KR20100070938A - Apparatus for chemical vapor deposition - Google Patents

Apparatus for chemical vapor deposition Download PDF

Info

Publication number
KR20100070938A
KR20100070938A KR1020080129692A KR20080129692A KR20100070938A KR 20100070938 A KR20100070938 A KR 20100070938A KR 1020080129692 A KR1020080129692 A KR 1020080129692A KR 20080129692 A KR20080129692 A KR 20080129692A KR 20100070938 A KR20100070938 A KR 20100070938A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
induction coil
substrate
vapor deposition
pitch
Prior art date
Application number
KR1020080129692A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101060759B1 (en
Inventor
홍종파
이원신
장성환
김창성
Original Assignee
삼성엘이디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성엘이디 주식회사 filed Critical 삼성엘이디 주식회사
Priority to KR1020080129692A priority Critical patent/KR101060759B1/en
Publication of KR20100070938A publication Critical patent/KR20100070938A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101060759B1 publication Critical patent/KR101060759B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PURPOSE: A chemical vapor deposition device is provided to improve productivity by reducing crack phenomenon and bowing of a substrate by uniformly heating a substrate in a susceptor. CONSTITUTION: A susceptor(20) is included within a reaction chamber(10). The susceptor stores an epitaxial-growing substrate(26). A discharging part(60) discharging reaction gas into the outside in the central part of the reaction chamber. An induction coil part(40) offers a uniform temperature distribution to the susceptor. The induction coil part has a spiral shape based on the center of rotation(C).

Description

화학 기상 증착 장치{Apparatus for chemical vapor deposition}Chemical vapor deposition apparatus {Apparatus for chemical vapor deposition}

본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 서셉터가 균일한 온도 분포로 가열도록 유도 코일간의 피치를 서셉터의 중간부분에서는 넓게하고, 내측과 외측부분은 좁게 구성한 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to a chemical vapor deposition apparatus configured to widen the pitch between induction coils in the middle part of the susceptor and to narrow the inner and outer parts so that the susceptor is heated to a uniform temperature distribution. It is about.

화학 기상 증착 장치는 다양한 종류로 이루어지며, 특히 유기 금속 화학 기상 증착 장치(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)는 화학 반응을 이용하여 피증착물(일반적으로 반도체 웨이퍼 등의 기판을 포함 함)에 금속 산화막을 형성하는 박막 형성 장치로서, 진공으로 이루어진 챔버 내에서 가열된 기판에 증기압이 높은 금속의 유기 화합물 증기를 보내어 그 금속의 막을 기판에 성장시키도록 하는 장치이다.Chemical vapor deposition apparatuses are made of various types, and in particular, organic organic chemical vapor deposition (MOCVD) metal oxide films are deposited on a deposit (generally including a substrate such as a semiconductor wafer) by using a chemical reaction. A thin film forming apparatus for forming a film, wherein the organic compound vapor having a high vapor pressure is sent to a heated substrate in a vacuum chamber to grow a film of the metal on the substrate.

최근에는 LED 용 기판에 에피 성장(epitaxial(EPI) growth)을 향상시키기 위해 유기 금속 화학 기상 증착 장치의 대형화가 이루어지고 있다. Recently, in order to improve epitaxial (EPI) growth on an LED substrate, an organometallic chemical vapor deposition apparatus has been enlarged in size.

유기 금속 화학 기상 증착 장치에서 생산된 최종 제품인 LED의 발광 색상이 동일하게 나오기 위해서 기판 위에서 성장되는 에피의 PL(photoluminescence) 균일도가 확보되어야 한다. In order to achieve the same emission color of the LED, the final product produced in the organometallic chemical vapor deposition apparatus, the PL (photoluminescence) uniformity grown on the substrate must be secured.

에피의 PL 균일도는 위치별 성장 온도 분포, 성장에 필요한 가스의 위치에 따른 농도 분포, 가스 유속 분포 등이 영향을 미치는 것으로 알려져 있으며, 이 중 위치별 성장 온도 분포가 가장 중요한 인자로서 작용한다. EP uniformity of epi is known to affect the growth temperature distribution by location, the concentration distribution according to the position of the gas required for growth, the gas flow rate distribution, among which the growth temperature distribution by location is the most important factor.

에피의 성장 온도를 유지하기 위한 방법으로 RF 유도 가열, 저향 가열, 복사 가열 등 여러 방법이 있지만, 온도 균일도 확보, 빠른 승온 속도, 장비 유지 보수측면에서 RF 유도 가열 방법이 선호된다. There are various methods for maintaining the growth temperature of the epi, such as RF induction heating, bottom heating, radiant heating, but RF induction heating method is preferred in terms of ensuring temperature uniformity, fast heating rate, and equipment maintenance.

종래에는 RF 유도 가열을 위해, 그래파이트(graphite)로 이루어며 평판 디스크 타입으로 된 서셉터의 아래에 동일한 피치(pitch)의 스파이럴 타입의 RF 코일을 배치한 화학 기상 증착 장치를 사용하였다. Conventionally, for the RF induction heating, a chemical vapor deposition apparatus using a graphite and a spiral type RF coil of equal pitch is disposed under a susceptor made of graphite.

그러나, 이러한 화학 기상 증착 장치의 RF 코일로 서셉터를 가열하는 경우, 서셉터의 전체 부분에 걸쳐 중간부분의 온도에서 피크를 이루고 양 측부로 갈수록 낮아지는 온도 분포가 형성된다. However, when the susceptor is heated with the RF coil of such a chemical vapor deposition apparatus, a temperature distribution is formed that peaks at the temperature of the middle portion and lowers toward both sides throughout the entire portion of the susceptor.

이러한 온도 분포는 화학 기상 증착 장치가 대형화 함에 따라 온도 차이가 커지게 되어 균일한 온도 확보가 어려워 지는 문제점이 있다. Such a temperature distribution has a problem in that it is difficult to secure a uniform temperature because the temperature difference increases as the chemical vapor deposition apparatus is enlarged.

서셉터를 균일하게 가열하지 못하면, 반응이 균일하지 못해 LED 제품의 PL 균일화를 얻기 어려우며, 서셉터 내의 기판이 보잉(bowing) 등의 열변형이 발생하므로, 생산성이 저하되는 문제점이 있다. If the susceptor is not uniformly heated, it is difficult to obtain PL homogenization of the LED product due to uneven reaction, and thermal deformation such as bowing of the substrate in the susceptor occurs, which causes a problem in that productivity is lowered.

본 발명은 서셉를 균일한 온도 분포로 가열하기 위해 서셉터 가열부를 서셉터 중간부분에는 피치 간격이 넓고, 서셉터의 양 측부에는 피치 간격이 좁게 형성하는 화학 기상 증착 장치를 제공한다. The present invention provides a chemical vapor deposition apparatus in which a susceptor heating part has a wide pitch spacing in the middle of the susceptor and a narrow pitch spacing at both sides of the susceptor to heat the susceptor in a uniform temperature distribution.

본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치는 반응챔버 내에서 에피 성장하는 기판이 수용되는 서셉터; 및 상기 서셉터에 균일한 온도 분포를 제공하는 유도 코일부;를 포함하며, 상기 유도 코일부는 상기 기판이 수용된 서셉터의 중간부분은 상기 유도 코일의 피치가 넓고, 상기 기판이 수용된 서셉터의 내외측 부분은 코일의 피치가 좁을 수 있다. Chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a susceptor is accommodated in the epi-grown substrate in the reaction chamber; And an induction coil part for providing a uniform temperature distribution to the susceptor, wherein the induction coil part has a pitch of the induction coil in a middle portion of the susceptor in which the substrate is accommodated, and the inside of the susceptor in which the substrate is accommodated. The outer portion may have a narrow pitch of the coil.

또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 유도 코일은 연속하는 하나의 코일이 피치의 간격이 다르도록 제조될 수 있다. In addition, the induction coil of the chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may be manufactured so that one continuous coil has a different pitch interval.

