KR20100084789A - Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 이온 주입 산화물 박막을 이용한 비휘발성 ReRAM 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nonvolatile memory device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a nonvolatile ReRAM device using an ion implanted oxide thin film and a method of manufacturing the same.
모바일 및 디지털 정보 통신사업, 가전 산업의 급속한 발달로 인하여 기존 전자의 전하 제어에 기반을 둔 소자 연구는 수년 후 한계점에 이를 것으로 전망되므로, 이제는 기존의 전자 전하 소자의 개념이 아닌 새로운 개념의 신기능성 메모리 소자 개발이 요구되고 있다. 또한, 현재 PC 위주의 시장 구조가 향후 비 PC 위주의 전자 제품군으로 바뀔 가능성이 있으며, 이는 주요 정보 기기의 메모리가 대용량화되는 것을 의미한다. 따라서, 이를 고려한 차세대 대용량 초고속, 초저전력 메모리 소자의 원천 기술 개발이 필요하다. Due to the rapid development of mobile and digital information communication business and consumer electronics industry, the research on device based on charge control of existing electronics is expected to reach its limit after several years, so it is no longer the concept of electronic charge device. Memory device development is required. In addition, there is a possibility that the current PC-oriented market structure will be changed to a non-PC-oriented electronic product line in the future, which means that the memory of major information devices becomes larger. Therefore, it is necessary to develop the source technology of the next-generation large-capacity ultra-high speed, ultra-low power memory device considering this.
비휘발성 메모리의 대표격인 플래시 메모리(Flash Memory)의 경우 데이터의 쓰기 및 지우기 동작에서 높은 동작 전압을 필요로 하고 있다. 이에 따라 65㎚ 이 하로 스케일다운(scale down)시 이웃하는 셀(cell)들 간의 잡음으로 인하여 스케일 다운에 한계가 있으며, 느린 속도와 더불어 큰 소비 전력을 필요로 한다. 또한, FREM(ferro-electric memory)의 경우 재료의 안정성에 문제가 있으며, MRAM(magnetic memory)의 경우 복잡한 공정 및 다층 구조, 작은 읽기/쓰기 마진 등의 한계가 있다. 따라서, 이들을 대체할 수 있는 차세대 비휘발성 메모리 기술의 개발은 향후 국가 경쟁력을 높이기 위하여 필수적인 핵심 연구 분야라 할 수 있다.Flash memory, a representative of nonvolatile memory, requires high operating voltages for data write and erase operations. Accordingly, the scale down is limited due to noise between neighboring cells when scaling down to 65 nm or less, and requires a large speed and high power consumption. In addition, in the case of the FREM (ferro-electric memory) there is a problem in the stability of the material, in the case of MRAM (magnetic memory) there are limitations such as complicated process and multilayer structure, small read / write margin. Therefore, the development of next-generation nonvolatile memory technology that can replace them is an essential core research field to increase national competitiveness in the future.
거대저항 변화 메모리(resistive random access memory device: 이하, "ReRAM"이라 함)는 박막에 인가되는 특정 전압에 따라 박막의 저항 상태가 급격히 변화하는 것을 이용하여 비휘발성 메모리로 사용하고자 하는 소자를 말한다. ReRAM 소자는 무한대의 기록 및 재생에 대한 열화가 없고, 고온 동작이 가능하며 비휘발성으로 데이터의 안정성 등 탁월한 장점이 있다. 또한, 입력 펄스 인가시 1000배 이상 저항 변화에 10 내지 20㎱ 정도로 고속 동작이 가능하다. 그리고, ReRAM 소자의 저항층은 공정상 단일막 구조를 갖기 때문에 고집적화 및 고속화가 가능할 뿐만 아니라 기존의 CMOS 공정과 집적 공정(integration process) 기술이 사용 가능함으로 소비 에너지를 최소화 할 수 있다.A resistive random access memory device (hereinafter referred to as "ReRAM") refers to a device that is intended to be used as a nonvolatile memory by using a rapidly changing resistance state of a thin film according to a specific voltage applied to the thin film. ReRAM devices have no deterioration for infinite recording and playback, can operate at high temperatures, and have excellent advantages such as non-volatile data stability. In addition, when the input pulse is applied, a high-speed operation is possible at about 10 to 20 Hz when the resistance change is 1000 times or more. In addition, since the resistive layer of the ReRAM device has a single layer structure in the process, high integration and high speed are possible, and the conventional CMOS process and integration process technology can be used to minimize energy consumption.
ReRAM 소자의 저항층의 재질로는 산화물(oxide)이 사용되고 있으며, 구체적으로 산화물로는 이원 산화물(binary oxides)과 페로브스카이트 산화물이 사용되고 있으며, 최근에는 페로브스카이트 산화물에 금속을 도핑하거나 함유시켜 사용하고 있다.Oxide is used as a material for the resistive layer of the ReRAM device. Specifically, binary oxides and perovskite oxides are used as oxides. Recently, doped metals have been doped with perovskite oxides. It is used by containing.
대한민국 공개특허 제2006-83368호는 저항층으로 조성비가 서로 다른 금속 산화물을 포함하는 다층막이 형성된 ReRAM 소자를 제안하고 있다. 금속 산화물로는 ZrOx, NiOx, HfOx, TiOx, Ta2Ox, Al2Ox, La2Ox, Nb2Ox, SrTiOx, Cr-도핑된 SrTiOx, 또는 Cr-도핑된 SrZrOx (이때 x는 1.5∼1.9)를 사용하고 있다.Korean Patent Laid-Open No. 2006-83368 proposes a ReRAM device in which a multilayer film including metal oxides having different composition ratios is formed as a resistive layer. Metal oxides include ZrO x , NiO x , HfO x , TiO x , Ta 2 O x , Al 2 O x , La 2 O x , Nb 2 O x , SrTiO x , Cr-doped SrTiO x , or Cr-doped Used SrZrO x (where x is 1.5 to 1.9).
또한, 대한민국 공개특허 제2006-106035호는 저항층으로 Cr이 도핑된 SrZrO3의 페로브스카이트 산화물을 포함하는 ReRAM 소자를 제시하고 있다.In addition, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2006-106035 proposes a ReRAM device including a perovskite oxide of SrZrO 3 doped with Cr as a resistive layer.
