KR20100103079A - 스프링 구조를 갖는 열전에너지 변환모듈 - Google Patents

스프링 구조를 갖는 열전에너지 변환모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20100103079A
KR20100103079A KR1020090021510A KR20090021510A KR20100103079A KR 20100103079 A KR20100103079 A KR 20100103079A KR 1020090021510 A KR1020090021510 A KR 1020090021510A KR 20090021510 A KR20090021510 A KR 20090021510A KR 20100103079 A KR20100103079 A KR 20100103079A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thermoelectric
conversion module
energy conversion
spring structure
conductive substrate
Prior art date
Application number
KR1020090021510A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101068647B1 (ko
Inventor
김정엽
한승우
현승민
장봉균
김경식
Original Assignee
한국기계연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기계연구원 filed Critical 한국기계연구원
Priority to KR1020090021510A priority Critical patent/KR101068647B1/ko
Publication of KR20100103079A publication Critical patent/KR20100103079A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101068647B1 publication Critical patent/KR101068647B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/853—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 복수개의 열전에너지 변환요소를 전기적으로 접속하여 구성한 열전에너지 변환모듈에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈은, 서로 대향하는 제1 열전도성 기판과 제2 열전도성 기판과, 상기 제1 열전도성 기판과 제2 열전도성 기판의 사이 공간에서 사방으로 배치된 열전요소, 및 상기 열전요소를 직렬 연결하는 연결전극을 포함하고, 상기 열전요소 또는 상기 연결전극은 지그재그(zigzag) 형상의 스프링 구조를 갖는다.
열전소자, 스프링구조, 유연기판

Description

스프링 구조를 갖는 열전에너지 변환모듈{THERMOELECTRIC ENERGY CONVERSION MODULE HAVING SPRING STRUCTURE}
본 발명은 복수개의 열전에너지 변환요소를 전기적으로 접속하여 구성한 열전에너지 변환모듈에 관한 것이다.
제벡(Seebeck) 효과나 펠티에(Peltier) 효과 등 열의 흐름과 전류가 서로 영향을 미치는 물리 현상은 "열전 효과(thermoelectric effects)"로 총칭된다. 그리고, 열전 효과는 다른 열전 성능(thermoelectric properties: 熱電性能)을 갖는 이종금속이나 이종 반도체를 접합한 회로에서 발생한다.
이러한 이종금속이나 이종 반도체의 접합부에 온도차가 있는 경우, 이 회로에서 전류가 발생하는데, 이를 제벡(Seebeck) 효과라 하며, 제벡 효과는 열에너지를 전기 에너지로 이용하는 각종 발전 장치에 이용된다.
그리고, 이종금속 회로나 이종 반도체를 접합한 회로에 직류전류를 인가하면, 상기 접합부의 한쪽은 발열하고, 다른 쪽은 흡열하는 현상이 일어나는데, 이 현상을 펠티에(Peltier) 효과라 하며, 펠티에(Peltier) 효과는 CPU(Central Processing Unit)를 포함하는 각종 칩(chip)과 디바이스(device) 등을 열전냉각 하 는데 이용되고 있다.
이러한 제벡 효과를 이용한 열전 발전 장치와 펠티에 효과를 이용한 열전 냉각 장치를 통칭하여 열전 에너지 변환모듈이라 한다.
상기한 바와 같은 기술적 배경을 바탕으로, 본 발명은 스프링 형상의 요소를 도입하여 외력을 흡수하여 외부 충격에 강한 신뢰성 있는 열전에너지 변환모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈은, 서로 대향하는 제1 열전도성 기판과 제2 열전도성 기판과, 상기 제1 열전도성 기판과 제2 열전도성 기판의 사이 공간에서 사방으로 배치된 열전요소, 및 상기 열전요소를 직렬 연결하는 연결전극을 포함하고, 상기 열전요소 또는 상기 연결전극은 지그재그(zigzag) 형상의 스프링 구조를 갖는다.
상기 지그재그 형상의 스프링 구조는 꺽어지는 부분이 라운드지게 이루어지거나, 직각으로 이루어지거나, 예각으로 이루어질 수 있다.
상기 열전요소는 p형 반도체와 n형 반도체가 교번하여 배치될 수 있다.
상기 제1 열전도성 기판과 제2 열전도성 기판 중 적어도 하나는 유연성 기판으로 이루어질 수 있다.
상기 열전요소의 재료는 Bi, Te, Se, Sb 및 이들의 화합물로 이루어지는 군 에서 선택된 물질을 사용할 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈에 의하면, 전극과 열전요소 중 적어도 한 곳에 스프링 형상을 도입함으로써 전극과 열전요소의 접합부가 심하게 변형되지 않도록 하기 때문에 본딩 특성이 우수한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 접는(flexible) 태양전지 또는 접는(flexible) 모니터와 같은 모바일 응용제품에 사용될 경우 전극과 열전요소가 외력을 충분히 흡수할 수 있는 스프링 구조를 갖기 때문에 제품의 내구성 향상 및 신뢰성 확보를 기대할 수 있다.
또한, 전극, 열전요소, 기판 간의 열팽창 계수의 차이에 기인하는 열적 불일치(thermal mismatch)에 의하여 발생되는 열변형은 스프링 구조에 의하여 흡수될 수 있다.
나아가, 열전요소에 스프링 형상이 도입되면 열전요소의 길이가 증가하게 되는 효과를 얻을 수 있으며, 이를 통하여 열전성능의 향상을 기대할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소 에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도 1은 일반적인 이종 반도체를 이용한 열전에너지 변환모듈을 도시한 사시도이고, 도 2의 (a)와 (b)는 도 1에 도시된 열전에너지 변환모듈의 일부를 도시한 도면이다.
도 1및 도 2를 참조하면, 열전 에너지 변환 모듈(10)은 열전요소인 p형 반도체(1)와 n형 반도체(2)가 교대로 전후 좌우 사방(四方)으로 배열되어 있다.
그리고, p형 반도체(1) 및 n형 반도체(2)는 연결전극(3)에 각각 접속되어 있고, 한쪽 단부측에 배치되는 p형 반도체(1)의 하단부면에는 외부 기기와 접속되는 제1 단자전극(4)이 연결되고, 다른 쪽 단부측에 배치되는 n형 반도체(2)의 하단부면에는 외부 기기와 접속되는 제2 단자전극(5)이 연결된다.
각각의 p형 반도체(1) 및 n형 반도체(2)는 제1 단자전극(4)과 제2 단자전극(5) 사이에 π형으로 연결전극(3)을 통해 직렬 접속되어 있다. 즉, 교번하여 배치되는 p형 반도체(1)와 n형 반도체(2)를 연결전극(3)이 상단부와 하단부로 번갈아 위치하면서 직렬로 연결하고 있으며, 상기 제1 단자전극(4)으로부터 제2 단자전극(5)까지 사행(蛇行)하면서 전체 반도체(1, 2)가 직렬 연결된다.
한편, p형 반도체(1) 및 n형 반도체(2)의 상단부면에 접속되는 연결전극(3)에는 제1 열전도성 기판(thermally conductive substrate)(6)이 접촉된다. 그리고, p형 반도체(1) 및 n형 반도체(2)의 하단부면에 접속되는 연결전극(3)과 단자전극들(4, 5)에는 제2 열전도성 기판(7)이 접촉된다.
그리고, 직류 전원이 제1 단자전극(4)과 제2 단자전극(5) 사이에 접속되되, 제2 단자전극(5)을 플러스(+)측으로 하고, 제2 단자전극(4)을 마이너스(-)측으로 하여 열전에너지 변환모듈(10)에 전류가 흐르게 하면, p형 반도체(1)와 n형 반도체(2)의 접합부에 있어서는 전류 방향에 의존하여 제1 열전도성 기판(6)에서는 열을 흡수하여 냉각되고, 제2 열전도성 기판(7)에서는 열을 방출하여 가열된다.
이러한 구성에 따라 열전에너지 변환모듈(10)에 전류를 흘리면 열전에너지 변환모듈(10)이 열전 냉각 모듈로 이용될 수 있다.
한편, 제1 단자전극(4)과 제2 단자전극(5) 사이에 부하를 접속하여 폐회로를 구성하고, 제1 열전도성 기판(6)을 저온측으로 하고, 제2 열전도성 기판(7)을 고온측으로 하여 제1 열전도성 기판(6)과 제2 열전도성 기판(7) 사이에 온도차를 부여하면 폐회로에 전류가 흘러 전력을 얻을 수 있다.
이러한 구성에 따라, 열전에너지 변환모듈(10)에 열에너지를 가하면 열전 에너지 변환모듈(10)이 발전 모듈로 이용될 수 있다.
상기 제1 열전도성 기판(6)과 제2 열전도성 기판(7) 중 적어도 하나는 유연성 기판으로 이루어질 수 있다.
그런데 이러한 열전에너지 변환모듈(10)은 본딩(bonding) 특성이 떨어지는 단점이 있어서 작은 충격에도 쉽게 파손되거나 접지상태가 변해 오작동을 일으킬 수 있다. 그리고 이러한 열전에너지 변환모듈(10)는 최대온도로부터 최저온도로의 변화가 반복해서 일어남에 따라 피로 수명이 단축되는 문제점이 있다. 또한 열전에너지 변환모듈(10)이 모바일 응용제품에 사용될 경우 변형을 흡수할 수 있는 구조가 필요하다.
도 3의 (a)와 (b)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈의 일부를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈(20)의 연결전극(13)은 중앙부에 스프링 구조를 갖도록 형성된다. 상기 연결전극(13)은 열전요소인 p형 반도체(1)와 n형 반도체(2)가 접촉하는 접속부(13a)와 이들 접속부(13a) 사이를 연결하는 연결부(13b)로 구성된다. 이 때, 상기 연결부(13b)는 지그재그(zigzag) 형상의 스프링 구조로 이루어진다.
상기 지그재그 형상의 스프링 구조는, 도 3에 도시된 바와 같이, 꺾어지는 부분이 예각을 이루도록 형성될 수 있으며, 도시하지 않았지만, 선택적으로 라운드지게 이루어지거나 직각으로 이루어질 수도 있다.
이와 같이 형성되는 지그재그 형상의 스프링 구조를 갖는 연결전극(13)을 도입함으로써, 상기 연결전극(13)과 열전요소의 접합부가 심하게 변형되지 않게 되어 본딩 특성이 우수해지고, 외력을 충분히 흡수하여 적용되는 제품의 내구성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 4의 (a)와 (b)는 본 발명의 제2 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈의 일부를 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈(30)의 열전요소인 p형 반도체(21)와 n형 반도체(22)는 지그재그 형상의 스프링 구조를 갖도록 형성된다.
상기 지그재그 형상의 스프링 구조는, 도 4에 도시된 바와 같이, 꺾어지는 부분이 예각을 이루도록 형성될 수 있으며, 도시하지 않았지만, 선택적으로 라운드지게 이루어지거나 직각으로 이루어질 수도 있다.
이와 같이 형성되는 지그재그 형상의 스프링 구조를 갖는 열전요소를 도입함으로써, 연결전극(3)과 열전요소(21, 22)의 접합부가 심하게 변형되지 않게 되어 본딩 특성이 우수해지고, 외력을 충분히 흡수하여 적용되는 제품의 내구성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
아울러 열전요소(21, 22)의 길이가 증가하게 됨에 따라 열전성능의 향상을 기대할 수 있다.
도 5의 (a)와 (b)는 본 발명의 제3 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈의 일부를 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈(40)은 열전요소인 p형 반도체(21)와 n형 반도체(22)가 지그재그 형상의 스프링 구조로 이루어지고, 연결전극(13)은 중앙부에 스프링 구조를 갖도록 형성된다. 상기 연결전극(13)은 열전요소인 p형 반도체(21)와 n형 반도체(22)가 접촉하는 접속부(13a)와 이들 접속부(13a) 사이를 연결하는 연결부(13b)로 구성된다. 이 때, 상기 연결부(13b)는 지그재그(zigzag) 형상의 스프링 구조로 이루어진다.
상기 지그재그 형상의 스프링 구조는, 도 5에 도시된 바와 같이, 꺾어지는 부분이 예각을 이루도록 형성될 수 있으며, 도시하지 않았지만, 선택적으로 라운드지게 이루어지거나 직각으로 이루어질 수도 있다.
상기 각 실시예에 적용되는 열전요소의 재료로 Bi, Te, Se, Sb 및 이들의 화 합물로 이루어지는 군에서 선택된 물질을 사용할 수 있으며, 이에 따라 단순히 실리콘에 도핑하여 사용하는 경우보다 상기 열전요소의 효율을 향상시킬 수 있다.
이와 같이 형성되는 지그재그 형상의 스프링 구조를 갖는 연결전극(13)과 열전요소(21, 22)를 도입함으로써, 상기 연결전극(13)과 열전요소(21, 22)의 접합부가 심하게 변형되지 않게 되어 본딩 특성이 우수해지고, 외력을 충분히 흡수하여 적용되는 제품의 내구성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
아울러 열전요소(21, 22)의 길이가 증가하게 됨에 따라 열전성능의 향상을 기대할 수 있다.
도 1은 일반적인 이종 반도체를 이용한 열전에너지 변환모듈을 도시한 사시도이다.
도 2의 (a)와 (b)는 도 1에 도시된 열전에너지 변환모듈의 일부를 도시한 도면이다.
도 3의 (a)와 (b)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈의 일부를 도시한 도면이다.
도 4의 (a)와 (b)는 본 발명의 제2 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈의 일부를 도시한 도면이다.
도 5의 (a)와 (b)는 본 발명의 제3 실시예에 따른 열전에너지 변환모듈의 일부를 도시한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1, 21 : p형 반도체 2 , 22: n형 반도체
3, 13 : 연결전극 4 : 제1 단자전극
5 : 제2 단자전극 6 : 제1 열전도성 기판
7 : 제2 열전도성 기판

