KR20100131710A - Voltage generating circuit - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A voltage generating circuit is provided to generate high voltage of a certain voltage level by changing the period of a clock. CONSTITUTION: A first voltage generation unit(210) outputs a first voltage. A second voltage generation unit(240) outputs a second voltage. The second voltage is changed according to the variation of the external input power source. A clock generator(220) outputs a clock signal. The clock generator changes the period of the clock according to the input of the external power supply. A voltage pump(230) pumps high voltage according to the clock signal.

Description

전압 발생 회로{Voltage generating circuit}Voltage generating circuit

본 발명은 전압 발생 회로에 관한 것으로, 특히 입력전압 레벨에 따라 클럭주기를 제어하여 출력전압의 전류량을 조절할 수 있는 전압 발생회로에 관한 것이다.The present invention relates to a voltage generator circuit, and more particularly, to a voltage generator circuit that can adjust the amount of current in the output voltage by controlling the clock cycle in accordance with the input voltage level.

일반적으로, 메모리, IC 칩 등에서는 내부 장치들을 동작시키기 위하여 내부 클럭이 사용된다. 불휘발성 메모리 소자에서는 마크로 컨트롤러나 펌프 회로 등에서 내부 클럭이 사용된다. 이를 위해 기준 클럭을 발생하는 회로는 공정(Process), 전압(Voltage), 온도(Temperature) 등의 변화(PVT variation)가 생기면 주기가 크게 변할 수 있다.In general, an internal clock is used to operate internal devices in a memory, an IC chip, and the like. In nonvolatile memory devices, an internal clock is used in a macro controller or a pump circuit. To this end, a circuit that generates a reference clock may have a large cycle change when a PVT variation occurs in process, voltage, temperature, and the like.

특히 불휘발성 메모리 소자의 동작 전압을 생성하는 전압 생성 회로의 경우, 전압 펌프는 입력되는 클럭과 외부전원(VDD)에 의해서 고전압(VPP)을 생성한다. 따라서 외부에서 입력되는 외부전원(VDD)이 변동되면 펌프가 출력하는 고전압(VPP)도 변경된다. 불휘발성 메모리 소자와 같은 장치는 제대로 된 동작을 위해서 일정한 수준의 전압 공급이 필요하기 때문에 외부전원(VDD)의 변동에 의해서 고전압(VPP)이 변동되는 것은 동작의 오류를 가져올 수 있다.In particular, in the case of a voltage generation circuit that generates an operating voltage of the nonvolatile memory device, the voltage pump generates the high voltage VPP by the input clock and the external power supply VDD. Therefore, when the external power source VDD is changed from the outside, the high voltage VPP output by the pump is also changed. Since a device such as a nonvolatile memory device requires a constant voltage supply for proper operation, a change in the high voltage VPP due to a change in the external power supply VDD may cause an error in operation.

외부전원(VDD)의 변화 범위가 클수록 고전압(VPP)의 변화도 함께 커지게 되고, 외부전원이 낮아질수록 고전압의 공급능력이 작아져 불안정하게 출력된다.The larger the change range of the external power supply VDD is, the larger the change of the high voltage VPP is, and the lower the external power supply is, the lower the power supply capability of the high voltage is and thus the output is unstable.

도 1은 일반적인 전압 발생 회로를 나타낸다.1 shows a general voltage generator circuit.

도 1을 참조하면, 전압 발생 회로(100)는 전압 다운 컨버터(VDC; Voltage Down Converter)(110), 클럭 생성기(Oscillator; 120) 및 전압 펌프(Pump; 130)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the voltage generation circuit 100 includes a voltage down converter (VDC) 110, a clock generator 120, and a voltage pump 130.

전압 다운 컨버터(110)는 기준전압(Vref)과 입력전원(VDD)을 이용하여 내부 입력전원(VDC)을 생성하여 출력한다. 그리고 클럭 생성기(120)는 내부 입력전원(VDC)을 이용하여 클럭신호(CLK)를 생성한다.The voltage down converter 110 generates and outputs an internal input power VDC using the reference voltage Vref and the input power VDD. The clock generator 120 generates a clock signal CLK using an internal input power source VDC.

전압 펌프(130)는 입력전원(VDD)과 클럭신호(CLK)에 의해서 고전압(VPP)을 생성하여 출력한다.The voltage pump 130 generates and outputs a high voltage VPP by the input power supply VDD and the clock signal CLK.

상기 전압 다운 컨버터(110)는 입력전원(VDD)의 전압 레벨에 관계없이 일정한 내부 입력전원(VDC)을 생성한다. 그리고 내부 입력전원(VDC)을 이용하여 클럭 생성기(120)가 클럭신호(CLK)를 출력한다. 따라서 클럭신호(CLK)의 주기는 외부 입력전원(VDD)에 관계없이 일정하게 유지된다.The voltage down converter 110 generates a constant internal input power source VDC regardless of the voltage level of the input power source VDD. The clock generator 120 outputs the clock signal CLK using the internal input power source VDC. Therefore, the period of the clock signal CLK is kept constant regardless of the external input power source VDD.

클럭신호(CLK)를 이용하여 전압을 펌핑하는 전압 펌프(130)에서 출력하는 고전압(VPP)도 외부 입력전원(VDD)에 무관하게 일정한 전압 레벨로 유지되어야 한다.The high voltage VPP output from the voltage pump 130 pumping the voltage using the clock signal CLK should also be maintained at a constant voltage level regardless of the external input power source VDD.

이때 전압 펌프(130)가 출력하는 펌핑전류(Ivpp)도 일정하게 유지되어야 한다. 그러나 펌핑전류(Ivpp)는 외부 입력전압(VDD)에 의해 영향을 받는다. 따라서 외부의 입력전압(VDD)이 변경되면 펌핑전류(Ivpp)는 변동된다.At this time, the pumping current Ivpp output by the voltage pump 130 should also be kept constant. However, the pumping current Ivpp is affected by the external input voltage VDD. Therefore, when the external input voltage VDD is changed, the pumping current Ivpp is changed.

펌핑전류(Ivpp)가 변동되면 일정한 전류를 소모해야 하는 장치들이 오동작을 할 수 있다.If the pumping current (Ivpp) is changed, devices that must consume a constant current may malfunction.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 외부에서 입력되는 전압 레벨에 따라서 클럭주기를 변경하여 제공함으로써 일정한 고전압 전류를 생성하여 출력하는 전압 발생 회로를 제공하는데 있다.Accordingly, an aspect of the present invention is to provide a voltage generator circuit that generates and outputs a constant high voltage current by changing a clock period according to an externally input voltage level.

