KR20100115691A - 투명 태양전지 - Google Patents
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Abstract
투명 태양전지가 제공된다. 이 소자는 투명 기판, 투명 기판에 접촉된 제1 면 및 상기 제1 면에 대향된 제2면을 포함하는 선택적 투명 반사막, 상기 선택적 투명 반사막의 상기 제2 면 상에 차례로 적층된 제1 전극, 광전변환층 및 제2 전극을 포함하되, 상기 선택적 투명 반사막은 적어도 일부 파장의 가시광선을 투과시키고, 적외선은 반사한다.
투명 태양전지, 선택적 투명 반사막, 가시광선, 적외선
Description
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 구체적으로 투명 태양전지에 관한 것이다.
태양 전지는 태양으로부터 방출되는 빛 에너지를 전기 에너지로 전환하는 광전 에너지 변환 시스템(phtovoltaic energy conversion system)이다. 실리콘 태양전지는 입사되는 광에 의해 반도체 내부에서 전자와 정공의 쌍이 생성되고, pn 접합에서 발생한 전기장에 의해 전자는 n형 반도체로 이동하고 정공은 p형 반도체로 이동함으로써 전력을 생산할 수 있다.
태양전지는 무한한 태양 광원을 소스로 사용하여 전력을 발생하고, 전력의 발생시 공해가 발생하지 않아 대표적인 미래의 친환경 에너지원으로 각광받고 있다. 다만, 태양전지는 광전 에너지 변환 효율이 낮아 실용화에 많은 문제가 있다. 이에 따라, 태양전지를 실용화시키기 위해 광전 에너지 변환 효율을 증가시키기 위한 많은 연구가 진행 중이다.
본 발명이 이루고자 하는 일 기술적 과제는 광전 에너지 변환 효율이 증가된 투명 태양 전지를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 광전 에너지 변환효율을 증가시킴과 더불어 투명도가 향상된 투명 태양전지를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 다양한 색상을 갖는 투명 태양전지를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명은 투명 태양전지를 제공한다. 상기 투명 태양 전지는 투명 기판; 상기 투명 기판에 접촉된 제1 면 및 상기 제1 면에 대향된 제2 면을 포함하는 선택적 투명 반사막; 상기 선택적 투명 반사막의 상기 제2 면 상에 차례로 적층된 제1 전극, 광전변환층 및 제2 전극을 포함하되, 상기 선택적 투명 반사막은 적어도 일부 파장의 가시광선은 투과시키고, 적외선은 반사한다.
상기 투명 태양전지는 상기 제2 전극 상의 투명 반사 방지막을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 광전 변환층 사이에 개재된 추가 선택적 투명 반사막; 상기 제2 전극 및 광전 변환층 사이에 개재된 추가 투명 반사 방지막; 상기 추가 선택적 투명 반사막을 관통하여 상기 제1 전극과 상기 광전 변환층을 연결하는 제1 플러그 및 상기 추가 투명 반사 방지막을 관통하여 상기 제2 전극과 상기 광전 변환층을 연결하는 제2 플러그를 더 포함할 수 있다.
상기 투명 반사 방지막의 굴절율은 상기 제2 전극의 굴절율보다 작고, 상기 제2 전극의 굴절율은 상기 추가 투명 반사 방지막의 굴절율보다 작으며, 상기 추가 선택적 투명 반사막의 굴절율은 상기 제1 전극의 굴절율보다 작고, 상기 제1 전극의 굴절율은 상기 선택적 투명 반사막의 최소 굴절율보다 작을 수 있다.
상기 선택적 투명 반사막은 상기 제1 면에서 상기 제2 면으로 위치가 이동됨에 따른 굴절율의 변화를 가질 수 있다.
상기 굴절율의 변화는 감소하는 것일 수 있다.
상기 선택적 투명 반사막은 다수의 교대로 적층된 제1 선택적 투명 반사막 및 제2 선택적 투명 반사막을 더 포함하되, 상기 제1 선택적 투명 반사막 및 상기 제2 선택적 투명 반사막의 굴절율은 다를 수 있다.
상기 투명 기판과 가장 인접한 제1 선택적 투명 반사막은 상기 투명 기판과 접폭하고, 상기 제1 전극과 가장 인접한 제2 선택적 투명 반사막은 상기 제1 전극과 접촉하되, 상기 제1 선택적 투명 반사막의 굴절율은 상기 제2 선택적 투명 반사막의 굴절율보다 클 수 있다.
상기 투명 태양전지는 상기 선택적 투명 반사막의 상기 제 1면 상에 배치된 다수의 홈을 매립하는 매립 선택적 투명 반사막을 더 포함할 수 있다.
상기 선택적 투명 반사막의 최소 굴절율은 상기 매립 선택적 투명 반사막의 굴절율보다 클 수 있다.
상기 광전변환층은 미세결정 실리콘층을 포함할 수 있다.
상기 광전변환층은 상기 미세결정 실리콘층 상에 배치된 비정질 실리콘층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극에 저항개선 물질이 점재된 것을 포함하되, 상기 저항개선 물질의 전도도는 상기 제1 및 제2 전극의 전도도보다 큰 것을 포함할 수 있다.