Claims (7)

  1. 서로 대향하는 제1 열전도성 기판과 제2 열전도성 기판;
    상기 제1 열전도성 기판과 제2 열전도성 기판의 사이 공간에서 사방으로 배치된 열전요소; 및
    상기 열전요소를 직렬 연결하는 연결전극;
    을 포함하고,
    상기 열전요소 또는 상기 연결전극은 지그재그(zigzag) 형상의 스프링 구조를 갖는 열전에너지 변환모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지그재그 형상의 스프링 구조는 꺽어지는 부분이 라운드지게 이루어지는 열전에너지 변환모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 지그재그 형상의 스프링 구조는 꺽어지는 부분이 직각으로 이루어지는 열전에너지 변환모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 지그재그 형상의 스프링 구조는 꺽어지는 부분이 예각으로 이루어지는 열전에너지 변환모듈.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전요소는 p형 반도체와 n형 반도체가 교번하여 배치되는 열전에너지 변환모듈.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 열전도성 기판과 제2 열전도성 기판 중 적어도 하나는 유연성 기판으로 이루어지는 열전에너지 변환모듈.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전요소의 재료는 Bi, Te, Se, Sb 및 이들의 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 물질을 사용하는 열전에너지 변환모듈.
KR1020090021510A 2009-03-13 2009-03-13 스프링 구조를 갖는 열전에너지 변환모듈 KR101068647B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090021510A KR101068647B1 (ko) 2009-03-13 2009-03-13 스프링 구조를 갖는 열전에너지 변환모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090021510A KR101068647B1 (ko) 2009-03-13 2009-03-13 스프링 구조를 갖는 열전에너지 변환모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100103079A true KR20100103079A (ko) 2010-09-27
KR101068647B1 KR101068647B1 (ko) 2011-09-28

Family

ID=43007910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090021510A KR101068647B1 (ko) 2009-03-13 2009-03-13 스프링 구조를 갖는 열전에너지 변환모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101068647B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108649114A (zh) * 2018-04-26 2018-10-12 东华大学 一种无机热电材料基柔性热电转换器件
DE102017216832A1 (de) * 2017-09-22 2019-03-28 Mahle International Gmbh Thermoelektrische Vorrichtung, insbesondere für eine Klimatisierungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08204242A (ja) * 1995-01-27 1996-08-09 Matsushita Electric Works Ltd 熱電気変換装置
JP2008010764A (ja) 2006-06-30 2008-01-17 Chugoku Electric Power Co Inc:The 熱電変換装置
JP2008177356A (ja) 2007-01-18 2008-07-31 Toyota Motor Corp 熱電発電素子
JP2008288535A (ja) 2007-05-21 2008-11-27 Toyota Motor Corp 熱電発電モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017216832A1 (de) * 2017-09-22 2019-03-28 Mahle International Gmbh Thermoelektrische Vorrichtung, insbesondere für eine Klimatisierungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs
CN108649114A (zh) * 2018-04-26 2018-10-12 东华大学 一种无机热电材料基柔性热电转换器件

Also Published As

Publication number Publication date
KR101068647B1 (ko) 2011-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107251249B (zh) 热电发电模块
JP4728745B2 (ja) 熱電素子デバイス及び熱電モジュール
US9793462B2 (en) Thermoelectric module, thermoelectric power generating apparatus, and thermoelectric generator
US9620700B2 (en) Wafer scale thermoelectric energy harvester
CN105895794B (zh) 热转换装置
JP6529777B2 (ja) 熱変換装置
US20120174955A1 (en) Thermoelectric module
JP2007048916A (ja) 熱電モジュール
KR100853749B1 (ko) 열전 발전용 단위 모듈과 이를 포함하는 열전 세트 및 그제조방법
KR101068647B1 (ko) 스프링 구조를 갖는 열전에너지 변환모듈
CN103794581B (zh) 一种热电散热装置
KR102510123B1 (ko) 열전소자
JP2015076607A (ja) 半導体チップ構造
JP2012174911A (ja) 熱電変換モジュール
KR20150123055A (ko) 열전환장치
KR101046130B1 (ko) 열전소자
KR20160005588A (ko) 온도센서
JP2013084874A (ja) 熱電モジュール
JP2017069443A (ja) 熱電変換モジュール
KR20110136619A (ko) 이종 열전소자를 구비한 열전모듈
KR102456680B1 (ko) 열전소자
JP4288927B2 (ja) 多段熱電モジュール
JP6592996B2 (ja) 熱電発電装置
JP2020025047A (ja) 熱電変換装置
KR102423607B1 (ko) 열전 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140605

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150609

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160620

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170621

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee