KR20110014039A - 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

태양전지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110014039A
KR20110014039A KR1020090071795A KR20090071795A KR20110014039A KR 20110014039 A KR20110014039 A KR 20110014039A KR 1020090071795 A KR1020090071795 A KR 1020090071795A KR 20090071795 A KR20090071795 A KR 20090071795A KR 20110014039 A KR20110014039 A KR 20110014039A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transparent conductive
conductive layer
silicon layer
layer
solar cell
Prior art date
Application number
KR1020090071795A
Other languages
English (en)
Inventor
김태윤
조정식
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020090071795A priority Critical patent/KR20110014039A/ko
Publication of KR20110014039A publication Critical patent/KR20110014039A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지는 기판상에 형성되고, 표면에 다수의 제1 요철이 형성된 제1 투명 도전층; 상기 제1 투명 도전층상에 형성되고, 표면에 다수의 제2 요철이 형성된 제2 투명 도전층; 상기 제2 투명 도전층상에 적층된 제1 실리콘층과 제2 실리콘층; 및 상기 제 2 실리콘층상에 형성된 금속 전극층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 태양전지 제조방법은, 기판상에 다수의 제1 요철을 가진 제1 투명 도전층을 형성하는 단계; 상기 제1 투명 도전층상에 다수의 제2 요철을 가진 제2 투명 도전층을 형성하는 단계; 상기 제2 투명 도전층상에 제1 실리콘층과 제2 실리콘층을 적층하는 단계; 및 상기 제 2 실리콘층상에 금속 전극층을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
투명 도전층, 산화아연, 산화주석, 금속 전극층, 요철, 굴절률

Description

태양전지 및 그 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD FOR FABRICAITNG THE SAME}
본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다중의 빛의 산란 및 굴절을 통해 광의 경로를 증가시켜 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있는 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지는 태양광을 직접 전기로 변화시키는 태양광 발전의 핵심 소자로 현재 우주에서부터 가정에 이르기까지 그 응용 범위가 매우 넓다.
이러한 태양전지는 기본적으로 pn 접합으로 구성된 다이오드로서 그 동작원리를 설명하면 다음과 같다.
태양전지의 pn 접합에 반도체의 에너지 밴드 갭보다 큰 에너지를 가진 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 이들 전자-전공이 pn 접합부에 형성된 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동함에 따라 pn간에 광기전력이 발생하게 되는데, 이때 태양전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산하게 된다.
태양전지는 광 흡수층으로 사용되는 물질에 따라 다양하게 구분되는데, 광 흡수층으로 실리콘을 이용하는 실리콘계 태양전지가 대표적이다.
실리콘계 태양전지는 기판형[단결정(single crystal), 다결정(poly crystal)] 태양전지와, 박막형[비정질(amorphous), 다결정(poly crystal)] 태양전지로 구분된다.
이외에도 태양전지의 종류에는 CdTe나 CIS(CuInSe2)의 화합물 박막 태양 전지, Ⅲ-Ⅴ족 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기 태양전지 등을 들 수 있다.
단결정 실리콘 기판형 태양전지는 다른 종류의 태양전지에 비해서 변환 효율이 월등히 높다는 장점이 있긴 하지만 단결정 실리콘 웨이퍼를 사용함에 따라 제조단가가 높다는 치명적인 단점이 있다.
다결정 실리콘 기판형 태양전지 역시 단결정 실리콘 기판형 태양전지보다는 제조 단가가 저렴할 수 있지만, 벌크 상태의 원재료로부터 태양전지를 만드는 점은 단결정 실리콘 기판형 태양전지와 다를 바 없기 때문에, 원재료비가 비싸고 공정 자체가 복잡하여 제조단가 절감에 한계가 있을 수 밖에 없다.
이와 같은 기판형 태양전지의 문제점을 해결하기 위한 방안으로 유리와 같은 기판위에 광흡수층인 실리콘을 박막 형태로 증착하여 사용함으로써 제조 단가를 획기적으로 낮출 수 있는 박막형 실리콘 태양전지가 주목을 받고 있다.
박막형 실리콘 태양전지는 기판형 실리콘 태양전지의 두께보다 매우 작은 두께만으로도 태양전지의 제조가 가능하다.
박막형 실리콘 태양전지 중 가장 처음 개발되고 현재 주택용 등에 보급되기 시작한 것이 비정질 실리콘 박막형 태양전지이다. 비정질 실리콘 태양전지는 비정 질 실리콘을 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)법에 의해 형성할 수 있어서 대량 생산에 적합하고 제조 단가가 저렴한 대신에 비정질 실리콘 내에 다량으로 존재하는 실리콘 원자의 댕글링 본드(dnagling bond) 때문에 변환효율이 기판형 실리콘 태양전지에 비해 너무 낮다는 문제점이 있다.
또한, 상기 비정질 실리콘 태양전지는 수명이 비교적 짧고 사용함에 있어 효율이 감소하는 열화 현상이 나타나는 문제점이 있다.
이러한 비정질 실리콘 태양전지의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것이 광학적 밴드갭이 서로 다른 복수 개의 셀을 2단 내지 3단 적층시킨 다중 구조, 이른바 텐덤(Tandem) 구조의 태양전지이다. 텐덤 구조의 실리콘 태양전지는 폭 넓은 광 스펙트럼 영역을 분할하여 수광함으로써 광전 변환 효율이 향상되고 광 열화 현상에 기인한 광전 변환 특성의 저하를 어느 정도 방지할 수 있다.
이러한 특성을 갖는 2단 내지 3단 적층시킨 템덤 구조의 박막 태양전지 제작시에 하부층으로 들어 가는 투명전도막의 재료는 산화아연(ZnO) 계열, 산화주석 (SnO2) 계열의 재료를 n 형으로 만들 수 있는 물질을 도핑하여 전기전도도를 최대한 높이면서, 빛이 흡수층으로 최대한 입사될 수 있도록 투과도가 높은 물질을 이용하는 기술이 제안되었다.
한편, 하부층 표면에 수백∼수천 나노미터 크기의 요철을 형성하여 입사되는 빛이 굴절과 산란을 일으키게 하기 위해 많은 양의 빛이 흡수층에 들어갈 수 있도록, 산화아연 계열은 산과 염기를 이용하여 증착된 막을 식각하여 요철을 형성하거 나, 산화주석 계열은 증착시에 좋은 결정성을 이루도록 하여 자연스럽게 요철을 형성하는 기술들이 제안되었다.
이러한 산과 염기를 이용하여 요철을 형성하는 기술을 이용하여 얻어지는 기존의 태양전지 구조에 대해 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
여기서는 산과 염기를 이용하여 요철을 형성하는 기술을 통해 제조되는 태양전지를 중심으로 설명하기로 한다.
도 1은 종래기술에 따른 2단 템덤 구조의 태양전지 구조의 개략적인 단면도이다.
