KR20110005687A - 전자 휴즈 회로에서 패시브 휴즈를 전류 감지 소자로서 사용하는 시스템 - Google Patents

전자 휴즈 회로에서 패시브 휴즈를 전류 감지 소자로서 사용하는 시스템 Download PDF

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KR20110005687A
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Abstract

트랜지스터와, 상기 트랜지스터에 접속된 패시브 휴즈와, 상기 트랜지스터와 상기 패시브 휴즈에 접속된 제어 로직을 포함하는 시스템이 제공된다. 제어 로직은 패시브 휴즈 양단의 전압 강하를 감지함으로써 상기 패시브 휴즈에 흐르는 전류를 결정하고, 상기 패시브 휴즈에 흐르는 전류가 사전결정된 값을 초과하면 트랜지스터를 턴오프시키는 신호를 상기 트랜지스터에 전송한다.

Description

전자 휴즈 회로에서 패시브 휴즈를 전류 감지 소자로서 사용하는 시스템{USING A PASSIVE FUSE AS A CURRENT SENSE ELEMENT IN AN ELECTRONIC FUSE CIRCUIT}
본 발명은 전자 휴즈 회로에서 패시브 휴즈를 전류 감지 소자로서 사용하는 시스템에 관한 것이다.
패시브 휴즈(passive fuse)는 통상적으로 전기 및 전자 회로에서 누전(fault current)을 격리시키기 위해 사용된다. 휴즈는 과전류가 흐를때마다 녹는 금속 와이어 또는 스트립을 포함하는 가용성 링크 디바이스(fusible link device)이다. 따라서, 회로를 개방하도록 분리되는 갭 회로를 야기하는 갭이 발생하여 회로에 손상을 야기할 수 있는 과전류를 그 회로의 나머지가 수신하는 것을 차단한다.
전자 휴즈 회로는 통상의 휴즈와 동일한 기능을 가져서 가용성 링크 용융에 의존하지 않고도 회로의 나머지를 과도한 전류로부터 보호한다. 전자 휴즈 회로는 전류가 과도할 때 전계 효과 트랜지스터를 턴오프시키는 제어기를 포함한다. 이러한 트랜지스터의 턴오프는 회로의 나머지에 전류가 흐르는 것을 차단하여 과도한 전류 흐름으로부터 손상을 방지한다.
전형적으로, 트랜지스터에 흐르는 전류를 감지하는데 저항이 사용된다. 제어기는 이러한 저항에 의해 감지되는 전류가 사전결정된 한계를 초과하는지의 여부를 결정한다. 만약 전류가 사전결정된 한계를 초과한다면, 제어기는 트랜지스터를 턴오프시킨다. 다른 전류 감지 방법은 트랜지스터 양단의 전압 강하 또는 출력 필터 인덕터 양단의 전압 강하를 사용하여 트랜지스터에 흐르는 전류의 양을 결정한다. 만약 전자 휴즈 회로가 임의의 이유로 인해 고장이 발생하게 되면 회로의 나머지에 과도 전류가 손상을 발생시키는 것을 차단하는 백업(backup)으로서 전자 휴즈 회로에 패시브 휴즈가 사용된다. 그러나, 트랜지스터에 흐르는 전류를 감지하기 위해 저항 또는 전술한 임의의 다른 방법을 사용하는 것은 전자 휴즈 회로의 사이즈 뿐만 아니라 비용을 증가시킨다. 따라서, 전자 휴즈 회로에서 전류 감지 소자로서 저항을 사용할 필요성을 제거하는 시스템을 설계하는 것이 바람직할 것이다.
본 발명의 실시예의 상세한 설명을 위해 첨부 도면에 참조 부호가 병기될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 회로 시스템의 예시적인 실시예를 도시한다.
도 2는 현재 산업에서 사용되는 전자 휴즈 회로의 예시적인 실시예를 도시한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자 휴즈 회로의 예시적인 실시예를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 구현되는 방법의 예시적인 흐름도이다.
특정의 시스템 구성요소를 지칭하기 위해 후술되는 상세한 설명 및 특허청구범위에서 소정의 용어들이 사용된다. 당업자는 컴퓨터 회사들이 상이한 이름으로 구성요소를 지칭할 수도 있다는 것을 이해해야 할 것이다. 본 명세서는 이름은 상이하지만 기능은 상이하지 않는 구성요소들을 구별할려고 하는 것은 아니다. 아래의 상세한 설명 및 특허청구범위에서, "포함"이라는 용어는 개방형 방식으로 사용되며 따라서 "....을 포함하지만 이에 국한되는 것은 아니다"라는 것을 의미하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, "접속"이라는 용어는 직접, 간접, 광학적 또는 무선 전기적 접속을 의미하는 것으로 간주된다. 따라서, 제 1 디바이스가 제 2 디바이스에 접속된다면, 이러한 접속은 직접적인 전기적 접속, 다른 디바이스 또는 구성요소를 통한 간접적인 전기적 접속, 광학적인 전기적 접속, 또는 무선 전기적 접속일 수 있다.
아래의 상세한 설명은 본 발명의 다양한 실시예에 관한 것이다. 이러한 실시예들 중의 하나 이상은 바람직할 수도 있지만, 개시된 실시예는 특허청구범위를 포함하는 개시물의 영역을 제한하는 것으로 해석되거나 사용되어서는 아니 된다. 또한, 당업자는 아래의 상세한 설명이 넓은 적용분야를 가지며 임의의 실시예의 설명이 단지 예시적인 것을 의미하며 특허청구범위를 포함하는 개시물의 영역이 실시예에 의해 제한되는 것으로 암시되는 것이 아니라는 것을 이해해야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 회로 시스템(150)을 도시한다. 회로 시스템(150)은 로직 회로(110)에 접속되는 전자 휴즈 회로(100)를 포함한다. 로직 회로(110)는 과도 전류에 의해 악영향을 받을 수 있는 임의의 회로일 수 있다. 오직 하나의 로직 회로만이 도 1의 전자 휴즈 회로(100)에 접속된 것으로 도시되지만, 하나 이상의 로직 회로가 또한 전자 휴즈 회로(100)에 접속될 수도 있다. 전력은 로직 회로(110)에 들어가기 전에 전자 휴즈 회로(100)를 통해 전송된다. 전자 휴즈 회로(100)는 전자 휴즈 회로(100)에 흐르는 전류가 가령 단락 회로에 의해 과도하게 된다면 로직 회로(110)로의 전류를 차단하도록 설계된다.
도 2는 현재 산업상 이용되는 전자 휴즈 회로(200)의 예시적인 실시예이다. 전자 휴즈 회로(200)는 패시브 휴즈(202), 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터("MOSFET")(204), 전류 감지 저항(206), 및 제어기(208)를 포함한다. 턴온시, MOSFET(204)는 전자 휴즈 회로(200)에 전류가 흐르도록 하지만, 만약 MOSFET(204)가 턴오프되면, 전자 휴즈 회로(200)에 전류가 흐르는 것이 차단된다. 패시브 휴즈(202)는 전자 휴즈 회로(200)가 임의의 이유로 고장이 발생한다면 (화재 또는 임의의 다른 위험 상황을 막는) 회로의 나머지를 손상시키는 과도 전류를 차단하는 백업으로서 사용된다.
제어기(208)는 전류 감지 저항(206)과 MOSFET(204)에 접속된다. 전류 감지 저항(206)에 의해 감지된 전류는 제어기(208)에 의해 결정된다. 이는 전류 감지 저항(206)이 제어기(208) 상의 핀 1 및 핀 2에 접속되는 사실로부터 달성된다. 이러한 핀은 전류 감지 저항(206) 양단의 전압 강하를 모니터링하며, 이 전압 강하는 전류 감지 저항(206)에 흐르는 전류에 따라 변동된다. 제어기(208)는 전류 감지 저항(206)에 흐르는 전류가 사전결정된 임계값을 초과하는지의 여부를 결정한다. 제어기(208)가 감지된 전류가 임계값을 초과한다고 결정하면, 제어기(208)는 MOSFET(204)를 턴오프시키는 신호를 MOSFET(204)의 게이트에 전송한다. 그러나, 감지된 전류가 임계값 미만이라고 제어기(208)가 결정하면, 제어기(208)는 MOSFET(204)를 턴오프시키지 않고 전류 감지 저항(206)에 흐르는 전류의 모니터링을 지속한다.
만약 전자 휴즈 회로(200)에 과도 전류가 흐를 경우 전자 휴즈 회로(200)가 임의의 이유로 인해 MOSFET(204)을 턴오프시키지 않으면, 휴즈(202)는 백업으로서 사용된다. 휴즈(202)는 가용성 링크, 통상적으로 과도 전류가 흐를 때마다 용융되는 금속 와이어 또는 스트립을 포함하여 전자 휴즈 회로(200)의 나머지에 전류가 흐르는 것을 차단한다. 따라서, 현재 산업상 이용가능한 전자 휴즈 회로(200)는 전류 감지 저항(206)과 휴즈(202)를 모두 포함하여 전자 휴즈 회로에 흐르는 과도 전류를 차단한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자 휴즈 회로(100)의 예시적인 실시예를 나타낸다. 전자 휴즈 회로(100)는 휴즈(302), MOSFET(304), 출력 필터 캐패시터(306, 308, 310), 제어기(312), 제어기(312)와 관련된 저항(314, 316, 318, 320, 322, 324, 326, 340), 및 제어기(312)와 연관된 캐패시터(328, 330, 332, 334, 336, 338)를 포함한다. 전술한 바와 같이, 전자 휴즈 회로(100)는 전류가 과도한 경우에 접속될 수도 있는 다른 회로(가령, 도 1에서의 회로(110))로의 전류를 차단하도록 설계된다.
턴온시에, MOSFET(304)는 전자 휴즈 회로(100)에 전류가 흐를 수 있도록 한다. N 채널 MOSFET로서 도시되지만, MOSFET(304)는 임의의 타입의 전계 효과 트랜지스터(FET)일 수 있다. MOSFET(304)가 턴오프될 경우, 전류는 전자 휴즈 회로(100)를 통해 로직 회로(110)로 흐르지 않는다. 도 3은 전자 휴즈 회로(100)에 대한 12 볼트 입력을 나타낸다. MOSFET(304)가 턴온될 경우, 로직 회로(110)에 12 볼트의 출력(MOSFET(304) 및 휴즈(302) 양단의 전압 강하보다 작음)이 발생한다. 그러나, MOSFET(304)가 턴오프된다면, MOSFET(304)를 통해 전류가 흐르지 않는다는 사실로 인해 로직 회로(110)에는 출력 전압이 존재하지 않으며 제공되지도 않을 것이다. 도 3에는 12 볼트 출력에 대응하는 12 볼트 입력이 도시되지만, 대안의 입력 및 출력 전압이 사용될 수도 있다.
휴즈(302)는 MOSFET(304)에 접속된 패시브 휴즈이며 MOSFET(304)에 흐르는 전류를 감지하는 전류 감지 소자로서 사용된다. 휴즈(302)는 이용가능하거나 나중에 개발될 임의의 타입의 패시브 휴즈일 수 있다. 가령, 쿠퍼 부스만(Cooper Bussmann) CC12M20A의 20 암페어/32볼트 패시브 휴즈는 10 내지 15 암페어 전류를 필요로 하는 회로 시스템용으로 잘 작동할 것이다. 휴즈(302)가 일부의 저항값, 대략 CC12M20A에 대해 2밀리 옴을 가지고 있기 때문에, 휴즈(302)는 MOSFET(304)에 흐르는 전류를 감지할 수가 있다.
제어기(312)는 휴즈(302) 및 MOSFET(304) 모두에 접속된다. 가령, 인터실(Intersil) P/N ISL6115 제어기는 제어기(312)로서 잘 작동할 것이지만, 다른 제어기들도 또한 작동될 수도 있다. 휴즈(302)에 흐르는 전류는 휴즈(302) 양단의 전압 강하로서 감지되며 제어기(312)에 의해 모니터링된다. 이는 휴즈(302)가 제어기(312) 상의 핀 1 및 핀 2에 접속된다는 사실로 인해 달성된다. 이러한 핀들은 휴즈(302)에 흐르는 전류에 따라 변동되는 휴즈(302) 양단의 전압 강하를 모니터링한다. 제어기(312)는 휴즈(302)에 흐르는 전류가 사전결정된 임계값을 초과하는지의 여부를 결정한다. 12 암페어 임계값은 사용될 수 있는 하나의 임계값이지만, 임의의 전류 임계값이 사용될 수도 있다. 이러한 결정된 값은 로직 회로(110)를 손상시킬 전류 레벨보다 낮은 레벨에 있으며, 따라서 로직 회로(110)에 대한 손상을 방지한다. 만약 제어기(312)가 감지된 전류가 임계값을 초과한다고 결정하면, 제어기(312)는 MOSFET(304)를 턴오프시키는 신호를 MOSFET(304)의 게이트에 전송한다. 이는 전자 휴즈 회로(100) 및 로직 회로(110)로 전류가 흐르는 것을 차단한다. 그러나, 제어기(312)가 감지된 전류가 임계값 미만이라고 결정하면, 제어기(312)는 MOSFET(304)를 턴오프시키지 않으며 휴즈(302)에 흐르는 전류의 모니터링을 지속한다. 따라서, MOSFET(304)는 전자 휴즈 회로(100) 및 로직 회로(110)에 흐르는 전류를 통해 턴온을 유지한다.
휴즈(302)는 또한 과도 전류가 흐를 때 전자 휴즈 회로(100)가 임의의 이유로 인해 MOSFET(304)를 턴오프시키지 못한다면 로직 회로(110)를 손상시키는 과도 전류를 차단하는 백업으로서 기능한다. 휴즈(302)는 가용성 링크, 통상적으로 과도 전류가 흐를 때 용융되는 금속 와이어 또는 스트립을 포함한다. 따라서, 휴즈 회로(100)는 로직 회로(302) 또는 전자 휴즈 회로(100)에 접속된 임의의 다른 디바이스에 과도 전류를 전송할 수 없다. 휴즈(302)가 전류 감지 소자 및 백업 휴즈로서 기능하기 때문에, 이러한 기능을 수행하지 못할 경우에 포함될 수도 있는 별도의 전류 감지 소자가 제거된다. 따라서, 전자 휴즈 회로(1000의 사이즈 및 비용은 감소된다. 또한, 별도의 전류 감지 저항의 사용과 관련한 전력 소비가 제거되어 전자 휴즈 회로(100)의 효율성을 증가시킨다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 구현되는 방법(400)의 예시적인 흐름도이다. 방법은 블럭 402에서 도 3으로부터의 휴즈(302)를 통해 흐르는 전류의 양을 감지하는 단계를 포함한다. 전술한 바와 같이, 휴즈(302)는 관련 저항값을 가져서 전류 감지 디바이스로서 사용될 수 있도록 한다. 방법(400)은 블럭 404에서 계속해서 제어기(312)가 휴즈(302)를 사용하여 감지된 전류가 사전결정된 값을 초과하는지의 여부를 결정한다. 만약 전류가 사전결정된 값 미만이라면, 방법(400)은 다시 블럭 402에서 개시하여 휴즈(402)에 흐르는 전류를 감지한다. 그러나, 전류가 사전결정된 값을 초과한다면, 제어기(312)는 블럭 406에 도시된 바와 같이 턴오프를 위한 신호를 MOSFET(304)에 전송한다. 이는 로직 회로(110)에 전류가 흐르는 것을 차단하여 손상을 방지한다.
전술한 설명은 본 발명의 원리 및 다양한 실시예를 예시하는 것을 의미한다. 일단 전술한 개시물이 완전히 이해된다면 당업자는 다양한 변형 및 수정을 가할 수 있을 것이다. 첨부되는 특허청구범위는 이러한 모든 변형 및 수정을 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 전자 휴즈 회로 110: 로직 회로
202: 패시브 휴즈 204: MOSFET
206: 전류 감지 저항 208: 제어기

Claims (9)

  1. 트랜지스터와,
    상기 트래지스터에 접속된 패시브 휴즈와,
    상기 패시브 휴즈와 상기 트랜지스터에 접속된 제어 로직을 포함하되,
    상기 제어 로직은 상기 패시브 휴즈 양단의 전압 강하를 감지하고, 상기 패시브 휴즈 양단의 전압 강하를 전류로 변환하고, 상기 제어 로직에 의해 감지된 상기 전류가 사전결정된 한계를 초과한다면 상기 트랜지스터를 턴오프시키는 신호를 상기 트랜지스터에 전송하는
    시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 트랜지스터는 MOSFET인
    시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 패시브 휴즈는 20암페어, 32볼트의 패시브 휴즈인
    시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 로직 회로는 감지 저항 양단의 전압 강하에 기초하여 상기 트랜지스터를 턴오프시키지 않는
    시스템.
  5. 로직 회로와,
    상기 로직 회로에 접속된 휴즈 회로를 포함하며,
    상기 휴즈 회로는 트랜지스터와, 상기 트래지스터에 접속된 패시브 휴즈와, 제어 로직을 포함하되, 상기 제어 로직은 상기 패시브 휴즈 양단의 전압 강하를 감지하고, 상기 패시브 휴즈 양단의 전압 강하를 전류로 변환하고, 상기 제어 로직에 의해 감지된 상기 전류가 사전결정된 한계를 초과한다면 상기 트랜지스터를 턴오프시키는 신호를 상기 트랜지스터에 전송하는
    시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 트랜지스터는 MOSFET인
    시스템.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 패시브 휴즈는 20암페어, 32볼트의 패시브 휴즈인
    시스템.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제어 로직은 감지 저항 양단의 전압 강하에 기초하여 상기 트랜지스터를 턴오프시키지 않는
    시스템.
  9. 패시브 휴즈 양단의 전압 강하를 모니터링하는 수단과,
    상기 패시브 휴즈 양단의 전압 강하가 사전결정된 레벨을 초과하는 전류와 등가이면 트랜지스터를 턴오프시키는 수단을 포함하는
    시스템.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011112130A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Surge protection
US8363373B2 (en) * 2010-07-28 2013-01-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Enclosure with an E-fuse connected to multiple blade computers
US9642140B2 (en) * 2013-06-18 2017-05-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of UL TDM for inter-enodeb carrier aggregation
GB2520495A (en) * 2013-11-20 2015-05-27 Ge Aviat Systems Ltd Solid state power controller for an aircraft
US9368954B1 (en) * 2014-09-23 2016-06-14 Google Inc. Electrical protection and sensing control system
CN106688280B (zh) * 2014-09-25 2020-11-10 瑞典爱立信有限公司 改进的网络搜索
US10598703B2 (en) * 2015-07-20 2020-03-24 Eaton Intelligent Power Limited Electric fuse current sensing systems and monitoring methods
WO2017188868A1 (en) * 2016-04-26 2017-11-02 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) User equipment camping in wireless systems
US11143718B2 (en) 2018-05-31 2021-10-12 Eaton Intelligent Power Limited Monitoring systems and methods for estimating thermal-mechanical fatigue in an electrical fuse
US11289298B2 (en) 2018-05-31 2022-03-29 Eaton Intelligent Power Limited Monitoring systems and methods for estimating thermal-mechanical fatigue in an electrical fuse
US12095255B2 (en) 2021-03-23 2024-09-17 Snap-On Incorporated Overcurrent protection for electric motor

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62196014A (ja) * 1986-02-20 1987-08-29 沖電気工業株式会社 負荷制御方式
US5648661A (en) * 1992-07-02 1997-07-15 Lsi Logic Corporation Integrated circuit wafer comprising unsingulated dies, and decoder arrangement for individually testing the dies
DE19721655C1 (de) * 1997-05-23 1998-12-03 Daimler Benz Ag Thyristor mit Selbstschutz
JP2001078350A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Taiheiyo Seiko Kk レアショート検出器
JP3890184B2 (ja) * 2000-05-15 2007-03-07 Ｎｅｃパーソナルプロダクツ株式会社 電源装置及びその電力制御方法、情報処理機器
JP3563333B2 (ja) * 2000-08-04 2004-09-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 インラッシュ電流対応ハイサイドスイッチ及び過電流制御方法
US7143500B2 (en) * 2001-06-25 2006-12-05 Micron Technology, Inc. Method to prevent damage to probe card
US20060227472A1 (en) * 2005-04-07 2006-10-12 William Taylor Inverter ground fault circuit
JP2007323828A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Hitachi Computer Peripherals Co Ltd 電源設計方法

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