한 가스 속도 성형(gas velocity shaping)을 통해 개선된 요소 분해 챔버 설계를 제공할 것이다.
챔버를 빠져나가는 액체 또는 고체가 SCR 유닛 하류를 손상시킬 수 있는 가능성에 대한 예방책으로, 구성요소(15)가 사용될 수 있다. 구성요소(15)는 스크린, 일련의 배플 또는 베인, 필터 등일 수 있으며, 어떠한 소오스로부터라도 액체 또는 고체를 끌어들이도록(trap) 설계된다. 이는 선택적으로 HNCO 또는 요소 또는 부산물을 암모니아로 가수분해하도록 촉매를 포함할 수 있다.
요소를 도입하기 이전 및 이후에 고온 공기를 적절한 속도로 분배하는 것은 분해 챔버(10)의 작동에 중요하며, 본 발명에 의해 달성된다. 본 발명은 노즐 오염 및 관련 문제점을 야기하지 않고 효과적인 기화를 위한 요소 분배를 달성하도록 바람직한 고온 가스 유동 패턴으로 요소 분사를 제공한다. 효과적인 가스 속도 성형은, 가스를 분사기에 인접하여서 요소 미립자 또는 비말 속도와 거의 조화시키고 벽(106)에 인접하여서 감소된 가스 속도를 제공하는 가스 속도 프로파일을 생성하도록, 분사기(18) 배출구의 적절한 위치결정 및 특별히 설계된 다공성 플레이트(16)를 사용하여 얻어진다. 플레이트(16) 내의 구멍의 설계 및 요소와 고온 가스의 유동 파라미터는 전산유체역학 또는 저온 유동 모델링 또는 보다 큰 어려움을 갖는 시행착오에 의해 얻어질 수 있다.
본 발명은 분사기(18)에 인접한 유동 재순환 구역을 방지하는 가스 및 액체 속도 성형을 제공하는 이점이 있다. 분사기에 인접한 재순환은 과거에 발생한 바와 같이, 바람직하지 않은데, 이는 분사기 본체 상에 비말이 증착되게 하기 때문이다. 일단 증착되면, 시약은 시간이 지나면서 응고되며 축적된다. 이러한 고체 질량체는 분사기 스프레이를 향하여 성장하는 경향이 있으며, 결국에는 스프레이 패턴을 방해하여 챔버 벽에 충돌할 수 있는 큰 미립자 또는 비말을 야기한다. 벽에 대한 충돌은 벽 상에 고체 증착물을 발생시킨다. 가스 속도를 스프레이 속도와 거의 맞춤으로써, 이러한 재순환 구역 및 그 역효과가 방지된다.
본 발명의 다른 이점은 속도 성형이 챔버(10)를 통하여 가스 유속의 크기를 감소시키는 점이다. 균일하게 높은 가스 속도는 분사기에 인접한 재순환을 감소시킬 수 있다; 그러나 이는 보다 높은 체적의 고온 가스를 필요로 하여 가열 및 가스 송풍기의 요구 조건을 증가시킬 것이다. 본 발명은 바람직하게 벽에 인접하여서 0에 가까운 가스 속도와 중심의 분사기에서 높은 가스 속도를 제공하며, 이때 가스 유동량의 순수한 감소(net reduction)가 요구된다. 따라서 본 발명의 이점은 챔버의 높이를 증가시키지 않고 효과적인 유속이 얻어질 수 있는 점이다.
본 발명의 또 다른 이점은 속도 성형이 챔버(10) 내의 유동 패턴을 안정시키는 점이다. 가스가 분사기에 인접하여서만 공급된다면, 분사기에 인접한 재순환 구역은 사라질 것이지만 하류의 유동 패턴은 불안정하게 될 것이다. 중심 내의 안정된 고속 코어 대신, 이는 벽에 더 가까이 이동하여서 요소 충돌 가능성을 증가시킬 것이다.
본 발명의 추가 이점은 속도 성형이 분사를 위한 큰 횡단면적을 허용하는 점이다. 유동을 안정시키는 대안적인 방법은 코어가 중심에 있게 하도록 거꾸로된 깔때기형으로 챔버를 형성하는 것일 것이다. 그러나 이는 화학물질 분사를 위한 영역을 실질적으로 감소시키며, 따라서 벽에 대한 비말의 충돌 가능성을 증가시킬 것이다. 본 발명은 분사를 위한 큰 횡단면적을 제공하면서 이러한 문제를 방지한다.
바람직하게, 이 방법 및 장치는 선택적 촉매 NOX 환원, 선택적인 비-촉매 NOX 환원 및 배연 가스 조절과 같은 다른 목적 등을 위해 촉매와 함께 사용된다.
이 방법 및 장치를 사용하는 시스템은 개시된 특징들을 결합시키며 매우 다양한 산업상 적용예에 필요한 바와 같은 세부 사항을 통합시킨다.
상기 상세한 설명은 당업자에게 본 발명을 실행하는 방법을 알려주기 위한 것이다. 이는 상세한 설명을 읽을 때 당업자에게 명백해질 것인 그러한 모든 명백한 수정예 및 변형예를 상술하고자 하지 않는다. 그러나 이는 이러한 모든 명백한 수정예 및 변형예가 하기의 특허청구범위에 의해 한정되는 본 발명의 범주 내에 포함됨을 의미한다. 특허청구범위는 문맥이 구체적으로 반대로 지시하지 않는 한, 의도된 목적을 충족시키기에 효과적인 임의의 순서로 청구된 구성요소 및 단계들을 포함하고자 한다.

Claims (17)

  1. 연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키는 방법으로서:
    a. 기화 챔버로 요소를 공급하는 단계,
    b. 요소를 도입하기 위한 지점의 상류의 기화 챔버로 미세한 미립자 또는 비말(droplets)과 같은 요소를 분배할 수 있는 분사기 수단에 의해 가열된 가스를 공급하는 단계,
    c. 상기 분사기 수단에 근접하여 상기 챔버 내에 가스 분배 플레이트를 제공하는 단계,
    d. 상기 챔버의 벽에 인접하기 보다 상기 분사기 수단의 부근에 보다 높은 가스 속도를 제공하도록 상기 가스 분배 플레이트에 구멍의 간격 및 배열을 제공하는 단계, 및
    e. 상기 챔버로부터 나가기 전에 상기 요소를 유효하게 기화시키도록 가열된 가스 및 요소의 공급률을 조정하는 단계를 포함하는
    연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구멍의 간격 및 배열은 전산유체역학 또는 냉각 유동 모델링에 의해 결정되는
    연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 요소는 수용액으로서 도입되는
    연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 수용액은 약 5 내지 약 70%의 농도로 도입되는
    연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 요소는 미세하게 분리된 고체로서 도입되는
    연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 요소를 도입하기 위한 지점의 상류의 가열된 가스의 온도는 약 400℉ 이상인
    연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 요소를 도입하기 위한 지점의 하류의 가열된 가스의 온도는 약 600℉ 내지 약 1300℉인
    연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    가스를 함유하는 기화된 요소를 모든 소오스로부터 고체 또는 액체를 끌어들이도록(trap) 설계된 스크린, 일련의 배플 또는 베인, 필터 등과 같은 요소를 통하여 통과시키는 단계를 더 포함하는
    연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키는 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 요소는 HNCO 또는 요소 또는 부산물을 암모니아로 전환시키기 위해 촉매를 포함하는
    연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    NOx의 선택적인 촉매 환원에 효과적인 촉매를 통하여 상기 기화 챔버로부터 가스를 통과시키는 단계를 포함하는
    연소 가스 내의 질소 산화물의 농도를 감소시키기 위해 요소를 기화시키는 방법.
  11. a. 최상부, 바닥 및 측벽을 갖는 기화 챔버,
    b. 상기 기화 챔버로 요소를 공급하고 상기 챔버 내의 요소를 미세한 미립자 또는 비말로 분배할 수 있는 분사기 수단,
    c. 상기 분사기 수단의 상류의 상기 기화 챔버로 가열된 가스를 공급하기 위한 덕트 수단,
    d. 상기 분사기 수단 부근에 있는 상기 챔버 내의 가스 분배 플레이트로서, 상기 챔버의 측벽에 인접하기 보다 상기 분사기 수단의 부근에 보다 높은 가스 속도를 제공하기에 효과적인 구멍의 간격 및 배열을 갖는, 가스 분배 플레이트, 및
    e. 가열된 가스를 함유하는 기화된 요소를 상기 챔버로부터 지향시키기 위한 가스 출구 수단을 포함하는
    장치.
  12. 기재된 바와 같은 방법 및 장치를 사용하는 시스템.
  13. 요소를 기화시키는 방법으로서,
    a. 기화 챔버로 요소를 공급하는 단계,
    b. 미세한 미립자 또는 비말로 요소를 분배할 수 있는 분사기 수단에 의해 요소를 도입시키기 위한 지점의 상류의 상기 기화 챔버로 400℉ 이상으로 가열된 가스를 공급하는 단계,
    c. 상기 분사기 수단에 근접하여서 상기 챔버 내에 가스 분배 플레이트를 제공하는 단계,
    d. 상기 챔버의 벽에 인접하기 보다 상기 분사기 수단의 부근에 보다 높은 가스 속도를 제공하도록 상기 가스 분배 플레이트 내에 구멍의 간격 및 배열을 제공하는 단계, 및
    e. 상기 챔버로부터 나가기 전에 상기 요소를 효과적으로 기화시키도록 하기 위해 상기 가열된 가스 및 요소의 공급률을 조정하는 단계를 포함하는
    요소를 기화시키는 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 구멍의 간격 및 배열은 전산유체역학 또는 냉각 유동 모델링에 의해 결정되는
    장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 요소는 수용액으로서 도입되는
    장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 수용액은 약 5 내지 약 70%의 농도로 도입되는
    요소를 기화시키는 방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 요소는 미세하게 분할된 고체로서 도입되는
    장치.
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