상기 선택적 투명 반사막 및 상기 투명 반사 방지막은 원자층 증착법, 화학 기상 증착법, 물리 기상 증착법, 펄스 레이저 증착법, 졸겔법(Sol-Gel) 중에서 어느 하나의 방법에 의해 형성된 것을 포함할 수 있다.
상기 선택적 투명 반사막의 제1 파장 영역을 갖는 가시광선의 투과율이 상기 선택적 투명 반사막의 제2 파장 영역을 갖는 가시광선의 투과율보다 높을 수 있다.
상기 선택적 투명 반사막의 광학적 두께는 400nm~1000nm 일 수 있다.
적외선은 반사하는 선택적 투명 반사막에 의해 흡수되지 않고 투과된 적외선을 다시 흡수하여 광전 에너지 변환 효율을 개선된 투명 태양전지를 제공할 수 있다.
적어도 일부파장의 가시광선을 투과시키는 선택적 투명 반사막에 의해 투명도가 향상된 투명 태양전지를 제공할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하 기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해 질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 막이 다른 막 또는 기판상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다. 본 명세서에서 '및/또는' 이란 표현은 전후에 나열된 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용된다.
도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1 을 참조하면, 투명 기판(110)이 제공된다. 상기 투명 기판(110) 상에 선택적 투명 반사막(120)이 배치될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)은 상기 투명 기판(110)에 접촉된 제1 면 및 상기 제1 면에 대향된 제2 면을 포함할 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)은 적어도 일부 파장의 가시광선은 투과시키고, 적외선은 반사시키는 것이 바람직하다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 상기 제2 면 상에 제1 전극(130)이 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(130) 상에 제2 전극(138)이 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(130) 및 상기 제2 전극(138) 사이에 광전 변화층(132)이 개재될 수 있다. 이에 따라, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 상기 제2 면 상에 상기 제1 전극(130), 상기 광전 변화층(132) 및 상기 제2 전극(138)이 차례로 배치되어 적층 될 수 있다. 상기 제2 전극 상에 투명 반사 방지막(140)이 배치될 수 있다.
투명이라는 용어는 사전적인 의미로 물체가 빛을 잘 통과시키는 것을 일컫는다. 그리고 물체의 투명 정도는 투명도로 표현될 수 있다. 투명도(혹은 투과도)는 물질이 투명한 정도 즉, 매질을 투과한 빛의 양을 매질에 입사된 빛의 양으로 나눈 값으로 정의될 수 있다. 본 명세서에서 투명이라는 용어는 투명도가 100% 인 경우뿐만이 아니라, 그 이하의 투명도를 갖는 경우에도 사용될 수 있다.
상기 투명 반사 방지막(140)은 수광면을 포함할 수 있다. 상기 수광면으로 태양광이 조사될 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)의 수광면으로 조사된 태양광은 상기 투명 반사 방지막(140)을 투과할 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 반사 방지막(140)의 입사된 빛에 대한 투과도는 대략 60~90% 일 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)의 상기 수광면은 요철구조를 갖도록 텍스처링될 수 있다. 상기 요철구조는 규칙적으로 배열된 역 피라미드 패턴을 포함할 수 있다. 이로 인해, 상기 투명 반사 방지막(140)의 수광면에서 태양광이 반사되는 것이 최소화될 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)은 알루미늄 티타늄 산화물, 실리콘 티타늄 산화물, 알루미늄 지르코늄 산화물, 지르코늄 티타늄 산화물, 하프늄 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 질화 실리콘 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 전극(138)에 입사된 태양광은 상기 제2 전극(138)을 투과할 수 있 다. 예를 들어, 상기 제2 전극(138)의 투과도는 80~90% 일 수 있다. 상기 제2 전극(138)은 투명한 도전물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 투명한 도전물질은 ZnO:Al, ZnO:Ga, ITO, SnO2, SnO:F, RuO2, IrO2, Cu2O 를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(138)은 저항개선 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 저항 개선 물질은 상기 제2 전극(138) 내에 점재 될 수 있다. 상기 저항개선 물질의 전도성은 상기 투명 전극보다 전도성이 높을 수 있다. 예를 들어, 상기 저항개선 물질은 알루미늄, 백금, 몰리브덴, 은, 금, 티타늄, 질화 티타늄, 탄탈륨, 질화 탄탈룸, 니겔, 구리, 납, 아연, 코발트 및 주석 및 그래파이트(graphite)를 포함할 수 있다. 상기 저항 개선물질로 인하여, 상기 제2 전극(138)의 저항이 감소 될 수 있다. 따라서, 상기 제2 전극(138)에서 전기 에너지의 손실이 감소할 수 있고, 상기 투명 태양전지의 효율이 개선될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(138)에 점재된 저항개선 물질의 양에 따라 상기 투명 태양전지의 투명도가 조절될 수 있다.
상기 제2 전극(138)을 투과한 태양광은 상기 광전 변환층(132)에 도달할 수 있다. 상기 광전 변화층(132)은 제1 도전형과 제2 도전형을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형은 n형이고, 상기 제2 도전형은 p형 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등 5족 원소에 의해 도핑된 것을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형은 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등 3족 원소에 의해 도핑된 것을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 및 상기 제2 도전형 사이에 PN 접합이 형성될 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 도전형 및 상기 제2 도전형 사이에 불순물이 도핑되지 않은 막이 개재될 수 있다.
상기 광전 변환층(132)에 도달된 태양광은 캐리어(예를 들어, 전자 또는 홀)를 발생시킬 수 있다. 상기 캐리어(예를 들어, 전자 또는 홀)는 상기 PN 접합에 발생된 전계에 의해 제1 도전형 및 제2 도전형으로 이동될 수 있다. 예를 들어, 전자는 N형으로 이동될 수 있고, 홀은 P형으로 이동될 수 있다. 상기 N형 및 상기 P형 으로 이동된 상기 전자 및 상기 홀은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 통해 전자소자(미도시)로 전달되어 전기 에너지를 공급할 수 있다.
상기 광전 변환층(132)은 단일층 또는 다층일 수 있다. 상기 광전 변환층(132)은 미세결정 실리콘층 및 비정질 실리콘층 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 미세결정 실리콘층 및 상기 비정질 실리콘층은 입사되는 빛의 파장에 따라 흡수율이 다를 수 있다. 상기 미세결정 실리콘층 및 상기 비정질 실리콘층의 빛의 파장에 따른 흡수율이 도 3 의 그래프를 참조하여 설명된다.
도 3 은 미세결정 실리콘층, 비정질 실리콘층의 빛의 파장에 따른 흡수율을 나타내는 그래프이다.
도 3 을 참조하면, 적외선 영역의 파장의 빛에 대한 흡수율은 상기 미세결정 실리콘층이 상기 비정질 실리콘층보다 높다. 반면, 가시광선 영역의 파장의 빛에 대한 흡수율은 상기 비정질 실리콘층이 상기 미세결정 실리콘층보다 높다. 이에 따라, 가시광선 영역의 파장의 빛에 대한 투과율은 상기 미세결정 실리콘층이 높다. 따라서, 충분한 투명도를 확보하기 위해서는 상기 비정질 실리콘층을 광전 변환층(132)으로 사용하는 것보다는 상기 미세결정 실리콘층을 사용하는 것이 유리할 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 태양전지는 충분한 투명성을 확보하기 위해 상기 광전 변환층(132)은 상기 미세결정 실리콘층을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상술된 바와 같이, 상기 광전 변환층(132)은 상기 미세결정 실리콘층과 상기 비정질 실리콘층을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 비정질 실리콘층이 가시광선 영역의 파장의 빛에 대한 흡수율이 높기 때문에 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 개선될 수 있다. 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율 향상을 위해 상기 비정질 실리콘층이 포함된 상기 광전 변환층(132)이 도 4 를 참조하여 설명된다.
도 4 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광전 변환층을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4 를 참조하면, 상기 광전 변환층(132)은 제1 도전형층(133) 및 상기 제1 도전형층(133) 상에 차례로 적층된 제1 광전 변환층(134) 및 제2 광전 변환층(135)을 포함할 수 있다. 상기 제2 광전 변환층(135) 상에 제2 도전형층(136)이 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형층(133)은 N형이고, 상기 제2 도전형층(136)은 P형일 수 있다. 상기 제1 광전 변환층(134)은 미세결정 실리콘층이고, 상기 제2 광전 변환층(135)은 비정질 실리콘층일 수 있다. 상기 제1 광전 변환층(134) 및 상기 제2 광전 변환층(135)은 도핑되지 않은 것일 수 있다. 상기 광전 변환층(132)이 비정질 실리콘층을 포함하여, 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 향상될 수 있다.
상기 광전 변환층(132)의 두께를 조절하여 상기 투명 태양전지의 투명도가 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 광전 변환층(132)은 미세결정 실리콘층 및/또는 비정질 실리콘층을 포함할 수 있다. 상술된 바와 같이, 상기 비정질 실리콘층이 가시광선 영역의 빛의 파장에 대한 흡수율이 높다. 이에 따라, 상기 투명 태양전지의 투명도는 상기 미세결정 실리콘층의 두께보다는 상기 비정질 실리콘층의 두께에 더 민감하게 조절될 수 있다. 투명도를 증가시키기 위해 상기 광전 변환층(132)은 박막의 형태일 수 있다. 상기 광전 변환층(132)은 수 마이크로 미터의 두께일 수 있다.
상기 광전 변환층(132)에 입사된 태양광 중에서 흡수되지 않은 태양광은 상기 광전 변환층(132)을 투과할 수 있다. 예를 들어, 상기 광전 변환층(132)이 미세결정 실리콘층을 포함하는 경우, 상기 광전 변환층(132)의 가시광선에 대한 투과율은 5~70%일 수 있다.
상기 광전 변환층(132)을 투과한 태양광은 상기 제1 전극(130)에 도달할 수 있다. 상기 제1 전극(130)에 입사된 태양광은 상기 제1 전극(130)을 투과할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(130)의 투과도는 80~90% 일 수 있다. 상기 제1 전극(130)은 투명한 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 투명한 도전 물질은 ZnO:Al, ZnO:Ga, ITO, SnO2, SnO:F, RuO2, IrO2, Cu2O 를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(130)은 저항개선 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 저항 개선물질은 상기 제1 전극(130)내에 점재될 수 있다. 상기 저항개선 물질의 전도성은 상기 제1 전극(130)의 전도성이 높을 수 있다. 예를 들어, 상기 저항개선 물질은 알루미늄, 백 금, 몰리브덴, 은, 금, 티타늄, 질화 티타늄, 탄탈륨, 질화 탄탈룸, 니겔, 구리, 납, 아연, 코발트 및 주석 및 그래파이트(graphite)를 포함할 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 전극(130)의 저항이 감소 될 수 있다. 이로 인해 상기 제1 전극(130)에서 전기 에너지의 손실이 감소할 수 있고, 상기 투명 태양전지의 효율이 개선될 수 있다. 상기 저항 개선물질은 불투명할 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극(130)에 점재된 상기 저항개선 물질에 의해 상기 투명 태양전지의 투명도가 조절될 수 있다.
상기 제1 전극(130)을 투과한 태양광은 상기 선택적 투명 반사막(120)으로 입사될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 특정 영역에 해당하는 파장의 빛에 대한 반사율이 나머지 영역에 해당하는 파장의 빛에 대한 반사율보다 높을 수 있다. 상기 반사율이 낮은 파장의 빛은 상시 선택적 투명 반사막(120)에 대한 투과도가 높을 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)에서 반사율이 높은 파장 영역을 반사 파장영역이라 하고, 상기 선택적 투명 반사막(120)을 투과율이 높은 파장 영역을 투과 파장영역이라 한다. 예를 들어, 상기 반사 파장 영역은 적외선 영역인 것이 바람직하다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 적외선 영역에 대한 반사율은 10~90%일 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)에서 반사된 적외선은 상기 광전 변환층(132)로 재입사 될 수 있다. 상기 재입사된 적외선에 의해 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 증가 될 수 있다. 따라서, 상기 광전 변환층(132)의 적외선 영역의 빛에 대한 흡수율이 높은 것이 광전 에너지 변환효율의 향상에 유리할 수 있다. 이에 따라, 상술된 바와 같이, 상기 광전 변환층(132)은 상기 미세결정 실리콘층을 포함할 수 있다. 한편, 상기 투과 파장영역은 적어도 일부의 가시광 선 영역인 것이 바람직하다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 가시광선에 대한 투과율은 5~70%일 수 있다. 이로 인해, 상기 투명 태양전지의 높은 투명도를 가질 수 있다.
상기 반사 파장영역 및 투과 파장영역은 상기 선택적 투명 반사막(120)의 광학적 두께에 의해 조절될 수 있다. 상기 광학적 두께는 매질의 물리적 두께와 매질의 굴절률의 곱으로 표현될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 굴절율은 상기 선택적 투명 반사막(120)을 구성하는 물질의 조성비에 따라서 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)이 알루미늄 티타늄 산화물을 포함하는 경우, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 굴절율은 각 원소의 조성비(알루미늄:티타늄:산소)에 의해 조절될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)을 구성하는 물질의 조성비 및 두께는 상기 선택적 투명 반사막(120)의 형성과정에서 조절될 수 있다. 이에 따라, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 광학적 두께는 상기 선택적 투명 반사막(120)의 형성과정에서 조절될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 광학적 두께는 적어도 일부 파장의 가시광선은 투과하고, 적외선은 반사하도록 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 광학적 두께는 400~1000[nm] 일 수 있다.
상기 선택적 투명 반사막(120)은 가시광선의 일부 파장 영역을 반사할 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 투과 파장 영역은 가시광선 영역의 제1 파장 영역이고, 반사 파장 영역은 가시광선 영역의 제2 파장 영역일 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 파장 영역의 빛은 상기 선택적 투명 반사막(120)을 투과 하여 상기 투명 태양전지를 관통할 수 있다. 반면, 상기 제2 파장 영역의 빛은 반사되어 상기 광전 변환층(132)에서 흡수될 수 있다. 따라서, 상기 투명 태양전지를 관통한 빛은 특정 색상을 가질 수 있다. 또한, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 제1 파장 영역이 변경되는 경우 상기 투명 태양전지를 관통한 빛의 색상이 변경될 수 있다.
상기 선택적 투명 반사막(120)은 상기 투명 기판(110)에 접촉된 상기 제1 면에서 상기 제1 면에 대향된 상기 제2 면으로 위치가 이동됨에 따른 굴절율의 변화를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 굴절율은 상기 제1 면에서 상기 제2 면으로 이동할수록 감소 될 수 있다. 이로 인해, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 투과 파장영역의 빛에 대한 투과도가 증가될 수 있다. 예를 들어, 상기 선태적 투명 반사막(120)은 가시광선 영역의 빛을 더 잘 투과시킬 수 있다. 이로 인해, 상기 투명 태양전지의 투명도가 증가할 수 있다. 상기 굴절율의 변화에 따라, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 굴절율은 최소 및 최대 굴절율을 가질 수 있다.
이와는 달리, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 전체는 균일한 굴절율을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 선택적 투명 반사막의 최소 굴절율 및 최대 굴절율은 동일하다.
상기 선택적 투명 반사막(120)은 단일막 또는 다층막일 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)이 단일막인 경우와 다층막인 경우에 따라서, 상기 반사 파장영역의 폭이 달라질 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)이 복수의 막으로 구성 됨에 따른 반사 파장영역의 폭의 변화를 도 5 를 참조하여 설명한다.
도 5 는 선택적 투명 반사막을 구성하는 막의 개수와 선택적 투명 반사막이 반사하는 빛의 파장 대역의 폭과의 관계를 나타내는 그래프로써, 선택적 투명 반사막의 반사 파장 영역이 적외선 영역에 해당하는 경우이다.
도 5 를 참조하면, 상술된 바와 같이, 상기 선택적 투명 반사막(120)은 단일막 또는 복수의 막을 포함할 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)이 단일막인 경우, 상기 반사 파장영역의 폭이 좁다. 반면, 상기 선택적 투명 반사막(120)이 복수의 막을 포함하고, 상기 막의 개수가 증가할수록, 상기 반사 파장영역의 폭이 넓어진다. 상기 반사 파장영역의 폭이 넓어지면, 상기 선택적 투명 반사막(120)이 반사하는 빛(예를 들어, 적외선)의 양이 증가할 수 있다. 반사 파장 영역의 빛(예를 들어, 적외선)은 상기 광전 변환층(132)에서 흡수되어 전기 에너지로 전환될 수 있다. 이에 따라, 상기 선택적 투명 반사막(120)이 복수의 막을 포함할수록 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 증가할 수 있다. 이와는 달리, 상기 반사 파장영역의 폭이 좁아지면, 상기 투과 파장영역의 빛(예를 들어, 가시광선)의 양이 증가할 수 있다. 이로 인해, 상기 투명 태양전지는 보다 높은 투명도를 가질 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 선택적 투명 반사막(120)은 복수의 막을 포함할 수 있다. 상기 복수의 막들은 서로 다른 굴절율을 갖는 막들이 적층된 것일 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)이 서로 다른 굴절율을 갖는 복수의 막을 포함하는 경우를 도 6 를 참조하여 설명한다.
도 6 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 선택적 투명 반사막을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6 을 참조하면, 상기 선택적 투명 반사막(120)은 복수의 막(200, 202, 210, 212)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 막(200, 202, 210, 212)은 교대로 적층된 제1 선택적 투명 반사막(200, 202) 및 제2 선택적 투명 반사막(210, 212)을 포함할 수 있다. 상기 제1 선택적 투명 반사막(200, 202) 및 상기 제2 선택적 투명 반사막(210, 212)의 굴절율은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 선택적 투명 반사막(200, 202)의 굴절율은 상기 제2 선택적 투명 반사막(210, 212)의 굴절율보다 클 수 있다. 상기 투명 기판(110)과 가장 인접한 제1 선택적 투명 반사막(200)은 상기 투명 기판(110)과 접촉하고, 상기 제1 전극(130)과 가장 인접한 제2 선택적 투명 반사막(212)은 상기 제1 전극(130)과 접촉할 수 있다. 상기 제1 선택적 투명 반사막(200, 202)은 상기 제2 선택적 투명 반사막(210, 212)의 굴절율보다 클 수 있다. 도면에는 비록 각각 2개의 제1 선택적 투명 반사막 및 제2 선택적 투명 반사막이 도시되었지만, 복수의 제1 선택적 투명 반사막 및 제2 선택적 투명 반사막이 더 배치될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)이 서로 다른 굴절율을 갖는 복수의 막으로 구성됨으로써, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 반사 파장영역에 대한 반사율이 증가될 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)에서 반사되는 적외선의 양이 증가할 수 있다. 상기 반사된 적외선은 상기 광전 변환층(132)에서 재흡수될수 있다. 따라서, 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 증가할 수 있다.
상기 선택적 투명 반사막(120)은 상기 선택적 투명 반사막(120)과 다른 굴절울을 갖는 패터닝된 반사막을 포함할 수 있다. 이를 도 7 을 참조하여 설명한다.
도 7 은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 선택적 투명 반사막을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7 을 참조하면, 상기 선택적 투명 반사막(120)은 상기 제2 면에 복수의 홈(122)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 홈(122) 중에서 인접한 홈 사이의 간격을 미세하게하여 텍스처링 효과가 발생 되도록 할 수 있다. 예를 들어, 상기 인접한 홈 사이의 간격은 300nm~1mm 일 수 있다. 상기 복수의 홈(122)을 매립하는 매립 선택적 투명 반사막(124)이 배치될 수 있다. 상기 매립 선택적 투명 반사막(124)은 상기 제1 전극(130)과 접촉할 수 있다. 상기 매립 선택적 투명 반사막(124)과 상기 선택적 투명 반사막(120)의 굴절율은 다를 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 최소 굴절율이 상기 매립 선택적 투명 반사막(124)의 굴절율보다 클 수 있다. 상기 투명 전극(110) 및 상기 제1 전극(130) 사이에 상기 선태적 투명 반사막(120) 및 상기 매립 선택적 투명 반사막(124)이 개재됨으로써, 반사 파장영역에 대한 반사율이 증가할 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)에서 반사되는 적외선의 양이 증가할 수 있다. 상기 반사된 적외선은 상기 광전 변환층(132)에서 재흡수될수 있다. 따라서, 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 증가할 수 있다.
상기 선택적 투명 반사막(120)은 알루미늄 티타늄 산화물, 실리콘 티타늄 산화물, 알루미늄 지르코늄 산화물, 지르코늄 티타늄 산화물, 하프늄 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 질화 실리콘 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 선택적 투명 반사막(120)의 투과 파장영역의 빛은 상기 투명 기판(110)에 도달할 수 있다. 상기 투과 파장영역은 가시광선 영역일 수 있다. 이에 따라, 상기 투명 태양전지는 투명할 수 있다. 상기 투명 기판(110)은 단일막 또는 복수의 막으로 형성될 수 있다. 상기 투명 기판(110)은 유리, Quartz, 투명 유기물 및 사파이어 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 선택적 투명 반사막(120)은 적어도 일부 파장의 가시광선은 투과시키고, 적외선은 반사할 수 있다. 이로 인해, 광전 에너지 변환 효율이 증가와 더불어 투명도나 높은 투명 태양전지가 제공될 수 있다.
도 2 는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 를 참조하면, 상술된 바와 같이, 투명 기판(110), 선택적 투명 반사막(120), 제1 전극(130), 광전 변환층(132), 제2 전극(138) 및 투명 반사 방지막(140)에 제공될 수 있다. 상기 제1 전극(130) 및 상기 광전 변환층(132) 사이에 추가 선택적 투명 반사막(126)이 개재될 수 있다. 상기 광전 변환층(132) 및 상기 투명 반사 방지막(140) 사이에 추가 투명 반사 방지막(142)이 개재될 수 있다.
상기 추가 선택적 투명 반사막(126)을 관통하는 제1 플러그(131)가 배치될 수 있다. 상기 제1 플러그(131)은 상기 제1 전극(130)과 상기 광전 변환층(132)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 추가 투명 반사 방지막(142)을 관통하는 제2 플 러그(139)가 배치될 수 있다. 상기 제2 플러그(139)는 상기 광전 변환층(132) 및 상기 제2 전극(138)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 제1 플러그(131) 및 상기 제2 플러그(139)는 상기 제1 전극(130) 및 상기 제2 전극(138)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 투명 반사 방지막(140)의 굴절율은 상기 제2 전극(138)의 굴절율보다 작을 수 있다. 상기 제2 전극(138)의 굴절율은 상기 추가 투명 반사 방지막(142)의 굴절율보다 작을 수 있다. 이로 인해, 상기 투명 반사 방지막(140), 상기 제2 전극(138) 및 상기 추가 투명 반사 방지막(142)에서 반사되는 빛의 양이 감소할 수 있다. 따라서, 상기 광전 변환층(132)에 입사되는 빛의 양이 증가 될 수 있고, 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 증가할 수 있다.
상기 추가 선택적 투명 반사막(126)의 굴절율은 상기 제1 전극(130)의 굴절율보다 작을 수 있다. 상기 제1 전극(130)의 굴절율은 상기 선택적 투명 반사막(120)의 최소 굴절율보다 작을 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120) 및 상기 추가 선택적 투명 반사막(126)의 반사 파장영역은 적외선 영역이고, 투과 파장 영역은 가시광선 영역일 수 있다. 이로 인해, 단일의 선택적 투명 반사막을 사용하는 경우와 비교하여 가시광선에 대한 투과도가 증가하고, 적외선에 대한 반사율이 증가할 수 있다. 따라서, 광전 에너지 변환 효율 및 투명도가 증가한 투명 태양전지를 제공할 수 있다. 도면에는 비록 선택적 투명 반사막 및 투명 반사 방지막이 2개 도시되어 있지만, 복수의 선택적 투명 반사막 및 투명 반사 방지막이 더 개재될 수 있다.
도 8a 내지 도 8b 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 태양전지의 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8a 를 참조하면, 투명 기판(110)이 제공된다. 상기 투명 기판(110) 상에 선택적 투명 반사막(120)이 형성될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)은 원자층 증착법(ALD), 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD), 펄스 레이저 증착법(PLD) 또는 졸겔법(Sol-Gel) 중에서 선택된 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 상술된 바와 같이, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 형성과정에서 상기 선택적 투명 반사막(120)을 구성하는 물질의 조성비 및 물리적 두께가 조절될 수 있다. 이에 따라, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 형성광정에서 상기 선택적 투명 반사막(120)의 광학적 두께가 조절될 수 있다.
도 8b 를 참조하면, 상기 선택적 투명 반사막(120) 상에 제1 전극(130)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(130)은 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD) 또는 원자층 증착법(ALD) 중에서 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(130) 상에 광전 변환층(132)이 형성될 수 있다. 상기 광전 변환층(132)은 제1 도전형 및 제2 도전형을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형은 N형일 수 있다. 상기 제1 도전형에는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등 5족 원소가 주입될 수 있다. 상기 5족 원소의 주입 후 열처리공정이 수행될 수 있다. 상기 제2 도전형은 P형일 수 있다. 상기 제2 도전형에는 붕소(B), 갈룸(Ga), 인듐(In) 등 3족 원소가 주입될 수 있다. 상기 3족 원소의 주입 후 열처리 공정이 수행될 수 있다. 상기 제1 도전형과 상기 제2 도전형 사이에 PN접합이 형성될 수 있다. 이와는 달리, 상 기 제2 도전형의 형성 전에, 상기 제1 도전형 상에 불순물이 포함되지 않은 실리콘층이 형성될 수 있다. 상기 광전 변환층(132) 상에 제2 전극(138)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(138)은 상기 제1 전극(130)과 동일한 방법에 의하여 형성될 수 있다.
