KR20110001795A - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 태양전지는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 제1전극 패턴; 상기 복수개의 제1전극 패턴이 형성된 상기 기판 상에 배치된 버퍼층; 상기 버퍼층이 형성된 상기 기판 상에 배치된 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치된 제2전극; 상기 제2전극의 일부가 상기 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여, 상기 제1전극과 전기적으로 연결된 접속배선; 및 상기 버퍼층, 광 흡수층 및 제2전극을 관통하여, 단위셀로 나누기 위한 분리패턴을 포함하며, 상기 기판 상에 배치된 상기 제1전극 패턴은 투명한 물질인 것을 포함한다.
태양전지

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지들에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리 기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
또한, 태양전지의 광전 변환 효율이 개선됨에 따라, 태양광 발전 모듈을 구비한 많은 태양광 발전 시스템이 주거 용도 뿐 아니라, 상업 건물의 외부에 설치되기에 이르렀다.
이러한 태양전지의 성능을 향상시키기 위해서, 입광 효율을 향상시키기 위한 연구들이 진행 중이며, 또한 태양전지의 외관 및 표시 기능이 중요하게 대두되고 있다.
실시예는 개구율 조절이 용이한 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 태양전지는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 제1전극 패턴; 상기 복수개의 제1전극 패턴이 형성된 상기 기판 상에 배치된 버퍼층; 상기 버퍼층이 형성된 상기 기판 상에 배치된 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치된 제2전극; 상기 제2전극의 일부가 상기 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여, 상기 제1전극과 전기적으로 연결된 접속배선; 및 상기 버퍼층, 광 흡수층 및 제2전극을 관통하여, 단위셀로 나누기 위한 분리패턴을 포함하며, 상기 기판 상에 배치된 상기 제1전극 패턴은 투명한 물질인 것을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 상에 서로 이격되도록 복수개의 제1전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 후면전극 패턴이 형성된 상기 기판 상에 차례로 버퍼층 및 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하는 콘택 패턴을 형성하는 단계; 상기 콘택 패턴을 포함하는 상기 버퍼층 및 광 흡수층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층, 광 흡수층 및 제2전극을 관통하여, 상기 제1전극 패턴의 일부가 노출되고, 단위셀로 나누기 위한 분리패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 기판 상에 형성된 상기 제1전극 패턴은 투명한 물질인 것을 포함하고, 상기 버퍼층은 상기 제1전극 패턴의 사이를 채워, 상기 기판과 접하는 것을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지 및 이의 제조방법은 광 흡수층의 고온 공정으로, 제1전극 패턴의 그레인(grain)이 성장되어, 제1전극 패턴의 투과율 특성 및 면저항 특성이 향상될 수 있다.
그리고, 제1전극 패턴, 콘택 패턴 및 분리 패턴이 모두 레이저를 이용하여 정교하게 패터닝되어, 셀 영역 이외의 비활성 영역(Non-acitve area, NAA)이 감소될 수 있다.
또한, 기판의 하부에 제2전극, 광 흡수층 및 버퍼층 등의 구조물을 배치시킨 후, 기판의 후면에 레이저를 조사하여 패터닝하여, 패터닝시 발생하는 불순물이 자유낙하하기 때문에 불순물에 의한 결함(defect)을 최소화시킬 수 있어, 공정 수율(yield)이 향상될 수 있다.
또한, 기판의 후면으로부터 빛을 받아들이므로, 콘택 패턴의 폭(P2) 및 분리 패턴의 폭(P3)을 조절하여 개구율을 조절할 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.
우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 제1전극층(201)을 형성한다.
상기 기판(100)은 유리(glass)가 사용되고 있으며, 세라믹 기판, 금속 기판 또는 폴리머 기판 등도 사용될 수 있다.
유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime glass) 또는 고변형점 소다유리(high strained point soda glass)를 사용할 수 있으며, 금속 기판으로는 스테인레스 스틸 또는 티타늄을 포함하는 기판을 사용할 수 있다.
또한, 상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다.
상기 제1전극층(201)은 투명한 도전물질로 형성될 수 있다.
상기 제1전극층(201)은 상기 기판(100) 상에 스퍼터링 공정을 진행하여 알루미늄 또는 알루미나로 도핑된 산화 아연으로 형성된다.