본 발명의 특징에 따른 전압 발생 회로는,Voltage generation circuit according to a feature of the invention,

제 1 전압을 출력하는 제 1 전압 발생부; 외부 입력전원의 변동에 따라 변경되는 제 2 전압을 출력하는 제 2 전압 발생부; 상기 제 1 및 제 2 전압에 의해 클럭신호를 출력하되, 상기 클럭신호의 주기를 상기 외부 입력전원에 따라 변경하는 클럭 생성기; 및 상기 클럭신호에 따라 고전압을 펌핑하여 출력하는 전압 펌프를 포함한다.A first voltage generator configured to output a first voltage; A second voltage generator configured to output a second voltage changed according to a change in an external input power source; A clock generator for outputting a clock signal by the first and second voltages, and changing a period of the clock signal according to the external input power source; And a voltage pump for pumping and outputting a high voltage according to the clock signal.

상기 제 1 전압 생성부는, 일정한 전압 레벨로 유지되는 제 1 기준전압을 생성하는 제 1 기준전압 생성부; 제 1 제어신호에 의해 상기 외부 입력전압을 분배하여 상기 제 1 전압과 제 1 피드백 전압을 출력하기 위한 제 1 및 제 2 저항그룹과, 상기 제 1 피드백 전압과 상기 제 1 기준전압을 비교하고, 그 비교결과에 따라 상기 제 1 제어신호를 출력하는 제 1 비교기를 포함한다.The first voltage generator includes: a first reference voltage generator configured to generate a first reference voltage maintained at a constant voltage level; Comparing the first and second resistance groups, the first feedback voltage and the first reference voltage to distribute the external input voltage by a first control signal to output the first voltage and the first feedback voltage, And a first comparator for outputting the first control signal according to the comparison result.

상기 제 2 전압 생성부는, 상기 외부 입력전압의 변동에 따라 전압 레벨이 변경되는 제 2 기준전압을 생성하기 위한 제 2 기준전압 생성부; 제 2 제어신호에 의해 상기 외부 입력전압을 분배하여 상기 제 2 전압과 제 2 피드백 전압을 출력하 기 위한 제 3 및 제 4 저항그룹과, 상기 제 2 피드백 전압과 상기 제 2 기준전압을 비교하고, 그 비교결과에 따라 상기 제 2 제어신호를 출력하는 제 2 비교기를 포함한다.The second voltage generator includes: a second reference voltage generator for generating a second reference voltage whose voltage level is changed according to a change in the external input voltage; Comparing the third and fourth resistance groups for dividing the external input voltage by a second control signal to output the second voltage and the second feedback voltage, and comparing the second feedback voltage and the second reference voltage. And a second comparator for outputting the second control signal according to the comparison result.

상기 클럭 발생기는, 상기 제 2 전압과 접지노드 사이에 연결되고, 제 3 제어신호를 반전하여 제 3 전압으로 출력하는 제 1 인버터; 상기 제 2 전압과 접지노드 사이에 연결되고, 제 4 제어신호를 반전하여 제 4 전압으로 출력하는 제 2 인버터; 상기 제 1 전압을 분배하여 제 3 기준전압을 생성하는 제 3 기준전압 생성부; 상기 제 3 전압과 상기 제 3 기준전압을 비교하여 그 결과에 따른 제 5 제어신호를 출력하는 제 3 비교기; 상기 제 4 전압과 상기 제 3 기준전압을 비교하여 그 결과에 따른 제 6 제어신호를 출력하는 제 4 비교기; 상기 제 5 및 제 6 제어신호에 의해 상기 제 3 및 제 4 제어신호를 출력하는 논리 연산부를 포함하고, 상기 제 3 제어신호를 반전하여 상기 클럭신호로 출력하는 것을 특징으로 한다.The clock generator may include: a first inverter connected between the second voltage and a ground node and inverting a third control signal to output a third voltage; A second inverter connected between the second voltage and a ground node and outputting a fourth voltage by inverting a fourth control signal; A third reference voltage generator configured to divide the first voltage to generate a third reference voltage; A third comparator comparing the third voltage with the third reference voltage and outputting a fifth control signal according to the result; A fourth comparator comparing the fourth voltage with the third reference voltage and outputting a sixth control signal according to the result; And a logic calculator configured to output the third and fourth control signals according to the fifth and sixth control signals, and invert the third control signal to output the clock signal.

상기 클럭신호는 상기 제 2 전압의 크기에 따라 주기가 변경되는 것을 특징으로 한다.The clock signal may be changed in cycle according to the magnitude of the second voltage.

상기 제 3 비교기의 출력단과 상기 외부 입력전원 입력단 사이에 연결되어 인에이블 신호에 의해 턴온 또는 턴 오프 되는 제 1 트랜지스터와, 상기 제 4 비교기의 출력단과 접지노드 사이에 연결되어 상기 인에이블 신호의 반전 신호에 의해 턴온 또는 턴 오프 되는 제 2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.A first transistor connected between an output terminal of the third comparator and the external input power input terminal and turned on or off by an enable signal; and an inversion of the enable signal connected between an output terminal of the fourth comparator and a ground node And a second transistor turned on or off by a signal.

상기 제 1 및 제 2 트랜지스터가 턴 온 상태에서 턴 오프 상태로 변경되면, 상기 클럭신호가 생성되는 것을 특징으로 한다.The clock signal is generated when the first and second transistors are turned from a turn on state to a turn off state.

상기 논리 연산부는 SR 래치 회로로 형태로 구성되는 것을 특징으로 한다.The logic operation unit is configured in the form of an SR latch circuit.

본 발명의 다른 특징에 따른 전압 발생 회로는,Voltage generation circuit according to another feature of the invention,

외부 입력전원에 따라 변경되는 제 1 전압과 접지노드 사이에 연결되고, 제 1 제어신호를 반전하여 제 1 전압으로 출력하는 제 1 인버터, 상기 제 1 전압과 접지노드 사이에 연결되고, 제 2 제어신호를 반전하여 제 2 전압으로 출력하는 제 2 인버터, 상기 외부 입력전원에 관계없이 일정한 전압 레벨을 유지하는 제 2 전압을 분배하여 기준전압을 생성하는 기준전압 생성부, 상기 제 1 전압과 상기 기준전압을 비교하여 그 결과에 따른 제 3 제어신호를 출력하는 제 1 비교기, 상기 제 2 전압과 상기 기준전압을 비교하여 그 결과에 따른 제 4 제어신호를 출력하는 제 2 비교기, 및 상기 제 3 및 제 4 제어신호에 의해 상기 제 1 및 제 2 제어신호를 출력하는 논리 연산부를 포함하고, 상기 제 1 제어신호를 반전하여 클럭신호로 출력하는 클럭 발생기; 및 상기 클럭신호로부터 입력되는 클럭신호에 의해 고전압을 생성하는 전압 펌프를 포함한다.A first inverter connected between a first voltage and a ground node changed according to an external input power source, a first inverter for inverting a first control signal and outputting the first voltage, a second inverter connected between the first voltage and a ground node, and a second control A second inverter for inverting the signal and outputting the second voltage; a reference voltage generator for generating a reference voltage by distributing a second voltage maintaining a constant voltage level regardless of the external input power; the first voltage and the reference A first comparator comparing the voltage and outputting a third control signal according to the result, a second comparator comparing the second voltage and the reference voltage and outputting a fourth control signal according to the result, and the third and A clock generator for outputting the first and second control signals by a fourth control signal, the clock generator inverting the first control signal and outputting the clock signal as a clock signal; And a voltage pump generating a high voltage by the clock signal input from the clock signal.

본 발명의 또 다른 특징에 따른 전압 발생 회로는,Voltage generation circuit according to another feature of the present invention,

일정한 전압 레벨을 갖는 제 1 기준전압과 외부 입력전원을 이용한 제 1 전압을 생성하는 제 1 전압 생성부; 상기 외부 입력전원의 변동에 따라 전압레벨이 변경되는 제 2 기준전압과 상기 외부 입력전원을 이용한 제 2 전압을 생성하는 제 1 전압 생성부; 상기 제 1 및 제 2 전압에 의해 클럭신호를 출력하되, 상기 클럭신호의 주기를 상기 외부 입력전원의 변동에 따라 변경하는 클럭 발생기; 및 상기 클럭신호에 따라 고전압을 펌핑하여 출력하는 전압 펌프를 포함한다.A first voltage generator configured to generate a first voltage using a first reference voltage having a constant voltage level and an external input power source; A first voltage generator configured to generate a second reference voltage whose voltage level is changed according to the change of the external input power and a second voltage using the external input power; A clock generator for outputting a clock signal by the first and second voltages and changing a cycle of the clock signal according to a change in the external input power; And a voltage pump for pumping and outputting a high voltage according to the clock signal.

상기 제 2 기준전압은 상기 외부 입력전원의 증가에 따라 일정한 기울기로 증가되는 것을 특징으로 한다.The second reference voltage may increase with a constant slope as the external input power increases.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 전압발생 회로는 외부에서 입력되는 전원에 따라서 클럭주기를 변경하여 펌프회로가 일정한 크기의 전압과 전류를 생성하여 출력하도록 함으로써 안정적인 동작전압을 공급할 수 있다.As described above, the voltage generation circuit according to the present invention can supply a stable operating voltage by changing the clock period in accordance with the power input from the outside so that the pump circuit generates and outputs a voltage and a current of a predetermined magnitude.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. It is provided to inform you.

도 2a는 본 발명의 실시 예에 따른 전압 발생 회로를 나타낸다.2A illustrates a voltage generation circuit according to an embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 전압 발생 회로(200)는 제 1 VDC(VDD Down Converter) 발생기(210), 제 2 전압 다운 컨버터(240), 클럭 생성기(220) 및 전압 펌프(230)를 포함한다.2A, the voltage generation circuit 200 according to an embodiment of the present invention includes a first VDD down converter (VDC) generator 210, a second voltage down converter 240, a clock generator 220, and a voltage pump. 230.

제 1 전압 다운 컨버터(210)는 기준전압과 외부에서 입력되는 입력전원(VDD)을 이용하여 일정한 레벨의 제 1 VDC 전압(VDC1)을 생성하여 출력한다. 제 2 전압 다운 컨버터(240)는 외부 입력전원(VDD)의 전압 레벨 변화에 따라서 변경되는 제 2 VDC 전압(VDC2)을 생성하여 출력한다.The first voltage down converter 210 generates and outputs a first VDC voltage VDC1 having a predetermined level using a reference voltage and an input power source VDD input from the outside. The second voltage down converter 240 generates and outputs a second VDC voltage VDC2 that is changed according to a change in the voltage level of the external input power source VDD.

클럭 생성기(220)는 인에이블 신호(en)에 따라 제 1 및 제 2 VDC 전압(VDC1, VDC2)을 이용하여 클럭신호(CLK)를 생성하고, 전압 펌프(230)는 클럭신호(CLK)에 의해서 고전압(VPP)을 생성하여 출력한다.The clock generator 220 generates a clock signal CLK by using the first and second VDC voltages VDC1 and VDC2 according to the enable signal en, and the voltage pump 230 is connected to the clock signal CLK. Generates and outputs a high voltage (VPP).

상기 제 1 전압 다운 컨버터(210)는 다음과 같이 구성된다.The first voltage down converter 210 is configured as follows.

도 2b는 도 2a의 제 1 전압 다운 컨버터를 나타낸다.FIG. 2B shows the first voltage down converter of FIG. 2A.

도 2b를 참조하면, 제 1 전압 다운 컨버터(210)는 기준전압 발생기(211), 제 1 비교기(COM1), 제 1 PMOS 트랜지스터(P1), 제 1 및 제 2 저항(R1, R2)을 포함한다.Referring to FIG. 2B, the first voltage down converter 210 includes a reference voltage generator 211, a first comparator COM1, a first PMOS transistor P1, and first and second resistors R1 and R2. do.

기준전압 발생기(211)는 제 1 기준전압(Vrefc)을 생성하여 출력한다. 제 1 비교기(COM1)는 제 1 기준전압(Vrefc)과 제 1 피드백 전압(Vf1)을 비교하여 그 결과를 출력한다.The reference voltage generator 211 generates and outputs a first reference voltage Vrefc. The first comparator COM1 compares the first reference voltage Vrefc with the first feedback voltage Vf1 and outputs the result.

상기 기준전압 발생기(211)는 밴드갭(Bandgap) 또는 위들러(Widlar) 제너레이터(Generator)와 같이 PVT(Process, Voltage, Temperature)에 일정하게 제 1 기준전압(Vrefc)을 출력한다.The reference voltage generator 211 constantly outputs the first reference voltage Vrefc to a process, voltage, and temperature (PVT), such as a bandgap or a Widlar generator.

제 1 비교기(COM1)의 반전 단자(-)에는 제 1 기준전압(Vrefc)이 입력되고, 제 1 비교기(COM2)의 비반전 단자(+)에는 제 1 피드백 전압(Vf1)이 입력된다.The first reference voltage Vrefc is input to the inverting terminal (-) of the first comparator COM1, and the first feedback voltage Vf1 is input to the non-inverting terminal + of the first comparator COM2.

