KR20100121480A - 산화세륨 함유 분산물에 의한 규소 표면의 연마 방법 - Google Patents

산화세륨 함유 분산물에 의한 규소 표면의 연마 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 산화세륨 입자, 1종 이상의 중합체 음이온성 분산 첨가제 및 1종 이상의 산화제를 포함하고 pH가 7 내지 10.5인 분산물을 사용하며, 상기 산화세륨 입자는 양전하를 갖고 중합체 음이온성 분산 첨가제 및 산화제는 분산물의 액체 상에 가용성인, 규소 표면의 연마 방법에 관한 것이다.

Description

산화세륨 함유 분산물에 의한 규소 표면의 연마 방법{PROCESS FOR POLISHING A SILICON SURFACE BY MEANS OF A CERIUM OXIDE-CONTAINING DISPERSION}
본 발명은 산화세륨 입자, 중합체 음이온성 분산 첨가제 및 산화제를 포함하는 분산물에 의한 규소 표면의 연마 방법에 관한 것이다.
마이크로전자공학에 사용하기 위한 규소 웨이퍼의 제조를 위하여서는 통상적으로 3 가지의 연마 단계를 실시한다:
1. 최신의 300 ㎜ 웨이퍼의 경우, 규소 웨이퍼의 소잉(sawing), 그라인딩 및 에칭후의 "스톡 제거" 단계를 양면 연마 공정(DSP)의 형태로 실시한다. 단결정에서의 그라인딩 손상 제거를 위하여 그리고 우수한 웨이퍼 기하(평면-평행성)의 달성을 위하여, 약 20 ㎛(면당 10 ㎛)를 제거한다. 사용한 분산물은 일반적으로 콜로이드성 실리카를 기재로 한다. 더 높은 제거율을 달성하기 위하여, 약 11.5 내지 12의 높은 pH를 사용한다. 규소의 부분 에칭을 방지하기 위하여, 연마 공정 종료후 중단 분산물을 사용하여 pH를 낮춘다. 그후, 친수화, 즉 규소 표면을 OH 기 또는 산소 원자로 포화시킨다. 친수화 처리된 표면만을 충분하게 세정시킬 수 있다.
2. "최종 연마" 단계. 연마된 웨이퍼(양면이 연마됨)의 명확하게 평활한 전면을 보장하며, 무엇보다도 DSP 및 웨이퍼 에지 그라인딩/연마후 스크래치 또는 취급 흔적의 제거를 보장한다. 약 500 ㎚ 내지 1 ㎛가 제거된다. 일반적으로, 제1의 단계에서와 유사한 분산물을 사용하였다.
3. "무-연무(haze-free)" 연마 단계. 특히 온화한 연마 단계는 다시 한번 수십 나노미터의 규소를 제거하여 칩 제조에 요구되는 옹스트롬 수준으로 평활한 웨이퍼 전면을 얻는다. 이와 같이 평활한 표면은 균질한 두께로 열 산화에 의하여 얻는 매우 얇은 게이트 산화물을 생산하는데 필요하다. 규소에서의 국소 피이크는 이들 지점에서의 국소적으로 증가된 장 강도를 초래하며, 그리하여 절연체의 가능한 전기 파괴를 초래한다. "무-연무" 단계의 경우, 약 10 이하의 pH에서 약 0.5％의 고형물 함유량으로 매우 부드러운 연마 입자를 갖는 매우 순수한 콜로이드성 실리카 분산물을 사용하였다. 연마후 우수한 세정 및 깨끗한 웨이퍼 표면을 위하여, 웨이퍼는 친수화된 형태로 연마기에서 배출되어야만 하며, 그리하여 다수의 경우에서는 추가의 친수화 배쓰를 사용하여야만 한다.
본 발명은 비용이 많이 들며 불편한 중단 및 친수화 배쓰를 배제시킬 수 있는 규소 표면, 특히 규소 웨이퍼의 연마 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 산화세륨 입자, 1종 이상의 중합체 음이온성 분산 첨가제 및 1종 이상의 산화제를 포함하고 pH가 7.5 내지 10.5인 분산물을 사용하며,
- 상기 산화세륨 입자는 양전하를 갖고,
- 중합체 음이온성 분산 첨가제 및 산화제는 분산물의 액체 상에서 가용성인 것을 특징으로 하는 규소 표면의 연마 방법에 관한 것이다.
