KR20100103211A - 코팅층을 포함하는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트 - Google Patents

코팅층을 포함하는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트 Download PDF

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KR20100103211A
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구두훈
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박주온
김인성
이정훈
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삼성전자주식회사
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Abstract

표면에 굴절률이 조절된 코팅층을 포함하여, 패턴 면에서 빛의 손실을 줄일 수 있는 나노 임프린트용 리소그래피에 관한 기술들이 설명된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트는, 자외선에 투명한 기판, 상기 기판 상에 형성되고 경사진 측벽을 갖는 스탬프 패턴, 상기 스탬프 패턴의 경사진 측벽 상에 형성된 코팅층을 포함한다.
나노 임프린트 리소그래피, 템플리트, 코팅층, 굴절률

Description

코팅층을 포함하는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트{A Template for Nano Imprint Lithography including a coating layer thereon}
본 발명은 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
차세대 반도체는 더욱 미세한 패턴으로 형성되어야 하고, 반도체 공정 기술도 그에 부합하도록 발전되어야 한다. 미세한 패턴을 형성하기 위해서는, 먼저 반도체 패턴을 형성하기 위한 패터닝 마스크를 미세하게 형성하는 기술이 선행되어야 한다. 즉, 리소그래피 기술이 가장 우선적으로 중요하다는 것이다. 따라서, 미세한 패터닝 마스크를 형성하기 위한 다양한 리소그래피 기술이 제안되었으며, 그 중 하나가 나노 임프린트 리소그래피 기술이다. 나노 임프린트 리소그래피 기술은 웨이퍼 상에 폴리머 층을 형성하고, 미세한 스탬프 패턴이 형성되어 있는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트를 이용하여 폴리머 층을 패터닝하는 기술이다. 보다 상세하게, 폴리머 층을 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트로 물리적 누름으로써 폴리머 층 상에 스탬프 패턴의 리버스 패턴을 형성하고, 열을 가하거나 또는 자외선 (UVL, Ultra Violet Light)을 조사하여 폴리머 층 상에 형성된 리버스 패턴을 화학적으로 경화시키는 기술이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 빛의 손실이 적고 조사량을 보다 균일하게 할 수 있는 나노 임프린트 포토리소그래피용 템플리트를 제공함에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당 업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트는, 자외선에 투명한 기판, 상기 기판 상에 형성되고 경사진 측벽을 갖는 스탬프 패턴, 상기 스탬프 패턴의 경사진 측벽 상에 형성된 코팅층을 포함한다.
상기 기판은 석영으로 형성될 수 있고, 상기 스탬프 패턴은 상기 기판의 일 영역에 요철 모양으로 형성될 수 있다.
상기 스탬프 패턴의 측벽에는 상기 코팅층이 형성되고, 상기 스템프 패턴의 상면부에는 상기 코팅층이 형성되지 않을 수 있고, 상기 스탬프 패턴의 바닥면의 코너부가 노출되도록 상기 스탬프 패턴의 바닥면에도 상기 코팅층이 형성되지 않을 수 있다.
상기 코팅층은 상기 기판의 굴절률보다 높을 수 있다.
상기 코팅층은 둘 이상의 다층 단위 코팅층들을 포함할 수 있고, 상기 스탬 프 패턴과 직접적으로 접촉하는 단위 코팅층은 상기 기판보다 굴절률이 높을 수 있고, 상기 코팅층의 총 굴절률이 상기 기판의 굴절률보다 높거나 낮을 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트를 사용하면, 빛의 손실이 적고 조사 균일도가 개선되므로 패턴을 안정적으로 형성할 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명자들은 나노 임프린트 리소그래피 기술에서 열을 이용하는 공정 기술보다 자외선을 이용하는 공정 기술이 보다 간단하고 짧은 시간에 수행될 수 있는 공정 기술이므로 열을 이용하는 공정보다 높은 생산성을 제공해 줄 수 있을 것으로 판단하였다. 이에, 본 발명자들이 템플리트에 점차 미세한 스탬프 패턴을 형성하면서 나노 임프린트 기술을 연구한 결과, 템플리트 상에 형성된 스탬프 패턴들이 테이퍼 모양으로 형성되고, 그 테이퍼 각도가 점차 커질 경우, 테이퍼 면에서 발생될 문제가 점차 우려할 만한 수준으로 심각해 질 것임을 예상되었다. 테이퍼 각도가 커진다는 의미는 측벽의 경사 각도가 작아진다는 의미로 이해될 수 있다. 스탬프 패턴들이 테이퍼 모양으로 형성될 경우, 그 경사진 측벽의 절대적 면적 및 상대적 면적이 커지게 되어 그 부분에서 빛이 손실되고 대상물에 빛이 고르게 조사되지 못하여 패턴이 제대로 형성되지 못하는 경우들이 발생한다.
따라서, 스탬프 패턴이 테이퍼 모양으로 형성되더라도, 그 경사진 측벽에 의한 문제를 해결하기 위한 여러 가지 방법을 제안하고 그 효과를 실험하였다. 본 명세서에서는 그 다양한 방법들 중 하나를 소개한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한, 코팅막을 포함하는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트를 개략적으로 도시한 종단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트(100)는, 템플리트 기판(110), 템플리트 기판(110)의 일 면 상에 형성된 스탬프 패턴(120), 및 스탬프 패턴(120)의 표면에 형성된 코팅층(130)을 포함한다.
템플리트 기판(110)은 자외선에 투명한 무기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 석영으로 형성될 수 있다. 나노 임프린트 리소그래피 기술은 템플리트 기판(110)에 형성된 스탬프 패턴(120)과 웨이퍼에 형성된 패턴이 동일한 크기로 형성될 수 있다. 템플리트 기판(110)은 패턴 영역(A)과 주변 영역(B)을 포함할 수 있 다. 패턴 영역(A)은 템플리트 기판(110)의 중앙부에 위치될 수 있다. 주변 영역(B)은 템플리트 기판(110)의 패턴 영역(A)을 둘러싸며 외곽부에 위치될 수 있다.
스탬프 패턴(120)은 패턴 영역(A)에 형성될 수 있다. 스탬프 패턴(120)은 템플리트 기판(110)의 일정 영역에 형성된 유형의 요철 모양으로 형성될 수 있다. 스탬프 패턴(120)은 테이퍼 모양으로 형성될 수 있다. 다른 말로, 측벽이 경사질 수 있다. 경사진 각도는 45°이상 90°미만으로 형성될 수 있다. 스탬프 패턴(120)의 바닥 면(120b)과 상부 면(120t)은 평평하게 형성될 수 있다. 스탬프 패턴(120)의 상부 면(120t)은 템플리트 기판(110)의 표면(미도시)과 동일하게 형성될 수 있다.
코팅층(130)은 템플리트 기판(110)의 굴절률보다 높은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 템플리트 기판(110)이 석영일 경우, 그 굴절률은 통상 1.5 정도이고, 코팅층(130)의 굴절률이 그 보다 높은 1.6 정도일 수 있다. 코팅층(130)의 굴절률이 템플리트 기판(110)의 굴절률보다 높을 경우, 그 계면에서 전반사 현상이 일어나지 않도록 할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트를 이용하는 공정에서, 자외선의 경로를 가상적으로 예시한 것이고, 도 3은 그 개념적인 확대 도면이다. 도 2의 (a)는 본 발명의 기술적 사상에 의한 코팅층이 형성되지 않은 템플리트(10)에서 빛(l1)의 가상적인 경로를 예시한 도면이고, (b)는 본 발명의 기술적 사상에 의한 코팅층(130)이 형성된 템플리트(100)에서 빛(l2)의 가상적인 경로를 예시한 도면이다. 도면은 본 발명의 기술적 사상을 이해하기 쉽도록 하기 위하여 과장하여 도시된다. 본 실시예에서, 폴리머들(14, 140)의 굴절률이 가장 크고, 템플리트 기판(11, 110)의 굴절률이 가장 작은 경우이다.
도 2의 (a)를 참조하면, 템플리트 기판(11)에 수직으로 입사한 빛(l1)은 스탬프 패턴(12)과 폴리머 층(14)의 계면을 투과하며 진로가 θ1의 각도로 변경되어 폴리머 층(14)의 바닥면(B1)에 조사된다. 빛(l1)의 경로가 변하는 이유는 템플리트 기판(11)과 폴리머 층(14)의 굴절률이 다르기 때문이다. 본 도면에서는 폴리머 층(14)의 굴절률이 템플리트 기판(11)보다 높은 경우이다. θ1은 각 물질들의 굴절률에 따라 변하는 임의의 각도이다.
도 2의 (b)를 참조하면, 템플리트 기판(110)에 수직으로 입사한 빛(l2)은 스탬프 패턴(120)과 코팅층(130)의 계면을 투과하며 진로가 θ2의 각도로 변경되고, 코팅층(130)과 폴리머 층(140)의 계면을 투과하며 θ1의 각도로 변경되어 폴리머 층(140)의 바닥면(B2)에 조사된다. θ2는 θ1보다 작다.
도 1 및 도 2에서는 폴리머 층(140)의 굴절률이 템플리트 기판(110)보다 높은 것으로 가정되어 설명되었다. 그러나, 폴리머 층(140)의 굴절률은 템플리트 기판(110)의 굴절률과 직접적인 연관이 없다. 즉, 폴리머 층(140)의 굴절률은 템플리트 기판(110)의 굴절률보다 낮을 수도 있다. 굴절률이 높은 매질로부터 굴절률이 낮은 매질로 빛이 진행할 경우, 그 계면에서 전반사 현상이 일어날 수 있다. 즉, 템플리트 기판(110)의 굴절률이 폴리머 층(140)의 굴절률보다 높다면, 도 2의 (a)에 도시된 공정에서는 빛(l1)이 템플리트 기판(11)과 폴리머 층(14)의 계면에서 전반사될 가능성이 크다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상에 의한 코팅층(130)의 존재는 폴리머 층(140)의 굴절률이 템플리트 기판(110)보다 낮을 경우에도 중간에서 전 반사 현상이 일어나지 않도록 할 수 있다. 이것은 본 발명의 다양한 다른 실시예들에 대한 설명들을 참조하면 이해될 수 있을 것이다.
반면, 폴리머 층(140)의 굴절률이 템플리트 기판(110)의 굴절률보다 너무 높을 경우에는 전반사 현상이 일어나지 않으나 빛의 손실이 커지게 된다. 이 경우에도, 본 발명의 기술적 사상에 의한 코팅층(130)의 존재는 전반사 현상이 일어나지 않도록 하면서도 빛의 손실을 줄여줄 수 있다. 이것도 본 발명의 다양한 다른 실시예들에 대한 설명들을 참조하면 이해될 수 있을 것이다.
도 3을 참조하면, 코팅층이 형성되지 않았을 경우의 빛의 경로(Lp1)와 코팅층이 형성된 경우의 빛의 경로(Lp2)는 서로 다르며, 최종 조사되는 폴리머 층(140)의 바닥 면(B2)에서 거리 차이(D1)를 갖는다. 스탬프 패턴(120)의 표면에 코팅층(130)이 형성되지 않았을 경우, 템플리트 기판(110)에 수직으로 입사한 빛은 스탬프 패턴(120)과 폴리머 층(140)의 계면을 투과하며 θ1의 각도로 진로가 변경되어 폴리머 층(140)의 바닥 면(B2)의 제1 위치(P1)에 조사된다. 스탬프 패턴(120)의 표면에 코팅층(130)이 형성되어 있을 경우, 템플리트 기판(110)에 수직으로 입사한 빛(l2)은 스탬프 패턴(120)과 코팅층(130)의 계면을 투과하여 θ2의 각도로 진로가 변경되고, 다시 코팅층(130)과 폴리머 층(140)의 계면을 투과하며 θ1의 각도로 진로가 변경되어 폴리머 층(140)의 바닥 면(B2)의 제2 위치(P2)에 조사된다. θ1, θ2 및 각 위치들(P1, P2)의 거리 차이(D1)는 스탬프 패턴(120)들의 테이퍼 각도, 코팅층(130)의 종류 및 두께, 및 폴리머 층(140)의 종류에 따라 다양하게 변할 수 있다.
코팅층(130)이 형성되어 있을 경우, 폴리머 층(140)의 바닥 면(B2)에 빛(l2)이 조사되는 위치(P2)는 스탬프 패턴(120)의 상부 면(120t) 방향으로 거리 차이 (D1)만큼 이동된다. 즉, 스탬프 패턴(120)의 상부 면(120t) 쪽에서 빛(l2)의 조사량이 부족해지는 현상을 보상할 수 있다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 응용 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트들을 간략하게 도시한 종단면도들이다. 도 4a 및 4b를 참조하면, 본 발명의 응용 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트들(200a, 200b)은, 템플리트 기판들(210a, 210b), 템플리트 기판들(21a, 210b)의 일 면 상에 형성된 스탬프 패턴들(220a, 220b), 및 스탬프 패턴들(220a, 220b)의 표면에 형성된 코팅층들(230a, 230b)을 포함하되, 코팅층들(230a, 230b)은 스탬프 패턴들(220a, 220b)의 측벽들에만 형성된다.
템플리트 기판들(210a, 210b)을 투과하여 폴리머 층들(240a, 240b)에 조사되는 빛이 스탬프 패턴들(220a, 220b)의 경사면에 경사지게 입사할 경우, 반사 또는 회절에 의한 손실이 발생한다. 빛이 스탬프 패턴들(220a, 220b)의 수평 평면들, 즉 스탬프 패턴들(220a, 220b)의 바닥 면들(220ab, 220bb)이나 상부 면(220at, 220bt)에서는 빛의 손실이 거의 없다. 이때, 도 4a에 도시되었듯이, 스탬프 패턴(220a)의 바닥 면(220ab)의 구석(C1)을 코팅층(230a)이 커버할 수도 있고, 도 4b에 도시되었듯이, 스탬프 패턴(220b)의 바닥 면(220bb)의 구석(C2)을 코팅층(230b)이 커버하지 않고 노출시킬 수도 있다. 또, 스탬프 패턴(220b)의 측벽에만 코팅층(230b)이 형성될 경우, 코팅층(230b)은 스탬프 패턴(220b)의 코너부(C2)에서 더욱 경사진 각도로 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 응용 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트를 개략적으로 도시한 종단면도이다. 예시적으로 단위 코팅층이 두 개층인 경우가 도시된다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 응용 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트(300)는, 템플리트 기판(310), 템플리트 기판(310)의 일 면 상에 형성된 스탬프 패턴(320), 및 스탬프 패턴(320)의 표면에 다층으로 형성된 코팅층(330)을 포함한다. 다층으로 형성된 코팅층(330)은 다양한 굴절률을 가진 물질들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 템플리트 기판(310)보다 낮은 굴절률을 가진 물질층을 포함할 수 있다. 도 1 내지 도 4를 참조하여, 코팅층(130, 230)이 단층으로 형성되었을 경우, 만약 코팅층(130, 230)이 템플리트 기판(110, 210)보다 낮은 굴절률을 갖는다면, 그 계면에서 전반사 현상이 일어날 수 있다. 전반사 현상은 스탬프 패턴(120, 220)의 테이퍼 각도가 템플리트 기판(110, 210)에 대해 수직에 가까울수록 가능성이 높아진다. 따라서, 코팅층(130, 230)이 단층일 경우, 스탬프 패턴(120, 220)과 폴리머 층(140, 240) 사이에서 일어나는 빛의 손실 현상을 보상할 수 없는 대역이 존재하게 된다. 이 경우, 다층으로 코팅층(340)을 형성함으로써, 그 대역을 좁힐 수 있다. 다층으로 형성된 코팅층(340)의 각 단위 코팅층들(340a, 340b)은 매우 다양한 물질과 굴절률로 구성될 수 있다. 통상적으로 각 물질들의 고유한 굴절률은 알려져 있으나 사실상 중요하게 적용되지는 않는다. 각 물질의 순수도 또는 첨가된 물질에 따라 굴절률이 달라질 수 있기 때문이다. 본 실시예에서, 템플리트 기판(310) 상에 직접적으로 형성된 단위 코팅층(340a)은 템플리 트 기판(310)보다 높은 굴절률을 가질 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 응용 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트 및 그 템플리트을 이용한 공정에서 빛의 진행 경로를 개념적으로 확대하여 예시한 종단면도이다. 예시적으로, 코팅층이 셋 이상의 단위 코팅층들로 형성된 경우가 도시되었다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 응용 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트(400)는, 템플리트 기판(410), 템플리트 기판(410)의 일 면상에 형성된 스탬프 패턴(420), 및 스탬프 패턴(420)의 표면에 다층으로 형성된 코팅층(430)을 포함한다. 다층으로 형성된 코팅층(430)은 다양한 굴절률을 가진 물질들로 형성될 수 있고, 특히 단위 코팅층들(430a, 430b, 430c, 430d, 430e) 중에 템플리트 기판(410)의 굴절률보다 높은 굴절률을 가진 단위 코팅층(430a, 430b, 430c, 430d, 430e)이 포함될 수 있다. 물론, 포함되지 않을 수도 있으며, 단위 코팅층들(430a, 430b, 430c, 430d, 430e)은 더 많이 형성될 수도 있다.
도 6을 더 참조하여, 본 발명의 다른 응용 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트(400)를 사용하여 공정을 진행하는 경우, 템플리트 기판(410)을 투과한 빛(l3)은 다층으로 형성된 코팅층(430)을 투과하면서 각 단위 코팅층들(430a, 430b, 430c, 430d, 430e)의 계면에서 진행 경로의 각도가 변한다. 보다 상세하게, 각 단위 코팅층들(430a, 430b, 430c, 430d, 430e)의 굴절률에 따라 다층의 단위 코팅층(430a, 430b, 430c, 430d, 430e)을 투과하는 빛(l3)의 경로는 그 계면들에서 예각 또는 둔각으로 변하며 진행할 수 있다. 만약, 직접적으로 접촉하고 있는 단위 코팅층들(430a, 430b, 430c, 430d, 430e)의 굴절률이 동일하다면 빛(l3)의 진행 각도는 변함이 없을 것이다. 즉, 직진할 것이다. 진행할 층의 굴절률이 진행해온 층의 굴절률보다 낮을 경우, 빛(l3)의 진행 방향은 예각으로 꺾일 것이다. 반면에, 진행할 층의 굴절률이 진행해온 층의 굴절률보다 높은 경우, 빛(l3)의 진행 방향은 둔각으로 꺾일 것이다. 도 6은 이러한 개념적인 빛(l3)의 진행 방향의 변화를 예시적으로 보여준다. 부가하여, 코팅층(430)이 다층으로 형성될 경우, 빛(l3)이 조사되는 지점을 스탬프 패턴(420)의 방향으로 D2만큼 더 이동 시킬 수 있다. 즉, 다층으로 형성된 코팅층(430)은 빛(l3)의 손실을 보상하는 효과를 더 크게 할 수 있다. 이것은 다층으로 형성된 코팅층(430)이 템플리트 기판(410)보다 큰 굴절율을 가진 물질층을 포함할 수 있기 때문이다. 또, 다층으로 형성된 코팅층(430)은 단위 코팅층들(430a, 430b, 430c, 430d, 430e)의 조합에 따라 폴리머 층(440)에 조사되는 빛의 각도가 설정될 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 응용 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트 및 그 템플리트을 이용한 공정에서 빛의 진행 경로를 개념적으로 확대하여 예시한 종단면도이다. 예시적으로, 코팅층(530)이 점차 굴절률이 낮은 물질층으로 형성될 경우, 빛(l4)의 진행 경로가 한 방향으로 점차 변해 가는 것이 보인다. 템플리트 기판(510)과 접촉하는 단위 코팅층들(530a, 530b, 530c, 530d, 530e)은 템플리트 기판(510)보다 높은 굴절률을 갖도록 형성되고, 이후, 점차 낮은 굴절률을 갖는 단위 코팅층들(530a, 530b, 530c, 530d, 530e)이 형성될 수 있다.
표 1은 본 발명의 기술적 사상에서 사용될 수 있는 막질들의 굴절률을 참고 적으로 표시한 것이다. 각 물질의 굴절률들은 그 조성 등에 따라 다양하게 변할 수 있으므로, 표 1에 표시된 물질들의 굴절률은 단지 참고사항일 뿐이다. 이 외에도, 다양한 물질들의 굴절률이 알려져 있다. 스탬프 패턴의 테이퍼 각도와 공정에 사용되는 빛의 파장 등을 알고 있다면, 하나의 물질층 또는 다양한 물질층들로 코팅층을 형성함으로써, 나노 임프린트 공정이 성공적으로 수행될 수 있다.
물질 굴절률 물질 굴절률
Na3AlF6 1.33 폴리 비닐 클로라이트 1.54-1.55
CaF2 1.35 SiO2 1.55
테프론 1.35-1.38 폴리스티렌 1.59
MgF2 1.38 우레탄 1.5-1.6
BaF2 1.4 에폭시 1.55-1.60
실리카 유리 1.458 Al2O3 1.63
셀룰로오스 1.46-1.50 CeF3 1.63
보로 실리케이트 1.47 뮬라이트
Al2O3 ㅇ SiO2		 1.64
폴리 프로필렌 1.47 TiN 1.68
페놀 수지 1.47-1.50 스피텔
(MgO ㅇ Al2O3)		 1.72
Albite로 제조한 유리 1.49 MgO 1.74
Orthoclase로 제조한 유리 1.51 코런덤 1.76
저밀도 폴리에틸렌 1.51 사파이어 1.77
소다 라임 실리카 유리 1.51-1.52 고밀도 유리 1.89
천연 고무 1.52 HfO2 2.0
Orthoclase
(KAlSi3O8)		 1.525 ITO 2.0
Albite
(NaAlSi3O8)		 1.529 ZrO2 2.05
폴리아미드 (나일론 66) 1.53 Ta2O5 2.1
고밀도 폴리에틸렌 1.545 TiO2 2.3
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 개략적으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한, 코팅막을 포함하는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트를 개략적으로 도시한 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트를 이용하는 공정에서, 자외선의 경로를 가상적으로 예시한 것이고, 도 3은 그 개념적인 확대 도면이다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 응용 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트들을 간략하게 도시한 종단면도들이다.
도 5는 본 발명의 다른 응용 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트를 개략적으로 도시한 종단면도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 응용 실시예들에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트들 및 그 템플리트들을 이용한 공정에서 빛의 진행 경로를 개념적으로 확대하여 예시한 종단면도이다.

Claims (10)

  1. 자외선에 투명한 기판,
    상기 기판 상에 형성되고 경사진 측벽을 갖는 스탬프 패턴,
    상기 스탬프 패턴의 경사진 측벽 상에 형성된 코팅층을 포함하는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 석영으로 형성되는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 스탬프 패턴은 상기 기판의 일 영역에 요철 모양으로 형성되는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 스탬프 패턴의 측벽에는 상기 코팅층이 형성되고, 상기 스템프 패턴의 상면 부에는 상기 코팅층이 형성되지 않는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 스탬프 패턴의 바닥면의 코너부가 노출되도록 상기 스탬프 패턴의 바닥 면에 상기 코팅층이 형성되지 않는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 코팅층은 상기 기판의 굴절률보다 높은 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 코팅층은 둘 이상의 다층 단위 코팅층들을 포함하는 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 스탬프 패턴과 직접적으로 접촉하는 상기 단위 코팅층은 상기 기판보다 굴절률이 높은 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 코팅층의 총 굴절률이 상기 기판의 굴절률보다 높은 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 코팅층의 총 굴절률이 상기 기판의 굴절률보다 낮은 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트.
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