KR20100125733A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 기판 처리 장치에는 공정챔버의 내측면을 따라 보호필름이 제공된다. 공정챔버의 내부공간은 보호필름에 의해 형성되는 제1공간과 공정챔버의 내측면과 보호필름 사이의 제2공간으로 분리된다. 보호필름의 재질은 내식성이 강한 합성수지가 사용되며, 약액과 공정챔버의 내측면이 반응하는 것을 방지한다. 제2공간의 압력은 압력조절부재에 의하여 제1공간의 압력보다 작거나 같게 조절되므로, 공정이 진행되는 동안 제1공간의 크기는 감소되지 않는다.
Figure P1020090044579
공정챔버, 기판, 식각, 보호필름, 약액

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 반도체 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 대한 식각공정을 수행하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한것이다.
일반적인 반도체 제조 공정은 기판상에 세정, 도포, 증착, 현상, 이온주입, 화학적 기계적평탄화, 그리고 식각 등의 처리 공정들을 포함한다. 이러한 처리 공정들 중 식각 공정은 기판에 회로 패턴을 형성하기 위하여 불필요한 부분을 선택적으로 제거하는 공정이다.
통상의 식각공정은 기판에 약액을 공급하여 기판 표면의 불필요한 부분을 선택적으로 제거한 후, 세정액을 공급하여 기판 표면에 잔류하는 약액 및 반응부산물을 세정하고, 세정된 기판에 건조가스를 제공하여 기판을 건조시키는 공정이 순차적으로 진행된다.
일반적으로 식각공정에 사용되는 공정챔버는 고압에 잘 견디는 금속재질로 이루어지며, 약액으로부터 내측면이 부식되는 것을 방지하기 위하여 합성수지 재질의 보호필름이 내측면을 따라 코팅(coating)된다. 그리고, 식각공정에 사용된 약액 이 배기 또는 배출되는 경우, 공정챔버의 내부공간에는 대기압보다 낮은 압력(이하, '음압'이라고 한다.)이 형성된다.
공정챔버의 내부공간에 음압이 형성되는 경우, 공정챔버의 내측면과 보호필름의 접합이 떨어져 보호필름이 변형될 위험이 있다. 보호필름이 변형되면, 보호필름과 기판이 접촉하여 기판을 손상시킬 수 있으며, 기판의 전체면에 약액의 균일한 제공이 어렵게 된다. 또한, 보호필름이 변형된 부분으로 약액이 공급되어, 공정챔버의 내측면이 약액과 화학반응하게 되며, 이는 공정챔버의 수명을 단축시키고, 화학반응에서 발생한 반응부산물은 기판으로 유입되어 기판을 오염시키는 요인이 된다.
본 발명의 목적은 기판의 전체면을 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 목적은 공정이 진행되는 동안 공정챔버의 내측면을 따라 제공된 보호필름의 변형을 예방할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 목적은 기판의 오염발생을 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 목적은 공정챔버의 수명을 증가시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들을 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부공간을 가지는 공정챔버; 상기 공정챔버의 내측면을 따라 제공된 보호필름; 상기 보호필름에 의해 형성되는 제1공간의 압력과 상기 공정챔버의 내측면과 상기 보호필름 사이의 제2공간의 압력을 조절하는 압력조절부재; 및 상기 제1공간에 위치하며, 기판을 지지하는 기판지지부재를 포함한다.
상기 보호필름의 재질은 상기 공정챔버의 내측면의 재질에 비하여 내식성이 강하다. 실시예에 의하면, 상기 보호필름의 재질은 합성수지이다.
상기 압력조절부재는 진공펌프; 상기 진공펌프와 상기 제1공간을 연결하는 제1진공라인; 및 상기 진공펌프와 상기 제2공간을 연결하는 제2진공라인을 포함한다.
상기 공정챔버의 일측벽에는 상기 제1공간으로 약액이 공급되는 공급통로가 형성되고, 타측벽에는 상기 약액이 배출되는 배출통로가 형성되되, 상기 보호필름의 일단은 상기 공급통로가 형성된 상기 공정챔버의 내측면과 연결된다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은 공정챔버의 내측면을 따라 제공된 보호필름에 의해 형성되는 제1공간과 상기 공정챔버의 내측면과 상기 보호필름 사이의 제2공간의 압력을 조절하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 공정진행시 상기 제2공간의 압력은 기판이 위치하는 상기 제1공간의 압력보다 작거나 같다.
