KR20100120833A - Method for forming ion barrier film on microchannel plate for the use of image intensifier tubes - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for forming an ion-barrier film on a micro-channel plate for an image intensifier tubes is provided to prevent cation from being collided to the metal layer of a photo-cathode by coating a ceramic thin film on one side of a micro-channel plate(MCP). CONSTITUTION: A table jig with at least one MCP is installed in a tank(1001). Deionized water is supplied in the tank in order to immerse the MCP(1002). Lacquer is sprayed on the surface of water, the non-vibration state of the tank is maintained until the lacquer is hardened(1004). The deionized water is drained from the tank, the MCP is naturally dried(1006). A ceramic thin film is deposited on the lacquer thin film of the MCP(1009). The MCP with the ceramic thin film is thermally treated(1010).

Description

영상증폭관용 ＭＣＰ의 이온 장벽 필름 형성 방법{Method for forming ion barrier film on microchannel plate for the use of image intensifier tubes}Method for forming ion barrier film on microchannel plate for the use of image intensifier tubes}

본 발명은 영상증폭관에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 영상증폭관용 MCP(microchannel plate)의 이온 장벽 필름 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an image amplifier, and more particularly, to a method for forming an ion barrier film of an MCP (microchannel plate) for an image amplifier.

영상증폭관은 야간 투시경내에 포함되는 핵심 부품으로서, 야간에 극소적인 빛 성분을 광ㆍ전자적으로 획득하고 이를 수만 배로 증폭시키는 장치이다. 도 1에는 종래의 영상증폭관의 단면도가 도시되어 있다. 영상증폭관(1)은 포토캐소드(photocathode)(10), MCP(microchannel plate)(20), 형광막(phosphor screen)(30), 및 광섬유(40)를 포함한다. 포토캐소드(10)의 한쪽 면에는 세슘(cesium; Cs)과 같은 금속층(11)이 대략 1㎚의 두께로 코팅되어 있다. 포토캐소드(10)는 외부로부터의 입력광을 전자(51)로 전환한다. 도 1에 도시된 것과 같이, 전압(V1)이 포토캐소드(10)의 금속층(11)에 인가되고, 전압(V2, V3)이 MCP(20)의 양쪽 단면에 각각 인가되고, 전압(V4)이 형광막(30)에 인가된다. 예를 들어, 전압(V1)은 대략 -2KV이고, 전압(V2)은 대략 -1KV이고, 전압(V3)은 0V이고, 전압(V4)은 대략 4.5KV일 수 있다.The image amplification tube is a key component included in the night vision goggles. It is a device that obtains extremely light components at night and electronically and amplifies them tens of thousands of times. 1 is a cross-sectional view of a conventional image amplifier. The image amplifier 1 includes a photocathode 10, a microchannel plate 20, a phosphor screen 30, and an optical fiber 40. One side of the photocathode 10 is coated with a metal layer 11 such as cesium (Cs) to a thickness of approximately 1 nm. The photocathode 10 converts input light from the outside into the electrons 51. As shown in FIG. 1, a voltage V1 is applied to the metal layer 11 of the photocathode 10, voltages V2 and V3 are applied to both end surfaces of the MCP 20, respectively, and a voltage V4. It is applied to the fluorescent film 30. For example, the voltage V1 may be approximately −2 KV, the voltage V2 may be approximately −1 KV, the voltage V3 may be 0 V, and the voltage V4 may be approximately 4.5 KV.

포토캐소드(10)에서 빛에 의해 여기된 전자(51)는 금속층(11)과 MCP(20)에 각각 인가된 전압들(V1, V2)의 차에 의해, 화살표로 나타낸 것과 같이, MCP(20)를 향하여 진행한다. MCP(20)는 수 만개의 전자미세증폭관(즉, 홀(hole))(21)이 행렬 형태로 배열된 웨이퍼 모양의 유리섬유로 제작된 유리판이다. MCP(20)를 향하여 진행하면서 가속된 전자(51)는 MCP(20)의 홀(21)을 통과하면서 홀(21)의 내벽에 충돌하여 증폭되고, 그 결과, MCP(20)로부터 수 만개의 전자(51')들이 전자 빔(beam)의 형태로 방출된다. 전자 빔은 전압들(V3, V4)의 차에 의해 형광막(30)으로 향하여 진행한다. 형광막(30)은 MCP(20)로부터 방출된 짧은 파장의 전자 빔을 빛(출력광)으로 전환시켜 광섬유(40)를 통하여 외부로 출력한다.The electrons 51 excited by the light in the photocathode 10 are represented by the MCP 20, as indicated by the arrows, by the difference between the voltages V1 and V2 applied to the metal layer 11 and the MCP 20, respectively. Proceed toward). The MCP 20 is a glass plate made of wafer-like glass fibers in which tens of thousands of electron microamplifier tubes (ie, holes) 21 are arranged in a matrix form. The electrons 51 accelerated while proceeding toward the MCP 20 collide with the inner wall of the hole 21 while passing through the holes 21 of the MCP 20, and as a result, are tens of thousands of pieces from the MCP 20. Electrons 51 'are emitted in the form of an electron beam. The electron beam travels toward the fluorescent film 30 by the difference of the voltages V3 and V4. The fluorescent film 30 converts an electron beam of short wavelength emitted from the MCP 20 into light (output light) and outputs it to the outside through the optical fiber 40.

한편, MCP(20)의 홀(21) 내벽에는 이물질이 존재할 수 있다. 이 경우, 전자(51)가 이물질과 충돌하여, 양이온(52)이 발생할 수 있다. 양이온(52)은 전압들(V1, V2)의 차에 의해, 화살표로 나타낸 것과 같이, 전자(51)의 진행 방향과는 반대 방향으로, 즉, 포토캐소드(10)를 향하여 진행한다. 그 결과, 양이온(52)이 포토캐소드(10)의 금속층(11)에 충돌하여 금속층(11)을 손상시킨다. 금속층(11)은 대략 1㎚의 얇은 두께로 포토캐소드(10)의 일면에 코팅되어 있기 때문에, 아주 작은 외부의 자극에 의해서도 쉽게 손상된다. 금속층(11)이 손상될 경우, 금속층(11)의 손상된 부분에서는 전자(51)가 발생되지 않기 때문에, 영상증폭관(1)의 불량이 발생된다. 이처럼 MCP(20)에서 발생되는 양이온(52)은 영상증폭관(1)의 수명을 단축시키는 주요 원인이 된다. 따라서 MCP(20)에서 발생되는 양이온(52)으로부터 포토캐소드(10)의 금속층(11)을 보호할 수 있는 방안이 절실히 요구된다.On the other hand, foreign matter may exist in the inner wall of the hole 21 of the MCP (20). In this case, the electrons 51 collide with the foreign matter, and the cation 52 may be generated. The cation 52 travels in a direction opposite to the traveling direction of the electron 51, that is, toward the photocathode 10, as indicated by the arrow, by the difference in voltages V1, V2. As a result, the cation 52 collides with the metal layer 11 of the photocathode 10 to damage the metal layer 11. Since the metal layer 11 is coated on one surface of the photocathode 10 with a thickness of approximately 1 nm, it is easily damaged even by a small external magnetic pole. When the metal layer 11 is damaged, since the electrons 51 are not generated in the damaged portion of the metal layer 11, a defect of the image amplifier 1 occurs. As such, the cation 52 generated in the MCP 20 is a major cause of shortening the life of the image amplification tube 1. Therefore, there is an urgent need for a method of protecting the metal layer 11 of the photocathode 10 from the cation 52 generated in the MCP (20).

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 MCP의 한쪽 단면에 래커(lacquer) 박막을 형성하고, 래커 박막상에 세라믹(ceramic) 박막을 증착한 후, 열처리에 의해 래커 박막을 열분해 하여, MCP의 한쪽 단면에 이온 장벽 필름인 세라믹 박막을 코팅함으로써, 이온 장벽 필름에 의해 MCP 내에서 발생하는 양이온이 포토캐소드의 금속층에 충돌하는 것을 방지하여 영상증폭관의 수명을 연장시킬 수 있는 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법을 제공하는 데 있다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to form a lacquer thin film on one end surface of the MCP, to deposit a ceramic thin film on the lacquer thin film, and to thermally decompose the lacquer thin film by heat treatment, one side of the MCP By coating a ceramic thin film, which is an ion barrier film, on the cross-section, the ion barrier film prevents cations generated in the MCP from colliding with the metal layer of the photocathode, thereby extending the life of the image amplifier tube. It is to provide a method of forming a barrier film.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법은 수조내에 적어도 하나의 MCP(microchannel plate)가 탑재된 테이블 지그(jig)를 설치하는 단계; 상기 적어도 하나의 MCP가 잠기도록 수조내에 탈이온화수(Deionized water)를 급수하는 단계; 상기 탈이온화수의 수면이 안정화된 후, 수면상에 래커(lacquer)를 분사하는 단계; 상기 래커가 경화될 때까지 상기 수조를 무진동 상태로 유지하는 단계; 상기 래커가 경화된 후, 상기 탈이온화수의 수면상에 존재하는 래커 박막이 상기 적어도 하나의 MCP의 상부면상에 안착되도록, 상기 수조내의 탈이온화수를 배수하는 단계; 상기 탈이온화수의 배수가 완료된 후, 상기 적어도 하나의 MCP를 상기 수조 내에서 제1 설정 시간 동안 자연 건조시키는 단계; 건조 오븐(oven) 내에서 상기 적어도 하나의 MCP를 제2 설정 시간 동안 추가로 건조시키는 단계; 상기 테이블 지그로부터 상기 적어도 하나의 MCP를 분 리하는 단계; 상기 적어도 하나의 MCP 상부면의 상기 래커 박막상에 세라믹(ceramic) 박막을 증착하는 단계; 및 상기 래커 박막의 열분해에 의해 상기 래커 박막이 제거되고, 상기 적어도 하나의 MCP의 한쪽 단면상에 이온 장벽 필름인 상기 세라믹 박막이 코팅되도록, 상기 세라믹 박막이 증착된 상기 적어도 하나의 MCP를 열처리하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for forming an ion barrier film of an MCP for an image amplification tube, including: installing a table jig in which at least one MCP (microchannel plate) is mounted in a water tank; Supplying deionized water to the water bath so that the at least one MCP is submerged; After the surface of the deionized water is stabilized, spraying a lacquer on the surface of the water; Maintaining the bath in a vibration-free state until the lacquer has cured; After the lacquer has cured, draining the deionized water in the bath such that the lacquer thin film present on the water surface of the deionized water is seated on the top surface of the at least one MCP; After the draining of the deionized water is completed, naturally drying the at least one MCP in the water tank for a first set time; Further drying the at least one MCP for a second set time in a drying oven; Separating the at least one MCP from the table jig; Depositing a ceramic thin film on the lacquer thin film of the at least one MCP top surface; And heat treating the at least one MCP on which the ceramic thin film is deposited such that the lacquer thin film is removed by pyrolysis of the lacquer thin film and the ceramic thin film, which is an ion barrier film, is coated on one end surface of the at least one MCP. It includes.

상술한 것과 같이, 본 발명에 따른 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법은 MCP의 한쪽 단면에 얇은 이온 장벽 필름인 세라믹 박막을 코팅하므로, 이온 장벽 필름에 의해 MCP 내에서 발생하는 양이온이 포토캐소드의 금속층에 충돌하는 것이 방지되어 영상증폭관의 수명이 연장될 수 있다.As described above, the method for forming an ion barrier film of the MCP for an image amplification tube according to the present invention coats a ceramic thin film, which is a thin ion barrier film, on one end surface of the MCP, so that cations generated in the MCP by the ion barrier film are photocathode. The collision of the metal layer of the film can be prevented and the life of the image amplifier can be extended.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, only the embodiments are to make the disclosure of the present invention complete and to those skilled in the art the scope of the invention It is provided for complete information.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 과정을 나타내는 흐름도이다. 먼저, 도 3a에 도시된 것과 같이, 수조(200)내에 적어도 하나의 MCP(microchannel plate)(100)가 탑재 고정된 테이블 지그(jig)(210)가 설치된다(단계 1001). 이때, 테이블 지그(210)의 테이블(211)은 수조(200)의 바 닥면에 평행하는 수평선(H)을 기준으로 각도(θ°)만큼의 기울기로 경사지게 설치된다. 여기에서, 각도(θ°)는 0.5 ∼ 1°로 설정될 수 있다.2 is a flowchart illustrating a process of forming an ion barrier film of an MCP for an image amplification tube according to an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 3A, a table jig 210 in which at least one MCP (microchannel plate) 100 is mounted and fixed is installed in the water tank 200 (step 1001). At this time, the table 211 of the table jig 210 is installed to be inclined at an inclination by an angle θ ° based on a horizontal line H parallel to the bottom surface of the water tank 200. Here, the angle θ ° may be set to 0.5 to 1 °.

수조(200)의 일측에는 배수구(201)가 형성되어 있고, 배수구(201)에는 밸브(202)가 설치된다. 밸브(202)의 개폐 동작에 의해 배수구(201)가 개방되거나 또는 밀폐된다. 테이블(211)상에는 하나 또는 복수의 MCP(100)가 탑재 고정될 수 있다. MCP(100)의 두께는 대략 250 ∼ 300㎛이고, MCP(100) 내부의 홀(101, 도 5참고)의 직경은 대략 6㎛이다. A drain port 201 is formed at one side of the water tank 200, and a valve 202 is installed at the drain port 201. The drain 201 is opened or closed by the opening and closing operation of the valve 202. One or a plurality of MCPs 100 may be mounted and fixed on the table 211. The thickness of the MCP 100 is approximately 250 to 300 μm, and the diameter of the hole 101 (see FIG. 5) inside the MCP 100 is approximately 6 μm.

이 후, 도 3b에 도시된 것과 같이, MCP(100)가 잠기도록 수조(200)내에 탈이온화수(Deionized water)(300)가 급수된다(단계 1002). 이때, 테이블(211)의 최상단측에 배치된 MCP(100)의 상부면으로부터 탈이온화수(300)의 수면에 이르는 거리(D)가 2 ∼ 20㎜로 되도록, 탈이온화수(300)가 수조(200)내에 급수된다.Thereafter, as illustrated in FIG. 3B, deionized water 300 is fed into the water tank 200 so that the MCP 100 is submerged (step 1002). At this time, the deionized water 300 is tanked so that the distance D from the upper surface of the MCP 100 disposed on the uppermost side of the table 211 to the water surface of the deionized water 300 becomes 2 to 20 mm. Water is supplied in 200.

탈이온화수(300)의 수면이 안정화된 후, 도 3c에 도시된 것과 같이, 수면상에 래커(lacquer)(110)가 분사된다(단계 1003). 이때, 래커(110)는 정량토출기(400)에 의해 탈이온화수(300)의 수면상에 분사된 후, 래커(110)의 표면장력에 의해 탈이온화수(300)의 수면상에 균일하게 확산된다. 래커(110)는 PmNa, RbNi, C7H8(톨루엔(toluene)) 등을 포함하는 40여 가지의 화학물질을 포함하는 화합물로서, 셀룰로오스(cellulose)를 더 포함한다.After the surface of the deionized water 300 is stabilized, a lacquer 110 is sprayed onto the surface as shown in FIG. 3C (step 1003). At this time, the lacquer 110 is sprayed on the water surface of the deionized water 300 by the metering discharger 400, and then uniformly on the water surface of the deionized water 300 by the surface tension of the lacquer 110 Spreads. The lacquer 110 is a compound containing about 40 chemical substances including PmNa, RbNi, C 7 H 8 (toluene), and the like, and further includes cellulose.

래커(110)가 경화될 때까지 수조(200)가 무진동 상태로 유지된다(단계 1004). 예를 들어, 30분 동안 수조(200)가 무진동 상태로 유지될 수 있다. 만약, 래커(110)가 경화되기 전에 수조(200)가 진동할 경우, 탈이온화수(300)가 출렁거려서 래커(110)에 울퉁불퉁하게 주름이 생길 수 있다.The water bath 200 remains free of vibration until the lacquer 110 is cured (step 1004). For example, the water tank 200 may be kept free of vibration for 30 minutes. If the water tank 200 vibrates before the lacquer 110 is cured, the deionized water 300 may slump and cause wrinkles in the lacquer 110 unevenly.

래커(110)가 경화된 후, 도 3d에 도시된 것과 같이, 탈이온화수(300)의 수면상에 존재하는 래커 박막(111)이 MCP(100)의 상부면상에 안착되도록, 수조(200)내의 탈이온화수(300)가 배수구(201)를 통하여 배수된다(단계 1005). 그 결과, MCP(100)의 상부면상에 기포가 발생되지 않은채, 래커 박막(111)이 MCP(100)의 상부면상에 고르게 밀착되고, 테이블(211)을 제외한 나머지 영역에 존재하는 래커(110)는 탈이온화수(300)의 장력에 의해 떨어져나가 수조(200)의 바닥면상에 존재하게 된다. 이때, 수조(200)로부터 배출되는 탈이온화수(300)의 유속은 0.2 ∼ 0.5 ㏄/s인 것이 바람직하다. 테이블(211)에는 복수의 배수 구멍(212)이 형성될 수 있고, 테이블(211)상의 탈이온화수(300)는 배수 구멍(212)을 통하여 수조(200)의 바닥면으로 원활하게 배수될 수 있다. 래커 박막(111)의 두께는 대략 50 ∼ 100㎚로 형성될 수 있다.After the lacquer 110 is cured, the water tank 200 so that the lacquer thin film 111 existing on the water surface of the deionized water 300 is seated on the upper surface of the MCP 100, as shown in FIG. 3D. Deionized water 300 is drained through drain 201 (step 1005). As a result, the lacquer thin film 111 is adhered evenly on the upper surface of the MCP 100 without bubbles generated on the upper surface of the MCP 100, and the lacquer 110 exists in the remaining region except for the table 211. ) Is separated by the tension of the deionized water 300 is present on the bottom surface of the water tank (200). At this time, it is preferable that the flow rate of the deionized water 300 discharged | emitted from the water tank 200 is 0.2-0.5 dl / s. A plurality of drainage holes 212 may be formed in the table 211, and the deionized water 300 on the table 211 may be smoothly drained to the bottom surface of the water tank 200 through the drainage hole 212. have. The lacquer thin film 111 may have a thickness of approximately 50 to 100 nm.

한편, 단계 1002에서, 수조(200)내에 탈이온화수(300) 대신 물이 채워진 경우, 물속에 포함된 여러가지 불순물들에 의해, 래커 박막(111)이 불균일하게 형성될 수 있다. 따라서, MCP(100)의 상부면상에 균일한 래커 박막(111)이 밀착되도록 하기 위해서는 탈이온화수(300)가 사용되는 것이 바람직하다.Meanwhile, in step 1002, when water is filled in the water tank 200 instead of the deionized water 300, the lacquer thin film 111 may be unevenly formed by various impurities included in the water. Therefore, in order to make the uniform lacquer thin film 111 adhere to the upper surface of the MCP 100, it is preferable that the deionized water 300 is used.

또, 단계 1001에서, 테이블 지그(210)의 테이블(211)이 설정된 각도(θ°, 예를 들어, 0.5 ∼ 1°)로 경사지게 설치되지 않고 수조(200)의 바닥면에 평행하게 설치되거나, 또는 수조(200)로부터 배출되는 탈이온화수(300)의 유속이 너무 빠를 경우, 래커 박막(111)이 MCP(100)의 상부면에 안착되면서 탈이온화수(300)의 장력에 의해 찢겨질 수 있다. 따라서 테이블 지그(210)의 테이블(211)이 설정된 각도(0.5 ∼ 1°)로 경사지게 설치되고, 수조(200)로부터 배출되는 탈이온화수(300)의 유속은 0.2 ∼ 0.5 ㏄/s로 유지되는 것이 바람직하다.In addition, in step 1001, the table 211 of the table jig 210 is installed in parallel with the bottom surface of the water tank 200 without being inclined at a set angle (θ °, for example, 0.5 to 1 °), Alternatively, when the flow rate of the deionized water 300 discharged from the water tank 200 is too fast, the lacquer thin film 111 may be torn by the tension of the deionized water 300 while being seated on the upper surface of the MCP 100. have. Therefore, the table 211 of the table jig 210 is inclined at a set angle (0.5 to 1 °), and the flow rate of the deionized water 300 discharged from the water tank 200 is maintained at 0.2 to 0.5 kPa / s. It is preferable.

탈이온화수(300)의 배수가 완료된 후, 도 3e에 도시된 것과 같이, MCP(100)는 수조(200) 내에서 설정 시간(예를 들어, 대략 5 ∼ 8시간) 동안 자연 건조된다(단계 1006). 이때, 수조(200) 내부의 습도는 25 ∼ 30%로 유지되는 것이 바람직하다. 만약, MCP(100)의 자연 건조(단계 1006)가 실행되지 않은 채, 건조 오븐(oven)(500)에서의 추가의 건조(단계 1007)가 실행될 경우, 테이블 지그(210)가 건조 오븐(500) 내로 이동되는 과정에서, 테이블(211) 상에 남아 있던 탈이온화수(300)의 움직임에 의해 래커 박막(111)의 형상이 불균일해질 수 있다.After draining of the deionized water 300 is completed, as shown in FIG. 3E, the MCP 100 is naturally dried in the water tank 200 for a set time (eg, approximately 5 to 8 hours) (step 1006). At this time, the humidity in the water tank 200 is preferably maintained at 25 to 30%. If the natural drying (step 1006) of the MCP 100 is not performed, and further drying in the drying oven 500 (step 1007) is performed, the table jig 210 is dried oven 500 In the process of moving into), the shape of the lacquer thin film 111 may become uneven due to the movement of the deionized water 300 remaining on the table 211.

다음으로, 도 3f에 도시된 것과 같이, 건조 오븐(500) 내에서 MCP(100)가 설정 시간(예를 들어, 대략 4 ∼ 24시간, 바람직하게는 5 ∼ 8시간) 동안 추가로 건조된다(단계 1007). 이때, 건조 오븐(500)내의 온도는 대략 25 ∼ 100℃, 바람직하게는 50 ∼ 80℃이다.Next, as shown in FIG. 3F, the MCP 100 is further dried in the drying oven 500 for a set time (eg, approximately 4 to 24 hours, preferably 5 to 8 hours) ( Step 1007). At this time, the temperature in the drying oven 500 is about 25-100 degreeC, Preferably it is 50-80 degreeC.

이 후, 테이블 지그(210)로부터 MCP(100)가 분리된다(단계 1008). 이때, MCP(100)의 가장자리 부분의 래커 박막(111)은 떨어져나가고, 도 3g에 도시된 것과 같이, MCP(100)의 상부면에만 래커 박막(111)이 남게 된다.Thereafter, the MCP 100 is detached from the table jig 210 (step 1008). At this time, the lacquer thin film 111 of the edge portion of the MCP 100 is separated, as shown in Figure 3g, the lacquer thin film 111 is left only on the upper surface of the MCP (100).

테이블 지그(210)로부터 분리된 MCP(100)는 챔버(chamber)(600)내의 냉각 스테이지(stage)(601)상에 탑재되고, RF(radio frequency) 스퍼터(sputter)(602)에 의해, MCP(100) 상부면의 래커 박막(111)상에 세라믹(ceramic) 박막(120)이 증착된다(단계 1009). 이때, RF 스퍼터(602)에 의한 세라믹 박막(120)의 증착 과정에서, 열이 발생될 수 있다. 래커 박막(111)은 열에 의해 쉽게 열분해되어 녹아버릴 수 있기 때문에, MCP(100)의 온도가 낮춰진 상태에서 스퍼터링 공정이 실행되어야 한다. 하지만 MCP(100)의 온도가 너무 낮을 경우, MCP(100)에 크랙(crack)이 발생될 수 있으므로, 적정한 온도로 유지되는 것이 중요하다. 따라서, 래커 박막(111)상에 세라믹 박막(120)이 증착되는 동안, 냉각 스테이지(601)의 온도는 60 ∼ 70℃로 유지되는 것이 바람직하다.The MCP 100 separated from the table jig 210 is mounted on a cooling stage 601 in a chamber 600 and, by means of a radio frequency (RF) sputter 602, the MCP A ceramic thin film 120 is deposited on the lacquer thin film 111 on the top surface (100) (step 1009). In this case, heat may be generated in the deposition process of the ceramic thin film 120 by the RF sputter 602. Since the lacquer thin film 111 can be easily pyrolyzed and melted by heat, the sputtering process should be performed in a state where the temperature of the MCP 100 is lowered. However, if the temperature of the MCP 100 is too low, cracks may occur in the MCP 100, so it is important to maintain the proper temperature. Therefore, while the ceramic thin film 120 is deposited on the lacquer thin film 111, the temperature of the cooling stage 601 is preferably maintained at 60 to 70 ° C.

세라믹 박막(120)은 대략 20 ∼ 40㎚의 균일한 두께로 증착되는 것이 바람직하고, 세라믹 박막(120)에 사용되는 세라믹 재료는 Al203, Al, 및 SiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, Al을 포함하는 세라믹 재료가 사용될 경우, 산소(O2) 분위기에서 RF 스퍼터(602)에 의해 스퍼터링 공정이 실행되고, 이때, Al과 산소(O2)가 반응하여 Al203로 이루어진 세라믹 박막(120)이 래커 박막(111)상에 증착된다.The ceramic thin film 120 is preferably deposited with a uniform thickness of approximately 20 to 40 nm, and the ceramic material used for the ceramic thin film 120 may include any one of Al 2 O 3 , Al, and SiO 2 . have. For example, when a ceramic material including Al is used, the sputtering process is performed by the RF sputter 602 in an oxygen (O 2 ) atmosphere, where Al and oxygen (O 2 ) react to form Al 2 O 3. A ceramic thin film 120 is deposited on the lacquer thin film 111.

이 후, 세라믹 박막(120)이 래커 박막(111)상에 증착된 MCP(100)는, 도 3i에 도시된 것과 같이, 진공 퍼니스(furnace)(700) 내에서 열처리된다(단계 1010). 열처리 공정 시, MCP(100)는 진공 퍼니스(700) 내에서 대략 350 ∼ 400℃의 온도로 대략 48 ∼ 72시간 동안 베이킹(baking) 된다.Thereafter, the MCP 100 in which the ceramic thin film 120 is deposited on the lacquer thin film 111 is heat-treated in the vacuum furnace 700, as shown in FIG. 3I (step 1010). In the heat treatment process, the MCP 100 is baked in the vacuum furnace 700 at a temperature of about 350 to 400 ° C. for about 48 to 72 hours.

MCP(100)가 열처리되는 동안, 래커 박막(111)이 열분해에 의해 CO2 가스화되 어 제거된다. 그 결과, 도 4a에 도시된 것과 같이, MCP(100) 한쪽 단면상에 이온 장벽 필름인 세라믹 박막(120)이 코팅된다. 도 4b는 도 4a에 도시된 MCP의 평면도이다. 도 4b에서 점선(A)을 따라 절단한 MCP(100)의 단면이 도 5에 도시된다.During the heat treatment of the MCP 100, the lacquer thin film 111 is removed by CO 2 gasification by pyrolysis. As a result, as shown in FIG. 4A, the ceramic thin film 120, which is an ion barrier film, is coated on one end surface of the MCP 100. 4B is a plan view of the MCP shown in FIG. 4A. A cross section of the MCP 100 cut along the dotted line A in FIG. 4B is shown in FIG. 5.

도 5는 도 2에 도시된 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 과정에 따라 한쪽 단면에 이온 장벽 필름이 형성된 MCP를 포함하는 영상증폭관의 구조를 나타내는 단면도이다. 도 5를 참고하면, 영상증폭관(800)은 포토캐소드(810), MCP(100), 형광막(820), 및 광섬유(830)를 포함한다. 포토캐소드(810)의 한쪽 면에는 세슘(cesium; Cs)과 같은 금속층(811)이 대략 1㎚의 두께로 코팅되어 있다. 포토캐소드(810)는 외부로부터의 입력광을 전자(841)로 전환한다. 도 5에 도시된 것과 같이, 전압(V1)이 포토캐소드(810)의 금속층(811)에 인가되고, 전압(V2, V3)이 MCP(100)의 양쪽 단면에 각각 인가되고, 전압(V4)이 형광막(820)에 인가된다. 예를 들어, 전압(V1)은 대략 -2KV이고, 전압(V2)은 대략 -1KV이고, 전압(V3)은 0V이고, 전압(V4)은 대략 4.5KV일 수 있다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a structure of an image amplifier including an MCP in which an ion barrier film is formed on one end surface according to an ion barrier film forming process of the MCP for image amplifier shown in FIG. 2. Referring to FIG. 5, the image amplification tube 800 includes a photo cathode 810, an MCP 100, a fluorescent film 820, and an optical fiber 830. One side of the photocathode 810 is coated with a metal layer 811 such as cesium (Cs) to a thickness of approximately 1 nm. The photocathode 810 converts input light from the outside into electrons 841. As shown in FIG. 5, the voltage V1 is applied to the metal layer 811 of the photocathode 810, the voltages V2 and V3 are applied to both end surfaces of the MCP 100, respectively, and the voltage V4. It is applied to the fluorescent film 820. For example, the voltage V1 may be approximately −2 KV, the voltage V2 may be approximately −1 KV, the voltage V3 may be 0 V, and the voltage V4 may be approximately 4.5 KV.

포토캐소드(810)에서 빛에 의해 여기된 전자(841)는 금속층(811)과 MCP(100)에 각각 인가된 전압들(V1, V2)의 차에 의해, 화살표로 나타낸 것과 같이, MCP(100)를 향하여 진행한다. MCP(100)를 향하여 진행하면서 가속된 전자(841)는 세라믹 박막(120)을 뚫고 지나가 MCP(100)의 홀(101)을 통과하면서 홀(101)의 내벽에 충돌하여 증폭되고, 그 결과, MCP(100)로부터 수 만개의 전자(841')들이 전자 빔(beam)의 형태로 방출된다. 전자 빔은 전압들(V3, V4)의 차에 의해 형광막(820)으로 향하여 진행한다. 형광막(820)은 MCP(100)로부터 방출된 짧은 파장의 전자 빔 을 빛(출력광)으로 전환시켜 광섬유(830)를 통하여 외부로 출력한다.The electrons 841 excited by the light in the photocathode 810 are represented by the arrows MCP 100, as indicated by the arrows, due to the difference between the voltages V1 and V2 applied to the metal layer 811 and the MCP 100, respectively. Proceed toward). The electrons 841 accelerated while advancing toward the MCP 100 pass through the ceramic thin film 120 and pass through the holes 101 of the MCP 100 and collide with the inner wall of the holes 101 and are amplified. Tens of thousands of electrons 841 ′ are emitted from the MCP 100 in the form of an electron beam. The electron beam travels toward the fluorescent film 820 by the difference of the voltages V3 and V4. The fluorescent film 820 converts an electron beam of a short wavelength emitted from the MCP 100 into light (output light) and outputs it to the outside through the optical fiber 830.

한편, 전자(841)가 MCP(100)의 홀(101) 내벽에 존재하는 이물질과 충돌할 때 발생한 양이온(842)은 전압들(V1, V2)의 차에 의해, 화살표로 나타낸 것과 같이, 전자(841)의 진행 방향과는 반대 방향으로, 즉, 포토캐소드(810)를 향하여 진행한다. 하지만, 포토캐소드(810)측에 대향하는 MCP(100)의 단면에 코팅된 세라믹 박막(120)에 의해, MCP(100)의 홀(101) 내부에서 발생한 양이온(842)이 포토캐소드(810)로 향하여 진행하는 것이 차단된다. 양이온(842)은 전자(841)에 비하여 크기가 더 크기 때문에 세라믹 박막(120)을 뚫고 지나가기 어렵다. 또, 포토캐소드(810)와 MCP(100)가 설정된 간격을 두고 배치되기 때문에, 전자(841)가 포토캐소드(810)로부터 MCP(100)로 진행하는 동안 가속될 수 있지만, 양이온(842)은 홀(101) 내부만을 이동하기 때문에 전자(841)만큼 가속될 수 없다. 따라서, 양이온(842)이 세라믹 박막(120)을 뚫고 지나갈 수 없다.On the other hand, the cation 842 generated when the electron 841 collides with the foreign matter present in the inner wall of the hole 101 of the MCP 100, the electrons, as indicated by the arrow, due to the difference between the voltages (V1, V2) Proceeds in the direction opposite to the traveling direction of 841, that is, toward the photocathode 810. However, due to the ceramic thin film 120 coated on the end surface of the MCP 100 facing the photocathode 810 side, the cation 842 generated inside the hole 101 of the MCP 100 is photocathode 810. Proceeding towards is blocked. Since the cation 842 is larger than the electron 841, it is difficult to penetrate the ceramic thin film 120. In addition, since the photocathode 810 and the MCP 100 are arranged at set intervals, the electron 841 may be accelerated while traveling from the photocathode 810 to the MCP 100, but the cation 842 Since only the inside of the hole 101 is moved, it cannot be accelerated by the electron 841. Thus, the cation 842 cannot pass through the ceramic thin film 120.

상술한 것과 같이, MCP(100)의 한쪽 단면에 코팅된 세라믹 박막(120)이, MCP(100)의 홀(101) 내부에서 발생한 양이온(842)이 포토캐소드(810)로 향하여 진행하는 것을 차단하므로, 포토캐소드(810)의 금속층(11)의 손상을 막을 수 있고, 그 결과, 영상증폭관(800)의 수명이 연장될 수 있다. As described above, the ceramic thin film 120 coated on one end surface of the MCP 100 prevents the cation 842 generated inside the hole 101 of the MCP 100 from traveling toward the photocathode 810. Therefore, damage to the metal layer 11 of the photocathode 810 may be prevented, and as a result, the life of the image amplifier 800 may be extended.

상기한 실시 예들은 본 발명을 설명하기 위한 것으로서 본 발명이 이들 실시 예에 국한되는 것은 아니며, 본 발명의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능하다. 또한, 설명되지는 않았으나, 균등한 수단도 또한 본 발명에 그대로 결합되는 것이라 할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정 해져야 할 것이다.The above embodiments are for explaining the present invention, and the present invention is not limited to these embodiments, and various embodiments are possible within the scope of the present invention. In addition, although not described, equivalent means will also be referred to as being incorporated in the present invention. Therefore, the true scope of the present invention will be defined by the claims below.

도 1은 종래의 영상증폭관의 구조를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional image amplifier.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 과정을 나타내는 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a process of forming an ion barrier film of an MCP for an image amplification tube according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3i는 도 2에 도시된 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 과정을 설명하기 위한 도면이다.3A to 3I are views for explaining a process of forming an ion barrier film of the MCP for an image amplifier shown in FIG.

도 4a는 도 2에 도시된 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 과정에 따라 한쪽 단면에 이온 장벽 필름이 형성된 MCP의 측면도이다.4A is a side view of an MCP in which an ion barrier film is formed on one end surface according to an ion barrier film forming process of the MCP for image amplification tube shown in FIG. 2.

도 4b는 도 4a에 도시된 MCP의 평면도이다.4B is a plan view of the MCP shown in FIG. 4A.

도 5는 도 2에 도시된 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 과정에 따라 한쪽 단면에 이온 장벽 필름이 형성된 MCP를 포함하는 영상증폭관의 구조를 나타내는 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a structure of an image amplifier including an MCP in which an ion barrier film is formed on one end surface according to an ion barrier film forming process of the MCP for image amplifier shown in FIG. 2.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉Description of the Related Art

100: MCP 110: 래커100: MCP 110: Lacquer

111: 래커 박막 120: 세라믹 박막111: lacquer thin film 120: ceramic thin film

300: 탈이온화수 810: 포토캐소드300: deionized water 810: photocathode

811: 금속층 820: 형광막811: metal layer 820: fluorescent film

830: 광섬유 841: 전자830: optical fiber 841: electron

842: 양이온842: cation

Claims (14)

수조내에 적어도 하나의 MCP(microchannel plate)가 탑재된 테이블 지그(jig)를 설치하는 단계;Installing a table jig in which at least one microchannel plate (MCP) is mounted in a water tank; 상기 적어도 하나의 MCP가 잠기도록 수조내에 탈이온화수(Deionized water)를 급수하는 단계;Supplying deionized water to the water bath so that the at least one MCP is submerged; 상기 탈이온화수의 수면이 안정화된 후, 수면상에 래커(lacquer)를 분사하는 단계;After the surface of the deionized water is stabilized, spraying a lacquer on the surface of the water; 상기 래커가 경화될 때까지 상기 수조를 무진동 상태로 유지하는 단계;Maintaining the bath in a vibration-free state until the lacquer has cured; 상기 래커가 경화된 후, 상기 탈이온화수의 수면상에 존재하는 래커 박막이 상기 적어도 하나의 MCP의 상부면상에 안착되도록, 상기 수조내의 탈이온화수를 배수하는 단계;After the lacquer has cured, draining the deionized water in the bath such that the lacquer thin film present on the water surface of the deionized water is seated on the top surface of the at least one MCP; 상기 탈이온화수의 배수가 완료된 후, 상기 적어도 하나의 MCP를 상기 수조 내에서 제1 설정 시간 동안 자연 건조시키는 단계;After the draining of the deionized water is completed, naturally drying the at least one MCP in the water tank for a first set time; 건조 오븐(oven) 내에서 상기 적어도 하나의 MCP를 제2 설정 시간 동안 추가로 건조시키는 단계;Further drying the at least one MCP for a second set time in a drying oven; 상기 테이블 지그로부터 상기 적어도 하나의 MCP를 분리하는 단계;Separating the at least one MCP from the table jig; 상기 적어도 하나의 MCP 상부면의 상기 래커 박막상에 세라믹(ceramic) 박막을 증착하는 단계; 및Depositing a ceramic thin film on the lacquer thin film of the at least one MCP top surface; And 상기 래커 박막의 열분해에 의해 상기 래커 박막이 제거되고, 상기 적어도 하나의 MCP의 한쪽 단면상에 이온 장벽 필름인 상기 세라믹 박막이 코팅되도록, 상기 세라믹 박막이 증착된 상기 적어도 하나의 MCP를 열처리하는 단계를 포함하는 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.Heat treating the at least one MCP on which the ceramic thin film is deposited such that the lacquer thin film is removed by pyrolysis of the lacquer thin film and the ceramic thin film, which is an ion barrier film, is coated on one end surface of the at least one MCP. Method of forming an ion barrier film of MCP for an image amplification tube comprising. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 테이블 지그를 설치하는 단계에서, 상기 테이블 지그의 테이블은 상기 수조의 바닥면에 평행하는 수평선을 기준으로 0.5 ∼ 1°의 기울기로 경사지게 설치되는 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.In the step of installing the table jig, the table of the table jig is installed inclined at an inclination of 0.5 to 1 ° relative to the horizontal line parallel to the bottom surface of the water tank of the MCP ion barrier film forming method. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 급수 단계에서, 상기 테이블의 최상단측에 배치된 MCP의 상부면으로부터 상기 탈이온화수의 수면에 이르는 거리가 2 ∼ 20㎜로 되도록, 상기 탈이온화수가 상기 수조내에 급수되는 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.In the water supplying step, the ionization of the MCP for image amplification pipe supplied with the deionized water to the water tank so that the distance from the upper surface of the MCP disposed on the uppermost side of the table to the surface of the deionized water becomes 2 to 20 mm. Barrier film formation method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사 단계에서, 상기 래커는 정량토출기에 의해 상기 탈이온화수의 수면상에 분사된 후, 상기 래커의 표면장력에 의해 상기 탈이온화수의 수면상에 균일하게 확산되는 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.In the spraying step, the lacquer is sprayed on the water surface of the deionized water by a quantitative ejector and then uniformly diffused on the water surface of the deionized water by the surface tension of the lacquer. Film forming method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배수 단계에서, 상기 수조로부터 배출되는 상기 탈이온화수의 유속은 0.2 ∼ 0.5 ㏄/s인 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.In the draining step, the flow rate of the deionized water discharged from the water tank is 0.2 ~ 0.5 ㏄ / s MCP ion barrier film forming method for image amplification tube. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 자연 건조 단계에서, 상기 수조 내부의 습도는 25 ∼ 30%로 유지되는 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.In the natural drying step, the humidity of the inside of the tank is maintained at 25 to 30% of the MCP ion barrier film forming method for the image amplification tube. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 설정 시간은 5 ∼ 8시간인 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.The said 1st setting time is 5-8 hours, The ion barrier film formation method of MCP for image amplifiers. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 추가의 건조 단계에서, 상기 건조 오븐내의 온도는 25 ∼ 100℃이고, 상기 제2 설정 시간은 4 ∼ 12시간 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.In the further drying step, the temperature in the drying oven is 25 to 100 ℃, the second set time is 4 to 12 hours ion barrier film forming method of MCP for image amplification tube. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착 단계에서, 상기 적어도 하나의 MCP가 냉각 스테이지상에 탑재된 상태에서 RF(radio frequency) 스퍼터(sputter)에 의해 래커 박막 상에 세라믹 재료가 증착되고,In the deposition step, a ceramic material is deposited on the lacquer thin film by radio frequency (RF) sputtering with the at least one MCP mounted on a cooling stage, 상기 세라믹 재료가 상기 적어도 하나의 MCP 상부면의 래커 박막 상에 증착 되는 동안, 상기 냉각 스테이지의 온도는 60 ∼ 70℃로 유지되는 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.While the ceramic material is deposited on the lacquer thin film of the at least one MCP upper surface, the temperature of the cooling stage is maintained at 60 to 70 ° C. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 세라믹 재료는 Al203, Al 및 SiO2 중 어느 하나를 포함하는 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.Wherein said ceramic material comprises any one of Al 2 O 3 , Al, and SiO 2 . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열처리 단계에서, 상기 적어도 하나의 MCP는 진공 퍼니스(furnace) 내에서 350 ∼ 400℃의 온도로 48 ∼ 72시간 동안 베이킹(baking) 되는 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.In the heat treatment step, the at least one MCP is baked in a vacuum furnace (furnace) at a temperature of 350 ~ 400 ℃ for 48 to 72 hours (baking) ion barrier film forming method of MCP for image amplification tube. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배수 단계에서, 상기 적어도 하나의 MCP 상부면에 안착되는 상기 래커 박막의 두께는 50 ∼ 100㎚인 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.In the draining step, the thickness of the lacquer thin film to be seated on the at least one MCP upper surface is 50 to 100nm ion barrier film forming method of MCP for image amplification tube. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 테이블 지그를 설치하는 단계에서, 상기 테이블 지그상에 탑재되는 상기 MCP의 두께는 250 ∼ 300㎛인 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.In the step of installing the table jig, the thickness of the MCP mounted on the table jig is 250 ~ 300㎛ MCP ion barrier film forming method for image amplification tube. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착 단계에서, 상기 적어도 하나의 MCP 상부면의 상기 래커 박막상에 증착되는 상기 세라믹 박막의 두께는 20 ∼ 40㎚인 영상증폭관용 MCP의 이온 장벽 필름 형성 방법.In the deposition step, the thickness of the ceramic thin film deposited on the lacquer thin film of the at least one MCP upper surface is 20 to 40nm thickness of the ion barrier film forming method of MCP for image amplification tube.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5493111A (en) * 1993-07-30 1996-02-20 Litton Systems, Inc. Photomultiplier having cascaded microchannel plates, and method for fabrication
KR100387984B1 (en) * 2001-02-16 2003-06-18 한국과학기술원 Method of fabricating Micro Channel Plate
KR100403221B1 (en) * 2001-07-23 2003-10-23 한국수력원자력 주식회사 Radioactive Electron Emitting Microchannel Plate
GB0409118D0 (en) * 2004-04-26 2004-05-26 Micromass Ltd Mass spectrometer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101938804B1 (en) * 2017-09-05 2019-01-16 한국 천문 연구원 Method of assembling and sealing image intensifier

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