종래기술에 따른 템덤 구조의 태양전지(10)는, 도 1을 참조하면, 기판(11)상에 형성되고 표면에 오목 형태의 다수의 요철(13b)이 형성된 투명 도전층(13)과, 상기 투명 도전층(13)상에 형성되고 비정질 실리콘층으로 구성된 3층의 제1 실리콘층(15)과 결정질 실리콘층으로 구성된 3층의 제2 실리콘층(17) 및, 금속 전극층 (19)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 종래기술에 따른 태양전지(10)는, p-i-n 구조의 실리콘층이 2단으로 적층되어 있는 구성으로 되어 있으며, 상기 투명 도전층(13)은 산화 아연(ZnO)의 재질로 구성되어 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1 실리콘층(15)은 p형으로 도핑된 p형 비정질 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 비정질 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 비정질 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
그리고, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제2 실리콘층(17)은 p형으로 도 핑된 p형 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
이러한 구성으로 이루어진 종래기술에 따른 태양전지 제조방법에 대해 도 2a 내지 도 2e를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2e는 종래기술에 따른 2단 템덤 구조의 태양전지 제조공정을 도시한 공정 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 기판(11)상에 산화아연(ZnO)을 스퍼터링방법으로 증착하여 투명 도전층(13)을 형성한다. 이때, 상기 투명 도전층(13) 표면에 울퉁 불퉁한 볼록 형태의 다수의 요철(13a)이 형성된다.
그 다음, 도 2b 및 2c를 참조하면, 상기 기판(11)을 용액조(21)내에 채워져 있는 산/염기용액(23)내에 침지시켜 상기 투명 도전층(13)표면에 형성된 볼록 형태의 다수의 요철(13a)을 식각하여 홈 형태인 오목 형태의 요철(13b)을 형성한다.
이어서, 도 2d를 참조하면, 상기 오목 형태의 요철(13b)이 형성된 투명 도전층(13)상에 비정질 실리콘층으로 구성된 3층의 제1 실리콘층(15)을 형성한다. 이때, 상기 제1 실리콘층(15)은 p형으로 도핑된 p형 비정질 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 비정질 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 비정질 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
그 다음, 도 2e를 참조하면, 상기 제1 실리콘층(15)상에 결정질 실리콘층으로 구성된 3층의 제2 실리콘층(17)을 형성한다. 이때, 상기 제2 실리콘층(17)은 p형으로 도핑된 p형 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
이어서, 상기 제2 실리콘층(17)상에 금속 전극층(19)을 형성하여 템덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지(10)를 완성한다. 이때, 상기 금속 전극층(19)의 재질로는 알루미늄 등과 같은 전도성 물질이 사용된다.
한편, CVD방법을 이용하여 형성한 투명 도전층을 구비한 종래기술의 다른 실시예에 따른 실리콘 태양전지 제조방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도면에는 도시하지 않았지만, 고온의 퍼니스(furnace)내에 기판을 안착시킨 후 산화주석(SnO)이 포함된 가스를 집어 넣어 CVD방법으로 박막을 증착하고 이어 아닐링공정을 거치면서 표면에 다수의 피라미드 형태인 뾰족한 형태의 요철이 형성된 투명 도전층을 형성한다.
그 다음, 상기 투명 도전층(미도시)상에, 전술한 일 실시예의 제1 실리콘층과 동일한, 비정질 실리콘층으로 구성된 3층의 제1 실리콘층(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 제1 실리콘층(미도시)은 p형으로 도핑된 p형 비정질 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 비정질 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 비정질 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1 실리콘층(미도시)상에 전술한 일 실시예의 제2 실리콘층과 동일한, 결정질 실리콘층으로 구성된 3층의 제2 실리콘층(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 제2 실리콘층(미도시)은 p형으로 도핑된 p형 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제2 실리콘층(미도시)상에 금속 전극층(미도시)을 형성하여 템덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지(미도시)를 완성 한다. 이때, 상기 금속 전극층(미도시)의 재질로는 알루미늄 등과 같은 전도성 물질이 사용된다.
상기한 바와 같이, 종래기술에 따른 실리콘 태양전지 및 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 문제점이 있다.
종래기술에 따른 실리콘 태양전지 및 그 제조방법은, 산화주석(SnO2)의 계열은 전기적 특성이 다른 계열의 물질에 비하여 좋지 않아 최소한 두께를 1μm 이상을 증착하여야 한다.
또한, 종래기술에 따른 실리콘 태양전지 및 그 제조방법은, 표면의 요철이 피라미드 형태로 증착되어 CVD방법으로 비정질실리콘층(a-Si)이나 CuInGaSe2 등을 증착할 때 피라미드의 뾰족한 부분에 의해 스트레스(stress)가 발생하여 투명 도전층과 흡수층(즉, 실리콘층)과의 접착성(adhesion)을 나쁘게 하여 시리어스(series) 저항을 증착시키는 단점이 존재한다. 따라서, 이러한 저항의 증가는 생성되는 캐리어(carrier)의 재결합 (recombination)을 일으켜 효율 감소를 가져 오게 된다.
그리고, 종래기술에 따른 실리콘 태양전지 및 그 제조방법에서 사용된 산화아연(ZnO)은 산화주석(SnO2)에 비해 비교적 전기적 특성이 우수하고 투과도도 좋은 장점이 있지만, 역시 CVD 방법으로 증착시에는 뾰족한 피라미드 형태의 요철을 형성하고, 스퍼터링(PVP) 방법으로 증착시에는 텍스처링(texturing)이라는 공정을 거 쳐야 요철이 형성되어 빛의 산란 효과가 증가하는 공정상의 단점이 있다.
특히, 종래기술은 투명 도전층에서 빛의 산란을 위한 요철을 형성하기 위해, 박막을 증착한 후에 산염기의 식각과정을 거치거나, CVD방법을 이용하여 결정성을 증가시키는 공정을 통해 빛의 경로를 증가시켰다.
하지만, 산염기를 통한 종래기술은 진공공정에서 산염기를 이용한 습식각 (wet etch) 공정이 들어감으로 인해 진공 공정에서 진공을 깨야 하는 단점이 있으며, 공정 시간을 증가시키는 문제점이 있다.
