KR20100124383A - Apparatus for supplying precursor and system for depositing thin film with the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus for supplying a precursor and a thin film depositing system including the same are provided to effectively prevent the condensation of the precursor due to the phase change of the precursor. CONSTITUTION: A vaporizer(22) supplies a vapor precursor into a processing chamber in which a vaporizing process with respect to a liquid precursor and a depositing process are performed. A liquid precursor transferring line(23) transfers the liquid precursor to the vaporizer. An orifice is arranged on the end part of the liquid precursor transferring line in order to spray the liquid precursor into the vaporizer. A downsizing unit is arranged on the end part of the liquid precursor transferring line in order to downsize the inner diameter of the liquid precursor transferring line.

Description

전구체 공급장치 및 이를 포함하는 박막증착시스템{Apparatus for Supplying Precursor and System for Depositing Thin Film with the Same}Precursor supply device and thin film deposition system including the same {Apparatus for Supplying Precursor and System for Depositing Thin Film with the Same}

본 발명은 박막증착장치에 기상 전구체를 제공하는 전구체 공급장치 및 이를 포함하는 박막증착시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a precursor supply device for providing a vapor phase precursor to a thin film deposition apparatus and a thin film deposition system comprising the same.

일반적으로, 반도체용 웨이퍼나 평판표시소자용 글라스와 같은 기판 등의 박막증착에는 박막증착장치가 이용되는데, 이 장치는 증착대상의 증착공정을 위한 공간을 한정하는 공정챔버를 포함하고, 이 공정챔버는 기상 전구체 등을 제공받아 내부의 증착공간에 플라즈마를 형성, 증착대상에 박막을 증착한다. 이 때, 기상 전구체는 전구체 공급장치로부터 제공받는데, 이 전구체 공급장치는 전구체 탱크, 전구체 이송라인, 기화기 등으로 이루어지고, 이 중 전구체 탱크에는 액상 전구체가 저장되고, 이 액상 전구체는 전구체 이송라인을 따라 흐르며, 기화기는 이 전구체 이송라인 상에 설치되어 액상 전구체를 기화시킨다. 그리고 기화기와 이 기화기로 액상 전구체를 이송하는 전구체 이송라인의 사이에는 와류형성부재가 구비되는데, 이 와류형성부재는 액상 전구체에 와류를 발생시켜 기화기에서 이 액상 전구체의 기화가 효과적으로 이루어지게 한다.Generally, a thin film deposition apparatus is used for thin film deposition of a substrate such as a semiconductor wafer or a glass such as a flat panel display element, which includes a process chamber that defines a space for a deposition process to be deposited. The substrate is provided with a vapor precursor to form a plasma in the deposition space therein to deposit a thin film on the deposition target. At this time, the vapor phase precursor is provided from a precursor supply device, which is composed of a precursor tank, a precursor transport line, a vaporizer, and the like, of which a liquid precursor is stored in the precursor tank, and the liquid precursor is a precursor transport line. Flowing along, the vaporizer is installed on this precursor transfer line to vaporize the liquid precursor. And a vortex forming member is provided between the vaporizer and the precursor transfer line for transferring the liquid precursor to the vaporizer, the vortex forming member generates a vortex in the liquid precursor to effectively vaporize the liquid precursor in the vaporizer.

증착공정에서, 가장 빈번하게 발생되는 문제 중 하나는 기상 전구체 등의 과도한 반응에 따른 파티클(particle) 등의 생성이나 미(未)반응으로 인한 증착 박막의 특성저하이고, 이 문제점의 원인으로는 공정챔버로 이송 중인 기상 전구체가 상변화로 응축되어 전구체 이송라인이 부분적으로 폐색되거나 공정챔버에 액체방울의 상태로 공급되는 점을 들 수 있다. 이처럼 증착공정에서는 기상 전구체가 응축되는 것을 방지하는 것이 결점방지 면에서 매우 중요한 인자로 작용하는바, 현재에도 전구체를 정확히 제어하고 효과적으로 기화시키기 위한 노력이 계속되고 있다.In the deposition process, one of the most frequently occurring problems is the deterioration of the deposited thin film due to the generation of particles or unreacted particles due to excessive reaction of gaseous precursors, and the like. For example, the vapor phase precursor being transferred to the chamber may be condensed by phase change so that the precursor transfer line may be partially blocked or supplied as a droplet to the process chamber. As described above, preventing the vapor phase precursor from condensation acts as an important factor in preventing defects, and efforts are now being made to accurately control and effectively vaporize the precursor.