상기 제1전극층(201)은 이후 형성될 광 흡수층과 pn접합을 형성하는 층으로서, 광투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 산화 아연(ZnO)으로 형성된다.
이때, 상기 산화 아연에 알루미늄 또는 알루미나를 도핑함으로써 낮은 저항값을 갖는 전극을 형성할 수 있다.
상기 제1전극층(201)인 산화 아연 박막은 RF 스퍼터링방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 그리고 유기금속화 학증착법 등으로 형성될 수 있으며, 상온에서 공정이 진행될 수 있다.
또한, 전기광학적 특성이 뛰어난 ITO(Indium Thin Oxide) 박막을 산화 아연 박막 상에 층착한 2중 구조를 형성할 수도 있다.
이어서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 제1전극층(201)을 패터닝하여, 제1전극 패턴(200)을 형성한다.
상기 제1전극 패턴(200)은 상기 기판(100)의 후면에서 제1레이저(Laser)를 조사(irradiate)하여 형성될 수 있다.
상기 제1레이저는 1064 nm의 파장을 갖는 파이버(fiber) 레이저가 될 수 있다.
이때, 상기 제1전극 패턴(200)이 레이저를 이용하여 형성되므로, 기계적인(mechanical) 방법으로 패턴을 형성할 때보다 정교한 패턴이 형성될 수 있다.
즉, 상기 제1전극 패턴(200) 사이의 간격(P1)이 정교하게 패터닝 될 수 있다.
또한, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 제1전극층(201)이 상기 기판(100)보다 하부에 위치하도록 배치시킨 후, 상기 기판(100)의 후면에서 제1레이저를 조사한다.
이는 상기 제1전극층(201)을 상기 기판(100)과 지표면의 사이, 즉 중력이 발생하는 방향으로 배치시키는 것을 의미하며, 상기 제1레이저가 상기 기판(100)을 통하여 상기 제1전극층(201)에 조사되도록 한다.
따라서, 패터닝시 발생하는 제1불순물(210)이 자유낙하하기 때문에 제1불순 물(210)에 의한 결함(defect)을 최소화시킬 수 있어, 공정 수율(yield)이 향상될 수 있다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1전극 패턴(200)이 형성된 상기 기판(100) 상에 버퍼층(300) 및 광 흡수층(400)을 차례로 형성한다.
상기 버퍼층(300)은 적어도 하나의 층으로 형성되며, 상기 제1전극 패턴(200)이 형성된 상기 기판(100) 상에 황화 카드뮴(CdS), ITO, ZnO, i-ZnO 중 어느 하나 또는 이들의 적층으로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(300)은 상기 광 흡수층(400)과 상기 제1전극 패턴(200)이 형성된 상기 기판(100) 사이에 형성된다.
상기 광 흡수층(400)은 Ⅰb-Ⅲb-Ⅵb계 화합물을 포함한다.
더 자세하게, 상기 광 흡수층(400)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다.
이와는 다르게, 상기 광 흡수층(400)은 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CIS계) 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(400)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 제1전극 패턴(200) 상에 CIG계 금속 프리커서(precursor)막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(400)이 형성된다.
또한, 상기 금속 프리커서막을 형성하는 공정 및 셀레니제이션 공정 동안에, 상기 기판(100)에 포함된 알칼리(alkali) 성분이 상기 제1전극 패턴(200)을 통해서, 상기 금속 프리커서막 및 상기 광 흡수층(400)에 확산된다.
알칼리(alkali) 성분은 상기 광 흡수층(400)의 그레인(grain) 크기를 향상시키고, 결정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(400)은 구리,인듐,갈륨,셀레나이드(Cu, In, Ga, Se)를 동시증착법(co-evaporation)에 의해 형성할 수도 있다.
상기 광 흡수층(400)은 400~600℃의 온도로 공정이 진행되어 형성되는데, 상기 광 흡수층(400)의 고온 공정으로, 상기 제1전극 패턴(200)의 그레인(grain)이 성장되어, 상기 제1전극 패턴(200)의 투과율 특성 및 면저항 특성이 향상될 수 있다.
상기 광 흡수층(400)은 외부의 광을 입사받아, 전기 에너지로 변환시키며, 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다.
