KR20100061118A - 어드레스 전극 페이스트 - Google Patents

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KR20100061118A
KR20100061118A KR1020080120012A KR20080120012A KR20100061118A KR 20100061118 A KR20100061118 A KR 20100061118A KR 1020080120012 A KR1020080120012 A KR 1020080120012A KR 20080120012 A KR20080120012 A KR 20080120012A KR 20100061118 A KR20100061118 A KR 20100061118A
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Abstract

본 발명은 어드레스 전극 페이스트에 관한 것이다. 본 발명에 따른 어드레스 전극 페이스트는, 아크릴계 바인더 10 내지 25wt%, 모노머 8 내지 12wt%, 무연 유리 프릿 2 내지 12wt%, 은 분말 50 내지 74wt% 및 용매 5 내지 30wt% 를 포함하고, 모노머는 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane etoxylate triacrylate, TMPEOTA)인 것을 특징으로 한다. 이에 의해 인체에 유해한 납을 포함하지 않고, 전극 소성시 발생하는 전극의 수축에 따른 잔사를 개선할 수 있다.
잔사, 무연 유리 프릿, 어드레스 전극 페이스트

Description

어드레스 전극 페이스트{Address electrode paste}
본 발명은 어드레스 전극 페이스트에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 무연의 유리 프릿과 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane etoxylate triacrylate, TMPEOTA) 모노머를 포함하는 어드레스 전극 페이스트에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma display panal, PDP)은 격벽으로 분리된 방전셀에 방전가스를 주입하고, 플라즈마 발광시에 발생하는 자외선이 형광체를 여기시켜 바닥상태로 돌아갈 때의 에너지 차에 의해 발생하는 가시광선의 발광현상을 이용한 표시소자이다.
플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 상부 패널과 그와 평행하게 결합된 하부 패널로 구성되며, 상부패널은 상부 기판 상에 스캔 전극 및 서스테인 전극이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지 전극 쌍을 포함하고, 하부 패널에는 하부 기판 상에 상부 패널에 형성된 복수의 유지 전극 쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극이 배열된다. 현재까지 주로 사용되고 있는 전극 페이스트용 유리 프릿의 경우 PbO가 주성분이었다.
이러한 PbO에는 인체나 환경에 유해한 물질인 납성분이 포함되어 있어, 이를 대체할 필요가 있다. 그러나, 무연의 전극 페이스트는 유연의 전극 페이스트 대비 전극 수축 잔사의 열위에 따라 형성된 전극간에 단락이 발생할 수 있다.
본 발명의 목적은 무연의 유리 프릿을 사용하더라도 전극 소성시 발생하는 전극의 수축에 따른 잔사를 개선할 수 있는 어드레스 전극 페이스트의 제공에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 어드레스 전극 페이스트는, 아크릴계 바인더 10 내지 25wt%, 모노머 8 내지 12wt%, 무연 유리 프릿 2 내지 12wt%, 은 분말 50 내지 74wt% 및 용매 5 내지 30wt% 를 포함하고, 모노머는 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane etoxylate triacrylate, TMPEOTA)인 것을 특징으로 한다.
또한, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 어드레스 전극 페이스트는, 무연 유리 프릿은 전체 유리 프릿의 중량에 대해 Bi2O3 20 내지 60 wt％, SiO2 5 내지 15 wt%, B2O3 10~20 wt％, Al2O3 5 내지 20 wt% 및 ZnO 10 내지 60 wt% 포함한다.
본 발명에 따르면, 어드레스 전극 페이스트가 인체에 유해한 납을 포함하지 않고, 전극 소성시 발생하는 전극의 수축에 따른 잔사를 개선할 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 어드레스 전극 페이스트는 아크릴계 바인더 10 내지 25wt%, 무연 유리 프릿 2 내지 12wt%, 은 분말 50 내지 74wt%, 용매 5 내지 30wt% 및 모노머 8 내지 12wt% 를 포함할 수 있다.
바인더는 전극을 형성하는 무기재료를 분산시켜 결합시키는 역할 및 점도를 조절하는 역할을 하며, 다관능성 모노머 또는 올리고머와 혼화성이 좋은 고분자들이 사용될 수 있다. 바인더로는 아크릴 모노머로 공중합시킨 아크릴 바인더가 사용될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 그 외에 에틸셀룰로오즈(Ethyl-Cellulose), 히드록시에틸셀룰로오즈(Hydroxyethyl-Cellulose), 히드록시프로필셀룰로오즈(Hydroxypropyl-Cellulose) 또는 히드록시에틸히드록시프로필셀룰로오즈(Hydroxyethylhydroxypropyl-Cellulose) 등의 셀룰로오즈 유도체들과 함께 사용될 수도 있다.
이러한 바인더는 10 내지 25wt% 포함될 수 있다. 바인더가 10wt% 미만으로 포함된 경우는 형성되는 도막 중의 유기 바인더의 분포가 불균일해질 수 있어 도전막의 강도가 떨어지거나 기재와의 밀착성이 떨어질 수 있다.
반면에, 25wt% 를 초과하는 경우는 점성이 높아져 도포성 등이 저하될 수 있기 때문에 바람직하지 않다.
한편, 본 발명에 사용되는 유리 프릿은 납 성분을 포함하지 않은 무연 유리 프릿으로 2 내지 12wt% 포함될 수 있다.
유리 프릿이 2 wt% 미만으로 포함된 경우는 기판에 대한 도전막의 접착 강도 가 충분하지 않을 수 있으며, 반면에 12 wt%를 초과하여 첨가되는 경우는 도전막의 소결성이 저하되고, 생성된 전극의 저항이 증가할 수 있다.
한편 유리 프릿은 Bi2O3 20 내지 60 wt％, SiO2 5 내지 15 wt%, B2O3 10~20 wt％, Al2O3 5 내지 20 wt% 및 ZnO 10 내지 60 wt% 포함할 수 있다.
Bi2O3는 전체 유리 프릿의 중량에 대해 20 내지 60wt%가 바람직하며, Bi2O3가 20wt% 미만 포함되는 경우는 유리의 융점을 낮추기가 어렵고, 반면에 Bi2O3가 60wt% 보다 많이 포함되는 경우는 유리의 열팽창계수를 증가시킨다.
SiO2는 유리 형성 성분으로 유리를 화학적 및 광학적으로 안정화 시킬 수 있으며, 유리전이온도(Tg) 및 유리연화온도(Ts)를 크게 높이는 역할을 한다.
SiO2의 함량이 전체 유리 프릿의 중량에 대해 5 wt% 보다 작은 경우는 페이스트의 화학적 및 광학적 안정성이 저해될 수 있으며, 15 wt%보다 큰 경우는, 유리전이온도(Tg) 및 유리연화온도(Ts)가 지나치게 높아져, 생성된 유리는 상분리가 쉽게 일어날 수 있다.
또한, 유전체용 조성물은 전체 유리 프릿의 중량에 대해 10 내지 20 wt%의 B2O3를 포함할 수 있다. B2O3는 조성물의 유리화 범위를 확장하기 위한 유리 형성 성분으로, 망목 구조를 형성하는 역할을 한다.
따라서, B2O3의 함량이 전체 유리 프릿 중량에 대해 10 wt% 미만인 경우에는 조성물의 망목 구조를 충분히 형성할 수 없으며, 20wt% 보다 큰 경우에는 조성물의 전이 온도가 상승되는 것을 방지하기 어려우므로, B2O3는 10 내지 20 wt%로 포함되는 것이 바람직하다.
Al2O3은 상 분리를 조정하기 위한 요소이며, 열팽창계수를 감소시키고, 고온 점도를 증가시켜 조성물의 기계적, 화학적 안정성을 향상시킬 수 있다.
Al2O3의 함량이 전체 유리 프릿의 중량에 대해 5 wt% 미만인 경우에는 조성물의 기계적, 화학적 안정성을 저해할 수 있으며, 20 wt% 초과인 경우에는 열팽창계수 및 소성영역에서 점도 거동이 부적합할 수 있으므로, Al2O3은 5 내지 20 wt%로 포함되는 것이 바람직하다.
ZnO의 비율은 10~60중량%가 바람직하며, 이 비율이 10중량%보다 낮으면 약산에 대한 식각특성이 나빠지며, 이 비율이 60중량%보다 높으면 유리화가 되기 어렵다.
