KR20110000174A - 아르곤가스의투입제어를위한여과장치 - Google Patents

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KR20110000174A
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gsa
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KR1020090057566A
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진호성
안용호
송해만
정현석
오명환
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네오세미테크 주식회사
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    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
    • C30B15/24—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using mechanical means, e.g. shaping guides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract

쵸크랄스키 공법에서 일반적인 아르곤 가스 투입 과정은 풀 챔버와 메인 챔버에
연결된 아르곤 가스 라인을 통하여 이루어 졌고, 라인에서 챔버로 들어올 때 특별한 여과 및 분사 장치 없이 다이렉트로 투입된다. 이러한 경우 안정적인 분위기 흐름으로 제어하여 원활한 제품을 생산하는 것이 매우 중요하다. 본 발명에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 아르곤 라인에서 챔버로 들어오는 부분에 아르곤 가스가 분사 형태로 투입되는 필터를 설치하여 여과 및 분위기 흐름 제어를 할 수 있어 양호한 실리콘 단결정을 제조할 수 있게 되었다.
실리콘 단결정, 쵸크랄스키법, 아르곤 가스, 필터

Description

아르곤가스의투입제어를위한여과장치{The Ar gsa flow filtering machine}
본 발명은 양호한 실리콘 단결정 잉곳을 제조하기 위하여 아르곤 투입 과정에서 여과 및 분사 장치를 마련하여 여과 및 분위기 흐름 제어하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 쵸크랄스키법에 의하여 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치에 관한 것이다. 일반적으로 실리콘 단결정 장치는 챔버, 석영 도가니, 흑연 도가니, 히터, 복사 단열재, 실리콘 단결정 잉곳을 인상시키는 리프트 및 성장 챔버를 포함하여 이루어진다. 즉, 석영도가니 내부의 실리콘 융액으로부터 실리콘 단결정 잉곳을 성장시켜 리프트를 이용하여 상부 챔버쪽으로 인상 성장시키는 것이다. 성장할 때 챔버 내부는 진공 상태이며 풀 챔버로 아르곤 가스가 투입된다. 그리고 삼발이 및 종자를 교체할 때 풀 챔버를 열어야 하는데 이런 경우 메인 챔버로 아르곤 가스가 투입된다.
본 장치는 아르곤 가스가 투입 될 때 다이렉트로 투입되기 때문에 분위기 흐름이 안정적이지 못하다. 아르곤 가스를 안정적으로 투입시켜 원활한 실리콘 단결정 잉곳을 성장 시킨다.
실리콘 단결정 잉곳을 성장 할 때 아르곤 가스가 풀 챔버로 투입된다. 이때 챔버 내부로 들어오는 라인 끝에 분사 형식으로 투입되는 필터를 설치하여 챔버 내부로 투입되는 아르곤 가스를 여과 및 분위기 흐름 제어를 한다.
본 장치는 단결정 실리콘 잉곳을 성장시킬 때 챔버 내부의 아르곤 가스를 여과하고 안정적인 분위기 흐름으로 제어하여 원활한 단결정 수율 향상을 도모할 수 있다.
챔버 내부의 아르곤 가스 라인 끝에 분사 형식의 필터를 설치한다. 필터는 원기둥의 그물망 모양으로 아르곤 가스 라인과 연결된 반대쪽 면은 막아서 옆면전체에 미세한 구멍으로 아르곤 가스를 투입되게 하여 안정적으로 아르곤 가스를 투입하여 분위기의 흐름을 제어할 수 있는 특징이 있다. 구멍은 1000마이크로미터로 여과기능의 역할도 할 수 있는 특징이 있다.
도 1) 아르곤 가스 분사 필터
도 2) 성장 장비의 구조 및 필터 사진
<도면에서 기호 설명 >
(1) 필터의 뒷면 (2) 필터의 측면
(3) 아르곤 가스 라인
(4) 아르곤 가스 라인에 설치된 필터

Claims (1)

  1. 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 결정성장에 있어 다이렉트로 투입되는 아르곤 가스 분위기 흐름을 제어하기 위한 분사 형식의 필터장치.
KR1020090057566A 2009-06-26 2009-06-26 아르곤가스의투입제어를위한여과장치 KR20110000174A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI812518B (zh) * 2022-07-13 2023-08-11 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 拉晶爐

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