KR20100109320A - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 기판;상기 기판 상에 배치되는 전극층;상기 전극층 상에 배치되며, 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 1 광 흡수층;상기 제 1 광 흡수층 상에 배치되며, 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 2 광 흡수층; 및상기 제 2 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하는 태양전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계 화합물이고,상기 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 구리-인듐-셀레나이드계 화합물인 태양전지.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물의 갈륨의 조성은 상기 제 2 광 흡수층에 가까워짐에 따라서 낮아지는 태양전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 광 흡수층 및 상기 윈도우층 사이에 개재되는 버퍼층을 포함하는 태양전지.
- 기판;상기 기판 상에 배치되는 전극층;상기 전극층 상에 배치되며, 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 1 광 흡수층;상기 제 1 광 흡수층 상에 배치되며, 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 2 광 흡수층;상기 제 2 광 흡수층 상에 배치되며, 제 3 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 3 광 흡수층; 및상기 제 3 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하는 태양전지.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 구리-인듐-갈륨-셀레늄-설파이드계 화합물이고,상기 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 구리-인듐-셀레늄-설파이드계 화합물이고,상기 제 3 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 구리-인듐-셀레나이드계 화합물인 태양전지.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 상기 제 1 광 흡수층의 위치에 따라서 다른 조성을 가지고,상기 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 상기 제 2 광 흡수층의 위치에 따라서 다른 조성을 가지는 태양전지.
- 기판 상에 전극층을 형성하는 단계;상기 전극층 상에 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 제 1 광 흡수층 상에 제 2 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 2 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계에서,상기 기판이 배치되는 챔버에 구리를 공급하는 구리 소스, 인듐을 공급하는 인듐 소스, 셀레늄을 공급하는 셀레늄 소스 및 황을 공급하는 황 소스가 사용되고,상기 제 2 광 흡수층을 형성하는 단계에서,상기 구리 소스, 상기 인듐 소스 및 상기 셀레늄 소스가 사용되는 태양전지의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 챔버에 황이 공급되는 속도가 시간이 지남에 따라서 감소하는 태양전지의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계에서,상기 기판이 배치되는 챔버에 구리를 공급하는 구리 소스, 인듐을 공급하는 인듐 소스, 갈륨을 공급하는 갈륨 소스 및 셀레늄을 공급하는 셀레늄 소스가 사용되고,상기 제 2 광 흡수층을 형성하는 단계에서,상기 구리 소스, 상기 인듐 소스 및 상기 셀레늄 소스가 사용되는 태양전지의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 광 흡수층 상에 제 3 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 3 광 흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계에서,상기 기판이 배치되는 챔버에 구리를 공급하는 구리 소스, 인듐을 공급하는 인듐 소스, 갈륨을 공급하는 갈륨 소스, 셀레늄을 공급하는 셀레늄 소스 및 황을 공급하는 황 소스가 사용되고,상기 제 2 광 흡수층을 형성하는 단계에서,상기 구리 소스, 상기 인듐 소스, 상기 셀레늄 소스 및 상기 황 소스가 사용되고,상기 제 3 광 흡수층을 형성하는 단계에서,상기 구리 소스, 상기 인듐 소스 및 상기 셀레늄 소스가 사용되는 태양전지의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 챔버에 갈륨이 공급되는 속도가 시간이 지남에 따라서 감소하고,상기 제 2 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 챔버에 황이 공급되는 속도가 시간이 지남에 따라서 감소하는 태양전지의 제조방법.
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