KR20110019524A - 극자외선용 투과형 렌즈 및 이를 포함하는 광학 시스템 - Google Patents

극자외선용 투과형 렌즈 및 이를 포함하는 광학 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20110019524A
KR20110019524A KR1020090077086A KR20090077086A KR20110019524A KR 20110019524 A KR20110019524 A KR 20110019524A KR 1020090077086 A KR1020090077086 A KR 1020090077086A KR 20090077086 A KR20090077086 A KR 20090077086A KR 20110019524 A KR20110019524 A KR 20110019524A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
extreme ultraviolet
diffraction pattern
height
diffraction
light
Prior art date
Application number
KR1020090077086A
Other languages
English (en)
Inventor
이동근
김성수
서환석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020090077086A priority Critical patent/KR20110019524A/ko
Priority to US12/805,003 priority patent/US8637840B2/en
Publication of KR20110019524A publication Critical patent/KR20110019524A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4205—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant
    • G02B27/4222—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant in projection exposure systems, e.g. photolithographic systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1838—Diffraction gratings for use with ultraviolet radiation or X-rays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1842—Gratings for image generation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1866—Transmission gratings characterised by their structure, e.g. step profile, contours of substrate or grooves, pitch variations, materials
    • G02B5/1871—Transmissive phase gratings
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/067—Construction details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

극자외선용 투과형 렌즈 및 이를 포함하는 광학 시스템에서, 상기 극자외선용 투과형 렌즈는 기판, 및 상기 기판에 동심원 형상의 회절 패턴들을 포함하고, 상기 회절 패턴들은 극자외선 파장에서 위상 부정합되는 높이를 갖고, 상기 높이에서 극자외선에 대해 50% 보다 높은 투과도를 갖는 물질로 이루어진다. 상기 극자외선용 투과형 렌즈는 1차 회절광 효율이 높다. 또한, 상기 극자외선 투과형 렌즈를 포함하는 광학 시스템은 높은 해상도를 갖는다.

Description

극자외선용 투과형 렌즈 및 이를 포함하는 광학 시스템{EUV zone plate lens and optic system having the same}
본 발명은 극자외선용 투과형 렌즈 및 이를 포함하는 광학 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 높은 투과도를 가짐으로써 검사용 광학 시스템에 적합한 극자외선용 투과형 렌즈 및 이를 포함하는 광학 시스템에 관한 것이다.
반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라, 웨이퍼 상에 더 복잡하고 미세한 패턴을 정밀하게 형성하기 위한 연구가 진행되고 있다. 특히 노광 공정에서 더 짧은 파장의 광원을 사용하여 해상도를 향상시키기 위해, 현재 KrF 광원(파장: 248nm) 또는 ArF 광원(파장: 193nm) 대신에 극자외선 광원(EUV, extreme ultra violet)을 사용하고자 하는 연구가 진행되고 있다. 차세대 노광 기술로서 연구가 진행되고 있는 극자외선 리소그라피 기술에서는 파장이 13 내지 14nm에 이르는 극자외선 광을 광원으로 사용하게 된다. 상기 극자외선 노광 기술을 구현하기 위하여 극자외선 리소그라피에서 사용될 수 있는 포토마스크가 제작되어야 한다.
상기 극자외선 리소그라피를 위한 포토마스크를 제작하기 위해서는, 상기 포토마스크의 각 패턴들이 정상적으로 제작되었는지 여부를 검사할 수 있는 다양한 광학 시스템이 마련되어야 한다. 상기 포토마스크를 검사하기 위한 광학 시스템은 상기 극자외선 광을 광원으로 사용하여야 한다.
그런데, 상기 극자외선 광은 물질에 대한 투과도가 매우 낮고 흡수율이 매우 높다. 때문에, 기존 가시광 영역에서 사용되어지는 투과형 렌즈를 이용하여 광학 시스템을 구성할 수 없다. 그러므로, 극자외선용 광학 시스템은 상기 극자외선 광을 반사시키는 다층막 코팅된 거울을 집광 렌즈로써 사용하여 광학계를 구성한다.
그러나, 상기 반사형 거울은 복잡한 다층 구조를 가지기 때문에, 원하는 수준의 표면 품질을 만족시키기가 어려울 뿐 아니라, 제작 비용도 매우 높다. 또한, 각 거울들의 수차 및 정렬을 최적화하기가 매우 어렵다. 때문에, 상기 극자외선용 광학 시스템에서 사용될 수 있으면서, 저비용으로 제작할 수 있는 투과형 렌즈가 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 높은 투과도 및 높은 해상도를 갖는 극자외선용 투과형 렌즈를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 투과형 렌즈를 포함하는 광학 시스템을 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 극자외선용 투과형 렌즈는, 기판 상에 동심원 형상의 회절 패턴들을 포함한다. 상기 회절 패턴들은 극자외선 파장에서 위상 부정합되는 높이를 갖고, 상기 높이에서 극자외선에 대해 50% 보다 높은 투과도를 갖는 물질로 이루어진다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 회절 패턴의 높이는 45 내지 65㎚일 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 회절 패턴은 루테늄으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 회절 패턴은 회절 격자 형상을 갖고, 상기 회절 패턴의 선폭 및 간격은 동심원의 외곽으로 갈수록 감소되는 형상을 갖는다. 최외곽에 위치하는 상기 회절 패턴의 선폭 및 간격은 30 내지 100㎚일 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 회절 패턴들은 동일한 높이를 갖는다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 회절 패턴들의 측벽은 수직 경사를 갖는다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 시스템은 극자외선 광을 방출하는 광원이 구비된다. 상기 극자외선 광을 수신하는 검출기가 구비된다. 상기 광원과 이격되어 배치되고, 측정 대상 시료를 로딩하는 스테이지가 구비된다. 상기 광원과 스테이지 사이에 위치하여, 상기 극자외선 광을 포토마스크로 입사시키는 콘덴서 렌즈가 구비된다. 다음에, 상기 스테이지와 검출기 사이에 위치하여 상기 측정 대상 시료로부터 반사되는 광을 집속하여 상기 검출기로 입사시키고, 기판 상에 동심원의 회절 패턴들을 포함하고, 상기 회절 패턴들은 극자외선 파장에서 위상 부정합되는 높이를 갖고, 상기 높이에서 극자외선에 대해 50% 보다 높은 투과도를 갖는 물질로 이루어지는 투과형 렌즈가 구비된다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 측정용 시료는 극자외선용 포토 마스크를 포함한다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 투과형 렌즈의 회절 패턴의 높이는 45 내지 65㎚이다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 투과형 렌즈의 회절 패턴은 루테늄으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 검출기는 상기 투과형 렌즈를 통해 집속된 1차 회절광을 수신하도록 구현된다.
설명한 것과 같이, 본 발명에 따른 극자외선용 투과형 렌즈는 극자외선광의 투과도가 매우 높다. 또한, 상기 극자외선용 투과형 렌즈는 극자외선광의 1차 회절광 효율이 매우 높다. 더구나, 상기 극자외선용 투과형 렌즈의 회절 패턴의 높이가 매우 낮다. 때문에, 상기 회절 패턴의 선폭이 매우 작은 극자외선용 투과형 렌즈를 구현할 수 있다.
상기 극자외선용 투과형 렌즈를 포함하는 극자외선용 광학 시스템을 사용하면, 상기 렌즈를 통해 투과되는 극자외선의 광량이 증가된다.. 때문에, 상기 극자외선용 광학 시스템의 광원의 파워를 감소시킬 수 있다. 또한, 동일한 파워를 갖는 광원을 사용하였을 때 신호 대비 노이즈가 감소되는 효과가 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
본 발명의 각 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
본 발명에서, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다.
즉, 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
극자외선용 투과형 렌즈
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 극자외선용 투과형 렌즈의 평면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 극자외선용 투과형 렌즈의 단면도이다. 도 3은 도 1에 도시된 극자외선용 투과형 렌즈를 이용하여 집속되는 광을 나타낸다.
도 1 및 2를 참조하면, 극자외선용 투과형 렌즈(100)는 기판(102)에 동심원 형상을 갖는 회절 패턴들(104)을 포함한다.
구체적으로, 상기 회절 패턴(104)은 중심부에 원판 패턴(104a)과, 상기 원판 패턴(104a)을 중심으로 동심원 형상을 갖는 고리형 패턴들(104b)을 포함한다. 또한, 상기 고리형 패턴들(104b)은 중심에서 외곽으로 갈수록 패턴의 선폭 및 패턴간 간격이 좁아진다. 상기 회절 패턴(104)의 최외곽 동심원의 선폭 및 간격이 감소될수록, 상기 극자외선용 투과형 렌즈(100)를 포함하는 광학 시스템의 해상도(resolution)가 높아지게 된다. 본 실시예에서, 최외곽에 위치하는 회절 패턴(104)의 선폭 및 간격은 30 내지 100㎚이다. 상기 회절 패턴(104)들 사이에는 어떠한 물질도 채워져 있지 않은 공간이 마련되며, 상기 기판(102) 표면이 노출되어 있다.
여기서 상기 기판(102)은 일 예로, Si3N4로 이루어질 수 있으나, 상기 기판을 이루는 물질은 한정되지 않는다. 또한, 상기 기판(102)은 50 내지 200㎚ 정도의 높이를 갖는 것이 바람직하다.
상기 극자외선용 투과형 렌즈(100)는 기판(102)에 형성된 회절 격자 형상의 회절 패턴(104)을 통해 투과된 1차 회절광을 이용하여 극자외선을 집광한다. 즉, 도 3에 도시된 것과 같이, 상기 극자외선용 투과형 렌즈(100)를 투과한 극자외선 광은 각 회절 패턴들에 의해 회절되며, 1차 회절광들은 하나의 초점 위치(106, focal point)로 집속된다.
상기와 같이, 동심원 형상의 회절 패턴(104)에 의하여 광이 투과 및 회절됨으로써 집속되는 투과형 렌즈를 존 플레이트 렌즈(Zone plate lens)라고 칭한다.
그런데, 상기 극자외선용 투과형 렌즈(100)의 광원으로 사용되는 극자외선의 경우 대부분의 물질에 대해 투과도가 매우 낮다. 즉, 상기 극자외선용 투과형 렌즈(100)를 사용하는 경우에는, 상기 극자외선이 투과되지 않고 대부분 흡수되기 때문에 초점 위치에 집속되는 1차 회절광의 광량이 매우 작다. 때문에, 극자외선용 투과형 렌즈(100)의 1차 회절광 효율(1st diffraction efficiency)을 향상시킴으로써 집속되는 1차 회절광이 증가되도록 상기 회절 패턴들(104)을 최적화시켜야 한다.