산화세륨 입자의 양전하는 제타 전위에 의하여 측정할 수 있다. 제타 전위는 표면에 축적되는 중합체 음이온성 분산 첨가제에 의하여 이동될 수 있는 입자의 표면 하전에 대한 척도이다. 제타 전위는 분산물중의 전기화학적 산화세륨 입자/전해질 이중층내의 전단면에서의 전위를 의미하는 것으로 이해하여야 한다. 제타 전위와 관련된 중요한 변수는 입자에 대한 등전점(IEP)이다. IEP는 제타 전위가 0일 때의 pH를 나타낸다.
산화세륨 입자의 제타 전위는 동전기적 음향 진폭에 의하여 7.5 내지 10.5의 pH 범위내에서 측정된다. 이를 위하여, 액체 상으로서 물과 함께 1 중량％의 산화세륨을 포함하는 분산물을 생성하였다. 분산은 초음파 로드(400 W)를 사용하여 실시한다. 분산물을 자기 교반기로 교반하고, 튜브연동식 펌프에 의하여 마텍으로부터의 ESA-8000 기기의 PPL-80 센서를 통하여 펌핑 처리한다. 5M NaOH를 사용하여 pH 10.5로 전위차 적정하는 것은 출발 pH로부터 개시한다. pH 7.5로의 역적정은 5M HNO3를 사용하여 실시하였다. 평가는 하기 수학식에 의하여 실시하였다:
Figure pct00001
상기 수학식에서,
ESA는 동전기적 음향 진폭이고,
ζ는 제타 전위이고,
φ는 부피 분율이고,
Δp는 입자와 액체 사이의 밀도차이고,
c는 현탁액중의 음향의 속도이고,
η는 액체의 점도이고,
ε은 현탁액의 유전 상수이고,
│G (α)│는 관성에 대한 보정이다.
본 발명의 분산물에 존재하는 산화세륨 입자의 제타 전위는 바람직하게는 +20 내지 +60 ㎷, 더욱 바람직하게는 +30 내지 +40 ㎷이다.
본 발명의 분산물중의 산화세륨 입자의 평균 입자 직경은 200 ㎚ 이하이다. 20 내지 90 ㎚ 범위내가 바람직하다. 연마 공정에서, 제거율 및 결함율에 관한 최상의 결과는 상기 범위내에서 얻었다. 산화세륨 입자는 분리된 개개의 입자의 형태로 또는 응집된 1차 입자의 형태로 존재할 수 있다.
평균 입자 직경, 응집된 1차 입자의 경우 평균 응집물 직경은 200 ㎚ 미만이 바람직하다. 50 내지 150 ㎚ 범위내인 것이 특히 바람직하다. 수치는 예를 들면 동적 광 산란에 의하여 측정할 수 있다.
본 발명의 분산물중의 산화세륨의 비율은 넓은 범위에 걸쳐 변경될 수 있다. 산화세륨의 함유량은 분산물을 기준으로 하여 0.01 내지 50 중량％일 수 있는 것이 바람직하다. 예를 들면 수송 비용을 최소로 하기 위한 경우 높은 비율이 바람직하다. 연마제로서 사용하는 경우, 산화세륨의 비율은 분산물을 기준으로 하여 바람직하게는 0.01 내지 5 중량％, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 1 중량％이다.
사용한 산화세륨 입자는 BET 표면적이 바람직하게는 30 내지 100 ㎡/g, 더욱 바람직하게는 40 내지 80 ㎡/g이다.
나트륨의 비율은 일반적으로 5 ppm 이하이며, 염소의 비율은 20 ppm 이하이다. 언급한 원소는 일반적으로 기계화학적 연마에서 소량으로만 허용 가능하다.
산화세륨 입자는 분리된 개개의 입자로서 또는 응집된 1차 입자의 형태로 존재할 수 있다. 본 발명의 분산물은 응집된 산화세륨 입자를 포함하는 것이 바람직하거나 또는, 산화세륨 입자는 주로 또는 완전하게 응집된 형태로 존재한다.
9 내지 11의 pH 값에서 등전점(IEP)을 갖는 산화세륨 입자를 사용하는 것이 이로운 것으로 밝혀졌다. 이는 7 내지 8.5의 pH 범위내에서 안정한 분산물을 제조하게 된다. IEP는 제타 전위가 0인 pH를 나타낸다. 제타 전위가 클수록, 분산물은 더 안정하다. 제타 전위는 예를 들면 분산물의 콜로이드성 진동 전류(CVI)를 측정하거나 또는, 전기 이동도를 측정하여 결정될 수 있다. 또한, 제타 전위는 동전기적 음향 진폭(ESA)에 의하여 측정될 수 있다.