또한, 종래기술은 결정성을 증가시키기 위해 CVD방법으로 증착된 투명 도전층상에 뾰족한 피리미드 형태의 요철에 CVD방법을 통해 흡수층인 실리콘층을 형성시킬 때 상기 요철의 피라미드 형태의 뾰족한 부분과 깊은 골짜기 부분에 플라즈마가 모여 박막이 균일하게 형성되지 않을 뿐만 아니라, 골짜기 부분에는 접착성 (adhesion)이 나빠져서 베이컨시(vacancy)가 생기는 등의 문제로 인해 흡수층에 생기는 캐리어 (carier)가 투명 도전층으로 이동하지 못하고 재결합되는 문제가 있어, CVD방법으로 증착한후 다시 산과 염기로 깍아 내는 부수 공정이 첨가되는 공정상의 문제점이 존재한다
이에, 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 산란 및 굴절률 차이를 이용하여 투명 도전층에 입사되는 태양광의 빛의 광 경로를 길게 하여 태양전지 효율을 증가시킬 수 있는 태양 전지 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지는 기판상에 형성되고, 표면에 다수의 제1 요철이 형성된 제1 투명 도전층; 상기 제1 투명 도전층상에 형성되고, 표면에 다수의 제2 요철이 형성된 제2 투명 도전층; 상기 제2 투명 도전층상에 적층된 제1 실리콘층과 제2 실리콘층; 및 상기 제 2 실리콘층상에 형성된 금속 전극층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지 제조방법은, 기판상에 다수의 제1 요철을 가진 제1 투명 도전층을 형성하는 단계; 상기 제1 투명 도전층상에 다수의 제2 요철을 가진 제2 투명 도전층을 형성하는 단계; 상기 제2 투명 도전층상에 제1 실리콘층과 제2 실리콘층을 적층하는 단계; 및 상기 제 2 실리콘층상에 금속 전극층을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 태양전지 및 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따른 태양전지 및 그 제조방법은 좋은 물성치를 가지는 다중의 재료를 사용함으로써 투명 도전층의 박막 두께를 감소시킴으로 인해 공정시간이 감소되며, 1차 투명 도전층에서 형성된 요철로 인해 2차 투명 도전층에서는 다른 요철 형성공정이 필요하지 않는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지 및 그 제조방법은 빛의 굴절 및 산란에 있어서 재료의 투과율 차이에 의한 굴절 및 1차 및 2차 투명 도전층사이에 형성된 요철의 굴절에 의해 기존의 하나의 투명 도전층에 비해 많은 굴절이 이루어져 빛의 경로가 증가하게 되고, 보다 많은 양의 빛의 흡수층으로 들어 오게 된다.
따라서, 본 발명은 기존의 투명 도전층에 비하여 광경로가 길어질 뿐만 아니라 여러 파장대의 빛이 모두 다른 경로로 굴절되어 흡수층으로 입사됨으로 인하여 다양한 파장대의 많은 빛이 들어와 태양전지의 효율을 증가시키는 효과가 있다.
이하. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 태양전지 구조에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 2단 템덤 구조의 태양전지 구조의 개략적인 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지(100)는, 기판(101)상에 형성되고 표면에 뾰족한 형태의 다수의 제1 요철(103a)이 형성된 제1 투명 도전층(103)과, 완만한 형태의 제2 요철(105a)이 형성된 제2 투명 도전층(105)과, 상기 제2 투명 도전층(105)상에 형성된 제1 실리콘층(107)과 제2 실리콘층(109) 및, 금속 전극층 (111)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 기판(101)은 플라스틱, 실리콘과 글래스(glass)중 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 투명 도전층(103)은 투명 전도성 산화막(Transparent Conducting Oxide; TCO)로 형성해야 하는데, 산화주석(SnO) 계열의 재질로 구성되어 있으며, 상기 제2 투명 도전층(105)도 투명 전도성 산화막(Transparent Conducting Oxide; TCO)로 형성해야 하는데, 산화아연(ZnO) 계열의 재질로 구성된다. 이때, 산화주석(SnO) 계열로는, SnO,:F, SnO:In 등이 있으며, 산화아연(ZnO) 계열로는 ZnO:Ga, ZnO:In, ZnO:Sn, ZnO:B, ZnO:F 등이 있다.
또한, 상기 제1 투명 도전층(103)을 구성하는 재질로는 Sn 이외에 B, Ta, Nb, F, In 등이 도펀트로 사용되며, 상기 제2 투명 도전층(105)을 구성하는 재질로는 Zn이외에 Al, Ga, B, F 등이 도펀트로 사용된다.
또한, 상기 태양전지(100)는, p-i-n 구조의 실리콘층이 2단으로 적층되어 있는 구조, 즉 템덤(tandem) 구조로 되어 있다. 이때, 상기 p-i-n 구조의 실리콘층이 3단으로 적층된 구조, 즉 트리플(triple) 구조로 형성될 수도 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1 실리콘층(107)은 p형으로 도핑된 p형 비정질 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 비정질 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 비정질 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
그리고, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제2 실리콘층(109)은 p형으로 도핑된 p형 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
이때, 태양전지에서 태양광은 p형 실리콘층을 통하여 i형 실리콘층에 입사되도록 하는 것이 태양전지의 효율 측면에세 바람직하다. 이는 태양광에 의해 생성된 전자와 정공의 표동 이동도(drift mobility) 차이를 고려한 것으로서, 정공의 표동 이동도가 전자에 비해 낮기 때문에 태양광에 의한 캐리어의 수집 효율을 극대화하기 위해서는 대부분의 캐리어들이 p형 실리콘층/i형 실리콘층 계면에서 생성하도록 하여 정공의 이동 거리를 최소화하여야 하기 때문이다.
한편, 본 발명에서 태양전지를 구성하는 기본 구조로 p-i-n 구조에 대해 설명하였지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 n-i-p 구조, 즉 m형 실리콘층/i형 실리콘층/p형 실리콘층을 적층한 구조도 가능하다.
다만, n-i-p 구조의 경우 태양광이 p쪽에서 입사되는 점을 감안할 때 태양광은 기판의 반대쪽에서 입사되므로 이 경우 기판은 반드시 유리와 같은 투명한 재질로 사용할 필요가 없으며 예를 들어 실리콘이나 금속 재질의 기판 사용도 가능하다.
또한, 본 발명에서 p형 실리콘층과 n형 실리콘층사이에 도핑이 전혀 되지 않은 i형 실리콘층이 배치되는 것으로 되어 있지만 반드시 이에 한정할 필요는 없으며 p형 실리콘층과 n형 실리콘층에 비하여 상대적으로 절연성인 (즉, 전기전도도가 낮은) 비정질 실리콘층이 배치되는 것도 무방하다. 예를들어, p형 실리콘층과 n형 실리콘층을 하이(high) 도핑시키고 그 사이에 n형 또는 p형 불순물이 로우(low) 도핑된 실리콘층을 배치하는 것도 가능하다.
상기 구성으로 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 제조방법에 대해 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 템덤 구조의 태양전지 제조 공정단면도이다.
먼저, 도 4a를 참조하면, 기판(101)상에 산화주석(SnO) 계열의 재질을 이용하여 다수의 뾰족한 형태의 요철(103a)을 가진 제1 투명 도전층(103)을 약 300∼1000nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 기판(101)은 태양광의 흡수를 위하여 투명 재질로 이루어지는 것이 바람직하며 예를 들어, 유리 및 플라스틱을 포함할 수 있다. 기판(101) 표면은 태양전지의 효율을 향상시키기 위하여 텍스처링 (texturing) 처리할 수 있다. 여기서, 텍스처링이란 태양전지의 기판 표면에 입사되는 빛의 반사에 의한 광학적 손실에 의해 그 특성이 저하되는 현상을 방지하기 위한 것으로서, 태양전지에서 사용되는 기판의 표면을 거칠게 만드는 것, 즉 기판 표면에 요철(103a) 형상의 패턴을 형성하는 것을 말한다. 텍스처링으로 기판 표면이 거칠어지면 한번 반사된 빛이 재반사되어 입사된 빛의 반사율을 감소시키므로써 광 포획량이 증가되어 광학적 손실이 저감되는 효과를 얻을 수 있다.
한편, 상기 기판(101)상에 제1 투명 도전층(103)을 형성하기 전에 반사방지층(미도시)을 형성할 수도 있다. 이때, 상기 반사방지층은 기판을 통하여 입사된 태양광이 실리콘층에 흡수되지 못하고 바로 외부로 반사됨으로써 태양전지의 효율을 저하시키는 현상을 방지하는 역할을 하며, 예를 들어 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 이 반사 방지층의 형성방법으로는 저압화학 기상 증착법(low pressure chemical deposition; LPCVD) 및 PECVD 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 투명 도전층(103)은 SnO : F 를 화학기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 이용하여 퍼니스 (furnace) 내에서 증착한후 아닐링공정을 거쳐 다수의 뾰족한 형태의 요철(103a)이 형성된 박막으로 제조된다. 또한, 상기 산화주석(SnO) 계열은 증착시에 좋은 결정성을 이루기 때문에 CVD에 의해 증착시에 표면에 뾰족한 피라미드 형태의 요철(103a)이 형성된다. 이렇게 뾰족한 형태의 요철(103a)은 기존과 같이 CVD에 의해 비정질 실리콘층(a-Si)이나 CuInGaSe2 등 증착시에 스트레스(stress)가 발생하여 투명전도층과 흡수층과의 접착성(adhesion)을 나쁘게 하여 시리어스(series)저항을 증가시킬 수 있다.
그 다음, 이러한 문제점들을 개선하기 위해, 상기 뾰족한 형태의 다수의 요철 (103a)이 형성된 제1 투명 도전층(103)상에 산화아연(ZnO) 계열의 제2 투명 도전층(105)을 약 200∼500nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 제2 투명 도전층(105)은 ZnO : Ga를 스퍼터링 (sputtering)과 같은 물리 증기 증착법(physical vapor disposition; PVD)으로 증착한다.
이렇게 PVD법을 이용하여 제2 투명 도전층(105)을 증착함으로 인해 전기적 특성이 증가하여 두께를 감소시킬 수가 있다. 또한, 유리기판(101)의 굴절률 1.5와 제1 투명 도전층(103)인 SnO:F의 굴절률 1.89의 차이로 인해 산란이 일어나고, 다 시 제2 투명 도전층(105)인 ZnO:Ga의 굴절률 2.02와의 차이로 인해 산란이 일어난다. 그리고, 제1 투명 도전층(103)의 SnO:F의 표면의 요철(103a)과 제2 투명 도전층(105)의 ZnO:Ga의 요철(105a)에 의해 다시 산란이 일어 나서 전체 광의 경로가 증가된다.
따라서, 본 발명은 굴절률이 다른 제1 및 2 투명 도전층을 사용하기 때문에 여러 파장대의 빛이 모두 다른 경로로 굴절되어 흡수층으로 입사됨으로 인하여 다양한 파장대의 많은 빛이 들어와 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있다.
이어서, 도 4c를 참조하면, 제2 투명 도전층(105)상에 흡수층으로 사용하기 위해 3층의 비정질 실리콘층, 즉 p형 비정질 실리콘층, i형(진성) 비정질실리콘층, n형 비정질 실리콘층을 차례대로 형성시켜 텐덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지의 제1 실리콘층(107)을 약 200∼350nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 제1 실리콘층 (107)은 비정질 실리콘 상태로 형성되며, 그 형성방법으로는 LPCVD법, PECVD법, 열선 화학 기상 증착(hot chemical vapor deposition)법 등과 같은 화학기상 증착법 (chemical vapor deposition; CVD) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 실리콘층 (107)의 실리콘층에 대한 n형 또는 p형 도핑은 비정질 실리콘층 형성시에 인시츄 (in situ) 도핑하는 것이 바람직하다. 이때, p형 도핑시의 불순물로는 보론(B)을, n형 도핑시의 불순물로는 인(P) 또는 비소(As)를 사용한다. 또한, 상기 3층 적층 구조의 제1 실리콘층(107)의 두께와 도핑 농도는 템덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지에서 통상적으로 채택하고 있는 두께 정도 및 도핑 농도를 적용한다.
그 다음, 도 4d를 참조하면, 상기 제1 실리콘층(107)상에 결정질 실리콘으로 형성하는 3층 구조의 실리콘층, 즉 p형 실리콘층, i형(진성) 실리콘층, n형 실리콘층을 차례대로 형성시켜 텐덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지의 제2 실리콘층(109)을 약 300∼2000nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 제1 실리콘층(107)을 구성하는 p형 비정질 실리콘층, i형 비정질실리콘층, n형 비정질 실리콘층 각각의 층들은 상호 대응되는 제2 실리콘층 (109)을 구성하는 p형 실리콘층, i형 실리콘층, n형 실리콘층 각각의 층들의 두께보다 상대적으로 얇게 형성하는 것이 바람직하다.
이렇게 하여, 템덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지의 제1 실리콘층(107)과 제2 실리콘층(109)이 완성된다. 이때, 제2 실리콘층(109)의 p-i-n 실리콘층은 제1 실리콘층(107)의 p-i-n 비정질 실리콘층이 그대로 반복되는 구조를 갖는다. 따라서, 제1 실리콘층(107)이 n-i-p 구조를 갖는 경우에는 제2 실리콘층(109) 역시 n-i-p 구조를 가져야 한다.
이어서, 상기 제2 실리콘층(109)상에 금속 전극층(111)을 약 100∼300nm 정도로 형성하여 템덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지(100)를 완성한다. 이때, 상기 금속 전극층(111)을 형성하기 앞서 상기 제2 실리콘층(109)상에 투명 도전층을 형성할 수도 있다. 또한, 상기 금속 전극층(111)의 재질로는 알루미늄 등과 같은 전도성 물질이면 되고, 이의 형성방법은 열 증착법 또는 스퍼터링법 등과 같은 물리기상 증착법 등을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 태양전지의 다른 실시예에 대해 도 5를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 2단 템덤 구조의 태양전지 구조의 개 략적인 단면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지(200)는, 기판(201)상에 형성되고 표면에 울퉁불퉁한 볼록한 형태의 다수의 제1 요철(203a)이 형성된 제1 투명 도전층 (203)과, 상기 제1 투명 도전층(203)상에 형성된 완만한 형태의 제2 요철(205a)이 형성된 제2 투명 도전층(205)과, 상기 제2 투명 도전층(205)상에 형성된 제1 실리콘층(207)과 제2 실리콘층(209) 및, 금속 전극층 (211)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 기판(201)은 플라스틱, 실리콘과 글래스(glass)중 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 투명 도전층(203)은 투명 전도성 산화막(Transparent Conducting Oxide; TCO)로 형성해야 하는데, 산화아연(ZnO) 계열의 재질로 구성되어 있으며, 상기 제2 투명 도전층(205)도 투명 전도성 산화막(Transparent Conducting Oxide; TCO)로 형성해야 하는데, ITO 계열의 재질로 구성된다. 이때, 산화아연(ZnO) 계열로는 ZnO:Ga, ZnO:In, ZnO:Sn, ZnO:B, ZnO:F 등이 있으며, 산화주석(SnO) 계열로는 SnO,:F, SnO:In 등이 있다. 또한, 상기 제1 투명 도전층(203)을 구성하는 재질로는 Zn이외에 Al, Ga, B, F 등이 도펀트로 사용되며, 상기 제2 투명 도전층(205)을 구성하는 재질로는 ITO 이외에 F, In 등이 도펀트로 사용된다.