이때, 상기 버퍼층(300)은 n형 반도체 층이고, 상기 광 흡수층(400)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 광 흡수층(400) 및 버퍼층(300)은 pn 접합을 형성한다.
또한, 상기 광 흡수층(400)과 상기 제1전극 패턴(200)은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 버퍼층(300)을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.
이어서, 도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 버퍼층(300)과 광 흡수층(400)을 관통하는 콘택 패턴(310)을 형성한다.
상기 콘택 패턴(310)은 상기 기판(100)의 후면에서 제2레이저(Laser)를 조사하여 형성될 수 있다.
상기 제2레이저는 532nm의 파장을 갖는 ND:YVO4 레이저가 될 수 있다.
이때, 상기 제2레이저를 이용하여 형성된 상기 콘택 패턴(310)으로 인해, 상기 제1전극 패턴(200)의 일부가 노출된다.
즉, 상기 제1전극 패턴(200)에는 식각이 일어나지 않으며, 상기 버퍼층(300)과 광 흡수층(400)만을 관통하여 상기 콘택 패턴(310)이 형성될 수 있다.
이때, 상기 콘택 패턴(310)이 레이저를 이용하여 형성되므로, 기계적인(mechanical) 방법으로 패턴을 형성할 때보다 정교한 패턴이 형성될 수 있다.
즉, 상기 콘택 패턴(310)의 간격(P2)이 정교하게 패터닝 될 수 있다.
또한, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 콘택 패턴(310)도 상기 버퍼층(300)과 광 흡수층(400)을 상기 기판(100)보다 하부에 위치하도록 배치한 후, 상기 기판(100)의 후면에 상기 제2레이저를 조사하여 형성될 수 있다.
즉, 상기 버퍼층(300)과 광 흡수층(400)을 상기 기판(100)과 지표면의 사이, 즉 중력이 발생하는 방향으로 배치시키는 것을 의미하며, 상기 제2레이저가 상기 기판(100)을 통하여 상기 버퍼층(300)과 광 흡수층(400)에 조사되도록 한다.
따라서, 패터닝시 발생하는 제2불순물(220)이 자유낙하하기 때문에 불순물에 의한 결함(defect)을 최소화시킬 수 있어, 공정 수율(yield)이 향상될 수 있다.
또한, 상기 콘택 패턴(310)은 상기 제2레이저의 초점(focus)을 조절하여, 상기 제1전극 패턴(200)은 식각되지 않는다.
즉, 상기 콘택 패턴(310)으로 상기 제1전극 패턴(200)이 노출 될 수 있다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 콘택 패턴(310)이 형성된 상기 기판(100) 상에 도전물질을 적층하여 제2전극(500)을 형성한다.
상기 제2전극(500)은 금속 등의 도전체로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2전극(500)은 몰리브덴(Mo) 타겟을 사용하여, 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이는, 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전기전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다.
그리고, 상기 제2전극(500)을 형성하는 물질은 이에 한정되지 않고, ITO(Indium tin oxide), 나트륨(Na) 이온이 도핑된 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제2전극(500)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다.
상기 제2전극(500)이 복수개의 층으로 형성될 때, 상기 제2전극(500)을 이루는 층들은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
상기 제2전극(500)을 상기 광 흡수층(400) 상에 적층시킬 때, 상기 제2전극(500)이 상기 콘택 패턴(310)의 내부에도 삽입되어, 상기 접속배선(700)을 형성할 수 있다.
상기 접속배선(700)이 형성되어 상기 제1전극 패턴(200)과 제2전극(500)은 전기적으로 연결된다.
이어서, 도 6a에 도시된 바와 같이, 상기 제2전극(500), 광 흡수층(400) 및 버퍼층(300)을 관통하는 분리패턴(320)을 형성한다.
상기 분리패턴(320)은 상기 기판(100)의 후면에서 제3레이저(Laser)를 조사하여 형성될 수 있다.
상기 제3레이저는 532nm의 파장을 갖는 ND:YVO4 레이저 또는 1064 nm의 파장을 갖는 ND:YAG 레이저가 될 수 있다.
이때, 상기 제3레이저를 이용하여 형성된 상기 분리 패턴(320)으로 인해, 상기 제1전극 패턴(200)의 일부가 노출된다.
즉, 상기 제1전극 패턴(200)에는 식각이 일어나지 않으며, 상기 제2전극층(501), 버퍼층(300)과 광 흡수층(400)만을 관통하여 상기 분리 패턴(320)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 상기 제1전극 패턴(200)이 투명한 물질로 형성되고, 상기 제2전극(500)이 몰리브덴(Mo) 등의 도전체로 형성되어 상기 기판(100)의 후면으로부터 빛을 받아들일 수 있다.
즉, 상기 기판(100)의 후면으로부터 들어오는 빛으로 광 기전력을 형성함으로써, 태양전지를 구현할 수 있다.
이때, 상기 분리 패턴(320)이 레이저를 이용하여 형성되므로, 기계적인(mechanical) 방법으로 패턴을 형성할 때보다 정교한 패턴이 형성될 수 있다.
즉, 상기 분리 패턴(320)의 간격(P3)이 정교하게 패터닝 될 수 있다.
또한, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 분리 패턴(320)도 상기 제2전극(500), 광 흡수층(400) 및 버퍼층(300)을 상기 기판(100)보다 하부에 위치하도록 배치한 후, 상기 기판(100)의 후면에 상기 제3레이저를 조사하여 형성될 수 있다.
즉, 상기 제2전극(500), 광 흡수층(400) 및 버퍼층(300)을 상기 기판(100)과 지표면의 사이, 즉 중력이 발생하는 방향으로 배치시키는 것을 의미하며, 상기 제3레이저가 상기 기판(100)을 통하여 상기 버퍼층(300), 광 흡수층(400) 및 제2전극(500)에 조사되도록 한다.
따라서, 패터닝시 발생하는 제3불순물(230)이 자유낙하하기 때문에 불순물에 의한 결함(defect)을 최소화시킬 수 있어, 공정 수율(yield)이 향상될 수 있다.
또한, 상기 분리 패턴(320)은 상기 제3레이저의 초점(focus)을 조절하여, 상기 제1전극 패턴(200)은 식각되지 않는다.
즉, 상기 분리 패턴(320)으로 상기 제1전극 패턴(200)이 노출 될 수 있다.
또한, 상기 제1전극 패턴(200), 콘택 패턴(310) 및 분리 패턴(320)이 모두 레이저를 이용하여 정교하게 패터닝되어, 셀 영역 이외의 비활성 영역(Non-active area, NAA)이 감소될 수 있다.
이때, 상기 비활성 영역(NAA)와 활성 영역(AA)은 서로 번갈아 가면서 배치되며, 상기 활성 영역(AA)에 입사되는 광은 전기 에너지로 변환되지만, 상기 비활성 영역(NAA)에 입사되는 광은 전기 에너지로 변환되지 않는다.
그리고, 상기 분리 패턴(320)의 넓이(P3)를 용이하게 조절할 수 있다.
상기 기판(100)의 후면으로부터 빛을 받아들이므로, 상기 콘택 패턴(310)의 폭(P2) 및 상기 분리 패턴(320)의 폭(P3)을 조절하여 개구율을 조절할 수 있다.
상기 버퍼층(300), 광 흡수층(400) 및 제2전극(500)은 상기 분리패턴(320)에 의해 구분될 수 있으며, 상기 분리패턴(320)에 의해 각각의 셀(C1, C2)은 서로 분리될 수 있다.
이때, 상기 접속배선(700)에 의해 각각의 셀(C1, C2)은 서로 연결될 수 있다. 즉, 상기 접속배선(700)은 제2셀(C2)의 제1전극 패턴(200)과 상기 제2셀(C2)에 인접하는 상기 제1셀(C1)의 제2전극(500)을 전기적으로 연결한다.
그리고, 상기 분리패턴(320)에 의해 상기 버퍼층(300), 광 흡수층(400) 및 제2전극(500)은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
상기 분리 패턴(320)은 상기의 형태에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 실시예에 따른 태양전지 및 이의 제조방법은 광 흡수층의 고온 공정으로, 제1전극 패턴의 그레인(grain)이 성장되어, 제1전극 패턴의 투과율 특성 및 면저항 특성이 향상될 수 있다.
그리고, 제1전극 패턴, 콘택 패턴 및 분리 패턴이 모두 레이저를 이용하여 정교하게 패터닝되어, 셀 영역 이외의 비활성 영역(Non-acitve area, NAA)이 감소될 수 있다.
또한, 기판의 하부에 제2전극, 광 흡수층 및 버퍼층 등의 구조물을 배치시킨 후, 기판의 후면에 레이저를 조사하여 패터닝하여, 패터닝시 발생하는 불순물이 자 유낙하하기 때문에 불순물에 의한 결함(defect)을 최소화시킬 수 있어, 공정 수율(yield)이 향상될 수 있다.
또한, 기판의 후면으로부터 빛을 받아들이므로, 콘택 패턴의 폭(P2) 및 분리 패턴의 폭(P3)을 조절하여 개구율을 조절할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.

Claims (9)

  1. 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 제1전극 패턴;
    상기 복수개의 제1전극 패턴이 형성된 상기 기판 상에 배치된 버퍼층;
    상기 버퍼층이 형성된 상기 기판 상에 배치된 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 배치된 제2전극;
    상기 제2전극의 일부가 상기 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여, 상기 제1전극과 전기적으로 연결된 접속배선; 및
    상기 버퍼층, 광 흡수층 및 제2전극을 관통하여, 단위셀로 나누기 위한 분리패턴을 포함하며,
    상기 기판 상에 배치된 상기 제1전극 패턴은 투명한 물질인 것을 포함하는 태양전지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제2전극은 몰리브덴(Mo)으로 형성되는 태양전지.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층은 상기 제1전극 패턴의 사이를 채워, 상기 기판과 접하는 것을 포함하는 태양전지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층은 황화 카드뮴(CdS), i-ZnO 중 어느 하나로 형성되거나, 이들의 적층으로 형성된 것을 포함하는 태양전지.
  5. 기판 상에 서로 이격되도록 복수개의 제1전극 패턴을 형성하는 단계;
    상기 후면전극 패턴이 형성된 상기 기판 상에 차례로 버퍼층 및 광 흡수층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하는 콘택 패턴을 형성하는 단계;
    상기 콘택 패턴을 포함하는 상기 버퍼층 및 광 흡수층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및
    상기 버퍼층, 광 흡수층 및 제2전극을 관통하여, 상기 제1전극 패턴의 일부가 노출되고, 단위셀로 나누기 위한 분리패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 기판 상에 형성된 상기 제1전극 패턴은 투명한 물질인 것을 포함하고,
    상기 버퍼층은 상기 제1전극 패턴의 사이를 채워, 상기 기판과 접하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제1전극 패턴을 형성하는 단계는,
    기판 상에 제1전극막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1전극막에 제1레이저(Laser)를 조사하여, 제1전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제1전극막을 상기 기판과 지표면의 사이에 배치시킨 후, 상기 제1레이저가 상기 기판을 통하여 상기 제1전극막에 조사되어, 상기 제1전극 패턴이 형성되는 태양전지의 제조방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 콘택 패턴은,
    상기 버퍼층 및 광 흡수층에 제2레이저를 조사하여, 상기 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여 형성되고,
    상기 콘택 패턴 형성 후, 상기 제1전극 패턴의 일부가 노출되며,
    상기 버퍼층 및 광 흡수층을 상기 기판과 지표면의 사이에 배치시킨 후, 상기 제2레이저가 상기 기판을 통하여 상기 버퍼층 및 광 흡수층에 조사되어, 상기 콘택 패턴이 형성되는 태양전지의 제조방법.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 분리 패턴은,
    상기 버퍼층, 광 흡수층 및 제2전극에 제3레이저를 조사하여, 상기 버퍼층, 광 흡수층 및 제2전극을 관통하여 형성되고,
    상기 분리 패턴 형성 후, 상기 제1전극 패턴의 일부가 노출되며,
    상기 버퍼층, 광 흡수층 및 제2전극을 상기 기판과 지표면의 사이에 배치시 킨 후, 상기 제3레이저가 상기 기판을 통하여 상기 버퍼층, 광 흡수층 및 제2전극에 조사되어, 상기 분리 패턴이 형성되는 태양전지의 제조방법.
  9. 제 5항에 있어서,
    상기 제2전극은 몰리브덴(Mo)으로 형성되는 태양전지의 제조방법.
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