도 1 을 재차 참조하면, 상기 제2 전극(138) 상에 투명 반사 방지막(140)이 형성될 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)은 원자층 증착법(ALD), 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD), 펄스 레이저 증착법(PLD) 또는 졸겔법(Sol-Gel) 중에서 선택된 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)의 수광면은 요철구조를 갖도록 텍스처링될 수 있다. 상기 요철구조는 플라즈마 식각 방법, 기계적인 스크라이빙 방법, 포토리소그래피 방법 및 화학적 식각 방법 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 이로써, 도 1 의 투명 태양전지를 제공할 수 있다.
도 9a 내지 도 9b 는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 태양전지의 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9a 를 참조하면, 상술된 바와 같이, 투명 기판(110), 선택적 투명 반사막(120) 및 제1 전극(130)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(130) 상에 추가 선택적 투명 반사막(126)이 형성될 수 있다. 상기 추가 선택적 투명 반사막(126)은 상기 선택적 투명 반사막(120)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 상기 추가 선택적 반사막(126)를 식각하여 개구부를 형성한다. 상기 개구부는 상기 제1 전극(130)을 노출할 수 있다. 상기 개구부를 매립하는 제1 플러그(131)가 형성될 수 있다. 상기 제1 플러그(131)는 제1 전극(130)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.
도 9b 를 참조하면, 상술된 바와 같이, 상기 추가 선택적 투명 반사막(126) 및 상기 제1 플러그(131) 상에 광전 변환층(132)이 형성될 수 있다. 상기 광전 변환층(132)은 상기 제1 플러그(131)에 의해 상기 제1 전극(130)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 광전 변환층(132) 상에 추가 투명 반사 방지막(142)이 형성될 수 있다. 상기 추가 반사 방지막(142)은 원자층 증착법(ALD), 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD), 펄스 레이저 증착법(PLD) 및 졸겔법(Sol-Gel) 중에서 어느 하나의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 추가 투명 반사 방지막(142)을 식각하여 개구부를 형성할 수 있다. 상기 개구부는 광전 변화층(132)을 노출시킬 수 있다. 상기 개구부를 매립하는 제2 플러그(139)가 형성될 수 있다. 상기 제2 플러그(139)는 상기 제1 플러그(139)와 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 상기 추가 투명 반사 방지막(142) 및 상기 제2 플러그(139) 상에 제2 전극(138)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(138)은 상기 제1 전극(130)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(138)은 상기 제2 플러그(139) 및 상기 광전 변환층(132)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 2 를 재차 참조하면, 상기 제2 전극(138) 상에 투명 반사 방지막(140)이 형성될 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)은 상기 추가 투명 반사 방지막(142)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 이로써 도 2 의 투명 태양전지가 제공될 수 있다.
도 10을 참조하여, 본 발명의 실시 예들에 따른 태양전지를 사용하는 태양전지 어레이(300)가 설명된다. 상기 태양전지 어레이(300)는 메인 프레임(미도시)에 적어도 하나의 태양전지 모듈들(200)을 설치하여 구성될 수 있다. 상기 태양전지 모듈들(200)은 도 1 내지 도 2 를 참조하여 설명된 태양전지 모듈들(210, 220, 230)일 수 있다. 상기 태양전지 어레이(300)는 태양광을 잘 쪼이도록 남쪽을 향해서 일정한 각도를 갖도록 설치될 수 있다.
전술한 태양전지 모듈 또는 태양전지 어레이는 자동차, 주택, 건물, 배, 등대, 교통 신호체계, 휴대용 전자기기 및 다양한 구조물 상에 배치되어 사용될 수 있다. 도 11을 참조하여, 본 발명의 실시 예들에 따른 태양전지를 사용하는 태양광 발전 시스템의 예가 설명된다. 상기 태양광 발전 시스템은 상기 태양전지 어레이(300) 및 상기 태양전지 어레이(300)로부터 전력을 공급받아 외부로 송출하는 전력 제어장치(400)를 포함할 수 있다. 상기 전력 제어장치(400)는 출력장치(410), 축전장치(420), 충방전 제어장치(430), 시스템 제어장치(440)를 포함할 수 있다. 상기 출력장치(410)는 전력 변환장치(412)를 포함할 수 있다.
상기 전력 변환장치(Power Conditioning System: PCS, 412)는 상기 태양전지 어레이(300)로부터의 직류 전류를 교류 전류로 변환하는 인버터일 수 있다. 태양광은 밤에는 존재하지 않고 흐린 날에는 적게 비추기 때문에, 발전 전력이 감소할 수 있다. 상기 축전장치(420)는 발전 전력이 일기에 따라 변화되지 않도록 전기를 저장할 수 있다. 상기 충방전 제어장치(430)는 상기 태양전지 어레이(300)로부터의 전력을 상기 축전장치(420)에 저장하거나, 상기 축전장치(420)에 저장된 전기를 상기 출력장치(410)로 출력할 수 있다. 상기 시스템 제어장치(440)는 상기 출력장치(410), 상기 축전장치(420) 및 상기 충방전 제어장치(430)를 제어할 수 있다.
전술한 바와 같이, 변환된 교류 전류는 자동차, 가정과 같은 다양한 AC 부하(500)로 공급되어 사용될 수 있다. 나아가, 상기 출력장치(410)는 계통연계장치(grid connect system, 414)를 더 포함할 수 있다. 상기 계통연계장치(414)는 다른 전력 계통(600)과의 접속을 매개하여, 전력을 외부로 송출할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3 은 미세결정 실리콘층 및 비정질 실리콘층의 빛의 파장에 따른 흡수율을 나타내는 그래프이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광전 변환층을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5 는 선택적 투명 반사막을 구성하는 막의 개수와 선택적 투명 반사막이 반사하는 빛의 파장 대역의 폭과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 6 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 선택적 투명 반사막을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7 은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 선택적 투명 반사막을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8a 내지 도 8b 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 태양전지의 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9a 내지 도 9b 는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 태양전지의 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 10 은 본 발명의 실시 예들에 따른 투명 태양전지들을 사용하는 태양전지 어레이를 도시한다.
도 11 은 본 발명의 실시 예들에 따른 투명 태양전지들을 사용하는 태양광 발전 시스템의 일 예를 도시한다.
Claims (16)
- 투명 기판;상기 투명 기판에 접촉된 제1 면 및 상기 제1 면에 대향된 제2 면을 포함하는 선택적 투명 반사막; 및상기 선택적 투명 반사막의 상기 제2 면 상에 차례로 적층된 제1 전극, 광전변환층 및 제2 전극을 포함하되, 상기 선택적 투명 반사막은 적어도 일부 파장의 가시광선은 투과시키고 적외선은 반사하는 투명 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 제2 전극 상의 투명 반사 방지막을 더 포함하는 투명 태양전지.
- 제2 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 광전 변환층 사이에 개재된 추가 선택적 투명 반사막;상기 제2 전극 및 광전 변환층 사이에 개재된 추가 투명 반사 방지막; 및상기 추가 선택적 투명 반사막을 관통하여 상기 제1 전극과 상기 광전 변환층을 연결하는 제1 플러그 및 상기 추가 투명 반사 방지막을 관통하여 상기 제2 전극과 상기 광전 변환층을 연결하는 제2 플러그를 더 포함하는 투명 태양전지.
- 제3 항에 있어서,상기 투명 반사 방지막의 굴절율은 상기 제2 전극의 굴절율보다 작고, 상기 제2 전극의 굴절율은 상기 추가 투명 반사 방지막의 굴절율보다 작으며,상기 추가 선택적 투명 반사막의 굴절율은 상기 제1 전극의 굴절율보다 작고, 상기 제1 전극의 굴절율은 상기 선택적 투명 반사막의 최소 굴절율보다 작은 투명 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 선택적 투명 반사막은 상기 제1 면에서 상기 제2 면 방향으로 굴절율이 변화하는 투명 대양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 선택적 투명 반사막은 상기 제1 면에서 상기 제2 면 방향으로 굴절율이 감소하는 투명 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 선택적 투명 반사막은 다수의 교대로 적층된 제1 선택적 투명 반사막 및 제2 선택적 투명 반사막을 포함하되,상기 제1 선택적 투명 반사막 및 상기 제2 선택적 투명 반사막의 굴절율은 다른 투명 태양전지.
- 제7 항에 있어서,상기 투명 기판과 가장 인접한 제1 선택적 투명 반사막은 상기 투명 기판과 접촉하고, 상기 제1 전극과 가장 인접한 제2 선택적 투명 반사막은 상기 제1 전극과 접촉하되,상기 제1 선택적 투명 반사막의 굴절율은 상기 제2 선택적 투명 반사막의 굴절율보다 큰 것을 포함하는 투명 태양전지.
- 제1 항에 있어서,상기 선택적 투명 반사막의 제2 면에 배치된 다수의 홈을 매립하는 매립 선택적 투명 반사막을 더 포함하는 투명 태양전지.
- 제 9항에 있어서,상기 선택적 투명 반사막의 최소 굴절율은 상기 매립 선택적 투명 반사막의 굴절율보다 큰 투명 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 광전 변환층은 미세결정 실리콘층을 포함하는 투명 태양전지.
- 제 11항에 있어서,상기 광전 변환층은 비정질 실리콘층을 더 포함하는 투명 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극은 그 내부에 점재된 저항개선 물질을 포함하되,상기 저항개선 물질의 전도도는 상기 제1 및 제2 전극의 전도도보다 큰 것을 포함하는 투명 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 선택적 투명 반사막 및 상기 투명 반사 방지막은 원자층 증착법, 화학 기상 증착법, 물리 기상 증착법, 펄스 레이저 증착법, 졸겔법(Sol-Gel) 중에서 어느 하나의 방법에 의해 형성된 것을 포함하는 투명 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 선택적 투명 반사막의 제1 파장 영역을 갖는 가시광선의 투과율이 상기 선택적 투명 반사막의 제2 파장 영역의 가시광선의 투과율보다 높은 투명 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 선택적 투명 반사막의 광학적 두께는 40nm~10000nm 인 투명 태양전지.
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