상기 제1공간의 압력조절은 상기 제1공간과 진공펌프를 연결하는 제1진공라인상에 설치된 제1압력조절밸브에 의해 이루어지며, 상기 제2공간의 압력조절은 상기 제2공간과 상기 진공펌프를 연결하는 제2진공라인상에 설치된 제2압력조절밸브에 의해 이루어진다.
상기 압력조절은 상기 기판에 제공된 약액의 배출로 인하여 상기 제1공간에 음압이 형성되는 경우 이루어진다.
본 발명에 의하면, 기판 전체면으로 약액이 균일하게 제공되므로, 기판 처리가 균일하게 수행된다.
본 발명에 의하면, 공정이 진행되는 동안 공정챔버의 내측면을 따라 제공된 보호필름의 변형을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 공정챔버의 내측면이 약액과 직접 접촉하지 않으므로, 공정챔버의 수명이 증가된다.
본 발명에 의하면, 공정챔버의 내측면과 약액의 반응으로 인한 기판 오염을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면, 도 1 내지 도 4를 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위 해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 공정챔버(110), 보호필름(120), 압력조절부재(130), 기판지지부재(140), 그리고 약액공급부(150)를 포함한다.
공정챔버(110)는 기판(W)에 대한 공정처리가 수행되는 내부공간(111)을 가지며, 보호필름(120)은 공급되는 약액으로부터 공정챔버(110)의 내측면을 보호한다. 압력조절부재(130)는 공정챔버(110) 내부의 제1, 2공간(111a, 111b)의 압력을 조절하며, 기판지지부재(140)는 내부공간(111)에서 기판(W)을 지지하고, 약액공급부(150)는 공정챔버(110)의 일측벽에 형성된 공급통로(112)로 약액을 제공한다. 이하, 각 구성에 대하여 상세하게 설명한다.
공정챔버(110)는 기판(W)에 대한 공정처리가 수행되는 내부공간(111)을 갖는다. 내부공간(111)은 후술하는 보호필름(120)에 의해 제1공간(111a)과 제2공간(111b)으로 구분된다. 제1공간(111a)은 공정챔버(110)의 내측면을 따라 제공되는 보호필름(120)에 의해 형성되는 공간이며, 제2공간(111b)은 공정챔버(110)의 내측면과 보호필름(120) 사이의 공간이다. 공정챔버(110)는 고압에 잘 견딜 수 있는 강도(strength)가 강한 재질로 이루어진다. 예컨데, 금속(metal)재질이 사용될 수 있다.
공정챔버(110)의 일측벽에는 약액이 공급되는 공급통로(112)가 형성되고, 타측벽에는 약액이 배출되는 배출통로(113)가 형성된다. 배출통로(113)는 공급통로(112)와 대향되는 높이에서 공정챔버(110)의 타측벽에 형성된다.
보호필름(120)은 공정챔버(110)의 내측면을 따라 제공되며, 약액으로부터 공정챔버(110)의 내측면을 보호한다. 보호필름(120)은 공정챔버(110)의 내측면의 재질에 비하여 유연하며 내식성(corrosion resistance)이 강한 재질이 사용된다. 예컨데, 보호필름(120)은 금속재질에 비하여 내식성이 강한 합성수지(plastics)가 제공될 수 있다. 보호필름(120)은 공정챔버(110)의 내측면과 이격되도록 제공되며, 내부공간(111)을 제1공간(111a)과 제2공간(111b)으로 분리한다. 실시예에 의하면, 제2공간(111b)으로 약액이 제공되는 것을 방지하기 위하여 공급통로(112)와 인접한 보호필름(120)의 일단은 공정챔버(110)의 내측면과 연결된다. 약액이 제2공간(111b)으로 제공되는 경우, 금속재질의 공정챔버(110)의 내측면과 약액이 화학반응하여 공정챔버(110)의 내측면이 부식된다. 이로 인하여 공정챔버(110)의 수명이 단축되고, 반응 부산물이 공정챔버(110)의 제1공간(111a)으로 유입되어 기판(W)을 오염시킬 수 있는 요인이 될 수 있다. 본 발명에 의할 경우, 공급통로(112)와 인접한 보호필름(120)의 일단이 공정챔버(110)의 내측면과 연결되고, 보호필림(120)이 내부공간(111)을 제1공간(111a)과 제2공간(111b)으로 분리하므로, 약액으로부터 공정챔버(110)의 내측면을 보호할 수 있다.
압력조절부재(130)는 제1공간(111a)으로 제공된 약액이 배기 또는 배출됨에 따라 제1공간(111a)에 대기압보다 낮은 압력(이하, '음압(陰壓)'이라 한다.)이 형 성되는 경우, 제1공간(111a)과 제2공간(111b)의 압력을 조절한다. 압력조절부재(130)는 제1공간(111a)과 제2공간(111b)의 압력을 조절하는 진공펌프(131), 제1공간(111a)과 진공펌프(131)를 연결하는 제1진공라인(132), 그리고 제1진공라인(132)에서 분기되어 일단이 제1진공라인(132)과 연결되며, 타단이 제2공간(111b)과 연결되는 제2진공라인(133)을 포함한다. 진공펌프(131)는 약액의 배출로 인하여 제1공간(111a)에 음압이 형성되는 경우, 제1진공라인(132)과 제2진공라인(133)을 통하여 공정챔버(110)내의 제1공간(111a)과 제2공간(111b)의 압력을 조절한다. 실시예에 의하면, 진공펌프(131)는 제1공간(111a)의 압력과 제2공간(111b)의 압력이 동일하도록 조절한다. 공정이 진행되는 동안 제1, 2공간(111a, 111b)의 압력이 같으면 보호필름(120)은 본래의 형태를 유지한다. 다른 실시예에 의하면, 제2공간(111b)의 압력이 제1공간(111a)의 압력에 비하여 작거나 같게 조절된다. 이를 위하여, 제1진공라인(132)상에 제1압력조절밸브가 설치되며, 제2진공라인(133)상에 제2압력조절밸브가 설치된다. 제1, 2 압력조절밸브의 조절에 의하여 제2공간(111b)의 압력이 제1공간(111a)의 압력에 비하여 작거나 같으면, 기판(W)이 처리되는 제1공간(111a)은 기 형성된 공간보다 크거나 기 형성된 크기의 공간을 유지할 수 있다. 만약, 제2공간(111b)의 압력이 제1공간(111a)의 압력에 비하여 크게 형성되면, 제1공간(111a)이 기 형성된 공간보다 작아지도록 보호필름(120)이 변형되어 기판(W) 처리가 수행되는 제1공간(111a)이 좁아진다. 이러한 보호필름(120)의 변형은 기판(W) 표면과 보호필름(120)을 접촉시켜 기판(W) 손상을 일으킬 수 있으며, 기판(W) 전체면에 약액의 균일한 제공을 방해하는 요인이 될 수 있다.
기판지지부재(140)는 공정챔버(110)의 내부공간(111)에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 기판지지부재(140)는 기판(W)을 지지하는 지지플레이트(141)와, 지지플레이트(141)의 하부를 지지하는 지지축(142)을 포함한다.
지지플레이트(141)는 원판 형상으로 제공되며, 상면에는 지지플레이트(141)의 상면으로부터 상부로 제공되어 기판(W)의 하면을 지지하는 복수개의 지지핀(143)들과, 기판(W)의 측부를 지지하는 복수개의 척킹핀(144)들이 설치된다. 지지핀(143)들은 상부가 뾰족한 막대형상으로 지지플레이트(141)의 상면에 일정간격으로 다수 배치된다. 척킹핀(144)들은 상부가 하부에 비해 좁은 막대형상으로, 서로 대향하여 일정간격 다수 배치된다. 척킹핀(144)들은 기판(W)을 고정시키기 위하여 지지플레이트(141)의 중심방향으로 일정거리 이동이 가능하다.
지지축(142)은 내부가 비어 있는 중공축(hollow shaft) 형태로써, 일단은 지지플레이트(141)의 하부와 결합하며, 타단은 공정챔버(110)의 내측면과 결합한다.
약액공급부(150)는 공정챔버(110)의 일측벽에 형성된 공급통로(112)를 통하여 제1공간(111a)으로 약액을 제공한다. 약액공급부(150)는 약액을 저장하는 약액저장부(151) 및 약액저장부(151)에 저장된 약액을 공정챔버(110)로 공급하는 약액공급라인(152)을 포함한다. 약액공급라인(152)은 일단이 약액저장부(151)와 연결되고 타단이 공급통로(112)가 형성된 공정챔버(110)의 측벽과 연결된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 약액 공급부(150)를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 약액공급부(150)는 제1공간(111a)으로 플루오르화 수소를 공급하는 제1약액공급부(160), 세정액을 공급하는 제2약액공급부(170), 그리고 초임계유체를 제공하는 제3약액공급부(180)를 포함한다.
제1약액공급부(160)는 플루오르화 수소를 저장하는 제1약액저장부(161), 제1약액저장부(161)와 공급통로(112)가 형성된 공정챔버(110)의 측벽를 연결하며. 제1약액저장부(161)로부터 공급통로(112)로 플루오르화 수소를 공급하는 제1약액공급라인(162), 그리고 제1약액공급라인(162)상에 설치되며 공급되는 플루오르화 수소의 유량을 조절하는 제1약액조절밸브(163)를 포함한다. 플루오르화 수소는 기판(W) 표면을 선택적으로 식각시킨다.
제2약액공급부(170)는 세정액를 저장하는 제2약액저장부(171), 제2약액저장부(171)와 공급통로(112)가 형성된 공정챔버(110)의 측벽를 연결하며. 제2약액저장부(171)로부터 공급통로(112)로 세정액를 공급하는 제2약액공급라인(172), 그리고 제2약액공급라인(172)상에 설치되며 공급되는 세정액의 유량을 조절하는 제2약액조절밸브(173)를 포함한다. 실시예에 의하면, 세정액으로는 이소프로필 알코올(isopropanol, 이하 'IPA'라고 함)이 사용된다. IPA는 식각처리가 완료된 기판(W)에 제공되어 기판(W) 표면에 잔류하는 플루오르화 수소 및 반응 부산물을 세정한다.
제3약액공급부(180)는 공정유체를 저장하는 제3약액저장부(181), 제3약액저장부(181)와 공급통로(112)가 형성된 공정챔버(110)의 측벽를 연결하며. 제3약액저장부(181)로부터 공급통로(112)로 공정유체를 공급하는 제3약액공급라인(182), 그리고 제3약액공급라인(182)상에 설치되며 제3약액공급라인(182)의 내부를 흐르는 공정유체를 초임계 상태로 가압하는 가압부재(183), 제3약액저장부(181)와 가압부재(183) 사이에 설치되며, 가압부재(183)로 제공되는 공정유체의 유량을 조절하는 제3약액조절밸브(184)를 포함한다. 공정유체에는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있으며, 가압부재(183)에는 펌프(pump)가 사용될 수 있다. 펌프(183)는 이산화탄소가 초임계 유체상태에 도달할 때까지 가압한다. 초임계 상태의 이산화탄소가 제1공간(111a)으로 제공되면, 세정이 완료된 기판(W)의 패턴면에 머무르는 IPA가 초임계 상태의 이산화 탄소에 용해된다. IPA를 함유하는 초임계 상태의 이산화탄소는 배출통로(113)를 통하여 배기되므로써 기판(W)을 건조시킨다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 하나의 진공펌프(131)를 사용하여 제1공간(111a)과 제2공간(111b)의 압력을 조절하는 것으로 기재하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도 3을 참조하면, 제1진공라인(132)이 제1공간(111a)과 제1진공펌프(131a)를 연결하며, 제2진공라인(133)이 제2공간(111b)과 제2진공펌프(131b)를 연결한다. 제1진공펌프(131a)에 의하여 제1공간(111a)의 압력을 조절되고 제2진공펌프(131b)에 의하여 제2공간(111b)의 압력을 조절된다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)를 사용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
도 4은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 1, 2, 그리고 4를 참조하면, 기판 처리 방법은 공정챔버(110)의 내부공간(111)이 내측면을 따라 제공된 보호필름(120)에 의하여 제1공간(111a)과 제2공 간(111b)으로 분리되는 공정챔버(110)에서 진행된다. 기판 처리 방법은 제1공간(111a)으로 기판(W)을 로딩시키는 로딩 단계(S10), 기판(W)에 대한 공정처리를 수행하는 공정단계(S20), 그리고 공정처리가 완료된 기판(W)을 언로딩시키는 언로딩 단계(S30)를 포함한다.
먼저, 공정챔버(110)의 측벽에 형성된 개구(미도시)를 통하여 기판(W)이 제1공간(111a)으로 반입되어 기판지지부재(140)에 로딩된다.
기판(W)이 기판지지부재(140)에 로딩되면, 공급통로(112)를 통하여 약액이 제1공간(111a)으로 제공되어 기판(W)에 대한 공정처리가 수행된다. 먼저, 제1약액공급부(160)를 통하여 플루오르화 수소가 제1공간(111a)으로 제공되어 기판(W) 표면을 선택적으로 식각시킨다. 식각 공정이 완료되면, 제2약액공급부(170)를 통하여 IPA가 공급되어 기판(W) 표면에 잔류하는 플루오르화 수소와 반응부산물을 세정한다. 이후, 제3약액공급부(180)를 통하여 초임계 유체가 제공되어, 기판(W) 표면에 잔류하는 IPA를 제거하여 기판(W)을 건조시킨다. 기판(W)에 대한 공정이 진행되는 동안, 제1공간(111a)에 제공된 약액의 배기 또는 배출로 인하여 제1공간(111a)에 음압이 형성되는 경우, 압력조절부재(130)는 제2공간(111b)의 압력이 제1공간(111a)의 압력보다 작거나 같게 유지시킨다. 실시예에 의하면, 제1공간(111a)의 압력조절은 제1공간(111a)과 진공펌프(131)를 연결하는 제1진공라인(132)상에 설치된 제1압력조절밸브(134)에 의해 이루어지며, 제2공간(111b)의 압력조절은 제2공간(111b)과 진공펌프(131)를 연결하는 제2진공라인(133)상에 설치된 제2압력조절밸브(135)에 의해 이루어진다. 공정이 진행되는 동안 제2공간(111b)의 압력이 제1공 간(111a)의 압력보다 작거나 같게 유지되므로, 제1공간(111a)은 기 설정된 공간보다 크거나 같은 크기의 공간을 유지할 수 있다. 이로 인하여, 기판(W) 전체면에 약액이 균일하게 제공되어 기판(W) 처리가 균일하게 진행된다.
기판(W) 처리가 완료되면, 기판(W)은 이송로봇(미도시)에 의하여 언로딩되며 후속공정을 위하여 공정챔버(110)로부터 반출된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액 공급부를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.

Claims (8)

  1. 내부공간을 가지는 공정챔버;
    상기 공정챔버의 내측면을 따라 제공된 보호필름;
    상기 보호필름에 의해 형성되는 제1공간의 압력과 상기 공정챔버의 내측면과 상기 보호필름 사이의 제2공간의 압력을 조절하는 압력조절부재; 및
    상기 내부공간에 위치하며, 기판을 지지하는 기판지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호필름의 재질은 상기 공정챔버의 내측면의 재질에 비하여 내식성이 강한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호필름의 재질은 합성수지인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 압력조절부재는
    진공펌프;
    상기 진공펌프와 상기 제1공간을 연결하는 제1진공라인; 및
    상기 진공펌프와 상기 제2공간을 연결하는 제2진공라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 공정챔버의 일측벽에는 상기 제1공간으로 약액이 공급되는 공급통로가 형성되고, 타측벽에는 상기 약액이 배출되는 배출통로가 형성되되,
    상기 보호필름의 일단은 상기 공급통로가 형성된 상기 공정챔버의 내측면과 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 공정챔버의 내측면을 따라 제공된 보호필름에 의해 형성되는 제1공간과 상기 공정챔버의 내측면과 상기 보호필름 사이의 제2공간의 압력을 조절하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    공정진행시 상기 제2공간의 압력은 기판이 위치하는 상기 제1공간의 압력보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1공간의 압력조절은 상기 제1공간과 진공펌프를 연결하는 제1진공라인상에 설치된 제1압력조절밸브에 의해 이루어지며,
    상기 제2공간의 압력조절은 상기 제2공간과 상기 진공펌프를 연결하는 제2진공라인상에 설치된 제2압력조절밸브에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 압력조절은 상기 기판에 제공된 약액의 배출로 인하여 상기 제1공간에 음압이 형성되는 경우 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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