기상 전구체의 응축을 방지하려면, 전구체 이송라인의 관로에 전구체를 정체시키는 등 이 전구체의 흐름을 방해하는 사각지대(dead zone)가 최소화되도록 설계하여야 한다. 전구체 이송라인의 관로에서 사각지대를 없애려면 와류형성부재를 제거하여야 하는데, 와류형성부재를 적용하지 않으면 액상 전구체에 대한 기화기에서의 기화가 비효과적으로 이루어지므로 마찬가지의 문제가 발생된다.To prevent condensation of gaseous precursors, the dead zones that impede the flow of these precursors, such as stagnation of the precursors in the pipelines of the precursor delivery line, should be minimized. To eliminate the blind spots in the pipeline of the precursor transfer line, the vortex forming member must be removed. If the vortex forming member is not applied, the same problem occurs because vaporization in the vaporizer for the liquid precursor is ineffective.

본 발명의 목적은 전구체가 상변화로 응축되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있는 전구체 공급장치 및 이를 포함하는 박막증착시스템을 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a precursor supply apparatus and a thin film deposition system including the same, which can more effectively prevent the precursor from condensing due to phase change.

본 발명의 실시예에 따르면, 액상 전구체를 기화시켜 증착공정을 행하는 공정챔버 내에 기상 전구체를 제공하는 기화기와; 액상 전구체를 상기 기화기로 이송하는 액상 전구체 이송라인을 포함하고, 상기 액상 전구체 이송라인은 상기 기화기와 연결되는 말단에 액상 전구체를 상기 기화기 내로 분사하는 오리피스가 마련됨과 아울러, 상기 말단 부분에 이 말단 부분의 내주를 상기 오리피스 측으로 갈수록 축소시키는 축소부가 형성된 전구체 공급장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, a vaporizer for providing a vapor phase precursor in the process chamber for vaporizing the liquid precursor to perform the deposition process; And a liquid precursor transfer line for transferring a liquid precursor to the vaporizer, wherein the liquid precursor transfer line is provided with an orifice for injecting a liquid precursor into the vaporizer at an end connected to the vaporizer, and at the terminal portion. Provided is a precursor supply device having a reduction portion for reducing the inner circumference of the arrow toward the orifice side.

여기에서, 상기 축소부는 유선형 구조를 가지도록 곡면으로 구성될 수 있다. 그리고 상기 축소부는 상기 오리피스의 중심을 기준으로 비대칭 구조를 가지도록 형성될 수 있다. 또, 상기 오리피스는 편심 배치될 수 있다.Here, the reduction portion may be configured as a curved surface to have a streamlined structure. The reduction part may be formed to have an asymmetrical structure with respect to the center of the orifice. In addition, the orifice may be disposed eccentrically.

본 발명의 실시예에 따른 전구체 공급장치는 상기 액상 전구체 이송라인을 가열하는 가열수단을 더 포함할 수 있다.Precursor supply apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a heating means for heating the liquid precursor transfer line.

본 발명의 실시예에 따르면, 내부의 증착공간에서 증착공정을 행하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 기상 전구체를 제공하는 것으로서 위에 기재된 바와 같은 전구체 공급장치와; 상기 전구체 공급장치로부터의 기상 전구체를 상기 공정챔버로 운반하는 캐리어가스를 제공하는 캐리어가스 공급장치를 포함하는 박막증착시스템이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, a process chamber for performing a deposition process in an internal deposition space; A precursor supply as described above for providing a gaseous precursor in said process chamber; A thin film deposition system including a carrier gas supply device for providing a carrier gas for transporting a gaseous precursor from the precursor supply device to the process chamber is provided.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 참고로, 본 발명의 설명함에 있어, 참조하는 도면에 도시된 구성 요소의 크기나 선의 두께 등은 이해의 편의를 위하여 다소 과장되게 표현되어 있을 수 있다. 또, 본 발명의 설명에 사용되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의한 것이므로 사용자, 운용자의 의도, 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서 이러한 용어에 대한 정의는 이 명세서의 전반에 걸친 내용을 토대로 내리는 것이 마땅하겠다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention. For reference, in the description of the present invention, the size of the components and the thickness of the lines shown in the accompanying drawings may be somewhat exaggerated for the convenience of understanding. In addition, since terms used in the description of the present invention are defined in consideration of functions in the present invention, they may be changed according to intentions of users, operators, and the like. Therefore, the definition of these terms should be based on the contents throughout the specification.

도 1은 본 발명에 따른 박막증착시스템이 도시된 구성도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막증착시스템은 박막증착장치(10)와 전구체 공급장치(20)와 캐리어가스 공급장치(30)를 포함한다.1 is a block diagram showing a thin film deposition system according to the present invention. As shown in FIG. 1, the thin film deposition system according to the present invention includes a thin film deposition apparatus 10, a precursor supply device 20, and a carrier gas supply device 30.

증착대상(예를 들어, 반도체용 웨이퍼나 평판표시소자용 글라스와 같은 기판 등)에 박막을 증착하는 박막증착장치(10)는 증착공정을 위한 공간을 한정하는 공정챔버(11), 이 공정챔버(11)의 내부인 증착공간의 상하에 대향하도록 구비된 상, 하부전극 어셈블리(도시되지 않음), 공정챔버(11)의 내부공간을 진공분위기로 조성하는 진공펌프(12)를 포함한다. 참고로, 상부전극 어셈블리는 샤워헤드(shower head)를 포함할 수 있는데, 이 샤워헤드는 전구체와 캐리어가스 공급장치(20)(30)로부터 전구체와 캐리어가스를 제공받아 공정챔버(11)의 증착공간으로 분출한다. 하부전극 어셈블리는 그 위에 증착대상이 놓이는 스테이지로서 기능할 수 있다.The thin film deposition apparatus 10 for depositing a thin film on a deposition target (for example, a substrate such as a semiconductor wafer or a glass for a flat panel display device) includes a process chamber 11 which defines a space for a deposition process, and the process chamber. The upper and lower electrode assemblies (not shown) provided to face the upper and lower portions of the deposition space, which is the inside of the (11), and the vacuum pump 12 for forming the inner space of the process chamber 11 in a vacuum atmosphere. For reference, the upper electrode assembly may include a shower head, which receives the precursor and the carrier gas from the precursor and the carrier gas supply devices 20 and 30 to deposit the process chamber 11. Squirt into space. The lower electrode assembly can function as a stage on which the deposition target is placed.

전구체 공급장치(20)는 액상 전구체가 저장된 전구체 탱크(21), 액상 전구체를 기화시키는 기화기(22), 전구체 탱크(21)에 저장된 액상 전구체를 기화기(22)로 이송하는 액상 전구체 이송라인(23), 기화기(22)에서 기화된 기상 전구체를 공정챔 버(11)로 이송하는 기상 전구체 이송라인(24), 액상 전구체 이송라인(23)을 가열하는 가열수단(25)을 포함한다.The precursor supply device 20 is a precursor tank 21 in which a liquid precursor is stored, a vaporizer 22 for vaporizing the liquid precursor, and a liquid precursor transfer line 23 for transferring the liquid precursor stored in the precursor tank 21 to the vaporizer 22. ), A vapor phase precursor transfer line 24 for transferring the vaporized precursor vaporized in the vaporizer 22 to the process chamber 11, and heating means 25 for heating the liquid precursor transfer line 23.

전구체 탱크(21)에 저장된 액상 전구체는 펌프와 같은 공지의 가압수단(도시되지 않음)에 의하여 액상 전구체 이송라인(23)을 따라 기화기(22)로 이송되고, 기화기(22)로부터의 기상 전구체는 기상 전구체 이송라인(24)을 따라 공정챔버(11)로 이송된다.The liquid precursor stored in the precursor tank 21 is transferred to the vaporizer 22 along the liquid precursor transfer line 23 by a known pressurizing means (not shown) such as a pump, and the vapor phase precursor from the vaporizer 22 The gaseous precursor transfer line 24 is transferred to the process chamber 11.

도 2는 도 1의 A 부분이 도시된 확대도이고, 도 3은 이 도 2의 B-B선 단면도이다. 도 2, 3에 도시된 바와 같이, 전구체 탱크(21)와 기화기(22)를 연결하는 액상 전구체 이송라인(23)은 통상의 파이프 구조를 가지되, 기화기(22)와의 접속 부분인 말단은 액상 전구체가 기화기(22)로 분사되는 구조로 형성된다. 즉, 액상 전구체 이송라인(23)의 말단은 통상적인 파이프 구조와 달리 폐쇄되어 있되, 액상 전구체가 분사되는 오리피스(23a)를 가지는 것이다. 이 때, 이 오리피스(23a)는 액상 전구체 이송라인(23)의 말단을 오므려서 마련할 수도 있다.FIG. 2 is an enlarged view of portion A of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line B-B of FIG. 2. As shown in Figures 2 and 3, the liquid precursor transfer line 23 connecting the precursor tank 21 and the vaporizer 22 has a conventional pipe structure, the end of the connection portion with the vaporizer 22 is a liquid phase The precursor is formed into a structure that is injected into the vaporizer 22. That is, the end of the liquid precursor transfer line 23 is closed unlike the conventional pipe structure, but has an orifice 23a through which the liquid precursor is injected. At this time, the orifice 23a may be provided by retracting the end of the liquid precursor transfer line 23.

액상 전구체 이송라인(23)의 말단 부분에는 이 말단 부분의 내주를 축소시키는 축소부(23b)가 마련되는데, 이 축소부(23b)는 액상 전구체 이송라인(23)의 말단에 위치한 오리피스(23a) 측으로 갈수록 축소되는 구조로 형성된다. 이러한 축소부(23b)에 따르면, 액상 전구체 이송라인(23)의 관로를 따라 이송되는 액상 전구체는 정체됨이 없이 오리피스(23a) 측으로 자연스럽게 흐르게 된다. 즉, 액상 전구체 이송라인(23)의 관로에 전구체의 흐름을 방해하는 사각지대가 없도록 한 것이다.An end portion of the liquid precursor transfer line 23 is provided with a reduction portion 23b for reducing the inner circumference of the end portion, and the reduction portion 23b is an orifice 23a positioned at the end of the liquid precursor transfer line 23. It is formed in a structure that shrinks toward the side. According to this reduction part 23b, the liquid precursor transferred along the conduit of the liquid precursor transfer line 23 naturally flows to the orifice 23a without stagnation. That is, there is no blind spot in the pipeline of the liquid precursor transfer line 23 to prevent the flow of the precursor.

이와 같은 축소부(23b)는 액상 전구체의 흐름이 보다 자연스럽게 이루어지도 록 만곡한 곡면으로 구성되는데, 이 축소부(23b)를 구성하는 곡면은 축소부(23b)가 유선형 구조를 가질 수 있도록 형성된다.Such a reduced portion 23b is composed of a curved surface to allow the flow of the liquid precursor more naturally, the curved surface constituting the reduced portion 23b is formed so that the reduced portion 23b has a streamlined structure. .

축소부(23b)의 곡면은 축소부(23b)가 오리피스(23a)의 중심을 기준으로 비대칭 구조를 가지도록 형성된다. 즉, 오리피스(23a)의 중심으로 기준으로 할 때 축소부(23b)의 한쪽과 그 반대쪽 형상이 다르도록 형성한 것이다. 이 비대칭 구조에 따르면, 액상 전구체 이송라인(23)의 관로를 따라 이송되는 액상 전구체는 와류를 형성하면서 오리피스(23a) 측으로 흐르게 된다.The curved surface of the reduction part 23b is formed such that the reduction part 23b has an asymmetrical structure with respect to the center of the orifice 23a. That is, when the reference is made to the center of the orifice 23a, one side of the reduction portion 23b and the other side thereof are formed to be different. According to this asymmetrical structure, the liquid precursor transferred along the conduit of the liquid precursor transfer line 23 flows to the orifice 23a while forming a vortex.

오리피스(23a)는 액상 전구체 이송라인(23)의 말단 중앙에 위치될 수도 있으나, 여기에서는 말단의 중앙에 배치하지 않고 한쪽으로 치우쳐 있도록 편심 배치하였다. 이 편심구조는 액상 전구체 이송라인(23)의 관로를 따라 이송되는 액상 전구체에 보다 복잡한 와류를 발생시킨다.Orifice 23a may be located at the center of the distal end of the liquid precursor transfer line 23, but here it is disposed eccentrically so as to be biased to one side without being disposed at the center of the distal end. This eccentric structure generates more complex vortices in the liquid precursor that is conveyed along the conduit of the liquid precursor transfer line 23.

액상 전구체 이송라인(23)을 따라 흐르는 액상 전구체는 축소부(23b)의 유선형 구조에 의한 자연스러운 흐름 및 비대칭 구조에 의한 와류작용으로 응축됨이 없이 오리피스(23a)를 통하여 기화기(22)로 분무되고, 이후 기화기(22)에서 효과적으로 기화된다. 즉, 축소부(23b)의 유선형 및 비대칭 구조가 기화기(22)의 작용을 도와 액상 전구체가 양호하게 기화되는 것이고, 이에 따라 공정챔버(11)의 내에 양질의 기상 전구체가 공급되어 이 기상 전구체의 과도한 반응이나 미반응을 방지할 수 있다.The liquid precursor flowing along the liquid precursor transfer line 23 is sprayed into the vaporizer 22 through the orifice 23a without condensation by natural flow by the streamlined structure of the reducing part 23b and by vortex action by the asymmetric structure. And then vaporized effectively in the vaporizer 22. That is, the streamlined and asymmetrical structure of the reduction part 23b assists the action of the vaporizer 22 so that the liquid phase precursor is vaporized satisfactorily. Thus, a good gaseous precursor is supplied into the process chamber 11 to provide Excessive or unreacted reactions can be prevented.

가열수단(25)은 액상 전구체 이송라인(23)에 감겨 액상 전구체 이송라인(23)에 60~150℃의 열을 가하는 열선을 포함한다. 이 같은 가열수단(25)은 액상 전구체 이송라인(23)을 따라 흐르는 액상 전구체의 고형을 방지한다.The heating means 25 includes a heating wire wound around the liquid precursor transfer line 23 and applying heat of 60 to 150 ° C. to the liquid precursor transfer line 23. The heating means 25 prevents the solid state of the liquid precursor flowing along the liquid precursor transfer line 23.

캐리어가스 공급장치(30)는 캐리어가스가 저장된 캐리어가스 탱크(31) 및 이 캐리어가스 탱크(31)로부터의 캐리어가스를 기화기(22)로 이송하는 캐리어가스 이송라인(32)을 포함한다.The carrier gas supply device 30 includes a carrier gas tank 31 in which carrier gas is stored, and a carrier gas transfer line 32 for transferring carrier gas from the carrier gas tank 31 to the vaporizer 22.

캐리어가스 탱크(31)로부터 기화기(22)로 이송된 캐리어가스는 기상 전구체 이송라인(24)을 따라 기상 전구체와 함께 이송, 공정챔버(11)의 내부에 공급된다.The carrier gas transferred from the carrier gas tank 31 to the vaporizer 22 is transferred along with the gaseous precursor transfer line 24 together with the gaseous precursor and supplied into the process chamber 11.

도시된 바는 없으나, 기상 전구체 이송라인(24)도 위의 가열수단(25)과 같은 수단에 의하여 가열될 수 있다.Although not shown, the gaseous precursor transfer line 24 may also be heated by means such as heating means 25 above.

이상, 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이 명세서에 개시된 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 한정되지 않으며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 이내에서 당업자에 의하여 다양하게 변형될 수 있다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.

도 1은 본 발명에 따른 박막증착시스템이 도시된 구성도이다.1 is a block diagram showing a thin film deposition system according to the present invention.

도 2는 도 1의 A 부분이 도시된 확대도이다.FIG. 2 is an enlarged view of portion A of FIG. 1.

도 3은 도 2의 B-B선 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>

10 : 박막증착장치 11 : 공정챔버10: thin film deposition apparatus 11: process chamber

20 : 전구체 공급장치 21 : 전구체 탱크20 precursor precursor 21 precursor tank

22 : 기화기 23 : 액상 전구체 이송라인22: vaporizer 23: liquid precursor transfer line

23a : 오리피스 23b : 축소부23a: orifice 23b: reduction

24 : 기상 전구체 이송라인(24) 25 : 가열수단24 gas phase precursor transfer line 24 25 heating means

30 : 캐리어가스 공급장치30: carrier gas supply device

Claims (6)

액상 전구체를 기화시켜 증착공정을 행하는 공정챔버 내에 기상 전구체를 제공하는 기화기와;A vaporizer for providing a vapor phase precursor in a process chamber for vaporizing a liquid precursor and performing a deposition process; 액상 전구체를 상기 기화기로 이송하는 액상 전구체 이송라인을 포함하고,A liquid precursor transfer line for transferring a liquid precursor to the vaporizer; 상기 액상 전구체 이송라인은 상기 기화기와 연결되는 말단에 액상 전구체를 상기 기화기 내로 분사하는 오리피스가 마련됨과 아울러, 상기 말단 부분에 이 말단 부분의 내주를 상기 오리피스 측으로 갈수록 축소시키는 축소부가 형성된 전구체 공급장치.The liquid precursor transfer line is provided with an orifice for injecting a liquid precursor into the vaporizer at the end connected to the vaporizer, and a precursor supply device is formed in the end portion to reduce the inner periphery of the end portion toward the orifice side. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 축소부는 유선형 구조를 가지도록 곡면으로 구성된 전구체 공급장치.The reduced portion is a precursor supply device configured to be curved to have a streamlined structure. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 축소부는 상기 오리피스의 중심을 기준으로 비대칭 구조를 가지도록 형성된 전구체 공급장치.The reduction unit is a precursor supply device formed to have an asymmetrical structure with respect to the center of the orifice. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 오리피스는 편심 배치된 전구체 공급장치.The orifice is eccentrically disposed precursor supply. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 액상 전구체 이송라인을 가열하는 가열수단을 더 포함하는 전구체 공급장치.Precursor supply device further comprising a heating means for heating the liquid precursor transfer line. 내부의 증착공간에서 증착공정을 행하는 공정챔버와;A process chamber for performing a deposition process in an internal deposition space; 상기 공정챔버 내에 기상 전구체를 제공하는 것으로서 청구항 1에 기재된 전구체 공급장치와;A precursor supply device for providing a gaseous precursor in said process chamber; 상기 전구체 공급장치로부터의 기상 전구체를 상기 공정챔버로 운반하는 캐리어가스를 제공하는 캐리어가스 공급장치를 포함하는 박막증착시스템.And a carrier gas supply device providing a carrier gas for transporting the gaseous precursor from the precursor supply device to the process chamber.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013184760A1 (en) * 2012-06-05 2013-12-12 Applied Materials, Inc. Compact ampoule thermal management system
KR101710939B1 (en) 2015-08-31 2017-02-28 강원대학교산학협력단 Apparatus for producing a photocatalytic thin film with a function of supplying uniform precursor feed and its manufacturing method and water-splitting device using the prepared thin film as a photoelectrode
KR20240053771A (en) 2022-10-18 2024-04-25 한화정밀기계 주식회사 Apparatus for processing substrate
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19735399C2 (en) * 1997-08-14 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Gas pipe system for a process reactor, in particular a vertical furnace, for the treatment of wafers and method for the treatment of wafers in a process reactor

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013184760A1 (en) * 2012-06-05 2013-12-12 Applied Materials, Inc. Compact ampoule thermal management system
US9279604B2 (en) 2012-06-05 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Compact ampoule thermal management system
US9347696B2 (en) 2012-06-05 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Compact ampoule thermal management system
KR101710939B1 (en) 2015-08-31 2017-02-28 강원대학교산학협력단 Apparatus for producing a photocatalytic thin film with a function of supplying uniform precursor feed and its manufacturing method and water-splitting device using the prepared thin film as a photoelectrode
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