상기 극자외선용 투과형 렌즈(100)를 통해 집속되는 1차 회절광이 증가되도록 하기 위하여, 본 실시예에 따른 회절 패턴(104)은 상기 극자외선에 대해 위상 부정합(out-of phase)되는 높이를 갖는다. 즉, 상기 회절 패턴(104)의 높이(h)는 극자외선이 입사되었을 때 상기 회절 패턴(104) 및 상기 회절 패턴(104) 사이의 공간에서는 교대로 180도의 위상차(Phase shift)를 갖도록 하는 높이가 되도록 한다. 이와같이, 상기 회절 패턴(104)이 위상 부정합되는 높이를 가지면, 상기 회절 패턴(104) 부위와 회절 패턴(104)이 없는 공간에서 서로 보강 간섭이 일어나게 되어, 상기 극자외선용 투과형 렌즈(100)를 투과한 1차 회절광이 증가된다.
상기 위상 부정합되는 회절 패턴(104)의 높이(h)는 상기 회절 패턴(104)을 이루는 물질의 굴절률(n)에 따라 달라진다. 구체적으로, 상기 위상 부정합되는 회절 패턴(104)의 높이는 다음의 식에 의해 구해질 수 있다.
d= λ/2(n-1)
(d: 회절 패턴의 높이, λ: 입사광의 파장 n: 굴절율)
여기서, 상기 입사광은 극자외선이므로, 입사광의 파장은 13 내지 14㎚가 된 다.
한편, 상기 회절 패턴(104)의 높이(h)가 높아지게 되면, 상기 회절 패턴(104)을 형성하기 위한 패터닝 공정이 용이하지 않다. 또한, 상기 회절 패턴(104)의 최외곽 동심원의 선폭 및 간격이 감소될수록, 상기 극자외선 렌즈를 포함하는 광학 시스템의 해상도가 높아지게 된다. 그런데, 상기 회절 패턴(104)의 높이(h)가 높으면서, 미세한 선폭 및 간격을 갖는 회절 패턴(104)을 형성하는 것이 용이하지 않다. 그러므로, 상기 회절 패턴(104)은 낮은 높이를 갖는 것이 바람직하다.
상기 극자외선에 대한 물질의 굴절율은 1 이하이기 때문에, 상기 회절 패턴(104)의 높이(h)를 낮추기 위해서는, 상기 식에서 보여지듯이, 상기 회절 패턴(104)을 이루는 물질의 굴절율이 1에 근접한 것이 바람직하다.
구체적으로, 상기 회절 패턴(104)은 80㎚ 보다 낮은 높이를 가져야 하며, 바람직하게는 50 내지 65㎚ 정도의 높이(h)를 가져야 한다. 상기 위상 부정합되는 높이가 80㎚ 보다 낮은 물질의 예로는 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 아르젠튬(Ag)등이 있다.
한편, 동심원 형상을 갖는 상기 회절 패턴(104)들은 위치에 따라 동일한 높이를 갖는다. 또한, 상기 회절 패턴(104)들의 측벽은 수직 경사를 갖는다.
또한, 극자외선용 투과형 렌즈(100)를 통해 집속되는 1차 회절광이 증가되도록 하기 위하여, 상기 회절 패턴(104)을 이루는 물질은 위상 부정합되는 높이에서 상기 극자외선의 투과도가 높아야 한다. 상기 극자외선의 투과도가 높지 않을 경 우, 집속되는 광량이 매우 작아지는 문제가 있다. 구체적으로, 상기 극자외선용 투과형 렌즈(100)에서 상기 위상 부정합되는 높이를 갖는 회절 패턴(104)은 상기 극자외선의 투과도가 50%보다 높아야 한다.
상기 위상 부정합되는 높이에서 극자외선 투과도가 50%보다 높은 물질의 예로는 베릴륨(Be), 붕소(B), 탄소(C), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(No), 루테늄(Ru)을 들 수 있다. 그러나, 이들 물질들 중에서 위상 부정합되는 높이가 80㎚이상이 되는 경우에는 회절 패턴(104)으로 형성하는 것이 용이하지 않다. 때문에, 상기 물질들 중에서 상기 위상 부정합되는 높이가 80㎚이상이 되는 물질로 상기 회절 패턴(104)이 형성되어야 한다.
따라서, 상기 회절 패턴(104)은 루테늄으로 이루어지는 것이 가장 바람직하다. 또한, 상기 루테늄의 굴절율이 약 0.889이므로, 위상 부정합되는 회절 패턴의 높이는 45 내지 65㎚ 정도로 매우 낮다. 상기 위상 부정합되는 회절 패턴의 높이는 루테늄의 굴절율, 루테늄 박막의 간섭 및 입사광의 파장의 길이에 따라 다소 달라질 수 있다.
또한, 상기 루테늄은 상기 위상 부정합되는 높이에서의 투과도가 높다. 또한, 상기 위상 부정합 되는 높이에서 루테늄으로 회절 패턴을 구성하는 경우, 상기 극자외선용 투과형 렌즈는 0차 회절광 및 2차 회절광의 효율이 매우 낮다. 때문에, 상기 0차 회절광 또는 2차 회절광에 의해 발생되는 노이즈를 감소시킬 수 있다. 더구나, 상기 루테늄의 경우, 극자외선에 의한 오염이 거의 발생되지 않으므로, 상기 회절 패턴을 이루는 물질로 가장 적합하다.
일 예로, 100㎚의 두께를 갖는 기판 상에 50 내지 65㎚의 높이를 갖는 루테늄으로 회절 패턴이 형성된 극자외선용 투과형 렌즈의 경우에, 극자외선의 1차 회절광의 효율은 약 12% 정도가 된다.
설명한 것과 같이, 본 실시예의 구조를 갖는 극자외선용 투과형 렌즈는 1차 회절광의 효율이 높으므로, 상기 렌즈를 사용하는 경우 집속되는 극자외선 광량이 증가된다. 그러므로, 상기 극자외선용 투과형 렌즈에 입사되는 극자외선 광의 소오스 파워를 낮출 수 있다. 또한, 상기 극자외선용 투과형 렌즈는 회절 패턴의 높이가 낮고 회절 패턴의 선폭이 좁아서, 상기 극자외선용 투과형 렌즈를 사용하는 경우 높은 해상도를 갖는 광학 시스템을 구현할 수 있다.
상기 극자외선용 투과형 렌즈는 다음의 공정을 통해 제조될 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 극자외선용 투과형 렌즈를 제조하기 위한 하나의 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 얇은 두께를 갖는 기판(102)을 마련한다. 상기 기판(102)은 50 내지 100㎚의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 상기 기판(102)은 Si3N4 물질로 이루어질 수 있다.
상기 기판(102) 상에 회절 패턴용 물질(110)을 증착한다. 상기 회절 패턴용 물질(110)은 극자외선에 대해 위상 부정합되는 높이로 증착한다. 또한, 상기 회절 패턴용 물질(110)은 상기 위상 부정합되는 높이에서 극자외선 투과도가 50%보다 높은 물질로 선택되어야 한다. 이에 더하여, 상기 회절 패턴용 물질(110)은 위상 부 정합되는 높이가 80㎚보다 낮은 물질로 선택되어야 한다. 구체적으로, 본 실시예에서는 상기 회절 패턴용 물질(110)로써 루테늄막을 50 내지 65㎚의 두께로 형성한다.
다음에, 상기 루테늄막 상에 마스크 패턴(112)을 형성한다. 상기 마스크 패턴(112)은 회절 패턴이 형성될 부위를 선택적으로 마스킹한다. 따라서, 상기 마스크 패턴(112)은 중심부에서 외곽으로 갈수록 선폭 및 간격이 좁아지는 동심원 형상을 갖는다.
이 후, 도 2에 도시된 것과 같이, 상기 마스크 패턴(112)을 식각 마스크로 사용하여 상기 루테늄막을 식각하여 회절 패턴(104)을 형성한다. 이 때, 상기 회절 패턴(104)들 사이에는 기판(100) 표면이 노출되도록 한다. 또한, 상기 회절 패턴(104)의 측벽은 수직 경사를 갖도록 한다. 상기 식각 공정에서, 식각되어야 할 루테늄막의 두께가 50 내지 65㎚로 매우 얇다. 때문에, 상기 식각 공정을 통해 상기 루테늄막을 용이하게 패터닝할 수 있다.
상기 회절 패턴(104)이 형성되면, 상기 마스크 패턴(112)을 제거한다. 이로써, 극자외선용 투과형 렌즈를 완성한다.
설명한 것과 같이, 본 실시예의 구조를 갖는 극자외선용 투과형 렌즈는 1차 회절광의 효율이 높으므로, 상기 렌즈를 사용하는 경우 집속되는 극자외선 광량이 증가된다.
그러므로, 상기 극자외선용 투과형 렌즈에 입사되는 극자외선 광량을감소시킬 수 있다. 또한, 상기 극자외선용 투과형 렌즈는 회절 패턴의 높이가 낮고 회절 패턴의 선폭이 좁아서, 상기 극자외선용 투과형 렌즈를 사용하는 경우 높은 해상도를 갖는 광학 시스템을 구현할 수 있다.
광학 시스템
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 시스템을 나타내는 블록도이다.
본 실시예에 따른 광학 시스템은 도 1 및 2에 도시된 극자외선용 투과형 렌즈를 포함한다. 또한, 본 실시예에 따른 광학 시스템은 극자외선을 광원으로 사용하여 측정 시료를 검사하는 장치이다.
도 5를 참조하면, 극자외선 광을 방출하는 극자외선 광원(200)이 구비된다. 상기 극자외선 광원(200)은 극자외선을 방사하는 방사종(즉, 고온 플라즈마 원료)을 여기하여 고온 플라즈마를 발생시키고, 상기 플라즈마로부터 극자외선 광을 수집하여 방사한다. 일 예로, 도시하지는 않았지만, 상기 극자외선 광원(200)은 레이저 광원, 광 렌즈를 포함하는 조명계, 고온 플라즈마 원료를 공급하는 공급관, 레이저에 의해 플라즈마 소오스가 생성되는 플라즈마 생성부, 상기 생성된 플라즈마 소스로부터 극자외선 광을 수집하여 방사하는 필터등을 포함할 수 있다.
상기 극자외선 광원(200)과 이격되어 배치되고, 측정 대상 시료(S)를 로딩하는 스테이지(204)가 구비된다. 상기 측정 대상 시료(S)는 극자외선을 광원으로 사용하도록 제작된 포토마스크를 포함한다. 상기 스테이지(204)는 상하, 좌우로 이동할 수 있도록 구성된다. 따라서, 상기 스테이지(204)상에 놓여있는 측정 대상 시료(S)를 스켄하면서 검사할 수 있다.
상기 극자외선 광원(200)과 스테이지(204) 사이에 위치하여, 상기 극자외선 광을 상기 측정 대상 시료(S)로 입사시키는 콘덴서 렌즈(202)가 구비된다. 상기 콘덴서 렌즈(202)는 복수의 반사형 거울들로 구성된다.
상기 극자외선 광을 수신하는 검출기(208)가 구비된다. 상기 검출기(208)는 상기 측정 대상 시료(S)로부터 반사되는 광을 받아 전기적 신호로 전환하고, 이를 전압으로 변환하여 상기 측정 대상 시료(S)의 이미지 또는 광의 세기 등을 검출한다.
상기 스테이지(204)와 검출기 사이에 위치하여 상기 측정 대상 시료(S)로부터 반사되는 광을 집속하여 상기 검출기(208)로 입사시키는 대물 렌즈가 구비된다. 상기 대물렌즈는 극자외선용 투과형 렌즈(206)로 사용된다. 즉, 상기 극자외선용 투과형 렌즈(206)는 상기 측정 대상 시료(S)를 통해 반사되는 광을 집광시켜 상기 검출기로 집광되도록 한다. 상기 극자외선용 투과형 렌즈(206)는 기판 상에 동심원 형상의 회절 패턴들로 이루어지고, 상기 각 회절 패턴들은 극자외선 파장에서 위상 부정합되는 높이를 갖는다. 또한, 상기 극자외선용 투과형 렌즈(206)는 상기 위상 부정합되는 높이에서 극자외선에 대해 50% 보다 높은 투과도를 갖는 물질로 이루어진다. 보다 구체적으로, 상기 극자외선용 투과형 렌즈는 도 1 및 2를 참조로 설명한 극자외선용 투과형 렌즈가 사용된다.
설명한 것과 같이, 본 실시예의 극자외선을 광원으로 사용하는 광학 시스템의 대물 렌즈로써 투과형 렌즈가 사용된다. 그러므로, 상기 대물 렌즈를 반사형 구조의 거울들로 구성하는 것에 비하여, 저 비용으로 상기 광학 시스템을 구현할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 극자외선용 투과형 렌즈의 경우 극자외선의 1차 회절광 효율이 매우 크다. 때문에, 상기 광학 시스템의 대물렌즈로 상기 극자외선용 투과형 렌즈를 사용하는 경우, 측정 대상 시료를 검사하기에 충분한 광을 상기 검출기에 집속시킬 수 있다. 이로인해, 상기 광학 시스템에 낮은 파워로 극자외선을 방출시키는 저급의 극자외선 광원이 사용되더라도, 상기 극자외선용 투과형 렌즈를 통해 투과 및 집광되는 광이 증가되므로 상기 측정 대상 시료를 정확하게 검사할 수 있다. 이로인해, 상기 검출기에서 검출되는 광의 신호 대비 노이즈 비율이 커지게 되어 보다 정확한 신호를 검출할 수 있다.
포토마스크 검사
도 6은 광학 시스템을 이용하여 포토마스크를 검사하는 하나의 방법을 설명하는 블록도이다. 도 7a 및 도 7b는 포토마스크의 회로 패턴의 일 예를 나타낸다.
도 6을 참조하면, 극자외선을 광원으로 하여 노광 공정을 수행하는 포토마스크를 제작한다.(S10) 상기 포토마스크 내에는 반도체 소자에서 요구되는 회로들을 패터닝하기 위하여 설계된 회로 패턴들이 형성되어 있다. 도 7a a 및 도 7b에 도시된 것과 같이, 상기 회로 패턴들은 일반적으로 동일한 형상의 패턴들이 반복하여 배치되어 있다.
상기 포토마스크를 제작한 이 후에, 상기 포토마스크 내에 회로 패턴들이 정상적으로 형성되었는지 여부를 검사하는 과정이 요구된다. 상기 극자외선용 포토마 스크의 경우, 극자외선보다 긴 파장을 갖는 광을 광원으로 사용하는 광학계로는 회로 패턴의 검사가 불가능하다. 그러므로, 상기 극자외선용 포토마스크는 극자외선을 광원으로 하는 광학 시스템을 이용하여 검사하여야 한다.
먼저, 상기 제작된 포토마스크를 도 5에 도시된 광학 시스템(190)의 스테이지(204) 상에 로딩한다.(S20) 다음에, 상기 광학 시스템(190)에 포함된 검출기(208)를 통해 상기 스테이지(204)에 로딩된 포토마스크(S)로부터 광의 세기를 검출한다.(S30) 이 때, 상기 스테이지(204)를 이동함으로써, 상기 포토마스크(S)의 각 위치에 대해 스켄하면서 광의 세기를 검출한다.
검출되는 광의 세기 스펙트럼으로부터 상기 포토마스크(S)에 포함된 회로 패턴이 정상적으로 형성되었는지를 검사한다.(S40) 일 예로, 반복 실험을 통해 경험적으로 알고 있는 정상적인 회로 패턴을 포함하는 포토마스크(S)에서의 광의 세기 스펙트럼을 수득하고, 상기 정상의 포토마스크(S)에서의 광의 세기 스펙트럼과, 검사 대상의 포토마스크에서 상기 광학 시스템(190)을 통해 출력되는 광의 세기 스펙트럼을 비교한다. 그리고, 상기 광의 세기 스펙트럼의 오차가 일정 범위를 넘어가는 부위를 불량 회로 패턴 위치로 검출한다. 또한, 상기 불량 회로 패턴 위치로 검출된 부위를 직접 재검사함으로써 상기 포토마스크(S)가 정상적으로 제작되었는지를 확인한다.
그런데, 설명한 것과 같이, 상기 광학 시스템에 포함되는 대물렌즈는 높은 1차 회절광 효율을 가질 뿐 아니라, 낮은 0차 및 2차 회절광 효율을 갖는 투과형 마스크가 채용된다. 따라서, 상기 검출기에서 검출되는 광의 세기가 커질 뿐 아니라, 노이즈가 매우 감소된다. 그러므로, 상기 광학 시스템을 사용하는 경우, 상기 검출되는 광의 세기에 대한 데이터의 신뢰성이 높아지고, 이로인해 상기 포토마스크를 정확하게 검사할 수 있다.
위상 부정합 높이에서의 극자외선의 투과도 조사
본 발명에 따른 투과형 렌즈의 회절 패턴은 위상 부정합되는 높이가 낮고, 상기 위상 부정합되는 높이에서의 상기 극자외선의 투과도가 높은 물질로 형성되어야 한다. 이러한 조건을 만족하는 물질을 선택하기 위하여, 각 원자에서의 위상 부정합 높이 및 상기 위상 부정합 높이에서의 투과도를 각각 조사하였다.
도 8은 각 원자에서의 위상 부정합 높이 및 상기 위상 부정합 높이에서의 투과도를 나타낸다.
도 8에서 도면부호 250은 위상 부정합 높이이고, 도면부호 252는 위상 부정합 높이에서의 투과도이다.
도 8에 도시된 것과 같이, 위상 부정합되는 높이가 80㎚ 보다 낮은 원자는 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 아르젠튬(Ag)등이 있다. 또한, 상기 위상 부정합되는 높이에서 각 원자의 극자외선 투과도가 50%보다 높은 원자는 베릴륨(Be), 붕소(B), 탄소(C), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(No), 루테늄(Ru)이 있다.
그러므로, 상기 위상 부정합되는 높이가 낮고, 상기 위상 부정합되는 높이에서의 상기 극자외선의 투과도가 높은 물질로써 루테늄을 선택할 수 있다.
1차 회절광 효율 비교 실험
본 발명에 따라, 루테늄으로 이루어지고, 위상 부정합되는 높이를 갖는 회절 패턴을 포함하는 극자외선용 투과형 렌즈과 일반적인 구조의 극자외선용 투과형 렌즈에 대해 각각 1차 회절광의 효율을 측정하여 비교하였다.
샘플
본 실험에서 샘플로 사용된 극자외선용 투과형 렌즈는 도 1 내지 3을 참조로 설명한 것과 동일한 구조를 갖는다. 구체적으로, 상기 샘플로 사용된 극자외선용 투과형 렌즈는 100㎚의 Si3N4로 이루어진 기판 상에 루테늄으로 이루어지는 회절 패턴들이 구비된다. 상기 회절 패턴들은 동심원 형상을 갖는다. 또한, 상기 회절 패턴들은 55㎚의 높이를 가진다.
비교 샘플
본 실험에서 비교 샘플로 사용된 일반적인 구성의 극자외선용 투과형 렌즈는 다음과 같은 구조를 갖는다. 100㎚의 Si3N4로 이루어진 기판 상에 금(Au)으로 이루어지는 회절 패턴들이 구비된다. 상기 회절 패턴들은 동심원 형상을 갖는다. 또한, 상기 회절 패턴들은 100㎚의 높이를 가진다. 상기 금의 경우 회절 패턴의 높이가 100㎚정도에서 위상 부정합된다. 상기 금의 경우에는 상기 위상 부정합 높이에서의 극자외선 투과도가 10%이하이다.
상기 샘플 및 비교 샘플의 극자외선용 투과형 렌즈에 13.5㎚의 극자외선을 조사하고 1차 회절광 효율을 각각 측정하였다. 이 때, 상기 샘플 및 비교 샘플의 극자외선용 투과형 렌즈의 회절 패턴의 동심원 각 너비에 따라 각각 1차 회절광 효율을 측정하였다.
도 9는 상기 샘플 및 비교 샘플의 극자외선용 투과형 렌즈에 13.5㎚의 극자외선을 조사하였을 때 1차 회절광 효율을 나타낸다.
도 9에서, 도면부호 300은 샘플 극자외선용 투과형 렌즈에서의 1차 회절광 효율을 나타내고, 도면부호 302는 비교 샘플 극자외선용 투과형 렌즈에서의 1차 회절광 효율을 나타낸다.
도 9를 참조하면, 샘플 극자외선용 투과형 렌즈의 1차 회절광 효율은 약 12% 정도이며, 각 회절 패턴의 너비에 따라 1차 회절광 효율의 편차가 거의 없다. 반면에, 비교 샘플 극자외선용 투과형 렌즈의 1차 회절광 효율은 약 4.8% 정도이며, 각 회절 패턴의 너비에 따라 1차 회절광 효율의 편차가 상대적으로 크다.
이와같이, 본 발명에 따른 극자외선용 투과형 렌즈는 1차 회절광 효율이 우수하다. 또한, 본 발명에 따른 극자외선용 투과형 렌즈에는 55㎚의 낮은 높이를 갖는 회절 패턴이 포함된다. 따라서, 미세한 선폭의 회절 패턴을 용이하게 구현할 수 있음을 알 수 있다.
패턴 높이에 따른 1차 및 2차 회절광 효율 실험
루테늄으로 이루어지는 회절 패턴을 포함하는 극자외선 투과형 렌즈에서, 본 발명에서와 같이 위상 부정합되는 높이의 회절 패턴을 갖는 경우와 위상 부정합되는 높이를 갖니 않는 회절 패턴을 갖는 경우에 대해 각각 1차 회절광의 효율 및 2 차 회절광의 효율을 측정하여 비교하였다.
본 실험에서 사용된 각각의 극자외선용 투과형 렌즈들은 회절 패턴의 높이를 제외하고 나머지 요소들이 모두 동일하다. 구체적으로, 본 실험에서 사용된 각각의 극자외선용 투과형 렌즈들은 200㎚ 두께의 Si3N4 기판 상에 회절 패턴들이 형성된 구조를 갖는다. 상기 회절 패턴은 루테늄으로 이루어진다. 상기 각각의 극자외선용 투과형 렌즈에 포함된 상기 회절 패턴의 두께는 1 내지 100㎚이다.
회절 패턴의 두께가 서로 다른 각각의 극자외선용 투과형 렌즈에 대해 1차 및 2차 회절광 효율을 측정하였다. 상기 1차 및 2차 회절광 효율은 회절 패턴의 피치(pitch)가 129㎚인 부위에서 측정한 것이다.
도 10은 두께가 서로 다른 회절 패턴을 포함하는 각각의 극자외선용 투과형 렌즈에서 측정된 1차 회절광 효율 및 2차 회절광 효율을 나타낸다.
도 10에서, 도면부호 400은 각각의 극자외선용 투과형 렌즈들에서의 1차 회절광 효율을 나타내고, 도면부호 402는 각각의 극자외선용 투과형 렌즈들에서의 2차 회절광 효율을 나타낸다.
도 10을 참조하면, 루테늄으로 이루어지는 회절 패턴이 위상 부정합 범위인 45 내지 65㎚의 높이를 갖는 경우에, 1차 회절광 효율이 가장 높고 2차 회절광 효율이 낮음을 알 수 있다.
또한, 상기 회절 패턴의 높이가 45㎚보다 낮은 경우에는 1차 회절광 효율이 낮다. 반면에, 회절 패턴의 높이가 65㎚보다 높은 경우에는 1차 회절광 효율이 낮을 뿐 아니라, 2차 회절광 효율이 높다.
구체적으로, 상기 회절 패턴의 높이가 55㎚인 극자외선용 투과형 렌즈에서의 1차 회절광은 약 7%이나, 상기 회절 패턴의 높이가 100㎚인 극자외선용 투과형 렌즈의 1차 회절광은 약 5%이다. 또한, 상기 회절 패턴의 높이가 55㎚인 극자외선용 투과형 렌즈는 2차 회절광 효율이 0.2% 정도이나, 상기 회절 패턴의 높이가 100㎚인 극자외선용 투과형 렌즈는 2차 회절광 효율이 0.9%이다.
이와같이, 상기 루테늄으로 이루어지는 회절 패턴이 위상 부정합 높이를 가지는 경우 1차 회절광 효율이 높고, 2차 회절광 효율이 낮다. 그러므로, 본 발명에 따른 극자외선 투과형 렌즈는 상기 2차 회절광에 의해 발생하는 노이즈를 감소시킬 수 있어, 신호 대 노이즈 비율을 증가시킬 수 있다.
상기 설명한 것과 같이, 본 발명에서는 1차 회절광 효율이 우수하고 용이하게 제조할 수 있는 극자외선용 투과형 렌즈를 제공한다. 상기 극자외선용 투과형 렌즈는 극자외선을 광원으로 사용하는 광학 시스템, 광학 검사 장치, 노광 장치 내의 집광 부재로써 사용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 극자외선용 투과형 렌즈의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 극자외선용 투과형 렌즈의 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 극자외선용 투과형 렌즈를 이용하여 집속되는 광을 나타낸다.
도 4는 도 2에 도시된 극자외선용 투과형 렌즈를 제조하기 위한 하나의 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 6은 광학 시스템을 이용하여 포토마스크를 검사하는 하나의 방법을 설명하는 블록도이다.
도 7a 및 도 7b는 포토마스크의 회로 패턴의 일 예를 나타낸다.
도 8은 각 원자에서의 위상 부정합 높이 및 위상 부정합 높이에서의 투과도를 나타낸다.
도 9는 상기 샘플 및 비교 샘플의 극자외선용 투과형 렌즈에 13.5㎚의 극자외선을 조사하였을 때 1차 회절광 효율을 나타낸다.
도 10은 두께가 서로 다른 회절 패턴을 포함하는 각각의 극자외선용 투과형 렌즈에서 측정된 1차 회절광 효율 및 2차 회절광 효율을 나타낸다.

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판에 동심원 형상의 회절 패턴들을 포함하고, 상기 회절 패턴들은 극자외선 파장에서 위상 부정합되는 높이를 갖고, 상기 높이에서 극자외선에 대해 50% 보다 높은 투과도를 갖는 물질로 이루어지는 극자외선용 투과형 렌즈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 회절 패턴의 높이는 45 내지 65㎚인 것을 특징으로 하는 극자외선용 투과형 렌즈.
  3. 제1항에 있어서, 상기 회절 패턴은 루테늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 극자외선용 투과형 렌즈.
  4. 제1항에 있어서, 상기 회절 패턴은 회절 격자 형상을 갖고, 상기 회절 패턴의 선폭 및 간격은 동심원의 외곽으로 갈수록 감소되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 투과형 렌즈.
  5. 제4항에 있어서, 최외곽에 위치하는 상기 회절 패턴의 선폭 및 간격은 30 내지 100㎚인 것을 특징으로 하는 극자외선용 투과형 렌즈.
  6. 제1항에 있어서, 상기 회절 패턴들은 동일한 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선용 투과형 렌즈.
  7. 제1항에 있어서, 상기 회절 패턴들의 측벽은 수직 경사를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선용 투과형 렌즈.
  8. 극자외선 광을 방출하는 광원;
    상기 극자외선 광을 수신하는 검출기;
    상기 광원과 이격되어 배치되고, 측정 대상 시료를 로딩하는 스테이지;
    상기 광원과 스테이지 사이에 위치하여, 상기 극자외선 광을 포토마스크로 입사시키는 콘덴서 렌즈; 및
    상기 스테이지와 검출기 사이에 위치하여 상기 측정 대상 시료로부터 반사되는 광을 집속하여 상기 검출기로 입사시키고, 기판 상에 동심원 형상의 회절 패턴들을 포함하고, 상기 회절 패턴들은 극자외선 파장에서 위상 부정합되는 높이를 갖고, 상기 높이에서 극자외선에 대해 50% 보다 높은 투과도를 갖는 물질로 이루어지는 투과형 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  9. 제6항에 있어서, 상기 측정용 시료는 극자외선 포토마스크인 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  10. 제6항에 있어서, 상기 투과형 렌즈의 회절 패턴은 루테늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
KR1020090077086A 2009-08-20 2009-08-20 극자외선용 투과형 렌즈 및 이를 포함하는 광학 시스템 KR20110019524A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090077086A KR20110019524A (ko) 2009-08-20 2009-08-20 극자외선용 투과형 렌즈 및 이를 포함하는 광학 시스템
US12/805,003 US8637840B2 (en) 2009-08-20 2010-07-07 EUV projection lens and optic system having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090077086A KR20110019524A (ko) 2009-08-20 2009-08-20 극자외선용 투과형 렌즈 및 이를 포함하는 광학 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110019524A true KR20110019524A (ko) 2011-02-28

Family

ID=43604567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090077086A KR20110019524A (ko) 2009-08-20 2009-08-20 극자외선용 투과형 렌즈 및 이를 포함하는 광학 시스템

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8637840B2 (ko)
KR (1) KR20110019524A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014093636A1 (en) * 2012-12-12 2014-06-19 Kla-Tencor Corporation Method and device using photoelectrons for in-situ beam power and stability monitoring in euv systems
KR20230064752A (ko) * 2021-11-04 2023-05-11 한양대학교 산학협력단 Euv 마스크 검사 장치 및 euv 마스크 검사 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130073429A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 삼성전자주식회사 존 플레이트 및 이를 포함하는 마스크 패턴 측정 장치
KR102464368B1 (ko) * 2017-11-07 2022-11-07 삼성전자주식회사 메타 프로젝터 및 이를 포함하는 전자 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0334601B1 (en) * 1988-03-25 1994-09-07 Tosoh Corporation Error detecting device for optical head
US5995285A (en) * 1996-07-09 1999-11-30 Canon Kabushiki Kaisha Multilevel optical diffraction device with antireflection film and exposure apparatus
JP2001343582A (ja) * 2000-05-30 2001-12-14 Nikon Corp 投影光学系、当該投影光学系を備えた露光装置、及び当該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法
US6815363B2 (en) * 2000-08-11 2004-11-09 The Regents Of The University Of California Method for nanomachining high aspect ratio structures
JP2003185798A (ja) 2001-12-13 2003-07-03 Nikon Corp 軟ｘ線光源装置およびｅｕｖ露光装置ならびに照明方法
US7268945B2 (en) 2002-10-10 2007-09-11 Xradia, Inc. Short wavelength metrology imaging system
US7116405B2 (en) 2003-12-04 2006-10-03 Johnson Kenneth C Maskless, microlens EUV lithography system with grazing-incidence illumination optics
US20080259458A1 (en) * 2007-04-18 2008-10-23 Advanced Micro Devices, Inc. EUV diffractive optical element for semiconductor wafer lithography and method for making same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014093636A1 (en) * 2012-12-12 2014-06-19 Kla-Tencor Corporation Method and device using photoelectrons for in-situ beam power and stability monitoring in euv systems
KR20230064752A (ko) * 2021-11-04 2023-05-11 한양대학교 산학협력단 Euv 마스크 검사 장치 및 euv 마스크 검사 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20110042587A1 (en) 2011-02-24
US8637840B2 (en) 2014-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI645257B (zh) 檢查方法、微影裝置、光罩及基板
KR102100001B1 (ko) Euv 마스크 검사 시스템의 광학계의 파면 수차 계측
JP4509131B2 (ja) リソグラフィ装置用アライメントツール
JP4302098B2 (ja) リソグラフィ装置、アナライザ・プレート、サブアセンブリ、投射システムのパラメータ測定方法、及びパターン化手段
US11092902B2 (en) Method and apparatus for detecting substrate surface variations
CN110658690B (zh) 检查极紫外掩模的设备和方法及制造极紫外掩模的方法
CN112262345B (zh) 量测设备
TW200821770A (en) Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7692799B2 (en) Measurement apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method
KR20170121253A (ko) 검사와 계측을 위한 방법 및 장치
KR20110019524A (ko) 극자외선용 투과형 렌즈 및 이를 포함하는 광학 시스템
CN111051994B (zh) 用于测量光刻装置的焦点性能的方法和图案化设备与装置、器件制造方法
US10761031B1 (en) Arbitrary wavefront compensator for deep ultraviolet (DUV) optical imaging system
EP3889681A1 (en) An assembly including a non-linear element and a method of use thereof
KR20230110738A (ko) 고차 고조파 생성에 기반한 계측 장치 및 관련 방법
US11360403B2 (en) Bandwidth calculation system and method for determining a desired wavelength bandwidth for a measurement beam in a mark detection system
KR102721715B1 (ko) 비선형 요소를 포함하는 어셈블리 및 이를 이용하는 방법
US20110102774A1 (en) Focus Sensor, Inspection Apparatus, Lithographic Apparatus and Control System
EP4006641A1 (en) Metrology apparatus based on high harmonic generation and associated method
CN107402497B (zh) 曝光掩模、曝光设备和用于校准曝光设备的方法
WO2023232408A1 (en) A membrane and associated method and apparatus
WO2024110129A1 (en) Photonic integrated circuit for generating broadband radiation
CN116670577A (zh) 基于高次谐波产生的量测设备及相关方法
Harzendorf et al. Novel gap alignment sensor for high-resolution proximity lithography
KR20200001950A (ko) Euv 마스크 검사 장치와 방법, 및 그 방법을 포함한 euv 마스크 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application