KR20100111982A - 방향족 고리 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말 - Google Patents
방향족 고리 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말 Download PDFInfo
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Abstract
Description
발광층의 호스트 재료 |
전압 ( V ) |
전류밀도 ( mA/cm2 ) |
휘도 ( cd/m2 ) |
발광효율 ( cd/A ) |
색도좌표 ( x, y ) |
|
실시예 1 | 화합물 1 | 6 | 0.38 | 135 | 45.7 | ( 0.32, 0.61 ) |
실시예 2 | 화합물 16 | 6 | 0.35 | 110 | 42.9 | ( 0.31, 0.61 ) |
비교예 1 | CTP | 6 | 0.31 | 104 | 13.4 | ( 0.33, 0.61 ) |
Claims (14)
- 하기 화학식으로 표시되는 방향족 고리 화합물.(1) X는 탄소(C) 또는 질소(N)를 가질 수 있으며,(2) R1 내지 R10는 각각 서로 독립적으로 수소원자, 시아노기, 하이드록시기, 티올기, 할로겐원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 알킬카르보닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 50의 아릴카르보닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬티오기이다.
- 아래 화학식들 중 하나로 표시되는 방향족 고리 화합물.(1) X는 탄소(C) 또는 질소(N)를 가질 수 있으며,(2) R1 내지 R10는 각각 서로 독립적으로 수소원자, 시아노기, 하이드록시기, 티올기, 할로겐원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 알킬카르보닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 50의 아릴카르보닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬티오기이다.
- 제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 R3 ~ R4, R5 ~ R6, R7 ~ R8 및 R9 ~ R10 중에서 적어도 어느 하나는 서로 인접한 기에 의해 고리를 형성하는 것을 특징으로 하는 방향족 고리 화합물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 방향족 고리 화합물은 유기 전자 소자의 유기물층에 사용되는 재료인 것을 특징으로 하는 방향족 고리 화합물.
- 제5항에 있어서, 상기 유기물층은 발광층인 것을 특징으로 하는 방향족 고리 화합물.
- 제6항에 있어서, 상기 방향족 고리 화합물은 상기 발광층에 사용되는 녹색 호스트물질인 것을 특징으로 하는 방향족 고리 화합물.
- 제1항 또는 제2항의 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자.
- 제8항에 있어서,상기 유기전자소자는 제1 전극, 상기 1층 이상의 유기물층 및 제2 전극을 순 차적으로 적층된 형태로 포함하는 유기전계발광소자인 것을 특징으로 하는 유기전자소자.
- 제9항에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입/수송층, 발광층, 전자주입층을 포함하며, 상기 제1항 또는 제2항의 화합물은 상기 발광층에 포함된 것을 특징으로 하는 유기전자소자.
- 제 10항에 있어서,상기 제1항 또는 제2항의 화합물은 상기 발광층에 발광 호스트물질로 사용된 것을 특징으로 하는 유기전자소자.
- 제10항에 있어서,상기 제1항 또는 제2항의 화합물을 용액 공정(soluble process)에 의해 상기 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자.
- 제8항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와;상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 단말.
- 제13항에 있어서,상기 유기전기소자는 유기전계발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광 체(OPC) 드럼, 유기트랜지스트(유기 TFT), 포토다이오드(photodiode), 유기레이저(organic laser), 레이저 다이오드(laser diode) 중 하나인 것을 특징으로 하는 단말.
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