KR20100109245A - Deposition apparatus and method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 극속막 증착률 향상에 따라서 생산성을 향상시키면서 생산 제조비용 절감을 이루기 위한 기판 증착 장치 및 증착 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 플레임, 아크, 플라즈마 등의 에너지 소스에 의해 용융되어진 금속 또는 비금속의 파우더 또는 일정 온도의 고상입자 들을 고속으로 분사시켜 진공 또는 상압의 반응기 내에서 저온 또는 고온으로 유지되고 있는 기판 상에 높은 증착율로 증착 공정을 수행할 수 있는 장치 및 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate deposition apparatus and a deposition method for achieving productivity while reducing productivity by increasing the deposition rate of a polar film, and more particularly, a metal melted by an energy source such as flame, arc, plasma, or the like. The present invention relates to an apparatus and a method capable of performing a deposition process at a high deposition rate on a substrate which is maintained at a low temperature or a high temperature in a vacuum or atmospheric pressure reactor by spraying a non-metal powder or solid particles at a predetermined temperature at high speed.
반도체, LED등의 여러 산업 분야에서 금속 또는 비금속의 힛싱크 막은 소자에서 발생하는 열의 방출 및 제거에 중요한 역할을 하고 있으며, 기존 스퍼터링 및 CVD에 의한 막증착 공정을 진행하고 있다. 하지만 이와 같은 제조 방법은 오랜 시간 동안 공정이 진행 되어져야 하는 이유로, 생산성 향상 및 단가 저감에 많은 한계가 있어 왔다. In many industries, such as semiconductors and LEDs, heat sinking films of metals or nonmetals play an important role in the emission and removal of heat generated from devices, and are currently performing film deposition processes by sputtering and CVD. However, such a manufacturing method has a lot of limitations in productivity improvement and cost reduction, because the process must proceed for a long time.
도 1은 종래의 금속 또는 비금속 막을 제조하는 여러 종류의 스퍼터링 장치의 개략도이다. 즉, 순서대로, 도 1a는 Basic DC Sputtering system, 도 1b는 DC Triode Sputtering system, 도 1c는 RF Sputtering system을 도시하고 있다.1 is a schematic diagram of several types of sputtering apparatus for producing conventional metal or nonmetal films. That is, in order, FIG. 1A shows a Basic DC Sputtering system, FIG. 1B shows a DC Triode Sputtering system, and FIG. 1C shows an RF Sputtering system.
여기에서, 스퍼터링(Sputtering)이란 간단히 말해 금속판에 아르곤(Ar) 등의 불활성 원소를 부딪쳐서 금속 분자를 쫓아낸 후 표면에 막을 부착하는 기술이라 할 수 있다. 즉, 진공이 유지된 Chamber 내에서 스퍼터링 기체로 불활성 물질인 아르곤(Ar) 가스를 흘려주면서 Target에 직류 전원을 인가하면(㎠당 1W정도), 증착하고자 하는 기판과 Target 사이에 Plasma가 발생하는 것이다. Here, sputtering is simply a technique of sticking an inert element such as argon (Ar) on a metal plate to drive out metal molecules and then attaching a film to the surface. That is, when DC power is applied to the target (about 1W per cm2) while flowing argon (Ar) gas, which is an inert material, as a sputtering gas in the chamber where vacuum is maintained, plasma is generated between the substrate to be deposited and the target. .
이러한 Plasma 내에는 고출력 직류 전류계에 의해 Ar 가스 기체가 양이온으로 이온화 된다. Ar 양이온은 직류 전류계에 의해서 음극으로 가속되어 Target 표면에 충돌하게 된다. 이렇게 충돌시킨 target 물질은 원자가 완전 탄성 충돌에 의해 운동량을 교환하여 표면에서 밖으로 튀어나오게 된다. 이처럼 ion이 물질의 원자간 결합에너지 보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 이 ion 충격에 의해 물질의 격자 간 원자가 다른 위치로 밀리게 되는데 이때 원자의 표면 탈출이 발생하게 된 원자 및 분자가 기판에 도달되어 박막이 형성되는 장치이다.In such a plasma, Ar gas gas is ionized into a cation by a high output direct current ammeter. Ar cations are accelerated to the cathode by a DC ammeter and collide with the target surface. The collided target material then bounces out of the surface by exchanging momentum by the full elastic collision of atoms. When the ion collides with the kinetic energy larger than the binding energy between atoms of the material, the ion bombardment pushes the atoms between the lattice of the material to another position. It is a device to form a thin film.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 기존 일반 산업 분야에서 비금속 및 금속막 코팅을 위해 사용되어지던 플레임, 아크, 플라즈마 등의 에너지 소스를 이용해 고온에서 파우더를 용융시켜 증착하는 Flame, Arc, Plasma, HVOF등의 코팅 스프레이기나 일정 온도 상태에서 고속에 의해 고상 입자를 고속으로 이동시켜 기판에 닿는 순간 열이 발생하면서 막증착이 되는 코팅기(CGDS, Cold Gas Dynamic Spray) 등을 이용해 기존 반도체, LED등 소자의 금 속 또는 비금속 막 증착을 진공 또는 상압 상태의 반응기 내에 있는 저온 또는 고온의 기판상에 함으로써 종래에 비하여 저가격화, 생상성 향상, 장치 단순화를 이룰 수 있는 기판 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 것을 주목적으로 한다. The present invention is designed to solve the above-mentioned conventional problems, the present invention by melting the powder at a high temperature using an energy source, such as flame, arc, plasma, which has been used for conventional non-metal and metal film coating in the general industrial field Coating sprayer such as Flame, Arc, Plasma, HVOF to be deposited, or coating machine (CGDS, Cold Gas Dynamic Spray) that deposits film while heat is generated when it touches the substrate by moving solid particles at high speed at high speed at a certain temperature. Substrate deposition apparatus that can lower the cost, improve productivity, and simplify the device by using metal or non-metal film deposition of existing semiconductor, LED, etc. on a low temperature or high temperature substrate in a reactor in a vacuum or atmospheric pressure state. And to provide a deposition method.
상기한 종래 문제점을 해결하고 본 발명에 따른 목적을 달성하기 위한 기판상에 금속 또는 비금속막을 증착시키기 위한 증착 장치 구성은, 기판상에 금속 또는 비금속막 증착 공정이 이루어지는 반응 공간인 반응기; 파우더를 반응기 내부로 공급하기 위한 파우더공급장치; 증착 공정시 막질의 접착력이나 기공율 향상 및 기판 손상 최소화를 위해 기판 온도를 조절 가능토록 하기 위하여 기판 및 서셉터 하면에 형성되는 온도 조절 장치; 상기 파우더와 함께 반응기 내부로 반응가스를 공급하기 위한 반응가스공급장치; 상기 공급되는 반응가스 주입시 가열기를 통한 주입 반응가스 온도 조절을 위한 반응가스온도조절장치; 상기 기판 및 서셉터 하면에 형성되어 균일한 막 증착을 위해 구성되는 정밀스테이지; 상기 증착 공정시 발생할 수 있는 산화나 기타 오염을 막기 위하여 진공 라인 및 진공펌프; 상기 반응기 내부 오염 방지를 위하여 반응기 내부를 진공 상태로 유지시키고 증착 막질의 산화나 오염을 막기 위하여 진공에서 상압까지 진공도를 조절하기 위한 것으로, 반응기 외부에 설치되어 있는 반응가스 공급장치; 및 상기 파우더공급장치를 통해 공급되는 파우더 및 상기 반응가스공급장치로부터 공급되는 반응 가스를 반응기 내부로 용이하게 주입시키기 위하여 상기 반응기 내측 상벽에 구성하는 코팅노즐;로 구성된 것을 특징으로 한다.Deposition apparatus configuration for depositing a metal or non-metal film on a substrate for solving the above problems and to achieve the object according to the present invention, the reactor is a reaction space is a metal or non-metal film deposition process on the substrate; A powder supply device for supplying powder into the reactor; A temperature control device formed on the lower surface of the substrate and the susceptor to control the substrate temperature for improving adhesion or porosity of the film and minimizing damage to the substrate during the deposition process; A reaction gas supply device for supplying a reaction gas into the reactor together with the powder; A reaction gas temperature adjusting device for controlling an injection reaction gas temperature through a heater during injection of the supplied reaction gas; A precision stage formed on the bottom surface of the substrate and the susceptor and configured for uniform film deposition; Vacuum lines and vacuum pumps to prevent oxidation or other contamination that may occur during the deposition process; In order to prevent the contamination inside the reactor to maintain the inside of the reactor in a vacuum state and to control the degree of vacuum from vacuum to atmospheric pressure to prevent oxidation or contamination of the deposited film, a reaction gas supply device installed outside the reactor; And a coating nozzle configured on the inner wall of the reactor to easily inject the powder supplied through the powder supply device and the reaction gas supplied from the reaction gas supply device into the reactor.
여기서, 상기 파우더는 니켈, 구리, 알루미늄, 텅스텐 등의 순수한 금속 또는 실리콘, 갈륨나이트라이드 등의 비금속 또는 상기 금속들의 합금 등의 파파우더인 것을 특징으로 한다.Here, the powder is characterized in that the powder is a pure metal such as nickel, copper, aluminum, tungsten or a non-metal such as silicon, gallium nitride or an alloy of the metals.
또한, 상기 공급된 파우더를 플레임, 아크, 플라즈마 코팅 스프레이 또는 고온의 용융 상태나 일정온도, 고속의 입자 상태로 만들어 기판 상에 분사하여 증착하는 것을 특징으로 한다.In addition, the supplied powder is characterized in that the spray, the arc, plasma coating spray or a high temperature molten state or a constant temperature, high-speed particle state made by spraying on the substrate and deposited.
또한, 상기 정밀스테이지는, 증착시 상기 기판의 왕복 운동이나 회전 운동에 의하여 기판상에 균일한 증착을 얻기 위한 정밀 왕복(X,Y,Z,Theta) 스테이지 또는 회전(Z,Theta) 스테이지인 것을 특징으로 한다.In addition, the precision stage is a precision reciprocating (X, Y, Z, Theta) stage or a rotation (Z, Theta) stage for obtaining uniform deposition on the substrate by the reciprocating motion or rotational movement of the substrate during deposition. It features.
또한, 상기한 구성을 가지는 기판 증착 장치를 사용하며, 상기 파우더를 기판 상에 분사하여 증착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 증착 방법을 제공함에 특징이 있다.In addition, using a substrate deposition apparatus having the above-described configuration, and characterized in that it provides a substrate deposition method comprising the step of depositing the powder by spraying on the substrate.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 기판 증착 장치 및 증착 방법에 의할 경우에는 다음과 같은 효과가 있다. As described above, the substrate deposition apparatus and the deposition method according to the present invention has the following effects.
첫째, 본 발명은 기존 일반 산업 분야의 파우더를 사용한 산업용 코팅 스프레이기를 이용해 금속 또는 비금속 막질을 증착할 수 있어 장비의 가격저감, 단순화 및 생산성 향상에 있어서 장점이 있다.First, the present invention can deposit a metal or non-metal film by using an industrial coating sprayer using the powder of the existing general industrial field, there is an advantage in reducing the price, simplification and productivity of the equipment.
둘째, 여러 종류 재질의 파우더를 시장에서 쉽게 공급받을 수 있기 때문에 막질의 다양화, 장비의 저가격화를 할 수 있다는 데에 장점이 있다.Second, since various kinds of powders can be easily supplied in the market, there is an advantage in that the film quality can be diversified and the equipment can be lowered in price.
셋째, 분당 50um이상의 높은 증착율로 기존 장치에서보다 수십 내지 수백 배 이상의 매우 높은 생산성을 제공할 수 있다는 장점이 있다.Third, the high deposition rate of more than 50um per minute has the advantage that can provide very high productivity more than tens to hundreds of times than in the existing device.
넷째, 산업용 코팅과는 달리, 반응기 내의 진공도 조절이나, 상압 상태의 반응기 내에 불활성 가스를 넣어 조절함으로서, 막질의 품질 및 산화나 기타 오염을 줄일 수 있다는 장점이 있다.Fourth, unlike the industrial coating, by controlling the degree of vacuum in the reactor, or by adjusting the inert gas in the reactor at atmospheric pressure, there is an advantage that the quality of the film and oxidation or other contamination can be reduced.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 기판 증착 장치 시스템 구성도, 도 3은 본 발명에 따른 코팅 노즐 상세 구성도, 도 4는 여러 기판을 한꺼번에 사용 가능토록 구성한 서셉터의 구성도이다.2 is a schematic diagram of a substrate deposition apparatus system according to the present invention, FIG. 3 is a detailed schematic diagram of a coating nozzle according to the present invention, and FIG. 4 is a schematic diagram of a susceptor configured to use several substrates at once.
도시된 바와 같이, 산업용 코팅기를 이용한 기판(300) 상에 여러 종류의 막질을 증착 시키는 본 장치 구성은, 산업용 코팅 노즐(100), 반응기(200), 기판(300), 정밀 스테이지(400), 핫플레이트(핫척) 및 온도 조절 장치(500), 파우더 정량 공급장치(600), 가스 공급부(700), 진공 펌프(800), 진공 라인(900) , 반응 가스 가열장치(1000), 및 반응가스 공급장치(1100)를 포함하여 이루어진다. As shown, the apparatus configuration for depositing various types of film on the
상기 반응기(200)는 기판(300) 및 서셉터(1300)를 중앙 공간으로 위치시켜 기판(300) 상면으로 금속, 비금속, 또는 합금막을 증착시키는 증착 공정이 이루어지는 작업 공간을 의미한다.The
반응기(200) 내부 구성에 대하여 더 설명하면, 기판(300) 및 서셉터(1300) 하부로는 정밀 스테이지(400)를 더 구성함이 바람직하다. 상기 정밀스테이지(400)는, 증착 공정시 상기 기판(300)의 왕복 운동이나 회전 운동에 의하여 기판(300) 상에 균일한 증착을 얻기 위한 정밀 왕복(X,Y,Z,Theta) 스테이지 또는 회전(Z,Theta) 스테이지로 구성하여 증착 정밀도를 높이기 위한 구성이다. The internal structure of the
그리고, 상기 정밀 스테이지(400) 상부로는 핫척, 핫플레이트와 같은 온도조절장치(500)를 구성하는데, 이는 증착 공정시 막질의 접착력이나 기공율 향상 및 기판(300) 손상 최소화를 위해 기판(300) 온도를 조절 가능토록 하기 위하여 기판(300) 및 서셉터(1300) 하면에 형성하도록 함이 바람직하다. 즉, 본 발명에 따른 일 실시 예에서는 상기 온도조절장치 및 핫플레이트(핫척)(500) 구성으로 기판(300)과 증착 물질간의 열적 차이를 최소화 시켜 기판 손상을 최소화할 수 있도록 하였다.In addition, the
한편, 반응기(200) 내벽 상부 일측에는 코팅 노즐(100)을 형성하는데, 이는 파우더공급장치(600)를 통해 공급되는 파우더(650) 및 반응가스 공급장치(1000)로부터 공급되는 반응가스를 반응기(200) 내부로 용이하게 주입시키기 위한 구성이다. 상기 코팅 노즐(100) 구조를 도 3을 참조하여 더욱 상세하게 설명하면, 일정 두께를 갖는 원통 형상의 노즐지지부(110), 상기 노즐지지부(110) 일측 끝단에 좌우 대칭되도록 형성된 노즐개폐부(120) 및 노즐(100) 끝단에서 파우더(650) 및 가스를 분사하기 위한 노즐분사부(130)로 구성한다.On the other hand, the
상기 반응기(200) 외부로는 진공펌프(800) 및 진공라인(900), 불활성가스 공급장치(700), 파우더 공급장치(600), 반응가스 공급장치(1100) 및 반응가스 온도조 절 장치(1000)를 구성하도록 한다.Outside the
여기서, 진공펌프(800) 및 진공라인(900)은 상기 증착 공정시 발생할 수 있는 산화나 기타 오염을 막기 위한 구성으로, 상기 반응기(200) 내부 오염 방지를 위하여 반응기(200) 내부를 진공 상태로 유지시키고 증착 막질의 산화나 오염을 막기 위하여 진공에서 상압까지 진공도를 조절하기 위한 것으로, 반응기(200) 외부에 설치되어 있는 불활성 가스 공급장치(700)와 함께 상기 반응기(200) 내부 압 및 진공도를 조절하게 한다.Here, the
반응기(200) 외부에는 파우더 공급장치(600)를 구성하는데, 이는 반응기(200) 내 상기 코팅노즐(100)로 파우더(650)를 유입시키기 위한 것으로, 이 경우 파우더(650)는, 니켈, 구리, 알루미늄, 텅스텐 등의 순수한 금속 또는 실리콘, 갈륨나이트라이드 등의 비금속 또는 상기 금속들의 합금 등의 파우더(650)인 것이 바람직하다.A
상기 반응가스공급장치(1100)는 상기 파우더(650)와 함께 반응기(200) 내부로 반응가스를 공급하기 위한 구성이며, 상기 반응가스 온도조절장치(1000)는 상기 공급되는 반응가스 주입시 가열기를 통한 주입 반응가스 온도 조절을 위한 구성이다.The reaction gas supply device 1100 is a component for supplying a reaction gas into the
이하, 상기한 특징을 갖는 본 발명에 따른 기판 증착 장치를 사용한 기판 증착방법에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the substrate deposition method using the substrate deposition apparatus according to the present invention having the above characteristics will be described in detail.
먼저, 일정량의 파우더(650)를 공급하는 파우더 공급장치(600) 통해, 여러 종류의 파우더(650)들이 공급되어지면, 반응가스 공급장치(1100)로부터 공급되어지 는 반응가스와 함께 코팅 노즐(100)을 통해 반응기(200) 내로 공급되어진다. 이때 공급되어지는 반응가스는 가열기(1000)에 의해 가열되어 공급되어질 수 있다. 이때 코팅 노즐(100)을 통한 파우더(650) 처리는 두 가지 경우로 구분될 수 있고, 맞는 공정 조건에 따라 선택적으로 적용할 수 있다. First, when various kinds of
첫 째, 코팅 노즐단에 Flame, Arc 및 Plasma 등의 에너지 소스에 의해 파우더 공급 장치(600)로부터 공급 되어진 파우더(650)를 용융 상태로 만들어 기판(300) 상에 공급하는 경우, 둘째, 반응가스 공급장치(1100)로 부터 공급되는 가스를 가열장치(1000)에 의해, 이미 온도 조절된 가스의 고속 분사에 의해 음속 이상의 속도로 이동하여 기판(300)에 공급하는 방법이 있다. First, when the
용융 되어진 파우더(650)나 일정온도 상태로 가열된 가스에 의하여 고속으로 이송된 파우더(650)가 기판(300) 상에 닿는 순간 증착이 발생하는데, 이때 기판(300) 온도를 조절 가능토록 한 핫플레이트(핫척) 및 온도 조절 장치(500)를 구성하여, 막질의 접착력이나 기공율 향상 및 기판 손상 최소화가 가능하도록 함이 바람직하다. When the
그리고 도시된 바와 같이, 본 발명은 기판(300) 한장 씩 처리 가능하며, 필요한 경우 여러 장의 기판(300)들을 한번에 처리 가능토록 서셉터(1300)도 설치 가능토록 구성하였다. 따라서 이로 인해 한번의 공정으로 여러 장의 공정을 진행하여 생산성 향상이 가능하게 된다. 도 4는 이러한 서셉터(1300) 및 서셉터(1300) 상부의 기판(300) 구성에 대한 다양한 형상을 도시하고 있다. 도시된 형상에서는, 서셉터(1300) 및 기판(300) 형상을 원형 또는 사각형으로 형상을 구성하고 있으나, 이 에 국한되지는 않음은 당연하다 할 것이다.And, as shown, the present invention can process the
그리고 기판(300) 및 서셉터(1300) 하면에는 균일한 막 증착을 위해 X-Y-Z-Theta 정밀 스테이지(400)나 Z-Theta의 회전 스테이지(400)가 들어가 막 증착시 균일도를 향상할 수 있도록 공정을 구성함이 바람직하다.In addition, the
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 증착 장치는, 상압 상태 뿐 아니라 진공 상에서도 정밀하게 이송 및 얼라인(Allign)의 기능을 수행할 수 있도록 구성하였다. 즉, 금속 또는 비금속 막질의 중요 관건인 기공율 및 접착력 문제 및 기판 손상 문제를 기판의 온도나 진공에서 상압까지의 압력 조절로 가능할 수 있다. As described above, the substrate deposition apparatus according to the present invention is configured to perform the function of precisely transferring and aligning not only in the normal pressure but also in the vacuum. That is, the porosity and adhesion problems and substrate damage problems, which are important factors of the metal or nonmetallic film, may be possible by controlling the temperature of the substrate or the pressure from vacuum to atmospheric pressure.
예를 들어, 기공율을 놓이면 접착력은 약간 떨어질 수 있지만 개구 면적의 증가로 열전달을 높일 수 있다는 장점이 있다. 이는 공정 조건에 맞추어 원하는 조건으로 단순히 반응기 내의 압력이나 온도 조건을 바꾸어 실시할 수 있다는 데 장점이 있다. 또한 기판 열적 손상을 최소화 할 수 있는 온도 대에서 조절하여 공정을 진행할 수 있다는 데에 장점이 있다.For example, if the porosity is lowered, the adhesion may be slightly decreased, but the heat transfer may be increased by increasing the opening area. This has the advantage that it can be carried out by simply changing the pressure or temperature conditions in the reactor to the desired conditions in accordance with the process conditions. In addition, there is an advantage in that the process can be carried out by controlling at a temperature range that can minimize the thermal damage to the substrate.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 다양한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 기술하였으나 본 발명의 기술적 범위가 상기 기술된 사항에 국한되지 않는 것은 너무도 자명하다.As described above, various embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but it is obvious that the technical scope of the present invention is not limited to the above-described matters.
즉, 본 발명의 기술적 사상에 따른 권리 범위는 상술한 바와 같은 구체적인 실시 예 및 첨부한 도면에 특별히 한정된다 할 수 없으며, 본 명세서 특허 청구범위의 기술적 사상에 유사한 범주 내에서의 다양한 변형 실시는 본 특허의 권리 범위에 귀속될 수 있다 할 것이다.That is, the scope of rights according to the technical spirit of the present invention is not limited to the specific embodiments and the accompanying drawings as described above, various modifications within the scope similar to the technical spirit of the claims of the present specification It can be attributed to the scope of rights of the patent.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 금속 또는 비금속 막을 제조하는 여러 종류의 스퍼터링 장치의 개략도 1A-1C are schematic views of various types of sputtering apparatus for producing conventional metal or nonmetal films.
도 2는 본 발명에 따른 기판 증착 장치 시스템 구성도2 is a configuration diagram of a substrate deposition apparatus system according to the present invention
도 3은 본 발명에 따른 코팅 노즐 상세 구성도3 is a detailed configuration of the coating nozzle according to the present invention
도 4는 본 발명에 따른 서셉터 상세 구성도4 is a detailed configuration of the susceptor according to the present invention
<도면의 주요부의 도면부호에 대한 설명> <Description of reference numerals of the main parts of the drawing>
100: 코팅노즐 200: 반응기 100: coating nozzle 200: reactor
300: 기판 400: 정밀 스테이지 300: substrate 400: precision stage
500: 핫척 또는 핫플레이트 및 온도 조절장치500: hot chuck or hot plate and thermostat
600: 파우더 공급 장치 700: 불활성가스 공급 장치 600: powder supply device 700: inert gas supply device
800: 진공 펌프 900: 진공 라인 800: vacuum pump 900: vacuum line
1000: 반응가스 온도 조절 장치 1100: 반응가스 공급장치 1000: reaction gas temperature control unit 1100: reaction gas supply device
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101592946B1 (en) * | 2014-11-05 | 2016-02-11 | 서울대학교산학협력단 | Tungsten trioxide nano particle deposition apparatus for electrochromic window manufacturing and the operating method of this |
| US9637899B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-02 | Duravit Aktiengesellschaft | Vacuum breaker, automatic flushing system for toilet and electronic bidet toilet |
| KR20220074296A (en) * | 2020-11-27 | 2022-06-03 | 한국생산기술연구원 | Method of forming nanostructure coating layer using multi-component single alloy target |
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2009
- 2009-03-31 KR KR1020090027763A patent/KR20100109245A/en not_active Application Discontinuation
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| KR20220074296A (en) * | 2020-11-27 | 2022-06-03 | 한국생산기술연구원 | Method of forming nanostructure coating layer using multi-component single alloy target |
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