KR20100072657A - Organic electroluminescent display device and method of driving the same - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 101100068676 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) gln-1 gene Proteins 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 101100392772 Caenorhabditis elegans gln-2 gene Proteins 0.000 description 7
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 101150073246 AGL1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100096931 Arabidopsis thaliana SEP1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100378577 Hypocrea jecorina agl2 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 101000885321 Homo sapiens Serine/threonine-protein kinase DCLK1 Proteins 0.000 description 1
- 102100039758 Serine/threonine-protein kinase DCLK1 Human genes 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/7404—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action structurally associated with at least one other device
- H01L29/742—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action structurally associated with at least one other device the device being a field effect transistor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/118—Masterslice integrated circuits
- H01L27/11803—Masterslice integrated circuits using field effect technology
- H01L27/11807—CMOS gate arrays
- H01L2027/11868—Macro-architecture
- H01L2027/11874—Layout specification, i.e. inner core region
- H01L2027/11879—Data lines (buses)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
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Abstract
Description
본발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 유기전계발광소자 및 그 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device and a driving method thereof.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD : liquid crystal display), 플라즈마표시장치(PDP : plasma display panel), 유기전계발광소자 (OLED : organic light emitting diode)와 같은 여러가지 평판표시장치(flat display device)가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Recently, liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), organic fields Various flat display devices such as organic light emitting diodes (OLEDs) are being utilized.
이들 평판표시장치 중에서, 유기전계발광소자는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성을 갖고 있다.Among these flat panel display devices, the organic light emitting display device can be driven at low voltage, has a thin shape, is excellent in viewing angle, and has a fast response speed.
유기전계발광소자로서, 다수의 화소가 매트릭스 형태로 위치하여 영상을 표시하는 액티브매트릭스타입 유기전계발광소자가 널리 사용된다. As the organic light emitting display device, an active matrix type organic light emitting display device in which a plurality of pixels are positioned in a matrix form and displays an image is widely used.
도 1은 일반적인 유기전계발광소자의 화소에 대한 등가회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a general organic light emitting display device.
도시한 바와 같이, 유기전계발광소자에는, 서로 교차하여 화소(P)를 정의하는 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DL)이 구성되어 있다.As shown in the figure, the organic light emitting diode has a gate wiring GL and a data wiring DL which cross each other to define the pixel P. As shown in FIG.
각 화소(P)에는, 스위칭트랜지스터(T1)와 구동트랜지스터(T2)와 유기전계발광다이오드(OLED)가 구성되어 있다. 스위칭트랜지스터(T1)의 게이트전극 및 소스전극은 각각, 게이트배선 및 데이터배선(GL, DL)과 연결되어 있다. Each pixel P includes a switching transistor T1, a driving transistor T2, and an organic light emitting diode OLED. The gate electrode and the source electrode of the switching transistor T1 are connected to the gate wiring and the data wiring GL and DL, respectively.
구동트랜지스터(T2)의 게이트전극은 스위칭트랜지스터(T1)의 드레인전극에 연결되어 있다. 그리고, 구동트랜지스터(T2)의 소스전극은 전원전압배선(VDDL)에 연결되어 있고, 드레인전극은 유기전계발광다이오드(OLED)의 제 1 전극, 즉 애노드(anode)에 연결되어 있다. The gate electrode of the driving transistor T2 is connected to the drain electrode of the switching transistor T1. The source electrode of the driving transistor T2 is connected to the power supply voltage line VDDL, and the drain electrode is connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED, that is, an anode.
유기전계발광다이오드(OLED)의 제 2 전극, 즉 캐소드(cathode)는 접지단(GND)에 연결되어 있다.The second electrode of the organic light emitting diode OLED, that is, the cathode, is connected to the ground terminal GND.
한편, 스토리지커패시터(C)는, 구동트랜지스터(T2)의 게이트전극과 소스전극 사이에 위치한다. On the other hand, the storage capacitor C is located between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor T2.
스위칭트랜지스터 및 구동트랜지스터(T1, T2)로서, P 타입의 트랜지스터가 사용될 수 있다.As the switching transistors and the driving transistors T1 and T2, a P type transistor can be used.
위와 같은 구성을 갖는 유기전계발광소자에 있어서, 게이트배선(GL)을 통해 부극성의 게이트전압이 스캔(scan)되어 인가되면, 스위칭트랜지스터(T1)는 턴온(turn-on)된다. 이에 따라, 데이터전압(Vdata)은 스위칭트랜지스터(T1)를 통과하 여, 구동트랜지스터(T2)의 게이트전극에 인가된다. 이에 따라, 전류(IOLED)가 구동트랜지스터(T2)를 통과해 유기전계발광다이오드(OLED)에 공급된다. 이로 인해, 유기전계발광다이오드(OLED)는 빛을 발광하여, 영상을 표시하게 된다.In the organic light emitting diode having the above configuration, when the negative gate voltage is scanned and applied through the gate wiring GL, the switching transistor T1 is turned on. Accordingly, the data voltage Vdata passes through the switching transistor T1 and is applied to the gate electrode of the driving transistor T2. Accordingly, the current I OLED is supplied to the organic light emitting diode OLED through the driving transistor T2. As a result, the organic light emitting diode OLED emits light to display an image.
한편, 스토리지커패시터(C)는, 구동트랜지스터(T2)에 인가된 데이터전압(Vdata)을 다음프레임의 스캔 시까지 저장하는 역할을 하게 된다.Meanwhile, the storage capacitor C stores the data voltage Vdata applied to the driving transistor T2 until the next frame is scanned.
유기전계발광다이오드(OLED)에 공급되는 전류(IOLED)는, 구동트랜지스터(T2)의 게이트전극에 인가되는 데이터전압(Vdata)에 의해 조절된다. The current I OLED supplied to the organic light emitting diode OLED is controlled by the data voltage Vdata applied to the gate electrode of the driving transistor T2.
예를 들면, 유기전계발광다이오드(OLED)에 공급되는 전류(IOLED)는 다음과 같은 수식1을 통해 구해진다.For example, the current I OLED supplied to the organic light emitting diode OLED is obtained through
(수식1) (Formula 1)
여기서, Vgs는 구동트랜지스터(T2)의 게이트전극과 소스전극 사이의 전압차이고, Vth는 구동트랜지스터(T2)의 문턱전압(threshold voltage)이고, k는 상수값이다.Here, Vgs is a voltage difference between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor T2, Vth is a threshold voltage of the driving transistor T2, and k is a constant value.
그런데, 유기전계발광소자에서는, 제조공정의 특성상 다수의 화소들 사이에서 구동트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)에 대한 편차가 발생하게 된다. 이로 인해, 유기전계발광다이오드(OLED)에 공급되는 전류가 원하는 값과 다른 값을 갖게 되고, 이에 따라 발광되는 빛의 휘도가 원하는 값과 달라지는 문제점이 발생하게 된다. However, in the organic light emitting display device, a deviation of the threshold voltage Vth of the driving transistor T2 occurs between a plurality of pixels due to the characteristics of the manufacturing process. As a result, the current supplied to the organic light emitting diode OLED has a different value from the desired value, thereby causing a problem that the luminance of the emitted light is different from the desired value.
이와 같은 문제점을 개선하기 위해, 구동트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)을 보상하는 전압보상방식의 유기전계발광소자가 제안되었다. 전압보상방식의 유기전계발광소자에서는, 구동트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)을 샘플링하여, 이를 구동트랜지스터(T2)의 게이트전극에 반영하게 된다. 이에 따라, 유기전계발광다이오드(OLED)에 공급되는 전류(IOLED)는, 예를 들면, 다음과 같은 수식2를 통해 구해질 수 있다.In order to solve such a problem, an organic light emitting diode having a voltage compensation method for compensating the threshold voltage Vth of the driving transistor T2 has been proposed. In the voltage compensating organic light emitting diode, the threshold voltage Vth of the driving transistor T2 is sampled and reflected on the gate electrode of the driving transistor T2. Accordingly, the current I OLED supplied to the organic light emitting diode OLED may be obtained through, for example,
(수식2) (Formula 2)
이처럼, 유기전계발광다이오드(OLED)에 공급되는 전류(IOLED)는, 앞선 수식(1)과는 달리, 구동트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)에 의존하지 않게 된다. 이에 따라, 구동트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)에 대한 보상이 이루어지게 된다.As such, the current I OLED supplied to the organic light emitting diode OLED does not depend on the threshold voltage Vth of the driving transistor T2, unlike the above formula (1). Accordingly, compensation for the threshold voltage Vth of the driving transistor T2 is performed.
그런데, 비록 위와 같이 구동트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)을 보상하더라도, 유기전계발광다이오드(OLED)에 열화가 발생하여 유기전계발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)이 쉬프트(shift)되는 경우에는, 이를 보정할 수 없게 된다. 이에 따라, 원하는 휘도를 갖는 빛을 발광시키기 위한 데이터전압(Vdata)을 인가하더라도, 원하는 휘도보다 낮은 휘도의 빛이 발광하게 된다. 더욱이, 열화가 발생된 유기전계발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)을 보정할 수 없게 됨으로써, 시간이 경과함에 따라 비복원 잔상이 발생할 수 있고, 또한 유기전계발광다이오드(OLED)는 그 수명에 한계를 갖게 된다. However, although the threshold voltage Vth of the driving transistor T2 is compensated for as described above, the organic light emitting diode OLED is deteriorated and the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode OLED is shifted. In this case, this cannot be corrected. Accordingly, even when a data voltage Vdata for emitting light having a desired brightness is applied, light having a brightness lower than the desired brightness is emitted. Furthermore, since the threshold voltage Vtho of the deteriorated organic light emitting diode OLED cannot be corrected, non-restored afterimage may occur over time, and the organic light emitting diode OLED may have a lifetime. Will have a limit.
한편, 수식(2)를 보면, 유기전계발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류(IOLED)는, 전원전압(Vdd)에 의존하게 된다. 그런데, 유기전계발광소자의 면적이 증가하고 높은 휘도를 구현하고자 하는 경우에, 전원전압(Vdd)원으로부터 멀리 떨어진 화소들에 대해서는 전원전압(Vdd)의 전압강하가 발생할 수 있게 된다. 이로 인해, 화소들 사이에서 휘도의 차이가 발생하게 된다. On the other hand, in Equation (2), the current I OLED flowing through the organic light emitting diode OLED depends on the power supply voltage Vdd. However, when the area of the organic light emitting diode is increased and a high luminance is to be realized, a voltage drop of the power supply voltage Vdd may occur for pixels far from the power supply voltage Vdd source. As a result, a difference in luminance occurs between the pixels.
전술한 바와 같이, 종래에는, 유기전계발광다이오드의 문턱전압의 보정 및 전원전압에 대한 보상 등이 이루어지지 않게 됨에 따라, 유기전계발광소자는 원하는 휘도의 빛을 발광할 수 없게 된다. 이에 따라, 화질이 저하되는 문제가 발생하게 된다.As described above, conventionally, since the correction of the threshold voltage and compensation for the power supply voltage of the organic light emitting diode are not performed, the organic light emitting diode cannot emit light having a desired luminance. As a result, a problem of deterioration of image quality occurs.
본발명은, 화질을 개선할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 구동방법을 제공하는 데 과제가 있다.The present invention has a problem to provide an organic electroluminescent device and a driving method thereof capable of improving image quality.