또한, 상기 태양전지(200)는, p-i-n 구조의 실리콘층이 2단으로 적층되어 있는 구성으로 되어 있다. 이때, 상기 p-i-n 구조의 실리콘층이 3단으로 적층된 구조로 형성될 수도 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1 실리콘층(207)은 p형으로 도핑 된 p형 비정질 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 비정질 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 비정질 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
그리고, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제2 실리콘층(209)은 p형으로 도핑된 p형 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
이때, 태양전지에서 태양광은 p형 실리콘층을 통하여 i형 실리콘층에 입사되도록 하는 것이 태양전지의 효율 측면에세 바람직하다. 이는 태양광에 의해 생성된 전자와 정공의 표동 이동도(drift mobility) 차이를 고려한 것으로서, 정공의 표동 이동도가 전자에 비해 낮기 때문에 태양광에 의한 캐리어의 수집 효율을 극대화하기 위해서는 대부분의 캐리어들이 p형 실리콘층/i형 실리콘층 계면에서 생성하도록 하여 정공의 이동 거리를 최소화하여야 하기 때문이다.
한편, 본 발명에서 태양전지를 구성하는 기본 구조로 p-i-n 구조에 대해 설명하였지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 n-i-p 구조, 즉 m형 실리콘층/i형 실리콘층/p형 실리콘층을 적층한 구조도 가능하다.
다만, n-i-p 구조의 경우 태양광이 p쪽에서 입사되는 점을 감안할 때 태양광은 기판의 반대쪽에서 입사되므로 이 경우 기판은 반드시 유리와 같은 투명한 재질로 사용할 필요가 없으며 예를 들어 실리콘이나 금속 재질의 기판 사용도 가능하다.
또한, 본 발명에서 p형 실리콘층과 n형 실리콘층사이에 도핑이 전혀 되지 않은 i형 실리콘층이 배치되는 것으로 되어 있지만 반드시 이에 한정할 필요는 없으 며 p형 실리콘층과 n형 실리콘층에 비하여 상대적으로 절연성인 (즉, 전기전도도가 낮은) 비정질 실리콘층이 배치되는 것도 무방하다. 예를들어, p형 실리콘층과 n형 실리콘층을 하이(high) 도핑시키고 그 사이에 n형 또는 p형 불순물이 로우(low) 도핑된 실리콘층을 배치하는 것도 가능하다.
상기 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 태양전지의 다른 실시예의 제조방법에 대해 도 6a 내지 도 6d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 템덤 구조의 태양전지 제조 공정단면도이다.
먼저, 도 6a를 참조하면, 기판(201)상에 산화아연(ZnO) 계열의 재질을 이용하여 스퍼터링(PVD) 방법으로 다수의 볼록한 형태의 요철(203a)을 가진 제1 투명 도전층(203)을 약 300∼1000nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 기판(201)은 태양광의 흡수를 위하여 투명 재질로 이루어지는 것이 바람직하며 예를 들어, 유리 및 플라스틱을 포함할 수 있다. 기판(201) 표면은 태양전지의 효율을 향상시키기 위하여 텍스처링 (texturing) 처리할 수 있다. 여기서, 텍스처링이란 태양전지의 기판 표면에 입사되는 빛의 반사에 의한 광학적 손실에 의해 그 특성이 저하되는 현상을 방지하기 위한 것으로서, 태양전지에서 사용되는 기판의 표면을 거칠게 만드는 것, 즉 기판 표면에 요철 (203a) 형상의 패턴을 형성하는 것을 말한다. 텍스처링으로 기판 표면이 거칠어지면 한번 반사된 빛이 재반사되어 입사된 빛의 반사율을 감소시키므로써 광 포획량이 증가되어 광학적 손실이 저감되는 효과를 얻을 수 있다.
한편, 상기 기판(201)상에 제1 투명 도전층(203)을 형성하기 전에 반사방지 층(미도시)을 형성할 수도 있다. 이때, 상기 반사방지층은 기판을 통하여 입사된 태양광이 실리콘층에 흡수되지 못하고 바로 외부로 반사됨으로써 태양전지의 효율을 저하시키는 현상을 방지하는 역할을 하며, 예를 들어 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 이 반사 방지층의 형성방법으로는 저압화학 기상 증착법(low pressure chemical deposition; LPCVD) 및 PECVD 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 투명 도전층(203)은 ZnO : Ga 를 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 다수의 볼록한 형태의 요철(203a)이 형성된 박막으로 제조된다.
그 다음, 도 6b를 참조하면, 상기 볼록한 형태의 요철(203a)이 형성된 제1 투명 도전층(203)상에 ITO를 증착하여 완만한 볼록 형태의 다수의 요철(205a)이 형성된 제2 투명 도전층(205)을 약 200∼500nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 제2 투명 도전층(205)은 ITO를 스퍼터링 (sputtering)과 같은 물리 증기 증착법(physical vapor disposition; PVD)으로 증착한다. 이렇게 PVD법을 이용하여 제2 투명 도전층(205)을 증착하므로 인해 전기적 특성이 증가하여 두께를 감소시킬 수가 있다. 이때, 전술한 본 발명의 일 실시예와 같이 두가지의 굴절률이 비슷하여 재료에 의한 굴절과 산란은 발생하지 않지만, 제1 투명 도전층(203)의 요철(203a)로 인한 산란과 제2 투명 도전층 (205)인 ITO의 표면 요철(205a)에 의한 산란에 의해 전체 광 경로가 증가된다.
이어서, 도 6c를 참조하면, 제2 투명 도전층(205)상에 흡수층으로 사용하기 위해 3층의 비정질 실리콘층, 즉 p형 비정질 실리콘층, i형(진성) 비정질실리콘층, n형 비정질 실리콘층을 차례대로 형성시켜 텐덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지의 제1 실리콘층(207)을 약 200∼350nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 제1 실리콘층 (207)은 비정질 실리콘 상태로 형성되며, 그 형성방법으로는 LPCVD법, PECVD법, 열선 화학 기상 증착(hot chemical vapor deposition)법 등과 같은 화학기상 증착법 (chemical vapor deposition; CVD) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 실리콘층 (207)의 실리콘층에 대한 n형 또는 p형 도핑은 비정질 실리콘층 형성시에 인시츄 (in situ) 도핑하는 것이 바람직하다. 이때, p형 도핑시의 불순물로는 보론(B)을, n형 도핑시의 불순물로는 인(P) 또는 비소(As)를 사용한다. 또한, 상기 3층 적층 구조의 제1 실리콘층(207)의 두께와 도핑 농도는 템덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지에서 통상적으로 채택하고 있는 두께 정도 및 도핑 농도를 적용한다.
그 다음, 도 6d를 참조하면, 상기 제1 실리콘층(207) 상에 결정질 실리콘으로 형성하는 3층 구조의 실리콘층, 즉 p형 실리콘층, i형(진성) 실리콘층, n형 실리콘층을 차례대로 형성시켜 텐덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지의 제2 실리콘층 (209)을 약 300∼2000nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 제1 실리콘층(207)을 구성하는 p형 비정질 실리콘층, i형 비정질실리콘층, n형 비정질 실리콘층 각각의 층들은 상호 대응되는 제2 실리콘층 (209)을 구성하는 p형 실리콘층, i형 실리콘층, n형 실리콘층 각각의 층들의 두께보다 상대적으로 얇게 형성하는 것이 바람직하다.
이렇게 하여, 템덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지의 제1 실리콘층(207)과 제2 실리콘층(209)이 완성된다. 이때, 제2 실리콘층(209)의 p-i-n 실리콘층은 제1 실리 콘층(207)의 p-i-n 비정질 실리콘층이 그대로 반복되는 구조를 갖는다. 따라서, 제1 실리콘층(207)이 n-i-p 구조를 갖는 경우에는 제2 실리콘층(209) 역시 n-i-p 구조를 가져야 한다.
이어서, 상기 제2 실리콘층(209) 상에 금속 전극층(211)을 약 100∼300nm 정도로 형성하여 템덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지(200)를 완성한다. 이때, 상기 금속 전극층(211)을 형성하기 앞서 상기 제2 실리콘층(209)상에 투명 도전층을 형성할 수도 있다. 또한, 상기 금속 전극층(211)의 재질로는 알루미늄 등과 같은 전도성 물질이면 되고, 이의 형성방법은 열 증착법 또는 스퍼터링법 등과 같은 물리기상 증착법 등을 포함할 수 있다.
또 한편, 본 발명에 따른 태양전지의 또 다른 실시예에 대해 도 7을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 2단 템덤 구조의 태양전지 구조의 개략적인 단면도이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지(300)는, 기판(301)상에 형성되고 표면에 홈 형태인 오목한 형태의 다수의 제1 요철(303b)이 형성된 제1 투명 도전층(303)과, 상기 제1 투명 도전층(303)상에 형성된 완만한 형태의 제2 요철 (305a)이 형성된 제2 투명 도전층(305)과, 상기 제2 투명 도전층(305) 상에 형성된 제1 실리콘층(307)과 제2 실리콘층(309) 및, 금속 전극층(311)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 기판(301)은 플라스틱, 실리콘과 글래스(glass)중 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 투명 도전층(303)은 투명 전도성 산화막(Transparent Conducting Oxide; TCO)로 형성해야 하는데, 산화아연(ZnO) 계열의 재질로 구성되어 있으며, 상기 제2 투명 도전층(305)도 투명 전도성 산화막(Transparent Conducting Oxide; TCO)로 형성해야 하는데, ITO 계열의 재질로 구성된다. 이때, 산화아연(ZnO) 계열로는 ZnO:Ga, ZnO:In, ZnO:Sn, ZnO:B, ZnO:F 등이 있으며, 산화주석(SnO) 계열로는 SnO,:F, SnO:In 등이 있다. 또한, 상기 제1 투명 도전층(303)을 구성하는 재질로는 Zn이외에 Al, Ga, B, F 등이 도펀트로 사용되며, 상기 제2 투명 도전층(305)을 구성하는 재질로는 ITO 이외에 F, In 등이 도펀트로 사용된다.
또한, 상기 태양전지(300)는, p-i-n 구조의 실리콘층이 2단으로 적층되어 있는 구성으로 되어 있다. 이때, 상기 p-i-n 구조의 실리콘층이 3단으로 적층된 구조로 형성될 수도 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1 실리콘층(307)은 p형으로 도핑된 p형 비정질 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 비정질 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 비정질 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
그리고, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제2 실리콘층(309)은 p형으로 도핑된 p형 실리콘층(미도시)과, 진성(intrinsic)의 실리콘층(미도시) 및, n형으로 도핑된 실리콘층(미도시)으로 구성된다.
이때, 태양전지에서 태양광은 p형 실리콘층을 통하여 i형 실리콘층에 입사되도록 하는 것이 태양전지의 효율 측면에세 바람직하다. 이는 태양광에 의해 생성된 전자와 정공의 표동 이동도(drift mobility) 차이를 고려한 것으로서, 정공의 표동 이동도가 전자에 비해 낮기 때문에 태양광에 의한 캐리어의 수집 효율을 극대화하기 위해서는 대부분의 캐리어들이 p형 실리콘층/i형 실리콘층 계면에서 생성하도록 하여 정공의 이동 거리를 최소화하여야 하기 때문이다.
한편, 본 발명에서 태양전지를 구성하는 기본 구조로 p-i-n 구조에 대해 설명하였지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 n-i-p 구조, 즉 m형 실리콘층/i형 실리콘층/p형 실리콘층을 적층한 구조도 가능하다.
다만, n-i-p 구조의 경우 태양광이 p쪽에서 입사되는 점을 감안할 때 태양광은 기판의 반대쪽에서 입사되므로 이 경우 기판은 반드시 유리와 같은 투명한 재질로 사용할 필요가 없으며 예를 들어 실리콘이나 금속 재질의 기판 사용도 가능하다.
또한, 본 발명에서 p형 실리콘층과 n형 실리콘층 사이에 도핑이 전혀 되지 않은 i형 실리콘층이 배치되는 것으로 되어 있지만 반드시 이에 한정할 필요는 없으며 p형 실리콘층과 n형 실리콘층에 비하여 상대적으로 절연성인 (즉, 전기전도도가 낮은) 비정질 실리콘층이 배치되는 것도 무방하다. 예를들어, p형 실리콘층과 n형 실리콘층을 하이(high) 도핑시키고 그 사이에 n형 또는 p형 불순물이 로우(low) 도핑된 실리콘층을 배치하는 것도 가능하다.
상기 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 태양전지의 또 다른 실시예의 제조방법에 대해 도 8a 내지 도 8e를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 템덤 구조의 태양전지 제조 공정단면도이다.
먼저, 도 8a를 참조하면, 기판(301)상에 산화아연(ZnO) 계열의 재질을 이용하여 스퍼터링(PVD) 방법으로 다수의 볼록한 형태의 요철(303a)을 가진 제1 투명 도전층(303)을 약 300∼1000nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 기판(301)은 태양광의 흡수를 위하여 투명 재질로 이루어지는 것이 바람직하며 예를 들어, 유리 및 플라스틱을 포함할 수 있다. 기판(301) 표면은 태양전지의 효율을 향상시키기 위하여 텍스처링 (texturing) 처리할 수 있다. 여기서, 텍스처링이란 태양전지의 기판 표면에 입사되는 빛의 반사에 의한 광학적 손실에 의해 그 특성이 저하되는 현상을 방지하기 위한 것으로서, 태양전지에서 사용되는 기판의 표면을 거칠게 만드는 것, 즉 기판 표면에 요철 (303a) 형상의 패턴을 형성하는 것을 말한다. 텍스처링으로 기판 표면이 거칠어지면 한번 반사된 빛이 재반사되어 입사된 빛의 반사율을 감소시키므로써 광 포획량이 증가되어 광학적 손실이 저감되는 효과를 얻을 수 있다.
한편, 상기 기판(301)상에 제1 투명 도전층(303)을 형성하기 전에 반사방지층(미도시)을 형성할 수도 있다. 이때, 상기 반사방지층은 기판을 통하여 입사된 태양광이 실리콘층에 흡수되지 못하고 바로 외부로 반사됨으로써 태양전지의 효율을 저하시키는 현상을 방지하는 역할을 하며, 예를 들어 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 이 반사 방지층의 형성방법으로는 저압화학 기상 증착법(low pressure chemical deposition; LPCVD) 및 PECVD 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 투명 도전층(303)은 ZnO : Ga 를 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 다수의 볼록한 형태의 요철(303a)이 형성된 박막으로 제조된다.
그다음, 8b 및 8c를 참조하면, 상기 기판(301)을 용액조(321) 내에 채워져 있는 산/염기용액(323) 내에 침지시켜 상기 투명 도전층(303) 표면에 형성된 볼록 형태의 다수의 요철(303a)을 식각하여 홈 형태인 오목 형태의 다수의 요철(303b)을 형성한다.
이어서, 상기 홈 형태인 오목 형태의 요철(303b)이 형성된 제1 투명 도전층 (303)상에 ITO를 증착하여 완만한 볼록 형태의 다수의 요철(305a)이 형성된 제2 투명 도전층(305)을 약 200∼500nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 제2 투명 도전층 (305)은 ITO를 스퍼터링 (sputtering)과 같은 물리 증기 증착법(physical vapor disposition; PVD)으로 증착한다. 이렇게 PVD법을 이용하여 제2 투명 도전층(305)을 증착하므로 인해 전기적 특성이 증가하여 두께를 감소시킬 수가 있다. 이때, 전술한 본 발명의 일 실시예와 같이 두가지의 굴절률이 비슷하여 재료에 의한 굴절과 산란은 발생하지 않지만, 제1 투명 도전층(303)의 요철(303b)로 인한 산란과 제2 투명 도전층(305)인 ITO의 표면 요철(305a)에 의한 산란에 의해 전체 광 경로가 증가된다.
이어서, 도 8d를 참조하면, 제2 투명 도전층(305)상에 흡수층으로 사용하기 위해 3층의 비정질 실리콘층, 즉 p형 비정질 실리콘층, i형(진성) 비정질실리콘층, n형 비정질 실리콘층을 차례대로 형성시켜 텐덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지의 제1 실리콘층(307)을 약 200∼350nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 제1 실리콘층 (307)은 비정질 실리콘 상태로 형성되며, 그 형성방법으로는 LPCVD법, PECVD법, 열선 화학 기상 증착(hot chemical vapor deposition)법 등과 같은 화학기상 증착법 (chemical vapor deposition; CVD) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 실리콘층 (307)의 실리콘층에 대한 n형 또는 p형 도핑은 비정질 실리콘층 형성시에 인시츄 (in situ) 도핑하는 것이 바람직하다. 이때, p형 도핑시의 불순물로는 보론(B)을, n형 도핑시의 불순물로는 인(P)을 사용하며, 제1 실리콘층(307)의 두께와 도핑 농도는 템덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지에서 통상적으로 채택하고 있는 두께 정도 및 도핑 농도를 적용한다.
그 다음, 도 8e를 참조하면, 상기 제1 실리콘층(307)상에 결정질 실리콘으로 형성하는 3층 구조의 실리콘층, 즉 p형 실리콘층, i형(진성) 실리콘층, n형 실리콘층을 차례대로 형성시켜 텐덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지의 제2 실리콘층(309)을 약 300∼2000nm 정도로 형성한다. 이때, 상기 제1 실리콘층(307)을 구성하는 p형 비정질 실리콘층, i형 비정질실리콘층, n형 비정질 실리콘층 각각의 층들은 상호 대응되는 제2 실리콘층 (309)을 구성하는 p형 실리콘층, i형 실리콘층, n형 실리콘층 각각의 층들의 두께보다 상대적으로 얇게 형성하는 것이 바람직하다.
이렇게 하여, 템덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지의 제1 실리콘층(307)과 제2 실리콘층(309)이 완성된다. 이때, 제2 실리콘층(309)의 p-i-n 실리콘층은 제1 실리콘층(307)의 p-i-n 비정질 실리콘층이 그대로 반복되는 구조를 갖는다. 따라서, 제1 실리콘층(307)이 n-i-p 구조를 갖는 경우에는 제2 실리콘층(309) 역시 n-i-p 구조를 가져야 한다.
이어서, 상기 제2 실리콘층(309) 상에 금속 전극층(311)을 약 100∼300nm 정도로 형성하여 템덤 구조를 갖는 실리콘 태양전지(300)를 완성한다. 이때, 상기 금속 전극층(311)을 형성하기 앞서 상기 제2 실리콘층(309)상에 투명 도전층을 형성할 수도 있다. 또한, 상기 금속 전극층(311)의 재질로는 알루미늄 등과 같은 전도성 물질이면 되고, 이의 형성방법은 열 증착법 또는 스퍼터링법 등과 같은 물리기상 증착법 등을 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 태양전지 및 그 제조방법은 좋은 물성치를 가지는 다중의 재료를 사용함으로써 투명 도전층의 박막 두께를 감소시킴으로 인해 공정시간이 감소되며, 1차 투명 도전층에서 형성된 요철로 인해 2차 투명 도전층에서는 다른 요철 형성공정이 필요하지 않게 된다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지 및 그 제조방법은 빛의 굴절 및 산란에 있어서 재료의 투과율 차이에 의한 굴절 및 1차 및 2차 투명 도전층사이에 형성된 요철의 굴절에 의해 기존의 하나의 투명 도전층에 비해 많은 굴절이 이루어져 빛의 경로가 증가하게 되고, 보다 많은 양의 빛의 흡수층으로 들어 오게 된다.
따라서, 본 발명은 기존의 투명 도전층에 비하여 광경로가 길어질 뿐만 아니라 여러 파장대의 빛이 모두 다른 경로로 굴절되어 흡수층으로 입사됨으로 인하여 다양한 파장대의 많은 빛이 들어와 태양전지의 효율을 증가시키게 된다.
한편, 상기에서 본 발명의 실시예로서, p-i-n 실리콘층을 2단으로 적층시킨 템덤 구조의 실리콘 태양전지에 대하여 설명한 바 있지만 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 p-i-n 실리콘층을 3단으로 적층시킨 태양전지도 본 발명의 실시예가 될 수 있다. 즉, 어떠한 태양전지도 그 태양전지를 구성하는 적어도 한 층의 실리콘층 내에 금속-인 화합물 성분이 포함되어 있다면 이러한 태양전지 및 그 제조방법은 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였 으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형 예 및 변경 예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위내에 속하는 것으로 보아야 한다.
도 1은 종래기술에 따른 2단 템덤 구조의 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 종래기술에 따른 2단 템덤 구조의 태양전지 제조공정을 도시한 공정 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 2단 템덤 구조의 태양전지 구조의 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 템덤 구조의 태양전지 제조 공정단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 2단 템덤 구조의 태양전지 구조의 개략적인 단면도이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 템덤 구조의 태양전지 제조 공정단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 2단 템덤 구조의 태양전지 구조의 개략적인 단면도이다.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 템덤 구조의 태양전지 제조 공정단면도이다.

Claims (20)

  1. 기판상에 형성되고, 표면에 다수의 제1 요철이 형성된 제1 투명 도전층;
    상기 제1 투명 도전층상에 형성되고, 표면에 다수의 제2 요철이 형성된 제2 투명 도전층;
    상기 제2 투명 도전층상에 적층된 제1 실리콘층과 제2 실리콘층; 및
    상기 제 2 실리콘층상에 형성된 금속 전극층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 요철은 뾰족한 피라미드 형상, 볼록 형상 또는 홈 형태인 오목 형상중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 요철은 볼록한 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명 도전층은 SnO,:F, SnO:In 의 산화아연 계열 또는 SnO,:F, SnO:In 의 산화주석 계열의 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 태양전지.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 투명 도전층이 산화아연 계열의 재질인 경우, 제2 투명 도전층은 산화주석 계열인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 투명 도전층이 산화주석 계열의 재질인 경우, 제2 투명 도전층은 산화아연 계열인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 투명 도전층과 제2 투명 도전층은 굴절률이 다른 것을 특징으로 하는 태양전지.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 투명 도전층은 제1 투명 도전층보다 굴절률이 큰 것을 특징으로 하는 태양전지.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 실리콘층은 3층의 p-i-n 비정질 실리콘층으로 구성되고, 제2 실리콘층은 3층의 p-i-n 결정질 실리콘층으로 구성된 것을 특징으로 하는 태양전지.
  10. 기판상에 다수의 제1 요철을 가진 제1 투명 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 도전층상에 다수의 제2 요철을 가진 제2 투명 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제2 투명 도전층상에 제1 실리콘층과 제2 실리콘층을 적층하는 단계; 및
    상기 제 2 실리콘층상에 금속 전극층을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 요철은 뾰족한 피라미드 형상, 볼록 형상 또는 홈 형태인 오목 형상중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제2 요철은 볼록한 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명 도전층은 SnO,:F, SnO:In 의 산화아연 계열 또는 SnO,:F, SnO:In 의 산화주석 계열의 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 투명 도전층이 산화아연 계열의 재질인 경우, 제2 투명 도전층은 산화주석 계열인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1 투명 도전층이 산화주석 계열의 재질인 경우, 제2 투명 도전층은 산화아연 계열인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 제1 투명 도전층과 제2 투명 도전층은 굴절률이 다른 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2 투명 도전층은 제1 투명 도전층보다 굴절률이 큰 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 기판상에 산화주석 계열의 재질 및 CVD방법을 이용하여 뾰족한 피라미드 형상의 제1 요철을 가진 제1 투명 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 도전층상에 산화아연 계열의 재질 및 PVD 방법을 이용하여 다수의 볼록 형태의 제2 요철을 가진 제2 투명 도전층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 기판상에 산화아연 계열의 재질 및 PVD 방법을 이용하여 볼록한 다수의 제1 요철을 가진 제1 투명 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 도전층상에 ITO 및 PVD 방법을 이용하여 다수의 볼록 형태의 제2 요철을 가진 제2 투명 도전층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  20. 제11항에 있어서, 상기 기판상에 산화아연 계열의 재질 및 PVD 방법을 이용하여 볼록한 다수의 제1 요철을 가진 제1 투명 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 도전층의 제1 요철을 산염기용액에 의해 식각하여 제1 요철을 표면이 홈 형태인 다수의 오목 형태의 요철로 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 도전층상에 ITO 재질 및 PVD 방법을 이용하여 다수의 볼록 형태의 제2 요철을 가진 제2 투명 도전층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
KR1020090071795A 2009-08-04 2009-08-04 태양전지 및 그 제조방법 KR20110014039A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090071795A KR20110014039A (ko) 2009-08-04 2009-08-04 태양전지 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090071795A KR20110014039A (ko) 2009-08-04 2009-08-04 태양전지 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110014039A true KR20110014039A (ko) 2011-02-10

Family

ID=43773429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090071795A KR20110014039A (ko) 2009-08-04 2009-08-04 태양전지 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110014039A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012134000A1 (ko) * 2011-03-29 2012-10-04 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR20120111873A (ko) * 2011-03-29 2012-10-11 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR101225739B1 (ko) * 2011-04-22 2013-01-23 삼성코닝정밀소재 주식회사 광전지용 산화아연계 투명 도전막 및 그 제조방법
WO2013019029A1 (en) * 2011-07-29 2013-02-07 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method of fabricating the same
WO2013168831A1 (ko) * 2012-05-07 2013-11-14 한국기계연구원 투명전도성 기판 및 그 제조 방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012134000A1 (ko) * 2011-03-29 2012-10-04 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR20120111873A (ko) * 2011-03-29 2012-10-11 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
TWI568002B (zh) * 2011-03-29 2017-01-21 周星工程有限公司 薄膜型太陽能電池及其製造方法
KR101225739B1 (ko) * 2011-04-22 2013-01-23 삼성코닝정밀소재 주식회사 광전지용 산화아연계 투명 도전막 및 그 제조방법
WO2013019029A1 (en) * 2011-07-29 2013-02-07 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method of fabricating the same
KR101305802B1 (ko) * 2011-07-29 2013-09-06 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
WO2013168831A1 (ko) * 2012-05-07 2013-11-14 한국기계연구원 투명전도성 기판 및 그 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2469609A1 (en) Thin film solar cell
KR20110070541A (ko) 박막 태양전지 및 그 제조방법
KR20110014039A (ko) 태양전지 및 그 제조방법
US20110061729A1 (en) Solar Cell and Method of Manufacturing the Same
KR101018319B1 (ko) 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법
KR101658534B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
EP2355173B1 (en) Silicon thin film solar cell
KR20130006904A (ko) 박막 태양 전지
KR20120003732A (ko) 태양전지
KR101130200B1 (ko) 태양전지
KR101562191B1 (ko) 고효율 태양전지
KR20110068217A (ko) 박막 태양전지 및 그 제조방법
US20100212739A1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
KR101626364B1 (ko) 박막 태양전지 및 그 제조방법
KR101640815B1 (ko) 박막 태양전지 및 그 제조방법
KR20110012551A (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101644056B1 (ko) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
US20130167918A1 (en) Photovoltaic device
KR101303594B1 (ko) 표면 텍스처가 형성된 유리기판을 이용한 박막형 태양전지 및 이의 제조방법
KR20130039896A (ko) 박막 태양 전지
KR101784440B1 (ko) 박막 태양 전지
EP2834856B1 (en) Thin film solar cell
KR101732104B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR100946683B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR20110068226A (ko) 박막 태양전지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination