KR20100109476A - Liquid resin composition for electronic component and electronic component device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전자 부품의 밀봉용에 바람직한 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 이에 의해 밀봉된 전자 부품 장치에 관한 것이다. This invention relates to the liquid resin composition for electronic components suitable for sealing of electronic components, and the electronic component apparatus sealed by this.
종래부터 트랜지스터, IC 등의 전자 부품 장치를 대상으로 한 소자 밀봉의 분야에서는 생산성, 비용 등의 측면에서 수지 밀봉이 주류를 이루고 있으며, 에폭시 수지 조성물이 널리 이용되고 있다. 그 이유로는 에폭시 수지가 작업성, 성형성, 전기 특성, 내습성, 내열성, 기계 특성, 인서트품과의 접착성 등의 여러 가지 특성에 균형이 잡혀 있기 때문이다. COB(칩 온 보드; Chip on Board), COG(칩 온 글라스; Chip on Glass), TCP(테이프 캐리어 패키지; Tape Carrier Package) 등의 베어 칩 실장한 반도체 장치에 있어서는 전자 부품용 액상 수지 조성물이 밀봉재로서 널리 사용되고 있다. 최근에는 액정 등의 디스플레이 구동용 IC의 실장 방법으로서, 반도체 소자를 배선 기판에 직접 범프 접속하는 실장 형태(플립 칩 접속 방식)에 사용되고 있고, 이 실장에 이용되는 전자 부품용 액상 수지 조성물은 언더필재(underfill material)로서 알려져 있다. Conventionally, in the field of element sealing for electronic component devices such as transistors and ICs, resin sealing has become mainstream in terms of productivity and cost, and epoxy resin compositions have been widely used. This is because the epoxy resin is balanced in various properties such as workability, moldability, electrical properties, moisture resistance, heat resistance, mechanical properties, and adhesion to insert products. In a bare chip-mounted semiconductor device such as COB (Chip on Board), COG (Chip on Glass), TCP (Tape Carrier Package), the liquid resin composition for electronic components is a sealing material. It is widely used as. In recent years, as a mounting method of display drive ICs, such as a liquid crystal, it is used for the mounting form (flip chip connection system) which bump-connects a semiconductor element directly to a wiring board, and the liquid resin composition for electronic components used for this mounting is an underfill material. known as an underfill material.
이 언더필재는, 상기 플립 칩 접속 방식에 의한 반도체 실장 방법에 있어서, 범프 사이의 절연 유지 및 기계적 강도 유지를 위한 밀봉을 목적으로 하여, 배선 기판과 반도체 장치 사이에 발생하는 공간에 충전된다. 따라서, 언더필재에는, (1) 상온에서 저점도의 액체인 것, (2) 충전 후 수지의 열경화 과정에서의 기포(공극) 발생을 피하기 위해서 수지 조성물이 무용매인 것, (3) 점도의 증가, 침투성의 저하를 피하기 위해서 충전재 등의 고형 성분의 함유를 가능한 한 피하는 것, (4) 고형 성분을 함유하는 경우는 전자 부품용 액상 수지 조성물 중에서의 고형 성분의 균일한 분산성을 유지하고, 점도, 유동성, 침투성 등을 손상시키지 않는 입도 분포, 충전량의 관리를 한 적절한 배합인 것 등의 조건이 필요 항목으로 되어 있다.The underfill material is filled in a space generated between the wiring board and the semiconductor device for the purpose of sealing for maintaining the insulation between the bumps and maintaining the mechanical strength in the semiconductor mounting method by the flip chip connection method. Therefore, in the underfill material, (1) a liquid having a low viscosity at room temperature, (2) a resin composition is a solvent-free in order to avoid bubbles (voids) generation during the thermosetting process of the resin after filling, and (3) a viscosity In order to avoid an increase and a decrease in permeability, to avoid containing solid components, such as a filler as much as possible, (4) When it contains a solid component, it maintains the uniform dispersibility of the solid component in the liquid resin composition for electronic components, Conditions such as particle size distribution that does not impair viscosity, fluidity, permeability, and the like and appropriate formulations for managing the filling amount are required items.
상기 배선 기판 및 반도체 장치에서는, 배선간의 간격이 좁아지고, 최선단의 플립 칩 반도체 장치에서는 배선 피치가 30 ㎛ 이하인 것도 나왔다. 그리고, 협피치화한 배선간에 높은 전압이 인가됨으로써, 전자 부품용 액상 수지 조성물에 대해서는 절연 신뢰성을 손상시키는 불량 현상 중 하나로서 마이그레이션 현상이 큰 문제가 되어 왔다. 특히, 고온 고습하에서는 수지 및 배선 금속의 열화가 촉진되기 때문에, 마이그레이션이 발생하기 쉬워지고, 반도체 장치의 불량 발생의 염려가 더욱 높아지는 경향이 있다. In the above-mentioned wiring board and semiconductor device, the space | interval between wiring became narrow and it turned out that wiring pitch is 30 micrometers or less in the flip-chip semiconductor device of the uppermost stage. In addition, when a high voltage is applied between the narrow-pitched wirings, the migration phenomenon has become a major problem for the liquid resin composition for electronic components as one of the poor phenomena which impairs the insulation reliability. In particular, under high temperature and high humidity, deterioration of the resin and the wiring metal is promoted, so that migration is likely to occur, and there is a tendency that the fear of defects in the semiconductor device is further increased.
이러한 불량을 회피하기 위해서, 이전부터 이미 전자 부품에 사용되는 수지 조성물에 대해서는 마이그레이션 억제를 목적으로 한 대책이 이루어져 왔다. 예를 들면, 금속 이온 보충제로서, 무기 이온 교환체를 배합한 수지 조성물(예를 들면, 특허문헌 1 내지 4 참조), 벤조트리아진, 벤조트리아졸이나 이들 이소시아누르산 부가물을 배합한 수지 조성물(예를 들면, 특허문헌 5 내지 10 참조), 경화 촉진제에 보레이트염을 포함하는 화합물을 배합한 수지 조성물(예를 들면, 특허문헌 11 참조), 산화 방지제를 배합한 수지 조성물(예를 들면, 특허문헌 12 내지 13 참조) 등이 밀봉재, 접착제, 프리프레그 등의 용도에 제공하는 수지 조성물로서 공지이다.In order to avoid such a defect, the countermeasure aimed at suppressing migration has been made about the resin composition already used for an electronic component previously. For example, as a metal ion supplement, the resin composition which mix | blended the inorganic ion exchanger (for example, refer patent documents 1-4), resin which mix | blended benzotriazine, benzotriazole, and these isocyanuric acid adducts Resin (for example, refer patent documents 5-10), the resin composition which mix | blended the compound containing a borate salt with a hardening accelerator (for example, refer patent document 11), and the resin composition which mix | blended antioxidant (for example, And Patent Documents 12 to 13) and the like are known as resin compositions to be used for applications such as sealing materials, adhesives and prepregs.
상기 공지예 중에서도 특허문헌 12 내지 13에 예시된 산화 방지제를 배합한 수지 조성물에서는, 프리프레그로 대표되는 인쇄 기판용 수지 조성물에 있어서, 수지의 열화를 방지하는 효과에 더하여, 내마이그레이션성이 특히 우수하다는 것이 공지로 되어 있다. 인쇄 기판용 수지 조성물에서는 배합시에 메틸에틸케톤(MEK)이나 톨루엔 등의 용매를 이용하기 때문에, 일반적으로 상온에서 고형(분말상)의 각종 산화 방지제를 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉진제와 함께 혼합, 용해시킬 수 있고, 용도나 특성에 따라서 임의의 산화 방지제를 선택하는 것이 가능하다. Among the well-known examples, in the resin composition in which the antioxidants exemplified in Patent Documents 12 to 13 are blended, in the resin composition for a printed circuit board represented by a prepreg, in addition to the effect of preventing the deterioration of the resin, the migration resistance is particularly excellent. It is known that. In the resin composition for printed circuit boards, solvents such as methyl ethyl ketone (MEK) and toluene are used at the time of blending, so that various solid (powder-shaped) antioxidants are usually mixed and dissolved together with an epoxy resin, a curing agent, and a curing accelerator at room temperature. It is possible to select any antioxidant according to the use and the characteristic.
이에 대해서, 언더필재로서 사용하는 전자 부품용 액상 수지 조성물에서는, 상술한 바와 같이 충전 후 수지의 열경화 과정에서 기포(공극)의 발생을 피하기 위해서 용매를 사용하지 않는다. 이 때문에 무용매의 전자 부품용 액상 수지 조성물에, 종래 공지된 산화 방지제를 균일하게 용해시키고, 또한 저점도성, 고유동성, 고침투성이나, 속경화성, 저흡수성, 고접착성 등의 언더필재로서 필수적인 여러 가지 특성을 손상시키지 않고 내마이그레이션성이 우수한 전자 부품용 액상 수지 조성물을 얻는 것이 곤란하였다. On the other hand, in the liquid resin composition for electronic components used as an underfill material, in order to avoid generation | occurrence | production of air bubbles (pores) in the thermosetting process of resin after filling as mentioned above, a solvent is not used. For this reason, the conventionally well-known antioxidant is melt | dissolved uniformly in the liquid resin composition for solvent-free electronic components, and it is essential as an underfill material, such as low viscosity, high fluidity, high permeability, fast curing, low water absorption, and high adhesiveness. It was difficult to obtain the liquid resin composition for electronic components excellent in the migration resistance, without damaging various characteristics.
현재는 전자 부품용 액상 수지 조성물 중 불순물을 감소시킴으로써 내마이그레이션성의 향상이 도모되고 있다. 그러나, 예를 들면 세선화, 협피치화가 현저한 대표적인 반도체 장치인 COF(칩 온 필름; Chip On Film)에서는 추가적인 내마이그레이션성의 향상이 요구되고 있어, 전자 부품용 액상 수지 조성물의 고순도화만으로는 대응이 곤란해지고 있다. Currently, the migration resistance is improved by reducing impurities in the liquid resin composition for electronic parts. However, for example, COF (Chip On Film), which is a representative semiconductor device with remarkable thinning and narrow pitch, is required to further improve migration resistance, and it is difficult to cope only with high purity of the liquid resin composition for electronic components. Is getting.
본 발명은 이러한 상황을 감안하여 이루어진 것으로, 내마이그레이션성이 양호하고, 그 밖의 성형성, 신뢰성도 우수한 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 이에 의해 밀봉된 전자 부품 장치를 제공하는 것이다. This invention is made | formed in view of such a situation, and is providing the liquid resin composition for electronic components excellent in migration resistance, other moldability, and reliability, and the electronic component apparatus sealed by this.
본 발명자들은 상기한 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 반도체 소자 등의 전자 부품과 배선 기판과의 접착성이 양호하고, 흡수율이 작으며, 산화 열화를 억제한, 저점도이고 유동성이 우수한 고순도의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 적용함으로써, 상기한 목적을 달성할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to solve the said subject, as a result, the adhesiveness of electronic components, such as a semiconductor element, and a wiring board is favorable, the water absorption is small, and low viscosity and fluidity which suppressed oxidative degradation By applying the excellent liquid resin composition for electronic components of high purity, it discovered that the said objective can be achieved and came to complete this invention.
본 발명은 이하 (1) 내지 (15)에 관한 것이다.The present invention relates to the following (1) to (15).
(1) (A) 에폭시 수지, (B) 상온 액체의 환상 산무수물, (C) 커플링제, (D) 산화 방지제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.(1) Liquid resin composition for electronic components containing (A) epoxy resin, (B) cyclic acid anhydride of normal temperature liquid, (C) coupling agent, and (D) antioxidant.
(2) 상기 (1)에 있어서, (D) 산화 방지제가 페놀핵의 오르토 위치에 적어도 하나의 알킬기를 갖는 페놀 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 부품용 액상 수지 조성물. (2) The liquid resin composition for an electronic component according to the above (1), wherein (D) the antioxidant contains a phenol compound having at least one alkyl group at the ortho position of the phenol nucleus.
(3) 상기 (1)에 있어서, (D) 산화 방지제가 페놀핵의 오르토 위치에 하나의 메틸기를 갖는 페놀 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 부품용 액상 수지 조성물. (3) The liquid resin composition for an electronic component according to the above (1), wherein (D) the antioxidant contains a phenol compound having one methyl group at the ortho position of the phenol nucleus.
(4) 상기 (2) 또는 (3)에 있어서, (D) 산화 방지제는 비스페놀 F형 에폭시 수지에 대한 포화 용해량이 5 중량% 이상인 전자 부품용 액상 수지 조성물.(4) The liquid resin composition for an electronic component according to the above (2) or (3), wherein the antioxidant (D) has a saturated dissolution amount of 5% by weight or more with respect to the bisphenol F-type epoxy resin.
(5) 상기 (1)에 있어서, (D) 산화 방지제가 디시클로헥실아민 또는 그의 유도체를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.(5) The liquid resin composition for an electronic component according to the above (1), wherein the (D) antioxidant contains dicyclohexylamine or a derivative thereof.
(6) 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 있어서, 무기 충전제를 더 함유하며, 무기 충전제의 배합량이 10 질량% 이하인 전자 부품용 액상 수지 조성물.(6) The liquid resin composition for electronic components in any one of said (1)-(5) which further contains an inorganic filler and whose compounding quantity of an inorganic filler is 10 mass% or less.
(7) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 있어서, 고무 입자를 더 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.(7) The liquid resin composition for electronic components in any one of said (1)-(6) which further contains rubber particle.
(8) 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 하나에 있어서, 실리콘 변성 에폭시 수지를 더 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.(8) The liquid resin composition for electronic components in any one of said (1)-(7) which contains a silicone modified epoxy resin further.
(9) 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 있어서, 이온 트랩제를 더 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.(9) The liquid resin composition for electronic components in any one of said (1)-(8) which further contains an ion trap agent.
(10) 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 있어서, (A)와 (B)의 반응을 촉진시키는 잠재성 경화 촉진제를 더 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.(10) The liquid resin composition for electronic components in any one of said (1)-(9) which further contains the latent hardening accelerator which promotes reaction of (A) and (B).
(11) 상기 (1) 내지 (10) 중 어느 하나에 있어서, 추가로 유기 용매 함유율이 1 % 이하인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.(11) The liquid resin composition for an electronic component according to any one of (1) to (10), wherein an organic solvent content is further 1% or less.
(12) 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 하나에 있어서, (B) 상온 액체의 환상 산무수물의 무수산 당량이 200 이상인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.(12) The liquid resin composition for an electronic component according to any one of (1) to (11), wherein the anhydride equivalent of the cyclic acid anhydride of the (B) room temperature liquid is 200 or more.
(13) 상기 (1) 내지 (12) 중 어느 하나에 있어서, EMD형 회전 점도계를 이용한 25 ℃에서의 점도가 1.2 Pa·s 이하인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.(13) The liquid resin composition for an electronic component according to any one of (1) to (12), wherein the viscosity at 25 ° C. using an EMD type rotational viscometer is 1.2 Pa · s or less.
(14) 상기 (1) 내지 (13) 중 어느 하나에 있어서, 필름을 기재로 하는 배선 기판 상에 전자 부품을 직접 범프 접속한 전자 부품 장치에 이용되는 전자 부품용 액상 수지 조성물.(14) The liquid resin composition for electronic components in any one of said (1)-(13) used for the electronic component apparatus which bump-connected the electronic component directly on the wiring board which uses a film.
(15) 상기 (1) 내지 (14) 중 어느 하나에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 전자 부품 장치. (15) The electronic component device sealed using the liquid resin composition for electronic components in any one of said (1)-(14).
본 발명에 의한 전자 부품용 액상 수지 조성물은 내마이그레이션성이 양호하고, 반도체 소자 등의 전자 부품과 배선 기판과의 접착성이 양호하며, 흡수율이 작고, 산화 열화를 억제한, 저점도로 유동성이 우수한 고순도의 전자 부품용 액상 수지 조성물이기 때문에, 그의 공업적 가치는 크다. 특히, 리지드 배선판 및 연성 배선판이나 유리 상에 형성한 배선에 반도체 소자를 범프 접속에 의해 플립 칩 본딩한 반도체 장치, 구체적으로는 플립 칩 BGA나 COF 등의 반도체 장치용 언더필재로서 특히 유용하다. The liquid resin composition for an electronic component according to the present invention has good migration resistance, good adhesion between an electronic component such as a semiconductor element and a wiring board, low water absorption, and excellent fluidity at low viscosity, which suppresses oxidative degradation. Since it is a liquid resin composition for high purity electronic components, its industrial value is large. In particular, it is especially useful as a semiconductor device which flip-chip-bonded a semiconductor element by bump connection to the rigid wiring board, the flexible wiring board, and the wiring formed on glass, specifically, as an underfill material for semiconductor devices, such as flip chip BGA and COF.
도 1은 도 1의 (a)는 내마이그레이션성 평가에서의 시험 전 양극 근방 및 배선폭을 도시한 도면이고, 도 1의 (b)는 마이그레이션이 발생한 후 양극 근방 및 배선폭을 도시한 도면이다.FIG. 1A is a diagram showing the vicinity of the anode and the wiring width before the test in the migration resistance evaluation, and FIG. 1B is a diagram showing the vicinity of the anode and the wiring width after migration has occurred. .
본 발명에서 이용되는 (A) 에폭시 수지는, 경화 가능한 1 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지이면 특별히 제한은 없고, 전자 부품용 액상 수지 조성물에 일반적으로 사용되고 있는 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 조성물이 액상이면 고형, 액상 중 어느 하나를 이용하거나 둘다를 병용할 수도 있다. 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S, 나프탈렌디올, 수소 첨가 비스페놀 A 등과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지를 비롯한 페놀류와 알데히드류를 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락 수지를 에폭시화한 노볼락형 에폭시 수지, 프탈산, 다이머산 등의 다염기산과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 디아미노디페닐메탄, 이소시아누르산 등의 폴리아민과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 올레핀 결합을 과아세트산 등의 과산으로 산화하여 얻어지는 선상 지방족 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.The epoxy resin (A) used in the present invention is not particularly limited as long as it is an epoxy resin having two or more epoxy groups in one curable molecule, and epoxy resins generally used in liquid resin compositions for electronic components can be used. If it is a liquid phase, you may use either a solid, a liquid phase, or may use both together. For example, glycidyl ether type epoxy resin obtained by reaction of bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, bisphenol S, naphthalenediol, hydrogenated bisphenol A, and epichlorohydrin, an orthocresol novolak-type epoxy resin, etc. Glycidyl ester type epoxy resin obtained by reaction of polybasic acids, such as a novolak-type epoxy resin which epoxidized the novolak-type resin obtained by condensation or co-condensation of phenols and aldehydes, phthalic acid, dimer acid, and epichlorohydrin, dia Glycidylamine type epoxy resin obtained by reaction of polyamines, such as a minodiphenylmethane and isocyanuric acid, and epichlorohydrin, linear aliphatic epoxy resin obtained by oxidizing an olefin bond with peracids, such as peracetic acid, alicyclic epoxy Resins and the like, and these may be used alone or in combination of two or more thereof. May be available.
그 중에서도, 저점도화의 관점에서는 액상 에폭시 수지가 바람직하고, 환상 산무수물과의 반응성의 관점에서는 비스페놀형 액상 에폭시 수지가 보다 바람직하다. Especially, a liquid epoxy resin is preferable from a viewpoint of low viscosity, and a bisphenol-type liquid epoxy resin is more preferable from a viewpoint of reactivity with cyclic acid anhydride.
또한, 이들 에폭시 수지는 충분히 정제된 것으로, 이온성 불순물이 적은 것이 바람직하다. 예를 들면, 유리 Na 이온 및 유리 Cl 이온은 500 ppm 이하인 것이 보다 바람직하다. Moreover, these epoxy resins are fully refined and it is preferable that there are few ionic impurities. For example, it is more preferable that free Na ions and free Cl ions are 500 ppm or less.
본 발명에서 이용되는 (B) 상온 액체의 환상 산무수물로는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 무수 프탈산, 무수 말레산, 메틸하이믹산무수물, 하이믹산무수물, 무수 숙신산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 클로렌드산무수물, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산, 4-메틸헥사히드로 무수 프탈산, 트리알킬테트라히드로 무수 프탈산말레산 부가물, 메틸헥사히드로프탈산, 벤조페논테트라카르복실산무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 수소화메틸나드산무수물, 무수 말레산과 디엔 화합물로부터 딜스·알더 반응으로 얻어져, 복수의 알킬기를 갖는 트리알킬테트라히드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 숙신산 등의 각종 환상 산무수물을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as cyclic acid anhydride of (B) normal temperature liquid used by this invention, For example, phthalic anhydride, maleic anhydride, methylhymic acid anhydride, a hymic acid anhydride, succinic anhydride, tetrahydro phthalic anhydride, hexahydro Phthalic anhydride, chloric anhydride, methyltetrahydro phthalic anhydride, 3-methylhexahydrophthalic anhydride, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydromaleic anhydride maleic acid adduct, methylhexahydrophthalic acid, benzophenonetetracarb Trialkyltetrahydro anhydride which is obtained by a Diels-Alder reaction from an acid anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, methyltetrahydro phthalic anhydride, methyl hydride anhydride, maleic anhydride, and a diene compound, and has a plurality of alkyl groups. Various cyclic acid anhydrides, such as a phthalic acid and a dodecenyl succinic anhydride, are mentioned.
"환상 산무수물"이란, 무수 프탈산으로 대표되는 바와 같이 "-CO-O-CO-"의 2개의 탄소 원자 C가 각각 다른 2개의 탄소 원자와 화학 결합하여 환상으로 되어 있는 것을 나타낸다. 또한, "무수산 당량"은 (산무수물의 분자량)/(산무수물 분자 내의 무수산기의 수)로 나타낸다. "Cyclic acid anhydride" means that two carbon atoms C of "-CO-O-CO-" chemically bond with two other carbon atoms and become cyclic as represented by phthalic anhydride. In addition, "anhydride equivalent" is represented by (molecular weight of acid anhydride) / (number of anhydride groups in an acid anhydride molecule).
무수산 당량이 200 이상인 화합물로는, 예를 들면 무수산 당량이 234인 재팬에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조 상품명 jER 큐어 YH306 등이 시판품으로서 입수 가능하다. As a compound whose anhydrous acid equivalent is 200 or more, Japan Epoxy Resin Co., Ltd. brand name jER Cure YH306 etc. whose anhydride equivalent is 234 are available as a commercial item, for example.
산무수물의 무수산 당량이 200 미만인 경우, 경화물 중 에스테르 결합이 많아지기 때문에, 고온 고습하에서 가수분해의 영향을 받기 쉬워지고, 내습성, 특히 내마이그레이션성의 저하를 일으키기 쉽다. 또한, 산무수물의 무수산 당량이 200 미만인 경우는 에스테르기의 영향으로 흡수율도 높아져, 이것도 내마이그레이션성 저하의 원인이 된다. 즉, 무수산 당량이 큰 환상 산무수물은 무수산 당량이 작은 환상 산무수물보다도 에스테르기 농도가 작아지기 때문에, 그의 경화물은 흡수율이 낮기 때문에, 물에 용출하는 Cl 등의 이온성 불순물량을 감소시킬 수 있다.When the acid anhydride equivalent of an acid anhydride is less than 200, since ester bonds in hardened | cured material increase, it is easy to be influenced by hydrolysis under high temperature, high humidity, and it is easy to produce the fall of moisture resistance, especially migration resistance. Moreover, when the acid anhydride equivalent of an acid anhydride is less than 200, a water absorption becomes high under the influence of an ester group, and this also becomes a cause of the fall of migration resistance. That is, since the cyclic acid anhydride having a large anhydride equivalent has a lower ester group concentration than the cyclic acid anhydride having a small anhydride equivalent, the cured product has a lower water absorption, thereby reducing the amount of ionic impurities such as Cl eluted in water. You can.
무수산 당량은 바람직하게는 200 내지 400이고, 보다 바람직하게는 200 내지 300이다. The anhydrous acid equivalent is preferably 200 to 400, more preferably 200 to 300.
(B) 성분의 환상 산무수물의 구조는 특별히 제한은 없지만, 내마이그레이션성의 관점에서 분자 중에 염소, 브롬 등의 할로겐 원자, 에스테르 결합을 포함하지 않는 것이 바람직하다. Although the structure of the cyclic acid anhydride of (B) component does not have a restriction | limiting in particular, It is preferable from a viewpoint of migration resistance that halogen atoms, such as chlorine and a bromine, are not contained in a molecule | numerator.
본 발명에서는 (B) 성분 이외의 경화제를 적절하게 사용할 수 있고, 에폭시 수지의 경화제로서 일반적으로 사용되고 있는 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌트리아민, 테트라에틸렌펜타민, m-크실렌디아민, 트리메틸헥사메틸렌디아민, 2-메틸펜타메틸렌디아민, 디에틸아미노프로필아민, 이소포론디아민, 1,3-비스아미노메틸시클로헥산, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 노르보르넨디아민, 1,2-디아미노시클로헥산, 라로민, 디아미노디페닐메탄, 메타페닐렌디아민, 디아미노디페닐술폰, 폴리옥시프로필렌디아민, 폴리옥시프로필렌트리아민, 폴리시클로헥실폴리아민 혼합물, N-아미노에틸피페라진 등의 아민 화합물, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸, 2,4-디아미노-6-(2-메틸이미다조일-(1))에틸-s-트리아진, 2-페닐이미다졸린, 2,3-디히드로-1H-피롤로(1,2-a)벤즈이미다졸 등의 이미다졸 화합물, 3급 아민, DBU, 디시안디아미드, 유기산 디히드라지드, N,N-디메틸 요소 유도체 등을 들 수 있다. 그 중에서도 저점도화의 관점에서는 아민 화합물이 바람직하다. In this invention, hardening agents other than (B) component can be used suitably, and what is generally used as a hardening | curing agent of an epoxy resin can be used. For example, diethylenetriamine, triethylenetriamine, tetraethylenepentamine, m-xylenediamine, trimethylhexamethylenediamine, 2-methylpentamethylenediamine, diethylaminopropylamine, isophoronediamine, 1,3- Bisaminomethylcyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, norbornenediamine, 1,2-diaminocyclohexane, laromine, diaminodiphenylmethane, metaphenylenediamine, diaminodiphenylsulfone, Amine compounds such as polyoxypropylenediamine, polyoxypropylenetriamine, polycyclohexylpolyamine mixture, N-aminoethylpiperazine, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 1- (2 -Cyanoethyl) -2-ethyl-4-methylimidazole, 2,4-diamino-6- (2-methylimidazoyl- (1)) ethyl-s-triazine, 2-phenylimida Imidazole compounds such as sleepy, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo (1,2-a) benzimidazole, tertiary amines, DBU, dicyandiamide, organic acids Dihydrazide, N, N-dimethyl urea derivatives, and the like. Especially, an amine compound is preferable from a viewpoint of low viscosity.
(B) 성분의 상온 액체의 환상 산무수물의 배합량은, 그의 성능을 발휘하기 위해서 (B) 성분을 포함하는 경화제 전량에 대해서 30 질량% 이상이 바람직하고, 40 질량% 이상이 보다 바람직하며, 60 질량% 이상이 더욱 바람직하다.30 mass% or more is preferable with respect to the hardening | curing agent whole quantity containing (B) component, and, as for the compounding quantity of the cyclic acid anhydride of the normal temperature liquid of (B) component, 40 mass% or more is more preferable, 60 Mass% or more is more preferable.
(A) 에폭시 수지와 (B) 성분의 상온 액체의 환상 산무수물을 포함하는 전체 경화제와의 당량비는 특별히 제한은 없지만, 각각의 미반응분을 적게 억제하기 위해서, 에폭시 수지에 대해서 경화제를 0.6 내지 1.6 당량의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 0.7 내지 1.4 당량이 보다 바람직하며, 0.8 내지 1.2 당량이 더욱 바람직하다. 0.6 내지 1.6 당량의 범위에서 벗어난 경우, 경화 반응이 불충분해져 신뢰성이 저하되는 경향이 있다. 여기서 당량이란 반응 당량이고, 예를 들면 산무수물의 무수산 당량은 에폭시기 1개에 대하여 산무수물기 1개가 반응하는 것으로서 계산되고, 페놀 수지의 당량은 에폭시기 1개에 대해서 페놀성 수산기 1개가 반응하는 것으로서 계산되고, 방향족 아민의 당량은 에폭시기 1개에 대하여 아미노기의 활성 수소 1개가 반응하는 것으로서 계산된다.Although the equivalence ratio of (A) epoxy resin and all the hardening | curing agents containing the cyclic acid anhydride of the normal temperature liquid of (B) component is not restrict | limited, In order to restrain each unreacted powder, 0.6 to- It is preferable to set in the range of 1.6 equivalent, 0.7-1.4 equivalent is more preferable, 0.8-1.2 equivalent is still more preferable. If it deviates from the range of 0.6-1.6 equivalent, there exists a tendency for hardening reaction to become inadequate and reliability falls. Equivalent is a reaction equivalent, For example, the anhydride equivalent of an acid anhydride is computed as one acid anhydride group reacts with respect to one epoxy group, and the equivalent of a phenol resin is one phenolic hydroxyl group reacting with one epoxy group. The equivalent of aromatic amine is calculated as one active hydrogen of amino group reacts with one epoxy group.
본 발명에서 이용되는 (C) 커플링제로는 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있지만, 예를 들면 1급 및/또는 2급 및/또는 3급 아미노기를 갖는 실란 화합물, 에폭시실란, 메르캅토실란, 알킬실란, 우레이도실란, 비닐실란 등의 각종 실란계 화합물, 티탄계 화합물, 알루미늄킬레이트류, 알루미늄/지르코늄계 화합물 등을 들 수 있다. There is no restriction | limiting in particular as (C) coupling agent used by this invention, Although a conventionally well-known thing can be used, For example, the silane compound which has a primary and / or secondary and / or tertiary amino group, an epoxysilane, a mer Various silane compounds, such as captosilane, alkylsilane, ureidosilane, and vinyl silane, a titanium compound, aluminum chelates, an aluminum / zirconium compound, etc. are mentioned.
이들을 예시하면, 비닐트리클로로실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, γ-아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필메틸디메톡시실란, N-(트리메톡시실릴프로필)에틸렌디아민, N-(디메톡시메틸실릴이소프로필)에틸렌디아민, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, 헥사메틸디실란, 비닐트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란 등의 실란계 커플링제, 이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸파이로포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리(N-아미노에틸-아미노에틸)티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)에틸렌티타네이트, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠술포닐티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴티타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)티타네이트 등의 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 1종을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.Examples thereof include vinyltrichlorosilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl Trimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxy Silane, γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxysilane, γ-anilinopropyltriethoxysilane, γ -(N, N-dimethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ- (N, N-diethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ- (N, N-dibutyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ -(N-methyl) anilinopropyltrimethoxysilane, γ- (N-ethyl) anilinopropyltrimethoxysilane, γ- (N, N- Dimethyl) aminopropyltriethoxysilane, γ- (N, N-diethyl) aminopropyltriethoxysilane, γ- (N, N-dibutyl) aminopropyltriethoxysilane, γ- (N-methyl) Anilinopropyltriethoxysilane, γ- (N-ethyl) anilinopropyltriethoxysilane, γ- (N, N-dimethyl) aminopropylmethyldimethoxysilane, γ- (N, N-diethyl) amino Propylmethyldimethoxysilane, γ- (N, N-dibutyl) aminopropylmethyldimethoxysilane, γ- (N-methyl) anilinopropylmethyldimethoxysilane, γ- (N-ethyl) anilinopropylmethyldimeth Methoxysilane, N- (trimethoxysilylpropyl) ethylenediamine, N- (dimethoxymethylsilylisopropyl) ethylenediamine, methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, methyltriethoxysilane, γ-chloropropyltri Silane coupling agents, such as methoxysilane, hexamethyldisilane, vinyltrimethoxysilane, (gamma)-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, and isopropyl triisos Aroyl titanate, isopropyl tris (dioctylpyrophosphate) titanate, isopropyl tri (N-aminoethyl-aminoethyl) titanate, tetraoctylbis (ditridecylphosphite) titanate, tetra (2, 2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titanate, bis (dioctylpyrophosphate) oxyacetate titanate, bis (dioctylpyrophosphate) ethylene titanate, isopropyl tree Octanoyl titanate, isopropyldimethacrylisostearoyl titanate, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate, isopropyl isostearoyl diacryl titanate, isopropyl tri (dioctylphosphate) titanate And titanate-based coupling agents such as isopropyl tricumylphenyl titanate and tetraisopropylbis (dioctylphosphite) titanate. You may use these 1 type individually or in combination of 2 or more types.
(C) 커플링제의 전체 배합량은, 액상 수지 조성물에 대해서 0.037 내지 5.0 질량%인 것이 바람직하고, 0.05 내지 4.75 질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.1 내지 2.5 질량%인 것이 더욱 바람직하다. 0.037 질량% 미만이면 기판과 액상 수지 조성물의 경화물의 밀착성이 저하되는 경향이 있고, 5.0 질량%를 초과하면 유리 전이 온도나 굽힘 강도 등의 물성이 저하되는 경향이 있다. (C) It is preferable that the total compounding quantity of a coupling agent is 0.037-5.0 mass% with respect to a liquid resin composition, It is more preferable that it is 0.05-4.75 mass%, It is further more preferable that it is 0.1-2.5 mass%. If it is less than 0.037 mass%, there exists a tendency for the adhesiveness of the hardened | cured material of a board | substrate and a liquid resin composition to fall, and when it exceeds 5.0 mass%, physical properties, such as glass transition temperature and bending strength, will fall.
본 발명에서 이용되는 (D) 산화 방지제로는 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 페놀 화합물계 산화 방지제에서 페놀핵의 오르토 위치에 적어도 하나의 알킬기를 갖는 화합물로는 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀, n-옥타데실-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 2,2'-메틸렌비스-(4-메틸-6-t-부틸페놀), 3,9-비스[2-〔3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시〕-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 4,4'-부틸리덴비스-(6-t-부틸-3-메틸페놀), 4,4'-티오비스(6-t-부틸-3-메틸페놀), 테트라키스[메틸렌-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄, 2,2-티오-디에틸렌비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], N,N'-헥사메틸렌비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피온아미드], 이소옥틸-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 4,6-비스(도데실티오메틸)-o-크레졸, 비스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질포스폰산에틸)칼슘, 2,4-1비스[(옥틸티오)메틸]-o-크레졸, 1,6-헥산디올-비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 6-[3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로폭시]-2,4,8,10-테트라-t-부틸디벤즈[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀, 2-t-부틸-6-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트, 2-[1-(2-히드록시-3,5-디-t-펜틸페닐)에틸]-4,6-디-t-펜틸페닐아크릴레이트, 2,2'-메틸렌비스-(4-에틸-6-t-부틸페놀), 2,6-디-t-부틸-4-에틸페놀, 1,1,3-트리스(2-메틸-4-히드록시-5-t-부틸페닐)부탄, 트리에틸렌글리콜-비스[3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트],트리스(3,5-디-t-부틸-4히드록시벤질)이소시아누레이트, 디에틸[〔3,5-비스(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시페닐〕메틸]포스포네이트, 2,5,7,8-테트라메틸-2(4',8',12'-트리메틸트리데실)크로만-6-올, 2,4-비스-(n-옥틸티오)-6-(4-히드록시-3,5-디-t-부틸아닐리노)-1,3,5-트리아진 등을 들 수 있다. 디시클로헥실아민으로는 신닛본 리카 가부시끼가이샤 제조 상품명 D-CHA-T 등이 시판품으로서 입수 가능하고, 그의 유도체로는 아질산디시클로헥실아민암모늄, N,N-디(3-메틸-시클로헥실아민), N,N-디(2-메톡시-시클로헥실)아민, N,N-디(4-브로모-시클로헥실)아민 등을 들 수 있다. 유기 황 화합물계 산화 방지제로는 디라우릴-3,3'-티오디프로피오네이트, 디미리스틸-3,3'-티오디프로피오네이트, 디스테아릴-3,3'-티오디프로피오네이트, 펜타에리트리틸테트라키스(3-라우릴티오프로피오네이트), 디트리데실-3,3'-티오디프로피오네이트, 2-메르캅토벤즈이미다졸, 4,4'-티오비스(6-t-부틸-3-메틸페놀), 2,2-티오-디에틸렌비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 4,6-비스(도데실티오메틸)-o-크레졸, 2,4-1비스[(옥틸티오)메틸]-o-크레졸, 2,4-비스-(n-옥틸티오)-6-(4-히드록시-3,5-디-t-부틸아닐리노)-1,3,5-트리아진 등, 아민 화합물계 산화 방지제로는 N,N'-디알릴-p-페닐렌디아민, N,N'-디-sec-부틸-p-페닐렌디아민, 옥틸화디페닐아민, 2,4-비스-(n-옥틸티오)-6-(4-히드록시-3,5-디-t-부틸아닐리노)-1,3,5-트리아진 등, 인 화합물계 산화 방지제로는 트리스노닐페닐포스파이트, 트리페닐포스파이트, 비스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질포스폰산에틸)칼슘, 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트, 2-[〔2,4,8,10-테트라키스(1,1-디메틸에테르)디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일〕옥시]-N,N-비스[2-{〔2,4,8,10-테트라키스(1,1디메틸에틸)디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일〕옥시}-에틸]에탄아민, 6-[3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로폭시]-2,4,8,10-테트라-t-부틸디벤즈[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀, 디에틸[〔3,5-비스(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시페닐〕메틸]포스포네이트 등을 들 수 있다. 이들 1종을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. 또한, 상기 페놀 화합물계 산화 방지제 중에는, 페놀 수산기에 추가로, 인 원자, 황 원자, 아민 중 어느 하나를 적어도 하나 이상 동일한 분자 중에 포함하는 화합물은 중복하여 예를 들었다. As (D) antioxidant used by this invention, a conventionally well-known thing can be used. For example, the compound having at least one alkyl group at the ortho position of the phenol nucleus in the phenolic compound antioxidant includes 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, n-octadecyl-3- (3, 5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, 2,2'-methylenebis- (4-methyl-6-t-butylphenol), 3,9-bis [2- [3- (3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionyloxy] -1,1-dimethylethyl] -2,4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane, 4,4 ' -Butylidenebis- (6-t-butyl-3-methylphenol), 4,4'-thiobis (6-t-butyl-3-methylphenol), tetrakis [methylene-3- (3,5 -Di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] methane, 2,2-thio-diethylenebis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propio Nate], N, N'-hexamethylenebis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionamide], isooctyl-3- (3,5-di-t-butyl 4-hydroxyphenyl) propionate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) bene Xen, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, bis (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzylphosphonic acid) calcium, 2,4-1 bis [(octyl Thio) methyl] -o-cresol, 1,6-hexanediol-bis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 6- [3- (3- t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propoxy] -2,4,8,10-tetra-t-butyldibenz [d, f] [1,3,2] dioxaphosphine, 2 -t-butyl-6- (3-t-butyl-2-hydroxy-5-methylbenzyl) -4-methylphenylacrylate, 2- [1- (2-hydroxy-3,5-di-t- Pentylphenyl) ethyl] -4,6-di-t-pentylphenylacrylate, 2,2'-methylenebis- (4-ethyl-6-t-butylphenol), 2,6-di-t-butyl- 4-ethylphenol, 1,1,3-tris (2-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenyl) butane, triethylene glycol-bis [3- (3-t-butyl-4-hydroxy -5-methylphenyl) propionate], tris (3,5-di-t-butyl-4hydroxybenzyl) isocyanurate, diethyl [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl)- 4-hydroxyphenyl] methyl] phosphonate, 2,5,7,8- Tramethyl-2 (4 ', 8', 12'-trimethyltridecyl) chroman-6-ol, 2,4-bis- (n-octylthio) -6- (4-hydroxy-3,5- Di-t-butylanilino) -1,3,5-triazine and the like. As the dicyclohexylamine, Shin Nippon Rica Co., Ltd. brand name D-CHA-T etc. can be obtained as a commercial item, As a derivative thereof, dicyclohexylamine ammonium nitrite, N, N-di (3-methyl-cyclohexyl Amines), N, N-di (2-methoxy-cyclohexyl) amine, N, N-di (4-bromo-cyclohexyl) amine, and the like. Examples of the organic sulfur compound-based antioxidant include dilauryl-3,3'-thiodipropionate, dimyristyl-3,3'-thiodipropionate, and distearyl-3,3'-thiodipropionate. Nate, pentaerythryltetrakis (3-laurylthiopropionate), ditridecyl-3,3'-thiodipropionate, 2-mercaptobenzimidazole, 4,4'-thiobis ( 6-t-butyl-3-methylphenol), 2,2-thio-diethylenebis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 4,6- Bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, 2,4-1bis [(octylthio) methyl] -o-cresol, 2,4-bis- (n-octylthio) -6- (4-hydroxy As an amine compound type antioxidant, such as -3, 5- di- t-butylanilino) -1, 3, 5- triazine, N, N'- diallyl- p-phenylenediamine, N, N'- Di-sec-butyl-p-phenylenediamine, octylated diphenylamine, 2,4-bis- (n-octylthio) -6- (4-hydroxy-3,5-di-t-butylanilino) As phosphorus compound type antioxidant such as -1,3,5-triazine, Tris Nonylphenyl phosphite, triphenyl phosphite, bis (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzylphosphonate) calcium, tris (2,4-di-t-butylphenyl) phosphite, 2 -[[2,4,8,10-tetrakis (1,1-dimethylether) dibenzo [d, f] [1,3,2] dioxaphosphine-6-yl] oxy] -N, N -Bis [2-{[2,4,8,10-tetrakis (1,1dimethylethyl) dibenzo [d, f] [1,3,2] dioxaphosphine-6-yl] oxy}- Ethyl] ethanamine, 6- [3- (3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propoxy] -2,4,8,10-tetra-t-butyldibenz [d, f] [1,3,2] dioxaphosphine, diethyl [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] phosphonate, and the like. You may use these 1 type individually or in combination of 2 or more types. Moreover, in the said phenolic compound type antioxidant, the compound containing any one or more of a phosphorus atom, a sulfur atom, and an amine in the same molecule in addition to a phenolic hydroxyl group was mentioned repeatedly.
상기 산화 방지제 중에서도, 특히 페놀핵의 오르토 위치에 적어도 하나의 알킬기를 갖는 페놀 화합물계 산화 방지제와, 디시클로헥실아민이 내마이그레이션성 향상의 관점에서 보다 바람직하다. 페놀핵의 오르토 위치에 적어도 하나의 알킬기를 갖는 페놀 화합물계 산화 방지제에서는, 오르토 위치의 알킬기가 전자 공여기이기 때문에, 페놀 수산기의 산소 원자의 홀 전자 부위에서 전자 농도가 높아져서, 산화 방지제가 양극 금속 표면에 배위하며, 또한 시클로헥실아민에서는 아민의 질소 원자의 홀 전자 부위가 양극 금속 표면에 배위함으로써, 금속 표면에 배위한 산화 방지제가 금속의 산화 열화를 억제하여, 내마이그레이션성이 향상된다고 생각된다.Among the above-mentioned antioxidants, in particular, a phenol compound-based antioxidant having at least one alkyl group at the ortho position of the phenol nucleus and dicyclohexylamine are more preferable from the viewpoint of improving the migration resistance. In the phenolic compound type antioxidant which has at least 1 alkyl group in the ortho position of a phenol nucleus, since the alkyl group of an ortho position is an electron donating group, an electron concentration becomes high at the hole electron site of the oxygen atom of a phenol hydroxyl group, and antioxidant is an anode metal In the case of cyclohexylamine, in the cyclohexylamine, the hole electron site of the nitrogen atom of the amine is coordinated to the anode metal surface, whereby the antioxidant coordinated to the metal surface suppresses the oxidation deterioration of the metal and the migration resistance is considered to be improved. .
또한 상기 페놀핵의 오르토 위치에 적어도 하나의 알킬기를 갖는 페놀 화합물계 산화 방지제에서는 일반적으로 고형, 분말인 성상의 화합물이 알려져 있지만, 전자 부품용 액상 수지 조성물로서 점도, 침투성, 유동성의 저하를 피하기 위해서는, 전자 부품용 액상 수지 조성물의 한 성분이 되는 (A) 에폭시 수지에 대해서 전자 부품용 액상 수지 조성물의 경화물이 충분한 내마이그레이션성을 가질 정도로 용해시키는 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로는 일반적인 에폭시 수지, 예를 들면 본 발명에서도 액상 에폭시 수지로서 사용되는 주지된 비스페놀 F형 에폭시 수지에 대한 포화 용해량이 5 질량% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직한 범위는 10 질량% 이상이다. 그 이유로는, 상기 바람직한 범위의 포화 용해량을 갖는 페놀 화합물계 산화 방지제가 에폭시 수지에 용해시킴으로써, 페놀 화합물계 산화 방지제가 전자 부품용 액상 수지 조성물 중에 균일하게 분산될 수 있어, 내마이그레이션성이 높아지기 때문이다. 여기서, 상기 포화 용해량은 액상 수지 조성물의 도포가 통상은 실온에서 행해지기 때문에, 상기 액상 조성물의 안정성을 고려하여 실온에서의 값이다. 상기 페놀핵의 오르토 위치에 적어도 하나의 알킬기를 갖는 페놀 화합물계 산화 방지제 중, 이러한 용해성을 갖는 페놀 화합물계 산화 방지제의 예로는 4,4'-부틸리덴비스-(6-t-부틸-3-메틸페놀), 테트라키스[메틸렌-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄, 3,9-비스[2-〔3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시〕-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 트리에틸렌글리콜비스〔3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트〕 등을 들 수 있다.Moreover, in the phenolic compound type | system | group antioxidant which has at least 1 alkyl group in the ortho position of the said phenol nucleus, the compound of a solid and powder-like compound is generally known, but in order to avoid the fall of viscosity, permeability, and fluidity as a liquid resin composition for electronic components, It is further more preferable to melt | dissolve so that the hardened | cured material of the liquid resin composition for electronic components may have sufficient migration resistance with respect to (A) epoxy resin which becomes one component of the liquid resin composition for electronic components. Specifically, it is preferable that the saturated dissolution amount in a general epoxy resin, for example, the well-known bisphenol F-type epoxy resin used also as a liquid epoxy resin, is 5 mass% or more, and a more preferable range is 10 mass% or more. For this reason, when the phenolic compound-based antioxidant having a saturated dissolution amount in the above preferred range is dissolved in an epoxy resin, the phenolic compound-based antioxidant can be uniformly dispersed in the liquid resin composition for electronic parts, resulting in high migration resistance. Because. Here, the said saturated dissolution amount is a value at room temperature in consideration of stability of the said liquid composition, since application | coating of a liquid resin composition is normally performed at room temperature. Of the phenolic compound-based antioxidants having at least one alkyl group at the ortho position of the phenol nucleus, examples of the phenolic compound-based antioxidants having such solubility include 4,4'-butylidenebis- (6-t-butyl-3 -Methylphenol), tetrakis [methylene-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] methane, 3,9-bis [2- [3- (3-t -Butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionyloxy] -1,1-dimethylethyl] -2,4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane, triethylene glycol bis [3- ( 3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionate].
또한, 상기 에폭시 수지에 용해되는 페놀 화합물계 산화 방지제 중에서도, 페놀핵의 오르토 위치에 하나의 메틸기를 갖는 페놀 화합물계 산화 방지제가 더욱 바람직하다. 이는 메틸기가 입체 장해가 적고, 또한 전자 공여기이며, 산화 방지제의 페놀 수산기의 홀 전자가 보다 양극 금속 표면에 배위하기 쉽기 때문이라고 생각된다. 이러한 페놀 화합물계 산화 방지제로는 3,9-비스[2-〔3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시〕-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 트리에틸렌글리콜비스〔3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트〕 등을 들 수 있다. Moreover, among the phenolic compound type antioxidant which melt | dissolves in the said epoxy resin, the phenolic compound type antioxidant which has one methyl group in the ortho position of a phenol nucleus is more preferable. It is considered that this is because the methyl group has little steric hindrance, is an electron donating group, and the hole electrons of the phenol hydroxyl group of the antioxidant are more likely to coordinate on the surface of the anode metal. Such phenolic compound-based antioxidants include 3,9-bis [2- [3- (3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionyloxy] -1,1-dimethylethyl] -2, 4,8,10- tetraoxaspiro [5.5] undecane, triethylene glycol bis [3- (3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionate], and the like.
또한, 디시클로헥실아민으로는 상온에서의 성상이 액체이고, 고형, 분말인 산화 방지제와 비교하여 전자 부품용 액상 수지 조성물의 점도, 침투성, 유동성을 손상시키지 않고 균일하게 분산된다는 이점이 있다.In addition, dicyclohexylamine is advantageous in that its properties at room temperature are liquid and uniformly dispersed without compromising the viscosity, permeability, and fluidity of the liquid resin composition for electronic components, compared to solid and powdered antioxidants.
상기 페놀 화합물계 산화 방지제의 배합량은, (A) 에폭시 수지에 대해서 0.1 내지 10 질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 5.0 질량%이다. 0.1 질량% 미만이면 마이그레이션의 억제 효과가 저하되고, 10 질량%를 초과하면 전자 부품용 액상 수지 조성물의 유동성이 저하되는 경향이 있다. 또한, 상기 페놀 화합물계 산화 방지제의 (A) 에폭시 수지에 대한 포화 용해량 D가 5 질량%<D<10 질량%인 경우의 배합량은 0.1 내지 D 질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 5.0 질량%이다. As for the compounding quantity of the said phenolic compound type antioxidant, 0.1-10 mass% is preferable with respect to (A) epoxy resin, More preferably, it is 0.5-5.0 mass%. If it is less than 0.1 mass%, the inhibitory effect of migration will fall, and when it exceeds 10 mass%, there exists a tendency for the fluidity | liquidity of the liquid resin composition for electronic components to fall. Moreover, 0.1-D mass% is preferable, and, as for the compounding quantity when saturated dissolution amount D with respect to (A) epoxy resin of the said phenolic compound type antioxidant is 5 mass% <D <10 mass%, More preferably, it is 0.5- 5.0 mass%.
상기 디시클로헥실아민의 배합량은, (A) 에폭시 수지에 대해서 0.1 내지 30 질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 10 질량%이다. 0.1 질량% 미만이면 마이그레이션의 억제 효과가 저하되고, 30 질량%를 초과하면 전자 부품용 액상 수지 조성물의 보존 안정성 및 경화물의 유리 전이 온도가 저하되는 경향이 있다.As for the compounding quantity of the said dicyclohexylamine, 0.1-30 mass% is preferable with respect to (A) epoxy resin, More preferably, it is 0.5-10 mass%. If it is less than 0.1 mass%, the inhibitory effect of migration will fall, and when it exceeds 30 mass%, there exists a tendency for the storage stability of the liquid resin composition for electronic components, and the glass transition temperature of hardened | cured material to fall.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물이 적용되는 배선판 및 반도체 장치의 배선간 또는 범프간 갭이 20 ㎛ 이하인 경우는 갭 사이의 충전성이나 유동성을 양호하게 하기 위해, 전자 부품용 액상 수지 조성물에 불용인 고형 화합물의 배합량은 10 질량% 이하가 바람직하고, 5 질량% 이하가 보다 바람직하다. 한편, 본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물이 적용되는 배선판 및 반도체 장치의 배선간 또는 범프간 갭이 20 ㎛를 초과하는 경우이고, 나아가 내마이그레이션성의 향상이 필요한 경우는, 배선판 및 반도체 장치와의 열팽창계수차를 보충하는 것을 목적으로, 갭 사이의 충전성이나 유동성을 손상시키지 않는 범위에서 무기 충전제를 배합하는 것이 가능하다. 무기 충전제로는 전자 부품용 액상 수지 조성물에 일반적으로 사용됨으로써 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카 등의 실리카, 탄산칼슘, 탈크, 클레이, 산화알루미나 등의 알루미나, 질화규소, 탄화규소, 질화붕소, 규산칼슘, 티탄산칼륨, 질화알루미늄, 베릴리아, 지르코니아, 지르콘, 포스테라이트, 스테어타이트, 스피넬, 멀라이트, 티타니아 등의 분체, 또는 이들을 구형화한 비드, 유리 섬유 등을 들 수 있다. 또한, 알콕시드 화합물의 가수분해·축합 반응에 의해 얻어지는 나노 실리카 등의 무기 나노 입자를 충전제로서 이용할 수도 있다. 이들 무기 충전제는 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. In the case where the gap between wirings and bumps of the wiring board and semiconductor device to which the liquid resin composition for electronic component of the present invention is applied is 20 µm or less, it is insoluble in the liquid resin composition for electronic component in order to improve the filling and fluidity between the gaps. 10 mass% or less is preferable, and, as for the compounding quantity of a phosphorus solid compound, 5 mass% or less is more preferable. On the other hand, the gap between the wiring or bump between the wiring board and semiconductor device to which the liquid resin composition for an electronic component of the present invention is applied exceeds 20 µm, and furthermore, when the migration resistance needs to be improved, In order to compensate for thermal expansion coefficient aberration, it is possible to mix | blend an inorganic filler in the range which does not impair the filling property or fluidity between gaps. The inorganic filler is generally used in liquid resin compositions for electronic parts, and is not particularly limited. Examples thereof include silica such as fused silica, crystalline silica and synthetic silica, calcium carbonate, talc, clay, alumina such as alumina, silicon nitride, Silicon carbide, boron nitride, calcium silicate, potassium titanate, aluminum nitride, beryllia, zirconia, zircon, forsterite, stearite, spinel, mullite, titania, or other powders such as spheres, beads, glass fibers, etc. Can be mentioned. Moreover, inorganic nanoparticles, such as nano silica obtained by the hydrolysis-condensation reaction of an alkoxide compound, can also be used as a filler. These inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more thereof.
무기 충전제의 형상은, 유동성 등의 성형성의 관점에서 구형에 가까운 것이 바람직하다. 무기 충전제의 평균입경은 5 nm 내지 10 ㎛의 범위가 바람직하다. 10 ㎛를 초과하면 충전재 침강을 일으키기 쉬워지거나, 전자 부품용 액상 수지 조성물의 미세 간극으로의 침투성·유동성이 저하되어 공극·미충전을 초래하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 이들 충전제는 필요에 따라서 표면을 커플링 처리한 것을 이용할 수도 있다. 무기 충전제의 배합량은, 전자 부품용 액상 수지 조성물의 10 질량% 이하가 바람직하고, 5 질량% 이하가 더욱 바람직하다. 10 질량%를 초과한 경우, 전자 부품용 액상 수지 조성물의 경화물과 필름 기판을 이용한 연성 배선판과의 선팽창 계수차가 커져, 양자의 계면에서 박리가 발생하기 쉬워진다. 또한, 무기 충전제량이 많으면 전자 부품용 액상 수지 조성물의 점도가 높아지고, 표면장력이 높아지기 때문에, 유동성이 저하되는 경향이 있다.It is preferable that the shape of an inorganic filler is close to spherical from a moldability viewpoint, such as fluidity | liquidity. The average particle diameter of the inorganic filler is preferably in the range of 5 nm to 10 m. When it exceeds 10 micrometers, it will become easy to produce a settling of a filler, or the permeability and fluidity to the microgap of the liquid resin composition for electronic components will fall, and there exists a tendency which becomes easy to cause a space | gap and an unfilled. Moreover, these fillers can also use what couple | coated the surface as needed. 10 mass% or less of the liquid resin composition for electronic components is preferable, and, as for the compounding quantity of an inorganic filler, 5 mass% or less is more preferable. When it exceeds 10 mass%, the linear expansion coefficient difference between the hardened | cured material of the liquid resin composition for electronic components and a flexible wiring board using a film board | substrate becomes large, and peeling occurs easily at both interfaces. Moreover, when there is much inorganic filler amount, since the viscosity of the liquid resin composition for electronic components becomes high and surface tension becomes high, there exists a tendency for fluidity to fall.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는, 필요에 따라서 (A) 성분의 에폭시 수지와 (B) 성분을 포함하는 경화제의 반응을 촉진시키는 경화 촉진제를 이용하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제로는 경화성과 가용 시간을 양립하기 위해서는 잠재성 경화 촉진제가 바람직하다. 잠재성 경화 촉진제란, 어떤 특정한 온도 등의 조건으로 경화 촉진 기능이 발현되는 것으로, 예를 들면 통상의 경화 촉진제가 마이크로 캡슐 등으로 보호되거나 각종 화합물과 부가한 염의 구조로 되어 있는 것을 들 수 있다. 이 경우, 특정한 온도를 초과하면 마이크로 캡슐이나 부가물로부터 경화 촉진제가 개방된다. It is preferable to use the hardening accelerator which accelerates | stimulates reaction of the hardening | curing agent containing the epoxy resin of (A) component and (B) component as needed for the liquid resin composition for electronic components of this invention. As a hardening accelerator, a latent hardening accelerator is preferable in order to make curability and a usable time compatible. A latent hardening accelerator expresses hardening accelerator function on conditions, such as specific temperature, and the thing of which a normal hardening accelerator is protected by a microcapsule, etc., or has a structure of various compounds and the added salt is mentioned, for example. In this case, the cure accelerator is opened from the microcapsules or adducts above a certain temperature.
잠재성 경화 촉진제의 예로는 상온 고체의 아미노기를 갖는 화합물을 코어로 하여, 상온 고체의 에폭시 화합물의 쉘을 피복하여 이루어지는 코어쉘 입자를 들 수 있고, 시판품으로서 아미큐어(아지노모또 가부시끼가이샤 제조, 등록상표)나, 마이크로 캡슐화된 아민을 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지에 분산시킨 노바큐어(아사히 가세이 케미컬즈 가부시끼가이샤 제조, 등록상표) 등을 사용할 수 있다.Examples of the latent curing accelerator include core shell particles formed by coating a shell of an epoxy compound of a room temperature solid using a compound having an amino group of a room temperature solid as a core, and are commercially available products such as Amicure (manufactured by Ajinomoto Co., Ltd.). , Novacure (Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd. make) which disperse | distributed microencapsulated amine to bisphenol-A epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, etc. can be used.
또한, 전자 부품용 액상 수지 조성물계에 불용인 고체 입자에서 가열 성형시에 해리하여 경화 촉진 작용을 발현하는 아민 화합물 또는 인 화합물의 염류 및 이들에 π 결합을 갖는 화합물을 부가하여 이루어지는 분자내 분극을 갖는 화합물을 잠재성 경화 촉진제로서 사용할 수 있다. Further, intramolecular polarization formed by adding salts of amine compounds or phosphorus compounds that dissociate at the time of heat molding from solid particles that are insoluble in the liquid resin composition system for electronic components and express hardening promoting action, and compounds having π bonds thereto are added. The compound which has can be used as a latent hardening accelerator.
이들을 예시하면 1,8-디아자-비시클로(5,4,0)운데센-7,1,5-디아자-비시클로(4,3,0)노넨, 5,6-디부틸아미노-1,8-디아자-비시클로(5,4,0)운데센-7 등의 시클로아미딘 화합물과 π 결합을 갖는 화합물을 부가하여 이루어지는 분자내 분극을 갖는 화합물, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민 화합물의 유도체, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등의 이미다졸 화합물의 유도체, 트리부틸포스핀, 메틸디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀, 페닐포스핀 등의 유기 포스핀 화합물에 무수 말레산, 1,4-벤조퀴논, 2,5-톨루퀴논, 1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸벤조퀴논, 2,6-디메틸벤조퀴논, 2,3-디메톡시-5-메틸-1,4-벤조퀴논, 2,3-디메톡시-1,4-벤조퀴논, 페닐-1,4-벤조퀴논 등의 퀴논 화합물, 디아조페닐메탄, 페놀 수지 등의 π 결합을 갖는 화합물을 부가하여 이루어지는, 분자내 분극을 갖는 인 화합물 및 이들 유도체, 트리페닐포스핀트리페닐보론, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸테트라페닐보레이트, N-메틸모르폴린테트라페닐보레이트 등의 페닐보론염 및 이들 유도체 등을 들 수 있고, 이들 1종을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.Examples thereof include 1,8-diaza-bicyclo (5,4,0) undecene-7,1,5-diaza-bicyclo (4,3,0) nonene, 5,6-dibutylamino- A compound having an intramolecular polarization formed by adding a cycloamidine compound such as 1,8-diaza-bicyclo (5,4,0) undecene-7 and a compound having π bond, triethylenediamine, benzyldimethylamine , Derivatives of tertiary amine compounds such as triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris (dimethylaminomethyl) phenol, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2 Derivatives of imidazole compounds such as -phenyl-4-methylimidazole, 2-heptadecylimidazole, tributylphosphine, methyldiphenylphosphine, triphenylphosphine, diphenylphosphine, phenylphosphine, and the like. Maleic anhydride, 1,4-benzoquinone, 2,5-toluquinone, 1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylbenzoquinone, 2,6-dimethylbenzoquinone, 2, 3-dimethoxy-5-methyl-1,4-benzoquinone, 2,3 -Phosphorus compound which has intramolecular polarization formed by adding the compound which has (pi) bonds, such as quinone compounds, such as dimethoxy- 1, 4- benzoquinone, and phenyl- 1, 4- benzoquinone, diazophenylmethane, a phenol resin, etc. And phenylboron salts such as triphenylphosphinetriphenylboron, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate, N-methylmorpholine tetraphenylborate, and derivatives thereof. These etc. can be mentioned, These 1 type can be used individually, or can also be used in combination of 2 or more type.
그 중에서도, 보존 안정성, 속경화성의 관점에서는, 마이크로 캡슐화된 아민을 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지에 분산시킨 것이 바람직하다. Especially, it is preferable to disperse | distribute microencapsulated amine to bisphenol-A epoxy resin and bisphenol-F epoxy resin from a viewpoint of storage stability and fast hardenability.
경화 촉진제의 배합량은, 경화 촉진 효과가 달성되는 양이면 특별히 제한되는 것은 아니지만, 비잠재성의 것도 포함시킨 전체량에서 (A) 에폭시 수지에 대하여 0.1 내지 40 질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 30 질량%이다. 0.1 질량% 미만이면 단시간에서의 경화성이 떨어지는 경향이 있고, 40 질량%를 초과하면 경화 속도가 지나치게 빨라 제어가 곤란해지거나 가용 시간, 쉘 수명 등의 보존 안정성이 떨어지는 경향이 있다. Although the compounding quantity of a hardening accelerator will not be restrict | limited especially if it is an amount which hardening acceleration effect is achieved, 0.1-40 mass% is preferable with respect to (A) epoxy resin in the total amount which included non-latent thing, More preferably, it is 0.5 To 30 mass%. If it is less than 0.1 mass%, there exists a tendency for the sclerosis | hardenability in a short time to fall, and when it exceeds 40 mass%, there exists a tendency for hardening rate to become too fast, and control becomes difficult, or storage stability, such as a usable time and shell life, is inferior.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는, 에폭시 수지 경화물의 강인화나 저탄성률화를 도모하기 위해서, 공지된 각종 고무 입자를 배합하는 것이 바람직하다. 상기 고무 입자는 에폭시 수지와 비상용성의 것이 경화물의 유리 전이 온도(내열성)를 낮추지 않고 탄성률을 낮추는 데에 유효하다. 구체적으로는, 예를 들면 부타디엔·아크릴로니트릴·스티렌계 공중합체나 상기 중합체의 말단 또는 측쇄에 에폭시기, 아미노기, 카르복실기, 수산기 등을 갖는 변성 공중합체, 말단 또는 측쇄에 에폭시기, 아미노기, 카르복실기, 수산기 등을 갖는 변성 실리콘계 엘라스토머 등을 들 수 있다. 고무 입자는 취급성이나 수지 성분과의 분산성의 관점에서, 미분말상으로 미리 에폭시 수지나 경화제에 미세하게 분산시킨 것을 이용하는 것이 바람직하다. 수지 조성물 중에 똑같이 혼합할 수 있기 때문에, 상온에서 액상인 고무 변성 에폭시 수지(액상 에폭시 수지와 고무 입자를 가열 용융한 것)인 것이 바람직하다. 고무 입자의 함유에 의해서 전자 부품용 액상 수지 조성물의 경화물과 기판 등과의 밀착성이 향상되고, 내고온 고습성 등의 신뢰성 향상이 도모된다.It is preferable to mix | blend well-known various rubber particle with the liquid resin composition for electronic components of this invention, in order to aim at toughening of an epoxy resin hardened | cured material, and low elastic modulus. The said rubber particle is effective in reducing an elastic modulus, without incompatible with an epoxy resin, lowering the glass transition temperature (heat resistance) of hardened | cured material. Specifically, butadiene acrylonitrile styrene-based copolymers or modified copolymers having an epoxy group, an amino group, a carboxyl group, a hydroxyl group or the like on the terminal or side chain of the polymer, an epoxy group, an amino group, a carboxyl group, a hydroxyl group on the terminal or side chain Modified silicone elastomers etc. which have etc. are mentioned. It is preferable to use what disperse | distributed finely to an epoxy resin or a hardening | curing agent previously in fine powder form from a viewpoint of handleability and the dispersibility with a resin component. Since it can mix similarly in a resin composition, it is preferable that it is a rubber modified epoxy resin (The thing which heated-melted liquid epoxy resin and rubber particle) at normal temperature. By containing rubber particle, adhesiveness with the hardened | cured material of the liquid resin composition for electronic components, a board | substrate, etc. improves, and reliability improvement, such as high temperature, high humidity resistance, is attained.
또한, 본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는, 배선판 및 반도체 장치로의 적용시에 충전성이나 유동성을 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라서 이온 트랩제를 내마이그레이션성, 내습성 및 고온 방치 특성을 향상시키는 관점에서 함유하는 것이 바람직하다. 이온 트랩제로는 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있으며, 특히 하기 화학식 1로 표시되는 히드로탈사이트 또는 화학식 2로 표시되는 비스무스의 함수 산화물이 바람직하다.The liquid resin composition for electronic components of the present invention is also characterized in that the ion trapping agent is migrated, moisture-resistant, and high-temperature-resisting, if necessary, in a range that does not impair the filling properties and fluidity during application to wiring boards and semiconductor devices. It is preferable to contain from a viewpoint of improving this. There is no restriction | limiting in particular as an ion trap agent, A conventionally well-known thing can be used, Especially the hydrotalcite represented by following formula (1) or the bismuth hydrous oxide represented by formula (2) is preferable.
(식 중, 0<X≤0.5, m은 양수)(Where 0 <X≤0.5, m is positive)
(식 중, 0.9≤x≤1.1, 0.6≤y≤0.8, 0.2≤z≤0.4)(Wherein 0.9≤x≤1.1, 0.6≤y≤0.8, 0.2≤z≤0.4)
이들 이온 트랩제의 첨가량으로는 할로겐 이온 등의 음이온을 포착할 수 있는 충분한 양이면 특별히 제한은 없지만, 내마이그레이션성의 관점에서 전자 부품용 액상 수지 조성물에 대하여 0.1 내지 3.0 질량%가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 1.5 질량%이다. 이온 트랩제의 평균입경은 0.1 내지 3.0 ㎛가 바람직하고, 최대입경은 10 ㎛ 이하가 바람직하다. 또한, 상기 화학식 1의 화합물은 시판품으로서 교와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조 상품명 DHT-4A로서 입수 가능하다. 또한, 상기 화학식 2의 화합물은 시판품으로서 도아 고세이 가부시끼가이샤 제조 상품명 IXE500으로서 입수 가능하다. 또한, 필요에 따라서 그 밖의 이온 트랩제를 첨가할 수도 있다. 예를 들면, 마그네슘, 알루미늄, 티탄, 지르코늄, 안티몬 등으로부터 선택되는 원소의 함수 산화물 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The addition amount of these ion trapping agents is not particularly limited as long as it is a sufficient amount capable of trapping anions such as halogen ions, but from the viewpoint of migration resistance, 0.1 to 3.0 mass% is preferable, and more preferable, from the liquid resin composition for electronic components. Preferably it is 0.3-1.5 mass%. The average particle diameter of the ion trapping agent is preferably 0.1 to 3.0 mu m, and the maximum particle diameter is preferably 10 mu m or less. In addition, the compound of the formula (1) can be obtained as a commercially available product under the trade name DHT-4A manufactured by Kyowa Kagaku Kogyo Co., Ltd .. In addition, the compound of the said Formula (2) can be obtained as a commercial item as a brand name IXE500 by Toagosei Co., Ltd .. Moreover, you may add another ion trap agent as needed. For example, a hydrous oxide of an element selected from magnesium, aluminum, titanium, zirconium, antimony and the like, and the like can be used alone or in combination of two or more thereof.
또한, 본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는, 필요에 따라서 상기 (A) 에폭시 수지 성분과는 별도로 실리콘 변성 에폭시 수지를 첨가하는 것이 바람직하다. 실리콘 변성 에폭시 수지를 첨가함으로써 전자 부품용 액상 수지 조성물의 레벨링성, 필렛 형성성, 공극 감소에 효과가 있다. 실리콘 변성 에폭시 수지는 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 오르가노실록산과 에폭시 수지의 반응물로서 얻을 수 있지만, 상온에서 액상인 것이 바람직하다. 실리콘 변성 에폭시 수지는 액체의 표면에 국재화되어, 액체의 표면장력을 낮출 수 있다. 이에 의해 습윤성이 높고, 유동하기 쉬워지기 때문에, 좁은 갭으로의 침투성 향상이나 권취 공극의 감소에 효과가 있다.Moreover, it is preferable to add a silicone modified epoxy resin to the liquid resin composition for electronic components of this invention separately from the said (A) epoxy resin component as needed. By adding a silicone modified epoxy resin, it is effective in the leveling property, fillet formation property, and space | gap reduction of the liquid resin composition for electronic components. The silicone-modified epoxy resin can be obtained as a reactant of an organosiloxane having an functional group reacting with an epoxy group and an epoxy resin, but is preferably liquid at room temperature. The silicone-modified epoxy resin may be localized on the surface of the liquid to lower the surface tension of the liquid. Thereby, since wettability becomes high and it flows easily, it is effective in the improvement of permeability to a narrow gap, and reduction of a winding space | gap.
여기서 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 오르가노실록산을 예시하면, 아미노기, 카르복실기, 수산기, 페놀성 수산기, 메르캅토기 등을 1 분자 중에 1개 이상 갖는 디메틸실록산, 디페닐실록산, 메틸페닐실록산 등을 들 수 있다. 오르가노실록산의 중량 평균 분자량으로는 500 내지 5000의 범위가 바람직하다. 그 이유로는 500 미만이면 수지계와의 상용성이 지나치게 양호해져 첨가제로서의 효과가 충분히 발휘되지 않으며, 5000을 초과하면 수지계에 비상용이 되기 때문에 실리콘 변성 에폭시 수지가 성형시에 분리·삼투가 발생하여, 접착성이나 외관을 손상시키기 때문이다.Examples of the organosiloxane having a functional group reacting with an epoxy group include dimethylsiloxane, diphenylsiloxane, methylphenylsiloxane and the like having one or more amino groups, carboxyl groups, hydroxyl groups, phenolic hydroxyl groups, and mercapto groups in one molecule. have. As a weight average molecular weight of organosiloxane, the range of 500-5000 is preferable. For this reason, if it is less than 500, the compatibility with the resin system is too good, and the effect as an additive is not sufficiently exhibited. If it exceeds 5000, it is incompatible with the resin system. This is because it damages the appearance or appearance.
실리콘 변성 에폭시 수지를 얻기 위한 에폭시 수지로는 전자 부품용 액상 수지 조성물의 수지계에 상용하는 것이면 특별히 제한은 없고, 전자 부품용 액상 수지 조성물에 일반적으로 사용되고 있는 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 예를 들면 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S, 나프탈렌디올, 수소 첨가 비스페놀 A 등과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지를 비롯한 페놀류와 알데히드류를 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락 수지를 에폭시화한 노볼락형 에폭시 수지, 프탈산, 다이머산 등의 다염기산과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 디아미노디페닐메탄, 이소시아누르산 등의 폴리아민과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 올레핀 결합을 과아세트산 등의 과산으로 산화하여 얻어지는 선상 지방족 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있지만, 상온 액상인 것이 바람직하다. The epoxy resin for obtaining the silicone-modified epoxy resin is not particularly limited as long as it is compatible with the resin system of the liquid resin composition for electronic components, and epoxy resins generally used in the liquid resin composition for electronic components can be used, for example, bisphenols. Phenols and aldehydes, including glycidyl ether type epoxy resins and orthocresol novolac type epoxy resins obtained by the reaction of A, bisphenol F, bisphenol AD, bisphenol S, naphthalenediol, hydrogenated bisphenol A and epichlorohydrin Glycidyl ester type epoxy resin obtained by reaction of polybasic acids, such as a novolak-type epoxy resin which epoxidized the novolak resin obtained by condensation or cocondensation, phthalic acid, dimer acid, and epichlorohydrin, diamino diphenylmethane, Of polyamines and epichlorohydrin such as isocyanuric acid The linear aliphatic epoxy resin obtained by oxidizing the glycidylamine type | mold epoxy resin obtained by coagulation, an olefin bond with peracids, such as peracetic acid, an alicyclic epoxy resin, etc. are mentioned, These are used individually or in combination of 2 or more types Although it can use, it is preferable that it is a normal temperature liquid phase.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는, 그 밖의 첨가제로서 염료, 카본 블랙, 산화티탄, 연단(鉛丹) 등의 착색제, 난연제, 희석제, 다른 레벨링제, 다른 응력 완화제, 소포제, 접착 촉진제 등을 배선판 및 반도체 장치로의 적용시에 충전성이나 유동성을 손상시키지 않는 범위에서 필요에 따라서 배합할 수 있다.In the liquid resin composition for electronic parts of the present invention, other additives include colorants such as dyes, carbon black, titanium oxide, and podium, flame retardants, diluents, other leveling agents, other stress relaxation agents, antifoaming agents, adhesion promoters, and the like. It can mix | blend as needed in the range which does not impair filling property and fluidity at the time of application to a wiring board and a semiconductor device.
난연제로는, 브롬화 에폭시 수지나 삼산화안티몬을 사용할 수 있지만, 비할로겐, 비안티몬, 난연제를 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 적인, 페놀 수지 등의 열경화성 수지 등으로 피복된 적인, 인산에스테르, 산화트리페닐포스핀 등의 인 화합물, 멜라민, 멜라민 유도체, 멜라민 변성 페놀 수지, 트리아진환을 갖는 화합물, 시아누르산 유도체, 이소시아누르산 유도체 등의 질소 함유 화합물, 시클로포스파젠 등의 인 및 질소 함유 화합물, 디시클로펜타디에닐철 등의 금속 착체 화합물, 산화아연, 주석산아연, 붕산아연, 몰리브덴산아연 등의 아연 화합물, 산화철, 산화몰리브덴 등의 금속 산화물, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘 등의 금속 수산화물, 하기 화학식 3으로 표시되는 복합 금속 수산화물 등을 들 수 있다.As the flame retardant, a brominated epoxy resin or antimony trioxide can be used, but non-halogen, antimony and flame retardant are preferably used. For example, phosphorus compounds such as phosphoric acid esters and triphenylphosphine oxides, melamine, melamine derivatives, melamine-modified phenolic resins, compounds having triazine rings, and cyanuric acid, which are coated with thermosetting resins such as red and phenol resins Nitrogen-containing compounds such as derivatives and isocyanuric acid derivatives, phosphorus and nitrogen-containing compounds such as cyclophosphazene, metal complex compounds such as dicyclopentadienyl iron, zinc oxide, zinc stannate, zinc borate and zinc molybdate zinc A metal oxide, such as a compound, iron oxide, molybdenum oxide, metal hydroxides, such as aluminum hydroxide and magnesium hydroxide, the composite metal hydroxide represented by following formula (3), etc. are mentioned.
(식 중, M1, M2 및 M3은 서로 다른 금속 원소를 나타내고, a, b, c, d, p, q 및 m은 양수, r는 0 또는 양수를 나타낸다)(Wherein M 1 , M 2 and M 3 represent different metal elements, a, b, c, d, p, q and m are positive, r is 0 or positive)
상기 화학식 3 중 M1, M2 및 M3은 서로 다른 금속 원소이면 특별히 제한은 없지만, 난연성의 관점에서는, M1이 제3주기의 금속 원소, IIA족의 알칼리 토금속 원소, IVB족, IIB족, VIII족, IB족, IIIA족 및 IVA족에 속하는 금속 원소로부터 선택되고, M2가 IIIB 내지 IIB족의 전이 금속 원소로부터 선택되는 것이 바람직하며, M1이 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 주석, 티탄, 철, 코발트, 니켈, 구리 및 아연으로부터 선택되고, M2가 철, 코발트, 니켈, 구리 및 아연으로부터 선택되는 것이 보다 바람직하다. 유동성의 관점에서는, M1이 마그네슘, M2가 아연 또는 니켈이고, r=0인 것이 바람직하다. p, q 및 r의 몰비는 특별히 제한은 없지만, r=0이고, p/q가 1/99 내지 1/1인 것이 바람직하다. 또한, 금속 원소의 분류는, 전형 원소를 A 아족, 전이 원소를 B 아족으로 하는 장주기형의 주기율표에 기초하여 행하였다. 상기한 난연제는 1종을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. M 1 , M 2 and M 3 in Formula 3 are not particularly limited as long as they are different metal elements, but from the viewpoint of flame retardancy, M 1 is a metal element of a third cycle, an alkaline earth metal element of group IIA, group IVB, group IIB , Group VIII, group IB, group IIIA and group IVA, M 2 is preferably selected from transition metal elements of groups IIIB to IIB, and M 1 is magnesium, calcium, aluminum, tin, titanium , Iron, cobalt, nickel, copper and zinc, and M 2 is more preferably selected from iron, cobalt, nickel, copper and zinc. From the viewpoint of fluidity, it is preferable that M 1 is magnesium, M 2 is zinc or nickel, and r = 0. The molar ratios of p, q and r are not particularly limited, but r = 0, and it is preferable that p / q is 1/99 to 1/1. In addition, classification of a metal element was performed based on the long-period periodic table which makes a typical element A subgroup and a transition element B subgroup. Said flame retardant may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.
희석제로서, 점도 조정을 위해 에폭시기를 갖는 반응성 희석제를 혼합할 수도 있다. 에폭시기를 갖는 반응성 희석제로는, 예를 들면 n-부틸글리시딜에테르, 버사트산글리시딜에테르, 스티렌옥시드, 에틸헥실글리시딜에테르, 페닐글리시딜에테르, 부틸페닐글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르를 들 수 있다. 이들 1종을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.As a diluent, you may mix the reactive diluent which has an epoxy group for viscosity adjustment. As a reactive diluent which has an epoxy group, n-butylglycidyl ether, a glycidyl ether of versatate, styrene oxide, ethylhexyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, butylphenyl glycidyl ether, 1, 6- hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, and trimethylol propane triglycidyl ether are mentioned. You may use these 1 type individually or in combination of 2 or more types.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물은, 상기 각종 성분을 균일하게 분산 혼합할 수 있는 것이면, 어떠한 수법을 이용하여도 제조할 수 있지만, 일반적인 수법으로 소정의 배합량의 성분을 칭량하고, 분쇄기, 믹싱 롤, 유성형 믹서 등을 이용하여 혼합, 혼련하고, 필요에 따라서 탈포함으로써 얻을 수 있다.Although the liquid resin composition for electronic components of this invention can be manufactured using what kind of method as long as it can disperse | distribute and mix said various components uniformly, it grind | pulverizes and mixes the component of a predetermined compounding quantity by a general method, It can obtain by mixing and kneading | mixing using a roll, a planetary mixer, etc., and defoaming as needed.
본 발명에서 얻어지는 전자 부품용 액상 수지 조성물에 의해 소자를 밀봉하여 얻어지는 전자 부품 장치로는, 리드 프레임, 배선 완료 테이프 캐리어, 리지드 및 연성 배선판, 유리, 실리콘 웨이퍼 등의 지지 부재에 반도체칩, 트랜지스터, 다이오드, 사이리스터 등의 능동 소자, 컨덴서, 저항체, 저항 어레이, 코일, 스위치 등의 수동 소자 등의 소자를 탑재하고, 필요한 부분을 본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물로 밀봉하여 얻어지는 전자 부품 장치 등을 들 수 있다. 특히, 필름을 기재로 하는 배선 기판 상에 전자 부품을 직접 범프 접속한 전자 부품 장치의 밀봉에 이용되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 리지드 및 연성 배선판이나 유리 상에 형성한 배선에 반도체 소자를 범프 접속에 의한 플립 칩 본딩한 반도체 장치가 대상이 된다. 구체적인 예로는 플립 칩 BGA나 COF(Chip On Film) 등의 반도체 장치를 들 수 있고, 특히 본 발명에서 얻어지는 전자 부품용 액상 수지 조성물은 내마이그레이션성이 우수한 COF용 언더필재로서 바람직하다. 또한, 인쇄 회로판에도 본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물은 유효하게 사용할 수 있다.As an electronic component apparatus obtained by sealing an element with the liquid resin composition for electronic components obtained by this invention, it supports a semiconductor chip, a transistor, a support frame, such as a lead frame, a wiring completed tape carrier, a rigid and flexible wiring board, glass, a silicon wafer, An electronic component device obtained by mounting an element such as a passive element such as a diode, a thyristor, a capacitor, a resistor, a resistor array, a coil, a switch, and the like, and sealing a necessary portion with the liquid resin composition for an electronic component of the present invention. Can be mentioned. In particular, it is preferable to be used for sealing of the electronic component apparatus which bump-connected an electronic component directly on the wiring board based on a film. For example, the semiconductor device which flip-bonded the semiconductor element by bump connection to the wiring formed on the rigid, flexible wiring board, or glass is object. Specific examples include semiconductor devices such as flip chip BGA and Chip On Film (COF), and in particular, the liquid resin composition for electronic components obtained in the present invention is preferable as an underfill material for COF having excellent migration resistance. Moreover, the liquid resin composition for electronic components of this invention can also be used effectively for a printed circuit board.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 이용하여 소자를 밀봉하는 방법으로는 디스펜스 방식, 주형 방식, 인쇄 방식 등을 들 수 있다. As a method of sealing an element using the liquid resin composition for electronic components of this invention, a dispensing system, a casting system, a printing system, etc. are mentioned.
<실시예><Examples>
이어서 실시예에 의해 본 발명을 설명하지만, 본 발명의 범위가 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. Next, although an Example demonstrates this invention, the scope of the present invention is not limited to these Examples.
(실시예 1 내지 5 및 비교예)(Examples 1 to 5 and Comparative Examples)
(A) 에폭시 수지로서(A) as epoxy resin
에폭시 당량 160의 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지(도토 가세이 가부시끼가이샤 제조 상품명 YDF-8170C), Bisphenol F type liquid epoxy resin (brand name YDF-8170C manufactured by Toto Kasei Kabushiki Kaisha) of epoxy equivalent 160,
에폭시 당량 140의 나프탈렌형 에폭시 수지(다이닛본 잉크 고교 가부시끼가이샤 제조 상품명 HP-4032), Naphthalene type epoxy resin of epoxy equivalent 140 (Daninippon Ink Industries, Ltd. make brand name HP-4032),
고무 입자 성분으로서 As a rubber particle component
아크릴로니트릴·부타디엔·메타크릴산·디비닐벤젠 공중합물(JSR 가부시끼가이샤 제조 상품명 XER-91P)을 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지(YDF-8170C)에 질량비 1/4로 미리 가열 혼융, 미분산시킨 고무 변성 에폭시 수지,Acrylonitrile, butadiene, methacrylic acid, divinylbenzene copolymer (JSR-BK brand name XER-91P) was premixed by heating to a bisphenol F type liquid epoxy resin (YDF-8170C) at a mass ratio of 1/4, and not dispersed. Rubber modified epoxy resin,
레벨링제로서As leveling agent
수산기 당량 750의 페놀 변성 실리콘(도레이 다우코닝 실리콘 제조 상품명 BY16-799)과 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지(YDF-8170C)를 질량비 1/1로 가열 혼융하여 얻어진 실리콘 변성 에폭시 수지, Silicone-modified epoxy resin obtained by heat-melting a phenol-modified silicone (trade name BY16-799 manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd. BYBY-7-799) and bisphenol F-type liquid epoxy resin (YDF-8170C) having a hydroxyl equivalent of 750 at a mass ratio of 1/1.
(B) 환상 산무수물로서 (B) as a cyclic acid anhydride
상온 액체 또한 무수산 당량 234의 환상 산무수물(재팬 에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조 상품명 jER 큐어 YH306)Cyclic acid anhydride of normal temperature liquid and anhydrous acidic equivalent 234 (Japan Epoxy Resin Co., Ltd. brand name jER cure YH306)
(C) 커플링제로서(C) as coupling agent
γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(신에쯔 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조 상품명 KBM-403), γ-glycidoxy propyl trimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make brand name KBM-403),
(D) 산화 방지제로서(D) as antioxidant
4,4'-부틸리덴비스-(6-t-부틸-3-메틸페놀)(가부시끼가이샤 에이피아이 코포레이션 제조 상품명 요시녹스 BB; 산화 방지제 1), 4,4'- butylidene bis- (6-t- butyl- 3-methyl phenol) (the brand name Yoshinox BB; antioxidant 1),
테트라키스[메틸렌-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄(가부시끼가이샤 에이피아이 코포레이션 제조 상품명 토미녹스 TT; 산화 방지제 2),Tetrakis [methylene-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] methane (manufactured by AP Co., Ltd. product name Tommy Knox TT; antioxidant 2),
3,9-비스[2-〔3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시〕-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸(가부시끼가이샤 ADEKA 제조 상품명 AO-80; 산화 방지제 3), 트리에틸렌글리콜비스〔3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트〕(가부시끼가이샤 에이피아이 코포레이션 제조 상품명 요시녹스 917; 산화 방지제 4),3,9-bis [2- [3- (3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionyloxy] -1,1-dimethylethyl] -2,4,8,10-tetraoxa Spiro [5.5] undecane (trade name AO-80 manufactured by ADEKA; antioxidant 3), triethylene glycol bis [3- (3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionate] ( Yoshinox 917; antioxidant 4)
디시클로헥실아민(신닛본 케미컬 가부시끼가이샤 제조 상품명 D-CHA-T; 산화 방지제 5), Dicyclohexylamine (Shin-Nibbon Chemical Co., Ltd. brand name D-CHA-T; antioxidant 5),
경화 촉진제로서 As a curing accelerator
2-에틸-4-메틸이미다졸(시코쿠 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조 상품명 2E4MZ), 충전제로서 비표면적 1 ㎡/g, 평균입경 4 ㎛의 구상 합성 실리카를 준비하였다. Spherical synthetic silica having a specific surface area of 1 m 2 / g and an average particle diameter of 4 μm was prepared as a 2-ethyl-4-methylimidazole (trade name 2E4MZ manufactured by Shikoku Chemical Co., Ltd.) and a filler.
이들을 각각 하기 표 1에 나타내는 질량부로 배합하고, 분쇄기로 혼련 분산한 후, 진공 탈포하여, 실시예 1 내지 5 및 비교예의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 제작하였다. These were each blended in the mass parts shown in Table 1 below, kneaded and dispersed in a pulverizer, and vacuum degassed to prepare liquid resin compositions for electronic components of Examples 1 to 5 and Comparative Examples.
제작한 실시예 1 내지 5 및 비교예의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 다음 각 시험에 의해 평가하였다. 평가 결과를 하기 표 2에 나타낸다. The prepared liquid resin compositions for electronic components of Examples 1 to 5 and Comparative Examples were evaluated by the following tests. The evaluation results are shown in Table 2 below.
(1) 점도(1) viscosity
EMD형 회전 점도계(가부시끼가이샤 토키멕 제조)를 이용하고, 25±1 ℃로 유지된 전자 부품용 액상 수지 조성물에 대해서, 실시예 1 내지 5, 비교예는 100 rpm으로 1 분간 회전시켰을 때의 눈금에 환산계수 0.0125를 곱하고, 이를 점도로 하였다.Examples 1 to 5 and Comparative Examples of the liquid resin composition for an electronic component held at 25 ± 1 ° C. using an EMD type rotational viscometer (manufactured by Tokimek Co., Ltd.) at 100 rpm for 1 minute The scale was multiplied by a conversion factor of 0.0125, which was taken as the viscosity.
(2) 겔화 시간(2) gelation time
150 ℃의 열판 상에 0.1 g의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 적하하고, 스패튤라로 지나치게 퍼지지 않도록 뒤섞었다. 적하한 후, 전자 부품용 액상 수지 조성물의 점도가 높아지고, 스패튤라를 위로 들어 올렸을 때에 실처럼 늘어짐 없이 끊어지기까지의 시간을 겔화 시간으로 하였다. 0.1g of the liquid resin composition for electronic components was dripped on the hotplate at 150 degreeC, and it mixed so that it might not spread too much with a spatula. After dripping, the viscosity of the liquid resin composition for electronic components became high, and when it lifts up a spatula up, the time until it cuts off like a thread was made into gelation time.
(3) 흡수율(3) water absorption
전자 부품용 액상 수지 조성물을 150 ℃, 2 시간의 조건으로 경화시켜 50 mm×50 mm×1 mm의 시험편을 제작하였다. 본 시험편의 초기 중량 W1을 측정한 후, 85 ℃/85 %의 고온 고습조에 넣고, 100 시간 후 중량 W2를 측정하고, 하기 수학식 1에 의해 흡수율을 구하였다. The liquid resin composition for electronic components was hardened on 150 degreeC and the conditions of 2 hours, and the test piece of 50 mm x 50 mm x 1 mm was produced. To then determine the initial weight W 1 of the test piece, into a high-temperature and high-humidity bath of 85 ℃ / 85%, after 100 hours, measuring the weight W 2, the absorption rate was calculated by the equation (1).
(4) 접착력(4) adhesion
폴리이미드 필름(도레이 듀퐁 가부시끼가이샤 상품명 캡톤) 상에서 전자 부품용 액상 수지 조성물을 150 ℃, 2 시간의 조건으로 경화시키고, 폭 10 mm의 스트립상으로 절단하였다. 이를 인장 시험기(시마즈 세이사꾸쇼 제조)를 이용하고, 폴리이미드 필름을 90도 상향으로 박리시키는 필 강도를 접착력으로 하였다.The liquid resin composition for electronic components was hardened on the polyimide film (Toray Dupont Co., Ltd. Kapton brand name) on conditions of 150 degreeC and 2 hours, and it cut | disconnected into the strip shape of width 10mm. The peel strength which peels a polyimide film 90 degree upward was made into the adhesive force using the tensile tester (made by Shimadzu Corporation).
(5) 침입성(5) invasive
2매의 유리로 두께 20 ㎛의 SUS 제조 스페이서를 끼우고, 폭 5 mm의 유로를 제조하였다. 이를 70 ℃의 핫 플레이트 상에 수평으로 놓은 후, 전자 부품용 액상 수지 조성물을 적하하고, 갭 사이에 20 mm까지 침입하는 시간을 측정하였다. 3 분 미만을 양호, 3 분 이상을 불량으로 하였다. A 20-micrometer-thick spacer made of SUS was sandwiched with two pieces of glass, and a flow path having a width of 5 mm was produced. After placing this horizontally on a 70 degreeC hotplate, the liquid resin composition for electronic components was dripped, and the time which penetrates to 20 mm between gaps was measured. Less than 3 minutes was good and more than 3 minutes was bad.
(6) 내마이그레이션성 평가(6) Migration resistance evaluation
폴리이미드 필름 상에 주석 도금된 구리 배선에 의해 배선 폭 15 ㎛, 배선 사이 15 ㎛의 대향 빗형 전극을 형성한 연성 배선판의 대향 전극부에 전자 부품용 액상 수지 조성물을 디스펜스 방식으로 도포하고, 150 ℃, 2 시간 동안 경화한 것을 시험편으로 하였다. 이 시험편을 120 ℃/85 %의 고온 고습하에서 직류 60 V의 전압을 가해 저항값을 연속적으로 측정하고, 저항값이 106 Ω 이하가 된 시간에 누설이 발생하였다고 판정하였다. 측정은 500 시간까지 행하고, 저항값이 106 Ω 이하가 되지 않은 전자 부품용 액상 수지 조성물은 >500 시간으로 하였다.The liquid resin composition for electronic components was apply | coated by the dispensing method to the counter electrode part of the flexible wiring board which formed the counter comb electrode of 15 micrometers of wiring width and 15 micrometers between wirings by the tin-plated copper wiring on the polyimide film, and 150 degreeC , Cured for 2 hours was used as a test piece. The test piece was subjected to a direct current of 60 V under a high temperature, high humidity of 120 ° C / 85%, and the resistance value was continuously measured. It was determined that leakage occurred at a time when the resistance value was 10 6 Ω or less. The measurement was carried out up to 500 hours, and the liquid resin composition for electronic parts whose resistance value was not 10 6 Ω or less was> 500 hours.
(7) 외관 평가(7) appearance evaluation
내마이그레이션성 평가가 종료된 시험편을 실체 현미경의 투과광으로 관찰하고, 폴리이미드 필름 상에 주석 도금된 구리 배선의 부식 정도를 관찰하였다. 마이그레이션이 발생하면, 양극 배선측에서 배선 금속이 부식하고, 수지 중에 용출하는 현상이 보인다. 이 때문에 투과광으로 관찰하면, 도 1에 나타낸 바와 같이 마이그레이션의 진행 정도에 따라서, 양극 배선의 폭이 시험 전에 비하여 굵게 보인다. 가장 부식되어 있는 배선폭이 시험전의 배선 폭에 비하여 1.0 내지 1.1배인 것을 ◎, 1.1 내지 1.2배인 것을 ○, 1.2 내지 1.3배인 것을 △, 1.3배 이상인 것을 ×로 하였다.The test piece in which the migration resistance evaluation was complete | finished was observed with the transmitted light of a stereomicroscope, and the corrosion degree of the copper wiring tin-plated on the polyimide film was observed. When migration occurs, the wiring metal is corroded on the anode wiring side, and the phenomenon of eluting in the resin is observed. For this reason, when observed with transmitted light, as shown in FIG. 1, the width | variety of an anode wiring is thick compared with before test, according to the progress of migration. The most corrosive wiring width was 1.0 to 1.1 times that of the wire width before the test,?, 1.1 to 1.2 times,?, 1.2 to 1.3 times,?, And 1.3 times or more.
실시예 1 내지 5는 모두 산화 방지제를 배합한 전자 부품용 액상 수지 조성물이지만, 산화 방지제를 배합하지 않는 비교예와 비교하면, 점도, 겔화 시간, 흡수율, 접착력, 침입성 등의 전자 부품용 액상 수지 조성물로서 필수가 되는 여러 가지 특성을 손상시키지 않고, 내마이그레이션성을 향상시킬 수 있었다. 이 중에서도 오르토 위치에 하나의 메틸기를 갖는 산화 방지제를 이용한 실시예 3, 4가 절연 신뢰성, 내부식성이 가장 우수하고, 그것에 이어서 디시클로헥실아민을 이용한 실시예 5가 절연 신뢰성, 내부식성이 우수하며, 높은 내마이그레이션성을 나타내었다. 이는 산화 방지제의 배합에 의해서, 고온 고습 환경하에서의 수지 경화물의 산화 열화가 방지되고, 불순물 이온의 생성이나, 절연성의 저하가 억제되어 있음과 동시에, 금속 표면에 작용하여 금속의 부식이 억제되어 있기 때문이라고 생각된다.Although Examples 1-5 are all liquid resin compositions for electronic components which mix | blended antioxidant, compared with the comparative example which does not mix | blend antioxidant, liquid resin for electronic components, such as viscosity, a gelation time, water absorption rate, adhesive force, and penetration property, etc. Migration resistance was able to be improved, without damaging the various characteristics which are essential as a composition. Among them, Examples 3 and 4 using an antioxidant having one methyl group in the ortho position have the highest insulation reliability and corrosion resistance, followed by Example 5 using dicyclohexylamine, which has excellent insulation reliability and corrosion resistance. , High migration resistance. This is because the compounding of the antioxidant prevents the oxidative deterioration of the cured resin in a high temperature and high humidity environment, the generation of impurity ions and the deterioration of the insulating property are suppressed, and the corrosion of the metal is suppressed by acting on the metal surface. I think.
본 발명이 되는 전자 부품용 액상 수지 조성물은 내마이그레이션성이 양호하고, 그 밖의 성형성, 신뢰성도 우수한 전자 부품용 액상 수지 조성물이며, 그의 공업적 가치는 크다. 특히, 리지드 및 연성 배선판이나 유리 상에 형성한 배선에 반도체 소자를 범프 접속에 의한 플립 칩 본딩한 반도체 장치, 구체적으로는 플립 칩 BGA나 COF 등의 반도체 장치용 언더필재로서 유용하다.The liquid resin composition for electronic components which becomes this invention is a liquid resin composition for electronic components excellent in migration resistance, other moldability, and reliability also, and its industrial value is large. In particular, it is useful as a semiconductor device which flip-chip-bonded a semiconductor element by bump connection to the wiring formed on rigid and flexible wiring boards, or glass, specifically, as an underfill material for semiconductor devices, such as flip-chip BGA and COF.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200084371A (en) * | 2017-12-06 | 2020-07-10 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | Epoxy resin composition and electronic device |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4906152B1 (en) * | 2011-03-15 | 2012-03-28 | ナミックス株式会社 | Liquid resin composition |
CN105315618B (en) * | 2011-12-27 | 2018-05-29 | 日立化成工业株式会社 | Electronic component-use liquid resin composition and its manufacturing method and electronic part apparatus |
CN102775736A (en) * | 2012-08-16 | 2012-11-14 | 上纬(上海)精细化工有限公司 | LED (Light-Emitting Diode) package material and composite used in same |
CN104583242A (en) * | 2012-08-28 | 2015-04-29 | 日产化学工业株式会社 | Curable film-forming composition |
CN105255119B (en) * | 2015-11-19 | 2017-09-15 | 国家电网公司 | Ultra-high Voltage Substations person of modern times position insulating materials |
CN106957511A (en) * | 2016-01-11 | 2017-07-18 | 上海复赫材料科技有限公司 | A kind of LED light source thin plate encapsulating material |
MY188479A (en) * | 2016-05-11 | 2021-12-13 | Hitachi Chemical Co Ltd | Liquid resin composition for sealing and electronic component device |
CN106117973A (en) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 安徽酷米智能科技有限公司 | A kind of wiring board composition epoxy resin |
CN106117972A (en) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 安徽酷米智能科技有限公司 | A kind of circuit layout card composition epoxy resin |
CN112375341B (en) * | 2020-10-30 | 2022-07-15 | 贵州省从江县润田复合材料有限公司 | Anti-aging high-strength glass fiber reinforced plastic and preparation method thereof |
Family Cites Families (6)
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WO1997024402A1 (en) * | 1995-12-28 | 1997-07-10 | Toray Industries, Inc. | Epoxy resin composition |
JP2001329048A (en) | 2000-03-15 | 2001-11-27 | Harima Chem Inc | Liquid epoxy resin composition for sealing/filling agent |
US6800373B2 (en) * | 2002-10-07 | 2004-10-05 | General Electric Company | Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method |
CN101313006A (en) * | 2005-11-25 | 2008-11-26 | 日立化成工业株式会社 | Liquid resin composition for electronic parts and electronic parts device |
JP2007308683A (en) * | 2006-04-17 | 2007-11-29 | Hitachi Chem Co Ltd | Epoxy resin curing agent, epoxy resin composition, epoxy resin cured product and optical member using the same |
WO2008108326A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-12 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Thermosetting composition for optical semiconductor, die-bonding material for optical semiconductor device, underfill material for optical semiconductor device, sealing agent for optical semiconductor device, and optical semiconductor device |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200084371A (en) * | 2017-12-06 | 2020-07-10 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | Epoxy resin composition and electronic device |
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