특히 적절한 산화세륨 입자는 이의 표면에서 그리고 표면에 가까운 층에서 카보네이트 기를 포함하는 것으로 밝혀졌다. 특히 이는 독일 특허 출원 공개 공보 제102005038136호에 개시되어 있는 바와 같다. 이는
- BET 표면적이 25 내지 150 ㎡/g이며,
- 1차 입자의 평균 직경이 5 내지 50 ㎚이고,
- 표면에 가까운 1차 입자의 층의 깊이가 약 5 ㎚이며,
- 표면에 가까운 층에서, 카보네이트 농도가 가장 높은 표면으로부터 시작하여 카보네이트 농도는 내부를 향하여 감소되며,
- 카보네이트 기로부터 발생하는 표면에서의 탄소 함유량은 5 내지 50 면적％이고, 표면에 근접한 층에서는 약 5 ㎚의 깊이에서 0 내지 30 면적％이고,
- CeO2로서 계산하고 그리고 분말을 기준으로 한 산화세륨의 함유량은 99.5 중량％ 이상이며,
- 유기 및 무기 탄소를 포함하는 탄소의 함유량은 분말을 기준으로 하여 0.01 내지 0.3 중량％인 산화세륨 입자이다.
카보네이트 기는 산화세륨 입자의 표면에서 그리고 약 5 ㎚까지의 깊이 모두에서 검출될 수 있다. 카보네이트 기는 화학적으로 결합되어 있으며, 예를 들면 하기 구조 a 내지 c로서 정렬될 수 있다:
Figure pct00002
카보네이트 기는 예를 들면 XPS/ESCA 분석에 의하여 검출될 수 있다. 표면에 근접한 층에서의 카보네이트 기를 검출하기 위하여, 표면 일부는 아르곤 이온 충격에 의하여 용융제거(ablate)될 수 있으며, 발생되는 새로운 표면은 마찬가지로 XPS/ESCA(XPS=X선 광전자 분광학; ESCA=화학적 분석을 위한 전자 분광학)에 의하여 분석될 수 있다.
본 발명에 의한 방법에 사용되는 분산물은 산화세륨 입자 이외에 1종 이상의 중합체 음이온성 분산 첨가제를 포함한다. 여기서 "음이온성"이라는 것은 분산 첨가제가 1 이상의 음으로 하전된 작용기를 갖고, 극성 부분 및 비극성 부분으로 형성된다는 것을 의미하는 것으로 이해하여야 한다. 음으로 하전된 작용기는 예를 들면 카르복실레이트 기, 설포네이트 기 또는 설페이트 기가 될 수 있다.
이들 첨가제는 아크릴산 중합체, 메타크릴산 중합체, 라우릴황산암모늄 및 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르 황산암모늄으로 구성된 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
폴리아크릴산 및/또는 이의 염, 특히 암모늄 폴리아크릴레이트가 특히 바람직하다. 평균(수평균) 분자량은 바람직하게는 500 내지 50,000, 특히 바람직하게는 1,000 내지 30,000이다.
중합체 음이온성 분산 첨가제의 비율은 산화세륨을 기준으로 하여 0.1 내지 20 중량％가 바람직하다.
본 발명에 의한 방법에 사용되는 분산물은 산화세륨 입자 및 중합체 음이온성 분산 첨가제뿐 아니라, 1종 이상의 산화제를 일반적으로 분산물을 기준으로 하여 0.1 내지 20 중량％의 함유량으로 포함한다. 이를 위하여, 과산화수소, 과산화수소 부가물, 예를 들면 우레아 부가물, 유기 과산, 무기 과산, 이미노 과산, 퍼설페이트, 퍼보레이트, 퍼카르보네이트, 산화 금속 염 및/또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 과산화수소를 사용할 수 있는 것이 더욱 바람직하다. 본 발명의 분산물의 기타 성분에 대하여 일부 산화제의 안정도가 감소되었으므로, 분산물을 사용하기 직전까지 이들을 첨가하지 않는 것을 추천한다.
본 발명의 분산물의 액체 상은 물, 유기 용매 및, 물과 유기 용매의 혼합물을 포함한다. 일반적으로, 액체 상의 >90 중량％ 비율의 주요 성분은 물이다.
본 발명의 분산물은 산화 활성제를 더 포함할 수 있다. 적절한 산화 활성제는 Ag, Co, Cr, Cu, Fe, Mo, Mn, Ni, Os, Pd, Ru, Sn, Ti, V 및 이의 혼합물의 금속 염이 될 수 있다. 추가로, 카르복실산, 니트릴, 우레아, 아미드 및 에스테르가 적절하다. 질산철(II)이 특히 바람직하다. 산화 촉매의 농도는 산화제 및 연마 작업에 의존하여 0.001 내지 2 중량％ 범위내에서 변경될 수 있다. 0.01 내지 0.05 중량％ 범위내가 특히 바람직하다.
일반적으로 본 발명의 분산물중에서 0.001 내지 2 중량％의 비율로 존재하는 부식 방지제로는 질소 함유 헤테로사이클, 예컨대 벤조트리아졸, 치환된 벤즈이미다졸, 치환된 피라진, 치환된 피라졸 및 이의 혼합물을 들 수 있다.
또한, 사용한 분산물은 산, 염기, 염을 포함할 수 있다. pH는 산 또는 염기에 의하여 조절될 수 있다. 사용한 산은 무기 산, 유기 산 또는 혼합물이 될 수 있다. 사용한 무기 산은 특히 인산, 아인산, 질산, 황산, 이의 혼합물 및 이의 산성 염이 될 수 있다. 사용한 유기 산은 화학식 CnH2n+1CO2H(여기서 n=0-6 또는 n=8, 10, 12, 14, 16임)의 카르보실산 또는, 화학식 HO2C(CH2)nCO2H(여기서 n=0-4임)의 디카르복실산 또는, 화학식 R1R2C(OH)CO2H(여기서 R1=H, R2=CH3)의 히드록시카르복실산, CH2CO2H, CH(OH)CO2H 또는 프탈산 또는 살리실산 또는, 전술한 산의 산성 염 또는 전술한 산의 혼합물 및 이의 염이 바람직하다. pH는 암모니아, 알칼리 금속 수산화물, 아민 또는 우로트로핀을 첨가하여 증가시킬 수 있다.
본 발명은 산화세륨 입자가
- 응집된 1차 입자의 형태로 존재하며,
- 9 내지 11의 pH에서 등전점을 가지며,
- 평균 입자 직경이 20 내지 90 ㎚이고, 산화세륨의 비율은 분산물을 기준으로 하여 0.01 내지 10 중량％이며, 중합체 음이온성 분산 첨가제의 비율은 산화세륨을 기준으로 하여 0.1 내지 20 중량％인 것을 특징으로 하는, 산화세륨 및 1종 이상의 중합체 음이온성 분산 첨가제를 포함하고 pH가 7.5 내지 10.5인 수성 분산물을 추가로 제공한다.
중합체 음이온성 분산 첨가제로서, 본 발명의 분산물은 폴리아크릴산 및/또는 이의 암모늄 염을 포함하는 것이 바람직할 수 있다. 평균 수평균 분자량은 500 내지 50,000, 바람직하게는 1,000 내지 30,000일 수 있다.
분산물은 산화제를 추가로 포함할 수 있다.
분석
비표면적은 DIN 66131에 의하여 측정한다.
표면 성질은 넓은 면적(1 ㎠) XPS/ESCA 분석(XPS=X선 광전자 분광학; ESCA=화학 분석을 위한 전자 분광학)에 의하여 측정한다. 평가는 영국 테딩턴에 소재하는 국립 물리 연구소의 DIN 기술 보고서 No. 39, DMA(A) 97 및, 오늘날까지 "Oberflachen- und Mikrobereichsanalysen"(표면 및 미세 구역 분석) 실무 위원회 NMP816(DIN)의 개발을 동반한 표준화에 관한 지식에 의한 일반적인 추천에 기초한다. 또한, 각각의 경우에서 기술 문헌으로부터 얻을 수 있는 비교 스펙트럼을 고려한다. 수치는 각각의 경우에서 명시한 전자 레벨의 상대적 감도 인자를 고려하는 배경 감법에 의하여 계산한다. 데이타는 면적％로 나타낸다. 정확도는 상대적 ±5％에서 평가한다.
평균 응집물 직경은 호리바로부터의 LB-500 입자 크기 분석기를 사용하여 측정하였다.
연마된 샘플의 표면 거칠기는 하기에 의하여 측정하였다:
a. 웨이퍼를 산란된 광으로 평가하는 Censor ANS 100 레이저 표면 스캐너(흐림도). 레이저 스폿 직경은 약 50 ㎛이고, 전체 웨이퍼를 스캐닝하였다. 그리하여 수십 ㎛ 범위의 중간파 내지는 장파 불균일성에 대한 정보를 제공하였다. 측정 단위 ppm은 반사된 레이저 광 모두에서의 산란된 광의 비율을 나타내며, 어떠한 거칠기 수로도 직접 할당될 수 없다.
b. Ra에 대한 미가공 데이타 또는 가공한(평탄화) 데이타를 평가하는, 태핑(tapping) 모드의 디지탈 기기 "Bioscope" 원자력 현미경(AFM). 측정 피이크는 ㎚ 범위내로 곡률 반경을 가지며, 스캔한 장은 크기가 5×2.5 ㎛이다. ㎚ 치수의 매우 짧은 파 거칠기를 검출하였다.
c. Ra 그리고 피이크-밸리 pv 모두에 대한 평가를 전체 측정 장에 대하여 실시하는 ATOS로부터의 Micromap 512 백색광 간섭계. 측정 장의 크기는 약 500×500 ㎛이고, 공간 해상도는 1 ㎛이다. 검출된 불균일성은 중간파 범위(수 ㎛) 단위로 나타낸다.
제거율은 중력을 이용하여 측정하였다.
피드스톡
산화세륨: 독일 특허 출원 공개 공보 제102005038136호의 실시예 2에 기재한 바와 같은 발열성 산화세륨.
분석 데이타: BET 60 ㎡/g, 입자 직경 65 ㎚. CeO2 함유량 99.79 중량％, C 함유량 0.14 중량％, pH=5에서 제타 전위 48 ㎷, pH=9.8에서 IEP.
분산물
D0: 분산물은 산화세륨 분말을 물에 첨가하고, 초음파 핑거(Bandelin UW2200/DH13G로부터, 레벨 8, 100％; 5 분)를 사용한 초음파 처리에 의하여 분산시키고, 수성 암모니아를 사용하여 pH를 7.5로 조절하여 얻었다. 0.5 중량％의 산화세륨을 포함하는 분산물을 얻었다.
D1: 산화세륨 분말 및 폴리아크릴산[평균 수평균 분자량 2,000]을 물에 첨가하고, 이를 초음파 핑거(Bandelin UW2200/DH13G로부터, 레벨 8, 100％; 5 분)를 사용한 초음파 처리에 의하여 분산시키고, 수성 암모니아를 사용하여 pH를 7.5로 조절하여 얻었다. 0.5 중량％의 산화세륨 및 0.015 중량％의 암모늄 폴리아크릴레이트를 포함하는 분산물을 얻었다.
D1/H2O2: 충분량의 30 중량％의 과산화수소 수용액을 과산화수소의 함유량이 0.5 중량％인 D1에 첨가하였다. 산화세륨 입자 크기는 78 ㎚이다.
D2: Glanzox® 3900 RS, Fujimi; 콜로이드성 이산화규소의 암모니아 안정화된 분산물, SiO2 함유량 10 중량％, pH 10, 물로 0.5 중량％의 SiO2로 희석함.
D2/H2O2: 충분량의 30 중량％의 과산화수소 수용액을 과산화수소의 함유량이 0.5 중량％인 D2에 첨가하였다. 이산화규소 입자 크기는 32-38 ㎚이다.
웨이퍼:
무처리: 평활한 150 ㎜ 모니터 웨이퍼.
연마한 웨이퍼를 물중의 PVA 스폰지 브러쉬(PVA=폴리비닐 알콜)를 사용한 통합 브러쉬 세정 시스템에 의하여 세정하였다.
모든 연마 테스트는 Peter Wolters PM 200 CMP Clustertool상에서 실시하였다. 무-연무 연마 단계는 롬 앤 하스로부터 SPM 3100 패드(공업 표준)를 사용하여 시스템의 터치-업 평판상에서 실시하였다. 공정 데이타는 하기와 같다:
다운포스: 400 N
척 속도: 49 rpm
터치-업 평판 속도: 50 rpm
슬러리 유속: 400 ㎖/분
연마 시간: 1 분
연마 결과
비교예 본 발명
1 2 3 4 5
무-연무 연마 D0 D2 D1 D2/H2O2 D1/H2O2
제거율a) ㎚/분 - 20 14.2 19.5 31.5
흐림도 ppm 0.065 0.059 0.164 0.128 0.089
Ra AFM b) Å 1.19 1.23 1.14 1.17 0.99
c) Å 1.19 1.23 1.13 1.16 0.99
간섭계 Ra Å 3.6 5.5 6.4 5.1 4.2
p-v Å 44 47 68 47 47
a) (± 2 ㎚/분)
b) 세정 없음
c) 세정함
표 1은 연마 테스트의 결과를 나타낸다. 상당히 더 높은 제거율은 D1/H2O2에서 얻은 것으로 밝혀졌다. 과산화수소의 첨가는 과산화수소를 사용하지 않은 D1에 비하여 제거율이 약 2 배가 되었다.
추가로, D1/H2O2에 대한 흐림도 값은 D1에서보다 다소 더 높은 것으로 밝혀졌다. 그러나, 사용한 웨이퍼의 값(0.065)보다 약간만이 높았다(0.089).
반대로, AFM을 사용한 분석은 출발 물질에 비하여 D1/H2O2에 대한 거칠기 값이 더 우수한 반면, D2 및 D2/H2O2는 출발 웨이퍼에 필적하는 값을 산출하였다.
또한, 상당한 수직 불균일성을 고려하는 p-v에 대한 평가는 D1/H2O2에 대한 출발 웨이퍼에 해당하는 값을 산출한다.
D1/H2O2의 경우, 무-연무 연마된 규소 웨이퍼의 표면은 연마후 친수성이 되었다.

Claims (18)

  1. 산화세륨 입자, 1종 이상의 중합체 음이온성 분산 첨가제 및 1종 이상의 산화제를 포함하고 pH가 7 내지 10.5인 분산물을 사용하며,
    - 상기 산화세륨 입자는 양전하를 갖고,
    - 중합체 음이온성 분산 첨가제 및 산화제는 분산물의 액체 상에 가용성인 것을 특징으로 하는, 규소 표면의 연마 방법.
  2. 제1항에 있어서, 산화세륨 입자의 제타 전위가 +20 내지 +60 ㎷인 것을 특징으로 하는 분산물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 산화세륨 입자의 평균 입자 직경이 200 ㎚ 이하인 분산물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 산화세륨의 비율이 분산물을 기준으로 하여 0.01 내지 50 중량％인 분산물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 사용한 산화세륨 입자의 BET 표면적이 30 내지 100 ㎡/g인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 사용한 산화세륨 입자의 나트륨 비율이 5 ppm 이하이고, 염소 비율이 20 ppm 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 산화세륨 입자가 응집된 1차 입자의 형태로 존재하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 산화세륨 입자가 9 내지 11의 pH 값에서 등전점을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 중합체 음이온성 분산 첨가제로서 아크릴산 중합체, 메타크릴산 중합체, 라우릴황산암모늄 및 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르 황산암모늄으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 분산물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 중합체 음이온성 분산 첨가제로서 1종 이상의 폴리아크릴산 및/또는 이의 염을 포함하는 분산물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 중합체 음이온성 분산 첨가제의 비율이 산화세륨을 기준으로 하여 0.1 내지 20 중량％인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 과산화수소를 산화제로서 포함하는 분산물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 사용한 분산물중의 산화제의 비율이 0.1 내지 20 중량％인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 산화세륨 입자 이외에 추가의 연마제를 포함하지 않는 분산물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 액체 상의 주요 성분이 물인 분산물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 산, 염기, 염, 산화 촉매 및/또는 부식 방지제를 포함하는 분산물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 산화세륨 및 중합체 분산 첨가제를 포함하는 수성 분산물로서,
    산화세륨 입자가
    - 응집된 1차 입자의 형태로 존재하고,
    - 9 내지 11의 pH 값에서 등전점을 갖고,
    - 평균 입자 직경이 20 내지 90 ㎚이고,
    산화세륨의 비율이 분산물을 기준으로 하여 0.01 내지 10 중량％이고, 중합체 음이온성 분산 첨가제의 비율이 산화세륨을 기준으로 하여 0.1 내지 20 중량％이고, 분산물의 pH가 7.5 내지 10.5인 것을 특징으로 하는 수성 분산물.
  18. 제17항에 있어서, 1종 이상의 산화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 수성 분산물.
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