전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본발명은, 데이터배선과; 상기 데이터배선과 교차하며 순차적으로 배치된 제 n-2, n-1, n 번째 게이트배선과; 상기 제 n 번째 게이트배선 및 데이터배선과 연결되는 스위칭트랜지스터와; 유기전계발광다이오드에 전류를 공급하고, 소스전극에서 전원전압배선과 연결된 구동트랜지스터와; 상기 스위칭트랜지스터의 드레인전극과 상기 구동트랜지스터의 게이트전극 사이에 접속된 제 1 커패시터와; 상기 스위칭트랜지스터와 상기 제 1 커패시터가 접속하는 제 1 노드와, 상기 유기전계발광다이오드 사이에 접속되어, 상기 제 1 노드에 상기 유기전계발광다이오드의 문턱전압을 샘플링하는 제 1 샘플링트랜지스터와; 상기 구동트랜지스터와 상기 제 1 커패시터가 접속하는 제 2 노드와, 상기 구동트랜지스터의 드레인전극 사이에 접속되어, 상기 제 2 노드에 전원전압과 상기 구동트랜지스터의 문턱전압을 샘플링하는 제 2 샘플링트랜지스터와; 제 n 번째 발광제어배선과 연결되고, 상기 유기전계발광다이오드와 상기 구동트랜지스터의 드레인전극 사이에 접속되어, 상기 유기전계발광다이오드에 공급되는 전류를 제어하는 발광제어트랜지스터와; 상기 제 1 및 2 노드 중 어느 하나와 상기 전원전압배선 사이에 접속된 제 2 커패시터를 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.In order to achieve the above-described problems, the present invention, the data wiring; An n-th, n-th, and n-th gate wiring line which intersects the data wiring line and is sequentially arranged; A switching transistor connected to the nth gate line and a data line; A driving transistor supplying a current to the organic light emitting diode and connected to a power supply voltage line at a source electrode; A first capacitor connected between the drain electrode of the switching transistor and the gate electrode of the driving transistor; A first sampling transistor connected between the first node to which the switching transistor and the first capacitor are connected, and the organic light emitting diode to sample the threshold voltage of the organic light emitting diode at the first node; A second sampling transistor connected between a second node connected to the driving transistor and the first capacitor and a drain electrode of the driving transistor, the second sampling transistor sampling a power supply voltage and a threshold voltage of the driving transistor at the second node; A light emission control transistor connected to an nth light emission control line and connected between the organic light emitting diode and a drain electrode of the driving transistor to control a current supplied to the organic light emitting diode; An organic light emitting display device includes a second capacitor connected between any one of the first and second nodes and the power supply voltage line.
여기서, 상기 제 1 및 2 샘플링트랜지스터는 상기 제 n-1 번째 게이트배선에 연결될 수 있다.The first and second sampling transistors may be connected to the n−1 th gate wiring.
상기 제 2 커패시터의 타전극은 상기 제 1 노드와 연결되고, 상기 제 n-1 번째 게이트배선에 턴온전압이 인가되는 구간 중 초반 제 1 구간 동안 상기 제 n 번째 발광제어배선에 턴온전압이 인가되고, 상기 제 n-1 번째 게이트배선에 턴온전압이 인가되는 구간 중 후반 제 2 구간과, 상기 제 n 번째 게이트배선에 턴온전압이 인가되는 제 3 구간 동안 상기 제 n 번째 발광제어배선에 턴오프전압이 인가되며, 상기 제 3 구간 이후에 상기 제 n 번째 발광제어배선에 턴온전압이 인가될 수 있다.The other electrode of the second capacitor is connected to the first node, and a turn-on voltage is applied to the n-th light emitting control line during the first first section of the section where the turn-on voltage is applied to the n-th gate wiring. And a turn-off voltage to the n-th light emission control line during a second half of the section where the turn-on voltage is applied to the n-th gate wiring and a third section during which a turn-on voltage is applied to the n-th gate wiring. Is applied, and a turn-on voltage may be applied to the nth emission control wiring after the third period.
상기 제 n-2 번째 게이트배선과 연결되고 상기 제 1 노드에 초기화전압을 인 가하는 제 1 초기화트랜지스터와, 상기 제 n-2 번째 게이트배선과 연결되고 상기 제 2 노드에 상기 초기화전압을 인가하는 제 2 초기화트랜지스터를 더욱 포함할 수 있다.A first initialization transistor connected to the n-th-th gate line and applying an initialization voltage to the first node; 2 may further include an initialization transistor.
상기 제 2 커패시터의 타전극은 상기 제 2 노드와 연결되고, 상기 제 n-2 번째 게이트배선에 턴온전압이 인가되는 제 1 구간과, 상기 제 n-1 번째 게이트배선에 턴온전압이 인가되는 제 2 구간 동안 상기 제 n 번째 발광제어배선에 턴오프전압이 인가되며, 상기 제 2 구간 이후에 상기 제 n 번째 발광제어배선에 턴온전압이 인가될 수 있다.The other electrode of the second capacitor is connected to the second node, a first section in which a turn-on voltage is applied to the n-second gate wiring, and a turn-on voltage is applied to the n-th gate wiring. A turn-off voltage may be applied to the nth light emitting control wiring during the second section, and a turn-on voltage may be applied to the nth light emitting control wiring after the second section.
다른 측면에서, 본발명은, 제 n-2, n-1, n 번째 게이트배선 중 제 n 번째 게이트배선 및 데이터배선과 연결되는 스위칭트랜지스터와 제 1 커패시터가 접속하는 제 1 노드와, 전원전압배선과 연결되는 구동트랜지스터와 상기 제 1 커패시터가 접속하는 제 2 노드를 초기화하는 단계와; 상기 제 1 및 2 노드를 초기화하는 단계 이후에, 제 1 샘플링트랜지스터를 턴온시켜 상기 제 1 노드에 유기전계발광다이오드의 문턱전압을 샘플링하고, 제 2 샘플링트랜지스터를 턴온시켜 상기 제 2 노드에 전원전압과 상기 구동트랜지스터의 문턱전압을 샘플링하는 단계와; 상기 유기전계발광다이오드의 문턱전압과 상기 구동트랜지스터의 문턱전압을 샘플링하는 단계 이후에, 상기 제 1 노드에 데이터전압을 인가하여, 상기 구동트랜지스터를 통과하는 전류를 형성하는 단계와; 제 n 번째 발광제어배선과 연결된 발광제어트랜지스터를 턴온시켜 상기 구동트랜지스터를 통과하는 전류를 상기 유기전계발광다이오드에 공급하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자 구동방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a power supply circuit including: a first node connected to a first transistor and a switching transistor connected to an nth gate wiring and a data wiring among n-th, n-1, and n-th gate wirings; Initializing a driving transistor connected to the second node connected to the first capacitor; After initializing the first and second nodes, the first sampling transistor is turned on to sample the threshold voltage of the organic light emitting diode at the first node, and the second sampling transistor is turned on to supply power to the second node. Sampling a threshold voltage of the driving transistor; After sampling the threshold voltage of the organic light emitting diode and the threshold voltage of the driving transistor, applying a data voltage to the first node to form a current passing through the driving transistor; And turning on a light emitting control transistor connected to an nth light emitting control wiring to supply a current passing through the driving transistor to the organic light emitting diode.
여기서, 상기 제 1 및 2 샘플링트랜지스터는 상기 제 n-1 번째 게이트배선에 연결될 수 있다.The first and second sampling transistors may be connected to the n−1 th gate wiring.
상기 제 1 및 2 노드를 초기화하는 단계는, 상기 제 n-1 번째 게이트배선에 턴온전압이 인가되는 구간 중 초반 제 1 구간 동안 상기 제 n 번째 발광제어배선에 턴온전압을 인가하여, 상기 제 1 및 2 노드를 상기 유기전계발광다이오드에 전기적으로 연결하는 단계를 포함하고, 상기 유기전계발광다이오드의 문턱전압과 상기 구동트랜지스터의 문턱전압을 샘플링하는 단계는, 상기 제 n-1 번째 게이트배선에 턴온전압이 인가되는 구간 중 후반 제 2 구간 동안 상기 제 n 번째 발광제어배선에 턴오프전압을 인가하여, 상기 제 2 노드를 상기 유기전계발광다이오드에 전기적으로 연결하고 상기 제 2 노드를 상기 구동트랜지스터의 드레인전극에 전기적으로 연결하는 단계를 포함할 수 있다.The initializing of the first and second nodes may include applying a turn-on voltage to the n-th light emitting control line during the first first period of the section where the turn-on voltage is applied to the n-th gate wiring. And electrically connecting two nodes to the organic light emitting diode, and sampling the threshold voltage of the organic light emitting diode and the threshold voltage of the driving transistor comprises turning on the n-th gate wiring. A turn-off voltage is applied to the nth light emitting control wiring during the second half of the period in which the voltage is applied, thereby electrically connecting the second node to the organic light emitting diode and connecting the second node of the driving transistor. It may comprise the step of electrically connecting to the drain electrode.
상기 제 1 및 2 노드를 초기화하는 단계는, 상기 제 n-2 번째 게이트배선에 턴온전압이 인가되는 제 1 구간 동안, 상기 제 n-2 번째 게이트배선과 연결되는 제 1 및 2 초기화트랜지스터를 턴온시켜, 상기 제 1 및 2 초기화트랜지스터 각각을 통해 상기 제 1 및 2 노드에 초기화전압을 인가하는 단계를 포함하고, 상기 유기전계발광다이오드의 문턱전압과 상기 구동트랜지스터의 문턱전압을 샘플링하는 단계는, 상기 제 n-1 번째 게이트배선에 턴온전압이 인가되는 제 2 구간 동안 상기 제 n 번째 발광제어배선에 턴오프전압을 인가하여, 상기 제 1 노드를 상기 유기전계발광다이오드에 전기적으로 연결하고 상기 제 2 노드를 상기 구동트랜지스터의 드레인전극에 전기적으로 연결하는 단계를 포함할 수 있다.The initializing of the first and second nodes may include turning on first and second initialization transistors connected to the n-th-th gate line during a first period in which a turn-on voltage is applied to the n-th-th gate line. And applying an initialization voltage to the first and second nodes through the first and second initialization transistors, respectively, and sampling the threshold voltage of the organic light emitting diode and the threshold voltage of the driving transistor. A turn-off voltage is applied to the n-th light emission control line during the second period during which the turn-on voltage is applied to the n-th gate wiring, thereby electrically connecting the first node to the organic light emitting diode and And electrically connecting two nodes to the drain electrode of the driving transistor.
상기 전원전압배선과 연결된 제 2 커패시터를 사용하여 상기 데이터전압 성분을 저장하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.The method may further include storing the data voltage component using a second capacitor connected to the power supply voltage line.
본발명에 따른 유기전계발광소자는, 유기전계발광다이오드의 문턱전압이 구동트랜지스터의 게이트전극에 인가되는 전압에 반영됨으로써, 유기전계발광다이오드의 문턱전압의 쉬프트에 관계없이, 원하는 휘도를 갖는 빛이 발광되게 된다. 이처럼, 유기전계발광다이오드의 문턱전압의 쉬프트를 보정할 수 있게 되므로, 종래에서 시간이 경과함에 따라 비복원 잔상이 발생하는 문제를 개선할 수 있게 되며, 유기전계발광다이오드의 수명을 개선할 수 있게 된다.In the organic light emitting device according to the present invention, the threshold voltage of the organic light emitting diode is reflected in the voltage applied to the gate electrode of the driving transistor, so that light having a desired luminance is irrespective of the shift of the threshold voltage of the organic light emitting diode. It will emit light. As such, since the shift of the threshold voltage of the organic light emitting diode can be corrected, it is possible to improve the problem of non-restored afterimages occurring over time and to improve the life of the organic light emitting diode. do.
한편, 유기전계발광소자의 제조공정의 특성상 다수의 화소들 사이에서 유기전계발광다이오드의 문턱전압에 대한 편차가 발생하게 되더라도, 문턱전압의 편차를 보정하도록 전류가 생성되게 된다. 따라서, 문턱전압의 변화에 관계없이, 원하는 휘도를 갖는 빛이 발광될 수 있게 된다.On the other hand, even if a variation in the threshold voltage of the organic light emitting diode is generated among the plurality of pixels due to the characteristics of the manufacturing process of the organic light emitting diode, a current is generated to correct the variation of the threshold voltage. Therefore, regardless of the change in the threshold voltage, light having a desired luminance can be emitted.
또한, 전원전압과 구동트랜지스터의 문턱전압 또한 샘플링되어, 구동트랜지스터의 게이트전극에 인가되는 전압에 반영된다. 이에 따라, 전류는 전원전압과 구동트랜지스터의 문턱전압의 변화에 의존하지 않게 되므로, 전원전압과 구동트랜지스터의 문턱전압을 보상할 수 있게 된다.In addition, the power supply voltage and the threshold voltage of the driving transistor are also sampled and reflected in the voltage applied to the gate electrode of the driving transistor. Accordingly, since the current does not depend on the change of the power supply voltage and the threshold voltage of the driving transistor, it is possible to compensate for the power supply voltage and the threshold voltage of the driving transistor.
더욱이, 스위칭트랜지스터와 구동트랜지스터 사이에 접속되는 커패시터의 양단에는, 해당 화소가 선택되어 데이터전압이 인가되기 이전에, 별도의 초기화전압 이 인가되어 초기화가 진행된다. 이처럼, 초기화가 조기에 안정적으로 진행될 수 있게 됨에 따라, 화면느림이나 C/R(contrast ratio)의 감소를 효과적으로 억제할 수 있게 된다.Furthermore, before the corresponding pixel is selected and the data voltage is applied to both ends of the capacitor connected between the switching transistor and the driving transistor, a separate initialization voltage is applied and initialization is performed. As such, since the initialization can be stably performed at an early stage, it is possible to effectively suppress the slowdown of the screen and the reduction of the contrast ratio (C / R).
이하, 도면을 참조하여 본발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described embodiments of the present invention.
도 2는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 3은 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 화소에 대한 등가회로도이고, 도 4는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 게이트배선 및 데이터배선에 공급되는 전압에 대한 파형도이다. 2 is a view schematically showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. The waveform diagram of the voltage supplied to the gate wiring and the data wiring of the organic light emitting diode according to the embodiment.
도시한 바와 같이, 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자(100)는 표시부(200)와 구동부를 포함한다.As shown, the organic light emitting
표시부(100)에는, 제 1 방향, 예를 들면 로우(row) 방향으로 다수의 게이트배선(GL 내지 GLn)이 연장되어 있다. 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향, 예를 들면 컬럼(column) 방향으로 다수의 데이터배선(DL1 내지 DLm)이 연장되어 있다. 이와 같이 서로 교차하는 다수의 게이트배선(GL 내지 GLn)과 다수의 데이터배선(DL1 내지 DLm)은 매트릭스 형태로 배치된 다수의 화소(P)를 정의한다. 한편, 다수의 게이트배선에 대응하여 제 1 방향으로 연장된 다수의 발광제어배선(EL1 내지 ELn)이 배치된다. 그리고, 제 1 게이트배선(GL1)의 전전 로우라인 및 이전 로우라인에는 제 1 및 2 보조게이트배선(AGL1, AGL2)이 배치되어 있다. 이들 제 1 및 2 보조게이트배선(AGL1, AGL2)은, 제 1 게이트배선(GL1)에 연결된 화소(P)들에 대해, 전전 게이트배선 및 이전 게이트배선의 역할을 하게 된다.In the
도 4를 참조하면, 표시부(100)의 각 화소(P)에는, 다수의 트랜지스터, 예를 들면 제 1 내지 7 트랜지스터(T1 내지 T7)와, 제 1 및 2 커패시터(C1, C2)와, 유기전계발광다이오드(OLED)가 구성될 수 있다. 본발명의 실시예에서는, 제 1 내지 7 트랜지스터(T1 내지 T7)로서, P 타입의 트랜지스터가 사용되는 것을 예로 들어 설명한다. 한편, N 타입의 트랜지스터가 제 1 내지 7 트랜지스터(T1 내지 T7)로서 사용될 수 있음은 당업자에게 있어 자명한다. 더욱이, 제 1 내지 7 트랜지스터(T1 내지 T7) 중 일부에 대해서는 P 타입의 트랜지스터를 사용하고, 나머지에 대해서는 N 타입의 트랜지스터를 사용할 수 있음은 당업자에게 있어 자명하다.Referring to FIG. 4, each pixel P of the
구동부는, 인터페이스(310)와, 타이밍컨트롤러(320)와, 전원발생부(330)와, 게이트드라이버(340)와, 데이터드라이버(350)와, 감마전압발생부(360)를 포함할 수 있다. The driving unit may include an
인터페이스(310)는 비디오카드와 같은 외부시스템으로부터 데이터신호(RGB)와, 수직동기신호(Vsync)와 수평동기신호(Hsync)와 클럭신호(DCLK)와 데이터인에이블신호(DE) 등을 포함하는 제어신호(TCS)를 입력받아 이를 타이밍컨트롤러(320)에 전달하게 된다.The
타이밍컨트롤러(320)는 데이터드라이버(350)를 제어하는 제어신호(SCS)와, 인터페이스(310)로부터 공급받은 데이터신호(RGB)를 제어신호(SCS)에 따라 샘플링 하여, 이들 제어신호(SCS)와 데이터신호(RGB)를 데이터드라이버(350)에 공급한다. 또한, 타이밍컨트롤러(320)는 게이트드라이버(340)를 제어하는 제어신호(GCS)를 게이트드라이버(340)에 공급한다. The
감마전압발생부(360)는, 전원발생부(330)으로부터 발생되는 고전위공통전압과 저전위공통전압을 분압하여 데이터신호(RGB)의 각 계조레벨에 대응하는 감마전압(Vgamma)을 생성하여 데이터드라이버(350)에 공급한다.The
전원발생부(330)는, 구동부의 구성요소들에, 이들을 구동하기 위한 구동전압을 공급하게 된다. 또한, 전원전압(Vdd)와, 초기화전압(Vref)을 생성하게 된다.The
게이트드라이버(340)는, 타이밍컨트롤러(320)으로부터 공급되는 제어신호(GCS)에 응답하여, 제 1 및 2 보조게이트배선(AGL1, AGL2)와 다수의 게이트배선(GL1 내지 GLn)을 순차적으로 스캔한다. 각 스캔구간 동안에는, 게이트배선(GL1 내지 GLn)에 펄스형태의 턴온전압을 공급하게 된다. 한편, 다음 프레임의 스캔구간까지는 게이트배선(GL1 내지 GLn)에 턴오프전압이 지속적으로 공급된다.The
한편, 게이트드라이버(340)는, 다수의 발광제어배선(EL1 내지 ELn)을 순차적 스캔하여, 각 비발광구간 동안 각 발광제어배선(EL1 내지 ELn)에 펄스형태의 턴오프전압을 공급하게 된다. 한편, 각 발광구간 동안에는 각 발광제어배선(EL1 내지 ELn)에 턴온전압이 지속적으로 공급된다. On the other hand, the
여기서, 게이트드라이버(340)가 출력하는 턴온/턴오프 전압의 극성(또는 레벨)은, 이들 게이트배선 및 발광제어배선과 연결된 트랜지스터의 타입에 따라 결정 된다. Here, the polarity (or level) of the turn-on / turn-off voltage output by the
데이터드라이버(350)는, 타이밍컨트롤러(320)으로부터 공급되는 제어신호(SCS)에 응답하여, 데이터신호(RGB)를 다수의 데이터배선(DL1 내지 DLm)에 공급하게 된다. 즉, 감마전압(Vgamma)을 사용하여, 데이터신호(RGB) 값에 대응되는 데이터전압(Vdata)을 생성하고, 생성된 데이터전압(Vdata)을 데이터배선(DL1 내지 DLm)에 출력하게 된다.The
이하, 도 4를 참조하여, 표시부(100)에 위치하는 화소의 구조에 대해, 보다 상세히 살펴본다. 도 4에서는, 설명의 편의를 위해 하나의 화소와 데이터라인(DL)을 도시하였는데, 도 4의 데이터라인(DL)은 도 3의 제 1 내지 n번째 데이터라인(DL1 내지 DLn) 중 어느 하나에 해당된다. Hereinafter, the structure of the pixel on the
제 1 트랜지스터(T1)는 스위칭트랜지스터(T1)로서 기능할 수 있다. 제 n 번째 로우라인의 화소(P)에 구성된 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트전극은, 제 n 번째 게이트라인(GLn)에 연결될 수 있다. 그리고, 소스전극은, 데이터라인(DL)에 연결될 수 있다. 한편, 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인전극은 제 1 커패시터(C1)의 제 1 전극과 연결될 수 있다. 여기서, 제 1 트랜지스터(T1)와 제 1 커패시터(C1)의 접점을 제 1 노드(N1)라고 칭한다. The first transistor T1 may function as the switching transistor T1. The gate electrode of the first transistor T1 configured in the pixel P of the nth row line may be connected to the nth gate line GLn. The source electrode may be connected to the data line DL. The drain electrode of the first transistor T1 may be connected to the first electrode of the first capacitor C1. Here, the contact point of the first transistor T1 and the first capacitor C1 is referred to as a first node N1.
제 2 트랜지스터(T2)는 구동트랜지스터(T2)로서 기능할 수 있다. 제 2 트랜지스터(T2)의 소스전극은 전원전압배선(VDDL)과 연결될 수 있다. 그리고, 드레인전극은 제 4 트랜지스터(T3)의 드레인전극 및 제 5 트랜지스터(T5)의 소스전극과 연결될 수 있다. 한편, 게이트전극은 제 1 커패시터(C1)의 제 2 전극 및 제 2 커패시 터(C2)의 제 1 전극과 연결될 수 있다. 여기서, 제 2 트랜지스터(T2)와 제 1 커패시터(C1)의 접점을 제 2 노드(N2)라고 칭한다.The second transistor T2 may function as the driving transistor T2. The source electrode of the second transistor T2 may be connected to the power supply voltage line VDDL. The drain electrode may be connected to the drain electrode of the fourth transistor T3 and the source electrode of the fifth transistor T5. The gate electrode may be connected to the second electrode of the first capacitor C1 and the first electrode of the second capacitor C2. Here, the contact point of the second transistor T2 and the first capacitor C1 is referred to as a second node N2.
제 3 트랜지스터(T3)는 제 1 샘플링트랜지스터(T3)로서 기능할 수 있다. 제 3 트랜지스터(T3)의 게이트전극은, 이전 게이트배선(GLn-1), 즉 제 n-1 번째 게이트배선(GLn-1)에 연결될 수 있다. 그리고, 소스전극은, 제 1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 한편, 드레인전극은, 유기전계발광다이오드(OLED)의 제 1 전극, 예를 들면 애노드와 연결될 수 있다.The third transistor T3 may function as the first sampling transistor T3. The gate electrode of the third transistor T3 may be connected to the previous gate line GLn-1, that is, the n-th-th gate line GLn-1. The source electrode may be connected to the first node N1. Meanwhile, the drain electrode may be connected to a first electrode of the organic light emitting diode OLED, for example, an anode.
제 4 트랜지스터(T4)는 제 2 샘플링트랜지스터(T4)로서 기능할 수 있다. 제 4 트랜지스터(T4)의 게이트전극은, 이전 게이트배선(GLn-1), 즉 제 n-1 번째 게이트배선(GLn-1)에 연결될 수 있다. 그리고, 소스전극은, 제 2 노드(N2)에 연결될 수 있다. 한편, 드레인전극은, 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인전극과 연결될 수 있다. The fourth transistor T4 can function as the second sampling transistor T4. The gate electrode of the fourth transistor T4 may be connected to the previous gate line GLn-1, that is, the n-th-th gate line GLn-1. The source electrode may be connected to the second node N2. The drain electrode may be connected to the drain electrode of the second transistor T2.
제 5 트랜지스터(T5)는 발광제어트랜지스터(T5)로서 기능할 수 있다. 제 5 트랜지스터(T5)의 게이트전극은 제 n 번째 발광제어배선(ELn)에 연결될 수 있다. 그리고, 소스전극은 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인전극과 연결될 수 있다. 한편, 드레인전극은 유기전계발광다이오드(OLED)의 애노드(anode)에 연결될 수 있다. The fifth transistor T5 can function as the light emission control transistor T5. The gate electrode of the fifth transistor T5 may be connected to the nth emission control wiring ELn. The source electrode may be connected to the drain electrode of the second transistor T2. Meanwhile, the drain electrode may be connected to an anode of the organic light emitting diode OLED.
제 6 트랜지스터(T6)는 제 1 초기화트랜지스터(T6)로서 기능할 수 있다. 제 6 트랜지스터(T6)의 게이트전극은, 전전 게이트배선(GLn-2), 즉 제 n-2 번째 게이트배선(GLn-2)에 연결될 수 있다. 그리고, 소스전극은, 초기화배선(VREFL)에 연결될 수 있다. 한편, 드레인전극은, 제 1 노드(N1)에 연결될 수 있다.The sixth transistor T6 may function as the first initialization transistor T6. The gate electrode of the sixth transistor T6 may be connected to the pre-electrode gate line GLn-2, that is, the n-2nd gate line GLn-2. The source electrode may be connected to the initialization wiring VREFL. The drain electrode may be connected to the first node N1.
제 7 트랜지스터(T7)는 제 2 초기화트랜지스터(T7)로서 기능할 수 있다. 제 7 트랜지스터(T7)의 게이트전극은, 전전 게이트배선(GLn-2), 즉 제 n-2 번째 게이트배선(GLn-2)에 연결될 수 있다. 그리고, 소스전극은, 초기화배선(VREFL)에 연결될 수 있다. 한편, 드레인전극은, 제 2 노드(N2)에 연결될 수 있다. The seventh transistor T7 may function as the second initialization transistor T7. The gate electrode of the seventh transistor T7 may be connected to the pre-electric gate line GLn-2, that is, the n-th-2nd gate line GLn-2. The source electrode may be connected to the initialization wiring VREFL. The drain electrode may be connected to the second node N2.
제 1 커패시터(C1)는 부스트(boost)커패시터(C2)로서 기능할 수 있다. 제 1 커패시터(C1)의 제 1 전극은 제 1 노드(N1)에 연결되고, 제 2 전극은 제 2 노드(N2)에 연결될 수 있다.The first capacitor C1 may function as a boost capacitor C2. The first electrode of the first capacitor C1 may be connected to the first node N1, and the second electrode may be connected to the second node N2.
제 2 커패시터(C2)는 스토리지커패시터(C2)로서 기능할 수 있다. 제 2 커패시터(C2)의 제 1 전극은 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극과 연결되고, 제 2 전극은 전원전압배선(VDDL)과 연결될 수 있다. 한편, 제 2 커패시터(C2)의 제 1 전극은 제 1 노드(N1)에 연결될 수 있다.The second capacitor C2 may function as the storage capacitor C2. The first electrode of the second capacitor C2 may be connected to the gate electrode of the second transistor T2, and the second electrode may be connected to the power supply voltage line VDDL. Meanwhile, the first electrode of the second capacitor C2 may be connected to the first node N1.
전술한 바와 같은 관계로, 제 1 내지 7 트랜지스터(T1 내지 T7)와, 제 1 및 2 커패시터(C1, C2)와, 유기전계발광다이오드(OLED)가 서로 연결되어, 화소(P)에 입력되는 다수의 신호들을 통해 동작하고 빛을 발광하게 된다. As described above, the first to seventh transistors T1 to T7, the first and second capacitors C1 and C2, and the organic light emitting diode OLED are connected to each other and input to the pixel P. It operates through a number of signals and emits light.
이하, 전술한 바와 같은 구성요소들의 기능에 대해 상세히 살펴본다.Hereinafter, the function of the components as described above will be described in detail.
제 1 트랜지스터(T1)는 해당(또는 현재) 게이트배선, 예를 들면 제 n 번째 게이트배선(GLn)이 선택되어 턴온전압이 인가되면 턴온되어, 데이터전압(Vdata)이 제 1 트랜지스터(T1)을 통과하게 된다. 제 1 트랜지스터(T1)가 P 타입인 경우, 로우레벨전압 또는 부극성전압이 턴온전압으로 사용될 수 있다.The first transistor T1 is turned on when the corresponding (or present) gate wiring, for example, the n-th gate wiring GLn is selected and a turn-on voltage is applied, so that the data voltage Vdata is applied to the first transistor T1. Will pass. When the first transistor T1 is P type, a low level voltage or a negative polarity voltage may be used as the turn on voltage.
제 2 트랜지스터(T2)는, 게이트전극에 인가되는 전압의 레벨에 따라, 제 2 트랜지스터(T2)를 통과하는 전류(IOLED)의 양을 조절하게 된다. The second transistor T2 adjusts the amount of current I OLED passing through the second transistor T2 according to the level of the voltage applied to the gate electrode.
제 3 트랜지스터(T3)는, 이전 게이트배선 예를 들면 제 n-1 번째 게이트배선(GLn-1)에 턴온전압이 인가되면 턴온되어, 유기전계발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)를 샘플링하게 된다. 이와 같이 샘플링된 문턱전압(Vtho)은, 제 1 노드(N1)에 반영된다. 제 3 트랜지스터(T3)가 P 타입인 경우, 로우레벨전압 또는 부극성전압이 턴온전압으로 사용될 수 있다.The third transistor T3 is turned on when the turn-on voltage is applied to the previous gate line, for example, the n-th gate line GLn-1, to sample the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode OLED. Done. The threshold voltage Vtho sampled in this way is reflected in the first node N1. When the third transistor T3 is P type, a low level voltage or a negative polarity voltage may be used as the turn on voltage.
제 4 트랜지스터(T4)는, 이전 게이트배선 예를 들면 제 n-1 번째 게이트배선(GLn-1)에 턴온전압이 인가되면 턴온되어, 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)를 샘플링하게 된다. 이와 같이 샘플링된 문턱전압(Vth)은, 제 2 노드(N1)에 반영된다. 제 4 트랜지스터(T4)가 P 타입인 경우, 로우레벨전압 또는 부극성전압이 턴온전압으로 사용될 수 있다.The fourth transistor T4 is turned on when the turn-on voltage is applied to the previous gate wiring, for example, the n-th gate wiring GLn-1, so as to sample the threshold voltage Vth of the second transistor T2. do. The threshold voltage Vth sampled in this way is reflected in the second node N1. When the fourth transistor T4 is P type, a low level voltage or a negative polarity voltage may be used as the turn on voltage.
제 5 트랜지스터(T5)는 해당 발광제어배선, 예를 들면 제 n 번째 발광제어배선(ELn)에 턴온전압이 인가되면 턴온되어, 제 2 트랜지스터(T2)를 통과한 전류(IOLED)가 제 5 트랜지스터(T5)을 통과하게 된다. 제 5 트랜지스터(T5)가 P 타입인 경우, 로우레벨전압 또는 부극성전압이 턴온전압으로 사용될 수 있다.The fifth transistor T5 is turned on when the turn-on voltage is applied to the corresponding light emission control wiring, for example, the nth light emission control wiring ELn, so that the current I OLED passing through the second transistor T2 is fifth. Passes through transistor T5. When the fifth transistor T5 is P type, a low level voltage or a negative polarity voltage may be used as the turn on voltage.
제 6 트랜지스터(T6)는, 전전 게이트배선 예를 들면 제 n-2 번째 게이트배선(GLn-2)에 턴온전압이 인가되면 턴온되어, 초기화전압(Vref)을 통과시키게 된다. 초기화전압(Vref)은 제 1 노드(N1)에 반영된다. 제 6 트랜지스터(T6)가 P 타입인 경우, 로우레벨전압 또는 부극성전압이 턴온전압으로 사용될 수 있다.The sixth transistor T6 is turned on when the turn-on voltage is applied to the all-electric gate wiring, for example, the n-th-th gate wiring GLn-2, and passes the initialization voltage Vref. The initialization voltage Vref is reflected in the first node N1. When the sixth transistor T6 is P type, a low level voltage or a negative polarity voltage may be used as the turn on voltage.
제 7 트랜지스터(T7)는, 전전 게이트배선 예를 들면 제 n-2 번째 게이트배선(GLn-2)에 턴온전압이 인가되면 턴온되어, 초기화전압(Vref)을 통과시키게 된다. 초기화전압(Vref)은 제 2 노드(N2)에 반영된다. 제 7 트랜지스터(T7)가 P 타입인 경우, 로우레벨전압 또는 부극성전압이 턴온전압으로 사용될 수 있다.The seventh transistor T7 is turned on when the turn-on voltage is applied to the pre-electric gate wiring, for example, the n-th-th gate wiring GLn-2, and passes the initialization voltage Vref. The initialization voltage Vref is reflected in the second node N2. When the seventh transistor T7 is P type, a low level voltage or a negative polarity voltage may be used as the turn on voltage.
제 2 커패시터(C2)는, 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극, 즉 제 2 노드(N2)에 인가된 전압을 저장하게 된다. 이에 따라, 현재 프레임의 스캔 시 해당 화소(P)에 입력된 데이터전압(Vdata) 성분은, 해당 화소(P)가 다음번 프레임의 스캔 시까지 제 2 커패시터(C2)에 저장된다. 이에 따라, 유기전계발광소자(OLED)에는, 다음번 프레임의 스캔 시 또는 초기화 시까지, 현재 프레임에서 인가된 데이터전압(Vdata)에 따른 전류(IOLED)가 흐를 수 있게 된다.The second capacitor C2 stores the voltage applied to the gate electrode of the second transistor T2, that is, the second node N2. Accordingly, the data voltage Vdata component input to the pixel P when the current frame is scanned is stored in the second capacitor C2 until the pixel P is scanned the next frame. Accordingly, the current I OLED may flow in the organic light emitting diode OLED according to the data voltage Vdata applied in the current frame until the next frame is scanned or initialized.
제 1 커패시터(C1)는, 제 1 커패시터(C1)의 제 1 전극 즉 제 1 노드(N1)에서의 전압변화량(ΔV)을 커플링(coupling)하여, 제 1 커패시터(C1)의 제 2 전극 즉 제 2 노드(N2)에 반영시킨다. 다시 말하면, 제 1 노드(N1)에서 전압변화가 발생하는 경우에, 전압변화량(ΔV) 만큼이 제 1 커패시터(C1)에 의해 커플링됨으로써, 결국에는 ΔV 만큼이 제 2 노드(N2)에 반영된다. 이처럼, 제 1 커패시터(C1)는, 제 1 노드(N1)의 전압변화량(ΔV) 만큼을 제 2 노드(N2)에 커플링하여, 제 2 노드(N2)의 전압을 부스트(boost)시키게 된다.The first capacitor C1 couples the first electrode of the first capacitor C1, that is, the voltage change amount ΔV at the first node N1 to couple the second electrode of the first capacitor C1. That is, it is reflected to the second node N2. In other words, when a voltage change occurs in the first node N1, the voltage change amount ΔV is coupled by the first capacitor C1, and eventually ΔV is reflected in the second node N2. do. As such, the first capacitor C1 couples the voltage change amount ΔV of the first node N1 to the second node N2 to boost the voltage of the second node N2. .
유기전계발광다이오드(OLED)는, 제 5 트랜지스터(T5)가 턴온되는 경우에, 데이터전압(Vdata)에 따라 생성된 전류(IOELD)를 공급받게 되고, 이에 따라 빛을 발광 하게 된다.When the fifth transistor T5 is turned on, the organic light emitting diode OLED receives the current I OELD generated according to the data voltage Vdata, thereby emitting light.
이하, 도 3 및 4를 참조하여, 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자 구동방법을 상세히 살펴본다.Hereinafter, referring to FIGS. 3 and 4, a method of driving an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.
먼저, 전전 게이트라인, 예를 들면 제 n-2 번째 게이트라인(GLn-2)이 선택되어 제 1 구간(t1) 동안 턴온전압이 인가되면, 제 6 및 7 트랜지스터(T6, T7)가 턴온된다. 이에 따라, 제 1 및 2 노드(N1, N2)에는 초기화전압(Vref)이 인가되어, 제 1 커패시터(C1)는 초기화된다 (V1 = V2 = Vref). 즉, 해당 화소(P)는 초기화전압(Vref)에 의해 초기화 상태가 된다. 이처럼, 제 1 구간(t1)은 전전 게이트라인이 스캔되는 스캔구간으로서, 초기화구간에 해당된다. 한편, 초기화전압(Vref)은, 전원전압(Vdd)에서 부극성의 전압까지의 전압 범위를 가질 수 있다. First, when the pre-electric gate line, for example, the n-second gate line GLn-2 is selected and the turn-on voltage is applied during the first period t1, the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned on. . Accordingly, the initialization voltage Vref is applied to the first and second nodes N1 and N2 so that the first capacitor C1 is initialized (V1 = V2 = Vref). That is, the pixel P is initialized by the initialization voltage Vref. As such, the first period t1 is a scan period in which the pre-electric gate line is scanned, and corresponds to an initialization period. The initialization voltage Vref may have a voltage range from the power supply voltage Vdd to a negative voltage.
다음으로, 이전 게이트라인, 예를 들면 제 n-1 번째 게이트라인(GLn-1)이 선택되어 제 2 구간(t2) 동안 턴온전압이 인가되면, 제 3 및 4 트랜지스터(T3, T4)가 턴온된다. 이에 따라, 제 2 노드(N2)에는 턴온된 제 4 트랜지스터(T4)를 통해 제 2 트랜지스터(T2), 즉 구동트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)과, 전원전압(Vdd)이 샘플링되어, 결과적으로 제 2 노드(N2)는 V2 = Vdd-Vth의 전압을 갖게 된다. 한편, 제 1 노드(N1)에는 턴온된 제 3 트랜지스터(T3)를 통해 유기전계발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho) 성분이 샘플링되어, 결과적으로 제 1 노드(N1)는 V1 = Vtho의 전압을 갖게 된다. 이처럼, 제 2 구간(t2)은 이전 게이트라인이 스캔되는 스캔구간으로서, 샘플링구간에 해당된다.Next, when the previous gate line, for example, the n-th gate line GLn-1 is selected and the turn-on voltage is applied during the second period t2, the third and fourth transistors T3 and T4 turn on. do. Accordingly, the threshold voltage Vth and the power supply voltage Vdd of the second transistor T2, that is, the driving transistor T2, are sampled at the second node N2 through the turned-on fourth transistor T4. As a result, the second node N2 has a voltage of V2 = Vdd-Vth. Meanwhile, the threshold voltage Vtho component of the organic light emitting diode OLED is sampled at the first node N1 through the turned-on third transistor T3, and as a result, the first node N1 is configured to have V1 = Vtho. Will have voltage. As such, the second period t2 is a scan period in which the previous gate line is scanned, and corresponds to a sampling period.
다음으로, 해당(또는 현재) 게이트라인, 예를 들면 제 n 번째 게이트라인(GLn)이 선택되어 제 3 구간(t3) 동안 턴온전압이 인가되면, 제 1 트랜지스터(T1)가 턴온된다. 이에 따라, 제 1 노드(N1)에는, 데이터배선(DL)을 통해 전달된 데이터전압(Vdata)이 인가된다 (V1 = Vdata). 한편, 제 1 커패시터(C1)는 제 1 노드(N1)에서의 전압변화량(즉, ΔV = Vdata - Vtho) 만큼이 커플링되어 제 2 노드(N2)에 인가됨에 따라, 제 2 노드(N2)는, V2 = Vdd - Vth + ΔV = Vdd - Vth + (Vdata - Vtho)의 전압을 갖게 된다. 이처럼, 제 3 구간(t3)은 해당 게이트라인이 스캔되는 스캔구간으로서, 해당 데이터전압이 인가되는 데이터프로그래밍구간에 해당된다. Next, when the corresponding (or present) gate line, for example, the n-th gate line GLn, is selected and the turn-on voltage is applied during the third period t3, the first transistor T1 is turned on. Accordingly, the data voltage Vdata transferred through the data wiring DL is applied to the first node N1 (V1 = Vdata). Meanwhile, as the first capacitor C1 is coupled to the second node N2 as much as the voltage change amount (that is, ΔV = Vdata−Vtho) at the first node N1, the second node N2 is applied. Has a voltage of V2 = Vdd-Vth + ΔV = Vdd-Vth + (Vdata-Vtho). As such, the third section t3 is a scan section in which the corresponding gate line is scanned, and corresponds to a data programming section in which the corresponding data voltage is applied.
여기서, 인가되는 데이터전압(Vdata)의 극성은, 제 2 트랜지스터(T2)의 타입에 따라 결정될 수 있다. 예를 들면, P 타입으로 제 2 트랜지스터(T2)가 구성되는 경우에, 데이터전압(Vdata)은 부극성을 갖게 된다.Here, the polarity of the applied data voltage Vdata may be determined according to the type of the second transistor T2. For example, in the case where the second transistor T2 is configured as a P type, the data voltage Vdata has a negative polarity.
이처럼, 제 2 노드(N2)에 인가된 전압(V2), 즉 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극에 인가된 전압(V2)에 의해, 제 2 트랜지스터(T2)는 턴온되어 전류(IOLED)를 발생시키게 된다. 제 2 트랜지스터(T2)를 통과하는 전류(IOLED)는, 아래와 같은 수식3을 통해 구해질 수 있다.As such, the second node voltage (V2), i.e. the second transistor, by a voltage (V2) applied to the gate electrode of (T2) the second transistor (T2) applied to the (N2) is turned on current (I OLED) Will be generated. The current I OLED passing through the second transistor T2 may be obtained through
(수식3) (Formula 3)
여기서, Vgs는 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극과 소스전극 사이의 전압차이고, k는 상수값이다.Here, Vgs is a voltage difference between the gate electrode and the source electrode of the second transistor T2, and k is a constant value.
한편, 해당(또는 현재) 발광제어배선(ELn)에는, 예를 들면 제 1 구간(t1)의 시작시간 이전부터 제 2 구간(t2)의 종료시간까지 턴오프전압이 인가될 수 있다. 이와 같이 턴오프전압이 발광제어배선(EL)에 인가되는 기간 동안에는, 제 3 트랜지스터(T3)는 턴오프되어, 유기전계발광다이오드(OLED)에는 전류(IOLED)가 흐르지 않게 된다. 그 후에, 제 3 구간(t3)부터 턴온전압이 발광제어배선(EL)에 인가된다. 이에 따라, 제 5 트랜지스터(T5)는 턴온되고, 제 2 트랜지스터(T2)에서 생성된 전류(IOLED)는 제 5 트랜지스터(T5)를 통과하여 유기전계발광다이오드(OLED)에 공급된다. 이로 인해, 유기전계발광다이오드(OLED)는, 전류(IOLED)값에 따른 휘도를 갖는 빛을 발광하게 된다. On the other hand, the turn-off voltage may be applied to the corresponding (or present) light emission control wiring ELn from before the start time of the first section t1 to the end time of the second section t2. As described above, during the period in which the turn-off voltage is applied to the emission control wiring EL, the third transistor T3 is turned off so that the current I OLED does not flow through the organic light emitting diode OLED. After that, the turn-on voltage is applied to the light emission control wiring EL from the third section t3. Accordingly, the fifth transistor T5 is turned on and the current I OLED generated in the second transistor T2 is supplied to the organic light emitting diode OLED through the fifth transistor T5. As a result, the organic light emitting diode OLED emits light having luminance corresponding to the current I OLED value.
한편, 제 2 커패시터(C2)는 제 2 노드(N2)의 전압, V1 = Vdd - Vth + (Vdata - Vtho)을, 다음 프레임에서 제 2 노드(N2)가 초기화될 때까지 저장하게 된다. 그리고, 제 5 트랜지스터(T5)는, 다음 프레임에서 턴오프전압이 인가될 때까지 전류(IOLED)를 통과시키게 된다. 따라서, 제 2 트랜지스터(T2)는 다음 프레임에서 제 2 노드(N2)가 초기화될 때까지의 저장구간 동안 현재 프레임의 데이터전압(Vdata)에 따른 전류(IOLED)를 생성시키고, 유기전계발광다이오드(OLED)는 다음 프레임에서 제 5 트랜지스터(T5)에 턴오프전압이 인가될 때까지의 발광구간 동안 현재 프레임의 데이터전압(Vdata)에 따른 휘도를 갖는 빛을 발광하게 된다.Meanwhile, the second capacitor C2 stores the voltage of the second node N2, V1 = Vdd-Vth + (Vdata-Vtho), until the second node N2 is initialized in the next frame. The fifth transistor T5 passes the current I OLED until the turn-off voltage is applied in the next frame. Accordingly, the second transistor T2 generates the current I OLED according to the data voltage Vdata of the current frame during the storage period until the second node N2 is initialized in the next frame, and the organic light emitting diode The OLED emits light having luminance according to the data voltage Vdata of the current frame during the light emitting period until the turn-off voltage is applied to the fifth transistor T5 in the next frame.
전술한 바와 같은 동작을 통해, 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 구동할 수 있게 된다.Through the operation as described above, it is possible to drive the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention.
