KR20100076222A - 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20100076222A
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박승룡
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주식회사 동부하이텍
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Abstract

본 발명은 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 기술에 관한 것으로, 씨모스 이미지 센서에서 위치에 따라 다르게 빛이 입사되는 것을 보상하기 위해 마이크로 렌즈의 쉬프트를 설계하는 것으로서, 마이크로 렌즈의 기하학적 구조를 이용하여 마이크로 렌즈의 쉬프트 값을 구하거나, 불연속적으로 간격이 변하는 테스트 렌즈 셋을 직접 카메라에 장착하여 마이크로 렌즈의 쉬프트 값을 구하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 1실시예를 통해 CIS의 마이크로 렌즈 쉬프트를 렌즈의 기하학적 구조를 이용하여 손쉽게 계산할 수 있고, 2실시예를 이용한 한번의 테스트를 통해 손쉽게 계산할 수 있으며, 이는 실제 디바이스 상에서 얻어질 수 있는 값이므로 일반적인 계산이나 시뮬레이션에서 오는 오차의 한계를 벋어날 수 있다.
씨모스 이미지센서(CMOS Image Sensor), 마이크로 렌즈 어레이, 마이크로 렌즈 쉬프트

Description

이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR SHIFTING OF MICRO LENS IN AN IMAGE SENSOR}
본 발명은 이미지 센서의 제조 기술에 관한 것으로서, 특히 씨모스 이미지 센서에서 위치에 따라 다르게 빛이 입사하는 것을 보상하기 위한 마이크로 렌즈의 쉬프트를 설계하는데 적합한 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하 결합 소자(CCD: charge coupled device)와 씨모스(CMOS: Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)로 구분된다.
이미지 센서는 화상 정보를 포함한 광학 정보를 전기적 신호로 변환하는 장치를 말하며, 이러한 이미지 센서 중에 씨모스 이미지 센서(CMOS Image Sensor, 이하 CIS라 한다)는 씨모스 기술을 이용하여 광학적인 이미지를 전기적인 신호로 변 환시키는 반도체 소자로서, 각 화소(pixel)마다 필요한 개수의 트랜지스터를 제작하고 이를 이용하여 신호를 검출하는 스위칭 방식을 사용하고 있다.
이러한 CIS는 카메라와 같은 영상 촬영 장치에 장착되어 카메라 렌즈를 통해 입사되는 빛을 토대로 영상 이미지를 추출하게 된다.
이하 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 종래 기술에 따라 카메라에 장착된 CIS에 입사되는 빔을 도시한 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 카메라에 장착된 CIS(102)는 카메라 렌즈(100)의 설계에 따라 중심과 가장자리 빔의 입사각도가 차이가 나게 된다. 따라서 CIS의 감도 역시 그 위치에 따라서 달라지는 문제가 발생한다. 이를 해결하기 위한 방법으로는 마이크로 렌즈 어레이(micro lens array, 이하 MLA라 한다)를 위치에 따라 다르게 설계하는 방법이 사용된다. 다만, 이러한 설계를 위해서는 마이크로 렌즈에 경사 입광하는 빛의 광 경로를 정확히 알아야 하지만, 아직까지는 이를 손쉽게 예측하는 것은 어려운 일이다.
상기한 바와 같이 동작하는 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서 제조 공정에 있어서는, CIS의 마이크로 렌즈 쉬프트를 손쉽게 예측할 수 없었으므로, 여러번에 걸친 테스트 및 시뮬레이션을 토대로 평균값을 산출하거나, 가장 많이 산출되는 값의 근사값을 CIS의 마이크로 렌즈 쉬프트 값을 산출하였으나, 이 또한 실제 디바이스에서 얻어지는 값이 아니므로 어느 정도의 오차가 발생할 수 있다는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은, 씨모스 이미지 센서에서 위치에 따라 다르게 빛이 입사되는 것을 보상하기 위해 마이크로 렌즈의 쉬프트를 설계할 수 있는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치 및 방법을 제공한다.
또한 본 발명은, 씨모스 이미지 센서에서 위치에 따라 다르게 빛이 입사되는 것을 보상하기 위해 마이크로 렌즈의 기하학적 구조를 이용하여 마이크로 렌즈의 쉬프트 값을 구할 수 있는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치 및 방법을 제공한다.
또한 본 발명은, 씨모스 이미지 센서에서 위치에 따라 다르게 빛이 입사되는 것을 보상하기 위해 불연속적으로 간격이 변하는 테스트 렌즈 셋을 이용하여 마이크로 렌즈의 쉬프트 값을 구할 수 있는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예 장치는, 마이크로 렌즈의 높이와 폭 정보를 토대로 상기 마이크로 렌즈의 구면을 산출하고, 상기 마이크로 렌즈 구면의 중심에서 씨모스 이미지 센서의 하부 입사면까지의 거리를 구하는 구조 계산부와, 상기 구조 계산부로부터 산출된 값을 토대로 상기 씨모스 이미지 센서에 입사하는 빔의 각도를 계산 하는 빔 각도 산출부와, 상기 계산된 빔의 각도를 토대로 마이크로 렌즈의 쉬프트된 위치를 구하는 쉬프트 위치 판별부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예 방법은, 마이크로 렌즈의 높이와 폭 정보를 토대로 상기 마이크로 렌즈의 곡률반경을 측정하는 단계; 상기 마이크로 렌즈 구면의 중심에서 씨모스 이미지 센서의 하부 입사면까지의 거리를 구하는 단계; 각 단계별 구해진 값을 토대로 상기 씨모스 이미지 센서에 입사하는 빔의 각도를 계산하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예 방법은, 영상 촬영 장치에 마이크로 렌즈의 위치별로 쉬프트 값이 불연속적인 테스트 렌즈 셋을 장착하는 단계; 기 설정된 마이크로 렌즈의 위치별 쉬프트 값과, 상기 테스트 렌즈 셋의 어느 한 위치에 해당하는 쉬프트 값이 일치하는 경우, 이를 해당 위치의 쉬프트 값으로 설정하는 단계를 포함한다.
본 발명에 있어서, 개시되는 발명 중 대표적인 것에 의하여 얻어지는 효과를 간단히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은, 1실시예를 통해 CIS의 마이크로 렌즈 쉬프트를 렌즈의 기하학적 구조를 이용하여 손쉽게 계산할 수 있고, 2실시예를 이용한 한번의 테스트를 통해 손쉽게 계산할 수 있으며, 이는 실제 디바이스 상에서 얻어질 수 있는 값이므로 일반적인 계산이나 시뮬레이션에서 오는 오차의 한계를 벋어날 수 있다.
또한, 하나의 테스트 렌즈 셋으로 동일 픽셀의 여러 디바이스에 적용이 가능 하며, 동일 디바이스에서 BEOL(Back-end-of-line) 높이 변화와 같은 설계 변화가 있더라도 유연하게 대처할 수 있는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 동작 원리를 상세히 설명한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 발명은 씨모스 이미지 센서에서 위치에 따라 다르게 빛이 입사되는 것을 보상하기 위해 마이크로 렌즈의 쉬프트를 설계하는 것으로서, 마이크로 렌즈의 기하학적 구조를 이용하여 마이크로 렌즈의 쉬프트 값을 구하거나, 불연속적으로 간격이 변하는 테스트 렌즈 셋을 직접 카메라에 장착하여 마이크로 렌즈의 쉬프트 값을 구하는 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 CIS에서 위치에 따라 입사하는 빔의 각도가 다름으로 인해 생기는 감도의 차이를 줄이기 위해 마이크로 렌즈의 위치를 변경하는 방식을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, CIS는 포토다이오드(200), BEOL(202), 평면층(204), 컬러필터 어레이(206), 마이크로 렌즈(208)를 포함한다. 이때, 마이크로 렌즈(208)의 쉬프트 값은 마이크로 렌즈에 입사하는 각도뿐만 아니라 마이크로 렌즈(208)의 형태, 하부구조 등이 복합적으로 고려되어야 한다. 픽셀의 크기가 작아지면서 마이크로 렌즈(208)를 통과한 후 빛의 진행은 일반적인 광선 추적법(Ray tracing)으로는 설명하기 어렵다. 때문에 다양한 방법으로 이를 계산, 설계하기 위한 방법들이 도입되고 있지만 최종적으로는 실제 디바이스에 실어서 확인하는 과정이 필요하다.
하지만 이러한 과정을 거치기에는 너무 많은 시간과 비용이 필요하기 때문에 제품을 개발하는 입장에서는 필요하지만, 시행하기에는 어려운 것이 사실이다.
이에 본 발명의 실시예에서는 이러한 시행착오를 줄이기 위한 방법을 제시한다.
먼저, 마이크로 렌즈에 빛이 꺾여서 입사되는 빛의 꺾임에 대해서는 정확한 수직 입사면을 알면 계산할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 마이크로 렌즈 면에 입사하는 빔을 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 빛이 경사 입광할 경우, 마이크로 렌즈(300) 면에 수직하게 입사하는 빔(실선)은 광경로의 꺾임 없이 진행 할 것이고 이와 더불어 그 주변의 빛들은 대략적으로 중심경로(실선)의 한 부분에 모일 것이다.
그러므로 마이크로 렌즈(300)의 기하학적 구조를 알고 있으며, 광경로를 예측하는 것이 가능하다.
도 4는 본 발명의 제 1실시예에 따른 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치의 구조를 도시한 블록도이며, 도 5 본 발명의 제 1실시예에 따라 마이크로 렌즈의 구조 계산을 통한 광경로의 예측 방식을 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치(400)는 마이크로 렌즈의 구조 계산부(402), 빔각도 산출부(408), 쉬프트 위치 판별부(410) 등을 포함하며, 구조 계산부(402)는 곡률반경 측정부(404)와 하부 입사면 거리 산출부(406)를 포함한다.
이에 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치(400)에 대해 도 5를 참조하여 구체적으로 설명하면, 구조 계산부(402)는 마이크로 렌즈의 구조를 계산하기 위한 것으로서, 곡률반경 측정부(404)에서는 도 5에서와 같이 마이크로 렌즈 면에 빛이 수직 입사하는 경우, 마이크로 렌즈의 높이(h)(400)와 폭(w)(402)을 알면 마이크로 렌즈의 곡률반경(R)(404)을 구할 수 있다.
즉, 마이크로 렌즈의 높이(h)(400)와 폭(w)(402)에 대해, 기 설정된 수치를 토대로 마이크로 렌즈의 곡률반경(R)(404)을 측정할 수 있다.
그리고 하부 입사면 거리 산출부(406)에서는 마이크로 렌즈의 구면 중심에서 하부 입사면 까지의 거리를 산출하는 것으로서, 마이크로 렌즈 면에 수직하게 입사하는 빛은 렌즈 구면의 중심을 지나게 되므로 중심으로부터 바닥 즉, 씨모스 이미지 센서의 하부 입사면까지의 거리(D)(406)를 산출하게 된다.
이때, 마이크로 렌즈의 높이(h)(400)는 기 설정되어 있으며, BEOL 높이(T)(508) 또한, 씨모스 이미지 센서의 제조 공정을 통해 일정한 두께로 형성되므 로, 이를 통해 BEOL 높이(T)(508)를 알 수 있으므로, 마이크로 렌즈의 높이(h)(400) + BEOL 높이(T)(508)에서 마이크로 렌즈의 반지름 R(504)을 빼면, 마이크로 렌즈의 구면 중심에서 하부 입사면 까지의 거리를 산출할 수 있다.
이와 같이 구조 계산부(402)에서 계산된 곡률 반경 및 마이크로 렌즈의 구면 중심에서 하부 입사면까지의 거리 값은 빔 각도 산출부(408)로 전달되어, 빔 각도 산출부(408)에서는 구조 계산부(402)로부터 전달된 값을 토대로 씨모스 이미지 센서에의 하부 입사면에 입사하는 빔의 각도를 산출할 수 있다.
또한, 쉬프트 위치 판별부(410)에서는 빔 각도 산출부(408)로부터 구조 계산부(402)로부터 전달된 값과 산출된 하부 입사면에 입사하는 빔의 각도(
Figure 112008089137875-PAT00001
)값을 토대로 쉬프트된 위치(s)(408)를 구할 수 있다. 이는 도 5에서와 같이 이므로 쉬프트되는 거리로서(즉, 쉬프트된 위치(s)(408))는 하기 <수학식 1>과 같이 나타낼 수 있다.
Figure 112008089137875-PAT00002
또한, BEOL에 여러 층이 존재하는 경우 가장 윗면으로부터 굴절법칙에 의해 각 층에서의 쉬프트양을 구할 수도 있다.
도 6은 광선 추적법과 EMW 시뮬레이션을 이용하여 얻은 결과와 본 발명의 제1실시예에서 제시한 계산 값을 비교한 그래프로서, 15도 틸트(tilt) 빔에 대해 약 40nm이하의 정확도로 일치함을 볼 수 있다.
도 7은 본 발명의 제 2실시예에 따른 마이크로 렌즈 쉬프트를 설계하기 위한 테스트 렌즈 셋을 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 이상적으로 쉬프트 된 마이크로 렌즈 셋(a)의 경우 마이크로 렌즈의 위치에 따라서 렌즈의 쉬프트 량이 연속적으로 변화한다. 즉, 마이크로 렌즈마다 최적의 위치가 하나씩 존재함을 의미한다. 이러한 위치를 찾기 위해 마이크로 렌즈 셋(b)과 같은 구조를 제시한다.
이러한 마이크로 렌즈 셋(b)은 렌즈의 쉬프트 량이 연속적으로 변화하는 것이 아니고 불연속적으로 변화한다. 즉, 기 설정된 개수의 마이크로 렌즈 별로 그룹화(700a, 700b, 700c, 700d)한 후, 그룹화된 마이크로 렌즈 별로 동일한 쉬프트 값을 부여하는 것이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 마이크로 렌즈 셋의 위치별 쉬프트 값을 도시한 그래프이다.
도 8을 참조하면, 마이크로 렌즈 셋의 위치별 쉬프트값의 그래프는 기 설정된 개수로 이루어진 마이크로 렌즈 그룹별로 마이크로 렌즈의 쉬프트값이 동일하게 부여되며, 각 그룹별로 부여된 쉬프트값은 불연속적인 값을 가지므로 도 8의 도시된 바와 같이 불연속한 계단식 그래프(802)를 나타내게 된다. 한편, 도 8에는 마이크로 렌즈가 위치에 따라 이상적으로 쉬프트 되었을 때의 그래프(800)도 같이 도시되어 있는바, 이상적인 경우에는 마이크로 렌즈의 위치값이 증가할수록 쉬프트값도 비례하여 연속적으로 증가되는 형태를 보인다.
양 그래프의 비교에서 명확하게 알 수 있듯이, 만일 동일한 쉬프트 값이 부 여된 그룹 내 마이크로 렌즈의 개수가 적절하게 설정되면, 그룹 내 어느 하나의 마이크로 렌즈의 쉬프트값은 그 위치에서의 이상적인 쉬프트값과 정확하게 일치하게 된다. 따라서 이러한 일치점들로부터 마이크로 렌즈 위치에 따른 쉬프트값의 함수관계를 도출할 수 있게 된다.
따라서 이러한 마이크로 렌즈 테스트 셋을 실제 씨모스 이미지 센서 소자에 장착하여 테스트 하는 경우, 각 그룹 내에서 이상적인 쉬프트를 나타내는 마이크로 렌즈를 검출해 냄으로써 한번의 테스트를 통해 마이크로 렌즈 위치에 따른 이상적인 쉬프트값을 도출할 수 있는 함수의 유도가 가능해 질 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 씨모스 이미지 센서에서 위치에 따라 다르게 빛이 입사되는 것을 보상하기 위해 마이크로 렌즈의 쉬프트를 설계하는 것으로서, 씨모스 이미지 센서에서 위치에 따라 다르게 빛이 입사되는 것을 보상하기 위해 마이크로 렌즈의 쉬프트를 설계하는 것으로서, 마이크로 렌즈의 기하학적 구조를 이용하여 마이크로 렌즈의 쉬프트 값을 구하거나, 불연속적으로 간격이 변하는 테스트 렌즈 셋을 직접 카메라에 장착하여 마이크로 렌즈의 쉬프트 값을 구한다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되지 않으며, 후술되는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 종래 기술에 따라 카메라에 장착된 CIS에 입사되는 빔을 도시한 도면,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 CIS에서 위치에 따라 입사하는 빔의 각도가 다름으로 인해 생기는 감도의 차이를 줄이기 위해 마이크로 렌즈의 위치를 변경하는 방식을 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 마이크로 렌즈 면에 입사하는 빔을 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 제 1실시예에 따른 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치의 구조를 도시한 블록도,
도 5는 본 발명의 제 1실시예에 따라 마이크로 렌즈의 구조 계산을 통한 광경로의 예측 방식을 도시한 도면,
도 6은 광선 추적법과 EMW 시뮬레이션을 이용하여 얻은 결과와 본 발명의 제1실시예에서 제시한 계산 값을 비교한 그래프,
도 7은 본 발명의 제 2실시예에 따른 마이크로 렌즈 쉬프트를 설계하기 위한 테스트 렌즈 셋을 도시한 도면,
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 마이크로 렌즈의 위치별 쉬프트 값을 도시한 그래프.

Claims (9)

  1. 마이크로 렌즈의 높이와 폭 정보를 토대로 상기 마이크로 렌즈의 구면을 산출하고, 상기 마이크로 렌즈 구면의 중심에서 씨모스 이미지 센서의 하부 입사면까지의 거리를 구하는 구조 계산부와,
    상기 구조 계산부로부터 산출된 값을 토대로 상기 씨모스 이미지 센서에 입사하는 빔의 각도를 계산하는 빔 각도 산출부와,
    상기 계산된 빔의 각도를 토대로 마이크로 렌즈의 쉬프트된 위치를 구하는 쉬프트 위치 판별부
    를 포함하는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 구조 계산부는,
    상기 마이크로 렌즈의 높이와 폭 정보를 토대로 상기 마이크로 렌즈의 곡률반경을 측정하는 곡률반경 측정부와,
    상기 이미지 센서의 BEOL 높이와 상기 마이크로 렌즈의 높이를 합한 후, 상기 마이크로 렌즈 구면의 반지름 길이를 뺀 값을 통하여 상기 마이크로 렌즈 구면의 중심에서 씨모스 이미지 센서의 하부 입사면까지의 거리를 구하는 하부 입사면 거리 산출부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 쉬프트 위치 판별부는,
    상기 씨모스 이미지 센서에 입사하는 빔의 각도에 대한 탄젠트(tan) 값을 산출하고,
    상기 산출된 빔의 각도에 대한 탄젠트 값에 상기 마이크로 렌즈 구면의 중심에서 씨모스 이미지 센서의 하부 입사면까지의 거리를 곱하여 상기 마이크로 렌즈의 쉬프트된 값을 산출하
    는 것을 특징으로 하는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 장치.
  4. 마이크로 렌즈의 높이와 폭 정보를 토대로 상기 마이크로 렌즈의 곡률반경을 측정하는 단계;
    상기 마이크로 렌즈 구면의 중심에서 씨모스 이미지 센서의 하부 입사면까지의 거리를 구하는 단계;
    각 단계별 구해진 값을 토대로 상기 씨모스 이미지 센서에 입사하는 빔의 각도를 계산하는 단계
    를 포함하는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 위치 변경 방법은,
    상기 계산된 빔의 각도를 토대로 마이크로 렌즈의 쉬프트된 위치를 구하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈의 쉬프트된 위치를 구하는 단계는,
     상기 씨모스 이미지 센서에 입사하는 빔의 각도에 대한 탄젠트(tan) 값을 산출하는 단계;
    상기 산출된 빔의 각도에 대한 탄젠트 값에 상기 마이크로 렌즈 구면의 중심에서 씨모스 이미지 센서의 하부 입사면까지의 거리를 곱하여 상기 마이크로 렌즈의 쉬프트된 값을 산출하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 방법.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈 구면의 중심에서 씨모스 이미지 센서의 하부 입사면까지의 거리는,
    상기 씨모스 이미지 센서의 BEOL 높이와 상기 마이크로 렌즈의 높이에서 상기 곡률반경을 뺀 값인 것을 특징으로 하는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 방법.
  8. 영상 촬영 장치에 마이크로 렌즈의 위치별로 쉬프트 값이 불연속적인 테스트 렌즈 셋을 장착하는 단계;
    기 설정된 마이크로 렌즈의 위치별 쉬프트 값과, 상기 테스트 렌즈 셋의 어느 한 위치에 해당하는 쉬프트 값이 일치하는 경우, 이를 해당 위치의 쉬프트 값으로 설정하는 단계
    를 포함하는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 쉬프트 값이 불연속적인 테스트 렌즈 셋은,
    기설정된 개수의 마이크로 렌즈 별로 같은 쉬프트 값이 설정된 렌즈 셋인 것을 특징으로 하는 이미지 센서에서 마이크로 렌즈의 위치 변경 방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104183612A (zh) * 2014-08-01 2014-12-03 上海集成电路研发中心有限公司 一种光路倾斜的cmos图像传感器的像素阵列
WO2015160208A1 (ko) * 2014-04-18 2015-10-22 삼성전자주식회사 Iid에서 디스플레이 오차를 보정하는 장치 및 방법
US10142616B2 (en) 2014-04-18 2018-11-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Device and method that compensate for displayed margin of error in IID
US10593719B2 (en) 2017-04-17 2020-03-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensors including a light-impeding pattern

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015160208A1 (ko) * 2014-04-18 2015-10-22 삼성전자주식회사 Iid에서 디스플레이 오차를 보정하는 장치 및 방법
US10142616B2 (en) 2014-04-18 2018-11-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Device and method that compensate for displayed margin of error in IID
CN104183612A (zh) * 2014-08-01 2014-12-03 上海集成电路研发中心有限公司 一种光路倾斜的cmos图像传感器的像素阵列
CN104183612B (zh) * 2014-08-01 2018-05-01 上海集成电路研发中心有限公司 一种光路倾斜的cmos图像传感器的像素阵列
US10593719B2 (en) 2017-04-17 2020-03-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensors including a light-impeding pattern
US10672816B2 (en) 2017-04-17 2020-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensors including a light-impeding pattern
US10892289B2 (en) 2017-04-17 2021-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensors including a light-impeding pattern
US11056523B2 (en) 2017-04-17 2021-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensors including a light-impeding pattern

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