KR20110011959A - Method of adhering pellicl to photomask - Google Patents

Method of adhering pellicl to photomask Download PDF

Info

Publication number
KR20110011959A
KR20110011959A KR1020090069456A KR20090069456A KR20110011959A KR 20110011959 A KR20110011959 A KR 20110011959A KR 1020090069456 A KR1020090069456 A KR 1020090069456A KR 20090069456 A KR20090069456 A KR 20090069456A KR 20110011959 A KR20110011959 A KR 20110011959A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photomask
pellicle
self
film
assembled
Prior art date
Application number
KR1020090069456A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
준 전
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020090069456A priority Critical patent/KR20110011959A/en
Publication of KR20110011959A publication Critical patent/KR20110011959A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

PURPOSE: A method for attaching a photomask and pellicle is provided to prevent an attachment error between the pellicle and photomask and to improve productivity. CONSTITUTION: A method for attaching a photomask and pellicle comprises: a step of forming a self-assembled layer on a surface which is attached on the pellicle(300); a step of preparing a molecular film-attached pellicle; and a step of reacting the self-assembled layer with the molecular film. A method for forming the self-assembled layer comprises: a step of forming the self-assembled layer on the front surface of the upper surface of the photomask; a step of irradiating; a step of irradiating UV rays to the rear side of the photomask; and a step of removing other self-assembled layers.

Description

포토마스크와 펠리클 부착 방법{Method of adhering pellicl to photomask}Method of adhering pellicl to photomask

본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 특히 포토마스크와 펠리클 부착방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to photomasks, and more particularly to a method for attaching photomasks and pellicles.

반도체소자는 많은 미세패턴들로 이루어지며, 이와 같은 미세패턴들은 포토리소그라피 공정을 통해 형성된다. 이 과정을 구체적으로 설명하면, 먼저 웨이퍼상에 포토레지스트막을 도포한 후에, 이 포토레지스트막에 대해 포토마스크를 사용한 노광을 수행한다. 포토마스크는 웨이퍼에 전사하고자 하는 패턴들을 갖는다. 다음에 노광이 이루어진 포토레지스트막에 대해 현상을 수행한다. 이 현상에 의해 포토마스크상의 패턴이 전사된 포토레지스트막패턴이 형성된다. 다음에 포토레지스트막패턴을 식각마스크로 한 식각을 수행한 후에 포토레지스트막패턴을 제거함으로써 웨이퍼상에 최종적으로 원하는 패턴이 형성된다.The semiconductor device is composed of many fine patterns, and such fine patterns are formed through a photolithography process. In detail, this process is first applied to a photoresist film on the wafer, and then the photoresist film is exposed to light using a photomask. The photomask has patterns to be transferred to the wafer. Next, development is performed on the exposed photoresist film. This phenomenon forms a photoresist film pattern onto which the pattern on the photomask is transferred. Next, after the etching using the photoresist film pattern as an etching mask, the desired pattern is finally formed on the wafer by removing the photoresist film pattern.

그런데 이와 같은 포토리소그라피 공정을 이용한 패턴 전사 과정을 수행하는데 있어서, 전사하고자 하는 패턴들을 갖는 포토마스크 표면이 오염된 경우에는 패턴 전사가 정확하게 이루어지지 않을뿐더러, 불량 패턴의 주요 원인으로도 작용할 수 있다. 따라서 포토마스크 표면을 대기중의 분자나 다른 형태의 오염으로부터 보 호하기 위하여 포토마스크 표면에 펠리클(pellicle)을 부착하여 포토마스크 표면이 오염되는 것을 방지하고 있다. 일반적으로 펠리클은, 포토마스크 표면에 대향되도록 배치되는 펠리클 멤브레인(pellicle membrane)과, 이 펠리클 멤브레인과 포토마스크 표면 사이에 배치되어 펠리클 멤브레인을 지지하는 프레임(frame)을 포함한다.However, in performing the pattern transfer process using the photolithography process, if the surface of the photomask having the patterns to be transferred is contaminated, the pattern transfer may not be accurately performed and may also serve as a main cause of the defective pattern. Therefore, in order to protect the surface of the photomask from molecules in the atmosphere or other forms of contamination, pellicles are attached to the surface of the photomask to prevent contamination of the photomask surface. In general, a pellicle includes a pellicle membrane disposed to face the photomask surface and a frame disposed between the pellicle membrane and the photomask surface to support the pellicle membrane.

포토마스크에 펠리클을 부착하기 위해서 소정의 접착제(adhesive)를 사용하는 것이 일반적이다. 이 과정을 보다 구체적으로 설명하면, 포토마스크를 일정 위치에 위치시킨 후에, 상부에 펠리클을 위치시킨다. 이때 펠리클의 프레임 하부면에는 접착제가 붙어 있다. 이 상태에서 접착제가 포토마스크에 접착되도록 펠리클을 포토마스크를 향해 이동시킨다. 접착제가 포토마스크에 접착되면, 접착제의 흡착력에 의해 포토마스크와 펠리클의 프레임은 견고하게 부착된다.It is common to use certain adhesives to adhere the pellicle to the photomask. In more detail, this process is performed after placing the photomask at a predetermined position, and then placing the pellicle on the top. At this time, the adhesive is attached to the lower surface of the frame of the pellicle. In this state, the pellicle is moved toward the photomask so that the adhesive adheres to the photomask. When the adhesive is bonded to the photomask, the photomask and the frame of the pellicle are firmly attached by the adhesive force of the adhesive.

그런데 이 과정에서 접착제의 접착력이 강력하기 때문에, 펠리클과 포토마스크의 접착 위치가 원하는 위치에서 벗어나는 경우에도 재부착하기가 용이하지 않다. 따라서 펠리클을 포토마스크 위로 마운트하는 과정에서 많은 시간과 주의가 요구된다. 더욱이 세심한 주의를 기울이더라도 부착 오류가 발생할 수 있으며, 이 경우 심한 경우에는 포토마스크를 폐기하여야 하는 경우도 발생할 수 있다.However, since the adhesive force of the adhesive in this process is strong, it is not easy to reattach even when the bonding position between the pellicle and the photomask is out of the desired position. Therefore, a lot of time and attention is required in the process of mounting the pellicle over the photomask. Furthermore, even with great care, attachment errors can occur, and in extreme cases, the photomask may have to be discarded.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 포토마스크와 펠리클의 부착 오류가 원천적으로 방지되도록 함으로써 생산성이 향상되도록 하는 포토마스크와 펠리클 부착방법을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a photomask and pellicle attachment method to improve the productivity by preventing the attachment error of the photomask and pellicle inherently.

본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크와 펠리클 부착방법은, 포토마스크의 상부 표면 중 펠리클에 접촉되는 표면 위에 자기조립막을 형성하는 단계와, 상기 자기조립막에 반응하는 분자막이 부착된 펠리클을 준비하는 단계와, 그리고 상기 자기조립막과 상기 분자막을 반응시켜 상기 포토마스크에 펠리클을 부착시키는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a method of attaching a photomask and a pellicle may include forming a self-assembled film on a surface of the upper surface of the photomask that is in contact with the pellicle, and attaching a pellicle having a molecular film reacted with the self-assembled film. And preparing a pellicle on the photomask by reacting the self-assembled film with the molecular film.

일 예에서, 상기 자기조립막을 형성하는 단계는, 포토마스크 상부 표면 전면에 자기조립막을 형성하는 단계와, 그리고 포토마스크의 배면으로 자외선을 조사하여 펠리클에 접촉되는 표면 외의 다른 자기조립막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우 자외선은 포토마스크가 사용되는 노광 광의 파장보다 높은 파장을 갖는다.In an example, the forming of the self-assembled film may include forming a self-assembled film on the entire surface of the photomask upper surface, and removing other self-assembled film other than the surface contacting the pellicle by irradiating ultraviolet rays to the rear surface of the photomask. It may include. In this case, the ultraviolet rays have a wavelength higher than the wavelength of the exposure light for which the photomask is used.

일 예에서, 상기 자기조립막은 실리콘을 포함하는 헤드 그룹과 비닐 그룹을 가질 수 있다.In one example, the self-assembled film may have a head group and a vinyl group including silicon.

일 예에서, 상기 펠리클에 부착된 분자막은 폴리에틸렌을 포함할 수 있다.In one example, the molecular film attached to the pellicle may comprise polyethylene.

일 예에서, 상기 자기조립막과 분자막을 반응시키는 단계는 가열 및 가압을 통해 수행할 수 있다.In one example, the step of reacting the self-assembled film and the molecular film may be carried out by heating and pressing.

본 발명에 따르면, 포토마스크와 펠리클의 부착을 자기조립막을 이용하여 수행함으로써, 펠리클이 포토마스크에 부착되는 위치가 자기조립막의 위치 내로 한정되며, 이에 따라 펠리클과 포토마스크 사이의 부착 오류의 발생이 방지되도록 하는 이점이 제공된다.According to the present invention, by attaching the photomask and the pellicle by using the self-assembled film, the position where the pellicle is attached to the photomask is limited to the position of the self-assembled film, thereby preventing the occurrence of adhesion error between the pellicle and the photomask. The benefit of being prevented is provided.

도 1 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크와 펠리클 부착방법을 설명하기 위해 나타내 보인 도면들이다. 그리고 도 8은 도 7의 흡착결합부의 결합 구조를 나타내 보인 모식도이다.1 to 7 are diagrams for explaining the photomask and pellicle attachment method according to an embodiment of the present invention. 8 is a schematic view showing the bonding structure of the adsorption coupling portion of FIG.

먼저 도 1을 참조하면, 투광기판(110) 위에 위상반전막패턴(120)이 형성된 포토마스크(100)를 준비한다. 이 포토마스크(100)는 프레임영역(F)을 갖는데, 프레임영역(F) 내의 위상반전막패턴(120) 위에는 광차단막패턴(130)이 배치된다. 위상반전막패턴(120)은 몰리브데늄실리콘나이트라이드(MoSiN)막을 포함할 수 있으며, 특정 파장대에서 낮은 광투과율, 예컨대 대략 6%의 투과율을 갖는다. 광차단막패턴(130)은 크롬(Cr)막을 포함할 수 있으며, 광이 투과하는 것을 실질적으로 억제한다. 이와 같은 포토마스크(100)의 상부 표면 전면에 자기조립막(140)을 형성한다. 자기조립막(140)은 헤드 그룹(head group)(141)에 비닐 그룹(vinyl group)(142)이 연결되는 구조를 갖는다. 헤드 그룹(141)은 포토마스크(100)의 상부 표면에 화학 흡착되는 부분으로서 포토마스크(100) 상부 표면에의 흡착을 용이하게 하기 위해 -OH기와의 반응성이 좋은 실리콘(Si)을 포함하는 것이 바람직하다. 비닐 그룹(142)은 후속의 펠리클에 부착된 분자막과 크로스링크(cross link) 반응을 일으키는 부분이다. 일 예에서, 자기조립막(140)으로 CH2=CH-CH2-Si(Cl)-(OMe)2를 사용한다.First, referring to FIG. 1, a photomask 100 having a phase inversion film pattern 120 formed on a light transmissive substrate 110 is prepared. The photomask 100 has a frame area F, and the light blocking film pattern 130 is disposed on the phase inversion film pattern 120 in the frame area F. The phase inversion film pattern 120 may include a molybdenum silicon nitride (MoSiN) film, and has a low light transmittance at a specific wavelength band, for example, about 6%. The light blocking film pattern 130 may include a chromium (Cr) film, and substantially suppresses light transmission. The self-assembling film 140 is formed on the entire upper surface of the photomask 100 as described above. The self-assembled film 140 has a structure in which a vinyl group 142 is connected to a head group 141. The head group 141 is a portion that is chemically adsorbed on the upper surface of the photomask 100 and includes silicon (Si) having good reactivity with -OH groups to facilitate the adsorption on the upper surface of the photomask 100. desirable. The vinyl group 142 is a portion that causes a cross link reaction with a molecular film attached to a subsequent pellicle. In one example, CH 2 = CH-CH 2 -Si (Cl)-(OMe) 2 is used as the self-assembled film 140.

