KR20100059724A - 분산 파워 제어 기능을 갖는 전력 증폭기 - Google Patents
분산 파워 제어 기능을 갖는 전력 증폭기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100059724A KR20100059724A KR1020090114760A KR20090114760A KR20100059724A KR 20100059724 A KR20100059724 A KR 20100059724A KR 1020090114760 A KR1020090114760 A KR 1020090114760A KR 20090114760 A KR20090114760 A KR 20090114760A KR 20100059724 A KR20100059724 A KR 20100059724A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- unit power
- output
- power amplifiers
- bias
- power
- Prior art date
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 20
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 20
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0277—Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
- H03F1/0266—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/105—A non-specified detector of the power of a signal being used in an amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/318—A matching circuit being used as coupling element between two amplifying stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/543—A transmission line being used as coupling element between two amplifying stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21103—An impedance adaptation circuit being added at the input of a power amplifier stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21118—An input signal dependant signal being measured by power measuring at the input of a power amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21139—An impedance adaptation circuit being added at the output of a power amplifier stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7206—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the bias circuit of the amplifier controlling a bias voltage in the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7236—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Claims (20)
- 적어도 하나의 출력 포트, 적어도 하나의 바이어스 제어 포트 및 적어도 하나의 스위치 제어 포트를 각각 포함하는 복수의 단위 전력 증폭기;상기 복수의 단위 전력 증폭기 각각의 상기 적어도 하나의 출력 포트에 각각 연결되는 복수의 1차 권선;상기 복수의 1차 권선에 유도결합되며 전체 출력을 제공하는 2차 권선;상기 적어도 하나의 바이어스 제어 포트를 통해 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 적어도 하나의 출력 파워 레벨의 적어도 일부에 따라 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 제어기; 및상기 스위치 제어 포트에 각각 제어 신호를 제공함으로써 상기 복수의 단위 전력 증폭기의 적어도 일부를 활성화 또는 비활성화 시키는 스위치 제어기를 포함하는 전력 증폭 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 단위 전력 증폭기는 상기 바이어스 제어기로부터 제공되는 각각의 바이어스 전압에 따라 동작하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 바이어스 전압에 따른 상기 단위 전력 증폭기 각각의 동작은 각 단위 전력 증폭기의 효율에 의해 특성이 결정되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 2차 권선은 출력 파워 레벨을 갖는 전체 출력을 제공하며, 상기 바이어스 전압 및 제어 신호 중 적어도 하나는 상기 출력 파워 레벨의 적어도 일부에 반응하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제4항에 있어서,상기 출력 파워 레벨은, 적어도 하나의 제1 파워 출력 범위 및 상기 제1 파워 출력 범위보다 낮은 제2 파워 출력 범위를 포함하는 복수의 출력 파워 범위 중 하나에 포함되며, 상기 제1 파워 출력 범위는 제1 작동 모드를 규정하고, 상기 제2 파워 출력 범위는 제2 작동 모드를 규정하며,상기 제1 작동 모드에서, 상기 스위치 제어기는 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 제1 개수의 단위 전력 증폭기를 활성화하고,상기 제2 작동 모드에서, 상기 스위치 제어기는 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 상기 제1 개수보다 적은 제2 개수의 단위 전력 증폭기를 활성화 하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제5항에 있어서,상기 제1 작동 모드에서, 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 활성화된 단위 전력 증폭기 각각에 대한 상기 바이어스 전압은 제1 정전압이며,상기 제2 작동 모드에서, 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 활성화된 단위 전력 증폭기 각각에 대한 상기 바이어스 전압은 제2 정전압인 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제5항에 있어서,상기 제1 작동 모드에서, 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 활성화된 단위 전력 증폭기 각각에 대한 상기 바이어스 전압은 상기 출력 파워 레벨에 따른 제1 바이어스 전압 범위 내에서 변동되고,상기 제2 작동 모드에서, 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 활성화된 단위 전력 증폭기 각각에 대한 상기 바이어스 전압은 상기 출력 파워 레벨에 따른 제2 바이어스 전압 범위 내에서 변동되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제5항에 있어서,상기 복수의 출력 파워 범위는, 상기 제2 파워 출력 범위보다 낮으며 제3 작동 모드를 규정하는 제3 파워 출력 범위를 더 포함하며,상기 제3 작동 모드에서, 상기 스위치 제어기는 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 상기 제2 개수보다 적은 제3 개수의 단위 전력 증폭기를 활성화 하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 단위 전력 증폭기 각각은, 이득 스테이지 및 스위치 스테이지를 포함하며, 상기 이득 스테이지 각각은 상기 바이어스 제어 포트를 제공하고, 상기 스위치 스테이지 각각은 상기 스위치 제어 포트를 제공하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제9항에 있어서,상기 스위치 제어기가 상기 복수의 단위 전력 증폭기 각각을 비활성화 하는 경우, 상기 이득 스테이지의 출력은 상기 복수의 단위 전력 증폭기 각각의 출력 포트 중 적어도 하나로부터 아이솔레이션 되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제9항에 있어서,상기 이득 스테이지 각각은 제1 게이트 또는 베이스, 제1 소스 또는 에미터, 및 제1 드레인 또는 콜렉터를 포함하는 제1 트랜지스터를 포함하고,상기 스위치 스테이지 각각은 제2 게이트 또는 베이스, 제2 소스 또는 에미터, 및 제2 드레인 또는 콜렉터를 포함하는 제2 트랜지스터를 포함하며,상기 제1 게이트 또는 베이스는 상기 적어도 하나의 바이어스 제어 포트 각각에 연결되고, 상기 제1 소스 또는 에미터는 접지되며, 상기 제1 드레인 또는 콜 렉터는 상기 제2 소스 또는 에미터에 연결되고, 상기 제2 게이트 또는 베이스는 상기 적어도 하나의 스위치 제어 포트 각각에 연결되며, 상기 제2 드레인 또는 콜렉터는 상기 적어도 하나의 출력 포트 각각에 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제11항에 있어서,상기 제1 게이트 또는 베이스는 제1 바이어스 저항을 통해 상기 바이어스 제어기에 연결되고, 상기 제2 게이트 또는 베이스는 제2 바이어스 저항을 통해 상기 스위치 제어기와 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제11항에 있어서,상기 제2 드레인 또는 콜렉터는 직류 전압 전원에 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 일차 권선 각각은 1회의 턴수를 가지며, 상기 2차 권선은 1회 보다 많은 턴수를 갖는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 입력포트, 출력 포트, 바이어스 제어 포트 및 스위치 제어 포트를 각각 포함하는 복수의 단위 전력 증폭기;상기 복수의 단위 전력 증폭기의 출력 포트에 각각 연결되는 복수의 1차 권선 및 상기 복수의 1차 권선에 유도결합 되는 단일 2차 권선을 포함하는 트랜스포머; 및상기 복수의 단위 전력 증폭기 각각을 바이어스하고 활성화하는 적어도 하나의 제어기를 포함하며,상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 적어도 하나의 활성화된 단위 전력 증폭기의 출력은 각각 상기 1차 권선에 제공되며, 상기 1차 권선은 전체 출력을 제공하도록 상기 2차 권선에 전압을 유도하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제15항에 있어서,상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 바이어스 되고 활성화 된 단위 전력 증폭기는, 상기 전체 출력에 대한 출력 파워 레벨의 적어도 일부에 반응하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제16항에 있어서,상기 출력 파워 레벨은, 적어도 하나의 제1 파워 출력 범위 및 상기 제1 파워 출력 범위보다 낮은 제2 파워 출력 범위를 포함하는 복수의 출력 파워 범위 중 하나에 포함되며, 상기 제1 파워 출력 범위는 제1 작동 모드를 규정하고, 상기 제2 파워 출력 범위는 제2 작동 모드를 규정하며,상기 제1 작동 모드에서, 상기 적어도 하나의 제어기에 의해 상기 복수의 단 위 전력 증폭기 중 제1 개수의 단위 전력 증폭기가 활성화되고,상기 제2 작동 모드에서, 상기 적어도 하나의 제어기에 의해 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 상기 제1 개수보다 적은 제2 개수의 단위 전력 증폭기가 활성화되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제17항에 있어서,상기 제1 작동 모드에서, 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 활성화된 단위 전력 증폭기 각각에 대한 상기 바이어스는 제1 정전압에서 이루어지며,상기 제2 작동 모드에서, 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 활성화된 단위 전력 증폭기 각각에 대한 상기 바이어스는 제2 정전압에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제17항에 있어서,상기 제1 작동 모드에서, 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 활성화된 단위 전력 증폭기 각각에 대한 상기 바이어스는 상기 출력 파워 레벨에 따른 제1 바이어스 전압 범위 내에서 변동되고,상기 제2 작동 모드에서, 상기 복수의 단위 전력 증폭기 중 활성화된 단위 전력 증폭기 각각에 대한 상기 바이어스는 상기 출력 파워 레벨에 따른 제2 바이어스 전압 범위 내에서 변동되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
- 제17항에 있어서,상기 단위 전력 증폭기 각각은, 이득 스테이지 및 스위치 스테이지를 포함하며, 상기 이득 스테이지 각각은 상기 바이어스 제어 포트를 제공하고, 상기 스위치 스테이지 각각은 상기 스위치 제어 포트를 제공하며,상기 이득 스테이지 각각은 제1 게이트 또는 베이스, 제1 소스 또는 에미터, 및 제1 드레인 또는 콜렉터를 포함하는 제1 트랜지스터를 포함하고,상기 스위치 스테이지 각각은 제2 게이트 또는 베이스, 제2 소스 또는 에미터, 및 제2 드레인 또는 콜렉터를 포함하는 제2 트랜지스터를 포함하며,상기 제1 게이트 또는 베이스는 상기 적어도 하나의 바이어스 제어 포트 각각에 연결되고, 상기 제1 소스 또는 에미터는 접지되며, 상기 제1 드레인 또는 콜렉터는 상기 제2 소스 또는 에미터에 연결되고, 상기 제2 게이트 또는 베이스는 상기 적어도 하나의 스위치 제어 포트 각각에 연결되며, 상기 제2 드레인 또는 콜렉터는 상기 적어도 하나의 출력 포트 각각에 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 시스템.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11778008P | 2008-11-25 | 2008-11-25 | |
US61/117,780 | 2008-11-25 | ||
US12/620,476 | 2009-11-17 | ||
US12/620,476 US7952433B2 (en) | 2008-11-25 | 2009-11-17 | Power amplifiers with discrete power control |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100059724A true KR20100059724A (ko) | 2010-06-04 |
KR101124055B1 KR101124055B1 (ko) | 2012-03-23 |
Family
ID=42195675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090114760A KR101124055B1 (ko) | 2008-11-25 | 2009-11-25 | 분산 파워 제어 기능을 갖는 전력 증폭기 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7952433B2 (ko) |
KR (1) | KR101124055B1 (ko) |
CN (1) | CN101741322B (ko) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101124064B1 (ko) * | 2010-03-12 | 2012-03-27 | 삼성전기주식회사 | 출력 정합 트랜스포머와 가상 접지를 갖는 저전력 모드 전력 증폭 장치 |
WO2017173119A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-mode stacked amplifier |
US10276521B2 (en) | 2016-12-29 | 2019-04-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Front end systems and related devices, integrated circuits, modules, and methods |
US10454432B2 (en) | 2016-12-29 | 2019-10-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency amplifiers with an injection-locked oscillator driver stage and a stacked output stage |
US11043466B2 (en) | 2017-03-10 | 2021-06-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency modules |
US11088112B2 (en) | 2016-04-18 | 2021-08-10 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency system-in-package with stacked clocking crystal |
KR20220082552A (ko) * | 2020-12-10 | 2022-06-17 | 성균관대학교산학협력단 | 다중 모드 가변 이득 전력 증폭 장치 |
WO2024096169A1 (ko) * | 2022-11-01 | 2024-05-10 | 주식회사 미연구소 | 바이어스 회로 및 이를 포함하는 전력 증폭 장치 |
US11984857B2 (en) | 2015-12-30 | 2024-05-14 | Skyworks Solutions, Inc. | Impedance transformation circuit for amplifier |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011112909A2 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Sunrise Micro Devices, Inc. | Power efficient communications |
US8466745B2 (en) * | 2010-08-25 | 2013-06-18 | Yaohui Guo | Hybrid reconfigurable multi-bands multi-modes power amplifier module |
US8310314B2 (en) * | 2010-09-06 | 2012-11-13 | Mediatek Inc. | Signal amplification circuits for receiving/transmitting signals according to input signal |
JP5620804B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2014-11-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高周波電力増幅装置 |
US9088319B2 (en) | 2011-04-21 | 2015-07-21 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | RF transmitter architecture, integrated circuit device, wireless communication unit and method therefor |
US10129055B2 (en) | 2011-04-21 | 2018-11-13 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | PA cell, PA module, wireless communication unit, RF transmitter architecture and method therefor |
US9379742B2 (en) | 2011-04-21 | 2016-06-28 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | RF transmitter, integrated circuit device, wireless communication unit and method therefor |
US9559879B2 (en) | 2011-04-21 | 2017-01-31 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | PA cell, PA module, wireless communication unit, RF transmitter architecture and method therefor |
US9647866B2 (en) | 2011-04-21 | 2017-05-09 | Mediatek Singapore Pte, Ltd. | RF transmitter, integrated circuit device, wireless communication unit and method therefor |
US9306502B2 (en) * | 2011-05-09 | 2016-04-05 | Qualcomm Incorporated | System providing switchable impedance transformer matching for power amplifiers |
US8502598B2 (en) * | 2011-09-30 | 2013-08-06 | Intel Corporation | Digitally-scalable transformer combining power amplifier |
KR20130055843A (ko) * | 2011-11-21 | 2013-05-29 | 한국전자통신연구원 | 전력 증폭기 및 그 증폭 방법 |
US8970297B2 (en) | 2012-03-19 | 2015-03-03 | Qualcomm Incorporated | Reconfigurable input power distribution doherty amplifier with improved efficiency |
US8897726B2 (en) | 2012-06-19 | 2014-11-25 | Qualcomm Incorporated | Block sharing using three-way transformers in wireless circuits |
US9287835B2 (en) | 2012-09-07 | 2016-03-15 | Broadcom Corporation | Low-quiescent current headset driver |
US9031518B2 (en) | 2012-12-17 | 2015-05-12 | Qualcomm Incorporated | Concurrent hybrid matching network |
US9160377B2 (en) | 2012-12-19 | 2015-10-13 | Qualcomm Incorporated | Multi-mode multi-band power amplifiers |
JP5821876B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2015-11-24 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
JP6182937B2 (ja) * | 2013-04-01 | 2017-08-23 | 株式会社ソシオネクスト | 電力増幅器及び通信装置 |
RU2511331C1 (ru) * | 2013-04-29 | 2014-04-10 | Общество с ограниченной ответственностью "ЛОКУС" | Высокочастотный балансный усилитель |
EP2840709A1 (en) * | 2013-08-22 | 2015-02-25 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (publ) | Amplifier and method of amplification |
US9450546B2 (en) * | 2014-01-27 | 2016-09-20 | Texas Instruments Incorporated | System, method and device for power amplification of a signal in an integrated circuit |
US9413406B2 (en) * | 2014-03-14 | 2016-08-09 | Qualcomm Incorporated | Single input multiple-output power amplifier |
US9685918B2 (en) | 2014-08-04 | 2017-06-20 | Skyworks Solutions, Inc. | Voltage mode power combiner for radio frequency linear power amplifier |
WO2016035166A1 (ja) * | 2014-09-03 | 2016-03-10 | 富士通株式会社 | 電力増幅回路及び半導体集積回路 |
US9685981B2 (en) * | 2015-03-06 | 2017-06-20 | Apple Inc. | Radio frequency system hybrid power amplifier systems and methods |
US9705452B2 (en) * | 2015-10-30 | 2017-07-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Protection circuit for power amplifier |
US10439576B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-10-08 | Skyworks Solutions, Inc. | High-linearity variable gain amplifier with bypass path |
US10256921B2 (en) | 2016-11-11 | 2019-04-09 | Skyworks Solutions, Inc. | Reducing impedance discontinuities on a shared medium |
US10396737B2 (en) | 2016-11-11 | 2019-08-27 | Skyworks Solutions, Inc. | Wide dynamic range amplifier system |
US10554188B2 (en) * | 2016-11-11 | 2020-02-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Transient output suppression in an amplifier |
US10256783B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-04-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dual-mode RF transmission frontend |
CN107196614A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-09-22 | 湖北凯乐科技股份有限公司 | 兼具大动态范围输出功率和高效率的射频功放装置 |
US10680560B2 (en) * | 2017-08-30 | 2020-06-09 | Mediatek, Inc. | Transformer or inductor sharing in a radio frequency amplifier and method therefor |
CN109714006A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-05-03 | 中国科学院微电子研究所 | 放大装置和电子设备 |
CN110166004B (zh) * | 2019-04-18 | 2023-12-22 | 翱捷科技股份有限公司 | 一种功率放大器减小功耗的方法及装置 |
KR20210145938A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-03 | 삼성전자주식회사 | 완전 대칭성을 가지는 3차원 적층 병렬-병렬 전력 결합기 및 이를 포함하는 통신 시스템 |
US11990876B2 (en) * | 2021-08-16 | 2024-05-21 | Qualcomm Incorporated | Multi-mode multi-port driver for transceiver interface |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0454006A (ja) | 1990-06-22 | 1992-02-21 | Fujitsu Ltd | 増幅装置 |
US5872481A (en) | 1995-12-27 | 1999-02-16 | Qualcomm Incorporated | Efficient parallel-stage power amplifier |
US6603352B2 (en) | 2001-12-03 | 2003-08-05 | Icefyre Semiconductor Corporation | Switched-mode power amplifier integrally performing power combining |
US6566944B1 (en) | 2002-02-21 | 2003-05-20 | Ericsson Inc. | Current modulator with dynamic amplifier impedance compensation |
US7157965B1 (en) | 2004-06-21 | 2007-01-02 | Qualcomm Incorporated | Summing power amplifier |
US7129784B2 (en) | 2004-10-28 | 2006-10-31 | Broadcom Corporation | Multilevel power amplifier architecture using multi-tap transformer |
US7336127B2 (en) * | 2005-06-10 | 2008-02-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Doherty amplifier configuration for a collector controlled power amplifier |
US7746174B2 (en) * | 2008-06-12 | 2010-06-29 | Samsung Electro-Mechanics Company, Ltd. | Systems and methods for power amplifier with integrated passive device |
-
2009
- 2009-11-17 US US12/620,476 patent/US7952433B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-25 KR KR1020090114760A patent/KR101124055B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-25 CN CN2009102260680A patent/CN101741322B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101124064B1 (ko) * | 2010-03-12 | 2012-03-27 | 삼성전기주식회사 | 출력 정합 트랜스포머와 가상 접지를 갖는 저전력 모드 전력 증폭 장치 |
US11984857B2 (en) | 2015-12-30 | 2024-05-14 | Skyworks Solutions, Inc. | Impedance transformation circuit for amplifier |
US11082008B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-08-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-mode stacked amplifier |
WO2017173119A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-mode stacked amplifier |
US10110168B2 (en) | 2016-04-01 | 2018-10-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-mode stacked amplifier |
US10651798B2 (en) | 2016-04-01 | 2020-05-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-mode stacked amplifier |
US11088112B2 (en) | 2016-04-18 | 2021-08-10 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency system-in-package with stacked clocking crystal |
US11576248B2 (en) | 2016-12-29 | 2023-02-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Front end systems with multi-mode power amplifier stage and overload protection of low noise amplifier |
US11037893B2 (en) | 2016-12-29 | 2021-06-15 | Skyworks Solutions, Inc. | Selectively shielded radio frequency module with linearized low noise amplifier |
US10629553B2 (en) | 2016-12-29 | 2020-04-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Front end systems with linearized low noise amplifier and injection-locked oscillator power amplifier stage |
US10454432B2 (en) | 2016-12-29 | 2019-10-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency amplifiers with an injection-locked oscillator driver stage and a stacked output stage |
US11864295B2 (en) | 2016-12-29 | 2024-01-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Selectively shielded radio frequency module with multi-mode stacked power amplifier stage |
US10276521B2 (en) | 2016-12-29 | 2019-04-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Front end systems and related devices, integrated circuits, modules, and methods |
US11043466B2 (en) | 2017-03-10 | 2021-06-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency modules |
US11682649B2 (en) | 2017-03-10 | 2023-06-20 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency modules |
KR20220082552A (ko) * | 2020-12-10 | 2022-06-17 | 성균관대학교산학협력단 | 다중 모드 가변 이득 전력 증폭 장치 |
WO2024096169A1 (ko) * | 2022-11-01 | 2024-05-10 | 주식회사 미연구소 | 바이어스 회로 및 이를 포함하는 전력 증폭 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100127780A1 (en) | 2010-05-27 |
CN101741322A (zh) | 2010-06-16 |
US7952433B2 (en) | 2011-05-31 |
CN101741322B (zh) | 2013-04-03 |
KR101124055B1 (ko) | 2012-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101124055B1 (ko) | 분산 파워 제어 기능을 갖는 전력 증폭기 | |
US8188788B2 (en) | Systems and methods for a discrete resizing of power devices with concurrent power combining structure for radio frequency power amplifier | |
US9614440B2 (en) | Power supply device and semiconductor integrated circuit device | |
US8274336B1 (en) | Saturated power amplifier system | |
US7728662B2 (en) | Saturated power amplifier with selectable and variable output power levels | |
US7642847B2 (en) | Power supply processing for power amplifiers | |
US7436257B2 (en) | High-efficiency mixed-mode power amplifier | |
US7479827B2 (en) | Multi-mode power amplifier with high efficiency under backoff operation | |
US7893770B2 (en) | Power amplification device | |
US20160118941A1 (en) | Amplication of a radio frequency signal | |
US20130285749A1 (en) | High-frequency power amplifier | |
US11929721B2 (en) | Power amplifier module | |
US20070270111A1 (en) | Dual power mode transmitter | |
US9825593B2 (en) | Highly linear, highly efficient wideband RF power amplifier having wide video bandwidth capability | |
KR20080010569A (ko) | 고주파 신호의 피크 엔벨롭 변조를 위한 전력 증폭기 회로 | |
US20230020495A1 (en) | Load-modulated push-pull power amplifier | |
US8269561B1 (en) | Systems and methods for CMOS power amplifiers with power mode control | |
Hiura et al. | High-efficiency 400 W power amplifier with dynamic drain voltage control for 6 MHz OFDM signal | |
CN114070215A (zh) | 功率放大器、功率放大器系统及其操作方法 | |
JP5389567B2 (ja) | 高周波増幅器および高効率化方法 | |
US11533030B2 (en) | Power amplifier module | |
US11533022B2 (en) | Power amplification apparatus | |
US20220021342A1 (en) | Envelope tracking supply modulator using linear amplifier with segmented output stage and associated wireless communication system | |
KR100519316B1 (ko) | 전력 증폭기 및 그의 제어 방법 | |
US20230344393A1 (en) | Power amplifier systems with frequency response compensation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150202 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160111 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180102 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190103 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200102 Year of fee payment: 9 |