한편, 상술한 무연의 유리 프릿은 BaO, MgO, Sb2O3, CaO, Li2O, Na2O, K2O 및 CeO2 에서 선택된 적어도 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
한편, 유리 프릿의 유리 전이온도(Tg)는 350 내지 550℃ 인 것이 바람직하다. 유리 프릿의 유리 전이점(Tg)이 350℃ 이상인 경우는 기포, 팽창 등의 발생이 억제되며, 550℃ 기판과의 밀착성이 우수하고, 핀 홀의 발생이나 에지컬 등의 형상 불량이 효과적으로 억제될 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서 유리 프릿은 핀 홀이 없는 소성 패턴으로 효과적으 로 만들기 위해 입경이 최대 입경(Dmax) 1.0 내지 4.5 ㎛, 평균 입경(D50) 0.2 내지 1.2 ㎛의 범위에 있는 미세 분말이 바람직하다.
은(Ag) 분말은 페이스트에 도전성을 부여하며, 형상으로서는 구상, 플레이크상 등 특별히 제한되지는 않으나 분산성 등을 고려하면 구상인 것이 바람직하다.
은 분말은 50 내지 74 wt%로 포함될 수 있다. 은 분말이 50wt% 보다 적은 경우는, 페이스트로부터 얻어지는 도전체 패턴의 충분한 도전성이 얻어지지 않고, 한편, 74wt%를 초과하여 포함되면, 기재와의 밀착성이 떨어지기 때문에 바람직하지 않다.
용매는 유기 바인더를 용해시킬 수 있고, 기타 첨가제와 잘 혼합되면서 비등점이 150도 이상인 것을 사용할 수 있다. 이에는 a-터피놀(a-Terpinol), 부틸 카비톨 아세테이트(buty cabitol acetate), 텍사놀(Texonol), 부틸 카비톨(butly cabitol) 등 알데히드기를 포함하는 것 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
이러한 용매는 5 내지 30 wt%로 포함되는 것이 바람직하다. 용매의 포함량이 5 wt% 미만인 경우는, 기재상에 페이스트가 균일하게 도포되기 어려울 수 있으며, 반면에 30 wt% 보다 많이 포함되는 경우는, 도전체 패턴의 충분한 도전성이 얻어지지 않고, 기재와의 밀착성이 떨어지기 때문에 바람직하지 않다.
한편, 본 발명에 따른 어드레스 전극 페이스트에 첨가되는 모노머는 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane etoxylate triacrylate, TMPEOTA)로 8 내지 12wt% 포함될 수 있다.
트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane etoxylate triacrylate, TMPEOTA)인 모노머를 포함함으로써, 무연의 유리프릿을 사용한 페이스트로 전극을 형성한 경우에 전극 소성시 발생하는 잔사를 개선할 수 있다.
하기 표 1은 다양한 모노머를 첨가한 어드레스 전극 페이스트의 조성을 나타낸다. 바인더는 아크릴 바인더, 용매는 Butyl carbitol, 광개시제는 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드를 사용하였다. 여기서 특별히 언급이 없는 한 단위는 모두 wt%이다.

바인더
 용매 모노머 광개시제 은
분말		 유리
프릿
9-EGDA TMPEOTA BPE-200 A-TMPT PETIA
실시예1 13 17 11 - - - - 3 52 4
실시예2 13 17 - 11 - - - 3 52 4
실시예3 13 17 - - 11 - - 3 52 4
실시예4 13 17 - - - 11 - 3 52 4
실시예5 13 17 - - - - 11 3 52 4
비교예
6		 13 17 - 11 - - 3 52 4
9-EGDA : 9-ethylene glycol diacrylate
TMPEOTA : Trimethylolpropane etoxylate Triacrylate
PETIA : Pentaerythritol triacrylate
A-TMPT : Trimethylolpropane Triacrylate
BPE-200 : Ethoxylated bisphenol A dimethacrylate
상기 표 1에서 실시예 1 내지 5는 Bi2O3-SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-CeO2계의 조성을 가지는 무연 유리프릿을 사용하였으며, 비교예 6은 PbO-Si2O-B2O3-Al2O3-TiO2-Bi2O3계의 조성을 갖니는 유연 유리프릿을 사용하였다.
도 1은 표 1의 각 실시예의 조성에 따라 형성한 전극의 잔사를 도시한다.
도 1의 (a),(b),(c),(d),(e),(f)는 표 1의 실시예 1, 2, 3, 4, 5, 6의 결과를 나타낸다. 도 1에서 알 수 있듯이, 무연의 유리프릿의 조성을 가지는 경우 실시예 2 즉, 모노머로 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트를 첨가한 경우가 전극의 수축시 잔사가 남지 않는 것을 알 수 있다.
한편, 비교예 6은 실시예 2와 동일한 모노머를 첨가한 경우이나, 유연 유리프릿의 조성을 가지는 경우는 (f)에서 볼 수 있듯이 전극의 잔사가 많이 남는 것을 알 수 있다. 따라서, 무연의 유리 프릿의 조성에 모노머로 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트를 첨가함으로써, 인체에 유해한 납을 포함하지 않고, 전극 소성시 발생하는 전극의 수축에 따른 잔사를 개선할 수 있다.
하기 표 2는 상기 표 1과 같은 조건에서 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane etoxylate triacrylate, TMPEOTA)의 첨가량에 따른 어드레스 전극 페이스트의 조성을 나타낸다.
바인더 용매 모노머 광개시제 은분말 유리프릿
실시예1 13 23 5 3 52 4
실시예2 13 21 7 3 52 4
실시예3 13 17 11 3 52 4
실시예4 13 15 13 3 52 4
실시예5 13 13 15 3 52 4
상기 표 2의 실시예 1 내지 5는 모노머의 함량을 점차 증가시키며, 전체 함량을 조절하기 위해 용매의 함량을 감소시켰다.
도 2는 표 2의 조성에 따라 형성한 전극의 잔사를 도시한다.
도 2의 (b),(c),(d),(e)는 각각 표 2의 실시예 2, 3, 4, 5의 결과를 나타낸다. 실시예 1의 경우는 전극의 현상시 탈락이 발생하였다.
표 2 및 도 2에서 알 수 있듯이, 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트는 8 내지 12wt%로 첨가되는 것이 바람직하다.
트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트는의 함량이 12wt%를 초과하는 경우는 높은 경화 때문에 현상시에 패턴의 박리 현상이 심해지고, 패턴의 직전성이 악화된다. 또한, 8wt% 미만의 함량인 경우는 낮은 감도 및 경화 때문에 정상적인 패턴 실현이 어려워진다.
한편, 본 발명의 어드레스 전극 페이스트는 광 중합 개시제로서, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 벤조인과 벤조인알킬에테르류; 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논 등의 아세토페논류; 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논 등의 아미노아세토페논류; 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 2,4-디메틸티오크산톤,2,4-디에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤류; 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류; 벤조페논 등의 벤조페논류; 또는 크산톤류; (2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-펜틸포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 에틸-2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스피네이트 등의 포스핀옥시드류; 각종 퍼옥시드류 등을 들 수 있고, 이들 공지 관용의 광 중합 개시제를 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 어드레스 전극 페이스트는 필요에 따라서 실리콘계, 아크릴계 등의 소포ㆍ레벨링제, 피막의 밀착성 향상을 위한 실란 커플링제 등의 다른 첨가제를 배합할 수도 있다.
그 외에 필요에 따라서 도전성 금속 분말의 산화를 방지하기 위한 공지 관용의 산화 방지제나, 보존시의 열적 안정성을 향상시키기 위한 열 중합 금지제, 소성시에 있어서의 기판과의 결합 성분으로서의 금속 산화물, 규소 산화물, 붕소 산화물, 저융점 유리 등의 미립자를 더 첨가할 수도 있으며, 소성 수축을 조정할 목적으로 실리카, 산화비스무스, 산화알루미늄, 산화티탄 등의 무기 분말, 유기 금속 화합물, 금속 유기산염, 금속 알콕시드 등을 첨가할 수도 있다.
도 3은 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조공정을 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하여 설명하면, 우선 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(110)에 상술한 조성을 가지는 어드레스 전극 페이스트(120)를 스크린 인쇄법, 바 코터, 블레이드 코터 등 적절한 방법으로 도포한다. 이어서 지촉(指觸) 건조성을 얻기 위해서, 열풍 순환식 건조로나 원적외선 건조로에서 건조시켜 유기 용매를 증발시킨다.
다음에, (b)와 같이 페이스트(120)가 도포된 기판(110)에 일정한 패턴이 형성된 네가티브 마스크(130)를 위치시킨다. 이때, 마스크(130)는 전극(124)이 형성될 위치와 대응되는 위치에 개구(132)가 형성되어 있다.
마스크(130)를 위치시킨 후, 마스크(130)의 상부에서 일정시간 노광한다. 노광량으로서는 50 내지 1000 mJ/cm2 정도가 바람직하다. 이때 사용되는 활성 광원은, 예를 들어, 가시광선, 근적외선, 자외선, 전자선, X선 밍 레이저 광 등이 있으며, 바람직하게는 자외선을 사용한다.
자외선 광원으로는 예를 들어, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프 및 살균등 등을 사용할 수 있다. 바람직하게는 초고압 수은등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 아니함은 물론이다.
노광 공정 단계에서 UV 램프를 조사하는 경우, 페이스트(120)는 상기 UV 램프에 감응하여 경화된다. 이때, 개구들(132)의 하부에 위치한 페이스트(120)는 상기 UV 램프가 조사되어 경화되고, 개구들(132)이 형성되지 않은 부분의 하부에 위치한 페이스트(120)는 상기 UV 램프가 투과하지 못하여 경화되지 않는다.
이어서, 마스크(132)를 제거한 후, 상부기판(110)을 현상액으로 현상한다. 현상 공정으로서는 분무법, 침지법 등이 이용된다.
그 결과, (c)에 도시된 바와 같이, 상기 UV 램프에 감응하여 경화된 부분만 남고, 나머지 부분의 페이스트(120)는 제거된다. 이어서, 소성공정을 수행하여 전극(124)의 형성을 완료한다. 이때, 소성공정 후에 전극의 잔사가 남을 수 있다. 다. 이는 전극의 단락을 유발할 수 있으며, 패널에서 발생한 빛을 차단하여 조도를 떨어뜨릴 수 있다. 특히 무연 유리프릿의 조성을 포함하는 경우는 유연에 비해 전극 잔사 열위에 있다.
그러나, 본 발명에 따른 어드레스 전극 페이스트은 모노머로 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트를 8 내지 12wt% 포함하여 무연의 유리프릿의 조성을 포함하는 경우에도 전극 잔사를 개선할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 어드레스 전극을 포함하는 PDP의 구조를 도시한 도이다.
도면을 참조하면, 플라즈마 디스플레이 패널(200)은 상부기판(210) 상에 형성되는 유지 전극 쌍인 스캔 전극(211) 및 서스테인 전극(212), 하부기판(220) 상에 형성되는 어드레스 전극(222)을 포함한다.
상기 유지 전극 쌍(211, 212)은 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide;ITO)로 형성된 투명전극(211a, 212a)과 버스 전극(211b, 212b)을 포함하며, 상기 버스 전극(211b, 212b)은 은(Ag), 크롬(Cr) 등의 금속 또는 크롬/구리/크롬(Cr/Cu/Cr)의 적층형이나 크롬/알루미늄/크롬(Cr/Al/Cr)의 적층형으로 형성될 수 있다.
버스 전극(211b, 212b)은 투명전극(211a, 212a) 상에 형성되어, 저항이 높은 투명전극(211a, 212a)에 의한 전압 강하를 줄이는 역할을 한다.
한편, 스캔 전극(211) 및 서스테인 전극(212)의 투명전극(211a, 212a)과 버스전극(211b, 211c)의 사이에는 상부 기판(210)의 외부에서 발생하는 외부광을 흡수하여 반사를 줄여주는 광차단의 기능과 상부 기판(210)의 퓨리티(Purity) 및 콘트라스트를 향상시키는 기능을 하는 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM, 215)가 배열된다.
블랙 매트릭스(215)는 상부 기판(210)에 형성되는데, 격벽(221)과 중첩되는 위치에 형성되는 제1 블랙 매트릭스(215)와, 투명전극(211a, 212a)과 버스전극(211b, 212b)사이에 형성되는 제2 블랙 매트릭스(211c, 212c)로 구성될 수 있다.
여기서, 제 1 블랙 매트릭스(215)와 블랙층 또는 블랙 전극층이라고도 하는 제 2 블랙 매트릭스(211c, 212c)는 형성 과정에서 동시에 형성되어 물리적으로 연결될 수 있고, 동시에 형성되지 않아 물리적으로 연결되지 않을 수도 있다.
또한, 물리적으로 연결되어 형성되는 경우, 제 1 블랙 매트릭스(215)와 제 2 블랙 매트릭스(211c, 212c)는 동일한 재질로 형성되지만, 물리적으로 분리되어 형성되는 경우에는 다른 재질로 형성될 수 있다.
스캔 전극(211)과 서스테인 전극(212)이 나란하게 형성된 상부기판(210)에는 상부 유전체층(213)과 보호막(214)이 적층된다. 상부 유전체층(213)에는 방전에 의하여 발생된 하전입자들이 축적되고, 유지 전극 쌍(211, 212)을 보호하는 기능을 수행할 수 있다.
보호막(214)은 가스 방전시 발생된 하전입자들의 스피터링으로부터 상부 유전체층(213)을 보호하고, 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다.
어드레스 전극(222)은 스캔 전극(211) 및 서스테인 전극(212)과 교차되는 방향으로 형성된다.
여기서 어드레스 전극(222)은, 아크릴계 바인더 10 내지 25wt%, 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane etoxylate triacrylate, TMPEOTA) 모노머 8 내지 12wt%, 무연 유리 프릿 2 내지 12wt%, 은 분말 50 내지 74wt% 및 용매 5 내지 30wt% 를 포함하는 페이스트로 형성될 수 있다.
따라서, 인체에 유해한 납을 포함하지 않고, 어드레스 전극(222) 소성시 발생하는 전극의 수축에 따른 잔사를 개선할 수 있다.
어드레스 전극(222)이 형성된 하부기판(220) 상에는 하부 유전체층(224)과 격벽(221)이 형성된다.
하부 유전체층(224)은 어드레스 전극(222) 보호와 전기적으로는 콘덴서 역학을 하며, 방전광이 배면기판쪽으로 투과되는 것을 막기 위하여 백색으로 형성하고 있다.
하부 유전체층(224)의 형성방법은 스크린 인쇄법이 주류를 이루고 있으나, green sheet laminate법, slot coater법, roll coater법 등 각종 coater에 의한 형성방법에 의해 형성할 수 있다.
격벽(221)은 스크린 인쇄법, Sand blast법, Lift-off법, 감광성 페이스트법, Direct Etching법 등에 의해 형성할 수 있다.
또한, 하부 유전체층(224)과 격벽(221)의 표면에는 형광체층(223)이 형성된다. 격벽(221)은 세로 격벽(221a)와 가로 격벽(221b)가 폐쇄형으로 형성되고, 방전셀을 물리적으로 구분하며, 방전에 의해 생성된 자외선과 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어 져서는 안 될 것이다.
도 1은 표 1의 조성에 따라 형성한 전극의 잔사를 도시한다.
도 2는 표 2의 조성에 따라 형성한 전극의 잔사를 도시한다.
도 3은 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조공정을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 어드레스 전극을 포함하는 PDP의 구조를 도시한 도이다.

Claims (10)

  1. 아크릴계 바인더 10 내지 25wt%, 모노머 8 내지 12wt%, 무연 유리 프릿 2 내지 12wt%, 은 분말 50 내지 74wt% 및 용매 5 내지 30wt% 를 포함하고,
    상기 모노머는 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane etoxylate triacrylate, TMPEOTA)인 어드레스 전극 페이스트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 무연 유리 프릿은 전체 유리 프릿의 중량에 대해 Bi2O3 20 내지 60 wt％, SiO2 5 내지 15 wt%, B2O3 10~20 wt％, Al2O3 5 내지 20 wt% 및 ZnO 10 내지 60 wt% 포함하는 어드레스 전극 페이스트.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 무연 유리 프릿은 BaO, MgO, Sb2O3, CaO, Li2O, Na2O, K2O 및 CeO2 에서 선택된 적어도 하나 이상을 더 포함하는 어드레스 전극 페이스트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 용매는 a-터피놀(a-Terpinol), 부틸 카비톨 아세테이트(buty cabitol acetate), 텍사놀(Texonol) 및 부틸 카비톨(butly cabitol) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 어드레스 전극 페이스트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿의 최대 입경(Dmax)은 1.0 내지 4.5 ㎛이고, 평균 입경(D50) 0.2 내지 1.2 ㎛인 어드레스 전극 페이스트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿의 유리 전이온도(Tg)는 350 내지 550℃ 인 어드레스 전극 페이스트.
  7. 제1항에 있어서,
    광중합 개시제, 레벨링제, 소포제 및 커플링제 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 어드레스 전극 페이스트.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 광중합 개시제는 벤조인알킬에테르류, 아세토페논류, 아미노아세토페논류, 안트라퀴논류, 티오크산톤류, 벤조페논류, 크산톤류, 포스핀옥시드류 및 퍼옥시드류 중 적어도 어느 하나를 포함하는 어드레스 전극 페이스트.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 어드레스 전극 페이스트의 소성물로 형성된 어드레스 전극.
  10. 제9항의 어드레스 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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