포토마스크(100)에 자기조립막(140)을 화학흡착시키는 방법은 기상법 또는 액상법을 사용하여 수행할 수 있다. 먼저 도 2a에 나타낸 바와 같이, 기상법은 챔버(210) 내에서 수행된다. 구체적으로 내부 반응공간(212)이 한정된 챔버(210)의 플레이트(plate)(220) 위에 포토마스크(100)를 로딩시킨다. 그리고 공기를 배출시켜 챔버(210) 내의 내부 반응공간(212)을 진공 상태로 만든 후에, 도면에서 화살표(240)로 나타낸 바와 같이, 가스공급노즐(230)을 통해 자기조립막 프리커서(precursor)를 내부 반응공간(212) 내로 공급한다. 그러면 포토마스크(100) 표면에 자기조립막이 화학 흡착된다. 다음에 도 2b에 나타낸 바와 같이, 액상법을 사용하는 경우, 자기조립분자(140')가 들어있는 용액(260)을 액체용기(250)에 수용시킨 상태에서 용액(260) 안으로 포토마스크(100)를 침수시킨다. 그러면 자기조립분자(140')가 포토마스크(100)의 표면 성분과 반응하여 자기조립막(140)이 형성된다.The method of chemically adsorbing the self-assembled film 140 on the photomask 100 may be performed using a gas phase method or a liquid phase method. As shown first in FIG. 2A, the gas phase method is performed in the chamber 210. Specifically, the photomask 100 is loaded on the plate 220 of the chamber 210 in which the internal reaction space 212 is defined. After the air is discharged to make the internal reaction space 212 in the chamber 210 in a vacuum state, as shown by an arrow 240 in the drawing, the self-assembled film precursor (precursor) through the gas supply nozzle 230. Is supplied into the internal reaction space (212). Then, the self-assembled film is chemisorbed on the surface of the photomask 100. Next, as shown in FIG. 2B, in the case of using the liquid phase method, the photomask 100 is introduced into the solution 260 while the solution 260 containing the self-assembled molecules 140 ′ is accommodated in the liquid container 250. Immerse it. Then, the self-assembled molecule 140 ′ reacts with the surface components of the photomask 100 to form the self-assembled film 140.

다음에 도 3 및 도 4를 참조하면, 도 3에서 화살표(150)로 나타낸 바와 같이, 포토마스크(100)의 배면으로 자외선(UV)을 조사한다. 여기서 포토마스크(100)의 배면은 위상반전막패턴(120)이 형성된 면과 반대인 면은 의미한다. 자외선(UV)을 조사하는 목적은, 도 4에 나타낸 바와 같이, 자기조립막(140) 중에서 펠리클에 접촉될 영역, 예컨대 프레임영역(F) 외의 다른 영역에 있는 자기조립막(140)을 제거하기 위한 것이다. 그런데 투광기판(110) 위에 형성된 자기조립막(140)의 경우 투광기판(110)의 광 투과율이 실질적으로 100%에 가깝기 때문에 조사하는 자외선(UV)의 파장에 관계없이 쉽게 제거된다. 그러나 위상반전막패턴(120) 표면 위에 있는 자기조립막(140)의 경우 위상반전막패턴(120)의 낮은 광 투과율로 인해 쉽게 제거되지 않는다. 따라서 조사하는 자외선(UV)으로 포토마스크(100)가 사용되는 노광 광의 파장보다 높은 파장을 갖는 자외선을 사용한다. 일 예로, 포토마스크(100)가 ArF 파장대에서 사용되는 경우 ArF보다 높은 248nm 파장의 자외선(KrF 자외선)을 사용한다. 다른 예로, 포토마스크(100)가 KrF 파장대에서 사용되는 경우 KrF보다 높은 365nm 파장의 자외선(i-line 자외선)을 사용한다. 이와 같이 높은 파장의 자외선을 사용함에 따라 위상반전막패턴(120)은 차광막으로서의 기능을 상실하게 되며, 따라서 충분한 양의 자외선(UV)이 위상반전막패턴(120)을 투과하여 위상반전막패턴(120) 표면 위의 자기조립막(140)은 제거된다. 반면에 광차단막패턴(130)의 경우 여전히 광차단 기능을 갖고 있으므로 광차단막패턴(130) 위의 자기조립막(140)은 제거되지 않고 남게 된다. 통상적으로 위상반전마스크의 경우 광차단막패턴(130)은 프레임영역(F)에만 배치되므로, 자기조립막(140)은 프레임영역(F)에만 남게 된다.Next, referring to FIGS. 3 and 4, as shown by arrows 150 in FIG. 3, ultraviolet rays (UV) are irradiated to the rear surface of the photomask 100. Here, the back surface of the photomask 100 means a surface opposite to the surface on which the phase inversion film pattern 120 is formed. As shown in FIG. 4, the purpose of irradiating ultraviolet (UV) light is to remove the self-assembled film 140 in a region of the self-assembled film 140 to be in contact with the pellicle, for example, a region other than the frame region F. FIG. It is for. However, in the case of the self-assembled film 140 formed on the light transmissive substrate 110, since the light transmittance of the light transmissive substrate 110 is substantially close to 100%, the self-assembled film 140 is easily removed regardless of the wavelength of ultraviolet (UV) light to be irradiated. However, the self-assembled film 140 on the surface of the phase shift pattern 120 may not be easily removed due to the low light transmittance of the phase shift pattern 120. Therefore, as the ultraviolet (UV) to be irradiated, an ultraviolet ray having a wavelength higher than the wavelength of the exposure light used by the photomask 100 is used. For example, when the photomask 100 is used in the ArF wavelength band, ultraviolet rays (KrF ultraviolet rays) having a wavelength of 248 nm higher than ArF are used. As another example, when the photomask 100 is used in the KrF wavelength band, ultraviolet rays (i-line ultraviolet rays) of 365 nm wavelength higher than KrF are used. As the ultraviolet rays of high wavelength are used as described above, the phase inversion film pattern 120 loses its function as a light shielding film. Thus, a sufficient amount of ultraviolet light (UV) penetrates the phase inversion film pattern 120 and thus the phase inversion film pattern ( 120, the self-assembled film 140 on the surface is removed. On the other hand, since the light blocking film pattern 130 still has a light blocking function, the self-assembled film 140 on the light blocking film pattern 130 is left without being removed. In the case of the phase inversion mask, since the light blocking film pattern 130 is disposed only in the frame region F, the self-assembly film 140 remains only in the frame region F. FIG.

다음에 도 5를 참조하면, 자기조립막(140)에 반응하는 분자막(330)이 부착된 펠리클(300)을 준비한다. 펠리클(300)은 펠리클 멤브레인(310)과 이 펠리클 멤브레인(310)의 가장자리 부분에 부착된 프레임(320)을 포함하며, 분자막(330)은 플레임(320)의 하부면에 부착된다. 일 예에서, 펠리클(300)의 프레임(320) 하부면에 부착된 분자막(330)은 폴리에틸렌(polyethylene)을 포함한다.Next, referring to FIG. 5, a pellicle 300 having a molecular film 330 attached to the self-assembled film 140 is prepared. The pellicle 300 includes a pellicle membrane 310 and a frame 320 attached to an edge portion of the pellicle membrane 310, and the molecular membrane 330 is attached to the lower surface of the flame 320. In one example, the molecular film 330 attached to the bottom surface of the frame 320 of the pellicle 300 includes polyethylene.

다음에 도 6을 참조하면, 포토마스크(100)를 핫 플레이트(hot plate)(400) 위에 로딩시킨다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 핫 플레이트(400) 내부에는 히터(heater)가 배치되어 온도를 일정 수준 이상으로 증가시킬 수 있다. 포토마스크(100)를 핫 플레이트(400) 위에 로딩시킨 후에 펠리클(300)을 포토마스크(100)에 고정시킬 위치로 이동시킨다. 이때 펠리클(300)의 프레임(320) 하부면에 있는 분자막(330)과 포토마스크(100) 위의 자기조립막(140)이 상호 대향되도록 한다.Next, referring to FIG. 6, the photomask 100 is loaded on a hot plate 400. Although not shown in the drawings, a heater is disposed inside the hot plate 400 to increase the temperature to a predetermined level or more. After loading the photomask 100 on the hot plate 400, the pellicle 300 is moved to a position to be fixed to the photomask 100. At this time, the molecular film 330 on the lower surface of the frame 320 of the pellicle 300 and the self-assembled film 140 on the photomask 100 are opposed to each other.

다음에 도 7을 참조하면, 포토마스크(100) 표면을 일정 온도, 예컨대 대략 200℃의 온도가 되도록 한 상태에서, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 펠리클(300) 상부에 압력을 가하여, 자기조립막(140)과 분자막(330)이 반응되도록 한다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 가압 및 가열에 의해 자기조립막(140)의 비닐 그룹(142)과 폴리에틸렌으로 이루어진 분자막(330)은 크로스 링킹(cross linking) 반응을 하여 상호 결합되며, 그 결과 포토마스크(100)에 펠리클(300)을 부착시키는 흡착결합부(500)가 만들어진다.Next, referring to FIG. 7, in a state in which the surface of the photomask 100 is set to a predetermined temperature, for example, approximately 200 ° C., as shown by an arrow in the drawing, pressure is applied to the upper part of the pellicle 300 to self-assemble. The membrane 140 and the molecular membrane 330 are allowed to react. As shown in FIG. 8, the vinyl group 142 of the self-assembled membrane 140 and the molecular membrane 330 made of polyethylene are bonded to each other by a cross linking reaction by pressing and heating. An adsorption coupling part 500 for attaching the pellicle 300 to the mask 100 is made.

도 1 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크와 펠리클 부착방법을 설명하기 위해 나타내 보인 도면들이다.1 to 7 are diagrams for explaining the photomask and pellicle attachment method according to an embodiment of the present invention.

도 8은 도 7의 흡착결합부의 결합 구조를 나타내 보인 모식도이다.FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a coupling structure of the adsorption coupling part of FIG. 7.

Claims (6)

포토마스크의 상부 표면 중 펠리클에 접촉되는 표면 위에 자기조립막을 형성하는 단계;Forming a self-assembled film on a surface of the upper surface of the photomask that is in contact with the pellicle; 상기 자기조립막에 반응하는 분자막이 부착된 펠리클을 준비하는 단계; 및Preparing a pellicle having a molecular film attached to the self-assembled film; And 상기 자기조립막과 상기 분자막을 반응시켜 상기 포토마스크에 펠리클을 부착시키는 단계를 포함하는 포토마스크와 펠리클 부착방법.And attaching a pellicle to the photomask by reacting the self-assembled film with the molecular film. 제1항에 있어서, 상기 자기조립막을 형성하는 단계는,The method of claim 1, wherein the forming of the self-assembled film, 상기 포토마스크 상부 표면 전면에 자기조립막을 형성하는 단계; 및Forming a self-assembled film on the entire surface of the photomask upper surface; And 상기 포토마스크의 배면으로 자외선을 조사하여 상기 펠리클에 접촉되는 표면 외의 다른 자기조립막을 제거하는 단계를 포함하는 포토마스크와 펠리클 부착방법.And removing other self-assembled films other than the surface in contact with the pellicle by irradiating ultraviolet rays to the rear surface of the photomask. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 자외선은 상기 포토마스크가 사용되는 노광 광의 파장보다 높은 파장을 갖는 포토마스크와 펠리클 부착방법.And the ultraviolet rays have a wavelength higher than the wavelength of exposure light for which the photomask is used. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 자기조립막은 실리콘을 포함하는 헤드 그룹과 비닐 그룹을 갖는 포토마 스크와 펠리클 부착방법.The self-assembled film is a photomask and pellicle attachment method having a head group and a vinyl group containing silicon. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 펠리클에 부착된 분자막은 폴리에틸렌을 포함하는 포토마스크와 펠리클 부착방법.The molecular film attached to the pellicle is a photomask and a pellicle attachment method comprising polyethylene. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 자기조립막과 상기 분자막을 반응시키는 단계는 가열 및 가압을 통해 수행하는 포토마스크와 펠리클 부착방법.Reacting the self-assembled film and the molecular film is a photomask and pellicle attachment method performed by heating and pressing.
KR1020090069456A 2009-07-29 2009-07-29 Method of adhering pellicl to photomask KR20110011959A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090069456A KR20110011959A (en) 2009-07-29 2009-07-29 Method of adhering pellicl to photomask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090069456A KR20110011959A (en) 2009-07-29 2009-07-29 Method of adhering pellicl to photomask

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110011959A true KR20110011959A (en) 2011-02-09

Family

ID=43771939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090069456A KR20110011959A (en) 2009-07-29 2009-07-29 Method of adhering pellicl to photomask

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110011959A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210128984A (en) * 2013-11-11 2021-10-27 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 A method for bonding a pellicle, and a bonding apparatus used in this method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210128984A (en) * 2013-11-11 2021-10-27 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 A method for bonding a pellicle, and a bonding apparatus used in this method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8067132B2 (en) Photomask and exposure method
JP4931717B2 (en) Manufacturing method of pellicle for lithography
US7829248B2 (en) Pellicle stress relief
KR100353659B1 (en) Frame-supported pellicle used for dust protection of photomasks in photolithography
KR101583167B1 (en) Reticle chuck cleaner and reticle chuck cleaning method
JP5411200B2 (en) Pellicle for lithography
JP2010261987A (en) Photomask
TWI446104B (en) Pellicle film, method of manufacturing the same, and pellicle sticking the film
US20060269847A1 (en) Binding of hard pellicle structure to mask blank and method
JP2013153084A (en) Production method of pattern structure and base material for patterning used therein
JP4007752B2 (en) Large pellicle frame and large pellicle
CN111258179A (en) Dustproof film assembly
TWI515509B (en) Pellicle for lithography and method for fabricating the same
CN103246159B (en) Device for removing vaporific defects on mask and method thereof
KR20110011959A (en) Method of adhering pellicl to photomask
KR101524104B1 (en) Method for peeling pellicle and peeling device used for the method
US7998643B2 (en) Method of correcting an error in phase difference in a phase shift mask
JP5252984B2 (en) Pellicle for semiconductor lithography and method for manufacturing the same
KR20080056458A (en) Pellicle remove apparatus for photo mask and method therefor
JP3265137B2 (en) Pellicle and bonding method thereof
TWI607075B (en) Adhesive suitable for pellicle for EUV lithography and pellicle using the same
TWI612369B (en) EUV reticle inorganic protective film assembly manufacturing method
CN107272327A (en) Pellicle
TWM622366U (en) Pellicle frame, pellicle, exposure master with pellicle, exposure apparatus, exposure system, semiconductor manufacturing system, and liquid crystal display panel manufacturing system
JP4202547B2 (en) Pellicle for lithography

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination