KR20100079417A - Loadlock chamber and method for processing substrate using thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A load-lock chamber and a method for processing a substrate using thereof are provided to improve the efficiency of processing substrates at the same time when unloading the substrates outside a system through a load-lock chamber. CONSTITUTION: A chamber(100) is divided into a upper space and a lower space. A plurality of cooling plates in which a plurality of substrates are mounted up and down are separated from each other. An ascending and descending unit loads/unloads the plural substrates. The plural substrates are loaded in the edge of a heating turret unit(510) and are rotated. A plurality of preheat plates heats the plural substrate which are transferred from the heating turret unit.

Description

로드락 챔버 및 이를 이용한 기판 처리 방법{Loadlock chamber and Method for processing substrate using thereof}Loadlock chamber and method for processing substrate using same

본 발명은 로드락 챔버 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 예열공간과 냉각공간을 동시에 갖고, 다수개의 기판을 효율적으로 인입 및 인출시켜서 동시에 처리할 수 있는 로드락 챔버 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a load lock chamber and a substrate processing method using the same, and more particularly, a load lock chamber having a preheating space and a cooling space at the same time, and capable of simultaneously processing a plurality of substrates by drawing in and out efficiently and using the same. It relates to a substrate processing method.

반도체 소자를 제조하기 위한 공정으로 기판을 처리하는 방법은 물리기상증착(PVD), 화학기상증착(CVD), 에칭 및 어닐링과 같은 여러 방법이 있고, 이러한 방법을 단독 또는 연속적으로 사용하여 제작될 수 있다. 이러한 단계들은 다중챔버를 갖는 다양한 프로세싱 시스템을 사용하여 수행된다. 이들 중 하나의 시스템은 클러스터 시스템(cluster system)이다. 클러스터 시스템은 일반적으로 중앙의 기판 취급모듈 또는 이송챔버와, 대상물이 시스템으로 도입되고 제거되도록 관통하는 로드락 챔버(loadlock chamber)를 포함하는 다수의 주변챔버(peripheral chamber)와, 가열, 에칭 및 증착과 같은 프로세싱 단계들을 수행하기 위한 다수의 공정 챔버를 포함한다.The method of treating a substrate as a process for manufacturing a semiconductor device has a number of methods such as physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), etching and annealing, and can be manufactured using these methods alone or continuously. have. These steps are performed using various processing systems with multiple chambers. One of these systems is a cluster system. Cluster systems generally include a central substrate handling module or transfer chamber, a plurality of peripheral chambers including a loadlock chamber through which objects are introduced into and removed from the system, and heated, etched and deposited. A plurality of process chambers for performing processing steps such as:

도 1은 일반적인 클러스터 시스템을 보여주는 구성도로서, 도 1에 도시된 바와 같이 클러스터 시스템은 이송 챔버(10)와; 상기 이송 챔버(10)에 연결되는 다수개의 프로세스 챔버 모듈(20) 및 예열 챔버 모듈(30)과; 상기 이송 챔버(10)에 연결되는 로드락 챔버(40)와; 상기 로드락 챔버(40)에 연결되어 기판들을 수용하는 저장랙(50)을 포함한다.FIG. 1 is a block diagram showing a general cluster system. As shown in FIG. 1, a cluster system includes a transfer chamber 10; A plurality of process chamber modules (20) and preheat chamber modules (30) connected to the transfer chamber (10); A load lock chamber 40 connected to the transfer chamber 10; It is connected to the load lock chamber 40 includes a storage rack 50 for receiving the substrate.

특히 로드락 챔버(40)는 내부의 압력을 대기압 상태와 진공 상태로 조절하여 기판들을 공정수행을 위해 대기시키거나, 처리가 완료된 기판들을 인출하기 위해 대기시키는 수단이다. 이에 따라 로드락 챔버(40)는 내부 공간이 저장랙(50)으로부터 이송 챔버(10)로 인입되는 기판이 통과되는 인입공간과, 이송 챔버(10)로부터 저장랙(50)으로 인출되는 기판이 통과되는 인출공간으로 분할되어 각각 압력을 조절할 수 있게 구성된다.In particular, the load lock chamber 40 is a means for adjusting the pressure inside the atmospheric pressure and vacuum conditions to wait for the substrates to perform the process, or to wait to take out the processed substrates. Accordingly, the load lock chamber 40 includes an inlet space through which a substrate into which the internal space is introduced into the transfer chamber 10 from the storage rack 50, and a substrate drawn out from the transfer chamber 10 into the storage rack 50. It is divided into the withdrawal space passing through it is configured to adjust the pressure respectively.

하지만, 종래의 로드락 챔버는 단지 기판을 저장랙과 이송 챔버 사이에서 전달해주는 역할만을 할 뿐이었다. 이에 따라 이송 챔버로 인입된 기판을 원할한 공정 수행을 위하여 별도의 예열 챔버에 예열하여야 하는 공정상의 번거로움이 있었다.However, the conventional load lock chamber only serves to transfer the substrate between the storage rack and the transfer chamber. Accordingly, there was a process troublesome to preheat the substrate drawn into the transfer chamber in a separate preheating chamber in order to perform a smooth process.

또한, 프로세스 공정시 가열된 기판을 저장랙으로 인출하기 위해서는 소정의 냉각과정을 거쳐야 하는데, 일반적으로 이송 챔버 및 로드락 챔버에서 기판을 대기시키는 방법으로 냉각을 진행하였다. 이에 따라 이송 챔버 및 로드락 챔버의 구조 적인 한계에 의해 기판의 처리 시간이 증가되는 문제점이 있었다.In addition, in order to take out the heated substrate to the storage rack during the process process, a predetermined cooling process has to be performed, and in general, cooling is performed by waiting the substrate in the transfer chamber and the load lock chamber. Accordingly, there is a problem in that the processing time of the substrate is increased due to structural limitations of the transfer chamber and the load lock chamber.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 예열 공간과 냉각 공간을 각각 마련하고, 각각의 공간에 다수개의 기판을 인입 및 인출시키는 수 있는 수단과, 다수개의 기판을 동시에 예열 및 냉각시키는 수단을 마련하여 기판의 처리 효율을 증대시킬 수 있는 로드락 챔버 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention has been made to solve the above problems, a means for providing a preheating space and a cooling space, respectively, and a means for drawing in and out a plurality of substrates in each space, and simultaneously preheating and cooling a plurality of substrates Provided is a load lock chamber capable of increasing the processing efficiency of a substrate by providing a means for providing the substrate and a method for treating the substrate using the same.

본 발명에 따른 로드락 챔버는 상부공간과 하부공간으로 분할되는 챔버와; 상기 챔버의 상부공간에 구비되고, 다수개의 기판이 각각 안착되어 냉각되는 복수의 냉각 플레이트가 상하방향으로 이격되어 배치되며, 복수의 냉각 플레이트가 몸체의 중간부분을 기준으로 회전되는 냉각터렛 유닛과; 상기 챔버 상부공간의 일측 및 타측에 설치되고, 승하강 동작되어 상기 각각의 냉각플레이트에 복수의 기판을 동시에 안착 및 분리 시키는 승하강유닛과; 상기 챔버의 하부공간에 구비되고, 가장자리 영역으로 다수개의 기판이 각각 안착되며, 몸체의 중간부분을 기준으로 회전되는 히팅터렛 유닛과; 상기 히팅터렛 유닛의 하부에 배치되고, 상기 히팅터렛 유닛으로부터 전달된 다수개의 기판이 안착되어 예열되는 다수개의 예열 플레이트를 포함한다.The load lock chamber according to the present invention includes a chamber divided into an upper space and a lower space; A cooling turret unit provided in an upper space of the chamber, the plurality of cooling plates each of which is seated and cooled, spaced apart from each other in a vertical direction, and the plurality of cooling plates rotated with respect to a middle portion of the body; An elevating unit installed at one side and the other side of the upper space of the chamber and being operated up and down to simultaneously seat and separate a plurality of substrates on each of the cooling plates; A heating turret unit provided in the lower space of the chamber, the plurality of substrates being respectively seated as an edge region and being rotated with respect to the middle of the body; It is disposed under the heating turret unit, the plurality of substrates transferred from the heating turret unit includes a plurality of preheating plate seated.

상기 승하강유닛은 상기 챔버의 상부공간 일측에서 기판의 가장자리 양측을 각각 지지하는 한 쌍의 하부 지지척 및 상부 지지척이 상기 각각의 냉각 플레이트를 상하방향으로 관통하여 승하강되도록 구비되고, 상기 하부 지지척 및 상부 지지척의 승하강 동작에 의해 상기 각각의 냉각 플레이트에 한 쌍의 기판을 동시에 안착시키는 로딩 유닛과; 상기 챔버의 상부공간의 타측에서 기판의 가장자리 양측을 각각 지지하는 한 쌍의 하부 지지척 및 상부 지지척이 상기 각각의 냉각 플레이트를 상하방향으로 관통하여 승하강되도록 구비되고, 상기 하부 지지척 및 상부 지지척의 승하강 동작에 의해 상기 각각의 냉각 플레이트에 한 쌍의 기판을 동시에 분리시키는 언로딩 유닛을 포함한다.The elevating unit is provided with a pair of lower support chucks and upper support chucks which respectively support both sides of the edge of the substrate at one side of the upper space of the chamber to ascend and descend through the respective cooling plates, A loading unit for simultaneously mounting a pair of substrates on each of the cooling plates by lifting and lowering operations of the support chuck and the upper support chuck; A pair of lower support chucks and upper support chucks respectively supporting both sides of the edge of the substrate at the other side of the upper space of the chamber are provided to move up and down through the respective cooling plates, and the lower support chuck and the upper And an unloading unit for simultaneously separating a pair of substrates on each of the cooling plates by the lifting and lowering operation of the support chuck.

상기 로딩 유닛 및 언로딩 유닛은 각각, 상기 한 쌍의 하부 지지척과; 상기 하부 지지척의 상부에 배치되는 상기 한 쌍의 상부 지지척과; 상기 각각의 하부 지지척 단부에 연결되고, 상기 챔버의 상부로 연장되는 한쌍의 지지파이프와; 상기 한 쌍의 지지파이프 상단을 일체로 지지하는 하부 지지플레이트와; 상기 각각의 상부 지지척 단부에 연결되고, 상기 지지파이프를 관통하여 상기 챔버의 상부로 연장되는 한 쌍의 지지봉와; 상기 한 쌍의 지지봉 상단을 일체로 지지하고, 상기 하부 지지플레이트의 상부에 배치되며, 하부방향으로 돌출되어 상기 하부 지지플레이트의 상면에 접촉되는 스토퍼가 구비되는 상부 지지플레이트와; 상기 하부 지지플레이트와 상기 챔버의 상면 사이에 구비되는 복원수단과; 상기 상부 지지플레이트를 승하강시키는 승하강 구동부를 포함한다.The loading unit and the unloading unit each include the pair of lower support chucks; The pair of upper support chucks disposed above the lower support chucks; A pair of support pipes connected to the respective lower support chuck ends and extending to an upper portion of the chamber; A lower support plate integrally supporting an upper end of the pair of support pipes; A pair of support rods connected to the respective upper support chuck ends and extending through the support pipes to the top of the chamber; An upper support plate integrally supporting an upper end of the pair of support rods and disposed on an upper portion of the lower support plate, and having a stopper protruding downward to contact the upper surface of the lower support plate; Restoring means provided between the lower support plate and the upper surface of the chamber; And an elevating driving unit for elevating the upper support plate.

