KR20100109827A - Plasma display panel and method for fabricating in thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A plasma display panel and a method for manufacturing the same are provided to improve the emitting characteristic of secondary-electrons by adding materials with the high emitting coefficient of secondary-electrons into a protective film, a partition wall, and a fluorescent layer. CONSTITUTION: A first dielectric layer(190) is formed on discharging electrodes. A first protective film is formed on the first dielectric layer. The first protective film includes magnesium oxide. A second protective film(195a) is formed on the first protective film. A second protective film(195b) includes either of diamond powder or carbon powder. A first substrate(170) successively includes a plurality of discharging electrodes, the first dielectric layer, the first protective film, and the second protective film. A partition wall is placed between the first substrate and a second substrate(110). The second substrate includes a plurality of address electrodes(120), a second dielectric layer(130), and a fluorescent layer.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법{Plasma display panel and Method for fabricating in thereof}Plasma display panel and method for manufacturing the same

본 발명은 영상 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an image display device, and more particularly, to a plasma display device.

멀티 미디어 시대의 도래와 함께 더 세밀하고, 더 크고, 더욱 자연색에 가까운 색을 표현해줄 수 있는 디스플레이 장치의 등장이 요구되고 있다. 그런데, 40인치 이상의 큰 화면을 구성하기에는 현재의 CRT(Cathode Ray Tube)는 한계가 있어서, LCD(Liquid Crystal Display)나 PDP(Plasma Display Panel) 및 프로젝션 TV(Television) 등이 고화질 영상의 분야로 용도확대를 위해 급속도로 발전하고 있다.With the advent of the multimedia era, display devices that can express more detailed, larger, and more natural colors are required. However, the current CRT (Cathode Ray Tube) has a limit to compose a large screen of 40 inches or more, and the LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), and projection TV (Television) are used for high definition video. It is rapidly developing for expansion.

상술한 PDP 등의 디스플레이 장치의 최대 특징은 자체 발광형인 CRT와 비교하여 얇은 두께로 제작될 수 있고, 평면의 대화면(60~80inch) 제작이 손쉬울 뿐 아니라 style이나 design 면에서 종래 CRT와는 명확히 구별이 된다.The maximum feature of the display device such as the PDP can be manufactured in a thin thickness compared to the CRT which is self-luminous, and is easy to manufacture a large flat screen (60 to 80 inches), and clearly distinguished from the conventional CRT in terms of style and design. Becomes

PDP는 어드레스 전극을 구비한 하판과, 서스테인 전극쌍을 구비한 상판과 격벽으로 정의되는 방전 셀을 가지며, 상기 방전 셀 내에는 형광체가 도포되어 화면 을 표시한다.The PDP has a lower plate having an address electrode, a top plate having a sustain electrode pair, and a discharge cell defined by a partition wall, and phosphors are coated on the discharge cell to display a screen.

구체적으로, 상기 상판과 하판 사이의 방전 공간 내에서 방전이 일어나면 이 때 발생된 자외선이 형광체에 입사되어 가시광선이 발생하고, 상기 가시광선에 의하여 화면이 표시된다.Specifically, when discharge occurs in the discharge space between the upper plate and the lower plate, ultraviolet rays generated at this time are incident on the phosphor to generate visible light, and the screen is displayed by the visible light.

본 발명의 목적은, 이차전자 방출 특성을 높여 방출 전압을 낮추고, 고휘도 및 고효율의 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a plasma display panel having a high brightness and high efficiency and a method of manufacturing the same, by increasing secondary electron emission characteristics to lower emission voltages.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 복수개의 방전 전극과, 상기 방전 전극들 상에 형성된 제1 유전체 층과, 상기 제1 유전체 층 상에 형성되고 산화마그네슘(이하 "MgO")이 포함된 제1 보호막과, 상기 제1 보호막 상에 형성되고 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나가 포함된 제2 보호막을 순차적으로 구비하는 제1 기판과; 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 복수개의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 순차적으로 구비하는 제2 기판;을 포함하여 이루어진다.A plasma display panel according to the present invention for achieving the above object, a plurality of discharge electrodes, a first dielectric layer formed on the discharge electrodes, and formed on the first dielectric layer and magnesium oxide (hereinafter referred to as "MgO" A first substrate including a first passivation layer having a) and a second passivation layer formed on the first passivation layer, the second passivation layer including any one of diamond powder and carbon powder; And a second substrate bonded to the first substrate with a partition therebetween, the second substrate including a plurality of address electrodes, a second dielectric layer, and a phosphor layer sequentially.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 제1 기판상에 복수개의 방전 전극들과 제1 유전체 층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제1 유전체 층 상에 산화마그네슘(이하 "MgO")을 포함한 제1 보호막을 형성하는 단계와; 상기 제1 보호막 상에 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나를 포함한 제2 보호막을 형성하는 단계와; 제2 기판 상에 복수의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 형성하는 단계와; 상기 제2 유전체 층 상에 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 제2 기판을 합착하는 단계; 를 포함하여 이루어진다.In addition, the method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention includes the steps of sequentially forming a plurality of discharge electrodes and a first dielectric layer on a first substrate; Forming a first passivation film comprising magnesium oxide (hereinafter referred to as "MgO") on the first dielectric layer; Forming a second passivation layer including any one of diamond powder and carbon powder on the first passivation layer; Forming a plurality of address electrodes, a second dielectric layer and a phosphor layer on the second substrate; Forming a partition on the second dielectric layer; Bonding the first substrate and the second substrate to each other with the barrier rib therebetween; It is made, including.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법은, 보호막, 격벽 및 형광체 층에 2차 전자 방출 계수가 큰 물질인 다이아몬드 파우더 또는 탄소 파우더와, 방전 지연 특성을 개선시키는 단결정의 MgO 파우더를 첨가함으로써, PDP의 구동 시에 방전 공간에 노출된 보호막, 형광체 층 및 격벽에서의 이차전자 방출 특성이 향상되고, 이로 인해 방전 전압이 낮아지고, 효율이 좋아지는 효과가 있다.The plasma display panel according to the present invention and a method for manufacturing the same are prepared by adding diamond powder or carbon powder, which is a material having a large secondary electron emission coefficient, to a protective film, a partition, and a phosphor layer, and a single crystal MgO powder to improve discharge delay characteristics. Secondary electron emission characteristics in the protective film, the phosphor layer and the partition wall exposed to the discharge space during the driving of the PDP are improved, thereby lowering the discharge voltage and improving the efficiency.

본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention, in which the above object can be specifically realized, are described with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타냈으며, 도면에 나타난 각 층간의 두께 비가 실제 두께 비를 나타내는 것은 아니다.In the accompanying drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity, and the thickness ratios of the layers in the drawings do not represent actual thickness ratios.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 보호막이 2층 구조를 이룬 것을 특징으로 한다. 이하에서, 전면 기판(170)의 제1 유전체 층(190) 상에 접하여 형성된 보호막을 제1 보호막(195a)이라 하고, 제1 보호막(195a) 상에 형성되어 방전 공간에 면접한 보호막을 제2 보호막(195b)이라 칭한다.The plasma display panel according to the present invention is characterized in that the protective film has a two-layer structure. Hereinafter, a passivation layer formed on the first dielectric layer 190 of the front substrate 170 may be referred to as a first passivation layer 195a, and a passivation layer formed on the first passivation layer 195a and in contact with the discharge space may be a second passivation layer. This is called a protective film 195b.

도 1은 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더가 포함된 보호막을 구비한 플라즈 마 디스플레이 패널의 방전 셀 구조를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a discharge cell structure of a plasma display panel having a protective film containing a diamond powder according to the present invention.

도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판(170) 상에 일 방향으로 통상 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 스캔 전극과 서스테인 전극(180a, 180b)과 통상 금속 재료로 이루어지는 버스전극(180a', 180b')이 형성된다.As shown in FIG. 1, the plasma display panel of the present invention is formed of a scan electrode and sustain electrodes 180a and 180b made of indium tin oxide (ITO) in one direction on a front substrate 170 and a conventional metal material. Bus electrodes 180a 'and 180b' are formed.

그리고, 스캔 전극과 서스테인 전극 및 버스전극을 덮으면서 전면 기판(170) 상에 제1 유전체 층(190)과 보호막이 순차적으로 형성되어 이루어진다.The first dielectric layer 190 and the passivation layer are sequentially formed on the front substrate 170 while covering the scan electrode, the sustain electrode, and the bus electrode.

전면 기판(170)은 디스플레이 기판용 글라스의 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성된다.The front substrate 170 is formed through a process such as milling and cleaning the glass for the display substrate.

여기서, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 SnO2를 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법 또는 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법 등으로 형성된 것이다.Here, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may be formed by a photoetching method by sputtering ITO (Indium-Tin-Oxide) or SnO 2 or a lift-off method by CVD. It is formed by such.

그리고, 버스 전극(180a', 180b')은 은(Ag) 등을 포함하여 이루어진다. 또한, 스캔 전극과 서스테인 전극에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.The bus electrodes 180a 'and 180b' include silver (Ag) and the like. In addition, a black matrix may be formed on the scan electrode and the sustain electrode, and may include a low melting glass and a black pigment.

그리고, 스캔 전극과 서스테인 전극 및 버스전극이 형성된 전면 기판(170) 상에는, 제1 유전체 층(190)이 형성된다. 여기서, 제1 유전체 층(190)은 투명한 저융점 유리를 포함하여 이루어지며, 구체적인 조성은 후술한다.The first dielectric layer 190 is formed on the front substrate 170 on which the scan electrode, the sustain electrode, and the bus electrode are formed. Here, the first dielectric layer 190 is made of transparent low melting glass, the specific composition will be described later.

그리고, 제1 유전체 층(190) 상에는 산화 마그네슘 등으로 이루어진 보호막 이 형성되어, 방전 시 (+) 이온의 충격으로부터 유전체를 보호하고, 2차 전자 방출을 증가시키기도 한다. 이하에서 보호막을 상세히 설명한다.In addition, a protective film made of magnesium oxide or the like is formed on the first dielectric layer 190 to protect the dielectric from the impact of (+) ions during discharge and to increase secondary electron emission. Hereinafter, the protective film will be described in detail.

본 실시예에 따른 보호막은, 산화마그네슘(MgO) 박막을 포함하여 이루어지는 제1 보호막(195a)과, 상기 제1 보호막(195a) 상에 형성되고 다이아몬드 파우더가 포함된 제2 보호막(195b)을 포함하여 이루어진다.The protective film according to the present embodiment includes a first protective film 195a including a magnesium oxide (MgO) thin film, and a second protective film 195b formed on the first protective film 195a and containing diamond powder. It is done by

또한, 제1 보호막(195a) 내에 도펀트가 첨가되면 어드레스 기간의 지터 값이 줄어들게 되나, 도펀트의 함유량이 일정 값 이상으로 커지면 지터 값이 증가될 수 있다.In addition, when the dopant is added to the first passivation layer 195a, the jitter value of the address period is reduced, but when the content of the dopant is greater than a predetermined value, the jitter value may be increased.

따라서, 도펀트는 지터 값이 최소화되는 범위로 도핑되는 것이 바람직하며, 최적 함량으로 제 1 보호막(195a) 내에 20~500 ppm의 비율로 포함되는 것이 바람직하다. 그리고, 지터 값을 줄이기 위하여 실리콘 대신 다른 물질을 도펀트로 사용할 수도 있을 것이다.Therefore, the dopant is preferably doped in a range where the jitter value is minimized, and it is preferable that the dopant is included in the ratio of 20 to 500 ppm in the first passivation layer 195a at an optimum content. And other materials may be used as dopants instead of silicon to reduce jitter.

또한, 제1 보호막(195a)은 300~700 나노미터(nm)의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 만일 제1 보호막(195a)의 두께가 300 나노미터 이하이면 오방전의 가능성이 있으며, 700 나노미터 이상이면 제조 공정과 비용상의 문제점이 발생할 수 있다.In addition, the first passivation layer 195a is preferably formed to a thickness of 300 to 700 nanometers (nm). If the thickness of the first passivation layer 195a is 300 nanometers or less, there is a possibility of misdischarge, and if it is 700 nanometers or more, problems in manufacturing process and cost may occur.

그리고, 제1 보호막(195a) 상에 제2 보호막(195b)이 형성되는데, 제2 보호막(195a)은 단결정 형태의 다이아몬드 파우더가 포함된 것을 특징으로 한다. 여기서, '크기'는 결정의 형상이 구형이면 지름을 뜻하고, 육면체이면 한 변의 길이를 의미한다.In addition, a second passivation layer 195b is formed on the first passivation layer 195a, and the second passivation layer 195a is characterized by including diamond powder in a single crystal form. Here, 'size' means the diameter if the crystal shape is spherical, and the length of one side if the cube.

현재, 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 이온화된 방전 가스가 제1 보호막(195a)에 충돌함에 따라 방출되는 2차 전자는 플라즈마 디스플레이 패널의 유지 전압 및 효율에 큰 영향을 미친다.Currently, in the plasma display panel, secondary electrons emitted as the ionized discharge gas collides with the first passivation layer 195a greatly affect the sustain voltage and efficiency of the plasma display panel.

이때, 제1 보호막(195a)의 2차 전자 방출 계수값인 γ는 주로 Auger Neutralization에 의해 설명되어 지며, 이하의 수학식 1의 조건을 만족하는 경우에만 2차 전자가 방출된다.In this case, γ, which is the secondary electron emission coefficient value of the first passivation layer 195a, is mainly explained by Auger Neutralization, and secondary electrons are emitted only when the condition of Equation 1 below is satisfied.

γ = Iion - 2(Eg + χ)γ = I ion -2 (E g + χ)

이때, γ > 0 이고, Iion은 이온화된 방전 가스의 에너지이고, Eg는 밴드갭(bandgap)이고, χ는 전자 친화도이다.In this case, γ> 0, I ion is the energy of the ionized discharge gas, E g is the bandgap (bandgap), χ is the electron affinity.

상기 수학식 1에 따르면, 제1 보호막(195a)의 Eg와 χ 값이 작을 수로 γ는 큰 값을 나타낸다. 그러나, 제1 보호막(195a)의 산화마그네슘(MgO)은 Eg와 χ가 큰 값을 가지고 있다.According to Equation 1, γ represents a large value because E g and χ values of the first passivation layer 195a are small. However, magnesium oxide (MgO) of the first passivation film 195a has a large value of E g and χ.

따라서, 제1 보호막(195a)의 산화마그네슘(MgO)은 γ가 큰 값을 나타내지 못하고 플라즈마 디스플레이 패널의 효율을 높이는데 제한적인 요소로 작용하고 있다.Therefore, the magnesium oxide (MgO) of the first passivation film 195a does not show a large value of γ and acts as a limiting factor in increasing the efficiency of the plasma display panel.

따라서, 본 발명에서는 상기 MgO보다 큰 γ값을 가지는 단결정의 다이아몬드 파우더를 포함한 제2 보호막(195b)을 상기 제1 보호막(195a) 상에 형성한다.Therefore, in the present invention, the second protective film 195b including the single crystal diamond powder having a? Value greater than the MgO is formed on the first protective film 195a.

상기 다이아몬드 파우더는 제1 보호막(195a) MgO와 비교하여 Eg와 χ가 작으며 경우에 따라 χ가 음의 값을 갖기도 한다.The diamond powder has a smaller E g and χ as compared to MgO of the first passivation layer 195a, and in some cases, χ has a negative value.

이때, 제2 보호막(195b) 내의 다이아몬드 파우더는 0.1 내지 10㎛의 크기를 가지고, 상기 제1 보호막(195a) 면적의 0.5 내지 25%로 형성된다.In this case, the diamond powder in the second passivation layer 195b has a size of 0.1 to 10 μm, and is formed to be 0.5 to 25% of the area of the first passivation layer 195a.

이때, 상기 다이아몬드 파우더의 표면을 수소처리하여 음의 χ값을 갖게 하여 γ을 더욱 높힘으로써, 2차 전자 방출 계수를 높혀서 방전 전압을 낮출 수 있고, 효율을 상승시킬 수 있다.At this time, by hydrotreating the surface of the diamond powder to have a negative χ value to further increase γ, it is possible to increase the secondary electron emission coefficient to lower the discharge voltage and increase the efficiency.

즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더가 포함된 제2 보호막(195b)을 구비한 PDP가 상기 다이아몬드 파우더 포함된 제2 보호막(195b)을 구비하지 않은 PDP보다 방전 전압이 낮아서 효율이 상승된 것을 알 수 있다.That is, as shown in FIG. 2, the PDP having the second protective film 195b containing the diamond powder according to the present invention has a discharge voltage higher than that of the PDP having the second protective film 195b containing the diamond powder. It can be seen that the efficiency is increased by being low.

상기와 같은, 다이아몬드 파우더가 포함된 제2 보호막(195b)은 제1 보호막(195a)의 표면 전체가 아니라, 일 부분에만 형성될 수 있다. 즉, 제2 보호막(195b)은 도시된 바와 같이 불 규칙적인 형상으로 형성될 수 있으며, 제1 보호막(195a)의 표면 중 0.5 내지 25%의 면적으로 형성될 수 있다.As described above, the second passivation layer 195b including the diamond powder may be formed only on a part of the surface of the first passivation layer 195a, not the entire surface. That is, the second passivation layer 195b may be formed in an irregular shape as shown, and may be formed with an area of 0.5 to 25% of the surface of the first passivation layer 195a.

즉, 제2 보호막(195b)은 결과적으로 제1 보호막(195a) 상에 울퉁불퉁하게 불규칙적으로 형성되어, 보호막 전체의 표면적을 증가시켜서 이차 전자 방출을 증가시킬 수 있다.That is, the second passivation layer 195b is consequently formed irregularly on the first passivation layer 195a to increase the surface area of the entire passivation layer, thereby increasing secondary electron emission.

따라서, 제1 보호막(195a)상의 일부분에, 다이아몬드 파우더가 일종의 군집 형태로 형성되어 전체적으로 보호막의 표면이 평탄하지 않고 울퉁불퉁한 형상을 이루게 된다.Therefore, diamond powder is formed in a cluster form on a part of the first passivation film 195a so that the entire surface of the passivation film is not flat and has an uneven shape.

따라서, 플라즈마 디스플레이 패널의 가스 방전시에 자외선 이온이 보호막에 충돌하는 표면적이 증가하여 2차 전자의 방출량이 증가하고, 방전개시전압을 낮출 수 있으므로, 결과적으로 방전효율을 높이고 지터(jitter)를 감소시킨다.Therefore, the surface area where ultraviolet ions collide with the protective film during gas discharge of the plasma display panel increases, so that the emission amount of secondary electrons increases and the discharge start voltage can be lowered. As a result, the discharge efficiency is increased and the jitter is reduced. Let's do it.

한편, 배면 기판(110)의 일면에는 상기 서스테인 전극쌍과 교차하는 방향을 따라 어드레스 전극(120)이 형성되고, 상기 어드레스 전극(120)을 덮으면서 배면 기판(110)의 전면에 백색의 제2 유전체 층(130)이 형성된다.On the other hand, an address electrode 120 is formed on one surface of the rear substrate 110 along a direction crossing the sustain electrode pair, and covers a white second on the front surface of the rear substrate 110 while covering the address electrode 120. Dielectric layer 130 is formed.

제2 유전체 층(130)은 인쇄법 또는 필름 라미네이팅(laminating) 방법에 의하여 도포된 후, 소성 공정을 통하여 완성된다.The second dielectric layer 130 is applied by a printing method or a film laminating method, and then completed through a firing process.

그리고, 제2 유전체 층(130) 위로 각 어드레스 전극(120) 사이에 배치되도록 격벽(140)이 형성된다. 이때, 격벽(140)은 스트라이프형(stripe-type), 웰형(well-type), 또는 델타형(delta-type)일 수 있고, 상기 격벽(140)내에는 본 발명에 따른 단결정형의 다이아몬드 파우더가 함유될 수 있다.The barrier rib 140 is formed on the second dielectric layer 130 to be disposed between the address electrodes 120. In this case, the partition wall 140 may be stripe-type, well-type, or delta-type, and the partition wall 140 has a single crystal type diamond powder according to the present invention. May be contained.

그리고, 각각의 격벽(140) 사이에 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체 층(150a, 150b, 150c)이 형성된다. 이때, 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c)내에는 본 발명에 따른 단결정형의 다이아몬드 파우더가 함유될 수 있다.In addition, phosphor layers 150a, 150b, and 150c of red (R), green (G), and blue (B) are formed between each partition wall 140. At this time, the phosphor layer 150a, 150b, 150c may contain a single crystal diamond powder according to the present invention.

한편, 배면 기판(110) 상의 어드레스 전극(120)과 전면 기판(110) 상의 서스테인 전극쌍이 교차하는 지점이 각각 방전 셀을 구성하는 부분이 된다.On the other hand, the point where the address electrode 120 on the back substrate 110 and the pair of sustain electrodes on the front substrate 110 cross each other constitutes a discharge cell.

여기서, 현재 방전 공간에 노출된 면은 상기 전면 기판(170)의 보호막과, 상 기 격벽(140) 및 형광체 층(150a, 150b, 150c)이 있다.Here, the surface exposed to the current discharge space includes a protective film of the front substrate 170, the barrier rib 140, and the phosphor layers 150a, 150b, and 150c.

따라서, 상기 격벽(140)과 형광체 층(150a, 150b, 150c)도 상기 전면 기판(170)의 제2 보호막(195b)에서와 같이, 상술한 단결정의 다이아몬드 파우더가 함유될 수 있다. Therefore, the partition wall 140 and the phosphor layers 150a, 150b, and 150c may also contain the above-described single crystal diamond powder, as in the second passivation layer 195b of the front substrate 170.

그리고, 상기 전면 기판(170)과 배면 기판(110)이 격벽(140)을 사이에 두고 접합되는데, 기판의 외곽에 구비된 실링재를 통하여 접합된다.In addition, the front substrate 170 and the rear substrate 110 are bonded to each other with the partition wall 140 interposed therebetween, and are bonded through a sealing material provided at an outer side of the substrate.

그리고, 전면 기판(170)과 배면 기판(110)은 구동 장치와 연결되어 있다.In addition, the front substrate 170 and the rear substrate 110 are connected to the driving device.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 장치와 연결부를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a driving device and a connecting portion of the plasma display panel according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전체 플라즈마 디스플레이 장치(210)는, 패널(220)과, 상기 패널(220)에 구동 전압을 공급하는 구동 기판(230)과, 상기 패널(220)의 각각의 셀에 대한 전극들과 상기 구동 기판(230)을 연결하는 연성 기판의 일종인 테이프 캐리어 패키지(Tape carrier package, 이하 TCP라 함)(240)로 이루어진다.As shown in FIG. 3, the entire plasma display apparatus 210 according to the present invention includes a panel 220, a driving substrate 230 supplying a driving voltage to the panel 220, and the panel 220. A tape carrier package 240, which is a type of flexible substrate that connects the electrodes for each cell and the driving substrate 230, is formed.

여기서, 패널(220)은 상술한 바와 같이 전면 기판(170)과 배면 기판(110) 및 격벽(140)을 포함하여 이루어진다.As described above, the panel 220 includes the front substrate 170, the rear substrate 110, and the partition wall 140.

그리고, 상기 패널(220)과 상기 TCP(240)의 전기적, 물리적 연결 및 상기 TCP(240)와 구동 기판(230)의 전기적, 물리적 연결은 이방성 전도 필름(Anisotropic conductive film, 이하 ACF라 함)을 사용한다.In addition, an electrical and physical connection between the panel 220 and the TCP 240 and an electrical and physical connection between the TCP 240 and the driving substrate 230 may include an anisotropic conductive film (hereinafter referred to as an ACF). use.

ACF는 금(Au)을 코팅한 니켈(Ni)의 볼(ball)을 이용하여 만든 전도성 수지 필름이다.ACF is a conductive resin film made of nickel (Ni) balls coated with gold (Au).

도 4는 본 발명에 따른 테이프 캐리어 패키지의 기판 배선 구조를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a substrate wiring structure of the tape carrier package according to the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, TCP(240)는 패널(220)과 구동 기판(230) 사이의 결선을 담당하면서, 구동 드라이버 칩이 탑재되어 있다.As shown in FIG. 4, the TCP 240 is in charge of the connection between the panel 220 and the driving substrate 230, and the driving driver chip is mounted thereon.

TCP(240)는 연성 기판(242) 상에 밀집 배치된 배선(243)과, 상기 배선(243)과 연결되면서 상기 구동 기판(230)으로부터 전력을 제공받아 패널(220)의 특정 전극에 제공하는 구동 드라이버 칩(241)로 이루어져 있다.The TCP 240 is connected to the wiring 243 on the flexible substrate 242 and the wiring 243 and receives power from the driving substrate 230 to provide a specific electrode of the panel 220. The driver chip 241 is formed.

여기서, 구동 드라이버 칩(241)은 저전압과 구동 제어 신호들을 인가 받아 높은 전력의 많은 신호들을 교번하면서 출력하는 구조를 가지므로, 상기 구동 기판(230) 측과 연결되는 배선은 수가 작고, 상기 패널(220)측과 연결되는 배선은 수가 많다.Here, since the driving driver chip 241 has a structure in which a plurality of signals of high power are alternately outputted by receiving low voltage and driving control signals, the number of wirings connected to the driving substrate 230 is small and the panel ( The number of wires connected to the 220 side is large.

따라서, 상기 구동 기판(230)측 공간을 통하여 상기 구동 드라이버 칩(241)의 배선을 연결하는 경우도 있다. 상기 배선(243)은 상기 구동 드라이버 칩(341)의 중심을 경계로 구분되지 않을 수도 있다.Therefore, the wiring of the driving driver chip 241 may be connected through the space on the driving substrate 230 side. The wiring 243 may not be divided by a boundary of the center of the driving driver chip 341.

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 또 다른 실시예를 모식적으로 나타낸 도면이다.5 is a view schematically showing another embodiment of a plasma display device according to the present invention.

본 실시예에서, 패널(220)은 구동 장치와 FPC(Flexible printed circuit, 이하 FPC라 함)(250)를 통하여 연결된다.In the present embodiment, the panel 220 is connected to the driving device through a flexible printed circuit (FPC) 250.

여기서, FPC(250)는 polymide를 이용하여 내부에 패턴을 형성한 필름이다. 그리고, 본 실시예에서도 FPC(250)와 패널(220)은 ACF를 통하여 연결된다. 또한, 본 실시예에서 구동 기판(230)은 PCB 회로인 것은 당연하다.Here, the FPC 250 is a film having a pattern formed therein using polymide. In addition, in the present embodiment, the FPC 250 and the panel 220 are connected through the ACF. In addition, in this embodiment, the driving substrate 230 is a natural PCB circuit.

여기서, 구동 장치는 데이타 드라이터와 스캔 드라이버와 서스테인 드라이버 등으로 이루어진다.Here, the driving device includes a data driver, a scan driver, a sustain driver, and the like.

상기 데이타 드라이버는 어드레스 전극에 연결되어 데이터 펄스를 인가한다. 그리고, 스캔 드라이버는 스캔 전극에 연결되어 상승 램프 파형(Ramp-up), 하강 램프 파형(Ramp-down), 스캔 펄스(scan) 및 서스테인 펄스를 공급한다. 또한, 서스테인 드라이버는 공통 서스테인 전극에 서스테인 펄스와 DC 전압을 인가한다.The data driver is connected to an address electrode to apply a data pulse. The scan driver is connected to the scan electrode to supply a rising ramp waveform, a ramping ramp waveform, a scan pulse, and a sustain pulse. The sustain driver also applies a sustain pulse and a DC voltage to the common sustain electrode.

그리고, 플라즈마 디스플레이 패널은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 나뉘어 구동된다.The plasma display panel is driven by being divided into a reset period, an address period, and a sustain period.

리셋 기간에는 스캔 전극들에 상승 램프 파형(Ramp-up)이 동시에 인가된다. 그리고, 어드레스 기간에는 부극성 스캔 펄스(scan)가 스캔 전극들에 순차적으로 인가되며, 동시에 스캔 펄스와 동기되어 어드레스 전극들에 정극성의 데이터펄스가 인가된다. 또한, 서스테인 기간에는 스캔 전극들과 서스테인 전극들에 교번적으로 서스테인 펄스(sus)가 인가된다.In the reset period, a rising ramp waveform Ramp-up is simultaneously applied to the scan electrodes. In the address period, the negative scan pulse scan is sequentially applied to the scan electrodes, and at the same time, the positive data pulse is applied to the address electrodes in synchronization with the scan pulse. In the sustain period, a sustain pulse sus is alternately applied to the scan electrodes and the sustain electrodes.

이하 도면을 참조하여 실시예 별로 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 공정에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<제1 실시예><First Embodiment>

도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 제조 공정을 나타낸 제1 실시예 단면도이다.6A to 6C are cross-sectional views of a first embodiment showing a process of manufacturing a front substrate of a plasma display panel according to the present invention.

본 발명의 제1 실시예는 상술한 제2 보호막(195b) 내의 단결정의 다이아몬드 파우더를 포함하여 형성함으로써, 2차 전자 방출 계수를 증가시켜 방전 전압을 낮추고 효율을 상승시킬 수 있다.According to the first embodiment of the present invention, the single crystal diamond powder in the second passivation film 195b is formed to increase the secondary electron emission coefficient, thereby lowering the discharge voltage and increasing the efficiency.

이하, 도 6a 내지 도 6c를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판(170) 제조 공정을 상세히 설명한다.Hereinafter, a process of manufacturing the front substrate 170 of the plasma display panel according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6A to 6C.

먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이 전면 기판(170) 상에 방전 전극인 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)과 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.First, as illustrated in FIG. 6A, the scan electrode 180a, the sustain electrode 180b, and the bus electrodes 180a 'and 180b', which are discharge electrodes, are formed on the front substrate 170.

여기서, 전면 기판(170)은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다라임 유리를 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning)하여 제조된다.Here, the front substrate 170 is manufactured by milling and cleaning the glass or soda lime glass for the display substrate.

그리고, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may be formed using photoetching by sputtering indium tin oxide (ITO).

또한, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 이온 도금법(Ion Plating) 및 진공 증착법등을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may be formed of indium tin oxide (ITO) using an ion plating method, a vacuum deposition method, or the like.

또한, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 SnO2를 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법으로 형성할 수 있다.In addition, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may form SnO 2 by a lift-off method by CVD.

상기 ITO(Indium Tin Oxide)를 포토에칭법을 이용하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성할 경우 상기 ITO를 전면 기판(170) 상에 증착하고, 상기 증착된 ITO 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 패터닝된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성한다.When the indium tin oxide (ITO) is formed using the photoetching method, the ITO is deposited on the front substrate 170 when the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b are formed, and the photo is deposited on the deposited ITO. The resist is applied and dried. Thereafter, the patterned photomask is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b.

또한, 상기 SnO2를 리프트 오프법을 이용하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성할 경우 전면기판(170) 상에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 도포된 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한다. 이후 상기 현상 공정을 거친 후에 SnO2를 증착한 후 상기 포토레지스트를 박리하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성한다.In addition, in the case of forming the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b by using the lift-off method, the photoresist is coated on the front substrate 170, and then, the SnO 2 is formed on the coated photoresist. The photomask on which the pattern is formed is placed and exposed by irradiation with light. After the exposure process, the uncured portion is developed. Thereafter, after the development process, SnO 2 is deposited, and then the photoresist is removed to form the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b.

또한, 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.In addition, a black matrix may be formed on the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b, and may include a low melting glass and a black pigment.

상기 버스 전극(180a', 180b')은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성할 수 있다.The bus electrodes 180a 'and 180b' may be formed of silver (Ag) using a screen printing method or a photosensitive paste method.

또한, 상기 버스 전극(180a', 180b')은 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the bus electrodes 180a 'and 180b' may be formed using a photoetching method by sputtering Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr.

상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 전면 기판(170) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다.When the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed by using the screen printing method, a conductive material paste such as silver (Ag) is printed on the front substrate 170 through a screen mask, and then dried and baked. Form.

또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성 할 경우 감광성 은(Ag)을 전면기판(170) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.In addition, when the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed using the photosensitive paste method, photosensitive silver (Ag) is printed and coated on the front substrate 170 and dried. Subsequently, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the coated silver and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the bus electrodes 180a 'and 180b'.

또한, 상기 포토에칭법을 이용하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 전면 기판(170) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.In addition, when the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed using the photoetching method, the Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr is deposited on the front substrate 170, and the deposited Cr The photoresist is applied and dried on / Cu / Cr or Cr / Al / Cr. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the bus electrodes 180a 'and 180b'.

상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b) 및 버스 전극(180a', 180b')은 방전(discharger) 전극들로써, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 ITO 물질을 사용하지 않고, 상기 버스 전극(180a', 180b')만으로 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)의 기능을 일체화한 ITO-less 구조의 방전 전극을 형성할 수도 있다.The scan electrode 180a, the sustain electrode 180b, and the bus electrodes 180a 'and 180b' are discharge electrodes, and the plasma display panel according to the present invention does not use ITO material and the bus electrode 180a does not use an ITO material. Only 180b 'may form an ITO-less structure discharge electrode integrating the functions of the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b.

이어서, 도 6b에 도시된 바와 같이 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b) 및 버스 전극(180a', 180b')이 형성된 전면기판(170) 상에 제1 유전체 층(190)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 6B, a first dielectric layer 190 is formed on the front substrate 170 on which the scan electrode 180a, the sustain electrode 180b, and the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed.

상기 제1 유전체 층(190)은 저융점 글라스 페이스트를 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 그린 시트를 라미네이팅하는 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The first dielectric layer 190 may be formed by using a screen printing method, a coater method, and a method of laminating the green sheet.

상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.The coater method may use any one of two methods, a roll or a slot.

이어서, 도 6C에 도시된 바와 같이 제1 유전체 층(190) 상에 본 발명에 따른 보호막을 형성한다.A protective film according to the present invention is then formed on the first dielectric layer 190 as shown in FIG. 6C.

여기서, 본 발명에 따른 보호막은 제1 보호막(195a)과 제2 보호막(195b)로 이루어진다.Here, the protective film according to the present invention includes a first protective film 195a and a second protective film 195b.

제1 보호막(195a)은 제1 유전체 층(190) 상에 형성된다. 그리고, 실리콘(Si) 등의 도펀트를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 보호막(195a)은 화학적 기상 증착(CVD)법, 전자빔(E-beam)법, 이온 도금(Ion-plating)법, 졸겔법 및 스퍼터링법 등으로 형성될 수 있다. The first passivation layer 195a is formed on the first dielectric layer 190. And, a dopant such as silicon (Si) may be included. The first passivation layer 195a may be formed by chemical vapor deposition (CVD), electron beam (E-beam), ion-plating, sol-gel, sputtering, or the like.

이때, 제1 보호막(195a) 내에 실리콘이 도핑되면 어드레스 기간의 지터 값이 줄어들게 되나, 실리콘의 함유량이 일정 값 이상으로 커지면 지터 값이 증가될 수 있다. 따라서, 실리콘은 지터 값이 최소화되는 범위로 도핑되는 것이 바람직하며, 최적 함량으로 보호막 내에 20 내지 500 ppm(parts per million)의 비율로 포함되는 것이 바람직하다. 그리고, 지터 값을 줄이기 위하여 실리콘 대신 다른 물질을 도펀트로 사용할 수도 있을 것이다.At this time, when silicon is doped in the first passivation layer 195a, the jitter value of the address period is reduced. However, when the silicon content is larger than a predetermined value, the jitter value may be increased. Therefore, the silicon is preferably doped in a range where the jitter value is minimized, and it is preferable that the silicon is included in the protective film at an optimum content of 20 to 500 parts per million (ppm). And other materials may be used as dopants instead of silicon to reduce jitter.

그리고, 제1 보호막(195a) 상에는 도시된 바와 같이 제2 보호막(195b)이 형성된다.The second passivation layer 195b is formed on the first passivation layer 195a as shown in the figure.

여기서, 제2 보호막(195b)은 단결정의 다이아몬드 파우더를 포함하여 이루어진다. 이때, 제2 보호막(195b) 내의 다이아몬드 파우더는 0.1 내지 10㎛의 크기를 가지고, 상기 제1 보호막(195a) 면적의 0.5 내지 25%로 형성된다. 여기서, '크기'는 결정이 구의 형상이면 지름을 의미하고, 육면체의 형상이면 한 변의 길이를 의미한다. 상기 단결정은 결정 전체가 일정한 결정축을 따라 규칙적으로 생성된 고체를 의미하며, 배향이 서로 다른 조그만 단결정들의 집합인 다결정과 구분된다.Here, the second passivation film 195b includes single crystal diamond powder. In this case, the diamond powder in the second passivation layer 195b has a size of 0.1 to 10 μm, and is formed to be 0.5 to 25% of the area of the first passivation layer 195a. Here, 'size' means the diameter if the crystal is in the shape of a sphere, and the length of one side if the shape of the cube. The single crystal refers to a solid in which all of the crystals are regularly formed along a constant crystal axis, and are distinguished from polycrystals, which are sets of small single crystals having different orientations.

또한, 제2 보호막(195b)은 제1 보호막(195a)의 표면 전체가 아니라, 일 부분에만 형성될 수 있다. 즉, 제2 보호막(195b)은 도시된 바와 같이 불 규칙적인 형상으로 형성될 수 있으며, 제1 보호막(195a)의 표면 중 0.5 내지 25%의 면적에 형성될 수 있다.In addition, the second passivation layer 195b may be formed on only one portion of the surface of the first passivation layer 195a, not the entire surface. That is, the second passivation layer 195b may be formed in an irregular shape as shown, and may be formed in an area of 0.5 to 25% of the surface of the first passivation layer 195a.

이하, 상기 다이아몬드 파우더를 포함한 제2 보호막(195b)의 형성 과정에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a process of forming the second passivation layer 195b including the diamond powder will be described in detail.

먼저, 도 6c에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더와 분산제를 혼합한다. 그 다음으로, 상기 혼합된 물질을 상기 제1 보호막(195a) 상에 스프레이 방식으로 산포한 후 건조하여 상기 제2 보호막(195b)을 형성한다. 이때, 상기 단결정의 다이아몬드 파우더와 상기 제1 보호막(195a)간의 접착력을 높히기 위해 TiO등의 가교재가 상기 혼합된 물질에 더 혼합될 수도 있다. 또한, 상기 단결정의 다이아몬드 파우더는 1 내지 30 중량%을 가지고, 상기 분산제는 70 내지 99 중량%로 혼합될 수 있다.First, as shown in Figure 6c, the diamond powder and the dispersant according to the present invention are mixed. Next, the mixed material is sprayed onto the first passivation layer 195a and then dried to form the second passivation layer 195b. In this case, a crosslinking material such as TiO may be further mixed with the mixed material in order to increase adhesion between the single crystal diamond powder and the first passivation layer 195a. In addition, the single crystal diamond powder may have 1 to 30% by weight, and the dispersant may be mixed at 70 to 99% by weight.

또한, 상기 분산제는 아크릴(acryl), 에폭시(epoxy), 우레탄(urethane), 아크릴 우레탄(acrylic urethane), 알키드(alkyd), 폴리아미드 폴리머(poly amid polymer), PCA(Poly Carboxylic Acid) 또는 이들의 혼합물을 사용한다.In addition, the dispersant may be acrylic, epoxy, urethane, acrylic urethane, alkyd, poly amid polymer, polycarboxylic acid or PCA. Use a mixture.

<제2 실시예>Second Embodiment

도 7a 내지 7f는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판 제조 방법을 나타낸 일 실시예 공정 순서도이다.7A to 7F are flowcharts showing an embodiment of a method of manufacturing a back substrate of a plasma display panel according to the present invention.

먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 배면 기판(110) 상에 어드레스 전극(120)을 형성한다. 여기서, 배면 기판(110)은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다리임 유리를 밀링(milling) 또는 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성한다.First, as shown in FIG. 7A, the address electrode 120 is formed on the rear substrate 110. Here, the back substrate 110 forms a glass for display substrate or soda-lime glass through a process such as milling or cleaning.

상기 어드레스 전극(120)은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성할 수 있다.The address electrode 120 may be formed of silver (Ag) using a screen printing method or a photosensitive paste method.

또한, 상기 어드레스 전극(120)은 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the address electrode 120 may be formed using a photoetching method by sputtering Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr.

이때, 상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 상기 배면기판(110) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다.In this case, when the address electrode 120 is formed using the screen printing method, a conductive material paste such as silver (Ag) is printed on the rear substrate 110 through a screen mask, and then dried and baked. do.

또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 감광성 은(Ag)을 배면기판(110) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성한다.In addition, when the address electrode 120 is formed using the photosensitive paste method, photosensitive silver (Ag) is printed and coated on the back substrate 110 and dried. Subsequently, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the coated silver and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the address electrode 120.

또한, 상기 포토에칭법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 상기 배면 기판(110) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성한다.In addition, when the address electrode 120 is formed using the photoetching method, the Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr is deposited on the rear substrate 110, and the deposited Cr / Cu / The photoresist is applied and dried on Cr or Cr / Al / Cr. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the address electrode 120.

도 7b를 참조하면, 제2 유전체 층(130)은 저융점 유리와 TiO2 등의 충진재(Filler)를 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 라미네이트에 의한 그린 시트법 중 어느 하나를 이용하여 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7B, the second dielectric layer 130 is formed by using any one of a screen printing method, a coater method, and a green sheet method by laminating a low melting glass and a filler such as TiO 2 . can do.

상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.The coater method may use any one of two methods, a roll or a slot.

이어서, 도 7c 내지 7e에 도시된 바와 각각의 방전 셀을 구분하기 위한 격벽을 형성한다.Subsequently, partition walls are formed to distinguish each discharge cell from those shown in Figs. 7C to 7E.

이때, 본 발명의 제2 실시예에 따른 격벽 재료(140a)는 50 내지 80 중량%의 모상 유리와, 15 내지 30 중량%의 필러, 및 0.1 내지 20 중량%의 단결정의 다이아몬드 파우더를 포함하여 이루어진다.In this case, the partition material 140a according to the second embodiment of the present invention includes 50 to 80 wt% of the mother glass, 15 to 30 wt% of the filler, and 0.1 to 20 wt% of the single crystal diamond powder. .

이때, 모상 유리는 PbO와 SiO2와 B2O3 및 Al2O3를 포함하여 이루어지고, 충진재는 TiO2 및 Al2O3를 포함하여 이루어질 수 있다.In this case, the mother glass may include PbO, SiO 2 , B 2 O 3, and Al 2 O 3 , and the filler may include TiO 2 and Al 2 O 3 .

상기와 같은, 격벽 재료(140a)에 비히클(바인더 및/또는 솔벤트 포함)를 혼합하여 본 발명에 따른 격벽 제조용 페이스트(140a)를 만든 후, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 격벽 제조용 페이스트(140a)를 상기 제2 유전체 층(130) 상에 도포 한 후, 일정 시간 동안 건조시킨다.After the vehicle (including a binder and / or solvent) is mixed with the partition material 140a as described above to make the partition wall production paste 140a according to the present invention, as shown in FIG. 8C, the partition wall production paste 140a ) Is applied on the second dielectric layer 130, and then dried for a predetermined time.

이후, 상기 도포 및 건조 과정을 반복적으로 수행하여 일정한 두께(예를 들면, 150-200㎛)로 만들고, 상기 격벽 재료(140a)를 패터닝하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 격벽(140)을 형성한다.Thereafter, the coating and drying processes are repeatedly performed to form a constant thickness (for example, 150-200 μm), and the partition material 140a is patterned to form the partition wall 140 according to the second embodiment of the present invention. To form.

이때, 상기 패터닝 공정은 도 9d 및 도 9e에 도시된 바와 같이, 마스크(155)를 씌우고 노광한 후, 현상하여 수행된다.In this case, as shown in FIGS. 9D and 9E, the patterning process is performed by covering and exposing a mask 155 and then developing.

즉, 어드레스 전극과 대응되는 부분에 마스크(155)를 위치시키고 노광하면, 현상 및 소성 공정 후에는 빛을 조사받은 부분만이 남아서 상기 격벽(140)을 형성한다. That is, when the mask 155 is positioned and exposed to a portion corresponding to the address electrode, only the portion irradiated with light remains after the development and baking process to form the partition wall 140.

<제3 실시예>Third Embodiment

도 7f에 도시된 바와 같이, 상기 제2 유전체(130)의 영역 중 방전 공간에 접하는 영역과, 상기 격벽(140)의 측면에 형광체(150a, 150b, 150c)를 도포하여 형광체 층(150)을 형성한다.As shown in FIG. 7F, phosphors 150a, 150b, and 150c are coated on the side of the partition wall 140 and a region of the second dielectric 130 that is in contact with the discharge space. Form.

즉, 상기 형광체 층(250)은 각각의 방전 셀에 따라 R,G,B의 형광체가 차례로 도포되는데, 스크린 인쇄법이나 감광성 페이스트법으로 도포된다.That is, the phosphor layer 250 is coated with phosphors of R, G, and B in order according to each discharge cell, and is applied by screen printing or photosensitive paste.

이때, 본 발명에 따른 형광체(150a, 150b, 150c)는 80 내지 99.9 중량%의 각각의 적색, 녹색 및 청색 형광 물질과, Sc가 도핑된 0.1 내지 20 중량%의 단결정의 다이아몬드 파우더를 포함하여 이루어진다.In this case, the phosphors 150a, 150b, and 150c according to the present invention include 80 to 99.9 wt% of each of red, green and blue phosphors, and 0.1 to 20 wt% of single crystal diamond powder doped with Sc. .

또한, 상기 적색(R) 형광 물질로 (Y, Gd)BO3:Eu3+ 을 사용하고, 녹색(G) 형 광 물질로는 Zn2SiO4:Mn2+ 을 사용하고, 청색(B) 형광 물질로는 BaMgAl10O17:Eu2+ 를 많이 사용한다.In addition, the red (R), a fluorescent material (Y, Gd) BO 3: Use the Eu3 + and a green (G) optical material is Zn 2 SiO 4: using Mn2 +, and blue (B) fluorescent materials BaMgAl 10 O 17 : Eu 2 + is often used as the furnace.

그 다음으로, 도 6의 과정에 의해 완성한 전면 기판(170)을 상기 격벽(140)을 사이에 두고 상기 배면 기판(110)과 접합 및 실링하고, 내부의 불순물 등을 배기한 후, 상기 격벽(140)내의 방전 셀에 Xe+Ne 또는 Xe+He 또는 Xe+Ne+He의 방전 가스(160)를 주입한 후 봉입하면, 도 1과 같은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널이 완성된다.Subsequently, the front substrate 170 completed by the process of FIG. 6 is bonded and sealed with the rear substrate 110 with the partition wall 140 interposed therebetween, and after the internal impurities and the like are exhausted, the partition wall ( When the discharge gas 160 of Xe + Ne or Xe + He or Xe + Ne + He is injected into and then sealed in the discharge cell in 140, the plasma display panel of FIG. 1 is completed.

한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예로써, 상술한 제2 보호막(195b)은 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나와 단결정의 MgO 파우더가 포함되어 형성될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 8, as another embodiment of the present invention, the second passivation layer 195b may be formed including any one of diamond powder and carbon powder and single crystal MgO powder.

또한, 본 발명의 다른 실시예로써, 상술한 격벽(140) 및 형광체 층(150)은 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나가 포함되어 형성될 수 있다.In addition, as another embodiment of the present invention, the barrier rib 140 and the phosphor layer 150 may be formed including any one of diamond powder and carbon powder.

도 8은 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나와 단결정의 MgO 파우더가 포함된 제2 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 셀 구조를 나타낸 다른 실시예 도면이다.FIG. 8 is a view showing another embodiment of the discharge cell structure of the plasma display panel including the second protective film including any one of diamond powder and carbon powder and a single crystal MgO powder according to the present invention.

도 8에 도시되어 있는 바와 같이, 본 실시예에 따른 보호막은, 산화마그네슘(MgO) 박막을 포함하여 이루어지는 제1 보호막(195a)과, 상기 제1 보호막(195a) 상에 형성되고, 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더(195d) 중 어느 하나와 단결정의 MgO 파우더(195c)가 포함된 제2 보호막(195b)을 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 8, the protective film according to the present embodiment is formed on the first protective film 195a and the first protective film 195a including a magnesium oxide (MgO) thin film, and diamond powder and And a second protective film 195b including any one of the carbon powders 195d and the single crystal MgO powder 195c.

즉, 본 발명에서는 상기 MgO보다 큰 γ값을 가지는 단결정의 다이아몬드 파우더 또는 단결정의 탄소 파우더(195d)와 단결정의 MgO 파우더(195c)를 포함한 제2 보호막(195b)을 상기 제1 보호막(195a) 상에 형성한다.That is, in the present invention, the second protective film 195b including the single crystal diamond powder or the single crystal carbon powder 195d and the single crystal MgO powder 195c having a? Value greater than the MgO is formed on the first protective film 195a. To form.

이때, 도 9는 본 발명에 따라 단결정의 다이아몬드 파우더(195d)와 MgO 파우더(195c)가 포함된 제2 보호막을 나타낸 도면이다.9 is a view showing a second protective film including a single crystal diamond powder (195d) and MgO powder (195c) in accordance with the present invention.

상기 다이아몬드 파우더와 탄소 파우더(195d)는 제1 보호막(195a)의 MgO와 비교하여 Eg와 χ가 작으며 경우에 따라 χ가 음의 값을 갖기도 한다.The diamond powder and the carbon powder 195d have a smaller E g and χ compared to MgO of the first passivation layer 195a, and sometimes have a negative value of χ.

이때, 제2 보호막(195b) 내의 다이아몬드 파우더(195d)와, 탄소 파우더(195d) 및 MgO 파우더(195c)는 0.1 내지 10㎛의 크기를 가지고, 상기 제1 보호막(195a) 면적의 0.5 내지 25%로 형성된다.At this time, the diamond powder 195d, the carbon powder 195d and the MgO powder 195c in the second passivation layer 195b have a size of 0.1 to 10 μm, and 0.5 to 25% of the area of the first passivation layer 195a. Is formed.

이때, 상기 다이아몬드 파우더(195d)의 표면을 수소처리하여 음의 χ값을 갖게 하여 γ을 더욱 높힘으로써, 2차 전자 방출 계수를 높혀서 방전 전압을 낮출 수 있고, 효율을 상승시킬 수 있다.At this time, the surface of the diamond powder (195d) is hydrogenated to have a negative χ value to further increase γ, thereby increasing the secondary electron emission coefficient to lower the discharge voltage and increase the efficiency.

즉, 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더(195d) 및 MgO 파우더(195c)가 포함된 제2 보호막을 구비한 PDP가 상기 다이아몬드 파우더(195d) 및 MgO 파우더(195c) 포함된 제2 보호막(195b)을 구비하지 않은 PDP보다 방전 전압이 낮아서 효율이 상승된 것을 알 수 있다.That is, as shown in FIG. 10, the PDP having the second protective film including the diamond powder 195d and the MgO powder 195c according to the present invention includes the diamond powder 195d and the MgO powder 195c. It can be seen that the efficiency is increased because the discharge voltage is lower than that of the PDP without the second passivation layer 195b.

또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더(195d) 및 MgO 파우더(195c)가 포함된 제2 보호막(195b)을 구비한 PDP가 상기 다이아몬드 파우더(195d) 및 MgO 파우더(195c) 포함된 제2 보호막(195b)을 구비하지 않은 PDP보다 방전 지연 시간이 낮은 것을 알 수 있다.In addition, as shown in FIG. 11, the PDP having the second protective film 195b including the diamond powder 195d and the MgO powder 195c according to the present invention is the diamond powder 195d and the MgO powder 195c. It can be seen that the discharge delay time is lower than that of the PDP having no second protective film 195b included therein.

상기와 같은, 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더(195d) 중 어느 하나와 MgO 파우더(195c)가 포함된 제2 보호막(195b)은 제1 보호막(195a)의 표면 전체가 아니라, 일 부분에만 형성될 수 있다. 즉, 제2 보호막(195b)은 도시된 바와 같이 불 규칙적인 형상으로 형성될 수 있으며, 제1 보호막(195a)의 표면 중 0.5 내지 25%의 면적으로 형성될 수 있다.As described above, the second passivation layer 195b including any one of the diamond powder and the carbon powder 195d and the MgO powder 195c may be formed only on a part of the surface of the first passivation layer 195a. . That is, the second passivation layer 195b may be formed in an irregular shape as shown, and may be formed with an area of 0.5 to 25% of the surface of the first passivation layer 195a.

즉, 제2 보호막(195b)은 결과적으로 제1 보호막(195a) 상에 울퉁불퉁하게 불규칙적으로 형성되어, 보호막 전체의 표면적을 증가시켜서 이차 전자 방출을 증가시킬 수 있다.That is, the second passivation layer 195b is consequently formed irregularly on the first passivation layer 195a to increase the surface area of the entire passivation layer, thereby increasing secondary electron emission.

따라서, 제1 보호막(195a)상의 일부분에, 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더(195d) 중 어느 하나와 MgO 파우더(195c)가 일종의 군집 형태로 형성되어 전체적으로 보호막의 표면이 평탄하지 않고 울퉁불퉁한 형상을 이루게 된다.Accordingly, either one of the diamond powder and the carbon powder 195d and the MgO powder 195c are formed in a cluster form on a portion of the first passivation film 195a so that the entire surface of the passivation film is not flat and has an uneven shape. .

따라서, 플라즈마 디스플레이 패널의 가스 방전시에 자외선 이온이 보호막에 충돌하는 표면적이 증가하여 2차 전자의 방출량이 증가하고, 방전개시전압을 낮출 수 있으므로, 결과적으로 방전효율을 높이고 지터(jitter)를 감소시킨다.Therefore, the surface area where ultraviolet ions collide with the protective film during gas discharge of the plasma display panel increases, so that the emission amount of secondary electrons increases and the discharge start voltage can be lowered. As a result, the discharge efficiency is increased and the jitter is reduced. Let's do it.

이하 도면을 참조하여 실시예 별로 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 공정에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<제4 실시예><Fourth Embodiment>

도 12a 내지 12c는 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어 느 하나와 단결정의 MgO 파우더가 포함된 제2 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 제조 방법을 나타낸 다른 실시예 공정 순서도이다.12A to 12C are flowcharts of another embodiment of a method of manufacturing a front substrate of a plasma display panel including a second protective film including one of diamond powder and carbon powder and a single crystal MgO powder according to the present invention.

본 발명의 제4 실시예는 상술한 제2 보호막(195b) 내의 단결정의 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더(195d) 중 어느 하나와 단결정의 MgO 파우더(195c)를 포함하여 형성함으로써, 2차 전자 방출 계수를 증가시켜 방전 전압을 낮추고, 방전 지연 특성을 개선시켜 효율을 상승시킬 수 있다.The fourth embodiment of the present invention forms a secondary electron emission coefficient by forming any one of the single crystal diamond powder and carbon powder 195d in the second protective film 195b and the single crystal MgO powder 195c. It is possible to increase the efficiency by lowering the discharge voltage and improving discharge delay characteristics.

이하, 도 12a 내지 도 12c를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판(170) 제조 공정을 상세히 설명한다.Hereinafter, a process of manufacturing the front substrate 170 of the plasma display panel according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 12A to 12C.

먼저, 도 12a에 도시된 바와 같이 전면 기판(170) 상에 방전 전극인 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)과 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.First, as illustrated in FIG. 12A, scan electrodes 180a, sustain electrodes 180b, and bus electrodes 180a 'and 180b', which are discharge electrodes, are formed on the front substrate 170.

이어서, 도 12b에 도시된 바와 같이 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b) 및 버스 전극(180a', 180b')이 형성된 전면기판(170) 상에 제1 유전체 층(190)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 12B, a first dielectric layer 190 is formed on the front substrate 170 on which the scan electrode 180a, the sustain electrode 180b, and the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed.

이어서, 도 12c에 도시된 바와 같이 제1 유전체 층(190) 상에 본 발명의 제4 실시예에 따른 보호막을 형성한다.Next, as shown in FIG. 12C, a protective film according to the fourth embodiment of the present invention is formed on the first dielectric layer 190.

여기서, 본 발명에 따른 보호막은 제1 보호막(195a)과 제2 보호막(195b)로 이루어진다.Here, the protective film according to the present invention includes a first protective film 195a and a second protective film 195b.

제1 보호막(195a)은 제1 유전체 층(190) 상에 형성된다. 그리고, 실리콘(Si) 등의 도펀트를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 보호막(195a)은 화학적 기상 증착(CVD)법, 전자빔(E-beam)법, 이온 도금(Ion-plating)법, 졸겔법 및 스퍼터링법 등으로 형성될 수 있다. The first passivation layer 195a is formed on the first dielectric layer 190. And, a dopant such as silicon (Si) may be included. The first passivation layer 195a may be formed by chemical vapor deposition (CVD), electron beam (E-beam), ion-plating, sol-gel, sputtering, or the like.

이때, 제1 보호막(195a) 내에 실리콘이 도핑되면 어드레스 기간의 지터 값이 줄어들게 되나, 실리콘의 함유량이 일정 값 이상으로 커지면 지터 값이 증가될 수 있다. 따라서, 실리콘은 지터 값이 최소화되는 범위로 도핑되는 것이 바람직하며, 최적 함량으로 보호막 내에 20 내지 500 ppm(parts per million)의 비율로 포함되는 것이 바람직하다. 그리고, 지터 값을 줄이기 위하여 실리콘 대신 다른 물질을 도펀트로 사용할 수도 있을 것이다.At this time, when silicon is doped in the first passivation layer 195a, the jitter value of the address period is reduced. However, when the silicon content is larger than a predetermined value, the jitter value may be increased. Therefore, the silicon is preferably doped in a range where the jitter value is minimized, and it is preferable that the silicon is included in the protective film at an optimum content of 20 to 500 parts per million (ppm). And other materials may be used as dopants instead of silicon to reduce jitter.

그리고, 제1 보호막(195a) 상에는 도시된 바와 같이 제2 보호막(195b)이 형성된다.The second passivation layer 195b is formed on the first passivation layer 195a as shown in the figure.

여기서, 제2 보호막(195b)은 본 발명에 따라, 단결정의 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더(195d) 중 어느 하나와 단결정의 MgO 파우더(195c)를 포함하여 이루어진다. 이때, 제2 보호막(195b) 내의 다이아몬드 파우더와, 탄소 파우더 및 MgO 파우더(195c)는 0.1 내지 10㎛의 크기를 가지고, 상기 제1 보호막(195a) 면적의 0.5 내지 25%로 형성된다.Here, according to the present invention, the second protective film 195b includes any one of the single crystal diamond powder and the carbon powder 195d and the single crystal MgO powder 195c. In this case, the diamond powder, the carbon powder and the MgO powder 195c in the second protective film 195b have a size of 0.1 to 10 μm, and are formed to be 0.5 to 25% of the area of the first protective film 195a.

또한, 제2 보호막(195b)은 제1 보호막(195a)의 표면 전체가 아니라, 일 부분에만 형성될 수 있다. 즉, 제2 보호막(195b)은 도시된 바와 같이 불 규칙적인 형상으로 형성될 수 있으며, 제1 보호막(195a)의 표면 중 0.5 내지 25%의 면적에 형성될 수 있다.In addition, the second passivation layer 195b may be formed on only one portion of the surface of the first passivation layer 195a, not the entire surface. That is, the second passivation layer 195b may be formed in an irregular shape as shown, and may be formed in an area of 0.5 to 25% of the surface of the first passivation layer 195a.

이하, 상기 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더(195d) 중 어느 하나와 단결정의 MgO 파우더(195c)를 포함한 제2 보호막(195b)의 형성 과정에 대해 상세히 설명 한다.Hereinafter, a process of forming the second passivation layer 195b including any one of the diamond powder and the carbon powder 195d and the single crystal MgO powder 195c will be described in detail.

먼저, 도 12c에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더(195d) 중 어느 하나와, 단결정의 MgO 파우더(195c) 및 분산제를 혼합한다.First, as shown in FIG. 12C, any one of the diamond powder and the carbon powder 195d according to the present invention is mixed with the single crystal MgO powder 195c and the dispersant.

그 다음으로, 상기 혼합된 물질을 상기 제1 보호막(195a) 상에 스프레이 방식으로 산포한 후 건조하여 상기 제2 보호막(195b)을 형성한다. 이때, 상기 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더(195d) 중 어느 하나와 MgO 파우더(195c)가 상기 제1 보호막(195a)에의 접착력을 높히기 위해 TiO등의 가교재가 상기 혼합된 물질에 더 혼합될 수도 있다.Next, the mixed material is sprayed onto the first passivation layer 195a and then dried to form the second passivation layer 195b. In this case, one of the diamond powder and the carbon powder 195d and the MgO powder 195c may further be mixed with a crosslinking material such as TiO to the mixed material to increase the adhesion to the first protective film 195a.

이때, 상기 분산제는 아크릴(acryl), 에폭시(epoxy), 우레탄(urethane), 아크릴 우레탄(acrylic urethane), 알키드(alkyd), 폴리아미드 폴리머(poly amid polymer), PCA(Poly Carboxylic Acid) 또는 이들의 혼합물을 사용한다.In this case, the dispersant may be acrylic, epoxy, urethane, acrylic urethane, alkyd, poly amid polymer, polycarboxylic acid or PCA. Use a mixture.

<제5 실시예><Fifth Embodiment>

도 13a 내지 13f는 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나가 포함된 격벽 및 형광체 층을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판 제조 방법을 나타낸 다른 실시예 공정 순서도이다.13A to 13F are flowcharts of another embodiment of a method of manufacturing a back substrate of a plasma display panel having a partition and a phosphor layer including any one of diamond powder and carbon powder according to the present invention.

먼저, 도 13a 및 도 13b에 도시된 바와 같이, 배면 기판(110) 상에 어드레스 전극(120) 및 백색의 제2 유전체 층(130)을 순차적으로 형성한다.First, as shown in FIGS. 13A and 13B, the address electrode 120 and the white second dielectric layer 130 are sequentially formed on the rear substrate 110.

이어서, 도 13c 내지 13e에 도시된 바와 각각의 방전 셀을 구분하기 위한 격벽을 형성한다.Subsequently, partition walls are formed to distinguish each discharge cell from those shown in Figs. 13C to 13E.

이때, 본 발명의 제5 실시예에 따른 격벽 재료(140a)는 50 내지 80 중량%의 모상 유리와, 15 내지 30 중량%의 필러, 및 0.1 내지 20 중량%의 단결정의 다이아몬드 파우더(195d) 또는 단결정의 탄소 파우더(195d)를 포함하여 이루어진다.In this case, the partition material 140a according to the fifth embodiment of the present invention may be formed of 50 to 80% by weight of mother glass, 15 to 30% by weight of filler, and 0.1 to 20% by weight of single crystal diamond powder 195d or It consists of single crystal carbon powder 195d.

이때, 모상 유리는 PbO와 SiO2와 B2O3 및 Al2O3를 포함하여 이루어지고, 충진재는 TiO2 및 Al2O3를 포함하여 이루어질 수 있다.In this case, the mother glass may include PbO, SiO 2 , B 2 O 3, and Al 2 O 3 , and the filler may include TiO 2 and Al 2 O 3 .

상기와 같은, 격벽 재료(140a)에 비히클(바인더 및/또는 솔벤트 포함)를 혼합하여 본 발명에 따른 격벽 제조용 페이스트(140a)를 만든 후, 도 13c에 도시된 바와 같이, 상기 격벽 제조용 페이스트(140a)를 상기 제2 유전체 층(130) 상에 도포한 후, 일정 시간 동안 건조시킨다.After the vehicle (including a binder and / or solvent) is mixed with the partition material 140a as described above to form the partition wall production paste 140a according to the present invention, as shown in FIG. 13C, the partition wall production paste 140a ) Is applied on the second dielectric layer 130, and then dried for a predetermined time.

이후, 상기 도포 및 건조 과정을 반복적으로 수행하여 일정한 두께(예를 들면, 150-200㎛)로 만들고, 상기 격벽 재료(140a)를 패터닝하여, 본 발명의 제5 실시예에 따른 격벽(140)을 형성한다.Thereafter, the coating and drying processes are repeatedly performed to form a constant thickness (for example, 150-200 μm), and the partition material 140a is patterned to form the partition wall 140 according to the fifth embodiment of the present invention. To form.

이때, 상기 패터닝 공정은 도 13d 및 도 13e에 도시된 바와 같이, 마스크(155)를 씌우고 노광한 후, 현상하여 수행된다.In this case, as shown in FIGS. 13D and 13E, the patterning process is performed by covering and exposing a mask 155 and then developing.

즉, 어드레스 전극과 대응되는 부분에 마스크(155)를 위치시키고 노광하면, 현상 및 소성 공정 후에는 빛을 조사받은 부분만이 남아서 상기 격벽(140)을 형성한다. That is, when the mask 155 is positioned and exposed to a portion corresponding to the address electrode, only the portion irradiated with light remains after the development and baking process to form the partition wall 140.

<제6 실시예>Sixth Example

도 13f에 도시된 바와 같이, 상기 제2 유전체(130)의 영역 중 방전 공간에 접하는 영역과, 상기 격벽(140)의 측면에 형광체(150a, 150b, 150c)를 도포하여 형광체 층(150)을 형성한다.As shown in FIG. 13F, phosphors 150a, 150b, and 150c are coated on the side of the partition wall 140 and the region of the second dielectric 130 in contact with the discharge space. Form.

즉, 상기 형광체 층(250)은 각각의 방전 셀에 따라 R,G,B의 형광체가 차례로 도포되는데, 스크린 인쇄법이나 감광성 페이스트법으로 도포된다.That is, the phosphor layer 250 is coated with phosphors of R, G, and B in order according to each discharge cell, and is applied by screen printing or photosensitive paste.

이때, 본 발명에 따른 형광체(150a, 150b, 150c)는 80 내지 99.9 중량%의 각각의 적색, 녹색 및 청색 형광 물질과, 0.1 내지 20 중량%의 단결정의 다이아몬드 파우더(195d) 또는 단결정의 탄소 파우더(195d)를 포함하여 이루어진다.At this time, the phosphors 150a, 150b, and 150c according to the present invention are 80 to 99.9% by weight of each of red, green and blue phosphors, and 0.1 to 20% by weight of single crystal diamond powder (195d) or single crystal carbon powder. 195d.

또한, 상기 적색(R) 형광 물질로 (Y, Gd)BO3:Eu3+ 을 사용하고, 녹색(G) 형광 물질로는 Zn2SiO4:Mn2+ 을 사용하고, 청색(B) 형광 물질로는 BaMgAl10O17:Eu2+ 를 많이 사용한다.Further, as the red (R) fluorescent material (Y, Gd) BO 3: Use the Eu3 + and a green (G) fluorescent material, Zn 2 SiO 4: to use Mn2 +, and blue (B) fluorescent materials is BaMgAl 10 O 17: use a lot of Eu2 +.

그 다음으로, 도 12의 과정에 의해 완성한 전면 기판(170)을 상기 격벽(140)을 사이에 두고 상기 배면 기판(110)과 접합 및 실링하고, 내부의 불순물 등을 배기한 후, 상기 격벽(140)내의 방전 셀에 Xe+Ne 또는 Xe+He 또는 Xe+Ne+He의 방전 가스(160)를 주입한 후 봉입하면, 도 8과 같은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널이 완성된다.Next, the front substrate 170 completed by the process of FIG. 12 is bonded and sealed with the rear substrate 110 with the partition wall 140 interposed therebetween, after exhausting internal impurities and the like, the partition wall ( Injecting and then discharging the discharge gas 160 of Xe + Ne or Xe + He or Xe + Ne + He into the discharge cell in 140, the plasma display panel of the present invention as shown in FIG. 8 is completed.

이하에서, 상술한 도 1 및 도 8에서 완성된 전면 기판(170)과 배면 기판(110)의 실링 공정을 상세히 설명한다.Hereinafter, the sealing process of the front substrate 170 and the back substrate 110 completed in FIGS. 1 and 8 will be described in detail.

상기 실링 공정은 통상적으로 스크린 인쇄법, 디스펜싱법 등으로 수행된다.The sealing process is usually performed by screen printing, dispensing, or the like.

상기 스크린 인쇄법은 패터닝된 스크린을 소정 간격 유지하여 기판 위에 놓 고, 실링재 형성에 필요한 페이스트를 압착, 전사시켜서 원하는 형상의 실링재를 인쇄하는 방법이다. 스크린 인쇄법은 생산 설비가 간단하고, 재료의 이용 효율이 높은 장점이 있다.The screen printing method is a method of printing a sealing material having a desired shape by holding a patterned screen at a predetermined interval, placing the patterned screen on a substrate, and pressing and transferring a paste necessary for forming the sealing material. The screen printing method has advantages of simple production equipment and high use efficiency of materials.

그리고, 상기 디스펜싱법은 스크린 마스크 제작에 사용되는 CAD 배선 데이터를 이용하여, 후막 페이스트를 공기 압력을 이용하여 기판 상에 직접 토출하여 실링재를 형성하는 방법이다. 디스펜싱법은 마스크의 제작비용이 절감되고, 후막의 형상에 큰 자유도를 가질 수 있는 장점이 있다.The dispensing method is a method of forming a sealing material by directly discharging a thick film paste onto a substrate using air pressure using CAD wiring data used for screen mask fabrication. The dispensing method has the advantage of reducing the manufacturing cost of the mask and having a large degree of freedom in the shape of the thick film.

도 14a는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판과 배면 기판을 합착하는 공정을 나타낸 도면이다.FIG. 14A illustrates a process of bonding the front substrate and the rear substrate of the plasma display panel.

도 14b는 도 14a의 A-A'의 단면도이다.FIG. 14B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 14A.

도시된 바와 같이, 전면 기판(170) 또는 배면 기판(110) 상에 실링재(600)가 도포된다. 구체적으로, 기판의 최외곽에서 소정 간격을 두고 동시에 인쇄되거나 디스펜싱되어 도포된다.As shown, the sealing material 600 is applied to the front substrate 170 or the rear substrate 110. Specifically, the substrate is printed or dispensed at the same time with a predetermined interval at the outermost side of the substrate and applied.

이어서, 상기 실링재(600)를 소성한다. 상기 소성 과정에서, 실링재(600)에 포함된 유기물이 제거되고, 전면 기판(170)과 배면 기판(110)이 합착된다.Next, the sealing material 600 is fired. In the firing process, the organic material included in the sealing material 600 is removed, and the front substrate 170 and the rear substrate 110 are bonded.

그리고, 이러한 소성 공정에서 실링재(600)의 폭이 넓어지고 높이가 낮아질 수 있다.In this firing process, the width of the sealing material 600 may be widened and the height may be low.

본 실시예에서는 실링재(600)가 인쇄 또는 도포되었으나, 실링 테이프의 형태로 형성되어 전면 기판(170) 또는 배면 기판(110)에 접착하여 사용할 수도 있다. 그리고, 에이징 공정을 통하여 소정 온도에서 보호막 등의 특성을 향상시킨다.In the present embodiment, the sealing material 600 is printed or coated, but may be formed in the form of a sealing tape and adhered to the front substrate 170 or the rear substrate 110. And the characteristic of a protective film etc. is improved at predetermined temperature through an aging process.

그리고, 전면 기판(170) 상에 전면 필터를 형성할 수 있다.In addition, a front filter may be formed on the front substrate 170.

상기 전면 필터에는 패널에서 외부로 방사되는 전자파(Elctromagnetic Interference;EMI)를 차폐하기 위한 전자파 차폐막이 구비된다. 이러한 전자파 차폐막은 전자파를 차폐하면서도 디스플레이 장치에서 요구되는 가시광 투과율을 확보하기 위하여, 도전성 물질이 특정 형태로 패터닝되기도 한다. The front filter is provided with an electromagnetic shielding film for shielding electromagnetic radiation emitted from the panel to the outside. The electromagnetic shielding film may be patterned in a specific form in order to shield electromagnetic waves while ensuring the visible light transmittance required by the display device.

그리고, 상기 전면 필터에는 근적외선 차폐막, 색보정막 및 반사방지막 등이 형성될 수도 있다.In addition, a near infrared shielding film, a color correction film, an antireflection film, and the like may be formed on the front filter.

이상, 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다. 예를 들면, 본 기술분야의 당업자에게는 전술한 실시예들을 서로 조합하여 사용하는 것도 매우 용이할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit and essential features of the present invention. For example, it will be very easy for those skilled in the art to use the above-described embodiments in combination with each other.

따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다.Accordingly, the above detailed description should not be construed as limiting in all aspects and should be considered as illustrative.

본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.The scope of the invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the invention are included in the scope of the invention.

도 1은 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더가 포함된 제2 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 셀 구조를 나타낸 일 실시예 도면이다.1 is a diagram illustrating a discharge cell structure of a plasma display panel including a second protective film including diamond powder according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더가 적용된 PDP와 상기 다이아몬드 파우더가 도핑되지 않은 PDP의 효율을 비교한 도면이다.2 is a view comparing the efficiency of the PDP to which the diamond powder is applied and the PDP not doped with the diamond powder according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 장치와 연결부를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a driving device and a connecting portion of the plasma display panel according to the present invention.

도 4는 일반적인 테이프 캐리어 패키지의 기판 배선 구조를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a substrate wiring structure of a typical tape carrier package.

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 또 다른 실시예를 모식적으로 나타낸 도면이다.5 is a view schematically showing another embodiment of a plasma display device according to the present invention.

도 6a 내지 6c는 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더가 포함된 제2 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 제조 방법을 나타낸 일 실시예 공정 순서도이다.6A to 6C are flowcharts illustrating an embodiment of a method of manufacturing a front substrate of a plasma display panel including a second protective film including diamond powder according to the present invention.

도 7a 내지 7f는 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더가 포함된 격벽 및 형광체 층을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판 제조 방법을 나타낸 일 실시예 공정 순서도이다.7A to 7F are flowcharts illustrating an embodiment of a method of manufacturing a back substrate of a plasma display panel including a partition wall and a phosphor layer including diamond powder according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나와 단결정의 MgO 파우더가 포함된 제2 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 셀 구조를 나타낸 다른 실시예 도면이다.FIG. 8 is a view showing another embodiment of the discharge cell structure of the plasma display panel including the second protective film including any one of diamond powder and carbon powder and a single crystal MgO powder according to the present invention.

도 9는 본 발명에 따라 단결정의 다이아몬드 파우더와 MgO 파우더가 포함된 제2 보호막을 나타낸 도면이다.9 is a view showing a second protective film containing a single crystal diamond powder and MgO powder in accordance with the present invention.

도 10은 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더 및 MgO 파우더가 적용된 PDP와 상기 다이아몬드 파우더 및 MgO 파우더가 도핑되지 않은 PDP의 효율을 비교한 도면이다.10 is a view comparing the efficiency of the PDP to which the diamond powder and MgO powder is applied and the PDP not doped with the diamond powder and MgO powder according to the present invention.

도 11은 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더 및 MgO 파우더가 적용된 PDP와 상기 다이아몬드 파우더 및 MgO 파우더가 도핑되지 않은 PDP의 방전 지연 시간 변화율을 비교한 도면이다.11 is a view comparing discharge rate change rate of the PDP to which the diamond powder and the MgO powder are applied and the PDP not doped with the diamond powder and the MgO powder according to the present invention.

도 12a 내지 12c는 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나와 단결정의 MgO 파우더가 포함된 제2 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 제조 방법을 나타낸 다른 실시예 공정 순서도이다.12A to 12C are flowcharts of another embodiment of a method of manufacturing a front substrate of a plasma display panel including a second protective film including any one of diamond powder and carbon powder and a single crystal MgO powder according to the present invention.

도 13a 내지 13f는 본 발명에 따른 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나가 포함된 격벽 및 형광체 층을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판 제조 방법을 나타낸 다른 실시예 공정 순서도이다.13A to 13F are flowcharts of another embodiment of a method of manufacturing a back substrate of a plasma display panel having a partition and a phosphor layer including any one of diamond powder and carbon powder according to the present invention.

도 14a는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판과 배면 기판을 합착하는 공정을 나타낸 도면이다.FIG. 14A illustrates a process of bonding the front substrate and the rear substrate of the plasma display panel.

도 14b는 도 14a의 A-A'의 단면도이다.FIG. 14B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 14A.

Claims (13)

복수개의 방전 전극과, 상기 방전 전극들 상에 형성된 제1 유전체 층과, 상기 제1 유전체 층 상에 형성되고 산화마그네슘(이하 "MgO")이 포함된 제1 보호막과, 상기 제1 보호막 상에 형성되고 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나가 포함된 제2 보호막을 순차적으로 구비하는 제1 기판; 및A plurality of discharge electrodes, a first dielectric layer formed on the discharge electrodes, a first passivation layer formed on the first dielectric layer and including magnesium oxide (hereinafter referred to as "MgO"), and on the first passivation layer A first substrate formed thereon and sequentially having a second passivation layer including any one of diamond powder and carbon powder; And 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 복수개의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 순차적으로 구비하는 제2 기판;을 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.And a second substrate bonded to the first substrate with a partition therebetween, the second substrate sequentially comprising a plurality of address electrodes, a second dielectric layer, and a phosphor layer. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 다이아몬드 파우더는, 음의 전자 친화도를 갖도록 표면이 수소 처리된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The diamond powder is plasma display panel, characterized in that the surface is hydrogenated to have a negative electron affinity. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제2 보호막 내에는, 단결정의 MgO 파우더가 더 포함된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The second protective film, the plasma display panel, characterized in that the monocrystalline MgO powder is further included. 제3 항에 있어서,The method of claim 3, 상기 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나와, MgO 파우더는 1:100 내지 1:1로 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널. Any one of the diamond powder and carbon powder, MgO powder is 1: 100 to 1: 1, characterized in that the plasma display panel is mixed. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 격벽 내에는, 상기 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나가 포함된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The barrier rib panel includes any one of the diamond powder and the carbon powder. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 형광체 층 내에는, 상기 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나가 포함된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The phosphor display panel, characterized in that any one of the diamond powder and carbon powder is included. 제1 기판상에 복수개의 방전 전극들과 제1 유전체 층을 순차적으로 형성하는 단계;Sequentially forming a plurality of discharge electrodes and a first dielectric layer on the first substrate; 상기 제1 유전체 층 상에 산화마그네슘(이하 "MgO")을 포함한 제1 보호막을 형성하는 단계;Forming a first passivation layer including magnesium oxide (hereinafter referred to as "MgO") on the first dielectric layer; 상기 제1 보호막 상에 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나를 포함한 제2 보호막을 형성하는 단계;Forming a second protective film including any one of diamond powder and carbon powder on the first protective film; 제2 기판 상에 복수의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 형성하는 단계;Forming a plurality of address electrodes, a second dielectric layer and a phosphor layer on the second substrate; 상기 제2 유전체 층 상에 격벽을 형성하는 단계; 및Forming a partition on the second dielectric layer; And 상기 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 제2 기판을 합착하는 단계;를 포 함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.And bonding the first substrate and the second substrate to each other with the partition wall therebetween. 제7 항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 제2 보호막 형성 단계는, 단결정의 MgO 파우더를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The second protective film forming step, the method of manufacturing a plasma display panel characterized in that it further comprises a single crystal MgO powder. 제8 항에 있어서, 상기 제2 보호막 형성 단계는,The method of claim 8, wherein the forming of the second passivation layer, 분산제에 상기 다이아몬드 파우더와 탄소 파우더 중 어느 하나와, 상기 MgO 파우더를 혼합하는 단계; 및Mixing the MgO powder with any one of the diamond powder and the carbon powder in a dispersant; And 상기 혼합된 재료를 스프레이법으로 상기 제1 보호막 상에 분사 및 건조하는 단계;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Spraying and drying the mixed material on the first protective film by a spray method. 제7 항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 격벽 형성 단계는, 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The partition wall forming method may include forming any one of diamond powder and carbon powder. 제10 항에 있어서, 상기 격벽 형성 단계는,The method of claim 10, wherein the forming of the partition wall, 다이아몬드 파우더와 탄소 파우더 중 어느 하나와, 격벽 재료 및 MgO 파우더를 혼합한 페이스트를 생성하는 단계;Generating a paste in which any one of diamond powder and carbon powder and a partition material and MgO powder are mixed; 상기 페이스트를 제2 유전체 층 상에 도포하는 단계; 및Applying the paste onto a second dielectric layer; And 상기 도포된 페이스트를 패터닝하는 단계;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Patterning the applied paste; and a method of manufacturing a plasma display panel. 제7 항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 형광체 층 형성 단계는, 다이아몬드 파우더 및 탄소 파우더 중 어느 하나를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The forming of the phosphor layer, the plasma display panel manufacturing method characterized in that it comprises any one of diamond powder and carbon powder. 제12 항에 있어서, 상기 형광체 층 형성 단계는,The method of claim 12, wherein the forming of the phosphor layer, 다이아몬드 파우더와 탄소 파우더 중 어느 하나와, 형광체 재료 및 MgO 파우더를 혼합한 페이스트를 생성하는 단계; 및Generating a paste in which any one of the diamond powder and the carbon powder and the phosphor material and the MgO powder are mixed; And 상기 페이스트를 상기 격벽의 측면과 제2 유전체 층 사이에 도포하는 단계;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.And applying the paste between the sidewalls of the partition and the second dielectric layer.
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