KR20100093691A - Light emitting diode package and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 실장된 LED 칩; 상기 LED 칩의 표면을 따라 형성된 형광체; 및 상기 형광체 상에 형성된 투광성 수지;를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공하며, 또한 본 발명은 상기 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a light emitting diode package and a method for manufacturing the same, comprising: an LED chip mounted on a substrate; A phosphor formed along a surface of the LED chip; And a light-transmitting resin formed on the phosphor. The present invention also provides a method of manufacturing the light emitting diode package.
Description
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 형광체가 섞인 휘발성 용제를 LED 칩 상에 형성한 후, 상기 휘발성 용제가 증발됨에 따라 상기 LED 칩 표면에 형광체가 균일한 두께로 침전되도록 한 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same. More specifically, after forming a volatile solvent mixed with a phosphor on the LED chip, as the volatile solvent is evaporated, the phosphor is uniform thickness on the surface of the LED chip The present invention relates to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로서, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.A light emitting diode (LED) refers to a semiconductor device capable of realizing various colors of light by forming a light emitting source by changing compound semiconductor materials such as GaAs, AlGaAs, GaN, and InGaInP.
최근 LED는 비약적인 반도체 기술의 발전에 힘입어, 저휘도의 범용제품에서 탈피하여, 고휘도 및 고품질의 제품 생산이 가능해졌다. 또한, 고특성의 청색(blue)과 백색(white) LED의 구현이 현실화됨에 따라서, 디스플레이 및 차세대 조명원 등으로 그 응용가치가 확대되고 있다.In recent years, thanks to the rapid development of semiconductor technology, LEDs have escaped from general-purpose products with low brightness, enabling production of high-brightness and high-quality products. In addition, as the implementation of high-performance blue and white LEDs becomes a reality, its application value is being extended to displays and next-generation lighting sources.
조명용의 백색 LED 등 고출력, 고휘도 LED에 대한 수요가 증가함에 따라, LED 패키지의 성능과 신뢰성을 향상시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. LED 제품의 성능을 높이기 위해서는, 우수한 광효율을 갖는 LED 칩 자체와 함께, 광을 효과적으로 추출하고 색순도가 우수하며 제품들간의 특성이 균일한 LED 패키지가 동시에 확보되어야 한다.As the demand for high power and high brightness LEDs, such as white LEDs for lighting, increases, studies are being actively conducted to improve the performance and reliability of LED packages. In order to improve the performance of the LED products, together with the LED chip itself having excellent light efficiency, the LED package must be secured at the same time to extract the light effectively, excellent color purity and uniform characteristics between the products.
종래의 LED 패키지는 기저(base) 기판에 홈을 형성하고 상기 홈 내부에 LED 칩을 본딩한 후, 상기 LED 칩 위에 형광체와 실리콘 수지의 혼합물을 도포하게 된다.In the conventional LED package, a groove is formed in a base substrate and an LED chip is bonded inside the groove, and then a mixture of phosphor and silicone resin is coated on the LED chip.
그러나, 이러한 종래기술에 따른 LED 패키지는 형광체의 도포를 위해 LED 칩 보다 큰 홈을 추가로 형성하여야 하며, 상기 실리콘 수지의 점도 때문에 상기 수지 내에서 형광체의 침전이 빠르게 이루어지지 않아 상기 수지 내에서의 형광체의 공간적인 분포를 제어하는 것이 상당히 어려운 문제점이 있었다.However, the LED package according to the prior art should additionally form a groove larger than the LED chip for the application of the phosphor, and due to the viscosity of the silicone resin, the precipitation of the phosphor in the resin does not occur quickly, so There is a problem that it is quite difficult to control the spatial distribution of the phosphor.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은, 형광체의 도포가 필요한 영역을 제외한 나머지 영역의 기판 상에 발수성 코팅층을 형성한 후, 상기 발수성 코팅층이 형성되지 않은 부분에 형광체가 섞인 휘발성 용제를 도포함으로써, 상기 휘발성 용제가 증발됨에 따라 LED 칩 표면에 형광체가 균일한 두께로 침전되도록 할 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention, after forming a water-repellent coating layer on the substrate of the remaining area except the area requiring the application of the phosphor, in the portion where the water-repellent coating layer is not formed The present invention provides a light emitting diode package and a method of manufacturing the same, by applying a volatile solvent mixed with phosphors, so that the phosphors are deposited to a uniform thickness on the surface of the LED chip as the volatile solvent is evaporated.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지는, 기판 상에 실장된 LED 칩; 상기 LED 칩의 표면을 따라 형성된 형광체; 및 상기 형광체 상에 형성된 투명 수지;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a light emitting diode package includes: an LED chip mounted on a substrate; A phosphor formed along a surface of the LED chip; And a transparent resin formed on the phosphor.
여기서, 상기 투명 수지는 실리콘 수지일 수 있다.Here, the transparent resin may be a silicone resin.
또한, 상기 투명 수지는 렌즈 형상으로 형성된 것일 수 있다.In addition, the transparent resin may be formed in a lens shape.
그리고, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조방법은, 기판 상에 상기 기판의 일부를 노출시키는 발수성 코팅층을 형성하는 단계; 상기 발수성 코팅층이 형성되지 않은 기판 상에 LED 칩을 실장하는 단계; 상기 발수성 코팅층이 형성되지 않은 기판 상에 상기 LED 칩을 덮도록 형광 체가 섞인 휘발성 용제를 도포하는 단계; 상기 휘발성 용제를 증발시켜 상기 형광체를 상기 LED 칩의 표면에 침전시키는 단계; 및 상기 형광체 상에 투명 수지를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.In addition, the method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention for achieving the above object comprises the steps of: forming a water-repellent coating layer exposing a portion of the substrate on a substrate; Mounting an LED chip on a substrate on which the water repellent coating layer is not formed; Applying a volatile solvent mixed with a phosphor to cover the LED chip on the substrate on which the water repellent coating layer is not formed; Evaporating the volatile solvent to precipitate the phosphor on the surface of the LED chip; And forming a transparent resin on the phosphor.
여기서, 상기 휘발성 용제는 아세톤일 수 있다.Here, the volatile solvent may be acetone.
또한, 상기 투명 수지는 실리콘 수지일 수 있다.In addition, the transparent resin may be a silicone resin.
또한, 상기 형광체의 표면에 투명 수지를 형성하는 단계 이후에, 상기 발수성 코팅층을 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다.In addition, after the step of forming a transparent resin on the surface of the phosphor, the step of removing the water repellent coating layer; may further comprise a.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 의하면, 발수성 코팅층이 형성되지 않은 부분에만 형광체가 섞인 휘발성 용제가 도포함으로써, 일정 시간이 지남에 따라 상기 휘발성 용제는 증발되어 없어지면서, 상기 휘발성 용제에 섞여 있던 형광체가 LED 칩의 표면에 밀착되어 일정한 두께로 침전시킬 수 있다.As described above, according to the light emitting diode package and the method of manufacturing the same, the volatile solvent mixed with the phosphor is applied only to the portion where the water repellent coating layer is not formed, so that the volatile solvent does not evaporate over time. As the phosphor is mixed with the volatile solvent, the phosphor may adhere to the surface of the LED chip and be precipitated to a predetermined thickness.
따라서, 본 발명은 LED 칩 표면에 균일한 두께로 형광체를 형성할 수 있으므로, 광의 지향각에 따른 색의 불균일성을 해소하여 패키지를 통해 나오는 빛의 색상이 전체적으로 균일하게 나타나도록 할 수 있는 효과가 있다.Therefore, since the present invention can form a phosphor with a uniform thickness on the surface of the LED chip, there is an effect that the color uniformity of light emitted through the package can be uniformly solved by eliminating color unevenness according to the direction of light. .
또한, 본 발명은 상기 발수성 코팅층을 이용하여, 상기 발수성 코팅층이 형성되지 않은 부분에만 형광체가 섞인 휘발성 용제가 도포되도록 함으로써, 상기 형광체 도포를 위한 별도의 홈 구조 없이도 원하는 영역에만 형광체가 도포되도록 할 수 있는 장점이 있다.In addition, the present invention by using the water-repellent coating layer, the volatile solvent mixed with the phosphor is applied only to the portion where the water-repellent coating layer is not formed, it is possible to allow the phosphor to be applied only to the desired region without a separate groove structure for the phosphor coating. There is an advantage.
본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법의 상기 목적에 대한 기술적 구성을 비롯한 작용효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.Matters relating to the operational effects including the technical configuration of the light emitting diode package and the manufacturing method according to the present invention will be clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.
발광 다이오드 패키지의 구조에 관한 실시예Embodiment of Structure of Light Emitting Diode Package
도 1을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 대하여 상세히 설명한다.A light emitting diode package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 기저기판(100)과, 상기 기저기판(100) 상에 실장된 LED 칩(120)과, 상기 LED 칩(120)의 표면을 따라 형성된 형광체(130) 및 상기 형광체(130) 상에 형성된 투명 수지(150)를 포함한다.As shown in FIG. 1, a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes a
상기 LED 칩(120)은 상기 기저기판(100)의 배선(도시안됨)에 와이어(도시안됨)에 의해 접속될 수 있다. 또한, 상기 LED 칩(120)은 상기한 와이어를 이용한 본딩 방식 대신에 플립 칩 본딩 방식으로 실장될 수도 있다.The
상기 LED 칩(120)과 형광체(130)로는, 예를 들어 백색 LED를 구현하기 위하 여 청색 LED 칩과 황색 형광체를 사용할 수 있다. 이 외에도 청색 LED 칩과 녹색 및 적색 형광체 혼합물의 조합, 또는 자외선 LED 칩과 적색, 녹색 및 청색 형광체 혼합물의 조합 등을 사용할 수도 있다.As the
뿐만 아니라, 상기한 백색 LED 이외에도 다른 색의 빛을 얻기 위한 LED 패키지에도 본 발명이 적용될 수 있으므로, 본 발명에 사용되는 LED 칩(120) 및 형광체(130)가 특별히 한정되는 것은 아니다.In addition, the
상기 형광체(130) 상에 형성된 투명 수지(150)로는 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다.Silicone resin or the like may be used as the
그리고 상기 투명 수지(150)는 렌즈 형상 등으로 형성될 수 있다.The
이러한 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 형광체(130)를 도포하기 위한 별도의 홈 구조 없이도 원하는 영역에만 형광체(130)가 균일한 두께로 형성되어 있어, 형광체(130) 분포에 따른 색의 불균일성을 해소할 수 있다.In the LED package according to the exemplary embodiment of the present invention, the
발광 다이오드 패키지의 제조방법에 관한 실시예Embodiment of a manufacturing method of a light emitting diode package
이하, 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조방법에 대하여 도 2a 내지 도 2f를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2A to 2F.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.2A through 2F are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a light emitting diode package according to an exemplary embodiment of the present invention.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 기저기판(100) 상에 발수성 코팅층(110)을 형성한 후, 레이저 광 등을 이용하여 상기 발수성 코팅층(110)의 일부분을 제거하 여 상기 기저기판(100)의 일부분을 노출시킨다. 여기서, 상기 발수성 코팅층(110)이 제거되어 노출된 기저기판(100) 부분은 후속의 LED 칩(120)의 실장 및 형광체(130)의 도포가 이루어질 부분이다.First, as shown in FIG. 2A, after the water
상기 발수성 코팅층(110)은, 수분과의 친화력이 없는 발수성 도료의 도포 또는 분사 등에 의해 형성될 수 있다.The water
다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 발수성 코팅층(110)이 형성되지 않은 기저기판(100) 상에 LED 칩(120)을 실장한다.Next, as shown in FIG. 2B, the
그런 다음, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 발수성 코팅층(110)이 형성되지 않은 기저기판(100) 상에 상기 LED 칩(120)을 덮도록 형광체(130)가 섞인 휘발성 용제(140)를 도포한다.Next, as shown in FIG. 2C, the
이때, 본 발명의 실시예에서는, 상기 형광체(130)가 섞인 휘발성 용제(140)가 상기 발수성 코팅층(110) 상에는 올라가지 않고, 상기 발수성 코팅층(110)이 형성되지 않은 영역에만 도포된다.At this time, in the embodiment of the present invention, the
즉, 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조방법에 의하면, 상기 발수성 코팅층(110)을 이용하여 형광체(130)가 도포되는 영역을 한정함으로써, 종래의 홈 구조등을 이용하여 형광체를 도포하는 경우에 비해, 형광체(130)가 도포되는 영역의 크기를 최소화할 수 있는 장점이 있다.That is, according to the method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, the phosphor is coated by using the water
여기서, 상기 LED 칩(120) 및 형광체(130)로는, 상술한 바와 같이 백색 LED를 구현하기 위하여 청색 LED 칩과 황색 형광체를 사용하거나, 또는 청색 LED 칩과 녹색 및 적색 형광체 혼합물의 조합, 또는 자외선 LED 칩과 적색, 녹색 및 청색 형 광체 혼합물의 조합 등을 사용할 수 있다. 뿐만 아니라, 상기한 백색 LED 이외에도 다른 색의 빛을 얻기 위한 LED 패키지에도 본 발명이 적용될 수 있으므로, 본 발명에 사용되는 LED 칩(120) 및 형광체(130)가 특별히 한정되는 것은 아니다.Here, as the
그리고, 상기 휘발성 용제(140)로는 상온에서 쉽게 증발되는 휘발성 유기 물질, 예컨대 아세톤 등을 사용할 수 있다.In addition, the
이러한 휘발성 용제(140)는 종래의 형광체와 혼합하여 사용되었던 실리콘 수지에 비해 점도가 훨씬 낮다. 따라서, 상기 휘발성 용제(140) 내에 섞여 있는 형광체(130)는 종래의 실리콘 수지에 섞여 있는 형광체에 비해 빠르게 침전될 수 있다.The
이와 같이 상기 LED 칩(120) 상에 형광체(130)가 섞인 휘발성 용제(140)의 도포가 완료되고 나면, 일정 시간이 지남에 따라 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 휘발성 용제(140)가 증발되어 없어지면서 형광체(130)의 침전이 빠르게 일어난다.As described above, after the application of the
이에 따라 상기 형광체(130)는 모두 LED 칩(120)의 표면, 즉 상면 및 측면에 밀착되어 일정한 두께로 분포하게 된다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따르면 LED 칩(120)에서 발생된 광이 LED 칩(120)의 표면을 따라 일정 두께로 형성된 형광체(130)를 통해 구현하고자 하는 색으로 변환되어, 패키지를 통해 나오는 색상이 전체적으로 균일하게 나타날 수 있다.Accordingly, the
그런 후에, 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 형광체(130) 상에 이를 덮는 투명 수지(150)를 형성한다. 상기 투명 수지(150)로서 실리콘 수지 등을 사용할 수 있으며, 필요에 따라 도면에 도시된 바와 같은 렌즈 형상 등으로 형성할 수 있다.Thereafter, as illustrated in FIG. 2E, a
그런 다음, 도 2f에 도시된 바와 같이, 상기 발수성 코팅층(110)을 제거한다. 이때, 상기 발수성 코팅층(110)의 제거는 생략할 수도 있다.Then, as shown in Figure 2f, the water-
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조방법에 의하면, 상기 발수성 코팅층(110)을 이용함으로써, 형광체(130) 도포를 위한 별도의 홈 구조 없이도 원하는 영역에만 형광체(130)가 도포되도록 할 수 있다.According to the manufacturing method of the LED package according to the embodiment of the present invention as described above, by using the water-
또한, 상기 발수성 코팅층(110)이 형성되지 않은 부분에만 형광체(130)가 섞인 휘발성 용제(140)를 도포함으로써, 상기 휘발성 용제(140)가 증발됨에 따라 LED 칩(120) 표면에 형광체(130)가 균일한 두께로 침전되도록 할 수 있다. 따라서, 본 발명은 형광체(130) 분포에 따른 색의 불균일성을 해소할 수 있다.In addition, by applying the volatile solvent 140 mixed with the
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이나, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for the purpose of illustration, and various substitutions, modifications, and changes within the scope without departing from the spirit of the present invention for those skilled in the art to which the present invention pertains. It will be possible, but such substitutions, changes and the like should be regarded as belonging to the following claims.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing the structure of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도.2A through 2F are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a light emitting diode package according to an exemplary embodiment of the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
100: 기판 110: 발수성 코팅층100: substrate 110: water repellent coating layer
120: LED 칩 130: 형광체120: LED chip 130: phosphor
140: 휘발성 용제 150: 투명 수지140: volatile solvent 150: transparent resin
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102810605A (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-05 | 红蝶科技(深圳)有限公司 | Fluorescent powder based light emitting diode packaging method |
Family Cites Families (4)
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JP2006019598A (en) | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Citizen Electronics Co Ltd | Light emitting diode |
KR100853412B1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-08-21 | (주) 아모센스 | Semiconductor package |
KR100849782B1 (en) * | 2007-02-12 | 2008-07-31 | 삼성전기주식회사 | Manufacturing method of LED package |
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- 2009-02-17 KR KR1020090012741A patent/KR101038883B1/en not_active IP Right Cessation
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