상기 지지파이프의 하부에는 상기 하부 지지척이 관통되어 가이드되는 슬롯이 형성되는 것을 특징으로 한다.The lower portion of the support pipe is characterized in that the slot is guided through the lower support chuck is formed.

상기 상부 지지척 및 하부 지지척은 상기 냉각 플레이트의 외측영역에 구비되는 척 플레이트와, 상기 척 플레이트의 측면에서 상기 냉각 플레이트의 내측영역으로 돌출되어 기판을 지지하는 다수개의 척 돌기가 형성되고, 상기 한 쌍의 냉각 플레이트 테두리에는 상기 다수개의 척 돌기가 각각 통과되는 다수개의 척 홈이 상하방향으로 연통되어 형성되는 것을 특징으로 한다.The upper support chuck and the lower support chuck are provided with a chuck plate provided in an outer region of the cooling plate, and a plurality of chuck protrusions protruding from the side of the chuck plate to an inner region of the cooling plate to support a substrate. The pair of cooling plate edges are characterized in that the plurality of chuck grooves through which the plurality of chuck protrusions are respectively communicated in the vertical direction.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판을 처리하는 방법에 있어서, 제 1 및 제 2 기판을 챔버의 일측영역으로 인입시켜 로딩 유닛에 순차적으로 안착시키는 제1차 로딩단계와; 로딩 유닛에 안착된 제 1 및 제 2 기판을 동시에 냉각 플레이트의 일측에 안착시키는 제1차 안착단계와; 냉각 플레이트에 안착된 제 1 및 제 2 기판을 냉각시키는 제1차 냉각단계와; 냉각 플레이트를 회전시켜 제 1 및 제 2 기판을 챔버의 타측영역으로 이동시키는 제1차 회전단계와; 냉각 플레이트의 일측에서 냉각된 제 1 및 제 2 기판을 동시에 언로딩 유닛으로 파지하는 제1차 파지단계와; 언로딩 유닛에 파지된 제 1 및 제 2 기판을 챔버의 외부로 인출시키는 제1차 언로딩단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method comprising: a first loading step of sequentially loading a first and a second substrate into one region of a chamber and sequentially seating the loading unit in a loading unit; A first seating step of simultaneously seating the first and second substrates seated on the loading unit on one side of the cooling plate; A first cooling step of cooling the first and second substrates seated on the cooling plate; A first rotation step of rotating the cooling plate to move the first and second substrates to the other region of the chamber; A first gripping step of simultaneously holding the first and second substrates cooled on one side of the cooling plate with the unloading unit; And a first unloading step of drawing the first and second substrates held in the unloading unit to the outside of the chamber.

상기 제1차 회전단계 이후에, 제 3 및 제 4 기판을 챔버의 일측영역으로 인입시켜 로딩 유닛에 순차적으로 안착시키는 제2차 로딩단계와; 로딩 유닛에 안착된 제 3 및 제 4 기판을 동시에 냉각 플레이트의 타측에 안착시키는 제2차 안착단계와; 냉각 플레이트에 안착된 제 3 및 제 4 기판을 냉각시키는 제2차 냉각단계를 포함한다.After the first rotation step, a second loading step of inserting the third and fourth substrates into one side region of the chamber to sequentially seat the loading unit; A second seating step of simultaneously seating the third and fourth substrates seated on the loading unit on the other side of the cooling plate; And a second cooling step of cooling the third and fourth substrates seated on the cooling plate.

본 발명에 따르면, 로드락 챔버를 통하여 기판을 시스템 내로 인입하는 과정 중에 다수개의 기판을 동시에 예열할 수 있어, 시스템 내에 예열 챔버를 별도로 구성하지 않아도 되기때문에, 시스템의 한정된 공간 내에서 공정 챔버를 더 설치할 수 있고, 이에 따라 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, a plurality of substrates can be preheated at the same time during the introduction of the substrates into the system through the load lock chamber, so that the preheating chamber does not need to be separately configured in the system, thereby further adding process chambers within the limited space of the system. It is possible to install, thereby improving the processing efficiency of the substrate.

또한, 로드락 챔버를 통하여 기판을 시스템 외부로 인출하는 과정 중에 다수개의 기판을 동시에 냉각시킬 수 있어 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the plurality of substrates may be simultaneously cooled during the process of taking the substrate out of the system through the load lock chamber, thereby improving processing efficiency of the substrate.

그리고, 로드락 챔버에 회전되는 냉각터렛 유닛, 로딩 유닛 및 언로딩 유닛을 구비하여 다수개의 기판을 연속적으로 로드락 챔버에 원할하게 인입 및 인출시켜서 로드락 챔버 및 이송 챔버에서 기판의 병목(bottle neck) 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.And a cooling turret unit, a loading unit, and an unloading unit rotated in the load lock chamber to smoothly draw and withdraw a plurality of substrates into the load lock chamber so that the bottle neck of the substrate in the load lock chamber and the transfer chamber ) There is an effect that can prevent the phenomenon.

또한 로드락 챔버에서 다수개의 기판을 연속적으로 각각 예열처리 및 냉각처리할 수 있어 공정 챔버로 인입 및 인출되는 기판의 처리량을 공정 조건에 맞게 조절함에 따라 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the plurality of substrates can be preheated and cooled in succession in the load lock chamber, thereby adjusting the throughput of the substrates drawn into and out of the process chamber according to the process conditions, thereby improving the processing efficiency of the substrates. .

그리고, 하나의 승하강 구동부에 의해 상부 지지척과 하부 지지척을 연계하여 모두 구동시킬 수 있도록 장치를 간단하게 구성함에 따라 부품의 절감 및 공간활용 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, by simply configuring the device to drive both the upper support chuck and the lower support chuck by one elevating drive unit, there is an effect of improving the efficiency of reducing the space and utilizing the space.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Like numbers refer to like elements in the figures.

도 2는 본 발명에 따른 로드락 챔버를 보여주는 구성도이고, 도 3은 본 발명의 냉각터렛 유닛, 로딩 유닛 및 언로딩 유닛을 보여주는 사시도이며, 도 4는 본 발명의 히팅터렛 유닛 및 예열 플레이트를 보여주는 사시도이다.Figure 2 is a block diagram showing a load lock chamber according to the present invention, Figure 3 is a perspective view showing a cooling turret unit, a loading unit and an unloading unit of the present invention, Figure 4 is a heating turret unit and a preheating plate of the present invention It is a perspective view showing.

도면에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 로드락 챔버는 상부공간(110)과 하부공간(120)으로 분할되는 챔버(100)와; 상기 챔버(100)의 상부공간(110)에 구비되고, 가장자리 영역으로 다수개의 기판이 각각 안착되어 냉각되는 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220)가 상하방향으로 이격되며, 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220)가 몸체의 중간부분을 기준으로 일체로 회전되는 냉각터렛 유닛(200)과; 상기 챔버(100) 상부공간(110)의 일측 및 타측에 설치되고, 승하강 동작되어 상기 각각의 냉각플레이트(210,220)에 한 쌍의 기판을 동시에 안착 및 분리 시키는 승하강유닛(1000)과; 상기 챔버(100)의 하부공간(120)에 구비되고, 가장자리 영역으로 다수개의 기판이 각각 안착되며, 몸체의 중간부분을 기준으로 회전되는 히팅터렛 유닛(510)과; 상기 히팅터렛 유닛(510)의 하부에 배치되고, 상기 히팅터렛 유닛(510)으로부터 전달된 다수개의 기판이 안착되어 예열되는 다수개의 예열 플레이트(600)를 포함한다.As shown in the drawings, the load lock chamber according to the present invention includes a chamber 100 divided into an upper space 110 and a lower space 120; The pair of cooling plates 210 and 220 which are provided in the upper space 110 of the chamber 100 and are respectively seated and cooled in the edge region are spaced apart in the vertical direction, and the pair of cooling plates 210 and 220. Cooling turret unit 200 is integrally rotated based on the middle portion of the body; An elevating unit (1000) installed at one side and the other side of the upper space (110) of the chamber (100) and lifting and lowering to simultaneously seat and separate a pair of substrates on each of the cooling plates (210,220); A heating turret unit (510) provided in the lower space (120) of the chamber (100) and seated on a plurality of substrates as an edge region, and rotated with respect to a middle portion of the body; The heating turret unit 510 includes a plurality of preheating plates 600 which are disposed under the heating turret unit 510 and are mounted on and preheated with a plurality of substrates transferred from the heating turret unit 510.

챔버(100)는 내부를 상하로 분할하여 처리된 기판의 냉각이 이루어지는 상부 공간(110)과, 비처리된 기판의 예열이 이루어지는 하부공간(120)으로 구획되는 통 형상으로 제작된다. 이때 상기 상부공간(110)과 하부공간(120)은 분할면(130)에 의해 각각 독립적으로 구분된다. 상기 분할면(130)은 상부공간(110)과 하부공간(120) 사이의 온도간섭을 최소화하기 위하여 단열부재로 이루어지거나, 단열부재가 내장될 수 있다.The chamber 100 is manufactured in a cylindrical shape divided into an upper space 110 where cooling of the processed substrate is performed by dividing the inside up and down, and a lower space 120 where preheating of the untreated substrate is performed. In this case, the upper space 110 and the lower space 120 are each independently separated by the dividing surface 130. The divided surface 130 may be made of a heat insulating member or a heat insulating member may be built in order to minimize the temperature interference between the upper space 110 and the lower space 120.

그리고, 챔버(100)에 형성된 상부공간(110) 및 하부공간(120)의 양 측벽면에는 기판의 인입 및 인출을 위한 게이트(141a 내지 141d)가 마련된다. 그리고, 상기 게이트(141a 내지 141d)는 각각에 마련되는 개폐부(140a 내지 140d)에 의해 개폐된다. 이때 상기 개폐부(140a 내지 140d)로 게이트 밸브 또는 슬릿 밸브를 사용하는 것이 가능하다. 물론 이에 한정되지 않고, 게이트(141a 내지 141d)로 기판의 인입 또는 인출 후 챔버(100) 내부를 대기압 상태 또는 진공 상태로 유지할 수 있는 다양한 형태의 개폐 수단이 사용될 수 있다.In addition, gates 141a to 141d are formed on both sidewalls of the upper space 110 and the lower space 120 formed in the chamber 100 to draw and withdraw the substrate. The gates 141a to 141d are opened and closed by opening and closing portions 140a to 140d provided in the gates 141a to 141d, respectively. At this time, it is possible to use a gate valve or a slit valve as the opening and closing portions (140a to 140d). Of course, the present invention is not limited thereto, and various types of opening and closing means may be used to maintain the inside of the chamber 100 in an atmospheric pressure or vacuum state after the insertion or withdrawal of the substrate into the gates 141a to 141d.

또한, 챔버(100)에 형성된 상부공간(110) 및 하부공간(120) 각각에는 챔버(100) 내부의 압력을 대기압 상태 또는 진공 상태로 조절하기 위한 진공 라인(미도시)이 각각 연결된다.In addition, each of the upper space 110 and the lower space 120 formed in the chamber 100 is connected to a vacuum line (not shown) for adjusting the pressure in the chamber 100 to an atmospheric pressure or a vacuum state, respectively.

냉각터렛 유닛(200)은 회전되어 챔버(100)의 상부공간(110) 일측에 순차적으로 인입되는 다수개의 기판을 순차적으로 안착시키면서 냉각시키는 수단이다. 이러한 냉각터렛 유닛(200)은 크게 상하로 이격되어 배치되는 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220)와, 상기 냉각 플레이트(210,220)의 중간부분을 동시에 지지하는 회전축(230)과, 상기 회전축(230)을 회전시키는 회전 히팅터렛 유닛(240)로 이루어진 다. 그래서, 챔버(100)의 상부공간(110) 일측으로 인입된 기판이 냉각 플레이트(210,220)에 안착되어 냉각되는 동안 냉각 플레이트(210,220)가 회전축(230)을 중심으로 회전되고, 냉각된 기판이 챔버(100)의 상부공간(110) 타측에 위치되면 챔버(100)의 외부로 인출시킨다.The cooling turret unit 200 is a means for cooling while sequentially seating a plurality of substrates that are sequentially inserted into one side of the upper space 110 of the chamber 100. The cooling turret unit 200 includes a pair of cooling plates 210 and 220 which are spaced apart from each other up and down, a rotation shaft 230 simultaneously supporting an intermediate portion of the cooling plates 210 and 220, and the rotation shaft 230. It consists of a rotating heating turret unit 240 to rotate. Thus, the cooling plates 210 and 220 are rotated about the rotation shaft 230 while the substrate inserted into one side of the upper space 110 of the chamber 100 is cooled by being seated on the cooling plates 210 and 220, and the cooled substrate is chambered. If located at the other side of the upper space 110 of the (100) it is withdrawn to the outside of the chamber (100).

상기 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220)는 가장자리 영역에 적어도 2매 이상의 기판이 안착되도록 구비된다. 예를들어 기판이 안착되는 영역에 기판의 형상에 대응되는 요홈 형상인 냉각 안착부(211a,211b 및 221a,221b)를 형성하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 한 쌍의 냉각 안착부(211a,211b 및 221a,221b)가 각각 형성된 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220)를 예로 하여 설명한다. 물론 냉각 안착부(211a, 211b, 221a, 221b)의 개수는 이에 한정되지 않고 냉각 플레이트(210,220) 및 기판의 형상 및 크기, 안착부의 배치 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The pair of cooling plates 210 and 220 may be provided so that at least two or more substrates are seated in an edge region. For example, it is preferable to form cooling seating portions 211a, 211b and 221a, 221b having recesses corresponding to the shape of the substrate in the region where the substrate is seated. In the present embodiment, a pair of cooling plates 210 and 220 having a pair of cooling seats 211a and 211b and 221a and 221b, respectively, will be described as an example. Of course, the number of the cooling seats 211a, 211b, 221a, and 221b is not limited thereto, and may be variously changed according to the shape and size of the cooling plates 210 and 220 and the substrate and the arrangement of the seating parts.

그리고, 냉각 플레이트(210,220)에는 상기 냉각 안착부(211a, 211b, 221a, 221b)에 안착되는 기판을 냉각시키는 냉각수단(미도시), 예를 들어 냉각수가 유동되는 냉각유로 등이 구비될 수 있다. 상기 냉각수단은 기판을 냉각시킬 수 있다면 어떠한 방식이 적용되어도 무방하다.The cooling plates 210 and 220 may be provided with cooling means (not shown) for cooling the substrate seated on the cooling seats 211a, 211b, 221a, and 221b, for example, a cooling flow path through which cooling water flows. . The cooling means may be applied as long as it can cool the substrate.

상기 회전축(230)은 상기 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220) 몸체의 중간부분을 동시에 지지하면서 일단이 상기 챔버(100)의 상부로 연장된다.The rotary shaft 230 supports one end of the pair of cooling plates 210 and 220 at the same time, and one end thereof extends to the upper portion of the chamber 100.

상기 회전 히팅터렛 유닛(240)는 상기 회전축(230)의 일단에 연결되어 상기 회전축(230)을 회전시킬 수 있다면 어떠한 방식이 적용되어도 무방하다.If the rotary heating turret unit 240 is connected to one end of the rotary shaft 230 to rotate the rotary shaft 230 may be applied in any manner.

승하강유닛(1000)은 상기 챔버(100)의 상부공간(110)에서 승하강 동작되어 상기 각각의 냉각 플레이트(210,220)로 한 쌍의 기판을 동시에 안착시키는 로딩 유닛(300)과; 상기 챔버(100)의 상부공간(110)에서 승하강 동작되어 상기 각각의 냉각 플레이트(210,220)에서 한 쌍의 기판을 동시에 분리시키는 언로딩 유닛(400)으로 이루어진다.Lifting unit (1000) is a loading unit (300) for lifting up and down in the upper space (110) of the chamber (100) to simultaneously seat a pair of substrates to each of the cooling plates (210,220); Lifting operation in the upper space 110 of the chamber 100 is composed of an unloading unit 400 for separating the pair of substrates at the same time in each of the cooling plate (210,220).

상기 로딩 유닛(300)과 언로딩 유닛(400)은 상기 챔버(100)의 상부공간(110)으로 기판을 인입 및 인출시키는 수단으로서, 정확하게는 상기 로딩 유닛(300)은 챔버(100)로 인입되는 한 쌍의 기판을 상부와 하부에 순차적으로 안착시킨 다음, 한 쌍의 기판을 동시에 상기 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220)에 안착시키는 수단이고, 상기 언로딩 유닛(400)은 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220)에 안착된 기판을 동시에 파지한 다음 한 쌍의 기판을 순차적으로 챔버(100)의 외부로 인출시키는 수단이다. 상기 로딩 유닛(300)과 언로딩 유닛(400)은 동일한 구성으로 이루어져서 상기 챔버(100)의 상부공간(110) 양측에 각각 배치된다. 이에 상기 로딩 유닛(300)과 언로딩 유닛(400)은 중복된 설명을 생략하기 위하여 로딩 유닛(300)을 대표로 설명하도록 한다.The loading unit 300 and the unloading unit 400 are means for drawing in and out of the substrate into the upper space 110 of the chamber 100, and precisely, the loading unit 300 enters into the chamber 100. A pair of substrates are sequentially seated on the upper and lower sides, and then a pair of substrates are simultaneously seated on the pair of cooling plates 210 and 220, and the unloading unit 400 is a pair of cooling plates. Means for simultaneously holding the substrate seated on (210,220) and then withdraw the pair of substrate to the outside of the chamber 100 in sequence. The loading unit 300 and the unloading unit 400 have the same configuration and are respectively disposed at both sides of the upper space 110 of the chamber 100. Thus, the loading unit 300 and the unloading unit 400 will be described as a representative of the loading unit 300 in order to omit duplicate description.

상기 로딩 유닛(300)은 기판의 가장자리 양측을 각각 지지하는 한 쌍의 하부 지지척(310)과; 상기 각각의 하부 지지척(310) 단부에 연결되고, 상기 챔버(100)의 상부로 연장되는 한쌍의 지지파이프(320)와; 상기 한 쌍의 지지파이프(320) 상단을 일체로 지지하는 하부 지지플레이트(330)와; 기판의 가장자리 양측을 각각 지지하고, 상기 하부 지지척(310)의 상부에 배치되는 한 쌍의 상부 지지척(340)과; 상기 각각의 상부 지지척(340) 단부에 연결되고, 상기 지지파이프(320)를 관통하여 상기 챔버(100)의 상부로 연장되는 한 쌍의 지지봉(350)와; 상기 한 쌍의 지지봉(350) 상단을 일체로 지지하고, 상기 하부 지지플레이트(330)의 상부에 배치되는 상부 지지플레이트(360)와; 상기 하부 지지플레이트(330)와 상기 챔버(100)의 상면 사이에 구비되는 복원수단(380)과; 상기 상부 지지플레이트(360)를 승하강시키는 승하강 구동부(370)를 포함한다.The loading unit 300 includes a pair of lower support chucks 310 supporting both sides of the edge of the substrate; A pair of support pipes 320 connected to ends of the lower support chucks 310 and extending to an upper portion of the chamber 100; A lower support plate 330 which integrally supports the upper ends of the pair of support pipes 320; A pair of upper support chucks 340 respectively supporting both sides of an edge of the substrate and disposed on the lower support chuck 310; A pair of support rods 350 connected to ends of the upper support chucks 340 and extending through the support pipes 320 to the upper portions of the chambers 100; An upper support plate 360 integrally supporting an upper end of the pair of support rods 350 and disposed above the lower support plate 330; Restoring means (380) provided between the lower support plate (330) and an upper surface of the chamber (100); It includes a lifting drive unit 370 to raise and lower the upper support plate 360.

상기 하부 지지척(310) 및 상부 지지척(340)은 상기 냉각 플레이트(210,220)의 외측영역에 구비되는 척 플레이트(311,341)와, 상기 척 플레이트(311,341)의 측면에서 상기 냉각 플레이트(210,220)의 내측영역으로 돌출되어 기판을 지지하는 다수개의 척 돌기(313,343)가 형성된다. 상기 하부 지지척(310) 및 상부 지지척(340)은 각각 한 쌍이 상기 냉각 플레이트(210,220)를 사이에 두고 서로 대향되도록 배치되고, 상기 척 돌기(313,343)가 서로 대향되는 방향으로 돌출된다. 이때 상기 척 돌기(313,343)의 단부는 적어도 상기 냉각 플레이트(210,220)에 형성되는 냉각 안착부(211a, 211b, 221a, 221b) 영역까지 연장된다. 상기 냉각 플레이트(210,220)의 테두리에는 각각의 척 돌기(313,343)가 각각 통과되는 다수개의 척 홈(213a,223a)이 상하방향으로 연통되어 형성된다. 그래서, 상기 하부 지지척(310) 및 상부 지지척(340)의 승하강시 상기 척 돌기(313,343)가 상기 냉각 플레이트(210,220)에 간섭되는 것을 방지된다.The lower support chuck 310 and the upper support chuck 340 may be provided at the outer regions of the cooling plates 210 and 220, and the cooling plates 210 and 220 may be disposed on the side surfaces of the chuck plates 311 and 341. A plurality of chuck protrusions 313 and 343 are formed to protrude into the inner region to support the substrate. The lower support chuck 310 and the upper support chuck 340 are disposed to face each other with a pair of the cooling plates 210 and 220 interposed therebetween, and the chuck protrusions 313 and 343 protrude in opposite directions. In this case, end portions of the chuck protrusions 313 and 343 extend to at least the cooling seating portions 211a, 211b, 221a, and 221b formed in the cooling plates 210 and 220. A plurality of chuck grooves 213a and 223a through which the chuck protrusions 313 and 343 pass through the edges of the cooling plates 210 and 220 communicate with each other in the vertical direction. Thus, when the lower support chuck 310 and the upper support chuck 340 are raised and lowered, the chuck protrusions 313 and 343 are prevented from interfering with the cooling plates 210 and 220.

상기 지지파이프(320)는 한 쌍으로 구비되는 상기 하부 지지척(310)을 지지하도록 각각 한 쌍이 구비되고, 상기 지지봉(350)은 한 쌍으로 구비되는 상기 상부 지지척(340)을 지지하도록 각각 한 쌍이 구비된다. 이때 상기 각각의 지지봉(350) 은 서로 대응되는 위치에 배치되는 상기 지지파이프(320)에 내삽되어 관통되도록 구비된다. 다만, 상기 지지파이프(320)의 하단에는 측면 중 일부가 상하로 관통되는 슬롯(321)이 형성되어, 상기 지지봉(350)에 지지되는 상기 하부 지지척(310)이 승하강 동작될 때 상기 하부 지지척(310)이 상기 슬롯(321)을 따라 승하강 동작된다. 상기 슬롯(321)은 상기 하부 지지척(310)의 승하강시 간섭되지 않도록 상하방향으로 충분히 길게 형성되는 것이 바람직하다.(도 3의 언로딩 유닛(400)에 도시된 슬롯(421) 참고)The support pipe 320 is provided in pairs to support the lower support chuck 310 provided in pairs, and the support rods 350 are supported in order to support the upper support chucks 340 provided in pairs. A pair is provided. In this case, each of the supporting rods 350 is provided to penetrate through the supporting pipes 320 disposed at positions corresponding to each other. However, the lower end of the support pipe 320 is formed with a slot 321 through which some of the side penetrates up and down, the lower support chuck 310 supported by the support rod 350 when the lowering operation The support chuck 310 is moved up and down along the slot 321. Preferably, the slot 321 is formed to be long enough in the vertical direction so as not to interfere when the lower support chuck 310 moves up and down (see the slot 421 shown in the unloading unit 400 of FIG. 3).

상기 하부 지지플레이트(330)는 상기 한 쌍의 지지파이프(320) 상단을 일체로 지지하여 승하강시 한 쌍의 하부 지지플레이트(330)를 동시에 승하강시키는 수단이고, 상기 상부 지지플레이트(360)는 상기 한 쌍의 지지봉(350) 상단을 일체로 지지하여 승하강시 한 쌍의 지지봉(350)을 동시에 승하강시키는 수단이다. 이때 상기 상부 지지플레이트(360)는 승하강 구동부(370)에 연결되어 승하강 동작된다. 그리고, 상기 상부 지지플레이트(360)의 승하강 동작에 의해 상기 하부 지지플레이트(330)가 간섭됨에 따라 후술되는 스토퍼(361) 빛 복원수단(380)에 연계되어 승하강 동작된다. 이렇게 상부 지지플레이트(360)의 승하강 동작에 의해 하부 지지플레이트(330)가 간섭되어 승하강 동작되기 위하여 상부 지지플레이트(360)에는 상기 스토퍼(361)가 구비되고, 하부 지지플레이트(330)와 챔버(100)의 사이에는 상기 복원수단(380)이 구비된다.The lower support plate 330 is a means for simultaneously raising and lowering a pair of lower support plates 330 at the same time when the upper and lower ends of the pair of support pipes 320 are integrally supported, and the upper support plate 360 is It is a means for simultaneously lifting the pair of support rods 350 at the time of lifting up and down by supporting the pair of support rods 350 integrally. At this time, the upper support plate 360 is connected to the elevating drive unit 370, the elevating operation. As the lower support plate 330 is interfered by the lifting operation of the upper support plate 360, the lower support plate 330 is moved up and down in connection with the stopper 361 light recovery means 380 which will be described later. The stopper 361 is provided on the upper support plate 360 so that the lower support plate 330 interferes with the lower support plate 330 by the lifting and lowering operation of the upper support plate 360. The restoration means 380 is provided between the chambers 100.

상기 스토퍼(361)는 상기 상부 지지플레이트(360)의 하강에 의해 상기 하부 지지플레이트(330)를 간섭하여 하강시키는 수단으로서, 상기 상부 지지플레이 트(360)의 하면 또는 측면에서 하부 방향으로 돌출되어 구비된다. 그래서, 스토퍼(361)의 하단부가 상기 상부 지지플레이트(360)의 하강에 의해 상기 하부 지지플레이트(330)의 상면에 접촉됨에 따라 상기 하부 지지플레이트(330)를 가압하여 동시에 하강시킨다.The stopper 361 is a means for lowering the lower support plate 330 by lowering the upper support plate 360. The stopper 361 protrudes downward from the lower surface or the side surface of the upper support plate 360. It is provided. Thus, as the lower end of the stopper 361 contacts the upper surface of the lower support plate 330 by the lowering of the upper support plate 360, the lower support plate 330 is pressed and lowered simultaneously.

상기 복원수단(380)은 상기 하부 지지플레이트(330)가 상기 상부 지지플레이트(360)의 하강에 연계되어 하강된 다음, 상기 상부 지지플레이트(360)의 상승시 상기 하부 지지플레이트(330)를 상승시키는 힘을 제공하는 수단으로서, 본 실시예에서는 스프링이 사용되었다. 이에 따라 하부 지지플레이트(330)의 하강시 압축되는 스프링의 복원력에 의해 하부 지지플레이트(330)의 상승을 유도한다. 또한, 상기 스프링의 복원력에 의해 상기 하부 지지플레이트(330)의 최대 상승위치가 결정된다. 물론 상기 하부 지지플레이트(330)의 최대 상승위치를 결정하는 수단은 스프링에 한정되지 않고, 하부 지지플레이트(330)의 최대 상승위치를 제한하는 별도의 스토퍼(미도시)와 같은 수단이 더 마련될 수 있을 것이다.The restoring means 380 is lowered in connection with the lower support plate 330 is lowered to the upper support plate 360, then raises the lower support plate 330 when the upper support plate 360 is raised. As a means for providing a force to act, a spring was used in this embodiment. Accordingly, the lower support plate 330 is induced to rise by the restoring force of the spring compressed when the lower support plate 330 is lowered. In addition, the maximum lift position of the lower support plate 330 is determined by the restoring force of the spring. Of course, the means for determining the maximum lift position of the lower support plate 330 is not limited to the spring, a means such as a separate stopper (not shown) for limiting the maximum lift position of the lower support plate 330 may be further provided. Could be.

그리고, 상기 하부 지지플레이트(330)와 챔버(100)의 상면 사이에는 상기 지지파이프(320)를 둘러싸는 신축가능한 벨로우즈(bellows)(390)가 구비된다. 또한 상기 하부 지지플레이트(330)와 상부 지지플레이트(360) 사이에도 상기 지지봉(350)을 둘러싸는 신축가능한 벨로우즈(390)가 구비된다.And, between the lower support plate 330 and the upper surface of the chamber 100 is provided with a flexible bellows (390) surrounding the support pipe 320. In addition, between the lower support plate 330 and the upper support plate 360 is provided with a flexible bellows 390 surrounding the support rod 350.

상기 승하강 구동부(370)는 상기 상부 지지플레이트(360)를 직접 승하강시키는 수단이라면 어떠하여도 무방하다. 예를 들어 본 실시예에서는 실린더가 사용된다.The elevating driving unit 370 may be any means for directly raising and lowering the upper support plate 360. For example, a cylinder is used in this embodiment.

히팅터렛 유닛(510)은 회전됨에 따라 챔버(100)의 하부공간(120) 일측으로 인입된 다수개의 기판을 순차적으로 안착한 다음, 상기 예열 플레이트(600)에 다수개의 기판을 동시에 안착시키는 인입과정과, 상기 예열 플레이트(600)에서 예열된 다수개의 기판을 동시에 파지한 다음 순차적으로 챔버(100)의 외부 공간으로 인출시키는 수단이다. The heating turret unit 510 sequentially seats a plurality of substrates inserted into one side of the lower space 120 of the chamber 100 as the rotation turret unit 510 rotates, and then simultaneously seats the plurality of substrates on the preheating plate 600. In this case, the plurality of substrates preheated in the preheating plate 600 are simultaneously held and then sequentially drawn out to the outer space of the chamber 100.

이러한 히팅터렛 유닛(510)은 챔버(100)의 하부공간(120)에 구비되고, 가장자리 영역에 기판이 각각 파지되는 다수개의 파지부(520a,520b)가 형성된다. 상기 파지부(520a,520b)는 적어도 2매 이상의 기판이 안착될 수 있다면 어떠한 형상으로 구비되어도 무방하다. 예를 들어 본 실시예에서 파지부(520a,520b)는 히팅터렛 유닛(510)의 양측에 한 쌍이 형성된다. 부연하여 설명하자면, 히팅터렛 유닛(510)은 몸체의 양측으로 기판의 테두리 형상에 대응되도록 연장되는 지지암(521a,521b)이 형성되고, 상기 지지암(521a,521b)의 내주면에서 돌출되어 기판을 지지하는 다수개의 지지 돌기(523a,523b)가 형성되어 이루어진다. 그리고, 상기 히팅터렛 유닛(510)의 몸체 중간부분에는 구동축(530)이 연결된다.The heating turret unit 510 is provided in the lower space 120 of the chamber 100, and a plurality of holding portions 520a and 520b for holding the substrates are formed in the edge region. The holding parts 520a and 520b may be provided in any shape as long as at least two or more substrates can be mounted thereon. For example, in the present embodiment, a pair of grip parts 520a and 520b are formed on both sides of the heating turret unit 510. In detail, the heating turret unit 510 has support arms 521a and 521b extending on both sides of the body so as to correspond to the edge shape of the substrate, and protrude from the inner circumferential surfaces of the support arms 521a and 521b. A plurality of support protrusions (523a, 523b) for supporting the formed is formed. In addition, a driving shaft 530 is connected to a middle portion of the body of the heating turret unit 510.

상기 구동축(530)은 상기 히팅터렛 유닛(510)의 중간부분을 지지하면서 일단이 상기 챔버(100)의 하부로 연장된다. 그리고, 상기 구동축(530)에는 구동축(530)을 회전 및 승하강시키는 구동축 구동부(540)가 구비된다.The driving shaft 530 supports one end of the heating turret unit 510 and extends to the lower portion of the chamber 100. In addition, the drive shaft 530 is provided with a drive shaft driver 540 for rotating and raising and lowering the drive shaft 530.

상기 구동축 구동부(540)는 상기 구동축(530)을 회전 및 승하강시켜 상기 히팅터렛 유닛(510)을 일체로 회전 및 승하강시키는 수단으로서, 상기 구동축(530)을 회전 및 승하강시킬 수 있다면 어떠한 방식으로 실시되어도 무방하다. 예를 들어 구동축(530)을 회전시키는 모터와 구동축(530)을 승하강시키는 실린더가 사용된다.The drive shaft driver 540 is a means for rotating and lifting the driving shaft 530 integrally to rotate and lift the heating turret unit 510. If the drive shaft 530 can be rotated and lifted, It may be carried out in a manner. For example, a motor for rotating the drive shaft 530 and a cylinder for raising and lowering the drive shaft 530 are used.

예열 플레이트(600)는 상기 히팅터렛 유닛(510)으로부터 인계되는 다수개의 기판이 안착된 다음 동시에 예열되는 수단이다. 그래서 상기 히팅터렛 유닛(510)의 파지부(520a,520b)가 하강되는 부분에 대응하여 구비된다. 예를 들어 한 쌍의 파지부(520a,520b)가 형성되는 히팅터렛 유닛(510)의 경우, 상기 파지부(520a,520b)에 대응되도록 한 쌍의 예열 플레이트(600a,600b)가 구비되고, 각각의 예열 플레이트(600a,600b)에는 기판의 형상에 대응되는 요홈을 형성하여 예열 안착부(610a610b)를 형성한다. 물론 상기 예열 플레이트(600a,600b)는 이에 한정되지 않고, 하나의 예열 플레이트(600)에 다수개의 예열 안착부(610a610b)를 형성할 수 있다.The preheating plate 600 is a means by which a plurality of substrates to be taken over from the heating turret unit 510 is seated and then simultaneously preheated. Therefore, the holding parts 520a and 520b of the heating turret unit 510 are provided corresponding to the lowered portion. For example, in the case of the heating turret unit 510 in which a pair of holding portions 520a and 520b are formed, a pair of preheating plates 600a and 600b are provided to correspond to the holding portions 520a and 520b. In each of the preheating plates 600a and 600b, grooves corresponding to the shape of the substrate are formed to form the preheating seating portions 610a610b. Of course, the preheating plates 600a and 600b are not limited thereto, and a plurality of preheating mounting portions 610a610b may be formed in one preheating plate 600.

그리고, 예열 플레이트(600)에는 상기 예열 안착부(610a610b)에 안착되는 기판을 예열시키는 예열수단(미도시), 예를 들어 열선 등이 구비된다. 상기 예열수단은 기판을 예열시킬 수 있다면 어떠한 방식이 적용되어도 무방하다.In addition, the preheating plate 600 is provided with preheating means (not shown), for example, a heating wire, for preheating the substrate seated on the preheating seating portion 610a610b. The preheating means may be any method as long as it can preheat the substrate.

또한, 상기 예열 플레이트(600a,600b)의 테두리에는 상기 히팅터렛 유닛(510)의 지지암(521a,521b)에 형성된 다수개의 지지 돌기(523a,523b)가 각각 통과되는 다수개의 돌기 홈(620a,620b)이 상하방향으로 연통되어 형성된다.In addition, a plurality of projection grooves 620a, through which a plurality of support protrusions 523a and 523b, which are formed on the support arms 521a and 521b of the heating turret unit 510, pass through the edges of the preheating plates 600a and 600b, respectively. 620b) is formed in communication in the vertical direction.

본 실시예에서는 히팅터렛 유닛(510)이 회전 및 승하강되고, 예열 플레이트(600)는 고정되는 것으로 예시하였지만, 이에 한정되지 않고, 히팅터렛 유닛(510)은 회전만 하고, 예열 플레이트(600)가 승하강되도록 구성할 수 있을 것이다.In the present embodiment, the heating turret unit 510 is rotated and raised and lowered, and the preheating plate 600 is illustrated as being fixed. However, the present invention is not limited thereto, and the heating turret unit 510 only rotates and the preheating plate 600 is used. May be configured to move up and down.

본 실시예에서는 챔버(100)의 상부공간(110) 및 하부공간(120)에 다수개의 기판을 냉각 및 예열처리하는 기술을 제시하였다. 바람직하게는 기판의 냉각처리 시간 및 예열처리 시간을 고려하여 단위 시간 동안 챔버(100)의 상부공간(110)에서 냉각처리할 수 있는 기판의 수를 챔버(100)의 하부공간(120)에서 예열처리할 수 있는 기판의 수보다 많게 한다. 예를 들어 챔버(100)의 상부공간(110)에서 4매의 기판을 냉각처리 할 수 있도록 하고, 챔버(100)의 하부공간(200)에서 2매의 기판을 예열처리 할 수 있도록 할 수 있다. 그래서, 클러스터 시스템에서 기판을 처리할 때 로드락 챔버 및 이송 챔버에서 기판의 병목 현상을 방지할 수 있다.In this embodiment, a technique of cooling and preheating a plurality of substrates in the upper space 110 and the lower space 120 of the chamber 100 is presented. Preferably, the number of substrates that can be cooled in the upper space 110 of the chamber 100 for a unit time in consideration of the cooling time and the preheating time of the substrate is preheated in the lower space 120 of the chamber 100. More than the number of substrates that can be processed. For example, the four substrates may be cooled in the upper space 110 of the chamber 100, and the two substrates may be preheated in the lower space 200 of the chamber 100. . Thus, bottlenecking of the substrate in the load lock chamber and the transfer chamber can be avoided when processing the substrate in a cluster system.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 로드락 챔버를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of treating a substrate using a load lock chamber according to the present invention configured as described above will be described with reference to the accompanying drawings.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 로드락 챔버를 이용한 기판의 예열 과정을 보여주는 작동 상태도이고, 도 6a 내지 도 6h는 본 발명에 다른 로드락 챔버를 이용한 기판의 냉각 과정을 보여주는 작동 상태도이다.5a to 5e is an operational state diagram showing a preheating process of the substrate using a load lock chamber according to the present invention, Figures 6a to 6h is an operating state diagram showing a cooling process of the substrate using a load lock chamber according to the present invention.

먼저, 도 5a 내지 도 5e를 참조하여 로드락 챔버를 이용한 기판의 예열 과정을 설명한다.First, a process of preheating a substrate using a load lock chamber will be described with reference to FIGS. 5A to 5E.

도 5a에 도시된 바와 같이 챔버(100)의 하부공간(120)에 구비되어 저장랙과 연결되는 게이트(141c)를 통하여 제 1 비처리 기판(W1)을 챔버(100) 내부의 일측영역으로 인입시켜 히팅터렛 유닛(510)의 상부에 위치시킨다. 그리고, 히팅터렛 유닛(510)을 상승시켜 제 1 비처리 기판(W1)이 히팅터렛 유닛(510)의 일측에 형성되 는 지지암(521b)에 형성된 지지 돌기(523b)에 안착되도록 한다.(제1차 로딩단계) 이때 챔버(100)의 하부공간(120)에 구비되어 이송 챔버와 연결되는 게이트(141d)는 닫힌 상태이다.As shown in FIG. 5A, the first unprocessed substrate W1 is led into one side region of the chamber 100 through the gate 141c provided in the lower space 120 of the chamber 100 and connected to the storage rack. To be positioned above the heating turret unit 510. Then, the heating turret unit 510 is raised to allow the first unprocessed substrate W1 to be seated on the support protrusion 523b formed on the support arm 521b formed at one side of the heating turret unit 510. First loading step) At this time, the gate 141d provided in the lower space 120 of the chamber 100 and connected to the transfer chamber is in a closed state.

그런다음, 도 5b에 도시된 바와같이 히팅터렛 유닛(510)에 연결된 구동축 구동부(540)를 회전시켜 히팅터렛 유닛(510)을 회전시킴에 따라 제 1 비처리 기판(W1)이 챔버(100)의 타측영역으로 배치되도록 한다. 그리고, 챔버(100)의 일측영역으로 제 2 비처리 기판(W2)을 인입시켜 히팅터렛 유닛(510)의 상부에 위치시킨 상태에서 히팅터렛 유닛(510)을 상승시켜 제 2 비처리 기판(W2)이 히팅터렛 유닛(510)의 타측에 형성되는 지지 돌기(523a)에 안착되도록 한다.(제2차 로딩단계)Then, as shown in FIG. 5B, the first unprocessed substrate W1 is rotated by rotating the driving shaft driver 540 connected to the heating turret unit 510 to rotate the heating turret unit 510. To the other side of the Then, the second non-processing substrate W2 is raised by drawing the second non-processing substrate W2 into one side region of the chamber 100 and raising the heating turret unit 510 in a state where it is positioned above the heating turret unit 510. ) Is seated on the support protrusion 523a formed on the other side of the heating turret unit 510. (second loading step)

이렇게 히팅터렛 유닛(510)에 제 1 및 제 2 비처리 기판(W1,W2)이 안착되었다면, 도 5c에 도시된 바와같이 구동축 구동부(540)를 작동시켜 히팅터렛 유닛(510)을 하강시킴에 따라 히팅터렛 유닛(510)에 안착된 제 1 및 제 2 비처리 기판(W1,W2)이 예열 플레이트(600)에 안착되도록 한다. 이때 히팅터렛 유닛(510)에 형성된 지지 돌기(523a,523b)가 예열 플레이트(600a,600b)에 형성된 돌기 홈(620a,620b)을 따라 가이드 되면서 하강되기 때문에 히팅터렛 유닛(510)에 안착된 제 1 및 제 2 비처리 기판(W1,W2)이 예열 플레이트(600a,600b)의 상면에 형성된 예열 안착부(610a,610b)에 안착되는 것이다.(안착단계)When the first and second non-processing substrates W1 and W2 are seated on the heating turret unit 510, the driving shaft driving unit 540 is operated to lower the heating turret unit 510 as shown in FIG. 5C. Accordingly, the first and second unprocessed substrates W1 and W2 mounted on the heating turret unit 510 are seated on the preheating plate 600. At this time, since the support protrusions 523a and 523b formed in the heating turret unit 510 are guided and lowered along the protrusion grooves 620a and 620b formed in the preheating plates 600a and 600b, the agent seated on the heating turret unit 510 is formed. The first and second untreated substrates W1 and W2 are seated on the preheating seating portions 610a and 610b formed on the upper surfaces of the preheating plates 600a and 600b.

예열 플레이트(600a,600b)에 제 1 및 제 2 비처리 기판(W1,W2)이 안착되었다면 예열 플레이트(600a,600b)에 마련된 예열 수단을 작동시켜 제 1 및 제 2 비처리 기판(W1,W2)을 예열시킨다.(예열단계)If the first and second untreated substrates W1 and W2 are seated on the preheating plates 600a and 600b, the preheating means provided on the preheating plates 600a and 600b are operated to operate the first and second unprocessed substrates W1 and W2. Preheat ()

예열이 완료되면, 도 5d에 도시된 바와같이 히팅터렛 유닛(510)을 상승시켜 예열 처리된 제 1 및 제 2 비처리 기판(W1,W2)을 히팅터렛 유닛(510)의 양측에 구비된 지지 돌기(523a,523b)에 안착시키고, 히팅터렛 유닛(510)을 계속 상승시켜 제 1 및 제 2 비처리 기판(W1,W2)을 예열 플레이트(600a,600b)에서 분리시킨다.(분리단계)When the preheating is completed, as shown in FIG. 5D, the heating turret unit 510 is raised to support the preheated first and second unprocessed substrates W1 and W2 on both sides of the heating turret unit 510. The first and second untreated substrates W1 and W2 are separated from the preheating plates 600a and 600b by being seated on the projections 523a and 523b and continuing to raise the heating turret unit 510.

그런 다음, 챔버(100)의 타측영역에 배치된 제 1 비처리 기판(W1)을 챔버(100)의 외부로 인출시킨다.(제1차 언로딩단계) 이때 저장랙과 연결되는 게이트(141c)는 닫힌 상태이고, 이송 챔버와 연결되는 게이트(141d)를 통하여 제 1 비처리 기판(W1)을 인출시킨다.Then, the first unprocessed substrate W1 disposed in the other region of the chamber 100 is drawn out of the chamber 100 (first unloading step). At this time, the gate 141c connected to the storage rack is pulled out. Is in a closed state and draws out the first unprocessed substrate W1 through a gate 141d connected to the transfer chamber.

그리고, 도 5e에 도시된 바와같이 히팅터렛 유닛(510)을 회전시켜 제 2 비처리 기판(W2)을 챔버(100)의 타측영역으로 배치한 다음 제 2 비처리 기판(W2)을 챔버(100)의 외부로 인출시킨다.(제2차 언로딩단계)As shown in FIG. 5E, the heating turret unit 510 is rotated to arrange the second unprocessed substrate W2 into the other region of the chamber 100, and then the second unprocessed substrate W2 is disposed in the chamber 100. ) To the outside of the (2nd unloading step).

이렇게 제 1 및 제 2 비처리 기판(W1,W2)의 인출이 완료되었다면 챔버(100)의 하부공간(120)에서 이송 챔버로 연결되는 게이트(141d)를 닫고, 챔버(100)의 하부공간(120)에서 저장랙으로 연결되는 게이트(140c)를 연 다음, 다음 차례의 비처리 기판을 인입시켜 연속적으로 예열 처리를 진행한다.When the extraction of the first and second non-processing substrates W1 and W2 is completed, the gate 141d connected to the transfer chamber is closed in the lower space 120 of the chamber 100, and the lower space of the chamber 100 ( In step 120, the gate 140c connected to the storage rack is opened, and the next unprocessed substrate is introduced to proceed with preheating.

물론 게이트(140c,140d)를 열고 닫는 과정 중간에는 챔버(100)의 하부공간(120) 내 압력을 대기압 상태 및 진공 상태로 변환시키는 과정이 이루어지는 것은 자명한 사실이다.Of course, the process of converting the pressure in the lower space 120 of the chamber 100 into the atmospheric pressure and the vacuum state is performed in the middle of the process of opening and closing the gates 140c and 140d.

다음으로, 도 6a 내지 도6h를 참조하여 로드락 챔버를 이용한 처리 기판의 냉각 과정을 설명한다.Next, a cooling process of the processing substrate using the load lock chamber will be described with reference to FIGS. 6A to 6H.

먼저, 제 1 및 제 2 처리 기판(S1,S2)을 챔버(100)의 일측영역으로 인입시켜 로딩 유닛(300)에 순차적으로 안착시킨다.(제1차 로딩단계)First, the first and second processing substrates S1 and S2 are introduced into one side region of the chamber 100 and sequentially seated in the loading unit 300. (First loading step)

제1차 로딩단계를 세부적으로 설명하면 다음과 같다.The first loading step will be described in detail as follows.

도 6a에 도시된 바와같이 챔버(100)의 상부공간(110)에서 이송 챔버와 연결되는 게이트(141b)를 열고, 저장랙과 연결되는 게이트(141a)는 닫은 상태에서, 상부 지지플레이트(360)를 하강시켜 상부 지지플레이트(360)에 구비된 스토퍼(361)가 하부 지지플레이트(330)와 접촉되면서 하부 지지플레이트(330)를 동시에 하강시킴에 따라 하부 지지척(310)의 위치가 제 1 처리 기판(S1)이 로딩되는 위치보다 낮게 위치되도록 한다. 바람직하게는 로딩 유닛(300)의 하부 지지척(310)이 상하로 배치되는 냉각 플레이트(210,220)의 사이로 인입되는 제 1 처리 기판(S1)의 로딩위치보다 낮게 위치되는 것이다. 그리고, 이송 챔버로부터 제 1 처리 기판(S1)을 챔버(100)의 상부공간(110)으로 인입시킨다. 그래서 제 1 처리 기판(S1)을 하부 지지척(310)의 상부에 배치시킨다.As shown in FIG. 6A, in the upper space 110 of the chamber 100, the gate 141b connected to the transfer chamber is opened, and the gate 141a connected to the storage rack is closed, and the upper support plate 360 is closed. The lower support chuck 310 is first processed as the stopper 361 provided on the upper support plate 360 lowers the lower support plate 330 while simultaneously lowering the lower support plate 330. The substrate S1 is positioned lower than the loading position. Preferably, the lower support chuck 310 of the loading unit 300 is positioned lower than the loading position of the first processing substrate S1 introduced between the cooling plates 210 and 220 disposed up and down. Then, the first processing substrate S1 is introduced into the upper space 110 of the chamber 100 from the transfer chamber. Thus, the first processing substrate S1 is disposed above the lower support chuck 310.

이렇게 제 1 처리 기판(S1)이 하부 지지척(310)의 상부에 배치된 상태에서 도 6b에 도시된 바와 같이 승하강 구동부(370)를 작동시켜 상부 지지플레이트(360)를 상승시키면, 하부 지지플레이트(330)는 복원수단(380)의 복원력과 스토퍼(361)에 의해 상기 상부 지지플레이트(360)와 동일한 간격으로 상승된다. 이렇게 상부 지지플레이트(360)와 하부 지지플레이트(330)가 일정한 간격으로 동시에 계속하여 상승되면 하부 지지척(310)에 형성된 척 돌기(313,343)의 상면에 제 1 처리 기판(S1)이 안착된다.When the first processing substrate S1 is disposed above the lower support chuck 310, as shown in FIG. 6B, when the elevating drive unit 370 is operated to raise the upper support plate 360, the lower support is performed. The plate 330 is raised at the same interval as the upper support plate 360 by the restoring force of the restoring means 380 and the stopper 361. When the upper support plate 360 and the lower support plate 330 continue to rise at regular intervals simultaneously, the first processing substrate S1 is seated on the upper surfaces of the chuck protrusions 313 and 343 formed on the lower support chuck 310.

그런다음, 도 6c에 도시된 바와같이 이송 챔버와 연결된 게이트(141ab)를 통하여 상대적으로 상부에 배치된 냉각 플레이트(220)의 상부로 제 2 처리 기판(S2)을 인입시킨다.Next, as shown in FIG. 6C, the second processing substrate S2 is introduced into the upper portion of the cooling plate 220 disposed at the upper portion through the gate 141ab connected to the transfer chamber.

그리고, 도 6d에 도시된 바와같이 승하강 구동부(370)를 작동시켜 상부 지지플레이트(360)를 상승시킨다. 그러면, 상부 지지플레이트(360)는 상승되지만 복원수단(380)의 복원력에 의해 최대 상승위치까지 상승된 하부 지지플레이트(330)의 상승이 멈춘다. 이에 따라 하부 지지척(310)의 상승은 멈추고, 상부 지지플레이트(360)만이 계속하여 상승됨에 따라 상부 지지척(340)의 상부에 제 2 처리 기판(S2)이 안착된다.Then, as shown in FIG. 6D, the elevating driving unit 370 is operated to raise the upper support plate 360. Then, the upper support plate 360 is raised but the rise of the lower support plate 330 raised to the maximum lift position by the restoring force of the restoring means 380 stops. Accordingly, as the lower support chuck 310 stops rising and only the upper support plate 360 continues to rise, the second processing substrate S2 is seated on the upper support chuck 340.

이렇게 하부 지지척(310)에는 제 1 처리 기판(S1)이 안착되고, 상부 지지척(340)에는 제 2 처리 기판(S2)이 안착되었다면, 도 6e에 도시된 바와같이 승하강 구동부(370)를 하강시켜 상부 지지플레이트(360)를 하강시킨다. 이에 따라 스토퍼(361)가 하부 지지플레이트(330)에 접촉될때까지 단독으로 하강되는 상부 지지플레이트(360)는 스토퍼(361)가 하부 지지플레이트(330)의 상면에 접촉된 다음 하부 지지플레이트(330)와 동시에 하강되고, 상부 지지척(340)과 하부 지지척(310)에 형성된 척 돌기(313,343)가 냉각 플레이트(210,220)에 형성된 척 홈(213a,223a)을 따라 가이드 되면서 하강되어 상부 지지척(340) 및 하부 지지척(310)에 안착된 제 1 및 제 2 처리 기판(S1,S2)이 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220) 상면에 각각 안착된 다.(제1차 안착단계)When the first processing substrate S1 is seated on the lower support chuck 310 and the second processing substrate S2 is seated on the upper support chuck 340, the lifting lowering driver 370 as shown in FIG. 6E. Lower the upper support plate 360 by lowering. Accordingly, the upper support plate 360 which is lowered until the stopper 361 is in contact with the lower support plate 330 has the stopper 361 in contact with the upper surface of the lower support plate 330, and then the lower support plate 330. And lowered at the same time, the chuck protrusions 313 and 343 formed on the upper support chuck 340 and the lower support chuck 310 are lowered while being guided along the chuck grooves 213a and 223a formed on the cooling plates 210 and 220. The first and second processing substrates S1 and S2 mounted on the 340 and the lower support chuck 310 are seated on the upper surfaces of the pair of cooling plates 210 and 220, respectively.

한 쌍의 냉각 플레이트(210,220)에 제 1 및 제 2 처리 기판(S1,S2)이 안착된 순간부터 제 1 및 제 2 처리 기판(S1,S2)의 냉각이 진행된다.(제1차 냉각단계)The cooling of the first and second processing substrates S1 and S2 proceeds from the moment when the first and second processing substrates S1 and S2 are seated on the pair of cooling plates 210 and 220. )

제 1 및 제 2 처리 기판(S1,S2)의 안착이 완료되더라도 상부 지지플레이트(360)의 하강을 계속 진행하여 상부 지지플레이트(360) 및 하부 지지플레이트(330)를 하강시켜 상부 지지척(340) 및 하부 지지척(310)이 각각 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220) 하부에 각각 위치되도록 한다. 그래서 냉각 플레이트(210,220)의 회전시 상부 지지척(340) 및 하부 지지척(310)의 간섭이 일어나지 않도록 한다.Even when the mounting of the first and second processing substrates S1 and S2 is completed, the upper support plate 360 and the lower support plate 330 are lowered to continue the lowering of the upper support plate 360 so as to lower the upper support chuck 340. ) And lower support chuck 310 are positioned below the pair of cooling plates 210 and 220, respectively. Thus, when the cooling plates 210 and 220 rotate, the interference between the upper support chuck 340 and the lower support chuck 310 does not occur.

이렇게 상부 지지척(340) 및 하부 지지척(310)이 냉각 플레이트(210,220)의 회전 반경에서 벗어나면 도 6f에 도시된 바와 같이 회전 구동부(240)를 작동하여 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220)를 동시에 회전시켜 제 1 및 제 2 처리 기판(S1,S2)을 챔버(100)의 타측영역으로 이동시킨다.When the upper support chuck 340 and the lower support chuck 310 deviate from the rotation radius of the cooling plates 210 and 220, the rotation driving unit 240 is operated as shown in FIG. 6F to operate the pair of cooling plates 210 and 220. By rotating at the same time to move the first and second processing substrate (S1, S2) to the other region of the chamber 100.

그리고, 도 6g에 도시된 바와 같이 하부 지지척(310)의 상부에 제 3 처리 기판을 인입시킨다. 그리고 도 6a 내지 6d의 동작을 반복하여 하부 지지척(310)에 제 3 처리 기판(S3)을 안착시키고, 상부 지지척(340)에 제 4 처리 기판(S4)을 순차적으로 안착시킨다.(제2차 로딩단계)As shown in FIG. 6G, the third processing substrate is introduced into the upper portion of the lower support chuck 310. 6A to 6D, the third processing substrate S3 is seated on the lower support chuck 310, and the fourth processing substrate S4 is sequentially seated on the upper support chuck 340. 2nd loading step)

그리고, 도 6h에 도시된 바와같이 승하강 구동부(370)를 하강시켜 상부 지지플레이트(360) 및 하부 지지플레이트(330)를 하강시켜 제 3 및 제 4 처리 기판(S3,S4)을 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220)에 안착시킨다.(제2차 안착단계)Then, as shown in FIG. 6H, the elevating driving unit 370 is lowered to lower the upper support plate 360 and the lower support plate 330 to thereby make a pair of third and fourth processing substrates S3 and S4. It is seated on the cooling plates 210 and 220. (Second seating step)

이때도 마찬가지로 제 3 및 제 4 처리 기판(S3,S4)의 안착이 완료되더라도 상부 지지플레이트의 하강을 계속 진행하여 상부 지지플레이트(360) 및 하부 지지플레이트(330)를 하강시켜 상부 지지척(340) 및 하부 지지척(310)이 각각 한 쌍의 냉각 플레이트(210,220) 하부에 각각 위치되도록 한다. 그래서 냉각 플레이트(210,220)의 회전시 상부 지지척(340) 및 하부 지지척(310)의 간섭이 일어나지 않도록 한다.In this case, even when the mounting of the third and fourth processing substrates S3 and S4 is completed, the upper support plate 360 and the lower support plate 330 are lowered to continue the lowering of the upper support plate 340 to thereby lower the upper support chuck 340. ) And lower support chuck 310 are positioned below the pair of cooling plates 210 and 220, respectively. Thus, when the cooling plates 210 and 220 rotate, the interference between the upper support chuck 340 and the lower support chuck 310 does not occur.

한 쌍의 냉각 플레이트(210,220)에 제 3 및 제 4 처리 기판(S3,S4)이 안착된 순간부터 제 3 및 제 4 처리 기판(S3,S4)의 냉각이 진행된다.(제2차 냉각단계)The cooling of the third and fourth processing substrates S3 and S4 proceeds from the moment when the third and fourth processing substrates S3 and S4 are seated on the pair of cooling plates 210 and 220. )

이렇게 제 3 및 제 4 처리 기판(S3,S4)의 냉각이 이루어지는 동안에 냉각이 완료된 제 1 및 제 2 처리 기판(S1,S2)은 챔버(100)의 상부공간 내부에서 외부로 인출되는 과정이 이루어진다.In this way, while the third and fourth processing substrates S3 and S4 are cooled, the first and second processing substrates S1 and S2 having completed cooling are drawn out from the inside of the upper space of the chamber 100 to the outside. .

제 1 및 제 2 처리 기판(S1,S2)의 인출과정은 언로딩 유닛(400)에 의해 이루어지며, 이때 언로딩 유닛(400)의 작동은 도 6a 내지 도 6e에 도시된 로딩 유닛(300)의 역순으로 작동된다. 부연하자면, 냉각 플레이트(210,220)의 일측에서 냉각이 완료된 제 1 및 제 2 처리 기판(S1,S2)을 동시에 언로딩 유닛(400)의 하부 지지척(410) 및 상부 지지척(440)으로 파지한다.(제1차 파지단계)The unloading process of the first and second processing substrates S1 and S2 is performed by the unloading unit 400, and the operation of the unloading unit 400 is performed by the loading unit 300 illustrated in FIGS. 6A to 6E. Works in reverse order. In detail, the first and second processed substrates S1 and S2 having been cooled on one side of the cooling plates 210 and 220 are simultaneously gripped by the lower support chuck 410 and the upper support chuck 440 of the unloading unit 400. (First gripping stage)

그리고, 언로딩 유닛(400)의 하부 지지척(410) 및 상부 지지척(440)에 파지된 제 1 및 제 2 처리 기판(S1,S2)을 순차적으로 챔버(100) 상부공간의 외부로 인출시킨다.(제1차 언로딩단계) 이때 챔버(100)의 상부공간(110)에서 저장랙과 연결되는 게이트(141a)를 통하여 인출과정이 이루어지고, 챔버(100)의 상부공간(110)에서 이송 챔버와 연결되는 게이트(141b)는 닫힌 상태이다.The first and second processing substrates S1 and S2 held by the lower support chuck 410 and the upper support chuck 440 of the unloading unit 400 are sequentially taken out of the upper space of the chamber 100. (First unloading step) At this time, the withdrawal process is performed through the gate 141a connected to the storage rack in the upper space 110 of the chamber 100, and in the upper space 110 of the chamber 100. The gate 141b connected to the transfer chamber is in a closed state.

이렇게 제 1 및 제 2 처리 기판(S1,S2)의 인출이 완료되면 냉각 플레이트(210,220)를 회전시켜 냉각이 진행되는 제 3 및 제 4 처리 기판(S3,S4)을 언로딩 유닛(400)이 배치된 챔버(100)의 타측영역으로 이동시킨다.(제2차 회전단계)When the extraction of the first and second processing substrates S1 and S2 is completed, the unloading unit 400 rotates the cooling plates 210 and 220 to unload the third and fourth processing substrates S3 and S4 where the cooling is performed. Move to the other region of the chamber 100 (second rotation stage).

그리고, 냉각 플레이트(210,220)의 타측에서 냉각이 완료된 제 3 및 제 4 처리 기판(S3,S4)을 동시에 언로딩 유닛(400)의 하부 지지척(410) 및 상부 지지척(440)으로 파지한다.(제2차 파지단계)In addition, the third and fourth processing substrates S3 and S4 having been cooled on the other side of the cooling plates 210 and 220 are simultaneously gripped by the lower support chuck 410 and the upper support chuck 440 of the unloading unit 400. . (Second gripping stage)

그런다음, 언로딩 유닛(400)의 하부 지지척(410) 및 상부 지지척(440)에 파지된 제 3 및 제 4 처리 기판(S3,S4)을 챔버(100)의 외부로 인출시킨다.(제2차 언로딩단계)Then, the third and fourth processing substrates S3 and S4 held by the lower support chuck 410 and the upper support chuck 440 of the unloading unit 400 are drawn out of the chamber 100. 2nd Unloading Step)

이렇게 제 1 내지 제 4 처리 기판(S1 내지 S4)의 인출이 완료되었다면 챔버(100)의 상부공간(110)에서 저장랙으로 연결되는 게이트(141a)를 닫고, 챔버(100)의 상부공간(110)에서 이송 챔버로 연결되는 게이트(141b)를 연 다음, 다음 차례의 처리 기판을 인입시켜 연속적으로 냉각 처리를 진행한다.When the extraction of the first to fourth processing substrates S1 to S4 is completed, the gate 141a connected to the storage rack is closed in the upper space 110 of the chamber 100, and the upper space 110 of the chamber 100 is closed. ), The gate 141b connected to the transfer chamber is opened, and then the next processing substrate is drawn in to continuously cool the process.

물론 게이트(14ac,140b)를 열고 닫는 과정 중간에는 챔버(100)의 상부공간(110) 내 압력을 대기압 상태 및 진공 상태로 변환시키는 과정이 이루어지는 것은 자명한 사실이다.Of course, the process of converting the pressure in the upper space 110 of the chamber 100 into an atmospheric pressure state and a vacuum state is performed in the middle of the process of opening and closing the gates 14ac and 140b.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although described with reference to the embodiments, it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. .

도 1은 일반적인 클러스터 시스템을 보여주는 구성도이고,1 is a block diagram showing a general cluster system,

도 2는 본 발명에 따른 로드락 챔버를 보여주는 구성도이며,2 is a block diagram showing a load lock chamber according to the present invention,

도 3은 본 발명의 냉각터렛 유닛, 로딩 유닛 및 언로딩 유닛을 보여주는 사시도이며,3 is a perspective view showing a cooling turret unit, a loading unit and an unloading unit of the present invention;

도 4는 본 발명의 히팅터렛 유닛 및 예열 플레이트를 보여주는 사시도이며,4 is a perspective view showing a heating turret unit and a preheating plate of the present invention,

도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 로드락 챔버를 이용한 기판의 예열 과정을 보여주는 작동 상태도이고,5a to 5e is an operating state diagram showing a preheating process of a substrate using a load lock chamber according to the present invention,

도 6a 내지 도 6h는 본 발명에 다른 로드락 챔버를 이용한 기판의 냉각 과정을 보여주는 작동 상태도이다.6a to 6h is an operating state diagram showing a cooling process of a substrate using a load lock chamber according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 챔버 200: 냉각터렛 유닛100: chamber 200: cooling turret unit

300: 로딩 유닛 400: 언로딩 유닛300: loading unit 400: unloading unit

510: 히팅터렛 유닛 600: 예열 플레이트510: heating turret unit 600: preheating plate

Claims (7)

상부공간과 하부공간으로 분할되는 챔버와;A chamber divided into an upper space and a lower space; 상기 챔버의 상부공간에 구비되고, 다수개의 기판이 각각 안착되어 냉각되는 복수의 냉각 플레이트가 상하방향으로 이격되어 배치되며, 복수의 냉각 플레이트가 몸체의 중간부분을 기준으로 회전되는 냉각터렛 유닛과;A cooling turret unit provided in an upper space of the chamber, the plurality of cooling plates each of which is seated and cooled, spaced apart from each other in a vertical direction, and the plurality of cooling plates rotated with respect to a middle portion of the body; 상기 챔버 상부공간의 일측 및 타측에 설치되고, 승하강 동작되어 상기 각각의 냉각플레이트에 복수의 기판을 동시에 안착 및 분리 시키는 승하강유닛과;An elevating unit installed at one side and the other side of the upper space of the chamber and being operated up and down to simultaneously seat and separate a plurality of substrates on each of the cooling plates; 상기 챔버의 하부공간에 구비되고, 가장자리 영역으로 다수개의 기판이 각각 안착되며, 몸체의 중간부분을 기준으로 회전되는 히팅터렛 유닛과;A heating turret unit provided in the lower space of the chamber, the plurality of substrates being respectively seated as an edge region and being rotated with respect to the middle of the body; 상기 히팅터렛 유닛의 하부에 배치되고, 상기 히팅터렛 유닛으로부터 전달된 다수개의 기판이 안착되어 예열되는 다수개의 예열 플레이트를 포함하는 로드락 챔버.A load lock chamber disposed under the heating turret unit and including a plurality of preheating plates on which a plurality of substrates transferred from the heating turret unit is seated and preheated. 청구항 1에 있어서, 상기 승하강유닛은 The method of claim 1, wherein the lifting unit 상기 챔버의 상부공간 일측에서 기판의 가장자리 양측을 각각 지지하는 한 쌍의 하부 지지척 및 상부 지지척이 상기 각각의 냉각 플레이트를 상하방향으로 관통하여 승하강되도록 구비되고, 상기 하부 지지척 및 상부 지지척의 승하강 동작에 의해 상기 각각의 냉각 플레이트에 한 쌍의 기판을 동시에 안착시키는 로딩 유닛과;A pair of lower support chucks and upper support chucks respectively supporting both edges of the substrate at one side of the upper space of the chamber are provided to move up and down through the respective cooling plates, and the lower support chuck and the upper support A loading unit for simultaneously mounting a pair of substrates on each of the cooling plates by a lifting operation of the chuck; 상기 챔버의 상부공간의 타측에서 기판의 가장자리 양측을 각각 지지하는 한 쌍의 하부 지지척 및 상부 지지척이 상기 각각의 냉각 플레이트를 상하방향으로 관통하여 승하강되도록 구비되고, 상기 하부 지지척 및 상부 지지척의 승하강 동작에 의해 상기 각각의 냉각 플레이트에 한 쌍의 기판을 동시에 분리시키는 언로딩 유닛을 포함하는 로드락 챔버.A pair of lower support chucks and upper support chucks respectively supporting both sides of the edge of the substrate at the other side of the upper space of the chamber are provided to move up and down through the respective cooling plates, and the lower support chuck and the upper And an unloading unit for simultaneously separating a pair of substrates from each cooling plate by a lifting and lowering operation of a support chuck. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 로딩 유닛 및 언로딩 유닛은 각각,The loading unit and the unloading unit, respectively, 상기 한 쌍의 하부 지지척과;The pair of lower support chucks; 상기 하부 지지척의 상부에 배치되는 상기 한 쌍의 상부 지지척과;The pair of upper support chucks disposed above the lower support chucks; 상기 각각의 하부 지지척 단부에 연결되고, 상기 챔버의 상부로 연장되는 한쌍의 지지파이프와;A pair of support pipes connected to the respective lower support chuck ends and extending to an upper portion of the chamber; 상기 한 쌍의 지지파이프 상단을 일체로 지지하는 하부 지지플레이트와;A lower support plate integrally supporting an upper end of the pair of support pipes; 상기 각각의 상부 지지척 단부에 연결되고, 상기 지지파이프를 관통하여 상기 챔버의 상부로 연장되는 한 쌍의 지지봉와;A pair of support rods connected to the respective upper support chuck ends and extending through the support pipes to the top of the chamber; 상기 한 쌍의 지지봉 상단을 일체로 지지하고, 상기 하부 지지플레이트의 상부에 배치되며, 하부방향으로 돌출되어 상기 하부 지지플레이트의 상면에 접촉되는 스토퍼가 구비되는 상부 지지플레이트와;An upper support plate integrally supporting an upper end of the pair of support rods and disposed on an upper portion of the lower support plate, and having a stopper protruding downward to contact the upper surface of the lower support plate; 상기 하부 지지플레이트와 상기 챔버의 상면 사이에 구비되는 복원수단과;Restoring means provided between the lower support plate and the upper surface of the chamber; 상기 상부 지지플레이트를 승하강시키는 승하강 구동부를 포함하는 로드락 챔버.A load lock chamber including a lift drive for raising and lowering the upper support plate. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 지지파이프의 하부에는 상기 하부 지지척이 관통되어 가이드되는 슬롯이 형성되는 것을 특징으로 하는 로드락 챔버.The lower portion of the support pipe is a load lock chamber, characterized in that the slot through which the lower support chuck is guided. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 상부 지지척 및 하부 지지척은 상기 냉각 플레이트의 외측영역에 구비되는 척 플레이트와, 상기 척 플레이트의 측면에서 상기 냉각 플레이트의 내측영역으로 돌출되어 기판을 지지하는 다수개의 척 돌기가 형성되고,The upper support chuck and the lower support chuck are provided with a chuck plate provided in an outer region of the cooling plate, and a plurality of chuck protrusions protruding from the side of the chuck plate to an inner region of the cooling plate to support a substrate. 상기 한 쌍의 냉각 플레이트 테두리에는 상기 다수개의 척 돌기가 각각 통과되는 다수개의 척 홈이 상하방향으로 연통되어 형성되는 것을 특징으로 하는 로드락 챔버.And a plurality of chuck grooves through which the plurality of chuck protrusions are respectively communicated in the vertical direction at the edges of the pair of cooling plates. 기판을 처리하는 방법에 있어서,In the method of processing a substrate, 제 1 및 제 2 기판을 챔버의 일측영역으로 인입시켜 로딩 유닛에 순차적으로 안착시키는 제1차 로딩단계와;First loading the first and second substrates into one region of the chamber and sequentially seating the first and second substrates on the loading unit; 로딩 유닛에 안착된 제 1 및 제 2 기판을 동시에 냉각 플레이트의 일측에 안착시키는 제1차 안착단계와;A first seating step of simultaneously seating the first and second substrates seated on the loading unit on one side of the cooling plate; 냉각 플레이트에 안착된 제 1 및 제 2 기판을 냉각시키는 제1차 냉각단계와;A first cooling step of cooling the first and second substrates seated on the cooling plate; 냉각 플레이트를 회전시켜 제 1 및 제 2 기판을 챔버의 타측영역으로 이동시키는 제1차 회전단계와;A first rotation step of rotating the cooling plate to move the first and second substrates to the other region of the chamber; 냉각 플레이트의 일측에서 냉각된 제 1 및 제 2 기판을 동시에 언로딩 유닛으로 파지하는 제1차 파지단계와;A first gripping step of simultaneously holding the first and second substrates cooled on one side of the cooling plate with the unloading unit; 언로딩 유닛에 파지된 제 1 및 제 2 기판을 챔버의 외부로 인출시키는 제1차 언로딩단계를 포함하는 기판 처리 방법.And a first unloading step of drawing the first and second substrates held in the unloading unit out of the chamber. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 제1차 회전단계 이후에,After the first rotation step, 제 3 및 제 4 기판을 챔버의 일측영역으로 인입시켜 로딩 유닛에 순차적으로 안착시키는 제2차 로딩단계와;A second loading step of inserting the third and fourth substrates into one side region of the chamber and sequentially seating them in the loading unit; 로딩 유닛에 안착된 제 3 및 제 4 기판을 동시에 냉각 플레이트의 타측에 안착시키는 제2차 안착단계와;A second seating step of simultaneously seating the third and fourth substrates seated on the loading unit on the other side of the cooling plate; 냉각 플레이트에 안착된 제 3 및 제 4 기판을 냉각시키는 제2차 냉각단계를 포함하는 기판 처리 방법.And a second cooling step of cooling the third and fourth substrates seated on the cooling plate.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103594401A (en) * 2012-08-16 2014-02-19 盛美半导体设备（上海）有限公司 Load lock chamber and method of using load lock chamber to process substrates
KR20150013628A (en) * 2012-05-24 2015-02-05 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 Loadlock chamber and method for treating substrates using the same
KR101505532B1 (en) * 2013-12-02 2015-03-30 피에스케이 주식회사 Substrate cooling apparatus and substrate treating facility uncluding the unit

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10720348B2 (en) * 2018-05-18 2020-07-21 Applied Materials, Inc. Dual load lock chamber

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4793927B2 (en) * 2005-11-24 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method and apparatus
KR100794649B1 (en) * 2006-03-02 2008-01-14 브룩스오토메이션아시아(주) Load-lock chamber
KR20080021325A (en) * 2006-09-04 2008-03-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Substrate loading/unloading device and method for driving the same
KR100836069B1 (en) 2007-06-29 2008-06-09 세메스 주식회사 Apparatus for processing a substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150013628A (en) * 2012-05-24 2015-02-05 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 Loadlock chamber and method for treating substrates using the same
CN103594401A (en) * 2012-08-16 2014-02-19 盛美半导体设备（上海）有限公司 Load lock chamber and method of using load lock chamber to process substrates
TWI663676B (en) * 2012-08-16 2019-06-21 大陸商盛美半導體設備（上海）有限公司 Load lock cavity and method for processing substrate using the load lock cavity
KR101505532B1 (en) * 2013-12-02 2015-03-30 피에스케이 주식회사 Substrate cooling apparatus and substrate treating facility uncluding the unit

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