KR20110017756A - Liquid crystal display - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A liquid crystal display is provided to modulate gate shift clocks by using one control signal. CONSTITUTION: A liquid crystal display panel includes data lines, gate liens, a plurality of TFTs and liquid crystal cells. The liquid crystal cells are connected to the TFTs. A data driving circuit supplies positive and negative data voltages to the data lines. A gate driving circuit successively supplies a gate pulse to the gate lines. A timing controller generates a single control signal. A gate shift clock modulation circuit modulates gate shift clocks.

Description

액정표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}Liquid Crystal Display {LIQUID CRYSTAL DISPLAY}

본 발명은 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device.

음극선관(Cathode Ray Tube, CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device, EL) 등이 있다. Various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs). Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and electroluminescent devices (ELs). have.

액정표시장치는 경량, 박형, 저소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 이 액정표시장치는 노트북 PC와 같은 휴대용 컴퓨터, 사무 자동화 기기, 오디오/비디오 기기, 옥내외 광고 표시장치 등으로 이용되고 있다. 액정표시장치는 액정셀들에 인가되는 전계를 제어하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛을 변조함으로써 화상을 표시한다. BACKGROUND ART Liquid crystal display devices have tended to be gradually widened due to their light weight, thinness, and low power consumption. The liquid crystal display device is used as a portable computer such as a notebook PC, office automation equipment, audio / video equipment, indoor and outdoor advertising display devices, and the like. The liquid crystal display displays an image by controlling an electric field applied to the liquid crystal cells to modulate the light incident from the backlight unit.

액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치에서 액정셀에 충전되는 전압은 TFT(Thin Film Transistor)의 기생용량으로 인하여 발생되는 킥백전압(Kickback Voltage)(또는 Feed Through Voltage, △Vp)에 영향을 받는다. 킥백전압(△Vp)은 수학식 1과 같다. In an active matrix type liquid crystal display device, the voltage charged in the liquid crystal cell is influenced by a kickback voltage (or feed-through voltage, ΔVp) generated by the parasitic capacitance of the TFT (Thin Film Transistor). The kickback voltage DELTA Vp is expressed by Equation 1 below.

Figure 112009049843607-PAT00001
Figure 112009049843607-PAT00001

여기서, 'Cgd'는 게이트라인에 접속된 TFT의 게이트단자와 액정셀의 화소전극에 접속된 TFT의 드레인단자 사이에 형성되는 기생용량이고, 'ΔVg'는 게이트라인에 공급되는 게이트펄스의 게이트 하이전압과 게이트 로우전압의 전압차다. 이러한 킥백전압으로 인하여 액정셀의 화소전극에 인가되는 전압이 변동되어 표시화상에서 플리커가 나타난다. Here, 'Cgd' is a parasitic capacitance formed between the gate terminal of the TFT connected to the gate line and the drain terminal of the TFT connected to the pixel electrode of the liquid crystal cell, and 'ΔVg' is the gate high of the gate pulse supplied to the gate line. It is the voltage difference between the voltage and the gate low voltage. Due to the kickback voltage, the voltage applied to the pixel electrode of the liquid crystal cell is changed to cause flicker in the display image.

게이트 펄스 변조기술(Gate Pulse Modulation, GPM)은 게이트펄스(또는 스캔펄스)의 전압차(ΔVg)를 줄여 킥백전압을 줄일 수 있다. 이러한 게이트 변조기술은 복수 개의 제어신호들을 이용하여 쉬프트 클럭들의 변조 타이밍을 제어한다. 그런데, 게이트 변조기술을 구현하기 위하여 타이밍 콘트롤러는 복수의 제어신호들을 출력하기 위하여 출력 핀들이 추가되어야 한다. Gate pulse modulation (GPM) can reduce kickback voltage by reducing the voltage difference (ΔVg) of the gate pulse (or scan pulse). This gate modulation technique controls the modulation timing of the shift clocks using a plurality of control signals. However, in order to implement the gate modulation technique, the timing controller needs to add output pins to output a plurality of control signals.

액정표시장치는 그 구동방식에 따라 액정셀들의 데이터전압 충전양이 달라질 수 있고 이로 인하여, 표시품질이 떨어질 수 있다. 따라서, 액정셀의 충전양 편차를 보상할 수 있는 방안이 요구되고 있다. According to the driving method of the liquid crystal display, the amount of data voltage charging of the liquid crystal cells may vary, and thus, display quality may be degraded. Therefore, a method for compensating for the variation in the amount of charge of the liquid crystal cell is required.

따라서, 본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출된 발명으로써 하나의 제어신호로 게이트 쉬프트 클럭들을 변조하고 액정셀의 충전양을 보상하도록 한 액정표시장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which modulates gate shift clocks with one control signal and compensates the amount of charge of a liquid crystal cell.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 데이터전압이 공급되는 데이터라인들, 상기 데이터전압에 동기되는 게이트펄스가 순차적으로 인가되는 게이트라인들, 상기 데이터라인들과 상기 게이트라인들의 교차부에 접속된 다수의 TFT, 및 상기 TFT들에 접속된 액정셀들을 포함하는 액정표시패널; 정극성/부극성 데이터전압을 상기 데이터라인들에 공급하는 데이터 구동회로; 게이트 스타트펄스와 변조된 게이트 쉬프트 클럭들을 이용하여 게이트 펄스를 상기 게이트라인들에 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로; 상기 게이트 스타트 펄스, 게이트 쉬프트 클럭들, 및 상기 게이트 스타트 펄스들을 변조하기 위한 단일 제어신호를 발생하는 타이밍 콘트롤러; 및 상기 단일 제어신호에 응답하여 상기 게이트 쉬프트 클럭들을 변조하는 게이트 쉬프트 클럭 변조회로를 구비한다. In order to achieve the above object, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes data lines to which a data voltage is supplied, gate lines to which a gate pulse synchronized with the data voltage is sequentially applied, the data lines and the data line. A liquid crystal display panel comprising a plurality of TFTs connected to intersections of gate lines, and liquid crystal cells connected to the TFTs; A data driver circuit for supplying a positive / negative data voltage to the data lines; A gate driving circuit sequentially supplying a gate pulse to the gate lines using a gate start pulse and modulated gate shift clocks; A timing controller for generating a single control signal for modulating said gate start pulses, gate shift clocks, and said gate start pulses; And a gate shift clock modulation circuit for modulating the gate shift clocks in response to the single control signal.

상기 타이밍 콘트롤러는 소정의 시간차를 갖는 제1 및 제2 제어신호를 발생한다. 상기 타이밍 콘트롤러는 상기 제1 및 제2 제어신의 배타적 부정 논리합 결과로 상기 단일 제어신호를 출력하는 배타적 논리합 게이트를 구비한다. The timing controller generates first and second control signals having a predetermined time difference. The timing controller has an exclusive OR gate that outputs the single control signal as a result of an exclusive NOR of the first and second control scenes.

상기 제1 제어신호의 로우논리구간은 상기 게이트 쉬프트 클럭들 중에서 기수 게이트 쉬프트 클럭들의 폴링에지와 중첩된다. 상기 제2 제어신호의 로우논리구간은 상기 게이트 쉬프트 클럭들 중에서 우수 게이트 쉬프트 클럭들의 폴링에지와 중첩된다. The low logic section of the first control signal overlaps a falling edge of odd gate shift clocks among the gate shift clocks. The low logic section of the second control signal overlaps the falling edge of even gate shift clocks among the gate shift clocks.

상기 제1 및 제2 제어신호는 위상차, 듀티비, 펄스폭 중 적어도 어느 하나가 서로 다르다. At least one of the phase difference, the duty ratio, and the pulse width is different from the first and second control signals.

본 발명은 하나의 제어신호를 이용하여 게이트 쉬프트 펄스들을 변조함으로써 타이밍 콘트롤러와 파워 IC(Integrated Circuit)의 핀(pin) 수를 줄일 수 있으며, 나아가 2 상 펄스를 단일 제어신호로 발생하여 액정셀의 충전양 편차를 보상할 수 있다. The present invention can reduce the number of pins of the timing controller and the power integrated circuit (IC) by modulating the gate shift pulses using a single control signal, and furthermore, by generating a two-phase pulse as a single control signal, The amount of filling variation can be compensated for.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예의 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above objects will become apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 1 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 10.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 화소 어레이(20)가 형성된 액정표시패널, 다수의 소스 드라이브 IC들(11), 게이트 구동회 로(13), 및 타이밍 콘트롤러(21)와 파워 IC(22)가 실장된 인쇄회로보드(Printed Circuit Board, 이라 "PCB"라 함)(14)를 구비한다. 액정표시패널의 아래에는 액정표시패널에 빛을 균일하게 조사하기 위한 백라이트 유닛이 배치될 수 있다.1 and 2, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a liquid crystal display panel having a pixel array 20, a plurality of source drive ICs 11, a gate driving circuit 13, and a timing. The controller 21 and the power IC 22 are provided with a printed circuit board 14 ("PCB"). A backlight unit for uniformly irradiating light onto the liquid crystal display panel may be disposed below the liquid crystal display panel.

액정표시패널은 액정층을 사이에 두고 대향하는 상부 유리기판과 하부 유리기판(15)을 포함한다. 액정표시패널의 화소 어레이(20)는 데이터라인들과 게이트라인들의 교차 구조에 의해 매트릭스 형태로 배열되는 액정셀들을 포함하여 비디오 데이터를 표시한다. 화소 어레이(20)는 데이터라인들과 게이트라인들의 교차부마다 형성되는 TFT들과, TFT에 접속된 화소전극을 포함한다. 화소 어레이(20)는 다양하게 구현될 수 있고, 일예로 이웃한 액정셀들이 하나의 데이터라인을 공유하는 도 7의 화소 어레이로 구현되어 데이터라인들과 소스 드라이브 IC들의 개수를 줄일 수 있다. 화소 어레이(20)의 액정셀들 각각은 TFT를 통해 데이터전압을 충전하는 화소전극과 공통전압이 인가되는 공통전극의 전압차에 의해 구동되어 빛의 투과양을 조정함으로써 비디오 데이터의 화상을 표시한다. 액정표시패널의 상부 유리기판 상에는 블랙매트릭스, 컬러필터 및 공통전극이 형성된다. 액정표시패널의 상부 유리기판과 하부 유리기판 각각에는 편광판이 부착되고 액정의 프리틸트각(pre-tilt angle)을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. The liquid crystal display panel includes an upper glass substrate and a lower glass substrate 15 facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. The pixel array 20 of the liquid crystal display panel displays video data including liquid crystal cells arranged in a matrix by a cross structure of data lines and gate lines. The pixel array 20 includes TFTs formed at intersections of data lines and gate lines, and pixel electrodes connected to the TFTs. The pixel array 20 may be implemented in various ways. For example, the pixel array 20 may be implemented as the pixel array of FIG. 7 in which neighboring liquid crystal cells share one data line, thereby reducing the number of data lines and source drive ICs. Each of the liquid crystal cells of the pixel array 20 is driven by a voltage difference between a pixel electrode charging a data voltage through a TFT and a common electrode to which a common voltage is applied to display an image of video data by adjusting the amount of light transmitted. . A black matrix, a color filter, and a common electrode are formed on the upper glass substrate of the liquid crystal display panel. A polarizing plate is attached to each of the upper glass substrate and the lower glass substrate of the liquid crystal display panel, and an alignment layer for setting the pre-tilt angle of the liquid crystal is formed.

공통전극은 TN(Twisted Nematic) 모드와 VA(Vertical Alignment) 모드와 같은 수직전계 구동방식의 경우에 상부 유리기판 상에 형성되며, IPS(In-Plane Switching) 모드와 FFS(Fringe Field Switching) 모드와 같은 수평전계 구동방식의 경우에 화소전극과 함께 하부 유리기판 상에 형성된다. The common electrode is formed on the upper glass substrate in the case of the vertical electric field driving method such as twisted nematic (TN) mode and vertical alignment (VA) mode, and in-plane switching (IPS) mode and fringe field switching (FFS) mode. In the case of the same horizontal electric field driving method, the pixel electrode is formed on the lower glass substrate together with the pixel electrode.

본 발명에서 적용 가능한 액정표시패널의 액정모드는 TN 모드, VA 모드, IPS 모드, FFS 모드뿐 아니라 어떠한 액정모드로도 구현될 수 있다. 또한, 본 발명의 액정표시장치는 투과형 액정표시장치, 반투과형 액정표시장치, 반사형 액정표시장치 등 어떠한 형태로도 구현될 수 있다. 투과형 액정표장치와 반투과형 액정표시장치에서는 백라이트 유닛이 필요하다. 백라이트 유닛은 직하형(direct type) 백라이트 유닛 또는, 에지형(edge type) 백라이트 유닛으로 구현될 수 있다. The liquid crystal mode of the liquid crystal display panel applicable to the present invention may be implemented in any liquid crystal mode as well as in the TN mode, VA mode, IPS mode, FFS mode. In addition, the liquid crystal display of the present invention may be implemented in any form, such as a transmissive liquid crystal display, a transflective liquid crystal display, a reflective liquid crystal display. In the transmissive liquid crystal display device and the transflective liquid crystal display device, a backlight unit is required. The backlight unit may be implemented as a direct type backlight unit or an edge type backlight unit.

소스 드라이브 IC들(11) 각각의 출력 채널들은 화소 어레이(20)의 데이터라인들에 1:1로 접속된다. 소스 드라이브 IC들(11)은 타이밍 콘트롤러(21)의 제어 하에 정극성/부극성 데이터전압을 화소 어레이(20)의 데이터라인들에 공급하는 데이터 구동회로이다. 소스 드라이브 IC들(11)은 타이밍 콘트롤러로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터를 샘플링하고 래치하여 직렬 데이터 전송 체계를 병렬 데이터 전송 체계의 디지털 비디오 데이터로 변환한다. 소스 드라이브 IC들(11)은 정극성/부극성 감마보상전압을 입력받는다. 소스 드라이브 IC들(11)은 정극성/부극성 감마보상전압을 이용하여 타이밍 콘트롤러로부터 입력되는 극성제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 정극성/부극성 아날로그 비디오 데이터전압으로 변환한다. 그리고 소스 드라이브 IC들(11)은 타이밍 콘트롤러로부터 입력되는 소스 출력 인에이블신호에 응답하여 정극성/부극성 데이터전압들을 화소 어레이(20)의 데이터라인들로 출력한다. 소스 드라이브 IC들(11)은 COG(Chip On Glass) 공정에 의해 액정표시패널의 하부 유리기판 상에 접착될 수 있고 또한, TAB(Tape Automated Bonding) 공정에 의해 TCP(Tape Carrier Package)(12) 형태로 액정표시패널의 하부 유리기판에 접합될 수 있다. The output channels of each of the source drive ICs 11 are connected 1: 1 to the data lines of the pixel array 20. The source drive ICs 11 are data driving circuits for supplying the positive / negative data voltages to the data lines of the pixel array 20 under the control of the timing controller 21. The source drive ICs 11 sample and latch digital video data input from the timing controller to convert the serial data transmission scheme into digital video data of the parallel data transmission scheme. The source drive ICs 11 receive a positive / negative gamma compensation voltage. The source drive ICs 11 convert the digital video data into the positive / negative analog video data voltage according to the polarity control signal input from the timing controller using the positive / negative gamma compensation voltage. The source drive ICs 11 output the positive / negative data voltages to the data lines of the pixel array 20 in response to the source output enable signal input from the timing controller. The source drive ICs 11 may be bonded onto the lower glass substrate of the liquid crystal display panel by a chip on glass (COG) process, and may also be a tape carrier package (TCP) 12 by a tape automated bonding (TAB) process. It may be bonded to the lower glass substrate of the liquid crystal display panel in the form.

게이트 구동회로(13)는 파워 IC(22)로부터 입력되는 게이트 스타트 펄스(Vst)와 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1'~GCLK4')를 입력받아 화소 어레이(20)의 게이트라인들에 게이트 펄스를 순차적으로 공급한다. 게이트 구동회로(13)는 TCP 상에 실장되어 TAB 공정에 의해 액정표시패널의 하부 유리기판에 접합되거나, GIP(Gate In Panel) 공정에 의해 화소 어레이(20)와 동시에 하부 유리기판 상에 직접 형성될 수 있다. 게이트 구동회로(13)는 화소 어레이(20)의 양측에 배치되거나 화소 어레이(20)의 일측에 배치될 수 있다. 게이트 스타트 펄스(Vst)는 첫 번째 게이트 펄스의 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GCLK1'~GCLK4')은 게이트 스타트 펄스(GSP)를 쉬프트시키기 위한 클럭신호이다. 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1'~GCLK')은 파워 IC(22)에 의해 폴링 에지 근방에서 게이트 하이전압(Vgh)이 낮아진다. 게이트 구동회로(13)의 쉬프트 레지스터 출력단에 접속된 풀-업 트랜지스터의 소스단자에는 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1'~GCLK4')이 입력된다. 따라서, 게이트라인들에 공급되는 게이트펄스는 게이트 쉬프트 클럭(GCLK1'~GCLK4')와 동일한 형태로 변조되어 그 폴링에지 근방에서 게이트 하이전압(Vgh)이 낮아진다. 이러한 게이트 펄스의 변조에 의해 수학식 1에서 게이트 펄스의 게이트 하이전압(Vgh)과 게이트 로우전압(Vgh) 사이의 전압차가 낮아져 액정셀의 킥백전압이 감소된다. The gate driving circuit 13 receives the gate start pulse Vst and the gate shift clocks GCLK1 ′ to GCLK4 ′ input from the power IC 22 to sequentially process the gate pulses to the gate lines of the pixel array 20. To supply. The gate driving circuit 13 is mounted on TCP and bonded to the lower glass substrate of the liquid crystal display panel by a TAB process, or directly formed on the lower glass substrate simultaneously with the pixel array 20 by a GIP (Gate In Panel) process. Can be. The gate driving circuit 13 may be disposed on both sides of the pixel array 20 or on one side of the pixel array 20. The gate start pulse Vst controls the timing of the first gate pulse. The gate shift clocks GCLK1 'to GCLK4' are clock signals for shifting the gate start pulse GSP. The gate shift clocks GCLK1 'to GCLK' are lowered by the power IC 22 at the gate high voltage Vgh near the falling edge. Gate shift clocks GCLK1 'to GCLK4' are input to a source terminal of a pull-up transistor connected to the shift register output terminal of the gate driving circuit 13. Therefore, the gate pulses supplied to the gate lines are modulated in the same form as the gate shift clocks GCLK1 'to GCLK4', thereby lowering the gate high voltage Vgh near its falling edge. By the modulation of the gate pulse, the voltage difference between the gate high voltage Vgh and the gate low voltage Vgh of the gate pulse is decreased in Equation 1, thereby reducing the kickback voltage of the liquid crystal cell.

타이밍 콘트롤러(21)와 파워 IC(22)가 실장된 PCB(14)는 연성회로기판을 통해 소스 드라이브 IC들(11)에 연결된다. 타이밍 콘트롤러(21)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스 등의 인터페이스를 통해 외부의 시스템 보드로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터를 mini LVDS 인터페이스를 통해 소스 드라이브 IC들(11)에 공급한다. 그리고 타이밍 콘트롤러(21)는 LVDS 인터페이스 또는 TMDS 인터페이스를 통해 입력되는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 도트 클럭(CLK) 등의 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(21)는 타이밍 신호(Vsync, Hsync, DE, CLK)를 이용하여 소스 드라이브 IC들(11)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호와, 게이트 구동회로(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호를 발생한다. 타이밍 콘트롤러(21)는 60Hz의 프레임 주파수로 입력되는 디지털 비디오 데이터가 60×i(i는 양의 정수) Hz의 프레임 주파수로 액정표시패널의 화소 어레이(20)에서 재생될 수 있도록 게이트 타이밍 제어신호와 데이터 타이밍 제어신호의 주파수를 60×i(i는 2 이상의 양의 정수) Hz의 프레임 주파수 기준으로 체배할 수 있다. The PCB 14 on which the timing controller 21 and the power IC 22 are mounted is connected to the source drive ICs 11 through a flexible circuit board. The timing controller 21 receives digital video data input from an external system board through an interface, such as a low voltage differential signaling (LVDS) interface or a transition minimized differential signaling (TMDS) interface, through a mini LVDS interface. Supplies). The timing controller 21 may include timing signals such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal Data Enable, DE, and a dot clock CLK input through an LVDS interface or a TMDS interface. Get input. The timing controller 21 uses the timing signals Vsync, Hsync, DE, and CLK to adjust the data timing control signal for controlling the operation timing of the source drive ICs 11 and the operation timing of the gate driving circuit 13. Generate a gate timing control signal for control. The timing controller 21 controls the gate timing control signal so that the digital video data input at a frame frequency of 60 Hz can be reproduced in the pixel array 20 of the liquid crystal display panel at a frame frequency of 60 x i (i is a positive integer) Hz. And the frequency of the data timing control signal can be multiplied by a frame frequency reference of 60 x i (i is a positive integer of 2 or more) Hz.

타이밍 콘트롤러(21)로부터 출력되는 데이터 타이밍 제어신호는 소스 스타트 펄스(Source, Start Pulse, SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE), 극성제어신호(POL) 등을 포함한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 소스 드라이브 IC들(11)의 데이터 샘플링 동작을 제어하는 클럭신호이다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 소스 드라이브 IC들(11)의 데이터 샘플링 시작 시점을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(21)와 소스 드라이브 IC들(11) 사이에서 데이터와 데이터 타이밍 제어 신호가 mini LVDS 인터페이스를 통해 전송된다면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다. 극성제어신호(POL)는 소스 드라이브 IC들(11)로부터 출력되는 데이터전압들의 극성을 제어한다. 소스 출력 인에이블신호(SOE)는 소스 드라이브 IC들(11)의 출력 타이밍을 제어한다. The data timing control signal output from the timing controller 21 includes a source start pulse (Source, Start Pulse, SSP), a source sampling clock (SSC), a source output enable signal (Source Output Enable, SOE), Polarity control signal POL and the like. The source sampling clock SSC is a clock signal that controls the data sampling operation of the source drive ICs 11 based on the rising or falling edge. The source start pulse SSP controls the data sampling start time of the source drive ICs 11. If data and data timing control signals are transmitted between the timing controller 21 and the source drive ICs 11 through the mini LVDS interface, the source start pulse SSP and the source sampling clock SSC may be omitted. The polarity control signal POL controls the polarity of the data voltages output from the source drive ICs 11. The source output enable signal SOE controls the output timing of the source drive ICs 11.

타이밍 콘트롤러(21)로부터 출력되는 게이트 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(Vst), 게이트 쉬프트 클럭(GCLK1~GCLK4), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE), GPM 제어신호(FLK) 등을 포함한다. 제1 내지 제4 게이트 쉬프트 클럭(GCLK1~GCLK4)은 소정의 시간차를 두고 순차적으로 쉬프트되는 4 상 클럭들이다. 종래 기술의 타이밍 콘트롤러는 4 상 게이트 쉬프트 클럭을 변조하기 위하여 2 개의 GPM 제어신호를 발생하였지만 본 발명의 타이밍 콘트롤러(21)는 하나의 GPM 제어신호로 4 상 게이트 쉬프트 클럭들 각각을 변조한다. The gate timing control signal output from the timing controller 21 includes a gate start pulse Vst, gate shift clocks GCLK1 to GCLK4, a gate output enable signal GOE, and a GPM control signal FLK. Include. The first to fourth gate shift clocks GCLK1 to GCLK4 are four-phase clocks sequentially shifted with a predetermined time difference. The conventional timing controller generates two GPM control signals in order to modulate the four phase gate shift clock, but the timing controller 21 of the present invention modulates each of the four phase gate shift clocks with one GPM control signal.

파워 IC(22)는 타이밍 콘트롤러(21)로부터 게이트 스타트 펄스(Vst), 게이트 쉬프트 클럭(GCLK1~GCLK4) 및 GPM 제어신호(FLK)를 입력받는다. 파워 IC(22)의 레벨 쉬프터는 타이밍 콘트롤러(21)로부터 TTL(Transistor Transistor Logic) 또는 LVDS 레벨의 저전압으로 입력되는 게이트 쉬프트 클럭(GCLK1~GCLK4)의 전압을 화소 어레이(20)의 TFT 구동에 적합한 15V 이상의 게이트 하이전압(Vgh)으로 레벨 쉬프팅하고 GPM 제어신호(FLK)에 응답하여 게이트 쉬프트 클럭(GCLK1~GCLK4) 각각을 변조한다. 따라서, 파워 IC(22)의 레벨 쉬프터는 게이트 쉬프트 클럭 변조회로를 포함한다. 파워 IC(22)에 의해 변조된 제1 내지 제4 게이트 쉬프트 클럭(GCLK1'~GCLK4')은 소정의 시간차를 두고 순차적으로 쉬프트되는 4 상 클럭들로 서 게이트 구동회로(13)의 쉬프트 레지스터에 입력된다. The power IC 22 receives the gate start pulse Vst, the gate shift clocks GCLK1 to GCLK4 and the GPM control signal FLK from the timing controller 21. The level shifter of the power IC 22 is suitable for driving the TFTs of the pixel array 20 using the voltages of the gate shift clocks GCLK1 to GCLK4 input from the timing controller 21 at a low voltage of TTL (Transistor Transistor Logic) or LVDS level. Level shifting to a gate high voltage Vgh of 15 V or more and modulating each of the gate shift clocks GCLK1 to GCLK4 in response to the GPM control signal FLK. Thus, the level shifter of the power IC 22 includes a gate shift clock modulation circuit. The first to fourth gate shift clocks GCLK1 'to GCLK4' modulated by the power IC 22 are shifted to the shift register of the gate driving circuit 13 as four-phase clocks sequentially shifted by a predetermined time difference. Is entered.

도 3은 타이밍 콘트롤러(21)에서 GPM 제어신호 발생 회로를 나타낸다. 3 shows a GPM control signal generation circuit in the timing controller 21.

도 3을 참조하면, 타이밍 콘트롤러(21)는 제1 및 제2 GPM 제어신호(FLK1, FLK2)를 발생한다. 이 타이밍 콘트롤러(21)는 배타적 부정 논리합 게이트(EX-NOR, 31)를 구비한다. 배타적 부정 논리합 게이트(31)는 제1 및 제2 GPM 제어신호(FLK1, FLK2)를 논리합 연산하여 그 결과를 출력한다. 따라서, 타이밍 콘트롤러(21)로부터 출력되는 GPM 제어신호(FLK)는 제1 및 제2 GPM 제어신호(FLK1, FLK2)의 논리값이 서로 다를 때에만 로우논리로 발생된다. Referring to FIG. 3, the timing controller 21 generates first and second GPM control signals FLK1 and FLK2. This timing controller 21 has an exclusive negative logic gate (EX-NOR) 31. The exclusive negative OR gate 31 performs an OR operation on the first and second GPM control signals FLK1 and FLK2 and outputs the result. Therefore, the GPM control signal FLK output from the timing controller 21 is generated in low logic only when the logic values of the first and second GPM control signals FLK1 and FLK2 are different from each other.

도 4는 파워 IC(22)의 레벨 쉬프터를 상세히 나타낸다. 4 shows the level shifter of the power IC 22 in detail.

도 4를 참조하면, 파워 IC(22)의 레벨 쉬프터는 FLK 샘플링 로직부(41)를 구비한다. 도 4에서 Q1~Q4는 트랜지스터이며, R1 및 R2는 저항이다. Referring to FIG. 4, the level shifter of the power IC 22 includes the FLK sampling logic section 41. In Fig. 4, Q1 to Q4 are transistors, and R1 and R2 are resistors.

FLK 샘플링 로직부(41)는 제1 게이트 쉬프트 클럭(GCLK1)의 전압을 게이트 하이전압(Vgh) 레벨로 상승시키고 GPM 제어신호(FLK)의 4i(i는 양의 정수)+1 번째 로우논리구간(또는 GPM 시간) 동안 제1 트랜지스터(Q1)를 턴-온시킨다. 제1 트랜지스터(Q1)는 FLK 샘플링 로직부(41)의 제어 하에 게이트 하이전압(Vgh)을 낮추어 변조된 제1 게이트 쉬프트 클럭(GCLK1')을 출력한다. FLK 샘플링 로직부(41)는 제2 게이트 쉬프트 클럭(GCLK2)의 전압을 게이트 하이전압(Vgh) 레벨로 상승시키고 GPM 제어신호(FLK)의 4i+2 번째 로우논리구간 동안 제2 트랜지스터(Q2)를 턴-온시킨다. 제2 트랜지스터(Q2)는 FLK 샘플링 로직부(41)의 제어 하에 게이트 하이전압(Vgh)을 낮추어 변조된 제2 게이트 쉬프트 클럭(GCLK2')을 출력한다. FLK 샘플 링 로직부(41)는 제2 게이트 쉬프트 클럭(GCLK2)의 전압을 게이트 하이전압(Vgh) 레벨로 상승시키고 GPM 제어신호(FLK)의 4i+3 번째 로우논리구간 동안 제3 트랜지스터(Q3)를 턴-온시킨다. 제3 트랜지스터(Q3)는 FLK 샘플링 로직부(41)의 제어 하에 게이트 하이전압(Vgh)을 낮추어 변조된 제3 게이트 쉬프트 클럭(GCLK3')을 출력한다. FLK 샘플링 로직부(41)는 제4 게이트 쉬프트 클럭(GCLK4)의 전압을 게이트 하이전압(Vgh) 레벨로 상승시키고 GPM 제어신호(FLK)의 4i+4 번째 로우논리구간 동안 제4 트랜지스터(Q4)를 턴-온시킨다. 제4 트랜지스터(Q4)는 FLK 샘플링 로직부(41)의 제어 하에 게이트 하이전압(Vgh)을 낮추어 변조된 제4 게이트 쉬프트 클럭(GCLK4')을 출력한다. The FLK sampling logic section 41 raises the voltage of the first gate shift clock GCLK1 to the gate high voltage Vgh level, and 4i (i is a positive integer) + first low logic section of the GPM control signal FLK. (Or GPM time) turns on first transistor Q1. The first transistor Q1 lowers the gate high voltage Vgh under the control of the FLK sampling logic unit 41 to output the modulated first gate shift clock GCLK1 ′. The FLK sampling logic unit 41 raises the voltage of the second gate shift clock GCLK2 to the gate high voltage Vgh level and the second transistor Q2 during the 4i + 2th low logic section of the GPM control signal FLK. Turn on. The second transistor Q2 lowers the gate high voltage Vgh under the control of the FLK sampling logic unit 41 to output the modulated second gate shift clock GCLK2 '. The FLK sampling logic unit 41 raises the voltage of the second gate shift clock GCLK2 to the gate high voltage Vgh level and performs the third transistor Q3 during the 4i + 3th low logic section of the GPM control signal FLK. Turn on). The third transistor Q3 lowers the gate high voltage Vgh under the control of the FLK sampling logic unit 41 and outputs a modulated third gate shift clock GCLK3 '. The FLK sampling logic unit 41 raises the voltage of the fourth gate shift clock GCLK4 to the gate high voltage Vgh level and the fourth transistor Q4 during the 4i + 4th low logic periods of the GPM control signal FLK. Turn on. The fourth transistor Q4 lowers the gate high voltage Vgh under the control of the FLK sampling logic unit 41 and outputs a modulated fourth gate shift clock GCLK4 '.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1~GCLK4)과 GPM 제어신호(FLK1,FLK2,FLK)를 보여 주는 파형도이다. 도 6은 변조된 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1'~GCLK4')을 보여 주는 파형도이다.5 is a waveform diagram illustrating gate shift clocks GCLK1 to GCLK4 and GPM control signals FLK1, FLK2, and FLK according to a first embodiment of the present invention. 6 is a waveform diagram showing modulated gate shift clocks GCLK1 'to GCLK4'.

타이밍 콘트롤러(21) 내에서 생성되는 제1 및 제2 GPM 제어신호(FLK1, FLK2)는 소정의 시간차를 갖는다. 제1 GPM 제어신호(FLK1)의 로우논리구간은 제2 GPM 제어신호(FLK2)의 하이논리구간(또는 펄스폭 기간)과 중첩되고 또한, 제1 및 제3 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1, GCLK3)의 폴링에지와 중첩된다. 제2 GPM 제어신호(FLK2)의 로우논리구간은 제1 GPM 제어신호(FLK1)의 하이논리구간과 중첩되고 또한, 제1 및 제3 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1, GCLK3)의 폴링에지와 중첩된다. 제1 GPM 제어신호(FLK1)의 기수 번째 로우논리구간은 제1 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1)의 변조시간(GPMt)을 결정한다. 제1 GPM 제어신호(FLK1)의 우수 번째 로우논리구 간은 제3 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK3)의 변조시간(GPMt)을 결정한다. 제2 GPM 제어신호(FLK2)의 기수 번째 로우논리구간은 제2 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK2)의 변조시간(GPMt)을 결정한다. 제1 GPM 제어신호(FLK1)의 우수 번째 로우논리구간은 제4 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK4)의 변조시간(GPMt)을 결정한다. The first and second GPM control signals FLK1 and FLK2 generated in the timing controller 21 have a predetermined time difference. The low logic section of the first GPM control signal FLK1 overlaps the high logic section (or pulse width period) of the second GPM control signal FLK2 and further includes the first and third gate shift clocks GCLK1 and GCLK3. Overlap with the polling edge of. The low logic section of the second GPM control signal FLK2 overlaps the high logic section of the first GPM control signal FLK1 and overlaps the falling edges of the first and third gate shift clocks GCLK1 and GCLK3. . The odd low logic section of the first GPM control signal FLK1 determines the modulation time GPMt of the first gate shift clocks GCLK1. The even-lowest low logic period of the first GPM control signal FLK1 determines the modulation time GPMt of the third gate shift clocks GCLK3. The odd low logic section of the second GPM control signal FLK2 determines the modulation time GPMt of the second gate shift clocks GCLK2. The even-lowest low logical section of the first GPM control signal FLK1 determines the modulation time GPMt of the fourth gate shift clocks GCLK4.

제1 및 제2 GPM 제어신호(FLK1, FLK2)의 위상차, 펄스폭, 듀티비 등은 액정표시패널의 구동방식과 화소 어레이(20)의 구조에 따라 적절히 조정될 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 GPM 제어신호(FLK1, FLK2)는 도 5와 같이 동일한 듀티비로 발생될 수 있고, 도 9와 같이 서로 다른 듀티비로 발생될 수 있다. The phase difference, pulse width, duty ratio, etc. of the first and second GPM control signals FLK1 and FLK2 may be appropriately adjusted according to the driving method of the liquid crystal display panel and the structure of the pixel array 20. For example, the first and second GPM control signals FLK1 and FLK2 may be generated with the same duty ratio as shown in FIG. 5, and may be generated with different duty ratios as shown in FIG. 9.

도 7과 같은 화소 어레이(20)에서 좌우에 이웃하는 액정셀들에 동일한 극성과 동일한 데이터전압을 인가하더라도 충전양이 달라질 수 있다. 본 발명은 제1 및 제2 GPM 제어신호(FLK1, FLK2)의 듀티비를 다르게 하여 도 7과 같은 화소 어레이(20)의 기수 게이트라인들에 인가되는 기수 게이트펄스들의 변조시간과, 우수 게이트라인들에 인가되는 우수 게이트펄스들의 변조시간을 다르게 제어하여 이웃한 액정셀들의 충전양을 동일하게 보상할 수 있다. Although the same polarity and the same data voltage are applied to the liquid crystal cells adjacent to the left and right in the pixel array 20 as shown in FIG. 7, the amount of charge may vary. The present invention provides a modulation time of odd gate pulses applied to odd gate lines of the pixel array 20 as shown in FIG. 7 by varying the duty ratios of the first and second GPM control signals FLK1 and FLK2. By differently controlling the modulation time of the even gate pulses to be applied to each other can be equally compensated for the amount of charge of the adjacent liquid crystal cells.

도 7은 데이터 라인 공유 방식을 적용한 화소 어레이(20)의 일부를 보여 주는 회로도이다. 도 8은 도 7에 도시된 화소 어레이(20)의 데이터라인들에 공급되는 데이터전압과 게이트라인들에 공급되는 게이트펄스를 보여 주는 파형도이다. FIG. 7 is a circuit diagram illustrating a part of the pixel array 20 to which the data line sharing scheme is applied. FIG. 8 is a waveform diagram illustrating a data voltage supplied to data lines and a gate pulse supplied to gate lines of the pixel array 20 illustrated in FIG. 7.

도 7 및 도 8을 참조하면, 게이트라인들(G1~G6)에는 1 수평기간 주기로 극성이 반전되는 데이터전압에 동기되는 게이트펄스가 순차적으로 공급된다. 게이트펄스들은 게이트 하이전압(Vgh)과 게이트 로우전압 사이에서 스윙하며, 1/2 수평기간 의 펄스폭(1/2 H)으로 발생된다. 게이트펄스들의 게이트 하이전압(Vgh)은 GPM 제어신호(FLK)를 기준으로 변조된다. 7 and 8, gate pulses synchronized with data voltages whose polarities are inverted in one horizontal period period are sequentially supplied to the gate lines G1 to G6. The gate pulses swing between the gate high voltage (Vgh) and the gate low voltage, and are generated with a pulse width (1/2 H) of 1/2 horizontal period. The gate high voltage Vgh of the gate pulses is modulated based on the GPM control signal FLK.

제1 수직라인(최좌측 수직라인)을 따라 배치된 제1 TFT(T1)와, 제2 수직라인을 따라 배치된 제2 TFT(T2)는 제1 데이터라인(DL1)으로부터의 데이터전압들을 제1 및 제2 화소전극(P1, P2)에 시분할 공급한다. 제1 TFT(T1)는 기수 게이트라인(GL1, GL3, GL5)으로부터의 변조된 게이트펄스에 따라 턴-온되어 제1 데이터라인(DL1)으로부터의 정극성/부극성 데이터전압을 제1 데이터라인(DL1)의 좌측에 배치된 제1 화소전극(P1)에 공급한다. 이를 위하여, 제1 TFT(T1)의 드레인전극은 제1 데이터라인(DL1)에 접속되고, 그 소스전극은 제1 데이터라인(DL1)의 좌측에 배치된 제1 화소전극(P1)에 접속된다. 제1 TFT(T1)의 게이트전극은 기수 게이트라인(GL1, GL3, GL5)에 접속된다. 제2 TFT(T2)는 우수 게이트라인(GL2, GL4, GL6)으로부터의 게이트펄스에 따라 턴-온되어 제1 데이터라인(DL1)으로부터의 정극성/부극성 데이터전압을 제1 데이터라인(DL1)의 우측에 배치된 제2 화소전극(P2)에 공급한다. 이를 위하여, 제2 TFT(T2)의 드레인전극은 제1 데이터라인(DL1)에 접속되고, 그 소스전극은 제1 데이터라인(DL1)의 우측에 배치된 제2 화소전극(P2)에 접속된다. 제2 TFT(T2)의 게이트전극은 우수 게이트라인(GL2, GL4, GL6)에 접속된다. 제1 데이터라인(DL1)을 통해 순차적으로 공급되는 동일 극성의 데이터전압들 중에서, 첫 번째 데이터전압이 제1 액정셀에 충전된 후에, 두 번째 데이터전압이 제2 액정셀에 충전된다. The first TFT T1 disposed along the first vertical line (the leftmost vertical line) and the second TFT T2 disposed along the second vertical line store the data voltages from the first data line DL1. Time division supply to the first and second pixel electrodes P1 and P2. The first TFT T1 is turned on according to the modulated gate pulses from the odd gate lines GL1, GL3, and GL5 to convert the positive / negative data voltage from the first data line DL1 to the first data line. The first pixel electrode P1 is disposed on the left side of the DL1. To this end, the drain electrode of the first TFT T1 is connected to the first data line DL1, and the source electrode thereof is connected to the first pixel electrode P1 disposed on the left side of the first data line DL1. . The gate electrode of the first TFT T1 is connected to the odd gate lines GL1, GL3, GL5. The second TFT T2 is turned on in response to the gate pulses from the even gate lines GL2, GL4, and GL6 to convert the positive / negative data voltage from the first data line DL1 to the first data line DL1. Is supplied to the second pixel electrode P2 disposed on the right side. To this end, the drain electrode of the second TFT T2 is connected to the first data line DL1, and the source electrode thereof is connected to the second pixel electrode P2 disposed on the right side of the first data line DL1. . The gate electrode of the second TFT T2 is connected to the even gate lines GL2, GL4, GL6. Among the data voltages of the same polarity sequentially supplied through the first data line DL1, after the first data voltage is charged in the first liquid crystal cell, the second data voltage is charged in the second liquid crystal cell.

제3 수직라인을 따라 배치된 제3 TFT(T3)와, 제4 수직라인을 따라 배치된 제 4 TFT(T4)는 제2 데이터라인(DL2)으로부터의 데이터전압들을 제3 및 제4 화소전극(P3, P4)에 시분할 공급한다. 제3 TFT(T3)는 우수 게이트라인(GL2, GL4, GL6)으로부터의 게이트펄스에 따라 턴-온되어 제2 데이터라인(DL2)으로부터의 정극성/부극성 데이터전압을 제2 데이터라인(DL2)의 좌측에 배치된 제3 화소전극(P3)에 공급한다. 이를 위하여, 제3 TFT(T3)의 드레인전극은 제2 데이터라인(DL2)에 접속되고, 그 소스전극은 제2 데이터라인(DL2)의 좌측에 배치된 제3 화소전극(P3)에 접속된다. 제3 TFT(T3)의 게이트전극은 우수 게이트라인(GL2, GL4, GL6)에 접속된다. 제4 TFT(T24)는 기수 게이트라인(GL1, GL3, GL5)으로부터의 게이트펄스에 따라 턴-온되어 제2 데이터라인(DL2)으로부터의 정극성/부극성 데이터전압을 제2 데이터라인(DL2)의 우측에 배치된 제4 화소전극(P4)에 공급한다. 이를 위하여, 제4 TFT(T4)의 드레인전극은 제2 데이터라인(DL2)에 접속되고, 그 소스전극은 제2 데이터라인(DL2)의 우측에 배치된 제4 화소전극(P4)에 접속된다. 제4 TFT(T4)의 게이트전극은 기수 게이트라인(GL1, GL3, GL5)에 접속된다. 제2 데이터라인(DL2)을 통해 순차적으로 공급되는 동일 극성의 데이터전압들 중에서, 첫 번째 데이터전압이 제4 액정셀에 충전된 후에, 두 번째 데이터전압이 제3 액정셀에 충전된다. The third TFT T3 disposed along the third vertical line, and the fourth TFT T4 disposed along the fourth vertical line, transmit the data voltages from the second data line DL2 to the third and fourth pixel electrodes. Time division supply to (P3, P4). The third TFT T3 is turned on in response to the gate pulses from the even gate lines GL2, GL4, and GL6 to convert the positive / negative data voltage from the second data line DL2 to the second data line DL2. Is supplied to the third pixel electrode P3 disposed on the left side. To this end, the drain electrode of the third TFT T3 is connected to the second data line DL2, and the source electrode thereof is connected to the third pixel electrode P3 disposed on the left side of the second data line DL2. . The gate electrode of the third TFT T3 is connected to the even gate lines GL2, GL4, GL6. The fourth TFT T24 is turned on according to the gate pulses from the odd gate lines GL1, GL3, and GL5 to convert the positive / negative data voltage from the second data line DL2 to the second data line DL2. Is supplied to the fourth pixel electrode P4 disposed on the right side. To this end, the drain electrode of the fourth TFT T4 is connected to the second data line DL2, and the source electrode thereof is connected to the fourth pixel electrode P4 disposed on the right side of the second data line DL2. . The gate electrode of the fourth TFT T4 is connected to the odd gate lines GL1, GL3, GL5. Among the data voltages of the same polarity sequentially supplied through the second data line DL2, after the first data voltage is charged in the fourth liquid crystal cell, the second data voltage is charged in the third liquid crystal cell.

제5 수직라인을 따라 배치된 제5 TFT(T5)와, 제6 수직라인을 따라 배치된 제6 TFT(T6)는 제3 데이터라인(DL3)으로부터의 데이터전압들을 제5 및 제6 화소전극(P5, P6)에 시분할 공급한다. 제5 TFT(T5)는 우수 게이트라인(GL2, GL4, GL6)으로부터의 게이트펄스에 따라 턴-온되어 제3 데이터라인(DL3)으로부터의 정극성/부극성 데이터전압을 제3 데이터라인(DL3)의 좌측에 배치된 제5 화소전극(P5)에 공급 한다. 이를 위하여, 제5 TFT(T5)의 드레인전극은 제3 데이터라인(DL3)에 접속되고, 그 소스전극은 제3 데이터라인(DL3)의 좌측에 배치된 제5 화소전극(P5)에 접속된다. 제5 TFT(T5)의 게이트전극은 우수 게이트라인(GL2, GL4, GL6)에 접속된다. 제6 TFT(T6)는 기수 게이트라인(GL1, GL3, GL5)으로부터의 게이트펄스에 따라 턴-온되어 제3 데이터라인(DL3)으로부터의 정극성/부극성 데이터전압을 제3 데이터라인(DL3)의 우측에 배치된 제6 화소전극(P6)에 공급한다. 이를 위하여, 제6 TFT(T6)의 드레인전극은 제3 데이터라인(DL3)에 접속되고, 그 소스전극은 제3 데이터라인(DL3)의 우측에 배치된 제6 화소전극(P6)에 접속된다. 제6 TFT(T6)의 게이트전극은 기수 게이트라인(GL1, GL3, GL5)에 접속된다. 제3 데이터라인(DL3)을 통해 순차적으로 공급되는 동일 극성의 데이터전압들 중에서, 첫 번째 데이터전압이 제6 액정셀에 충전된 후에, 두 번째 데이터전압이 제5 액정셀에 충전된다. The fifth TFT T5 disposed along the fifth vertical line, and the sixth TFT T6 disposed along the sixth vertical line, transmit data voltages from the third data line DL3 to the fifth and sixth pixel electrodes. Time division supply to (P5, P6). The fifth TFT T5 is turned on in response to the gate pulses from the even gate lines GL2, GL4, and GL6 to convert the positive / negative data voltage from the third data line DL3 to the third data line DL3. Supply to the fifth pixel electrode P5 disposed on the left side of the? To this end, the drain electrode of the fifth TFT T5 is connected to the third data line DL3, and the source electrode thereof is connected to the fifth pixel electrode P5 disposed on the left side of the third data line DL3. . The gate electrode of the fifth TFT T5 is connected to even gate lines GL2, GL4, GL6. The sixth TFT T6 is turned on according to the gate pulses from the odd gate lines GL1, GL3, and GL5 to convert the positive / negative data voltage from the third data line DL3 to the third data line DL3. Is supplied to the sixth pixel electrode P6 disposed on the right side. To this end, the drain electrode of the sixth TFT T6 is connected to the third data line DL3, and the source electrode thereof is connected to the sixth pixel electrode P6 disposed on the right side of the third data line DL3. . The gate electrode of the sixth TFT T6 is connected to the odd gate lines GL1, GL3, GL5. Among the data voltages of the same polarity sequentially supplied through the third data line DL3, after the first data voltage is charged in the sixth liquid crystal cell, the second data voltage is charged in the fifth liquid crystal cell.

제7 수직라인을 따라 배치된 제7 TFT(T7)와, 제8 수직라인을 따라 배치된 제8 TFT(T8)는 제4 데이터라인(DL4)으로부터의 데이터전압들을 제7 및 제8 화소전극(P7, P8)에 시분할 공급한다. 제7 TFT(T7)는 기수 게이트라인(GL1, GL3, GL5)으로부터의 게이트펄스에 따라 턴-온되어 제4 데이터라인(DL4)을 통해 공급된 정극성/부극성 데이터전압을 제4 데이터라인(DL4)의 좌측에 배치된 제7 화소전극(P7)에 공급한다. 이를 위하여, 제7 TFT(T7)의 드레인전극은 제4 데이터라인(DL4)에 접속되고, 그 소스전극은 제4 데이터라인(DL4)의 좌측에 배치된 제7 화소전극(P7)에 접속된다. 제7 TFT(T7)의 게이트전극은 기수 게이트라인(GL1, GL3, GL5)에 접속된다. 제8 TFT(T8)는 우수 게이트라인(GL2, GL4, GL6)으로부터의 게이트펄스에 따라 턴-온되어 제4 데이터라인(DL4)을 통해 공급된 정극성/부극성 데이터전압을 제4 데이터라인(DL4)의 우측에 배치된 제8 화소전극(P8)에 공급한다. 이를 위하여, 제8 TFT(T8)의 드레인전극은 제4 데이터라인(DL4)에 접속되고, 그 소스전극은 제4 데이터라인(DL4)의 우측에 배치된 제8 화소전극(P8)에 접속된다. 제8 TFT(T8)의 게이트전극은 우수 게이트라인(GL2, GL4, GL6)에 접속된다. 제4 데이터라인(DL4)을 통해 순차적으로 공급되는 동일 극성의 데이터전압들 중에서, 첫 번째 데이터전압이 제7 액정셀에 충전된 후에, 두 번째 데이터전압이 제4 데이터라인(DL4)의 제8 액정셀에 충전된다. The seventh TFT T7 disposed along the seventh vertical line and the eighth TFT T8 disposed along the eighth vertical line may receive data voltages from the fourth data line DL4 on the seventh and eighth pixel electrodes. Time division supply to (P7, P8). The seventh TFT T7 is turned on according to the gate pulses from the odd gate lines GL1, GL3, and GL5 to receive the positive / negative data voltage supplied through the fourth data line DL4. The seventh pixel electrode P7 is disposed on the left side of the DL4. To this end, the drain electrode of the seventh TFT T7 is connected to the fourth data line DL4, and the source electrode thereof is connected to the seventh pixel electrode P7 disposed on the left side of the fourth data line DL4. . The gate electrode of the seventh TFT T7 is connected to the odd gate lines GL1, GL3, GL5. The eighth TFT T8 is turned on according to the gate pulses from the even gate lines GL2, GL4, and GL6 to receive the positive / negative data voltage supplied through the fourth data line DL4 to the fourth data line. The eighth pixel electrode P8 is disposed on the right side of the DL4. To this end, the drain electrode of the eighth TFT T8 is connected to the fourth data line DL4, and the source electrode thereof is connected to the eighth pixel electrode P8 disposed on the right side of the fourth data line DL4. . The gate electrode of the eighth TFT T8 is connected to the even gate lines GL2, GL4, GL6. Among the data voltages of the same polarity sequentially supplied through the fourth data line DL4, after the first data voltage is charged in the seventh liquid crystal cell, the second data voltage is the eighth of the fourth data line DL4. The liquid crystal cell is charged.

데이터라인들(DL1~DL6)에 동일 극성의 데이터전압들이 연속으로 공급되며 게이트펄스들의 펄스폭이 동일하고 그 게이트펄스들의 변조시간이 동일하다면, 도 7과 같은 화소 어레이(20)에서 제2, 제3, 제5, 및 제8 액정셀의 데이터 충전양은 프리차징 효과로 인하여 제1, 제4, 및 제6 액정셀의 데이터 충전양보다 많다. 본 발명은 도 9와 같이 제2 GPM 제어신호(FLK2)의 펄스폭, 듀티비를 제1 GPM 제어신호(FLK1) 보다 작게 하여 우수 게이트라인들(GL2, GL4, GL6)에 인가되는 게이트펄스의 변조시간(GPMt2)을 기수 게이트라인들(GL1, GL3, GL5)에 인가되는 게이트펄스의 변조시간(GPMt1)보다 길게 한다. 그 결과, 본 발명은 제2 액정셀의 데이터 충전양을 제1 액정셀의 데이터 충전양만큼 낮추어 제1 및 제2 액정셀의 데이터 충전양을 동일하게 제어할 수 있다. If the data voltages of the same polarity are continuously supplied to the data lines DL1 to DL6, and the pulse widths of the gate pulses are the same and the modulation times of the gate pulses are the same, the second, second pixel array 20 as shown in FIG. The data filling amount of the third, fifth and eighth liquid crystal cells is larger than the data filling amount of the first, fourth and sixth liquid crystal cells due to the precharging effect. As shown in FIG. 9, the pulse width and duty ratio of the second GPM control signal FLK2 are smaller than the first GPM control signal FLK1, so that the gate pulses applied to the even gate lines GL2, GL4, and GL6 are shown in FIG. The modulation time GPMt2 is made longer than the modulation time GPMt1 of the gate pulse applied to the odd gate lines GL1, GL3, GL5. As a result, according to the present invention, the data filling amount of the second liquid crystal cell is lowered by the data filling amount of the first liquid crystal cell, thereby controlling the data filling amount of the first and second liquid crystal cells in the same manner.

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1~GCLK4)과 GPM 제어신호(FLK1,FLK2,FLK)를 보여 주는 파형도이다. 도 10은 변조된 게이트 쉬 프트 클럭들(GCLK1'~GCLK4')을 보여 주는 파형도이다.9 is a waveform diagram illustrating gate shift clocks GCLK1 to GCLK4 and GPM control signals FLK1, FLK2, and FLK according to a second embodiment of the present invention. 10 is a waveform diagram showing modulated gate shift clocks GCLK1 'to GCLK4'.

도 9 및 도 10을 참조하면, 타이밍 콘트롤러(21) 내에서 생성되는 제1 및 제2 GPM 제어신호(FLK1, FLK2)는 소정의 시간차를 갖는다. 제1 GPM 제어신호(FLK1)의 로우논리구간은 제2 GPM 제어신호(FLK2)의 하이논리구간(또는 펄스폭 기간)과 중첩되고 또한, 제1 및 제3 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1, GCLK3)의 폴링에지와 중첩된다. 제2 GPM 제어신호(FLK2)의 로우논리구간은 제1 GPM 제어신호(FLK1)의 하이논리구간과 중첩되고 또한, 제1 및 제3 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1, GCLK3)의 폴링에지와 중첩된다. 제1 GPM 제어신호(FLK1)의 기수 번째 로우논리구간은 제1 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK1)의 변조시간(GPMt1)을 결정한다. 제1 GPM 제어신호(FLK1)의 우수 번째 로우논리구간은 제3 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK3)의 변조시간(GPMt1)을 결정한다. 제2 GPM 제어신호(FLK2)의 기수 번째 로우논리구간은 제2게이트 쉬프트 클럭들(GCLK2)의 변조시간(GPMt2)을 결정한다. 제2 GPM 제어신호(FLK2)의 우수 번째 로우논리구간은 제4 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK4)의 변조시간(GPMt2)을 결정한다. 9 and 10, the first and second GPM control signals FLK1 and FLK2 generated in the timing controller 21 have a predetermined time difference. The low logic section of the first GPM control signal FLK1 overlaps the high logic section (or pulse width period) of the second GPM control signal FLK2 and further includes the first and third gate shift clocks GCLK1 and GCLK3. Overlap with the polling edge of. The low logic section of the second GPM control signal FLK2 overlaps the high logic section of the first GPM control signal FLK1 and overlaps the falling edges of the first and third gate shift clocks GCLK1 and GCLK3. . The odd low logic section of the first GPM control signal FLK1 determines the modulation time GPMt1 of the first gate shift clocks GCLK1. The even-lowest low logical section of the first GPM control signal FLK1 determines the modulation time GPMt1 of the third gate shift clocks GCLK3. The odd low logic period of the second GPM control signal FLK2 determines the modulation time GPMt2 of the second gate shift clocks GCLK2. The even-lowest low logic period of the second GPM control signal FLK2 determines the modulation time GPMt2 of the fourth gate shift clocks GCLK4.

도 7과 같은 화소 어레이에서 좌우에 이웃하는 액정셀들의 충전양 불균일을 보상하기 위하여, 제2 GPM 제어신호(FLK2)의 듀티비는 제1 GPM 제어신호(FLK1)의 그 것에 비하여 작다. 이러한 듀티비의 차이에 의해, 제2 GPM 제어신호(FLK2)의 로우논리구간은 제1 GPM 제어신호(FLK1)의 그것보다 길게 된다. 따라서, 우수 게이트라인들(G2, G4, G6)에 인가되는 게이트펄스들의 변조시간(GPMt2)은 기수 게이트라인들(G1, G3, G5)에 인가되는 게이트펄스들의 변조시간(GPMt2)보다 길어진다. In the pixel array as shown in FIG. 7, the duty ratio of the second GPM control signal FLK2 is smaller than that of the first GPM control signal FLK1 in order to compensate for the non-uniformity of charge amount of the liquid crystal cells adjacent to the left and right. Due to this difference in duty ratio, the low logical section of the second GPM control signal FLK2 is longer than that of the first GPM control signal FLK1. Therefore, the modulation time GPMt2 of the gate pulses applied to the even gate lines G2, G4, and G6 is longer than the modulation time GPMt2 of the gate pulses applied to the odd gate lines G1, G3, G5. .

타이밍 콘트롤러(21)는 제1 및 제2 GPM 제어신호(FLK1, FLK2)를 배타적 부정 논리합(EX-NOR) 연산하여 그 결과를 최종 GPM 제어신호(FLK)로 출력한다. 제1 및 제2 GPM 제어신호(FLK1, FLK2)의 배타적 부정 논리합 연산의 결과, GPM 제어신호(FLK)의 우수 번째 로우논리구간은 기수 번째 로우논리구간보다 길다. GPM 제어신호(FLK)는 타이밍 콘트롤러(21)의 단일 출력핀을 통해 출력된다.The timing controller 21 calculates an exclusive negative logical sum EX-NOR of the first and second GPM control signals FLK1 and FLK2 and outputs the result as the final GPM control signal FLK. As a result of the exclusive negative AND operation of the first and second GPM control signals FLK1 and FLK2, the even-lowest low logical section of the GPM control signal FLK is longer than the odd-numbered low logical section. The GPM control signal FLK is output through the single output pin of the timing controller 21.

본원의 발명자들은 실험을 통해 본 발명의 효과를 입증하였다. 이 실험에서 도 7과 같은 화소 어레이를 가지는 액정표시장치를 시료로 하여 도 9 및 도 10과 같이 제1 및 제2 GPM 제어신호(FLK1, FLK2)로 액정셀의 충전양이 균일하게 보상되었다. 아래의 표 1은 실험에서 사용된 신호들을 나타낸다. The inventors of the present application demonstrated the effects of the present invention through experiments. In this experiment, the liquid crystal display having the pixel array as shown in FIG. 7 was used as a sample, and the amount of charge of the liquid crystal cell was uniformly compensated by the first and second GPM control signals FLK1 and FLK2 as shown in FIGS. 9 and 10. Table 1 below shows the signals used in the experiment.

Low VoltageLow voltage High VoltageHigh voltage PeriodPeriod High Width High width VstVst -5V-5V 25V25 V 18ms18 ms 14us 14us GCLK1'~GCLK4'GCLK1 '-GCLK4' 0 V0 V 25V25 V 32us32us 12us 12us FLK1FLK1 0 V0 V 3.3 V3.3 V 20us20us 4us 4us FLK2FLK2 0 V0 V 3.3 V3.3 V 20us20us 3us 3us

표 1에서, Vst 및 GCLK1'~GCLK4'는 파워 IC(22)의 출력으로 -5V와 25V 사이에서 스윙한다. FLK1 및 FLK2는 타이밍 콘트롤러(21)의 출력으로 0V와 3.3V 사이에서 스윙한다. FLK2은 그 펄스폭이 FLK1의 펄스폭보다 작게 설정되고 그 듀티비는 FLK1의 듀티비보다 작게 된다. 표 1의 신호들에서 펄스 주기(period)와 펄스폭(High width)는 제어 설정값(Control setting value)에 의해 달라질 수 있다. 제어 설정값은 입력 영상의 프레임 주파수, 화소 어레이 구조, 액정표시패널의 해상도에 따라 달라질 수 있다. In Table 1, Vst and GCLK1 'to GCLK4' swing between -5V and 25V at the output of power IC 22. FLK1 and FLK2 swing between 0V and 3.3V at the output of the timing controller 21. The pulse width of FLK2 is set smaller than the pulse width of FLK1, and the duty ratio is smaller than the duty ratio of FLK1. In the signals of Table 1, a pulse period and a high width may vary according to a control setting value. The control setting value may vary depending on the frame frequency of the input image, the pixel array structure, and the resolution of the liquid crystal display panel.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 어떠한 액정모드나 구동 방식에 관계없이 게이트펄스가 필요한 액정표시장치에 적용될 수 있음은 물론, 다른 평판 표시장치 예를 들면, 전계 방출 표시소자(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)와 같은 전계발광소자(Electroluminescence Device, EL), 전기영동 표시소자(Electrophoresis Display) 등에서 데이터 충전양 보상을 위한 게이트펄스(또는 스캔펄스)의 변조에 적요될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. For example, the embodiment of the present invention can be applied to a liquid crystal display device requiring a gate pulse regardless of any liquid crystal mode or driving method, as well as other flat panel display devices such as a field emission display (FED). , To compensate for the amount of data charge in electroluminescence devices such as plasma display panels (PDPs), organic light emitting diodes (OLEDs), and electrophoresis displays It may be applied to the modulation of the gate pulse (or scan pulse). Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치를 나타내는 블록도이다. 1 is a block diagram illustrating a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 타이밍 콘트롤러, 파워 IC 및 게이트 구동회로를 나타내는 블록도이다. 2 is a block diagram illustrating a timing controller, a power IC, and a gate driving circuit.

도 3은 타이밍 콘트롤러의 GPM 제어신호 발생부를 나타내는 회로도이다. 3 is a circuit diagram illustrating a GPM control signal generator of a timing controller.

도 4는 파워 IC의 레벨 쉬프터를 보여 주는 회로도이다. 4 is a circuit diagram showing a level shifter of a power IC.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 게이트 쉬프트 클럭들과 GPM 제어신호를 보여 주는 파형도이다. 5 is a waveform diagram illustrating gate shift clocks and a GPM control signal according to a first embodiment of the present invention.

도 6은 변조된 게이트 쉬프트 클럭들을 보여 주는 파형도이다. 6 is a waveform diagram illustrating modulated gate shift clocks.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치에서 화소 어레이의 일예를 보여 주는 회로도이다. 7 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel array in a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8은 도 7에 도시된 화소 어레이에 인가되는 데이터와 게이트펄스를 보여 주는 파형도이다. FIG. 8 is a waveform diagram illustrating data and gate pulses applied to the pixel array illustrated in FIG. 7.

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 게이트 쉬프트 클럭들과 GPM 제어신호를 보여 주는 파형도이다. 9 is a waveform diagram illustrating gate shift clocks and a GPM control signal according to a second embodiment of the present invention.

도 10는 변조된 게이트 쉬프트 클럭들을 보여 주는 파형도이다. 10 is a waveform diagram illustrating modulated gate shift clocks.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

13 : 게이트 구동회로 21 : 타이밍 콘트롤러13 gate driving circuit 21 timing controller

22 : 파워 IC 31 : 배타적 부정 논리합 게이트(EX-NOR)22: Power IC 31: Exclusive Negative Gate (EX-NOR)

Claims (9)

데이터전압이 공급되는 데이터라인들, 상기 데이터전압에 동기되는 게이트펄스가 순차적으로 인가되는 게이트라인들, 상기 데이터라인들과 상기 게이트라인들의 교차부에 접속된 다수의 TFT, 및 상기 TFT들에 접속된 액정셀들을 포함하는 액정표시패널; Data lines to which a data voltage is supplied, gate lines to which gate pulses synchronized with the data voltage are sequentially applied, a plurality of TFTs connected to intersections of the data lines and the gate lines, and to the TFTs A liquid crystal display panel including the liquid crystal cells; 정극성/부극성 데이터전압을 상기 데이터라인들에 공급하는 데이터 구동회로; A data driver circuit for supplying a positive / negative data voltage to the data lines; 게이트 스타트펄스와 변조된 게이트 쉬프트 클럭들을 이용하여 게이트 펄스를 상기 게이트라인들에 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로; A gate driving circuit sequentially supplying a gate pulse to the gate lines using a gate start pulse and modulated gate shift clocks; 상기 게이트 스타트 펄스, 게이트 쉬프트 클럭들, 및 상기 게이트 스타트 펄스들을 변조하기 위한 단일 제어신호를 발생하는 타이밍 콘트롤러; 및 A timing controller for generating a single control signal for modulating said gate start pulses, gate shift clocks, and said gate start pulses; And 상기 단일 제어신호에 응답하여 상기 게이트 쉬프트 클럭들을 변조하는 게이트 쉬프트 클럭 변조회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치. And a gate shift clock modulation circuit for modulating the gate shift clocks in response to the single control signal. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 타이밍 콘트롤러는, The timing controller, 소정의 시간차를 갖는 제1 및 제2 제어신호를 발생하고, Generating first and second control signals having a predetermined time difference, 상기 제1 및 제2 제어신의 배타적 부정 논리합 결과로 상기 단일 제어신호를 출력하는 배타적 논리합 게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치. And an exclusive OR gate for outputting the single control signal as a result of an exclusive NOR of the first and second control scenes. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제1 제어신호의 로우논리구간은 상기 게이트 쉬프트 클럭들 중에서 기수 게이트 쉬프트 클럭들의 폴링에지와 중첩되고, The low logic section of the first control signal overlaps the falling edge of odd gate shift clocks among the gate shift clocks. 상기 제2 제어신호의 로우논리구간은 상기 게이트 쉬프트 클럭들 중에서 우수 게이트 쉬프트 클럭들의 폴링에지와 중첩되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치. And a low logic section of the second control signal overlaps a falling edge of even gate shift clocks among the gate shift clocks. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제1 및 제2 제어신호는 위상차와 듀티비 중 적어도 어느 하나가 서로 다른 것을 특징으로 하는 액정표시장치. And at least one of a phase difference and a duty ratio of the first and second control signals are different from each other. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 액정셀들은, The liquid crystal cells, 제1 데이터라인의 좌측에 배치되어 상기 제1 데이터라인을 통해 공급되는 제1 데이터전압을 충전하는 제1 액정셀; A first liquid crystal cell disposed on a left side of a first data line to charge a first data voltage supplied through the first data line; 상기 제1 데이터라인의 우측에 배치되어 상기 제1 데이터라인을 통해 공급되는 제2 데이터전압을 충전하는 제2 액정셀; A second liquid crystal cell disposed on the right side of the first data line to charge a second data voltage supplied through the first data line; 제2 데이터라인의 우측에 배치되어 상기 제2 데이터라인을 통해 공급되는 제1 데이터전압을 충전하는 제4 액정셀; A fourth liquid crystal cell disposed on a right side of a second data line to charge a first data voltage supplied through the second data line; 상기 제2 데이터라인의 좌측에 배치되어 상기 제2 데이터라인을 통해 공급되는 제2 데이터전압을 충전하는 제3 액정셀; A third liquid crystal cell disposed on the left side of the second data line to charge a second data voltage supplied through the second data line; 제3 데이터라인의 우측에 배치되어 상기 제3 데이터라인을 통해 공급되는 제1 데이터전압을 충전하는 제6 액정셀; A sixth liquid crystal cell disposed on a right side of a third data line to charge a first data voltage supplied through the third data line; 상기 제3 데이터라인의 좌측에 배치되어 상기 제3 데이터라인을 통해 공급되는 제2 데이터전압을 충전하는 제5 액정셀; A fifth liquid crystal cell disposed on the left side of the third data line to charge a second data voltage supplied through the third data line; 제4 데이터라인의 좌측에 배치되어 상기 제4 데이터라인을 통해 공급되는 제1 데이터전압을 충전하는 제7 액정셀; 및 A seventh liquid crystal cell disposed on a left side of a fourth data line to charge a first data voltage supplied through the fourth data line; And 상기 제4 데이터라인의 우측에 배치되어 상기 제4 데이터라인을 통해 공급되는 제2 데이터전압을 충전하는 제8 액정셀을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치. And an eighth liquid crystal cell disposed on the right side of the fourth data line to charge a second data voltage supplied through the fourth data line. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 TFT들은, The TFTs, 제1 게이트라인으로부터의 제1 게이트펄스에 따라 턴-온되어 상기 제1 데이터라인을 통해 공급되는 상기 제1 데이터전압을 상기 제1 액정셀의 화소전극에 공급하는 제1 TFT; A first TFT turned on according to a first gate pulse from a first gate line to supply the first data voltage supplied through the first data line to a pixel electrode of the first liquid crystal cell; 제2 게이트라인으로부터의 제2 게이트펄스에 따라 턴-온되어 상기 제1 데이터라인을 통해 공급되는 상기 제2 데이터전압을 상기 제2 액정셀의 화소전극에 공급하는 제2 TFT; A second TFT turned on according to a second gate pulse from a second gate line to supply the second data voltage supplied through the first data line to a pixel electrode of the second liquid crystal cell; 상기 제2 게이트펄스에 따라 턴-온되어 상기 제2 데이터라인을 통해 공급되는 상기 제2 데이터전압을 상기 제3 액정셀의 화소전극에 공급하는 제3 TFT;A third TFT turned on according to the second gate pulse to supply the second data voltage supplied through the second data line to the pixel electrode of the third liquid crystal cell; 상기 제1 게이트펄스에 따라 턴-온되어 상기 제2 데이터라인을 통해 공급되는 상기 제1 데이터전압을 상기 제4 액정셀의 화소전극에 공급하는 제4 TFT; A fourth TFT which is turned on according to the first gate pulse and supplies the first data voltage supplied through the second data line to the pixel electrode of the fourth liquid crystal cell; 상기 제2 게이트펄스에 따라 턴-온되어 상기 제3 데이터라인을 통해 공급되는 상기 제2 데이터전압을 상기 제5 액정셀의 화소전극에 공급하는 제5 TFT;A fifth TFT that is turned on according to the second gate pulse to supply the second data voltage supplied through the third data line to the pixel electrode of the fifth liquid crystal cell; 상기 제1 게이트펄스에 따라 턴-온되어 상기 제3 데이터라인을 통해 공급되는 상기 제1 데이터전압을 상기 제6 액정셀의 화소전극에 공급하는 제6 TFT;A sixth TFT turned on according to the first gate pulse to supply the first data voltage supplied through the third data line to the pixel electrode of the sixth liquid crystal cell; 상기 제1 게이트펄스에 따라 턴-온되어 상기 제4 데이터라인을 통해 공급되는 상기 제1 데이터전압을 상기 제7 액정셀의 화소전극에 공급하는 제7 TFT; 및 A seventh TFT turned on according to the first gate pulse to supply the first data voltage supplied through the fourth data line to the pixel electrode of the seventh liquid crystal cell; And 상기 제2 게이트펄스에 따라 턴-온되어 상기 제4 데이터라인을 통해 공급되는 상기 제2 데이터전압을 상기 제8 액정셀의 화소전극에 공급하는 제8 TFT를 구비하고, An eighth TFT which is turned on according to the second gate pulse and supplies the second data voltage supplied through the fourth data line to the pixel electrode of the eighth liquid crystal cell; 상기 제1 게이트펄스의 게이트 하이전압은 상기 단일 제어신호의 기수 번째 로우논리구간에 의해 정의되는 제1 시간 동안 낮추어지고, 상기 제2 게이트펄스의 게이트 하이전압은 상기 단일 제어신호의 우수 번째 로우논리구간에 의해 정의되는 제2 시간 동안 낮추어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치. The gate high voltage of the first gate pulse is lowered for a first time defined by the odd low logic section of the single control signal, and the gate high voltage of the second gate pulse is the even low logic of the single control signal. And lowering for a second time defined by the interval. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제2 시간은 상기 제1 시간보다 긴 것을 특징으로 하는 액정표시장치. And the second time is longer than the first time. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제2 제어신호의 듀티비는 상기 제1 제어신호의 듀티비보다 작은 것을 특징으로 하는 액정표시장치. And the duty ratio of the second control signal is smaller than the duty ratio of the first control signal. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제2 제어신호의 펄스폭은 상기 제1 제어신호의 펄스폭보다 작은 것을 특징으로 하는 액정표시장치. And the pulse width of the second control signal is smaller than the pulse width of the first control signal.
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