앞서 언급한 수식3을 살펴보면, 유기전계발광다이오드(OLED)에 공급되는 전류(IOLED)는, 데이터전압(Vdata)과 유기전계발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)에 의존하게 된다. 이에 따라, 유기전계발광다이오드(OLED)에 열화가 발생하여 문턱전압(Vtho)이 쉬프트되어 상승하게 되더라도, 문턱전압(Vtho)이 수식3에 포함되어 있으므로, 문턱전압(Vtho)의 쉬프트에 따라 전류(IOLED)가 높아지게 된다. 이처럼, 높아진 전류는 문턱전압(Vtho)의 쉬프트를 보정하게 됨으로써, 문턱전압(Vhto)의 쉬프트에 따른 발광 빛의 휘도 감소를 보정하여, 원하는 휘도의 빛이 발광되도록 하게 된다. 다시 말하면, 종래의 수식1 및 수식2를 참조하면, 문턱전압(Vtho)이 전류(IOLED) 생성에 아무런 영향을 미치지 않게 되고, 이에 따라 문턱전압(Vtho)이 쉬프트되는 경우에 원하는 휘도보다 낮은 휘도의 빛이 발광되게 된다. 이와는 달리, 본발명의 실시예에서는, 문턱전압(Vtho)이 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극에 인가되는 전압에 반영됨으로써, 문턱전압(Vtho)이 쉬프트되더라도, 문턱전압(Vtho)의 쉬프트를 보정하도록 더 높은 전류(IOLED)가 생성된다. 따라서, 문턱전압(Vtho)의 쉬프트에 관계없이, 원하는 휘도를 갖는 빛이 유기전계발광다이오드(OLED)를 통해 발광되게 된다. 이와 같이, 본발명의 실시예에서는, 문턱전압(Vtho)의 쉬프트를 보정할 수 있게 되므로, 종래에서 시간이 경과함에 따라 비복원 잔상이 발생하는 문제를 개선할 수 있게 되며, 유기전계발광다이오드(OLED)의 수명을 개선할 수 있게 된다.Referring to
한편, 유기전계발광소자의 제조공정의 특성상 다수의 화소들 사이에서 유기전계발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)에 대한 편차가 발생하게 되더라도, 문턱전압(Vtho)의 편차를 보정하도록 전류(IOLED)가 생성되게 된다. 따라서, 문턱전압(Vtho)의 변화에 관계없이, 원하는 휘도를 갖는 빛이 유기전계발광다이오드(OLED)를 통해 발광될 수 있게 된다.On the other hand, even if a variation of the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode OLED is generated among the plurality of pixels due to the characteristics of the manufacturing process of the organic light emitting diode, the current ( I OLED ) is generated. Therefore, regardless of the change in the threshold voltage Vtho, light having a desired luminance can be emitted through the organic light emitting diode OLED.
또한, 전원전압(Vdd)과 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth) 또한 샘플링 되어, 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극에 인가되는 전압에 반영된다. 이에 따라, 전원전압(Vdd)과 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)은 수식3에 포함되지 않게 된다. 즉, 전류(IOLED)는 전원전압(Vdd)과 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)의 변화에 의존하지 않게 되므로, 전원전압(Vdd)과 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)을 보상할 수 있게 된다.In addition, the power supply voltage Vdd and the threshold voltage Vth of the second transistor T2 are also sampled and reflected in the voltage applied to the gate electrode of the second transistor T2. Accordingly, the power supply voltage Vdd and the threshold voltage Vth of the second transistor T2 are not included in
더욱이, 제 1 및 2 노드(N1, N2)에는, 해당 화소가 선택되어 데이터전압(Vdata)이 인가되기 이전에, 별도의 초기화전압(Vref)이 인가되어 초기화가 진행된다. 이처럼, 초기화가 조기에 안정적으로 진행될 수 있게 됨에 따라, 화면느림이나 C/R(contrast ratio)의 감소를 효과적으로 억제할 수 있게 된다.Furthermore, before the corresponding pixel is selected and the data voltage Vdata is applied to the first and second nodes N1 and N2, a separate initialization voltage Vref is applied to perform initialization. As such, since the initialization can be stably performed at an early stage, it is possible to effectively suppress the slowdown of the screen and reduction of the contrast ratio (C / R).
도 5는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자에서, 유기전계발광다이오드의 문턱전압의 쉬프트 시에 문턱전압이 샘플링되어, 문턱전압의 쉬프트가 보정되는 과정을 보여주는 도면이다. 도 5에서, 좌측 그래프는, 유기전계발광다이오드의 I-V (current-voltage) 그래프로서, 열화에 따라 문턱전압(Vtho)이 쉬프트되는 모 습을 보여주고 있다. 그리고, 우측 그래프는, V-T (voltage-time) 그래프로서, 시간 경과에 따른, 제 2 노드(V2)의 전압과 유기전계발광다이오드의 애노드의 전압(Va)의 파형을 보여주고 있다. FIG. 5 is a view illustrating a process in which a threshold voltage is sampled when the threshold voltage of the organic light emitting diode is shifted in the organic light emitting diode according to the embodiment of the present invention to correct the shift of the threshold voltage. In FIG. 5, the left graph is a current-voltage (I-V) graph of the organic light emitting diode, and shows how the threshold voltage Vtho is shifted with deterioration. The right graph is a voltage-time (V-T) graph, which shows waveforms of the voltage of the second node V2 and the voltage Va of the anode of the organic light emitting diode over time.
좌측의 그래프에서는, 유기전계발광다이오드(도 3의 OLED)의 문턱전압(Vtho)이 쉬프트하는 경우를 나타내고 있다. 이와 같이 문턱전압(Vtho)이 쉬트프됨에 따라, 제 2 구간(t2) 즉 이전 게이트라인(도 3의 GLn-1)에 턴온전압이 인가되는 구간에서, 애노드에서의 전압(Va)이 쉬프트됨을 알 수 있다. 이에 따라, 제 2 구간(t2)에서는, 쉬프트된 문턱전압(Vtho)이 제 3 트랜지스터(도 3의 T3)를 통해 샘플링되어, 제 1 노드(도 3의 N1)에 인가되게 된다. 한편, 이 구간(t2) 동안에는 쉬프트된 문턱전압(Vtho)이 제 2 노드(도 3의 N2)에는 반영되지 않게 되므로, 제 2 노드의 전압(V2)은, 쉬프트되기 전과 후가 실질적으로 동일함을 알 수 있다.The graph on the left shows a case where the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode (OLED in FIG. 3) shifts. As the threshold voltage Vtho is shifted as described above, the voltage Va at the anode is shifted in the second section t2, that is, the turn-on voltage is applied to the previous gate line GLn-1 of FIG. 3. Able to know. Accordingly, in the second period t2, the shifted threshold voltage Vtho is sampled through the third transistor (T3 of FIG. 3) and applied to the first node (N1 of FIG. 3). On the other hand, since the shifted threshold voltage Vtho is not reflected to the second node (N2 in FIG. 3) during this period t2, the voltage V2 of the second node is substantially the same before and after the shift. It can be seen.
이와 같이 쉬프트된 문턱전압(Vtho)은, 결과적으로 제 3 구간(st3)에서 제 1 커패시터(도 3의 C1)에 의해 제 2 노드(도 3의 N2)에 반영된다. 즉, 제 2 트랜지스터(도 3의 T2)의 게이트전극에는 쉬프트된 문턱전압(Vtho)이 반영된다. 이는, 문턱전압이 쉬프트된 후의 제 2 노드의 전압(V2)이, 문턱전압(Vtho)이 쉬프트되기 전의 제 2 노드의 전압(V2)보다 낮은 값을 가지게 되는 점을 통해 알 수 있다. 즉, 문턱전압(Vtho)의 쉬프트에 의한 상승으로 인해, 게이트전극에 인가되는 전압이 낮아짐을 알 수 있다. As a result, the shifted threshold voltage Vtho is reflected to the second node (N2 of FIG. 3) by the first capacitor C1 of FIG. 3 in the third section st3. That is, the shifted threshold voltage Vtho is reflected on the gate electrode of the second transistor (T2 of FIG. 3). This can be seen from the fact that the voltage V2 of the second node after the threshold voltage is shifted has a lower value than the voltage V2 of the second node before the threshold voltage Vtho is shifted. In other words, it can be seen that the voltage applied to the gate electrode is lowered due to the increase of the threshold voltage Vtho.
이와 같이 쉬프트된 문턱전압(Vtho)은, 데이터전압(Vdata)과 함께, 유기전계 발광다이오드에 공급되는 전류(IOLED)를 결정하게 된다. The shifted threshold voltage Vtho determines the current I OLED supplied to the organic light emitting diode together with the data voltage Vdata.
따라서, 비록 유기전계발광다이오드의 문턱전압(Vtho)이 쉬프트되어 상승하더라도, 문턱전압(Vtho)이 제 2 트랜지스터의 게이트전극에 반영되므로, 게이트전극에 인가되는 전압이 보정된다. 이에 따라, 문턱전압(Vtho)의 쉬프트를 보정하도록, 쉬프트되기 전보다 높은 전류(IOLED)가 생성된다. 따라서, 유기전계발광다이오드에서는, 문턱전압(Vtho)의 쉬프트에 관계없이, 데이터전압(Vdata)에 대응하는 원하는 휘도의 빛이 발생하게 된다.Therefore, even though the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode is shifted and raised, the voltage applied to the gate electrode is corrected because the threshold voltage Vtho is reflected on the gate electrode of the second transistor. As a result, a higher current I OLED is generated than before the shift to correct the shift of the threshold voltage Vtho. Therefore, in the organic light emitting diode, light having a desired luminance corresponding to the data voltage Vdata is generated regardless of the shift of the threshold voltage Vtho.
도 6은 본발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 7은 본발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자의 화소에 대한 등가회로도이고, 도 8은 본발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자의 게이트배선 및 데이터배선에 공급되는 전압에 대한 파형도이다. 6 is a view schematically showing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a pixel of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, and FIG. The waveform diagram of the voltage supplied to the gate wiring and the data wiring of the organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
설명의 편의를 위해, 도 6 및 7에 도시한 본발명의 다른 실시예에서는, 도 2 및 3에 도시한 유기전계발광소자와 유사한 부분에 대해서는 설명을 생략할 수 있다.For convenience of explanation, in other embodiments of the present invention shown in FIGS. 6 and 7, descriptions similar to those of the organic light emitting display devices shown in FIGS. 2 and 3 may be omitted.
도시한 바와 같이, 본발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자(100)는 표시부(200)와 구동부를 포함한다.As shown, the organic light emitting
표시부(100)에는, 제 1 방향, 예를 들면 로우(row) 방향으로 다수의 게이트배선(GL 내지 GLn)이 연장되어 있다. 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향, 예를 들면 컬럼(column) 방향으로 다수의 데이터배선(DL1 내지 DLm)이 연장되어 있다. 한편, 다수의 게이트배선에 대응하여 제 1 방향으로 연장된 다수의 발광제어배선(EL1 내지 ELn)이 배치된다. 그리고, 제 1 게이트배선(GL1)의 이전 로우라인에는 보조게이트배선(AGL)이 배치되어 있다. 보조게이트배선(AGL)은, 제 1 게이트배선(GL1)에 연결된 화소(P)들에 대해, 이전 게이트배선의 역할을 하게 된다.In the
도 7을 참조하면, 표시부(100)의 각 화소(P)에는, 다수의 트랜지스터, 예를 들면 제 1 내지 5 트랜지스터(T1 내지 T5)와, 제 1 및 2 커패시터(C1, C2)와, 유기전계발광다이오드(OLED)가 구성될 수 있다. 제 1 내지 5 트랜지스터(T1 내지 T5)로서, P 타입의 트랜지스터가 사용되는 것을 예로 들어 설명한다. Referring to FIG. 7, each pixel P of the
구동부는, 인터페이스(310)와, 타이밍컨트롤러(320)와, 전원발생부(330)와, 게이트드라이버(340)와, 데이터드라이버(350)와, 감마전압발생부(360)를 포함할 수 있다.The driving unit may include an
이하, 도 7을 참조하여, 표시부(100)에 위치하는 화소의 구조에 대해, 보다 상세히 살펴본다. 도 7에서는, 설명의 편의를 위해 하나의 화소와 데이터라인(DL)을 도시하였는데, 도 7의 데이터라인(DL)은 도 6의 제 1 내지 n번째 데이터라인(DL1 내지 DLn) 중 어느 하나에 해당된다. Hereinafter, the structure of the pixel on the
제 1 트랜지스터(T1)는 스위칭트랜지스터(T1)로서 기능할 수 있다. 제 n 번째 로우라인의 화소(P)에 구성된 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트전극은, 제 n 번째 게이트라인(GLn)에 연결될 수 있다. 그리고, 소스전극은, 데이터라인(DL)에 연결될 수 있다. 한편, 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인전극은 제 1 커패시터(C1)의 제 1 전 극과 연결될 수 있다. 여기서, 제 1 트랜지스터(T1)와 제 1 커패시터(C1)의 접점을 제 1 노드(N1)라고 칭한다. The first transistor T1 may function as the switching transistor T1. The gate electrode of the first transistor T1 configured in the pixel P of the nth row line may be connected to the nth gate line GLn. The source electrode may be connected to the data line DL. The drain electrode of the first transistor T1 may be connected to the first electrode of the first capacitor C1. Here, the contact point of the first transistor T1 and the first capacitor C1 is referred to as a first node N1.
제 2 트랜지스터(T2)는 구동트랜지스터(T2)로서 기능할 수 있다. 제 2 트랜지스터(T2)의 소스전극은 전원전압배선(VDDL)과 연결될 수 있다. 그리고, 드레인전극은 제 4 트랜지스터(T3)의 드레인전극 및 제 5 트랜지스터(T5)의 소스전극과 연결될 수 있다. 한편, 게이트전극은 제 1 커패시터(C1)의 제 2 전극과 연결될 수 있다. 여기서, 제 2 트랜지스터(T2)와 제 1 커패시터(C1)의 접점을 제 2 노드(N2)라고 칭한다.The second transistor T2 may function as the driving transistor T2. The source electrode of the second transistor T2 may be connected to the power supply voltage line VDDL. The drain electrode may be connected to the drain electrode of the fourth transistor T3 and the source electrode of the fifth transistor T5. The gate electrode may be connected to the second electrode of the first capacitor C1. Here, the contact point of the second transistor T2 and the first capacitor C1 is referred to as a second node N2.
제 3 트랜지스터(T3)는 제 1 샘플링트랜지스터(T3)로서 기능할 수 있다. 제 3 트랜지스터(T3)의 게이트전극은, 이전 게이트배선(GLn-1), 즉 제 n-1 번째 게이트배선(GLn-1)에 연결될 수 있다. 그리고, 소스전극은, 제 1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 한편, 드레인전극은, 유기전계발광다이오드(OLED)의 제 1 전극, 예를 들면 애노드와 연결될 수 있다.The third transistor T3 may function as the first sampling transistor T3. The gate electrode of the third transistor T3 may be connected to the previous gate line GLn-1, that is, the n-th-th gate line GLn-1. The source electrode may be connected to the first node N1. Meanwhile, the drain electrode may be connected to a first electrode of the organic light emitting diode OLED, for example, an anode.
제 4 트랜지스터(T4)는 제 2 샘플링트랜지스터(T4)로서 기능할 수 있다. 제 4 트랜지스터(T4)의 게이트전극은, 이전 게이트배선(GLn-1), 즉 제 n-1 번째 게이트배선(GLn-1)에 연결될 수 있다. 그리고, 소스전극은, 제 2 노드(N2)에 연결될 수 있다. 한편, 드레인전극은, 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인전극과 연결될 수 있다. The fourth transistor T4 can function as the second sampling transistor T4. The gate electrode of the fourth transistor T4 may be connected to the previous gate line GLn-1, that is, the n-th-th gate line GLn-1. The source electrode may be connected to the second node N2. The drain electrode may be connected to the drain electrode of the second transistor T2.
제 5 트랜지스터(T5)는 발광제어트랜지스터(T5)로서 기능할 수 있다. 제 5 트랜지스터(T5)의 게이트전극은 제 n 번째 발광제어배선(ELn)에 연결될 수 있다. 그리고, 소스전극은 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인전극과 연결될 수 있다. 한편, 드레인전극은 유기전계발광다이오드(OLED)의 애노드(anode)에 연결될 수 있다. The fifth transistor T5 can function as the light emission control transistor T5. The gate electrode of the fifth transistor T5 may be connected to the nth emission control wiring ELn. The source electrode may be connected to the drain electrode of the second transistor T2. Meanwhile, the drain electrode may be connected to an anode of the organic light emitting diode OLED.
제 1 커패시터(C1)는 부스트(boost)커패시터(C2)로서 기능할 수 있다. 제 1 커패시터(C1)의 제 1 전극은 제 1 노드(N1)에 연결되고, 제 2 전극은 제 2 노드(N2)에 연결될 수 있다.The first capacitor C1 may function as a boost capacitor C2. The first electrode of the first capacitor C1 may be connected to the first node N1, and the second electrode may be connected to the second node N2.
제 2 커패시터(C2)는 스토리지커패시터(C2)로서 기능할 수 있다. 제 2 커패시터(C2)의 제 1 전극은 제 1 노드(N1)에 연결되고, 제 2 전극은 전원전압배선(VDDL)과 연결될 수 있다. 한편, 제 2 커패시터(C2)의 제 1 전극은 제 2 노드(N2)에 연결될 수 있다.The second capacitor C2 may function as the storage capacitor C2. The first electrode of the second capacitor C2 may be connected to the first node N1, and the second electrode may be connected to the power supply voltage line VDDL. Meanwhile, the first electrode of the second capacitor C2 may be connected to the second node N2.
전술한 바와 같은 관계로, 제 1 내지 5 트랜지스터(T1 내지 T5)와, 제 1 및 2 커패시터(C1, C2)와, 유기전계발광다이오드(OLED)가 서로 연결되어, 화소(P)에 입력되는 다수의 신호들을 통해 동작하고 빛을 발광하게 된다. As described above, the first to fifth transistors T1 to T5, the first and second capacitors C1 and C2, and the organic light emitting diode OLED are connected to each other and input to the pixel P. It operates through a number of signals and emits light.
이하, 전술한 바와 같은 구성요소들의 기능에 대해 상세히 살펴본다.Hereinafter, the function of the components as described above will be described in detail.
제 1 트랜지스터(T1)는 해당(또는 현재) 게이트배선, 예를 들면 제 n 번째 게이트배선(GLn)이 선택되어 턴온전압이 인가되면 턴온되어, 데이터전압(Vdata)이 제 1 트랜지스터(T1)을 통과하게 된다. The first transistor T1 is turned on when the corresponding (or present) gate wiring, for example, the n-th gate wiring GLn is selected and a turn-on voltage is applied, so that the data voltage Vdata is applied to the first transistor T1. Will pass.
제 2 트랜지스터(T2)는, 게이트전극에 인가되는 전압의 레벨에 따라, 제 2 트랜지스터(T2)를 통과하는 전류(IOLED)의 양을 조절하게 된다. The second transistor T2 adjusts the amount of current I OLED passing through the second transistor T2 according to the level of the voltage applied to the gate electrode.
제 3 트랜지스터(T3)는, 이전 게이트배선 예를 들면 제 n-1 번째 게이트배선(GLn-1)에 턴온전압이 인가되면 턴온되어, 유기전계발광다이오드(OLED) 의 문턱전압(Vtho)를 샘플링하게 된다. 이와 같이 샘플링된 문턱전압(Vtho)은, 제 1 노드(N1)에 반영된다. The third transistor T3 is turned on when the turn-on voltage is applied to the previous gate wiring, for example, the n-th gate wiring GLn-1, and samples the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode OLED. Done. The threshold voltage Vtho sampled in this way is reflected in the first node N1.
제 4 트랜지스터(T4)는, 이전 게이트배선 예를 들면 제 n-1 번째 게이트배선(GLn-1)에 턴온전압이 인가되면 턴온되어, 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)를 샘플링하게 된다. 이와 같이 샘플링된 문턱전압(Vth)은, 제 2 노드(N1)에 반영된다. The fourth transistor T4 is turned on when the turn-on voltage is applied to the previous gate wiring, for example, the n-th gate wiring GLn-1, so as to sample the threshold voltage Vth of the second transistor T2. do. The threshold voltage Vth sampled in this way is reflected in the second node N1.
제 5 트랜지스터(T5)는 해당 발광제어배선, 예를 들면 제 n 번째 발광제어배선(ELn)에 턴온전압이 인가되면 턴온되어, 제 2 트랜지스터(T2)를 통과한 전류(IOLED)가 제 5 트랜지스터(T5)을 통과하게 된다.The fifth transistor T5 is turned on when the turn-on voltage is applied to the corresponding light emission control wiring, for example, the nth light emission control wiring ELn, so that the current I OLED passing through the second transistor T2 is fifth. Passes through transistor T5.
제 2 커패시터(C2)는, 제 1 노드(N1)에 인가된 전압을 저장하게 된다. 이에 따라, 현재 프레임의 스캔 시 해당 화소(P)에 입력된 데이터전압(Vdata) 성분은, 해당 화소(P)가 다음번 프레임의 스캔 시 또는 초기화 시까지 제 2 커패시터(C2)에 저장된다. The second capacitor C2 stores the voltage applied to the first node N1. Accordingly, the data voltage Vdata component input to the pixel P when the current frame is scanned is stored in the second capacitor C2 until the pixel P is scanned or initialized in the next frame.
제 1 커패시터(C1)는, 제 1 커패시터(C1)의 제 1 전극 즉 제 1 노드(N1)에서의 전압변화량(ΔV)을 커플링(coupling)하여, 제 1 커패시터(C1)의 제 2 전극 즉 제 2 노드(N2)에 반영시킨다. 다시 말하면, 제 1 노드(N1)에서 전압변화가 발생하는 경우에, 전압변화량(ΔV) 만큼이 제 1 커패시터(C1)에 의해 커플링됨으로써, 결국에는 ΔV 만큼이 제 2 노드(N2)에 반영된다. 이처럼, 제 1 커패시터(C1)는, 제 1 노드(N1)의 전압변화량(ΔV)만큼을 제 2 노드(N2)에 커플링하여, 제 2 노드(N2)의 전압을 부스트(boost)시키게 된다.The first capacitor C1 couples the first electrode of the first capacitor C1, that is, the voltage change amount ΔV at the first node N1 to couple the second electrode of the first capacitor C1. That is, it is reflected to the second node N2. In other words, when a voltage change occurs in the first node N1, the voltage change amount ΔV is coupled by the first capacitor C1, and eventually ΔV is reflected in the second node N2. do. As such, the first capacitor C1 couples the voltage change amount ΔV of the first node N1 to the second node N2 to boost the voltage of the second node N2. .
유기전계발광다이오드(OLED)는, 제 5 트랜지스터(T5)가 턴온되는 경우에, 데이터전압(Vdata)에 따라 생성된 전류(IOELD)를 공급받게 되고, 이에 따라 빛을 발광하게 된다.When the fifth transistor T5 is turned on, the organic light emitting diode OLED receives the current I OELD generated according to the data voltage Vdata, thereby emitting light.
이하, 도 7 및 8을 참조하여, 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자 구동방법을 상세히 살펴본다.Hereinafter, referring to FIGS. 7 and 8, a method of driving an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.
먼저, 이전 게이트라인, 예를 들면 제 n-1 번째 게이트라인(GLn-1)이 선택되어 턴온전압이 인가되는 스캔구간 중, 해당 발광제어배선 예를 들면 제 n 번째 발광제어배선(GLn)이 턴온전압을 유지하는 초반의 구간으로서, 제 1 구간(t1) 동안, 제 3 내지 5 트랜지스터(T3 내지 T5)는 턴온된다. 이에 따라, 제 1 및 2 노드(N1, N2)는 유기전계발광다이오드(OLED)와 연결되어 초기화가 진행된다. First, in the scan section where the previous gate line, for example, the n-th gate line GLn-1 is selected and the turn-on voltage is applied, the corresponding emission control wiring, for example, the nth emission control wiring GLn, As an initial section maintaining the turn-on voltage, during the first section t1, the third to fifth transistors T3 to T5 are turned on. Accordingly, the first and second nodes N1 and N2 are connected to the organic light emitting diode OLED to perform initialization.
다음으로, 제 n-1 번째 게이트라인(GLn-1)이 선택되어 턴온전압이 인가되는 스캔구간 중, 제 1 구간(t1) 이후의 제 2 구간(t2), 즉 제 n 번째 발광제어배선(GLn)에 턴오프전압이 인가되는 구간 동안, 제 5 트랜지스터(T5)는 턴오프된다. 이에 따라, 제 2 노드(N2)에는 턴온된 제 4 트랜지스터(T4)를 통해 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)과, 전원전압(Vdd)이 샘플링되어, 결과적으로 제 2 노드(N2)는 V2 = Vdd-Vth의 전압을 갖게 된다. 한편, 제 1 노드(N1)에는 턴온된 제 3 트랜지스터(T3)를 통해 유기전계발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)이 샘플링되어, 결과적으로 제 1 노드(N1)는 V1 = Vtho의 전압을 갖게 된다.Next, the second section t2 after the first section t1, that is, the nth light emission control wiring line, among the scan sections in which the n-th gate line GLn-1 is selected and the turn-on voltage is applied thereto. During the period in which the turn-off voltage is applied to GLn, the fifth transistor T5 is turned off. Accordingly, the threshold voltage Vth and the power supply voltage Vdd of the second transistor T2 are sampled at the second node N2 through the turned-on fourth transistor T4, and as a result, the second node N2 is sampled. ) Has a voltage of V2 = Vdd-Vth. Meanwhile, the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode OLED is sampled at the first node N1 through the turned-on third transistor T3, and as a result, the first node N1 receives a voltage of V1 = Vtho. Will have
다음으로, 해당 게이트라인, 예를 들면 제 n 번째 게이트라인(GLn)이 선택되어 제 3 구간(t3) 동안 턴온전압이 인가되면, 제 1 트랜지스터(T1)가 턴온된다. 이에 따라, 제 1 노드(N1)에는, 데이터배선(DL)을 통해 전달된 데이터전압(Vdata)이 인가된다 (V1 = Vdata). Next, when the corresponding gate line, for example, the n-th gate line GLn is selected and the turn-on voltage is applied during the third period t3, the first transistor T1 is turned on. Accordingly, the data voltage Vdata transferred through the data wiring DL is applied to the first node N1 (V1 = Vdata).
한편, 제 1 커패시터(C1)는 제 1 노드(N1)에서의 전압변화량(즉, ΔV = Vdata - Vtho) 만큼이 커플링되어 제 2 노드(N2)에 인가됨에 따라, 제 2 노드(N2)는, V2 = Vdd - Vth + ΔV = Vdd - Vth + (Vdata - Vtho)의 전압을 갖게 된다.Meanwhile, as the first capacitor C1 is coupled to the second node N2 as much as the voltage change amount (that is, ΔV = Vdata−Vtho) at the first node N1, the second node N2 is applied. Has a voltage of V2 = Vdd-Vth + ΔV = Vdd-Vth + (Vdata-Vtho).
이처럼, 제 2 노드(N2)에 인가된 전압(V2), 즉 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극에 인가된 전압(V2)에 의해, 제 2 트랜지스터(T2)는 턴온되어 전류(IOLED)를 발생시키게 된다. 제 2 트랜지스터(T2)에서 발생된 전류(IOLED)는, 앞선 실시예에서의 수식3을 통해 구해질 수 있다.As such, the second node voltage (V2), i.e. the second transistor, by a voltage (V2) applied to the gate electrode of (T2) the second transistor (T2) applied to the (N2) is turned on current (I OLED) Will be generated. The current I OLED generated in the second transistor T2 can be obtained through
다음으로, 제 n 번째 발광제어배선(ELn)에 제 4 구간(t4) 동안 턴온전압이 인가되면, 제 5 트랜지스터(T5)는 턴온된다. 이에 따라, 제 2 트랜지스터(T2)에서 발생된 전류(IOLED)는 제 5 트랜지스터(T5)를 통과하여 유기전계발광다이오드(OLED)에 공급된다. 이로 인해, 유기전계발광다이오드(OLED)는, 전류(IOLED)값에 따른 휘도를 갖는 빛을 발광하게 된다. 이처럼 제 4 구간(t4)은 발광구간에 해당된다.Next, when the turn-on voltage is applied to the nth light emission control wiring ELn during the fourth period t4, the fifth transistor T5 is turned on. Accordingly, the current I OLED generated in the second transistor T2 is supplied to the organic light emitting diode OLED through the fifth transistor T5. As a result, the organic light emitting diode OLED emits light having luminance corresponding to the current I OLED value. As such, the fourth section t4 corresponds to the light emitting section.
한편, 제 2 커패시터(C2)는 제 1 노드(N1)의 전압, V1 = Vdata를, 다음 프레임에서 제 1 노드(N1)가 초기화될 때까지 저장하게 된다. 그리고, 제 5 트랜지스 터(T5)는, 다음 프레임에서 턴오프전압이 인가될 때까지 전류(IOLED)를 통과시키게 된다. Meanwhile, the second capacitor C2 stores the voltage of the first node N1, V1 = Vdata, until the first node N1 is initialized in the next frame. The fifth transistor T5 passes the current I OLED until the turn-off voltage is applied in the next frame.
전술한 바와 같은 동작을 통해, 본발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자를 구동할 수 있게 된다.Through the operation as described above, it is possible to drive the organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.
전술한 바와 같이, 본발명의 다른 실시예에서는, 문턱전압(Vtho)이 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극에 인가되는 전압에 반영됨으로써, 문턱전압(Vtho)의 쉬프트에 관계없이, 원하는 휘도를 갖는 빛이 유기전계발광다이오드(OLED)를 통해 발광되게 된다. 이와 같이, 본발명의 다른 실시예에서는, 문턱전압(Vtho)의 쉬프트를 보정할 수 있게 되므로, 종래에서 시간이 경과함에 따라 비복원 잔상이 발생하는 문제를 개선할 수 있게 되며, 유기전계발광다이오드(OLED)의 수명을 개선할 수 있게 된다.As described above, in another embodiment of the present invention, the threshold voltage Vtho is reflected in the voltage applied to the gate electrode of the second transistor T2, so that the desired luminance is obtained regardless of the shift of the threshold voltage Vtho. Light having the light is emitted through the organic light emitting diode OLED. As described above, in another embodiment of the present invention, since the shift of the threshold voltage Vtho can be corrected, it is possible to solve the problem of non-restored afterimages occurring over time, and the organic light emitting diode It is possible to improve the lifetime of the (OLED).
한편, 유기전계발광소자의 제조공정의 특성상 다수의 화소들 사이에서 유기전계발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)에 대한 편차가 발생하게 되더라도, 문턱전압(Vtho)의 편차를 보정하도록 전류(IOLED)가 생성되게 된다. 따라서, 문턱전압(Vtho)의 변화에 관계없이, 원하는 휘도를 갖는 빛이 유기전계발광다이오드(OLED)를 통해 발광될 수 있게 된다.On the other hand, even if a variation of the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode OLED is generated among the plurality of pixels due to the characteristics of the manufacturing process of the organic light emitting diode, the current ( I OLED ) is generated. Therefore, regardless of the change in the threshold voltage Vtho, light having a desired luminance can be emitted through the organic light emitting diode OLED.
또한, 전원전압(Vdd)과 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth) 또한 샘플링 되어, 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극에 인가되는 전압에 반영된다. 이에 따라, 전류(IOLED)는 전원전압(Vdd)과 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)의 변화에 의존 하지 않게 되므로, 전원전압(Vdd)과 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)을 보상할 수 있게 된다.In addition, the power supply voltage Vdd and the threshold voltage Vth of the second transistor T2 are also sampled and reflected in the voltage applied to the gate electrode of the second transistor T2. Accordingly, the current I OLED does not depend on the change in the threshold voltage Vth of the power source voltage Vdd and the second transistor T2, and thus the threshold voltage of the power source voltage Vdd and the second transistor T2. (Vth) can be compensated.
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.Embodiment of the present invention described above is an example of the present invention, it is possible to change freely within the scope included in the spirit of the present invention. Accordingly, the invention includes modifications of the invention within the scope of the appended claims and their equivalents.
도 1은 일반적인 유기전계발광소자의 화소에 대한 등가회로도.1 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a general organic light emitting display device.
도 2는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 도면.2 is a view schematically showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 화소에 대한 등가회로도.3 is an equivalent circuit diagram of a pixel of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 게이트배선 및 데이터배선에 공급되는 전압에 대한 파형도.4 is a waveform diagram of a voltage supplied to a gate wiring and a data wiring of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 5는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자에서, 유기전계발광다이오드의 문턱전압의 쉬프트 시에 문턱전압이 샘플링되어, 문턱전압의 쉬프트가 보정되는 과정을 보여주는 도면.FIG. 5 is a view illustrating a process in which a threshold voltage is sampled when the threshold voltage of the organic light emitting diode is shifted in the organic light emitting diode according to the embodiment of the present invention to correct the shift of the threshold voltage. FIG.
도 6은 본발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 도면.6 is a view schematically showing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.
도 7은 본발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자의 화소에 대한 등가회로도.7 is an equivalent circuit diagram of a pixel of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention;
도 8은 본발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자의 게이트배선 및 데이터배선에 공급되는 전압에 대한 파형도.8 is a waveform diagram of a voltage supplied to a gate wiring and a data wiring of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080131131A KR101504938B1 (en) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | Organic electroluminescent display device and method of driving the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080131131A KR101504938B1 (en) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | Organic electroluminescent display device and method of driving the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100072657A true KR20100072657A (en) | 2010-07-01 |
KR101504938B1 KR101504938B1 (en) | 2015-03-23 |
Family
ID=42635798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080131131A KR101504938B1 (en) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | Organic electroluminescent display device and method of driving the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101504938B1 (en) |
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---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2008-12-22 KR KR1020080131131A patent/KR101504938B1/en active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR101504938B1 (en) | 2015-03-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200219 Year of fee payment: 6 |