그리고, 대한민국 공개특허 제2004-63600호는 Ir 기판 상에 Ta, TaN, Ti, TiN, TaAlN, TiSiN, TaSiN, TiAl, 또는 TiAlN의 장벽층을 형성하고, 상기 장벽층 상에 저항층으로 Pr0.7Ca0.3MnO3(이하,"PCMO"이라 함) 박막을 형성하는 ReRAM 소자를 언급하고 있다. 상기 ReRAM 소자는 여러 번의 PCMO층이 원하는 두께가 될 때까지 코팅, 베이킹 및 어닐링 공정을 반복하고 있어 전체 공정이 매우 복잡하다. 또한, 주요 공정이 대기 상태에서 이루어지므로 산화 및 표면 오염으로 인해 ReRAM 특성에 영향을 줄 수 있으며, 박막의 고-결정성만을 결정하는 것으로 안정화에 한계를 가져온다. In addition, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2004-63600 forms a barrier layer of Ta, TaN, Ti, TiN, TaAlN, TiSiN, TaSiN, TiAl, or TiAlN on an Ir substrate, and Pr 0.7 as a resistive layer on the barrier layer. A ReRAM device that forms a Ca 0.3 MnO 3 (hereinafter referred to as "PCMO") thin film is mentioned. The ReRAM device repeats the coating, baking and annealing process until several PCMO layers have the desired thickness, which makes the whole process very complicated. In addition, since the main process is performed in the atmospheric state, the oxidation and surface contamination may affect the ReRAM characteristics, and determining only the high-crystallinity of the thin film may limit the stabilization.
더욱이 상기 발명들과 같이 제작된 ReRAM용 산화물 박막내 점결함 구조의 안정성 제어의 한계로 인한 동작 전압 및 저항 상태의 불안정성으로 인하여 우수한 재현성을 확보하기 어려울 뿐만 아니라, 공정상의 한계로 소자 동작의 안정화에 한계를 가져오게 된다.Furthermore, it is difficult to ensure excellent reproducibility due to the instability of the operating voltage and resistance state due to the limitation of stability control of the point defect structure in the oxide thin film for ReRAM manufactured as described above, and also to limit the stabilization of device operation due to process limitations. Will bring.
본 발명은 공정이 단순하고, 산화물 박막내의 점결함(point defect)들을 제어할 수 있으며, 표면 오염의 우려가 없는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a non-volatile memory device and a method for manufacturing the same, which are simple in process, can control point defects in an oxide thin film, and are free of surface contamination.
본 발명은 산화물 박막 내에 이온을 주입함으로써 산화물 박막의 안정성이 우수한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a nonvolatile memory device having excellent stability of an oxide thin film by implanting ions into the oxide thin film and a method of manufacturing the same.
본 발명의 일 양태에 따른 비휘발성 메모리 소자는 기판; 상기 기판 상에 형성된 하부 전극막; 상기 하부 전극막 상에 형성된 이온 주입 산화물 박막; 및 상기 이온 주입 산화물 박막 상에 형성된 상부 전극막을 포함한다.A nonvolatile memory device according to an aspect of the present invention includes a substrate; A lower electrode film formed on the substrate; An ion implantation oxide thin film formed on the lower electrode film; And an upper electrode film formed on the ion implantation oxide thin film.
상기 이온 주입 산화물 박막은 전압에 따라 저저항 또는 고저항 상태로 변화된다.The ion implanted oxide thin film is changed to a low resistance or high resistance state according to a voltage.
상기 이온 주입 산화물 박막은 MgO, ZnO, TiO2, NiO, SiO2, Nb2O5, HfO2, V2O5 또는 PCMO, LCMO에서 선택된 적어도 1종을 이용하고, 10 내지 500㎚의 두께로 형성한다.The ion implantation oxide thin film is formed of MgO, ZnO, TiO 2 , NiO, SiO 2 , Nb 2 O 5 , HfO 2 , V 2 O 5 or at least one selected from PCMO and LCMO, and has a thickness of 10 to 500 nm. Form.
상기 이온 주입 산화물 박막은 N2, O2, He, H2를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 1종의 이온이 주입된다.The ion implantation oxide thin film is implanted with at least one ion selected from the group comprising N 2 , O 2 , He, H 2 .
본 발명의 다른 양태에 따른 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법은 기판 상에 하부 전극막을 형성하는 단계; 상기 하부 전극막 상에 산화물 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 박막에 이온 주입을 실시하는 단계; 및 상기 이온 주입 산화물 박막 상에 상부 전극막을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a nonvolatile memory device according to another aspect of the present invention includes forming a lower electrode film on a substrate; Forming an oxide thin film on the lower electrode film; Performing ion implantation into the oxide thin film; And forming an upper electrode film on the ion implantation oxide thin film.
상기 이온 주입은 10 내지 100KeV의 에너지와 1×1012 내지 1×1018 도우즈의 조건으로 실시하고, 상기 산화물 박막이 n-type인 경우 p-type 이온을 주입하고, 상기 산화물 박막이 p-type인 경우 n-type 이온을 주입한다.The ion implantation is performed under conditions of 10 to 100 KeV energy and 1 × 10 12 to 1 × 10 18 doses, and when the oxide thin film is n-type, p-type ions are implanted, and the oxide thin film is p- In case of type, n-type ion is implanted.
상기 하부 전극막 형성, 상기 산화물 박막 형성, 상기 이온 주입 및 상기 상부 전극막 형성 공정은 진공파괴없이 인시투로 실시한다.The lower electrode film formation, the oxide thin film formation, the ion implantation, and the upper electrode film formation process are performed in-situ without vacuum destruction.
상기 하부 전극막 및 이온 주입 산화물 박막이 형성된 기판을 열처리하는 단계를 더 포함하며, 상기 열처리는 100 내지 1000℃의 온도와 질소 분위기에서 실시한다.And heat treating the substrate on which the lower electrode film and the ion implanted oxide thin film are formed. The heat treatment is performed at a temperature of 100 to 1000 ° C. and a nitrogen atmosphere.
본 발명은 비휘발성 메모리 소자, 특히 ReRAM 소자의 저항층으로 이온 주입 산화물 박막을 이용함으로써 보다 우수한 고효율의 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있다. 즉, 기판 상에 하부 전극막, 이온 주입 산화물 박막 및 상부 전극막을 적층하여 비휘발성 ReRAM 소자를 제조한다. According to the present invention, a high efficiency nonvolatile memory device can be realized by using an ion implantation oxide thin film as a resistive layer of a nonvolatile memory device, particularly a ReRAM device. That is, a nonvolatile ReRAM device is manufactured by stacking a lower electrode film, an ion implantation oxide thin film and an upper electrode film on a substrate.
본 발명에 따른 비휘발성 ReRAM 소자는 산화물 박막에 이온 주입되면 결함이 있는 댕글링 결합에 이온화된 원자들이 결합하여 전하 포획 및 이탈을 조절하거나, 공공을 안정적으로 배열함으로써 소자 동작의 안정화를 이룰 수 있다. In the nonvolatile ReRAM device according to the present invention, when ion implanted into an oxide thin film, ionized atoms may be bonded to a defective dangling bond to control charge trapping and release, or to stabilize the device operation by stably arranging voids. .
또한, 이온 주입 산화물 박막은 ReRAM 소자의 산화물 박막의 형성 공정과 이온 주입 공정을 진공 분위기에서 실시할 수 있으므로 대기 상태로의 이동이 없어 표면 오염의 문제가 없으며, ReRAM 소자 동작 시 안정된 셋/리셋 전압으로 소자 동작의 안정성을 확보할 수 있다. In addition, since the ion implantation oxide thin film can perform the oxide film formation process and the ion implantation process of the ReRAM device in a vacuum atmosphere, there is no problem of surface contamination since there is no movement to the atmospheric state, and stable set / reset voltage when the ReRAM device operates. This can ensure the stability of the device operation.
그리고, 동작 전압의 변화율 및 저항값의 변화율이 크게 향상되어 ReRAM 소자의 활용성을 크게 향상시킬 수 있고, 제조 공정이 간단하고 단순한 장점이 있다.In addition, the rate of change of the operating voltage and the rate of change of the resistance value are greatly improved, thereby greatly improving the usability of the ReRAM device, and the manufacturing process is simple and simple.
또한, 본 발명에 따른 비휘발성 ReRAM 소자는 저전력을 소모하면서 무한대의 기록/재생이 가능하며, 비휘발성으로 인한 PC의 빠른 리부팅 및 대량의 데이터를 안전하게 보관할 수 있다.In addition, the non-volatile ReRAM device according to the present invention can be infinitely recorded / reproduced while consuming low power, and can safely store a large amount of data and fast reboot of the PC due to non-volatile.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 여러 층 및 각 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 표현하였으며 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭하도록 하였다. 또한, 층, 막, 영역 등의 부분이 다른 부분 “상부에” 또는 “상에” 있다고 표현 되는 경우는 각 부분이 다른 부분의 “바로 상부” 또는 “바로 위에” 있는 경우뿐만 아니라 각 부분과 다른 부분의 사이에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information. In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., may be exaggerated for clarity, and like reference numerals designate like elements. In addition, when a part such as a layer, a film, or an area is expressed as “upper” or “on” another part, each part is different from each part as well as being “upper” or “directly above” another part. This includes the case where there is another part between parts.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 비휘발성 메모리 소자의 개략도로서, ReRAM 소자의 개략 단면도이다.1 is a schematic diagram of a nonvolatile memory device according to an embodiment of the present invention, and is a schematic cross-sectional view of a ReRAM device.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 비휘발성 ReRAM 소자는 기판(11), 기판(11) 상에 위치하는 하부 전극막(12), 하부 전극막(12) 상에 위치하는 이온 주입 산화물 박막(13) 및 이온 주입 산화물 박막(13) 상에 위치하는 상부 전극막(14)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a nonvolatile ReRAM device according to the present invention may include a substrate 11, a lower electrode layer 12 disposed on the substrate 11, and an ion implantation oxide thin film disposed on the lower electrode layer 12. 13) and an upper electrode film 14 positioned on the ion implantation oxide thin film 13.
기판(11)은 통상의 반도체 메모리 소자에 적용되는 것이면 어느 것이든 가능하며, 본 발명에서는 특별히 한정하지 않는다. 예를들어 기판(11)은 Si 기판, SiO2 기판, Si/SiO2의 다층 기판, 폴리실리콘 기판 등을 이용할 수 있다.The substrate 11 can be any type as long as it is applied to a conventional semiconductor memory element, and is not particularly limited in the present invention. For example, the substrate 11 may be a Si substrate, a SiO 2 substrate, a multilayer substrate of Si / SiO 2 , a polysilicon substrate, or the like.
하부 전극막(12)은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금으로 이루어진 군과 TiN, WN 등을 포함하는 질화물 전극 물질, In2O3:Sn(ITO), SnO2:F(FTO), SrTiO3, LaNiO3 등을 포함하는 산화물 전극 물질에서 선택된 적어도 1종을 이용할 수 있으며, 전극 물질의 종류에 따라 5∼500㎚의 두께로 형성할 수 있다.The lower electrode layer 12 is formed of a group consisting of Pt, Au, Al, Cu, Ti, and alloys thereof, and a nitride electrode material including TiN, WN, In 2 O 3 : Sn (ITO), SnO 2 : F ( At least one selected from oxide electrode materials including FTO), SrTiO 3 , LaNiO 3, etc. may be used, and may be formed to a thickness of 5 to 500 nm according to the type of electrode material.
이온 주입 산화물 박막(13)은 전압에 따라 저저항 또는 고저항 상태로 변화되며, MgO, ZnO, TiO2, NiO, SiO2, Nb2O5, HfO2, V2O5 등의 이원산화물 또는 PCMO, LaCaMnO(LCMO) 등의 페로브스카이트 물질을 포함하는 모든 ReRAM 소자용 산화물 박 막으로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 1종을 이용할 수 있으며, TiO2를 이용하는 것이 바람직하다. 이온 주입 산화물 박막(13)은 10∼500㎚의 두께로 형성할 수 있으며, 바람직하게는 50∼200㎚의 두께로 형성할 수 있다. 여기서, 이온 주입 산화물 박막(13)의 두께가 상기 범위 미만이면 하부 전극막(12)에 손상을 줄 수 있으며, 이와 반대로 상기 범위를 초과하면 이온 주입이 일정하지 않은 문제가 발생하므로, 상기 범위 내에서 적절하게 조절한다. 또한, 이온 주입 산화물 박막(13)을 형성하기 위해 일반적인 이온 주입 장비를 이용한 다양한 이온 주입 방법을 이용하여 산화물 박막에 이온을 주입할 수 있다. 이온 주입 시 이용되는 가스로는 N2, O2, He, H2 등을 포함하는 가스중에서 적어도 1종을 이용할 수 있다. 또한, 산화물 박막이 p-type의 특성을 가지면 n-type의 가스를 주입하고, 산화물 박막이 n-type의 특성을 가지면 p-type의 가스를 주입하는 것이 바람직하며, 가장 바람직하게는 N2를 이용한다. 여기서, p-type 및 n-type 산화물 박막은 예를들어 박막 내에 금속 물질 및 산소가 많이 함유된 것이고, n-type 및 p-type 가스는 산소 및 질소를 포함하는 가스이다. 그리고, 이온 주입 공정은 상온에서 10∼100KeV의 에너지와 1×1012∼1×1018 도우즈(dose)의 조건으로 실시할 수 있으며, 50∼70KeV의 에너지와 1×1014∼1×1017 도우즈의 조건으로 실시하는 것이 바람직하다.The ion implanted oxide thin film 13 is changed into a low resistance or high resistance state according to a voltage, and may include a binary oxide such as MgO, ZnO, TiO 2 , NiO, SiO 2 , Nb 2 O 5 , HfO 2 , V 2 O 5 , or the like. At least one selected from the group consisting of oxide thin films for all ReRAM devices containing perovskite materials such as PCMO and LaCaMnO (LCMO) can be used, and TiO 2 is preferably used. The ion implantation oxide thin film 13 can be formed to a thickness of 10 to 500 nm, preferably a thickness of 50 to 200 nm. Here, if the thickness of the ion implantation oxide thin film 13 is less than the above range, the lower electrode layer 12 may be damaged. On the contrary, if the ion implantation oxide thin film 13 exceeds the above range, the ion implantation may not be constant. Adjust accordingly. In addition, to form the ion implantation oxide thin film 13, ions may be implanted into the oxide thin film using various ion implantation methods using general ion implantation equipment. Ion gas used during injection can be used at least one type of a gas, or the like N 2, O 2, He, H 2. In addition, an oxide thin film has the characteristics of a p-type injecting a gas of n-type and, the oxide thin film has the characteristics of the n-type is preferable to inject the gas of the p-type, the most preferably N 2 I use it. Here, the p-type and n-type oxide thin films are, for example, a metal material and a lot of oxygen contained in the thin film, and the n-type and p-type gases are gases containing oxygen and nitrogen. In addition, the ion implantation process can be performed at room temperature under conditions of 10 to 100 KeV energy and 1 × 10 12 to 1 × 10 18 doses, and 50 to 70 KeV energy and 1 × 10 14 to 1 × 10 It is preferable to carry out under the conditions of 17 doses.
상부 전극막(14)은 하부 전극막(12)과 동일하거나 다른 물질로 형성할 수 있다. 예를들어 상부 전극막(14)은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금으로 이루어진 군과 TiN, WN 등을 포함하는 질화물 전극 물질, In2O3:Sn(ITO), SnO2:F(FTO), SrTiO3, LaNiO3 등을 포함하는 산화물 전극 물질에서 선택된 적어도 1종을 이용할 수 있으며, 전극 물질의 종류에 따라 5∼500㎚의 두께로 형성할 수 있다. 이러한 상부 전극막(14)은 쉐도우 마스크 또는 드라이 에칭 공정을 통해 패턴화된 구조를 갖는다.The upper electrode layer 14 may be formed of the same or different material as the lower electrode layer 12. For example, the upper electrode film 14 may be formed of a group consisting of Pt, Au, Al, Cu, Ti, and alloys thereof, and a nitride electrode material including TiN, WN, In 2 O 3 : Sn (ITO), SnO 2, and the like. At least one selected from an oxide electrode material including F (FTO), SrTiO 3 , LaNiO 3 , and the like may be used, and may be formed to a thickness of 5 to 500 nm according to the type of electrode material. The upper electrode layer 14 has a patterned structure through a shadow mask or a dry etching process.
ReRAM 소자의 일반적인 산화물 박막 내에는 불안정한 댕글링 결합에 의해 전자 부족과 공공 현상이 발생한다. 그런데, 산화물 박막에 이온이 주입된 이온 주입 산화물 박막(13)을 이용하면 상기와 같은 결함이 있는 댕글링 결합에 이온화된 원자들이 결합하여 전하 포획 및 이탈을 조절하거나, 공공을 안정적으로 배열함으로써 소자 동작을 안정화시킬 수 있다. 또한, 이온 주입 산화물 박막(13)은 ReRAM 소자의 산화물 박막의 증착 공정과 이온 주입 공정을 진공 분위기에서 실시할 수 있다. 따라서, 대기 상태로의 이동이 없어 표면 오염의 문제가 없으며, ReRAM 소자 동작 시 안정된 셋/리셋 전압으로 소자 동작의 안정성을 확보할 수 있다. In general oxide thin films of ReRAM devices, unstable dangling bonds cause electron shortage and vacancy. However, when the ion implanted oxide thin film 13 in which ions are implanted in the oxide thin film is used, the ionized atoms are bonded to the defective dangling bond as described above to control charge trapping and release, or to stably arrange vacancy. It can stabilize the operation. In addition, the ion implantation oxide thin film 13 can perform the deposition process and the ion implantation process of the oxide thin film of a ReRAM element in a vacuum atmosphere. Therefore, there is no problem of surface contamination since there is no movement to the standby state, and stability of device operation can be secured by stable set / reset voltage during ReRAM device operation.
도 2(a) 내지 도 2(e)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 비휘발성 ReRAM 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a nonvolatile ReRAM device according to an embodiment of the present invention.
도 2(a)를 참조하면, 기판(11) 상부에 하부 전극막(11)을 형성한다. 하부 전극막(12)은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금으로 이루어진 군과 TiN, WN 등을 포함하는 질화물 전극 물질, In2O3:Sn(ITO), SnO2:F(FTO), SrTiO3, LaNiO3 등을 포함하는 산화물 전극 물질에서 선택된 적어도 1종을 이용하며, 증착 공정으로 형성한다. 하부 전극막(11)을 형성하기 위한 증착 공정으로는 물리 기상 증착(physical vapor deposition; PVD), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD), 스퍼터링(sputtering), 펄스 레이저 증착(pulsed laser deposition; PLD), 증발법(thermal evaporation), 전자빔 증발법(electron beam evaporation), 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 및 분자선 에피택시 증착(molecular beam epitaxy; MBE) 등을 이용할 수 있다.Referring to FIG. 2A, the lower electrode layer 11 is formed on the substrate 11. The lower electrode layer 12 is formed of a group consisting of Pt, Au, Al, Cu, Ti, and alloys thereof, and a nitride electrode material including TiN, WN, In 2 O 3 : Sn (ITO), SnO 2 : F ( At least one selected from an oxide electrode material including FTO), SrTiO 3 , LaNiO 3 , and the like, and is formed by a deposition process. Deposition processes for forming the lower electrode layer 11 include physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), sputtering, pulsed laser deposition (PLD). ), Thermal evaporation, electron beam evaporation, atomic layer deposition (ALD), molecular beam epitaxy (MBE), and the like.
이어서, 도 2(b)에 도시된 바와 같이 하부 전극막(12) 상부에 산화물 박막(13A)을 형성한다. 산화물 박막(13A)은 하부 전극막(12)을 형성하기 위한 상기 증착 공정을 이용하여 형성할 수 있으나, 하부 전극막(12)을 형성하기 위한 증착 공정과 동일한 증착 공정을 이용하여 산화물 박막(13A)을 형성하는 것이 바람직하다. 그런데, 이러한 산화물 박막(13A) 내에는 불안정한 댕글링 결합에 의해 전자 부족과 공공 현상이 발생한다Subsequently, as shown in FIG. 2B, an oxide thin film 13A is formed on the lower electrode film 12. The oxide thin film 13A may be formed using the deposition process for forming the lower electrode film 12, but the oxide thin film 13A may be formed using the same deposition process as the deposition process for forming the lower electrode film 12. Is preferably formed. However, in the oxide thin film 13A, electron shortage and vacancy occur due to unstable dangling bonds.
이어서, 도 2(c)에 도시된 바와 같이 산화물 박막(13A)에 이온 주입 공정을 실시한다. 본 발명은 통상적인 이온 주입 공정을 ReRAM 소자에 적용하여 산화물 박막(13A)의 안정성을 도모한다. 산화물 박막(13A)에 주입된 이온이 산화물 박막(13A) 내의 댕글링 결합에 결속되어 불안정한 댕글링 결합에 존재하는 결함을 제어하여 산화물 박막(13A)의 안정성을 도모한다. 따라서, 안정적인 댕글링 결합을 갖는 이온 주입 산화물 박막(13)이 형성된다. 산화물 박막(13A)의 이온 주입 공정은 N2, O2, He, H2 등을 포함하는 가스중에서 선택된 적어도 1종이 이용될 수 있으며, 산화물 박막(13A)이 p-type의 특성을 가지면 n-type의 가스를 주입하고, 산화물 박막(13A)이 n-type의 특성을 가지면 p-type의 가스를 주입하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 N2를 포함하는 가스를 이용한다. 이온 주입 공정은 10∼100KeV의 에너지와 1×1012∼1×1018 도우즈의 조건으로 실시할 수 있으며, 바람직하게는 50∼70KeV의 에너지와 1×1014∼1×1017 도우즈의 조건으로 실시한다.Next, as shown in FIG. 2C, an ion implantation process is performed on the oxide thin film 13A. The present invention applies a conventional ion implantation process to the ReRAM device to achieve stability of the oxide thin film 13A. Ions implanted into the oxide thin film 13A bind to the dangling bonds in the oxide thin film 13A to control defects present in the unstable dangling bonds, thereby achieving stability of the oxide thin film 13A. Thus, an ion implanted oxide thin film 13 having a stable dangling bond is formed. In the ion implantation process of the oxide thin film 13A, at least one selected from a gas including N 2 , O 2 , He, H 2 , and the like may be used. When the oxide thin film 13A has a p-type characteristic, n− When gas of a type is injected and the oxide thin film 13A has n-type characteristics, it is preferable to inject a gas of p-type. More preferably, a gas containing N 2 is used. The ion implantation process can be carried out under the conditions of 10 to 100 KeV energy and 1 × 10 12 to 1 × 10 18 doses, preferably 50 to 70 KeV energy and 1 × 10 14 to 1 × 10 17 doses. Carry out on condition.
이이서, 도 2(d)에 도시된 바와 같이 하부 전극막(12) 및 이온 주입 산화물 박막(13)이 형성된 기판(11)을 열처리한다. 열처리는 100∼1000℃ 온도에서 1분∼24시간 동안 실시할 수 있으며, 바람직하게는 400∼700℃의 온도에서 30분∼3시간동안 실시한다. 이때, 열처리 공정은 100∼500Torr의 질소 분압이 인가되는 질소 분위기 또는 진공 하에서 실시한다. 이러한 열처리를 통하여 이온 주입 산화물 박막(13) 내에 주입된 이온들이 일정하게 재배열한다. 열처리 공정을 상기 범위 미만에서 실시하면 이온 주입 산화물 박막(13) 내의 이온들이 산화물 박막과 안정적인 재결합을 이루지 못하게 되고, 이와 반대로 상기 범위를 초과하여 실시하면 이온 주입 산화물 박막(13) 내의 이온 또는 산소들이 빠져나오는 문제가 발생한다.Next, as shown in FIG. 2 (d), the substrate 11 on which the lower electrode film 12 and the ion implantation oxide thin film 13 are formed is heat-treated. The heat treatment can be carried out at a temperature of 100 to 1000 ° C. for 1 minute to 24 hours, preferably at a temperature of 400 to 700 ° C. for 30 minutes to 3 hours. At this time, the heat treatment step is carried out under a nitrogen atmosphere or vacuum to which a nitrogen partial pressure of 100 to 500 Torr is applied. Through such heat treatment, the ions implanted in the ion implantation oxide thin film 13 are rearranged constantly. If the heat treatment process is carried out below the above range, the ions in the ion implanted oxide thin film 13 may not be stably recombined with the oxide thin film. Problems with exiting occur.
이어서, 도 2(e)에 도시된 바와 같이 이온 주입 산화물 박막(13) 상에 상부 전극막(14)을 형성한다. 상부 전극막(14)은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금으 로 이루어진 군과 TiN, WN 등을 포함하는 질화물 전극 물질, In2O3:Sn(ITO), SnO2:F(FTO), SrTiO3, LaNiO3 등을 포함하는 산화물 전극 물질에서 선택된 적어도 1종을 이용하여 형성한다. 상부 전극막(14)은 다양한 증착 공정을 이용하여 형성할 수 있는데, 바람직하게는 하부 전극막(12) 및 산화물 박막(13A)의 증착 공정과 동일한 증착 공정을 이용하여 형성한다. 그리고, 상부 전극막(14)을 쉐도우 마스크 또는 드라이 에칭 공정을 통해 패터닝한다. Next, as shown in FIG. 2E, the upper electrode film 14 is formed on the ion implanted oxide thin film 13. The upper electrode film 14 is formed of a group consisting of Pt, Au, Al, Cu, Ti, and alloys thereof, and a nitride electrode material including TiN, WN, In 2 O 3 : Sn (ITO), SnO 2 : F It is formed using at least one selected from oxide electrode materials including (FTO), SrTiO 3 , LaNiO 3 , and the like. The upper electrode layer 14 may be formed using various deposition processes. Preferably, the upper electrode layer 14 is formed using the same deposition process as that of the lower electrode layer 12 and the oxide thin film 13A. The upper electrode film 14 is patterned through a shadow mask or a dry etching process.
한편, 이러한 단계를 거쳐 제조된 비휘발성 ReRAM 소자는 필요에 따라 추가로 베이킹 처리와 어닐링(post-annealing) 공정을 실시한다. 또한, 상기 박막들의 형성 공정 및 이온 주입 공정은 진공 분위기에서 인시투로 실시할 수 있다.On the other hand, the nonvolatile ReRAM device manufactured through this step is further subjected to a baking process and annealing (post-annealing) process as needed. In addition, the process of forming the thin film and the ion implantation process may be performed in-situ in a vacuum atmosphere.
상기한 바와 같은 본 발명에 따른 ReRAM 소자의 제조 방법은 하부 전극막(12), 산화물 박막(13A) 및 상부 전극막(14)을 증착 공정을 이용하여 형성하므로 제조 공정이 간단하고, 동일 방법을 이용하여 증착할 수 있기 때문에 공정을 단순화시킬 수 있다. 또한, 이온 주입 산화물 박막(13)을 진공 분위기에서 형성하여 종래 페로브스카이트계 산화물이나 이원 산화물 도입 시 사용되는 대기 상태로의 이동이 없어 산소에 따른 박막 구조물 표면의 오염을 최소화할 수 있다.In the method of manufacturing the ReRAM device according to the present invention as described above, the lower electrode film 12, the oxide thin film 13A, and the upper electrode film 14 are formed by using a deposition process. The process can be simplified because it can be deposited using. In addition, since the ion implantation oxide thin film 13 is formed in a vacuum atmosphere, there is no movement to the atmospheric state used when introducing conventional perovskite-based oxides or binary oxides, thereby minimizing contamination of the surface of the thin film structure due to oxygen.
또한, 본 발명에 따른 비휘발성 ReRAM 소자는 저항층으로 이온 주입 산화물 박막(13)을 이용하며, 이러한 비휘발성 ReRAM 소자는 전기저항 변화비율(resistance ratio = on/off ratio)이 50 내지 1000배의 범위를 갖는다.In addition, the nonvolatile ReRAM device according to the present invention uses the ion implanted oxide thin film 13 as a resistive layer, and the nonvolatile ReRAM device has a resistance ratio of 50 to 1000 times that of an electrical resistance change ratio (resistance ratio = on / off ratio). Has a range.
본 발명을 하기 실시 예를 통하여 더욱 상세히 설명하겠으며, 이러한 실시 예는 본 발명을 설명하기 위한 일 실시 예일 뿐이고, 이들에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, which are merely examples for describing the present invention, and the present invention is not limited thereto.
실시 예Example
Si 기판 상에 Pt를 스퍼터링하여 하부 전극막을 100㎚의 두께로 형성하고, 하부 전극막 상에 TiO2를 스퍼터링하여 100㎚의 두께로 산화물 박막을 형성하였다. 그리고, 산화물 박막에 질소 이온을 70KeV의 에너지와 1017 도우즈의 양으로 이온 주입하였으며, 200Torr의 질소 분압 및 400℃에서 30분간 열처리를 실시하였다. 이이서, 질소 이온이 주입된 TiO2 산화물 박막 상에 Pt를 스퍼터링하여 100㎚ 두께의 상부 전극막을 형성하고 패터닝하여 박막 구조물을 제조하였다.Pt was sputtered on the Si substrate to form a lower electrode film at a thickness of 100 nm, and TiO 2 was sputtered on the lower electrode film to form an oxide thin film at a thickness of 100 nm. In addition, nitrogen ions were implanted into the oxide thin film at an energy of 70 KeV and an amount of 10 17 doses, and heat treatment was performed at a nitrogen partial pressure of 200 Torr and at 400 ° C. for 30 minutes. Next, Pt was sputtered on the TiO 2 oxide thin film implanted with nitrogen ions to form an upper electrode film having a thickness of 100 nm and patterned to manufacture a thin film structure.
비교 예Comparative example
질소 이온 주입 공정 및 열처리 공정을 제외하고 상기 실시 예와 동일하게 박막 구조물을 제조하였다.A thin film structure was manufactured in the same manner as in the above example except for a nitrogen ion implantation process and a heat treatment process.
실험 예Experiment example
상기 실시 예 및 비교 예에서 얻어진 박막 구조물의 전압-전류 특성을 측정하여 도 3 및 도 4에 나타내었고, 동작 전압의 변화율을 도 5 및 도 6에 나타내었으며, 저항 상태의 변화값을 도 7 및 도 8에 나타내었다.The voltage-current characteristics of the thin film structures obtained in the above Examples and Comparative Examples were measured and shown in FIGS. 3 and 4, the change rates of the operating voltages are shown in FIGS. 5 and 6, and the change values of the resistance states of FIGS. 7 and 6. 8 is shown.
도 3에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 박막 구조물은 전류가 증가하다 갑자기 떨어지는 리셋 전압(A)과 리셋 전압(A) 이후에 전류가 증가하다 갑자기 올라가는 셋 전압(B)이 각각 약 0.2V 및 약 0.7V의 구간으로 집중 분포한다. 그러나, 도 4에 도시된 바와 같이, 비교 예에 따른 박막 구조물은 리셋 전압(A) 및 셋 전압(B)이 각각 약 0.3V 및 약 1V의 구간으로 넓게 분포한다. 따라서, 실시 예에 따른 박막 구조물의 셋 전압 및 리셋 전압의 분포가 비교 예보다 개선됨을 알 수 있다. 또한, 도 3의 전류 레벨은 약 0.4V의 구간으로 분포하지만, 도 4의 전류 레벨은 약 1V의 구간으로 분포한다.As shown in FIG. 3, in the thin film structure according to the embodiment, the reset voltage A suddenly drops due to the increase of current and the set voltage B suddenly rises after the reset voltage A increases about 0.2V, respectively. And concentrated at intervals of about 0.7V. However, as shown in FIG. 4, in the thin film structure according to the comparative example, the reset voltage A and the set voltage B are widely distributed in sections of about 0.3V and about 1V, respectively. Therefore, it can be seen that the distribution of the set voltage and the reset voltage of the thin film structure according to the embodiment is improved than the comparative example. In addition, while the current level of FIG. 3 is distributed in about 0.4V, the current level of FIG. 4 is distributed in about 1V.
한편, 도 5 및 도 6은 실시 예 및 비교 예에 따른 박막 구조물의 동작 전압의 변화율을 각각 나타낸 그래프이다. 이온 주입 산화물 박막을 이용하는 실시 예에 따른 박막 구조물의 경우 도 5에 도시된 바와 같이 셋 전압(Vset) 및 리셋 전압(Vreset)의 평균이 각각 1.69 및 0.586이고, 이에 따라 셋 전압(Vset)의 평균과 리셋 전압(Vreset)의 평균의 차가 약 1.104이다. 또한, 실시 예에 따른 박막 구조물의 셋 전압(Vset)의 표준 분산은 0.279이고, 리셋 전압(Vreset)의 표준 분산은 0.036이다. 따라서, 동작 전압의 변화율(셋 전압과 리셋 전압 차이의 평균값/셋 전압과 리셋 전압 각각의 표준 분산)이 3.96(set) 및 30.67(reset)이다. 이에 비해, 기존의 산화물 박막을 이용하는 비교 예에 따른 박막 구조물의 도 6에 도시된 바와 같이 셋 전압(Vset) 및 리셋 전압(Vreset)의 평균이 각각 1.655 및 0.715이고, 이에 따라 셋 전압(Vset)의 평균과 리셋 전압(Vreset)의 평균의 차가 약 0.94이다. 또한, 비교 예에 따른 박막 구조물의 셋 전압(Vset)의 표준 분산은 0.27이고, 리셋 전압(Vreset)의 표준 분산은 0.076이다. 따라서, 동작 전압의 변화율이 3.48(set) 및 12.37(reset)이다. 이에 따라, 기존에 비해 질소 도핑 산화물 박막을 이용하는 경우 동작 전압의 변화율이 3.48(set) 및 12.37(reset)에서 3.96(set) 및 30.67(reset)로 향상되었음을 알 수 있다.5 and 6 are graphs showing the change rate of the operating voltage of the thin film structure according to the embodiment and the comparative example, respectively. In the case of the thin film structure according to the embodiment using the ion implanted oxide thin film, as shown in FIG. 5, the average of the set voltage Vset and the reset voltage Vreset is 1.69 and 0.586, respectively, and thus the average of the set voltage Vset. The difference between the average and the reset voltage Vreset is about 1.104. In addition, the standard dispersion of the set voltage Vset of the thin film structure according to the embodiment is 0.279 and the standard dispersion of the reset voltage Vreset is 0.036. Therefore, the rate of change of the operating voltage (average of the difference between the set voltage and the reset voltage / standard variance of the set voltage and the reset voltage, respectively) is 3.96 (set) and 30.67 (reset). In contrast, as shown in FIG. 6 of the thin film structure according to the comparative example using the conventional oxide thin film, the average of the set voltage Vset and the reset voltage Vreset is 1.655 and 0.715, and accordingly, the set voltage Vset. The difference between the average of and the average of the reset voltage Vreset is about 0.94. In addition, the standard dispersion of the set voltage Vset of the thin film structure according to the comparative example is 0.27 and the standard dispersion of the reset voltage Vreset is 0.076. Therefore, the rate of change of the operating voltage is 3.48 (set) and 12.37 (reset). Accordingly, it can be seen that the rate of change of the operating voltage is improved from 3.48 (set) and 12.37 (reset) to 3.96 (set) and 30.67 (reset) when using the nitrogen doped oxide thin film.
또한, 도 7 및 도 8은 실시 예 및 비교 예에 따른 박막 구조물의 저항 상태의 변화를 각각 나타낸 그래프이다. 이온 주입 산화물 박막을 이용하는 실시 예에 따른 박막 구조물의 경우 도 7에 도시된 바와 같이 고저항 상태(HRS) 및 저저항 상태(LRS)의 평균이 각각 5.47 및 1.47이고, 이에 따라 고저항 상태(HRS)와 저저항 상태(LRS)의 평균의 차가 약 4이다. 또한, 실시 예에 따른 박막 구조물의 고저항 상태(HRS)의 표준 분산은 0.237이고, 저저항 상태(LRS)의 표준 분산은 0.059이다. 따라서, 저저항 상태(LRS)와 고저항 상태(HRS) 사이의 저항값의 변화율(resistance distribution)(저저항 상태와 고저항 상태의 차이의 평균값/저저항 상태와 고저항 상태 각각의 표준 분산)이 16.88(HRS) 및 67.8(LRS)이다. 이에 비해, 기존의 산화물 박막을 이용하는 비교 예에 따른 박막 구조물의 경우 도 8에 도시된 바와 같이 고저항 상태(HRS) 및 저저항 상태(LRS)의 평균이 각각 4.82 및 1.46이고, 이에 따라 고저항 상태(HRS)의 평균 및 저저항 상태(LRS)의 평균의 차가 약 3.36이다. 또한, 비교 예에 따른 박막 구조물의 고저항 상태(HRS)의 표준 분산은 0.538이고, 저저항 상태(LRS)의 표준 분산은 0.084이다. 따라서, 저저항 상태(LRS)와 고저항 상태(HRS) 사이의 저항값의 변화율이 6.25(HRS) 및 40(LRS)이다. 이에 따라, 기존에 비해 질소 도핑 산화물 박막을 이용하는 경우 저항값의 변화율이 6.25(HRS) 및 40(LRS)에서 16.88(HRS) 및 67.8(LRS)로 향상되었음을 알 수 있다.7 and 8 are graphs showing changes in resistance states of thin film structures according to the Examples and Comparative Examples, respectively. In the case of the thin film structure according to the embodiment using the ion implanted oxide thin film, as shown in FIG. 7, the average of the high resistance state (HRS) and the low resistance state (LRS) is 5.47 and 1.47, respectively. ) And the average difference between the low resistance state (LRS) is about 4. In addition, the standard dispersion of the high resistance state (HRS) of the thin film structure according to the embodiment is 0.237, and the standard dispersion of the low resistance state (LRS) is 0.059. Therefore, the resistance distribution of the resistance value between the low resistance state LRS and the high resistance state HRS (average value of the difference between the low resistance state and the high resistance state / standard variance of each of the low and high resistance states) 16.88 (HRS) and 67.8 (LRS). In contrast, in the case of the thin film structure according to the comparative example using the conventional oxide thin film, the average of the high resistance state (HRS) and the low resistance state (LRS) is 4.82 and 1.46, respectively, as shown in FIG. The difference between the mean of the state HRS and the mean of the low resistance state LRS is about 3.36. In addition, the standard dispersion of the high resistance state HRS of the thin film structure according to the comparative example is 0.538, and the standard dispersion of the low resistance state LRS is 0.084. Therefore, the rate of change of the resistance value between the low resistance state LRS and the high resistance state HRS is 6.25 (HRS) and 40 (LRS). Accordingly, it can be seen that the change rate of the resistance value was improved from 6.25 (HRS) and 40 (LRS) to 16.88 (HRS) and 67.8 (LRS) when using a nitrogen doped oxide thin film.
상기한 바와 같이 바람직한 실험 예에 따르면, 이온 주입된 TiO2 박막을 저항층으로 이용함에 따라 종래의 산화물(TiO2)과 비교하여 셋/리셋 전압 특성이 향상되고, 저저항 상태(low resistance state; LRS)와 고저항 상태(high resitance state; HRS) 사이의 저항값의 변화율(resistance distribution)이 6.25(HRS) 및 40(LRS)에서 16.88(HRS) 및 67.8((LRS)로 향상되었으며, 동작 전압의 변화율(voltage distribution)이 3.48(set)및 12.37(reset)에서 3.96(set) 및 30.67(reset)으로 향상되었다.According to the preferred experimental example as described above, as the ion-implanted TiO 2 thin film is used as the resistance layer, the set / reset voltage characteristics are improved compared to the conventional oxide (TiO 2 ), and a low resistance state; Resistance distribution between LRS) and high resistance state (HRS) has been improved from 6.25 (HRS) and 40 (LRS) to 16.88 (HRS) and 67.8 ((LRS)). The voltage distribution of was improved from 3.48 (set) and 12.37 (reset) to 3.96 (set) and 30.67 (reset).
이상에서는 도면 및 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit of the invention described in the claims below. I can understand.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비휘발성 ReRAM 소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a nonvolatile ReRAM device according to an embodiment of the present invention.
도 2(a) 내지 도 2(e)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 비휘발성 ReRAM 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.2 (a) to 2 (e) are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a nonvolatile ReRAM device according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 비휘발성 ReRAM 소자의 전압-전류 특성 그래프.3 is a graph illustrating voltage-current characteristics of a nonvolatile ReRAM device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 종래의 비교 예에 따른 비휘발성 ReRAM 소자의 전압-전류 특성 그래프.4 is a graph illustrating voltage-current characteristics of a nonvolatile ReRAM device according to a comparative example of the related art.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 비휘발성 ReRAM 소자의 동작 전압의 변화 특성 그래프.5 is a graph illustrating changes in operating voltage of a nonvolatile ReRAM device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 6은 종래의 비교 예에 따른 비휘발성 ReRAM 소자의 동작 전압의 변화 특성 그래프.6 is a graph showing changes in operating voltage of a nonvolatile ReRAM device according to a conventional comparative example.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 비휘발성 ReRAM 소자의 저항 변화 특성 그래프.7 is a graph of resistance change characteristic of a nonvolatile ReRAM device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 8은 종래의 비교 예에 따른 비휘발성 ReRAM 소자의 저항 변화 특성 그래프.8 is a graph of resistance change characteristics of a nonvolatile ReRAM device according to a conventional comparative example.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
11 : 기판 12 : 하부 전극막11 substrate 12 lower electrode film
13A : 산화물 박막 13 : 이온 주입 산화물 박막13A: Oxide Thin Film 13: Ion Implanted Oxide Thin Film
14 : 상부 전극막14: upper electrode film
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