제 1 PMOS 트랜지스터(P1)는 외부 입력전원(VDD)과 노드(K1)의 사이에 연결되고, 제 1 PMOS 트랜지스터(P1)의 게이트는 제 1 비교기(COM1)의 출력단과 연결된다.The first PMOS transistor P1 is connected between the external input power supply VDD and the node K1, and the gate of the first PMOS transistor P1 is connected to the output terminal of the first comparator COM1.

제 1 및 제 2 저항(R1, R2)은 노드(K1)와 접지노드 사이에 직렬로 연결된다. 상기 노드(K1)로부터 제 1 VDC 전압(VDC1)이 출력되고, 제 1 및 제 2 저항(R1, R2)이 연결되는 접점인 노드(K2)로부터 제 1 피드백 전압(Vf1)이 출력된다.The first and second resistors R1 and R2 are connected in series between the node K1 and the ground node. The first VDC voltage VDC1 is output from the node K1, and the first feedback voltage Vf1 is output from the node K2, which is a contact point to which the first and second resistors R1 and R2 are connected.

상기의 제 1 기준전압(Vrefc)이 외부 입력전원(VDD)과 무관하게 일정한 전압 레벨을 유지하므로, 제 1 전압 다운 컨버터(210)가 출력하는 제 1 VDC 전압(VDC1)은 외부 입력전원(VDD)과는 무관하게 일정한 전압 레벨을 유지한다.Since the first reference voltage Vrefc maintains a constant voltage level regardless of the external input power VDD, the first VDC voltage VDC1 output by the first voltage down converter 210 is the external input power VDD. Maintain a constant voltage level.

제 2 전압 다운 컨버터(240)는 다음과 같다.The second voltage down converter 240 is as follows.

도 2c는 도 2a의 제 2 전압 다운 컨버터를 나타낸다.FIG. 2C shows the second voltage down converter of FIG. 2A.

도 2c를 참조하면, 제 2 전압 다운 컨버터(240)는 제 3 내지 제 5 저항(R3 내지 R5), 제 1 및 제 2 NMOS 트랜지스터(N1, N2), 제 2 비교기(COM2) 및 제 2 PMOS 트랜지스터(P2)를 포함한다.Referring to FIG. 2C, the second voltage down converter 240 includes third to fifth resistors R3 to R5, first and second NMOS transistors N1 and N2, a second comparator COM2, and a second PMOS. Transistor P2.

제 3 저항(R3)과 제 1 및 제 2 NMOS 트랜지스터(N1, N2)는 외부 입력전원(VDD)과 접지노드 사이에 직렬로 연결된다. 제 3 저항(R3)과 제 1 NMOS 트랜지스터(N1)의 접점인 노드(K3)로부터 제 2 기준전압(Vref_c)이 출력된다. 제 2 기준전압(Vref_c)은 외부 입력전원(VDD)에 의해서 변경되는 전압이다.The third resistor R3 and the first and second NMOS transistors N1 and N2 are connected in series between an external input power source VDD and a ground node. The second reference voltage Vref_c is output from the node K3, which is a contact point of the third resistor R3 and the first NMOS transistor N1. The second reference voltage Vref_c is a voltage changed by the external input power supply VDD.

상기 제 3 저항(R3)과 제 1 및 제 2 NMOS 트랜지스터(N1, N2)는 제 2 기준전압(Vref_C)을 외부 입력전원(VDD)의 증가에 따라 일정한 기울기로 증가하도록 만든다.The third resistor R3 and the first and second NMOS transistors N1 and N2 cause the second reference voltage Vref_C to increase with a constant slope as the external input power source VDD increases.

제 1 및 제 2 NMOS 트랜지스터(N1, N2)는 다이오드형태로 연결된다.The first and second NMOS transistors N1 and N2 are connected in a diode form.

제 2 비교기(COM2)는 제 2 기준전압(Vref_c)과 제 2 피드백 전압(Vf2)을 비교하여 그 결과에 따른 제어신호를 출력한다. 제 2 비교기(COM2)의 반전 단자(-)에 는 제 2 기준전압(Vref_c)이 입력되고, 제 2 비교기(COM2)의 비반전 단자(+)에는 제 2 피드백 전압(Vf2)이 입력된다.The second comparator COM2 compares the second reference voltage Vref_c with the second feedback voltage Vf2 and outputs a control signal according to the result. The second reference voltage Vref_c is input to the inverting terminal (-) of the second comparator COM2, and the second feedback voltage Vf2 is input to the non-inverting terminal + of the second comparator COM2.

제 2 PMOS 트랜지스터(P2)는 외부 입력전원(VDD)과 노드(K4)사이에 연결되고, 제 2 PMOS 트랜지스터(P2)의 게이트는 제 2 비교기(COM2)의 출력단에 된다.The second PMOS transistor P2 is connected between the external input power source VDD and the node K4, and the gate of the second PMOS transistor P2 is at the output terminal of the second comparator COM2.

그리고 제 4 및 제 5 저항(R4, R5)은 노드(K4)와 접지노드 사이에 직렬로 연결된다. 노드(K4)로부터 제 2 VDC 전압(VDC2)이 출력되고, 제 4 저항(R4)과 제 5 저항(R5)의 접점인 노드(K5)로부터 제 2 피드백 전압(Vf2)이 출력된다.The fourth and fifth resistors R4 and R5 are connected in series between the node K4 and the ground node. The second VDC voltage VDC2 is output from the node K4, and the second feedback voltage Vf2 is output from the node K5, which is a contact point of the fourth resistor R4 and the fifth resistor R5.

상기 제 2 기준전압(Vref_c)이 외부 입력전원(VDD)에 의해 변경되기 때문에, 상기 제 2 전압 다운 컨버터(240)가 출력하는 제 2 VDC 전압(VDC2)은 외부 입력전원(VDD)에 따라 변경된다.Since the second reference voltage Vref_c is changed by the external input power VDD, the second VDC voltage VDC2 output by the second voltage down converter 240 is changed according to the external input power VDD. do.

도 2d는 제 1 및 제 2 전압 다운 컨버터의 출력전압을 비교한 도면이다.2D is a diagram comparing output voltages of the first and second voltage down converters.

도 2d를 참조하면, 외부 입력전원(VDD)에 따라서 제 2 기준전압(Vref_c)과 제 2 VDC 전압(VDC2)이 변경되는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 2D, it can be seen that the second reference voltage Vref_c and the second VDC voltage VDC2 are changed according to the external input power source VDD.

상기 제 1 및 제 2 VDC 전압(VDC1, VDC2)에 의해 클럭신호(CLK)를 출력하는 클럭 생성기(220)는 다음과 같이 구성된다.The clock generator 220 for outputting the clock signal CLK by the first and second VDC voltages VDC1 and VDC2 is configured as follows.

도 2e는 도 2a의 클럭 생성기를 나타낸다.FIG. 2E shows the clock generator of FIG. 2A.

도 2e를 참조하면, 클럭 생성기(220)는 제 1 및 제 2 전압 생성부(221, 222), 기준전압 생성부(223), 제 3 및 제 4 비교기(COM3, COM4), SR 래치부(224), 제 1 인버터(IN1), 제 5 PMOS 트랜지스터(P5) 및 제 5 NMOS 트랜지스터(N5)를 포함한다.Referring to FIG. 2E, the clock generator 220 may include first and second voltage generators 221 and 222, a reference voltage generator 223, third and fourth comparators COM3 and COM4, and an SR latch unit ( 224, a first inverter IN1, a fifth PMOS transistor P5, and a fifth NMOS transistor N5.

제 1 전압 생성부(221)와 제 2 전압 생성부(222)는 제 2 VDC 전압(VDC2)과 저항 및 커패시터의 값에 따라 각각 제 1 및 제 2 전압(V1, V2)을 생성하여 출력한다. 그리고 기준전압 생성부(223)는 저항비에 의해 제 1 VDC 전압(VDC1)을 분배하여 기준전압(Vref)을 생성한다.The first voltage generator 221 and the second voltage generator 222 generate and output first and second voltages V1 and V2 according to the values of the second VDC voltage VDC2 and the resistance and the capacitor, respectively. . The reference voltage generator 223 distributes the first VDC voltage VDC1 by the resistance ratio to generate the reference voltage Vref.

제 3 및 제 4 비교기(COM3, COM4)는 각각 제 1 전압(V1)과 기준전압(Vref), 제 2 전압(V2)과 기준전압(Vref)을 비교하여 그 결과에 따라 제 1 및 제 2 출력전압(Vout1, Vout2)을 각각 출력한다.The third and fourth comparators COM3 and COM4 compare the first voltage V1 and the reference voltage Vref, and the second voltage V2 and the reference voltage Vref, respectively. Output voltages Vout1 and Vout2 are output respectively.

그리고 SR 래치부(224)는 제 1 및 제 2 출력전압(Vout1, Vout2)을 래치하여 제 1 및 제 2 출력(Q, /Q)으로 출력한다. 제 1 출력(Q)은 제 1 인버터(IN1)에 의해서 반전되어 출력된다. 제 1 인버터(IN1)의 출력신호가 클럭신호(CLK)이다.The SR latch unit 224 latches the first and second output voltages Vout1 and Vout2 and outputs them to the first and second outputs Q and / Q. The first output Q is inverted and output by the first inverter IN1. The output signal of the first inverter IN1 is the clock signal CLK.

제 5 PMOS 트랜지스터(P5)와 제 5 NMOS 트랜지스터(N5)는 인에이블 신호(en)와 인에이블 반전 신호(enb)에 의해 각각 클럭발생을 인에이블 시키는 역할을 한다.The fifth PMOS transistor P5 and the fifth NMOS transistor N5 serve to enable clock generation by the enable signal en and the enable inversion signal enb, respectively.

제 1 전압 생성부(221)는 제 3 PMOS 트랜지스터(P3), 제 3 NMOS 트랜지스터(N3), 제 6 저항(R6) 및 제 1 커패시터(C1)를 포함하고, 제 2 전압 생성부(222)는 제 4 PMOS 트랜지스터(P4), 제 4 NMOS 트랜지스터(N4), 제 7 저항(R7) 및 제 2 커패시터(C2)를 포함한다.The first voltage generator 221 includes a third PMOS transistor P3, a third NMOS transistor N3, a sixth resistor R6, and a first capacitor C1, and the second voltage generator 222. Includes a fourth PMOS transistor P4, a fourth NMOS transistor N4, a seventh resistor R7, and a second capacitor C2.

기준전압 생성부(223)는 제 8 및 제 9 저항(R8, R9)을 포함한다. 그리고 SR 래치부(224)는 제 1 및 제 2 NAND 게이트(NA1, NA2)를 포함한다.The reference voltage generator 223 includes eighth and ninth resistors R8 and R9. The SR latch unit 224 includes first and second NAND gates NA1 and NA2.

제 3 PMOS 트랜지스터(P3)와 제 6 저항(R6) 및 제 3 NMOS 트랜지스터(N6)는 제 2 VDC 전압(VDC2)의 입력단과 접지노드 사이에 직렬로 연결되고, 제 3 PMOS 트랜지스터(P3)와 제 3 NMOS 트랜지스터(N3)의 게이트에는 제 1 출력(Q)이 입력된다. The third PMOS transistor P3, the sixth resistor R6, and the third NMOS transistor N6 are connected in series between an input terminal of the second VDC voltage VDC2 and a ground node, and are connected to the third PMOS transistor P3. The first output Q is input to the gate of the third NMOS transistor N3.

제 3 PMOS 트랜지스터(P3)와 제 6 저항(R6)의 접점인 노드(K6)에서 제 1 전압(V1)이 출력된다.The first voltage V1 is output from the node K6, which is a contact point of the third PMOS transistor P3 and the sixth resistor R6.

제 1 커패시터(C1)는 노드(K6)와 접지노드 사이에 연결된다. 노드(K6)는 제 3 비교기(COM3)의 반전 단자(-)에 연결된다.The first capacitor C1 is connected between the node K6 and the ground node. The node K6 is connected to the inverting terminal (−) of the third comparator COM3.

제 4 PMOS 트랜지스터(P4)와 제 7 저항(R7) 및 제 4 NMOS 트랜지스터(N4)는 제 2 VDC 전압(VDC2) 입력단과 접지노드 사이에 직렬로 연결되고, 제 4 PMOS 트랜지스터(P4)와 제 4 NMOS 트랜지스터(N4)의 게이트에는 제 2 출력(/Q)이 입력된다.The fourth PMOS transistor P4 and the seventh resistor R7 and the fourth NMOS transistor N4 are connected in series between the input terminal of the second VDC voltage VDC2 and the ground node, and the fourth PMOS transistor P4 and the fourth PMOS transistor P4 are connected in series. The second output / Q is input to the gate of the 4 NMOS transistor N4.

제 4 PMOS 트랜지스터(P4)와 제 7 저항(R7)의 접점인 노드(K7)에서 제 2 전압(V2)이 출력된다. The second voltage V2 is output at the node K7 which is a contact point of the fourth PMOS transistor P4 and the seventh resistor R7.

제 2 커패시터(C2)는 노드(K7)와 접지노드 사이에 연결된다. 그리고 노드(K7)는 제 4 비교기(COM4)의 반전 단자(-)에 연결된다.The second capacitor C2 is connected between the node K7 and the ground node. The node K7 is connected to the inverting terminal (−) of the fourth comparator COM4.

제 8 및 제 9 저항(R8, R9)은 제 1 VDC 전압(VDC1) 입력단과 접지노드 사이에 연결된다. 제 8 저항(R8)과 제 9 저항(R9)의 접점인 노드(K8)에서 기준전압(Vref)이 출력된다. 노드(K8)는 제 3 및 제 4 비교기(COM3, COM4)의 비반전 단자(+)에 연결된다.The eighth and ninth resistors R8 and R9 are connected between the input terminal of the first VDC voltage VDC1 and the ground node. The reference voltage Vref is output from the node K8, which is a contact point of the eighth resistor R8 and the ninth resistor R9. The node K8 is connected to the non-inverting terminal + of the third and fourth comparators COM3 and COM4.

제 3 비교기(COM3)의 출력단인 노드(K9)에서 제 1 출력전압(Vout1)이 출력되고, 제 4 비교기(COM4)의 출력단인 노드(K10)에서 제 2 출력전압(Vout2)이 출력된다.The first output voltage Vout1 is output from the node K9 that is the output terminal of the third comparator COM3, and the second output voltage Vout2 is output from the node K10 that is the output terminal of the fourth comparator COM4.

제 5 PMOS 트랜지스터(P5)는 외부 입력전원(VDD)의 입력단과 노드(K9)의 사이에 연결되고, 제 5 NMOS 트랜지스터(N5)는 노드(K10)와 접지노드 사이에 연결된다.The fifth PMOS transistor P5 is connected between the input terminal of the external input power supply VDD and the node K9, and the fifth NMOS transistor N5 is connected between the node K10 and the ground node.

제 5 PMOS 트랜지스터(P5)의 게이트에는 인에이블 신호(en)가 입력되고, 제 5 NMOS 트랜지스터(N5)의 게이트에는 인에이블 반전 신호(enb)가 입력된다.The enable signal en is input to the gate of the fifth PMOS transistor P5, and the enable inversion signal enb is input to the gate of the fifth NMOS transistor N5.

노드(K9)는 제 1 NAND 게이트(NA1)의 한쪽 입력단으로 연결되고, 노드(K10)는 제 2 NAND 게이트(NA2)의 한쪽 입력단으로 연결된다. The node K9 is connected to one input terminal of the first NAND gate NA1, and the node K10 is connected to one input terminal of the second NAND gate NA2.

그리고 제 1 NAND 게이트(NA1)의 다른 쪽 입력단은 제 2 NAND 게이트(NA2)의 출력단과 연결되고, 제 2 NAND 게이트(NA2)의 다른 쪽 입력단은 제 1 NAND 게이트(NA1)의 출력단과 연결된다.The other input terminal of the first NAND gate NA1 is connected to the output terminal of the second NAND gate NA2, and the other input terminal of the second NAND gate NA2 is connected to the output terminal of the first NAND gate NA1. .

제 1 NAND 게이트(NA1)의 출력신호가 제 1 출력(Q)이고, 제 2 NAND 게이트(NA2)의 출력신호가 제 2 출력(/Q)이다.The output signal of the first NAND gate NA1 is the first output Q, and the output signal of the second NAND gate NA2 is the second output / Q.

상기의 클럭 생성기(220)의 동작은 다음과 같다.The operation of the clock generator 220 is as follows.

인에이블 신호(en)가 로우 레벨로 입력되면 제 5 PMOS 트랜지스터(P5)와 제 5 NMOS 트랜지스터(N5)가 턴온 되므로 제 1 및 제 2 출력(Q, /Q)이 일정하게 유지되어 클럭신호(CLK)가 생성되지 않는다.When the enable signal en is input at a low level, since the fifth PMOS transistor P5 and the fifth NMOS transistor N5 are turned on, the first and second outputs Q and / Q are kept constant so that the clock signal ( CLK) is not generated.

그리고 인에이블 신호(en)가 하이 레벨이 되어 제 5 PMOS 트랜지스터(P5)와 제 5 NMOS 트랜지스터(N5)가 턴 오프 된다. 이때 노드(K9)는 하이 레벨 상태이고, 노드(K10)는 로우 레벨 상태이다.The enable signal en becomes high and the fifth PMOS transistor P5 and the fifth NMOS transistor N5 are turned off. At this time, the node K9 is in a high level state, and the node K10 is in a low level state.

NAND 연산은 두 개의 입력중 어느 하나가 로우 레벨이면 다른 입력값에 상관 없이 하이 신호를 출력한다. 따라서 제 2 NAND 게이트(NA2)의 출력은 로우 레벨이다. 따라서 제 2 출력(/Q)은 로우 레벨이 된다.The NAND operation outputs a high signal regardless of the other input value if either input is low level. Therefore, the output of the second NAND gate NA2 is at a low level. Therefore, the second output / Q is at the low level.

그리고 제 1 NAND 게이트(NA1)는 하이 레벨의 노드(K9)와 로우 레벨의 제 2 출력(/Q)에 의해서 하이 레벨을 출력한다. 따라서 제 1 출력(Q)은 하이 레벨이 된다. 또한 제 2 NAND 게이트(NA2)는 제 1 출력(Q)이 하이 레벨로 변경됨에 따라 제 2 출력(/Q)을 로우 레벨로 변경하여 출력한다.The first NAND gate NA1 outputs a high level by the node K9 of the high level and the second output / Q of the low level. Therefore, the first output Q is at a high level. In addition, the second NAND gate NA2 changes the second output / Q to a low level and outputs the output as the first output Q is changed to a high level.

이에 따라 제 1 전압 발생부(221)는 로우 레벨의 제 1 전압(V1)을 출력하고, 제 2 전압 발생부(222)는 하이 레벨의 제 2 전압(V2)을 출력한다.Accordingly, the first voltage generator 221 outputs the low level first voltage V1, and the second voltage generator 222 outputs the high level second voltage V2.

제 1 및 제 2 전압 생성부(231, 232)와 기준전압 생성부(233)의 회로 구성에 의해서 제 1 및 제 2 전압(V1, V2)은 외부 입력전원(VDD)에 의해 영향을 받고, 기준전압(Vref)은 외부 입력전원(VDD)에 영향을 받지 않는 일정한 전압 레벨이다.The first and second voltages V1 and V2 are affected by the external input power supply VDD by the circuit configurations of the first and second voltage generators 231 and 232 and the reference voltage generator 233. The reference voltage Vref is a constant voltage level that is not affected by the external input power supply VDD.

그리고 저항과 커패시터의 지연값에 의해서 제 1 및 제 2 전압(V1, V2)이 변경된다. The first and second voltages V1 and V2 are changed by delay values of the resistor and the capacitor.

상기 제 1 전압(V1)은 기준전압(Vref)보다 낮고, 제 2 전압(V2)은 기준전압(Vref)보다 높다. 따라서 제 3 비교기(COM3)는 로우 레벨 신호를 출력하고, 제 4 비교기(COM4)는 하이 레벨 신호를 출력한다.The first voltage V1 is lower than the reference voltage Vref and the second voltage V2 is higher than the reference voltage Vref. Accordingly, the third comparator COM3 outputs a low level signal, and the fourth comparator COM4 outputs a high level signal.

이에 따라서 제 1 NAND 게이트(NA1)는 출력신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변경된다. 그리고 제 2 NAND 게이트(NA1)는 로우 레벨에서 하이 레벨의 신호를 출력한다. 이러한 동작이 연속되면서 제 1 출력(Q)이 하이 레벨과 로우 레벨로 변경되어 클럭신호(CLK)가 생성된다.Accordingly, the output signal of the first NAND gate NA1 is changed from the high level to the low level. The second NAND gate NA1 outputs a high level signal at a low level. As the operation continues, the first output Q is changed to a high level and a low level to generate a clock signal CLK.

이때 제 1 및 제 2 전압(V1, V2)이 외부 입력전원(VDD)에 의해서 변경되는 제 2 VDC 전압(VDC2)에 의해 변경되므로 클럭신호(CLK)도 외부 입력전원(VDD)에 의해 변경된다.At this time, since the first and second voltages V1 and V2 are changed by the second VDC voltage VDC2 changed by the external input power VDD, the clock signal CLK is also changed by the external input power VDD. .

즉, 외부 입력전원(VDD)이 높아지면 클럭신호(CLK)의 주기가 증가되고, 외부 입력전원(VDD)이 낮아지면 클럭신호(CLK)의 주기가 감소된다.That is, the period of the clock signal CLK increases when the external input power supply VDD increases, and the period of the clock signal CLK decreases when the external input power supply VDD decreases.

이에 따라서 전압 펌프(230)는 동일한 전압 레벨의 고전압(VPP)을 생성하면서, 외부 입력전원(VDD)이 커지면 클럭신호(CLK)의 주기가 증가되어 펌핑동작이 느려지므로 전류가 작아진다.Accordingly, the voltage pump 230 generates the high voltage VPP having the same voltage level, and when the external input power supply VDD increases, the period of the clock signal CLK increases, so that the pumping operation is slowed down, thereby decreasing the current.

그리고 외부 입력전원(VDD)이 작아지면 클럭신호(CLK)의 주기가 감소되어 펌핑동작이 빨라져서 전류가 커진다. 따라서 전압 펌프(230)에서 출력되는 전류가 외부 입력전원(VDD)의 변동에 따라서 제어되어 내부 전원을 공급할 때 안정적으로 전류량을 제공할 수 있다.When the external input power supply VDD is reduced, the period of the clock signal CLK is reduced, so that the pumping operation is faster, and the current is increased. Therefore, the current output from the voltage pump 230 is controlled according to the variation of the external input power VDD, thereby stably providing the amount of current when supplying the internal power.

상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시 예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시 예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention described above has been described in detail in a preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, it will be understood by those skilled in the art that various embodiments of the present invention are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

도 1은 일반적인 전압 발생 회로를 나타낸다.1 shows a general voltage generator circuit.

도 2a는 본 발명의 실시 예에 따른 전압 발생 회로를 나타낸다.2A illustrates a voltage generation circuit according to an embodiment of the present invention.

도 2b는 도 2a의 제 1 전압 다운 컨버터를 나타낸다.FIG. 2B shows the first voltage down converter of FIG. 2A.

도 2c는 도 2a의 제 2 전압 다운 컨버터를 나타낸다.FIG. 2C shows the second voltage down converter of FIG. 2A.

도 2d는 제 1 및 제 2 전압 다운 컨버터의 출력전압을 비교한 도면이다.2D is a diagram comparing output voltages of the first and second voltage down converters.

도 2e는 도 2a의 클럭 생성기를 나타낸다.FIG. 2E shows the clock generator of FIG. 2A.

*도면의 주요 부분의 간단한 설명** Brief description of the main parts of the drawings *

210 : 제 1 전압 다운 컨버터 220 : 클럭 생성기210: first voltage down converter 220: clock generator

230 : 전압 펌프 240 : 제 2 전압 다운 컨버터230: voltage pump 240: second voltage down converter

Claims (11)

제 1 전압을 출력하는 제 1 전압 발생부;A first voltage generator configured to output a first voltage; 외부 입력전원의 변동에 따라 변경되는 제 2 전압을 출력하는 제 2 전압 발생부;A second voltage generator configured to output a second voltage changed according to a change in an external input power source; 상기 제 1 및 제 2 전압에 의해 클럭신호를 출력하되, 상기 클럭신호의 주기를 상기 외부 입력전원에 따라 변경하는 클럭 생성기; 및A clock generator for outputting a clock signal by the first and second voltages, and changing a period of the clock signal according to the external input power source; And 상기 클럭신호에 따라 고전압을 펌핑하여 출력하는 전압 펌프A voltage pump that pumps and outputs a high voltage according to the clock signal 를 포함하는 전압 발생 회로.Voltage generation circuit comprising a. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 전압 생성부는,The first voltage generator, 일정한 전압 레벨로 유지되는 제 1 기준전압을 생성하는 제 1 기준전압 생성부;A first reference voltage generator configured to generate a first reference voltage maintained at a constant voltage level; 제 1 제어신호에 의해 상기 외부 입력전압을 분배하여 상기 제 1 전압과 제 1 피드백 전압을 출력하기 위한 제 1 및 제 2 저항그룹과,First and second resistance groups for distributing the external input voltage by a first control signal to output the first voltage and the first feedback voltage; 상기 제 1 피드백 전압과 상기 제 1 기준전압을 비교하고, 그 비교결과에 따라 상기 제 1 제어신호를 출력하는 제 1 비교기를 포함하는 전압 발생 회로.And a first comparator comparing the first feedback voltage with the first reference voltage and outputting the first control signal according to the comparison result. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 제 2 전압 생성부는,The second voltage generator, 상기 외부 입력전압의 변동에 따라 전압 레벨이 변경되는 제 2 기준전압을 생성하기 위한 제 2 기준전압 생성부;A second reference voltage generator configured to generate a second reference voltage whose voltage level is changed in response to a change in the external input voltage; 제 2 제어신호에 의해 상기 외부 입력전압을 분배하여 상기 제 2 전압과 제 2 피드백 전압을 출력하기 위한 제 3 및 제 4 저항그룹과,Third and fourth resistance groups for dividing the external input voltage by a second control signal to output the second voltage and the second feedback voltage; 상기 제 2 피드백 전압과 상기 제 2 기준전압을 비교하고, 그 비교결과에 따라 상기 제 2 제어신호를 출력하는 제 2 비교기를 포함하는 전압 발생 회로.And a second comparator comparing the second feedback voltage with the second reference voltage and outputting the second control signal according to the comparison result. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 클럭 발생기는,The clock generator, 상기 제 2 전압과 접지노드 사이에 연결되고, 제 3 제어신호를 반전하여 제 3 전압으로 출력하는 제 1 인버터;A first inverter connected between the second voltage and a ground node and outputting a third voltage by inverting a third control signal; 상기 제 2 전압과 접지노드 사이에 연결되고, 제 4 제어신호를 반전하여 제 4 전압으로 출력하는 제 2 인버터;A second inverter connected between the second voltage and a ground node and outputting a fourth voltage by inverting a fourth control signal; 상기 제 1 전압을 분배하여 제 3 기준전압을 생성하는 제 3 기준전압 생성부;A third reference voltage generator configured to divide the first voltage to generate a third reference voltage; 상기 제 3 전압과 상기 제 3 기준전압을 비교하여 그 결과에 따른 제 5 제어신호를 출력하는 제 3 비교기;A third comparator comparing the third voltage with the third reference voltage and outputting a fifth control signal according to the result; 상기 제 4 전압과 상기 제 3 기준전압을 비교하여 그 결과에 따른 제 6 제어신호를 출력하는 제 4 비교기;A fourth comparator comparing the fourth voltage with the third reference voltage and outputting a sixth control signal according to the result; 상기 제 5 및 제 6 제어신호에 의해 상기 제 3 및 제 4 제어신호를 출력하는 논리 연산부를 포함하고,A logic calculator configured to output the third and fourth control signals according to the fifth and sixth control signals, 상기 제 3 제어신호를 반전하여 상기 클럭신호로 출력하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.And inverting the third control signal to output the clock signal. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 클럭신호는 상기 제 2 전압의 크기에 따라 주기가 변경되는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.The clock signal generator, characterized in that the cycle is changed in accordance with the magnitude of the second voltage. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 3 비교기의 출력단과 상기 외부 입력전원 입력단 사이에 연결되어 인에이블 신호에 의해 턴온 또는 턴 오프 되는 제 1 트랜지스터와,A first transistor connected between an output terminal of the third comparator and the external input power input terminal and turned on or off by an enable signal; 상기 제 4 비교기의 출력단과 접지노드 사이에 연결되어 상기 인에이블 신호의 반전 신호에 의해 턴온 또는 턴 오프 되는 제 2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생회로.And a second transistor connected between an output terminal of the fourth comparator and a ground node, the second transistor being turned on or off by an inversion signal of the enable signal. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터가 턴 온 상태에서 턴 오프 상태로 변경되면, 상기 클럭신호가 생성되는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.And the clock signal is generated when the first and second transistors are turned from a turn on state to a turn off state. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 논리 연산부는 SR 래치 회로로 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.And the logic operation unit is configured in the form of an SR latch circuit. 외부 입력전원에 따라 변경되는 제 1 전압과 접지노드 사이에 연결되고, 제 1 제어신호를 반전하여 제 1 전압으로 출력하는 제 1 인버터, A first inverter connected between the first voltage and the ground node changed according to an external input power, and inverting the first control signal to output the first voltage; 상기 제 1 전압과 접지노드 사이에 연결되고, 제 2 제어신호를 반전하여 제 2 전압으로 출력하는 제 2 인버터,A second inverter connected between the first voltage and a ground node and inverting a second control signal to output a second voltage; 상기 외부 입력전원에 관계없이 일정한 전압 레벨을 유지하는 제 2 전압을 분배하여 기준전압을 생성하는 기준전압 생성부,A reference voltage generator for distributing a second voltage maintaining a constant voltage level regardless of the external input power to generate a reference voltage; 상기 제 1 전압과 상기 기준전압을 비교하여 그 결과에 따른 제 3 제어신호를 출력하는 제 1 비교기,A first comparator comparing the first voltage with the reference voltage and outputting a third control signal according to the result; 상기 제 2 전압과 상기 기준전압을 비교하여 그 결과에 따른 제 4 제어신호를 출력하는 제 2 비교기, 및A second comparator comparing the second voltage with the reference voltage and outputting a fourth control signal according to the result; 상기 제 3 및 제 4 제어신호에 의해 상기 제 1 및 제 2 제어신호를 출력하는 논리 연산부를 포함하고, 상기 제 1 제어신호를 반전하여 클럭신호로 출력하는 클럭 발생기; 및A clock generator for outputting the first and second control signals according to the third and fourth control signals, and inverting the first control signal to output the clock signal as a clock signal; And 상기 클럭신호로부터 입력되는 클럭신호에 의해 고전압을 생성하는 전압 펌프를 포함하는 전압 발생 회로.And a voltage pump generating a high voltage by the clock signal inputted from the clock signal. 일정한 전압 레벨을 갖는 제 1 기준전압과 외부 입력전원을 이용한 제 1 전압을 생성하는 제 1 전압 생성부;A first voltage generator configured to generate a first voltage using a first reference voltage having a constant voltage level and an external input power source; 상기 외부 입력전원의 변동에 따라 전압레벨이 변경되는 제 2 기준전압과 상기 외부 입력전원을 이용한 제 2 전압을 생성하는 제 1 전압 생성부;A first voltage generator configured to generate a second reference voltage whose voltage level is changed according to the change of the external input power and a second voltage using the external input power; 상기 제 1 및 제 2 전압에 의해 클럭신호를 출력하되, 상기 클럭신호의 주기를 상기 외부 입력전원의 변동에 따라 변경하는 클럭 발생기; 및A clock generator for outputting a clock signal by the first and second voltages and changing a cycle of the clock signal according to a change in the external input power; And 상기 클럭신호에 따라 고전압을 펌핑하여 출력하는 전압 펌프A voltage pump that pumps and outputs a high voltage according to the clock signal 를 포함하는 전압 발생 회로.Voltage generation circuit comprising a. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 2 기준전압은 상기 외부 입력전원의 증가에 따라 일정한 기울기로 증가되는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.And the second reference voltage increases with a constant slope as the external input power increases.
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