또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 유도 코일은 분리된 상기 중간부분의 코일과 상기 내외측 부분의 코일을 상호 브레이징 용접으로 접합하여 제공될 수 있다. In addition, the induction coil of the chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may be provided by bonding the separated coil of the middle portion and the coil of the inner and outer portions by mutual brazing welding.

또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 유도 코일은 스파이럴 형상일 수 있다. In addition, the induction coil of the chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may have a spiral shape.

또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 코일 사이의 피치는 상기 유도 코일의 외측 또는 내측에서 유도 코일부의 중심까지 n개의 피 치(d)가 있는 경우 피치의 함수관계는 식(1)을 만족하며, 여기서, 식 (1): di=delta·di-1 (i=2, 3, 4,…,n, delta=1.05~1.5)이고, delta는 피치의 증가분일 수 있다. In addition, the pitch between the coils of the chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention is a function of the pitch when there are n pitches (d) from the outside or inside of the induction coil to the center of the induction coil portion Satisfying equation (1), where equation (1): d i = delta · d i-1 (i = 2, 3, 4,…, n, delta = 1.05 to 1.5), where delta is an increase in pitch Can be.

본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치에 의하면, 서셉터 전체에 걸쳐 균일한 온도 분포를 얻을 수 있어, LED 제품의 PL 균일화를 얻을 수 있어 제품의 신뢰성을 얻을 수 있다. According to the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, it is possible to obtain a uniform temperature distribution over the entire susceptor, to obtain PL uniformity of the LED product and to obtain product reliability.

또한, 서셉터 내의 기판이 보잉 등의 열변형이 발생하지 않으므로, 열변형에 의한 파손이 줄어들어 생산성이 향상된다. In addition, since the substrate in the susceptor does not undergo thermal deformation such as boeing, breakage due to thermal deformation is reduced and productivity is improved.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다. Hereinafter, with reference to the drawings will be described in detail a specific embodiment of the present invention. However, the spirit of the present invention is not limited to the embodiments presented, and those skilled in the art who understand the spirit of the present invention may deteriorate other inventions or the present invention by adding, modifying, or deleting other elements within the scope of the same idea. Other embodiments that fall within the scope of the inventive concept may be readily proposed, but they will also be included within the scope of the inventive concept.

또한, 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. In addition, components with the same functions within the scope of the same idea shown in the drawings of the embodiments will be described using the same reference numerals.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 개략 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 다른 화학 기상 증착 장치(1)는 서셉터(20)와 유도 코일부(40)를 포함하여 구성된다. Referring to FIG. 1, the chemical vapor deposition apparatus 1 according to the present invention includes a susceptor 20 and an induction coil unit 40.

상기 서셉터(20)는 화학 기상 증착 장치(1)의 반응챔버(10) 내에 구비되며, 유입되는 가스에 의해 기판(26)은 에피 성장한다. The susceptor 20 is provided in the reaction chamber 10 of the chemical vapor deposition apparatus 1, and the substrate 26 is epitaxially grown by the introduced gas.

상기 반응챔버(10)의 중심부에는 가스유입부(12)에 의해 상기 반응챔버(10)로 분사되는 반응가스가 외부로 배출되도록 하는 배출부(60)가 구비된다. In the center of the reaction chamber 10 is provided with a discharge unit 60 for discharging the reaction gas injected into the reaction chamber 10 by the gas inlet 12 to the outside.

상기 반응챔버(10)는 반응가스가 유동하며 화학반응을 통해 기판(26)에 대한 박막 성장이 일어나는 공간이다. 상기 반응챔버(10)는 상기 기판(26)의 상부에 형성되는 공간을 기판 천정부(14)가 덮어 형성된다. 상기 기판 청정부(14)는 반응챔버 커버(16)에 연결된다. The reaction chamber 10 is a space in which a reaction gas flows and thin film growth on the substrate 26 occurs through a chemical reaction. The reaction chamber 10 is formed by covering the substrate ceiling 14 with a space formed on the substrate 26. The substrate cleaner 14 is connected to the reaction chamber cover 16.

연결된 커버(16)가 서셉터(20)를 수용하는 프레임(25)을 덮어 형성된다. An associated cover 16 is formed covering the frame 25 containing the susceptor 20.

상기 서셉터(20)는 원형의 디스크로 상기 기판(26)이 수용되는 기판 수용홈(24)이 형성된다. 상기 서셉터(20)에는 다수의 기판(26)이 수용되며, 회전축(62)을 중심(이하, 회전 중심(C))으로 상기 기판들(26)이 대응되도록 수용될 수 있다. The susceptor 20 is a circular disk having a substrate receiving groove 24 in which the substrate 26 is accommodated. A plurality of substrates 26 may be accommodated in the susceptor 20, and the substrates 26 may be accommodated so that the substrates 26 correspond to the rotation axis 62 as the center (hereinafter, the rotation center C).

상기 유도 코일부(40)는 상기 기판(26)이 수용되는 서셉터(20)의 중간 부분의 온도를 낮추고 내외측 부분의 온도를 높이기 위해 연속적으로 코일(40)의 피치를 다르게 형성한다. The induction coil unit 40 continuously forms different pitches of the coil 40 to lower the temperature of the middle portion of the susceptor 20 in which the substrate 26 is accommodated and to increase the temperature of the inner and outer portions.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 서셉터와 가열부 사이의 관계를 도시하기 위해 서셉터의 일부를 절개하여 나타낸 개략 사시도이며, 도 3은 도 2의 A-A'에 따라 절개하여 본 개략 단면도이다. Figure 2 is a schematic perspective view showing a part of the susceptor cut to show the relationship between the susceptor and the heating unit according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a cutaway view according to AA 'of FIG. It is a schematic cross section.

도 2 및 도 3을 참조하면, 유도 코일부(40)는 원판형의 서셉터(20)의 저부에서 연속하는 하나의 코일이 연속적으로 피치가 변화하도록 고안된다. 2 and 3, the induction coil portion 40 is designed such that the pitch of one coil continuous at the bottom of the disc-shaped susceptor 20 continuously changes.

상기 유도 코일부(40)는 회전 중심(C)을 기준으로 회전 중심(C) 부분은 코일이 없으며, 스파이럴(spiral) 형상을 가진다. The induction coil unit 40 has no coil and has a spiral shape based on the rotation center C without a coil.

상기 기판(26)이 수용된 서셉터(20)의 중간부분(β)은 상기 유도 코일부(40)의 피치(d2, d3, d4)가 넓고, 상기 기판(26)이 수용된 서셉터(20)의 내외측 부분(α,γ)은 코일의 피치(d1, d5)가 좁게 형성된다. The middle portion β of the susceptor 20 in which the substrate 26 is accommodated has a wide pitch d2, d3, and d4 of the induction coil unit 40, and the susceptor 20 in which the substrate 26 is accommodated. The inner and outer portions α and γ of the coil have narrow pitches d1 and d5.

상기 유도 코일부(40)의 피치(d1, d2, d3, d4, d5)를 조절하여 상기 서셉터(20) 상의 기판(26)에 균일한 온도 분포를 제공할 수 있다. The pitches d1, d2, d3, d4, and d5 of the induction coil part 40 may be adjusted to provide a uniform temperature distribution to the substrate 26 on the susceptor 20.

도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유도 코일부의 개략 사시도이다. 4 is a schematic perspective view of an induction coil unit according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 상기 유도 코일부(40)는 분리되어 각각 다른 피치를 가지는 다수의 코일이 브레이징 용접으로 접합될 수 있다. Referring to FIG. 4, the induction coil unit 40 may be separated, and a plurality of coils having different pitches may be joined by brazing welding.

도 4에는, 유도 코일부(40)는 다른 피치를 가지는, 기판(26)이 수용된 서셉터(20)의 중간부분의 코일(44)과 내외측 코일(42, 46)이 블레이징 용접으로 접합하여 제공된다. In Fig. 4, the induction coil portion 40 has a different pitch, and the coil 44 of the middle portion of the susceptor 20 in which the substrate 26 is accommodated and the inner and outer coils 42 and 46 are joined by blazing welding. Is provided.

연속적인 하나의 코일에 비해 짧은 길이의 코일들(42, 44, 46) 각각을 동일 한 피치로 벤딩을 하므로 제조하기가 용이한 장점이 있다. Compared to one continuous coil, each of the coils 42, 44, and 46 having a short length is bent at the same pitch, and thus it is easy to manufacture.

도 4의 실시예의 유도 코일부(40)의 피치의 간격이나, 코일의 형상은 도 3의 유도 코일부(40)와 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다. Since the pitch interval and the shape of the coil of the induction coil unit 40 of the embodiment of FIG. 4 are the same as those of the induction coil unit 40 of FIG. 3, a detailed description thereof will be omitted.

도 3 및 도 4의 유도 코일부(40)의 피치는 아래의 함수 관계로 결정된다. The pitch of the induction coil part 40 of Figs. 3 and 4 is determined by the following functional relationship.

유도 코일부(40)의 외측 또는 내측을 시점으로 유도 코일부(40)의 중심을 종점으로 할 때, 유도 코일부(40)의 외측 또는 내측에서 유도 코일부(40)의 중심까지 n개의 피치(d)가 있는 경우 피치의 함수관계는 식(1)과 같다. When the center of the induction coil unit 40 is the end point from the outside or the inside of the induction coil unit 40 as a starting point, n pitches are performed from the outside or the inside of the induction coil unit 40 to the center of the induction coil unit 40. In the case of (d), the functional relationship of the pitch is given by Equation (1).

식 (1): di=delta·di-1 (i=2, 3, 4,…,n)Equation (1): d i = delta-d i-1 (i = 2, 3, 4, ..., n)

여기서, delta=1.05~1.5Where delta = 1.05 to 1.5

즉, 유도 코일부(40)의 외측 또는 내측에서 중심까지 피치의 증가분인 delta는 1.05에서 1.5까지이며, 이에 의해 결정된 피치 간격은 서셉터(20) 상의 기판(26)을 균일한 온도 분포로 가열할 수 있다. That is, the delta, which is the increase in pitch from the outer or inner side to the center of the induction coil part 40, is from 1.05 to 1.5, and the pitch interval determined thereby heats the substrate 26 on the susceptor 20 with a uniform temperature distribution. can do.

특히, 기판(26)을 균일한 온도 분포로 가열하므로, 기판(26)의 보잉(bowing), 크랙 현상을 줄일 수 있다. In particular, since the substrate 26 is heated to a uniform temperature distribution, bowing and cracking of the substrate 26 can be reduced.

유도 가열부(40)의 코일 피치를 달리하여 균일한 온도 분포가 도시된 시뮬레 이션 결과를 이하에서 설명하도록 한다. By varying the coil pitch of the induction heating unit 40, a simulation result showing a uniform temperature distribution will be described below.

도 5는 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치의 서셉터에서의 온도 분포와 종래 화학 기상 증착 장치의 서셉터에서의 온도 분포를 비교한 그래프이다. 5 is a graph comparing the temperature distribution in the susceptor of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention and the temperature distribution in the susceptor of the conventional chemical vapor deposition apparatus.

여기서, 그래프 상에 도시된 기호 a는 종래의 유도 코일부의 피치가 동일한 경우에 나타난 서셉터의 위치에 따른 온도 분포결과이다. 피치가 동일한 경우는 외측으로 열이 공급되지 않는 부분이 있는 내외측 부분에 비해 중간부분에서 온도 피크를 이루며, 양 내외측으로 갈 수록 온도가 낮아진다. Here, the symbol a shown on the graph is a temperature distribution result according to the position of the susceptor shown when the pitch of the conventional induction coil part is the same. If the pitch is the same, the temperature peak is formed at the middle part, compared to the inner and outer parts, in which there is no heat supply to the outside, and the temperature is lowered toward both inner and outer parts.

기호 b는 도 2 및 도 3의 하나의 코일을 연속하게 피치가 다르도록 형성한 유도 코일부를 사용한 경우에 나타난 서셉터의 위치에 따른 온도 분포결과이며, 도 c는 도 4의 다수의 코일을 전체적으로 피치가 다르게 브레이징 접합한 경우에 나타난 서셉터의 위치에 따른 온도 분포 결과이다. Symbol b is a result of temperature distribution according to the position of the susceptor shown in the case of using an induction coil unit formed by continuously pitching one coil of FIGS. 2 and 3, and FIG. It is the result of temperature distribution according to the position of susceptor when the overall pitch is brazed joints differently.

기호 b 및 기호 c는 기호 a에 비해 서셉터 상의 기판에 균일한 온도 분포로 가열하며, 기호 b는 기호 c에 비해 높은 온도를 얻을 수 있는 반면, 제조에 있어서는 하나의 코일을 연속적으로 피치를 다르게 하는 경우보다 전체적으로 다른 피치를 이루도록 분리된 다수의 코일을 각각 동일한 피치로 벤딩하여 접합하는 것이 용이한 장점이 있다. Symbols b and c are heated to a uniform temperature distribution on the substrate on the susceptor compared to symbol a, while symbol b can achieve a higher temperature than symbol c, whereas in manufacture, one coil is continuously pitched differently. In this case, it is easy to bend and join a plurality of coils separated from each other to form a different pitch as a whole.

본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치에 의하면, 서셉터 전체에 걸쳐 균일한 온도 분포를 얻을 수 있어, LED 제품의 PL 균일화를 얻을 수 있어 제품의 신뢰성을 얻을 수 있다. According to the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, it is possible to obtain a uniform temperature distribution over the entire susceptor, to obtain PL uniformity of the LED product and to obtain product reliability.

또한, 서셉터 내의 기판이 보잉 등의 열변형이 발생하지 않으므로, 열변형에 의한 파손이 줄어들어 생산성이 향상된다. In addition, since the substrate in the susceptor does not undergo thermal deformation such as boeing, breakage due to thermal deformation is reduced and productivity is improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 개략 단면도. 1 is a schematic cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 서셉터와 유도 코일부 사이의 관계를 도시하기 위해 서셉터의 일부를 절개하여 나타낸 개략 사시도. Figure 2 is a schematic perspective view showing a portion of the susceptor cut to show the relationship between the susceptor and the induction coil portion according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 A-A'에 따라 절개하여 본 개략 단면도. 3 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2;

도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유도 코일부의 개략 사시도. 4 is a schematic perspective view of an induction coil unit according to another embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치의 서셉터에서의 온도 분포와 종래 화학 기상 증착 장치의 서셉터에서의 온도 분포를 비교한 그래프. 5 is a graph comparing the temperature distribution in the susceptor of the chemical vapor deposition apparatus and the temperature distribution in the susceptor of the conventional chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10: 반응챔버 20: 서셉터10: reaction chamber 20: susceptor

24: 기판 수용홈 26: 기판24: substrate receiving groove 26: substrate

40: 가열부 60: 배기부40: heating part 60: exhaust part

Claims (5)

반응챔버 내에서 에피 성장하는 기판이 수용되는 서셉터; 및 A susceptor for receiving an epitaxially grown substrate in the reaction chamber; And 상기 서셉터에 균일한 온도 분포를 제공하는 유도 코일부;를 포함하며, And an induction coil part providing a uniform temperature distribution to the susceptor. 상기 유도 코일부는 상기 기판이 수용된 서셉터의 중간부분은 상기 유도 코일의 피치가 넓고, 상기 기판이 수용된 서셉터의 내외측 부분은 코일의 피치가 좁은 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치. The induction coil unit is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the middle portion of the susceptor accommodated in the substrate has a wide pitch of the induction coil, the inner and outer portions of the susceptor in which the substrate is accommodated narrow the pitch of the coil. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유도 코일은 연속하는 하나의 코일이 피치의 간격이 다르도록 제조되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치. The induction coil is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that one continuous coil is manufactured so that the pitch interval is different. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유도 코일은 분리된 상기 중간부분의 코일과 상기 내외측 부분의 코일을 상호 브레이징 용접으로 접합하여 제공되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치. And the induction coil is provided by joining the separated coils of the intermediate portion and the coils of the inner and outer portions by mutual brazing welding. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유도 코일은 스파이럴 형상인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치. And the induction coil has a spiral shape. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 코일 사이의 피치는 상기 유도 코일의 외측 또는 내측에서 유도 코일부의 중심까지 n개의 피치(d)가 있는 경우 피치의 함수관계는 식(1)을 만족하며, When the pitch between the coils has n pitches d from the outside or the inside of the induction coil to the center of the induction coil part, the function relation of the pitch satisfies Equation (1), 여기서, 식 (1): di=delta·di-1 (i=2, 3, 4,…,n, delta=1.05~1.5)이고, delta는 피치의 증가분인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치. Here, equation (1): d i = delta-d i-1 (i = 2, 3, 4, ..., n, delta = 1.05 to 1.5), and delta is an increase in pitch, which is a chemical vapor deposition. Device.
KR1020080129692A 2008-12-18 2008-12-18 Chemical vapor deposition apparatus KR101060759B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080129692A KR101060759B1 (en) 2008-12-18 2008-12-18 Chemical vapor deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080129692A KR101060759B1 (en) 2008-12-18 2008-12-18 Chemical vapor deposition apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100070938A true KR20100070938A (en) 2010-06-28
KR101060759B1 KR101060759B1 (en) 2011-08-31

Family

ID=42368606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080129692A KR101060759B1 (en) 2008-12-18 2008-12-18 Chemical vapor deposition apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101060759B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117802577A (en) * 2023-12-29 2024-04-02 研微(江苏)半导体科技有限公司 Semiconductor epitaxial growth apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102514491B1 (en) 2022-12-21 2023-03-27 주식회사 디스닉스 Single type High Temperature Susceptor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6142798U (en) * 1984-08-24 1986-03-19 日立電子エンジニアリング株式会社 Electromagnetic induction furnace for wafer heating
JPH0638115B2 (en) 1985-09-26 1994-05-18 株式会社東芝 Refueling device fall prevention device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117802577A (en) * 2023-12-29 2024-04-02 研微(江苏)半导体科技有限公司 Semiconductor epitaxial growth apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR101060759B1 (en) 2011-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11746414B2 (en) Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
TWI565825B (en) Gas injection components for deposition systems and related methods
TWI465294B (en) Multi-gas straight channel showerhead
US20150292088A1 (en) Deposition systems having interchangeable gas injectors and related methods
WO1999051797A1 (en) A method and a device for epitaxial growth of objects by chemical vapour deposition
CN101925980A (en) CVD apparatus
US20120231615A1 (en) Semiconductor thin-film manufacturing method, semiconductor thin-film manufacturing apparatus, susceptor, and susceptor holder
US8882911B2 (en) Apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal
JP2012520578A (en) MOCVD reactor with a cover plate that is associated with a heat dissipation element differently at different locations
WO2011011532A2 (en) Hollow cathode showerhead
JP2012519239A (en) Gas injector for a CVD system with a gas injector
US20120180726A1 (en) Susceptor and chemical vapor deposition apparatus comprising the same
US20100126419A1 (en) Susceptor for cvd apparatus and cvd apparatus including the same
JP2008034780A (en) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SiC SUBSTRATE WITH EPITAXIAL SiC FILM, AND ITS EPITAXIAL SiC FILM-FORMING DEVICE
EP2869334A1 (en) Gas supply unit for supplying multiple gases, and method for manufacturing same
KR101060759B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus
KR101462259B1 (en) Batch type apparatus for forming deposition layer
JP5087983B2 (en) Silicon carbide semiconductor crystal film forming apparatus and silicon carbide semiconductor crystal film forming method
CN101351578A (en) Differentiated-temperature reaction chamber
WO2011108640A1 (en) Crystal growing apparatus, method for manufacturing nitride compound semiconductor crystal, and nitride compound semiconductor crystal
JP5251720B2 (en) Chemical vapor deposition semiconductor film forming apparatus and chemical vapor deposition semiconductor film forming method
JP6233209B2 (en) Susceptor and manufacturing method thereof
KR101625008B1 (en) Unit for supplying process gas
KR102063490B1 (en) Emiconductor manufacturing apparatus
JP2005228757A (en) Apparatus and method for growing vapor phase

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee