KR20100058113A - Contact connection device for semiconductor device and contact connection method to semiconductor device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자 접촉 연결 장치 및 이를 이용하는 반도체 소자 접촉 연결 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 테스트 트레이에 적재된 검사 대상 반도체 소자가 인터페이스 보드(일명, 하이픽스(Hi-Fix)보드)에 구비된 소켓에 접촉 연결되어 테스터와 검사 대상 반도체 소자가 서로 신호 연결되도록 하는 반도체 소자 접촉 연결 장치 및 이를 이용하는 반도체 소자 접촉 연결 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor device contact connection device and a semiconductor device contact connection method using the same. In detail, the present invention allows the test target semiconductor device loaded on the test tray to be connected to a socket provided on an interface board (aka, Hi-Fix board) so that the tester and the test target semiconductor device are connected to each other. The present invention relates to a semiconductor device contact connection device and a semiconductor device contact connection method using the same.
반도체 소자 제조 공정에서, 제조된 각각의 반도체 소자를 테스트하여 양품 반도체 소자와 불량품 반도체 소자를 가려내는 공정이 필요하게 되며, 이때 반도체 소자의 양부를 구별하기 위해 테스트 신호를 생성하여 인가하고, 반도체 소자로부터 테스트 신호에 대응하는 응답 신호를 전달받아 분석하여 해당 반도체 소자의 양부를 판단하는 장치를 테스터라 한다. In the process of manufacturing a semiconductor device, a process of screening each manufactured semiconductor device and screening a good semiconductor device and a defective semiconductor device is required. In this case, a test signal is generated and applied to distinguish between the semiconductor device and the semiconductor device. A tester is a tester that receives a response signal corresponding to a test signal from the analyzer, analyzes the received signal, and determines whether the semiconductor device is good or bad.
이와 같이 테스터를 이용하여 반도체 소자의 양부를 테스트하기 위해서는, 검사 대상의 각각의 반도체 소자가 테스터와 신호 연결되어야 하는데, 이러한 신호 연결은 반도체 소자 접촉 연결 장치를 통해 이루어질 수 있다. As described above, in order to test the quality of the semiconductor device using the tester, each semiconductor device to be inspected must be signal-connected with the tester, and the signal connection can be made through the semiconductor device contact connection device.
이러한 반도체 소자 접촉 연결 장치는 복수개의 검사 대상 반도체 소자가 적재되어 있는 테스트 트레이, 테스트 트레이에 적재된 복수개의 반도체 소자에 각각 접촉하여 신호 연결을 수행하는 복수개의 소켓이 구비되어 있는 인터페이스 보드, 및 테스트 트레이에 적재된 복수개의 반도체 소자와 인터페이스 보드에 구비된 대응하는 복수개의 소켓이 서로 접촉 신호 연결되도록 테스트 트레이를 인터페이스 보드 방향으로 가압하는 가압부로 구성된다. The semiconductor device contact connecting device includes a test tray in which a plurality of inspection target semiconductor devices are loaded, an interface board having a plurality of sockets for contacting a plurality of semiconductor devices loaded on the test tray to perform signal connection, and a test. And a pressing unit for pressing the test tray in the direction of the interface board such that the plurality of semiconductor devices mounted on the tray and the corresponding plurality of sockets provided on the interface board are connected to each other via a contact signal.
이러한 반도체 소자 접촉 연결 장치의 구성을 통한 반도체 소자의 검사는 도 1에 도시된 바와 같이 이루어진다. The inspection of the semiconductor device through the configuration of the semiconductor device contact connection device is performed as shown in FIG. 1.
먼저, 복수개의 검사 대상 반도체 소자가 적재되어 있는 테스트 트레이가 인터페이스 보드에 대응하는 위치로 이동된다(s10). 그러면, 가압부가 테스트 트레이에 대응하는 위치로 이동되고(s20), 가압부가 테스트 트레이를 가압하여 테스트 트레이에 적재되어 있는 반도체 소자가 인터페이스 보드의 대응하는 소켓에 접촉되어 신호 연결되도록 한다(s30). 이와 같이, 반도체 소자와 소켓이 서로 신호 연결되면, 테스트 신호를 테스트 트레이에 적재된 반도체 소자에 인가하고 반도체 소자로부터 응답 신호를 수신하여 반도체 소자에 대한 검사를 수행하게 된다(s40). First, a test tray on which a plurality of inspection target semiconductor elements are loaded is moved to a position corresponding to an interface board (s10). Then, the pressing unit is moved to a position corresponding to the test tray (s20), and the pressing unit presses the test tray so that the semiconductor elements loaded on the test tray are in contact with the corresponding sockets of the interface board to be connected to the signal (s30). As such, when the semiconductor device and the socket are connected to each other, the test signal is applied to the semiconductor device loaded in the test tray, and a response signal is received from the semiconductor device to perform a test on the semiconductor device (S40).
이때, 복수개의 반도체 소자가 대응하는 복수개의 소켓에 정확히 접촉 연결되기 위해서는 가압부의 가압력이 매우 중요하다. 즉, 반도체 소자가 소켓에 충분히 가압되지 않는 경우, 반도체 소자와 소켓 사이에 신호 연결이 이루어지지 않을 수 있으며, 반도체 소자가 소켓에 지나치게 강하게 가압되는 경우, 반도체 소자가 소켓에 의해 파손될 우려가 있게 된다. At this time, the pressing force of the pressing unit is very important in order for the plurality of semiconductor elements to be exactly in contact with the corresponding plurality of sockets. That is, when the semiconductor device is not sufficiently pressed into the socket, a signal connection may not be made between the semiconductor device and the socket, and if the semiconductor device is pressed too strongly against the socket, the semiconductor device may be damaged by the socket. .
한편, 반도체 소자에 대한 검사는 다양한 환경하에서 수행되는데, 이러한 환경 온도는 -10℃, -5℃, 85℃, 및 100℃ 등과 같이 급격히 변경될 수 있는 바, 이러한 온도의 변화는 테스트 트레이, 인터페이스 보드, 및 가압부 등의 반도체 소자 접촉 연결 장치의 부피 변화를 유발할 수 있다. On the other hand, the inspection of the semiconductor device is carried out under a variety of environments, such an environmental temperature can be changed drastically, such as -10 ℃, -5 ℃, 85 ℃, and 100 ℃, such a change in temperature is the test tray, interface Volume change of the board and the semiconductor device contact connecting device such as the pressing part.
이와 같이 반도체 소자 접촉 연결 장치에 부피 변화가 발생하면, 반도체 소자와 소켓과의 연결을 위해 가압부가 동일한 거리만큼 이동하여 테스트 트레이를 가압하는 경우에도, 테스트 트레이에 적재된 반도체 소자에 인가되는 가압력에는 차이가 발생하게 된다. 즉, 반도체 소자가 소켓에 충분히 가압되지 않거나, 지나치게 강하게 가압될 수 있게 되며, 그에 따라 반도체 소자의 검사가 정확히 수행되지 않거나, 심지어는 검사 공정을 통해 반도체 소자가 파손될 수 있게 된다. As described above, when a volume change occurs in the semiconductor element contact connecting device, even when the pressing unit moves the same distance to press the test tray to connect the semiconductor element and the socket, the pressing force applied to the semiconductor element loaded on the test tray There will be a difference. That is, the semiconductor device may not be sufficiently pressed into the socket, or may be pressed too strongly, so that the inspection of the semiconductor device may not be accurately performed or even the semiconductor device may be broken through the inspection process.
특히, 최근 반도체 소자 제조 공정의 신속화와 대량화를 위해, 한번의 검사 공정을 통해 검사 수행될 반도체 소자의 개수가 증가하는 경향이 있어, 테스트 트레이, 이에 대응하는 인터페이스 보드, 및 이를 가압하는 가압부의 크기가 대형화되고 있다. 이와 같이 반도체 소자 접촉 연결 장치가 대형화되는 경우 온도 변화에 따른 반도체 소자 접촉 연결 장치의 부피 변화가 더욱 심해지기 때문에, 앞에서와 같은 반도체 소자 검사의 에러가 더욱 심각하게 될 수 있다. In particular, in order to speed up and mass-produce a recent semiconductor device manufacturing process, the number of semiconductor devices to be inspected tends to increase through a single inspection process, so that the size of a test tray, a corresponding interface board, and a pressing unit for pressing the same may be increased. Is becoming larger. In this case, when the semiconductor device contact connection device is enlarged, the volume change of the semiconductor device contact connection device becomes more severe according to the temperature change, and thus the error of the semiconductor device inspection as described above may be more serious.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 반도체 소자의 검사를 위한 온도 환경의 변화에 의해 장치에 부피 변화가 발생한 경우, 가압부의 가압 거리를 조절함으로써 테스트 트레이에 적재된 반도체 소자가 인터페이스 보드에 구비된 대응하는 소켓에 접촉 가압되는 가압력을 일정 범위 내로 유지할 수 있게 하는 반도체 소자 접촉 연결 장치 및 이를 이용하는 반도체 소자 접촉 연결 방법을 제공하고자 한다. In order to solve the problems of the prior art as described above, the present invention provides a semiconductor device loaded on a test tray by adjusting the pressing distance of the pressing unit when a volume change occurs in the device due to a change in temperature environment for inspection of the semiconductor device. Disclosed are a semiconductor device contact connecting device and a method of connecting a semiconductor device using the same, which can maintain a pressing force pressed against a corresponding socket provided in an interface board within a predetermined range.
위와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 한 특징에 따른 반도체 소자 접촉 연결 장치는 복수개의 검사 대상 반도체 소자가 테스터와 신호 연결을 이루도록, 상기 복수개의 검사 대상 반도체 소자가 적재되어 있는 테스트 트레이를 가압하는 장치로서, 상기 복수개의 반도체 소자에 각각 접촉 신호 연결되는 복수개의 소켓이 구비되어 있는 인터페이스 보드; 상기 테스트 트레이를 상기 인터페이스 보드 방향으로 가압하여 상기 테스트 트레이에 적재된 상기 복수개의 반도체 소자가 상기 인터페이스 보드의 대응하는 상기 복수개의 소켓에 각각 접촉 신호 연결되게 하는 가압부; 상기 가압부에 의해 인가되는 가압력을 측정하는 가압력 측정부; 및 상기 가압력 측정부에 의해 측정된 가압력 값을 이용하여 상기 가압부에 의해 인가되는 상기 가압력을 조절하는 가압력 조절부;를 포함한다. The semiconductor device contact connecting device according to an aspect of the present invention for solving the above problems is to press the test tray on which the plurality of inspection target semiconductor elements are loaded, so that the plurality of inspection target semiconductor elements make a signal connection with the tester. An apparatus comprising: an interface board having a plurality of sockets respectively connected to the plurality of semiconductor elements by contact signals; A pressing unit for pressing the test tray toward the interface board so that the plurality of semiconductor devices loaded on the test tray are connected to the corresponding plurality of sockets of the interface board, respectively; A pressing force measuring unit measuring a pressing force applied by the pressing unit; And a pressing force adjusting unit controlling the pressing force applied by the pressing unit by using the pressing force value measured by the pressing force measuring unit.
이러한 본 발명의 반도체 소자 접촉 연결 장치의 가압부는 상기 테스트 트레 이를 접촉 가압하는 가압 플레이트; 및 상기 가압 플레이트를 가압 거리만큼 이동시켜 상기 테스트 트레이가 가압되게 하는 구동부;를 포함하는 데, 이때 상기 가압 조절부는 상기 측정된 가압력 값에 따라 상기 가압 거리를 조절함으로써 상기 가압력이 조절되도록 한다. The pressurizing part of the semiconductor device contact connecting device of the present invention includes a pressurizing plate contacting and pressing the test tray; And a driving unit for moving the pressing plate by a pressing distance to press the test tray, wherein the pressing adjusting part adjusts the pressing distance according to the measured pressing force value.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 반도체 소자 접촉 연결 방법은 앞서 반도체 소자 접촉 연결 장치를 이용하여 상기 테스트 트레이를 가압하여 상기 복수개의 검사 대상 반도체 소자가 상기 테스터에 접촉 신호 연결되게 하는 방법으로서, a) 상기 가압부에 의해 상기 테스트 트레이가 상기 인터페이스 보드에 접촉 가압되도록 상기 테스트 트레이와 상기 가압부를 위치시키는 단계; 및 b) 상기 복수개의 반도체 소자가 대응하는 상기 복수개의 소켓에 일정 범위의 가압력으로 접촉 신호 연결되도록 상기 가압력을 조절하면서 상기 테스트 트레이를 가압하는 단계;를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of contact connecting a semiconductor device by using a semiconductor device contact connecting device to pressurize the test tray so that the plurality of test target semiconductor devices are contact signal-connected to the tester. Positioning the test tray and the pressing unit such that the test tray is pressed against the interface board by the pressing unit; And b) pressing the test tray while adjusting the pressing force such that the plurality of semiconductor devices are connected to the corresponding plurality of sockets by a contact signal with a pressing range of a predetermined range.
이러한 본 발명의 반도체 소자 접촉 연결 방법에서, 상기 단계 b)의 상기 가압력 조절 과정은 상기 측정된 가압력 값이 상기 일정 범위에 속할 때까지 반복 수행되는데, 이러한 상기 가압력 조절 과정의 반복 회수가 소정의 회수를 초과하거나 상기 가압력 조절 과정에 소요되는 시간이 소정의 시간을 초과하는 경우, 상기 가압력 조절부는 이를 에러로 판단하도록 구성될 수 있다. In the semiconductor device contact connection method of the present invention, the pressing force adjusting process of step b) is repeatedly performed until the measured pressing force value falls within the predetermined range, and the number of times of repeating the pressing force adjusting process is a predetermined number of times. If the time exceeds the time or the time required for the pressure adjustment process exceeds a predetermined time, the pressing force adjustment unit may be configured to determine this as an error.
그리고, 본 발명의 반도체 소자 접촉 연결 방법에서, 상기 가압부가 하나의 상기 테스트 트레이에 대하여 복수 개로 구비되는 경우, 상기 가압력 조절부가 복수개의 가압부로부터 측정된 상기 가압력 값들을 비교하여 에러 여부를 판단하는 단계를 더 수행하도록 구성될 수 있다. In the semiconductor device contact connection method of the present invention, when a plurality of the pressing units are provided with respect to one test tray, the pressing force adjusting unit compares the pressing force values measured from the plurality of pressing units to determine whether there is an error. It may be configured to perform further steps.
본 발명의 반도체 소자 접촉 연결 방법의 단계 b)에서, 상기 가압력 측정부는 상기 가압력 값을 n회 측정하고, 상기 가압력 조절부는 상기 n회 측정된 가압력 값들 중에서 최대 가압력 값과 최소 가압력 값을 비교하여 에러 여부를 판단하는 단계를 더 수행하도록 구성될 수 있다. In step b) of the semiconductor device contact connection method of the present invention, the pressing force measuring unit measures the pressing force value n times, and the pressing force adjusting part compares the maximum pressing force value and the minimum pressing force value among the pressing force values measured n times. It may be configured to further perform the step of determining whether or not.
본 발명의 반도체 소자 접촉 연결 방법의 상기 단계 b)에서, 상기 가압부가 상기 테스트 트레이를 접촉 가압하는 가압 플레이트, 및 상기 가압 플레이트를 가압 거리만큼 이동시켜 상기 테스트 트레이가 가압되게 하는 구동부를 포함하는 경우, 상기 가압력 조절부는 i) 측정된 가압력 값이 기 설정된 가압력 범위에 속하는지 여부를 판단하는 단계; ii) 측정된 가압력 값이 기 설정된 가압력 범위를 초과하는 경우, 상기 가압부의 가압 거리를 단축 조절하는 단계; 및 iii) 측정된 가압력 값이 기 설정된 가압력 범위에 미달하는 경우, 상기 가압부의 가압 거리를 연장 조절하는 단계;를 수행하도록 구성될 수 있다. In the step b) of the semiconductor device contact connection method of the present invention, wherein the pressing portion includes a pressing plate for contact and pressurizing the test tray, and a driving portion for moving the pressing plate by a pressing distance to press the test tray. The pressing force adjusting unit may include: i) determining whether the measured pressing force value falls within a preset pressing force range; ii) shortening and adjusting the pressing distance of the pressing unit when the measured pressing force value exceeds a preset pressing range; And iii) adjusting the pressing distance of the pressing unit when the measured pressing force value is less than a preset pressing force range.
그리고, 이때 가압력 조절부는 측정된 가압력 값이 상기 가압력 범위에 속할 때까지, 단계 i), 내지 단계 iii)를 반복 수행하도록 구성될 수 있다. In this case, the pressing force adjusting unit may be configured to repeat steps i) to iii) until the measured pressing force value falls within the pressing force range.
본 발명의 반도체 소자 접촉 연결 장치를 이용하면, 반도체 소자 접촉 연결 장치의 부피 변화에 따라 테스트 트레이를 인터페이스 보드 방향으로 가압하는 가압부의 이동 거리를 조절함으로써, 테스트 트레이에 적재된 복수개의 반도체 소자가 인터페이스 보드에 구비된 대응하는 복수개의 소켓에 각각 일정한 가압력으로 접촉 유지될 수 있게 할 수 있다. 그에 따라, 테스트 트레이에 적재된 복수개의 반도체 소자 전체가 인터페이스 보드에 구비된 대응하는 복수개의 소켓에 적절한 접촉 신호 연결을 이루게 하여, 반도체 소자 검사의 정확성을 담보할 수 있다. According to the semiconductor device contact connecting device of the present invention, a plurality of semiconductor devices loaded on the test tray are interfaced by adjusting the moving distance of the pressing unit for pressing the test tray toward the interface board according to the volume change of the semiconductor device contact connecting device. Each of the corresponding sockets provided in the board can be maintained in contact with a constant pressing force. Accordingly, the entirety of the plurality of semiconductor devices loaded on the test tray can make an appropriate contact signal connection to the corresponding plurality of sockets provided in the interface board, thereby ensuring the accuracy of the semiconductor device inspection.
따라서, 이러한 본 발명의 반도체 소자 접촉 연결 장치를 이용하여 반도체 소자의 접촉 신호 연결을 수행하면, 반도체 소자의 검사를 위해 잦은 환경 조건 변화가 있어, 반도체 소자 접촉 연결 장치의 기구들에 부피 변화가 발생하더라도 인터페이스 보드의 소켓에 대한 반도체 소자의 가압력을 일정 범위 내로 유지시킬 수 있으므로 반도체 소자의 소켓에 대한 접촉 신호 연결 시도시 기구의 부피 변화에 따른 반도체 소자 검사의 에러와 반도체 소자의 불량 발생을 방지할 수 있으며, 그에 따라 설비 가동 효율 및 생산성을 크게 향상시킬 수 있다. Therefore, when the contact signal connection of the semiconductor device is performed using the semiconductor device contact connection device of the present invention, there are frequent environmental condition changes for the inspection of the semiconductor device, and volume changes occur in the mechanisms of the semiconductor device contact connection device. Even though the pressing force of the semiconductor element against the socket of the interface board can be maintained within a certain range, it is possible to prevent the error of the semiconductor element inspection and the occurrence of the defect of the semiconductor element due to the volume change of the mechanism when attempting to connect the contact signal to the socket of the semiconductor element. This can greatly improve plant operating efficiency and productivity.
이하, 본 발명을 바람직한 실시예와 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
먼저, 도 2을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 접촉 연결 장치의 구성을 구체적으로 살펴본다. First, a configuration of a semiconductor device contact connecting apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2.
도 2에 구체적으로 개시된 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 접촉 연결 장치는 복수개의 검사 대상 반도체 소자가 적재될 수 있는 테스트 트레이(100), 테스트 트레이(100)에 적재된 복수개의 반도체 소자에 각각 접촉 신 호 연결되는 복수개의 소켓이 구비되어 있는 인터페이스 보드(300), 테스트 트레이(100)를 인터페이스 보드(300) 방향으로 가압하여 테스트 트레이(100)에 적재된 복수개의 반도체 소자가 인터페이스 보드(300)의 대응하는 복수개의 소켓에 접촉 신호 연결되게 하는 가압부(210, 220), 가압부(210, 220)에 의해 인가되는 가압력을 측정하는 가압력 측정부(미도시), 및 가압력 측정부에 의해 측정된 가압력 값을 이용하여 가압부(210, 220)에 의해 인가되는 가압력을 조절하는 가압력 조절부(미도시)를 포함한다. As specifically disclosed in FIG. 2, the semiconductor device contact connection device according to an exemplary embodiment may include a
본 실시예에서 가압부(210, 220)는 테스트 트레이(100) 등 기구가 대형화되는 경우 테스트 트레이(100) 전체에 대하여 균일한 가압력을 인가하기 위해 도 2에 도시된 바와 같이 2개로 구비된 것으로 설명되나, 가압부의 개수는 이에 제한되지 않는다. In the present embodiment, the
본 실시예에서, 가압력 측정부는 각각의 가압부(210, 220)에 의해 인가되는 가압력을 측정하는데, 이렇게 측정된 가압력은 가압력 조절부에 의해 평가된다. 그리고, 가압력 조절부는 측정된 가압력의 평가에 따라 가압부(210, 220)에 의한 가압력을 조절하게 된다. In this embodiment, the pressing force measuring unit measures the pressing force applied by the respective
구체적으로, 가압부(210, 220)는 도 2에 도시된 바와 같이, 테스트 트레이(100)를 접촉 가압하는 가압 플레이트(211, 221) 및 가압 플레이트(211, 221)를 기 설정되어 저장된 가압 거리만큼 이동시켜 테스트 트레이(100)가 가압되게 하는 구동부(212, 222)를 포함하여 이루어진다. Specifically, as shown in FIG. 2, the
이때, 가압력 측정부는 상기 가압 거리만큼 이동한 가압 플레이트(211, 221) 에서 가압력을 측정하게 된다. 그리고, 가압력 조절부는 측정된 가압력의 평가에 따라 가압부의 가압 거리를 조절하여 재 설정하는 것으로 가압 플레이트(211, 221)에서 가압력을 조절하게 된다. At this time, the pressing force measuring unit measures the pressing force in the
본 실시예에서 그 밖의 테스트 트레이(100), 인터페이스 보드(300), 및 가압부(210, 220)의 구성은 통상의 장치로 구현될 수 있는 것이므로 본 명세서에서 구체적은 설명은 생략하기로 한다. In the present embodiment, since the configuration of the other test tray 100, the
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 접촉 연결 장치에 의한 반도체 소자 접촉 연결 방법을 구체적으로 살펴본다. Hereinafter, a semiconductor device contact connection method by a semiconductor device contact connection device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.
먼저, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 소자 접촉 연결 방법은 테스트 트레이(100)를 인터페이스 보드(300)에 대응하는 위치로 이동시키는 것으로 개시된다(s100). First, as shown in FIGS. 2 and 3, the method for connecting a semiconductor device according to the present disclosure is started by moving the
그리고, 테스트 트레이(100)가 인터페이스 보드(300)에 대응하는 위치로 위치 이동되면, 가압부(210, 220)는 도 2에 도시된 바와 같이 테스트 트레이(100)에 대응하는 위치로 이동된다(s200). 구체적으로, 가압부(210, 220)의 구동부(212, 222)는 가압 플레이트(211, 221)가 테스트 트레이(100)에 대응하도록 가압 플레이트(211, 221)를 위치시킨다. When the
그러면, 가압부(210, 220)는 가압력 조절부를 통해 가압 거리를 조절하면서 테스트 트레이(100)를 가압하여 테스트 트레이(100)에 적재된 복수개의 반도체 소자가 인터페이스 보드(300)의 대응하는 소켓에 일정 범위의 가압력으로 접촉 신호 연결되도록 한다(s300). 이때, 가압부(210, 220)는 가압력이 상기 일정한 범위에 속할 때까지 가압 거리를 조절하는 과정을 반복하여 수행하게 된다. 이때, 가압부(210, 220)의 가압 거리 조절 과정의 반복 회수가 소정의 회수를 초과하거나, 가압 거리 조절 과정에 소요되는 시간이 소정의 시간을 초과하는 경우, 가압력 조절부는 에러 상황으로 판단하여 설비의 가동을 중단하고 관리자에게 에러 표시를 전달하도록 구성될 수 있다. Then, the
이와 같이, 가압력 조절부를 통해 테스트 트레이(100)에 적재된 복수개의 반도체 소자가 인터페이스 보드(300)의 대응하는 복수개의 소켓에 일정한 범위 내의 가압력으로 접촉 연결되면, 테스터(도시 되지 않음)는 인터페이스 보드(300)의 소켓을 통하여 검사 신호를 검사 대상 반도체 소자에 전달하고, 반도체 소자로부터 응답 신호를 수신하여, 해당 반도체 소자에 대하여 검사를 개시하게 된다(s400).As such, when a plurality of semiconductor elements loaded on the
이하, 도 4를 참조하여, 가압력 조절부를 통해 수행되는 가압 거리 조절 과정을 구체적으로 살펴본다. Hereinafter, referring to FIG. 4, the pressing distance adjusting process performed through the pressing force adjusting unit will be described in detail.
먼저, 도 4에 도시된 바와 같이, 가압부(210, 220)를 기 설정되어 있는 가압 거리만큼 이동하여 테스트 트레이(100)를 인터페이스 보드(300) 방향으로 접촉 가압한다(s305). 즉, 도 2에서 살펴보면, 가압부(210, 220)의 구동부(212, 222)는 가압 플레이트(211, 221)를 가압 거리만큼 이동하여 테스트 트레이(100)를 인터페이스 보드(300) 방향으로 접촉 가압한다(s305).First, as shown in FIG. 4, the
이때, 가압력 측정부는 가압부(210, 220)의 가압력, 즉 가압 플레이트(211, 221)에서의 가압력을 n회 측정한다(s310). 이러한 가압력 측정 회수는 특별한 제한은 없으나 본 실시예에서는 5회 측정하는 것으로 한다. In this case, the pressing force measuring unit measures the pressing force of the
여기서, 가압력은 다양한 측정 단위로 측정될 수 있으나, 본 실시예에서는 토크 값으로 가압력을 측정하는 것으로 한다. Here, the pressing force may be measured in various units of measurement, but in this embodiment, the pressing force is measured by a torque value.
그리고, 가압력 측정부에 의해 n회 측정된 가압력 값들 중에서 최대 가압력 값과 최소 가압력 값을 비교하여 그 차이가 1% 이내 인지 확인한다(s320). 본 실시예에서는 최대 가압력 값과 최소 가압력 값의 차이 범위를 1%로 하고 있으나 이에 제한되지는 않는다. In addition, among the pressing force values measured by the pressing force measuring unit, the maximum pressing force value and the minimum pressing force value are compared to determine whether the difference is within 1% (s320). In this embodiment, the difference between the maximum pressure value and the minimum pressure value is 1%, but is not limited thereto.
이때, 최대 가압력 값과 최소 가압력 값의 차이가 1% 이상인 경우, 가압부(210, 220)에 의한 가압력 전달 지속이 원할히 수행되지 않는 것으로 판단하여, 단계 s305부터 단계 s320을 반복하여 수행한다. At this time, when the difference between the maximum pressing force value and the minimum pressing force value is 1% or more, it is determined that the pressing force transmission duration by the pressurizing
그리고, 이렇게 획득된 가압력 값이 하기 일반식 1에서 규정하는 일정 범위 내에 속하는지 판단한다(s330).Then, it is determined whether the pressure value thus obtained falls within a predetermined range prescribed by the following general formula (1) (s330).
[일반식 1][Formula 1]
기준 가압력 값≤획득된 가압력 값<기준 가압력 값+ 5Reference pressure value ≤ acquired pressure value <reference pressure value + 5
이때 기준 가압력 값은 테스트 트레이(100)에 적재된 반도체 소자가 인터페이스 보드(300)의 소켓에 정확한 접촉 신호 연결을 이루기에 적합한 가압력 값으로서 기 설정된 값을 이용한다. 이러한 기준 가압력 값은 가압력의 측정 단위에 따라 달리 설정될 수 있으나, 본 실시예에서는 토크 값으로서 35인 것으로 한다. 그리고, 본 실시예에서 기준 가압력 값에 부가되는 수치 값은 기준 가압력 값의 5%에 해당하는 값을 의미하는 5이나, 이는 적절하게 선택될 수 있는 것으로서 본 발명의 범위가 이에 제한되어 해석되어서는 안된다. In this case, the reference pressing force value uses a preset value as a pressing force value suitable for the semiconductor device loaded on the
그리고, 여기서 획득된 가압력 값은 앞서 n회 측정된 값의 최종 값이 바람직하게 사용된다. And, the pressure value obtained here is preferably used as the final value of the value previously measured n times.
이때, 이렇게 획득된 가압력 값이 상기 일반식 1에서 규정하는 범위 내에 속하지 않는 경우, 가압력 조절부는 가압부 가압 거리를 조절하는 것으로서 가압력 값이 상기 일반식 1에서 규정하는 범위 내에 속하도록 하는 과정을 수행한다. At this time, when the pressure value thus obtained does not fall within the range defined by the general formula 1, the pressing force adjusting unit performs a process of adjusting the pressurization unit press distance so that the pressurized value falls within the range defined by the general formula 1 do.
먼저, 획득된 가압력 값이 일반식 1에서 규정하는 범위를 초과할 정도로 큰 경우, 즉 획득된 가압력 값이 기준 가압력 값 +5 값을 초과하는 경우는 고온에 의해 반도체 소자 접촉 연결 장치의 기구 구성이 팽창하여 가압부(210, 220)와 테스트 트레이(100)와의 실질 거리가 더 가까워진 경우에 해당한다. 따라서, 이러한 경우 가압부(210, 220)의 가압 거리를 단축 조절한다(s363). 이때 단축되는 거리는 본 실시예에서는 0.05mm로 한다. First, when the obtained pressing force value is large enough to exceed the range prescribed by the general formula (1), that is, when the obtained pressing force value exceeds the reference pressing force value +5 value, the mechanism configuration of the semiconductor element contact connecting device is changed by high temperature. This is the case where the actual distance between the pressurizing
반면에, 획득된 가압력 값이 일반식 1에서 규정하는 범위에 미달하는 정도로 작은 경우, 즉 획득된 가압력 값이 기준 가압력 값보다 작은 경우는 저온에 의해 반도체 소자 접촉 연결 장치의 기구 구성이 수축하여 가압부(210, 220)와 테스트 트레이(100)와의 실질 거리가 더 멀어진 경우에 해당한다. 따라서, 이러한 경우 가압부(210, 220)의 가압 거리를 연장 조절한다. 그런데, 본 실시예에서는 가압 거리 연장 조절을 도 4에 도시된 바와 같이 2 단계로 구별하여 수행하도록 구성한다. On the other hand, when the obtained pressing force value is smaller than the range prescribed by the general formula (1), that is, when the obtained pressing force value is smaller than the reference pressing value, the mechanism configuration of the semiconductor element contact connecting device is contracted by the low temperature and pressurized. This corresponds to a case where the actual distance between the
즉, 획득된 가압력 값이 기준 가압력 값 -5 값에도 미달하는 경우와 기준 가압력 값 -5 값 이상인 경우를 구별하여 각각 가압부 가압 거리를 조절한다. That is, the pressurizing unit press distance is adjusted by distinguishing a case where the obtained pressing force value is less than the reference pressing force value -5 and the case where the obtained pressing force value is lower than the reference pressing value -5.
구체적으로, 획득된 가압력 값이 기준 가압력 값 -5 값에도 미달하는 경우(s350)는, 반도체 소자 접촉 연결 장치의 기구 구성의 수축이 심한 경우이므로 가압부(210, 220)의 가압 거리를 보다 큰 단위, 본 실시예에서는 0.1mm만큼 연장한다(s361). 그러나, 획득된 가압력 값이 기준 가압력 값 -5 값 이상인 경우(s350)는, 반도체 소자 접촉 연결 장치의 기구 구성의 수축이 심하지 않은 경우이므로 가압부(210, 220)의 가압 거리를 보다 작은 단위, 본 실시예에서는 0.05mm만큼 연장한다(s362).Specifically, when the obtained pressing force value is less than the reference pressing force value -5 value (s350), since the contraction of the mechanism configuration of the semiconductor element contact connection device is severe, the pressing distance of the
이와 같이 가압부 조절부에 의해 가압부(210, 220)의 가압 거리가 조절되면, 다시 단계 s305부터 앞서 절차를 반복 수행하여 획득된 가압력이 일반식 1의 범위에 속하게 한다. When the pressing distance of the
한편, 이렇게 획득된 가압력 값이 상기 일반식 1에서 규정하는 범위 내에 속하는 경우, 앞서 절차에서 가압부(210, 220)의 가압거리가 변경되었는지를 가압 조절부를 통해 확인하고(s370), 가압 거리가 변경된 경우 변경된 가압 거리를 가압부(210, 220)의 가압거리 값으로 가압 조절부에 저장한다(s380). On the other hand, when the pressure value thus obtained falls within the range defined by the general formula 1, it is confirmed in the above procedure whether the pressing distance of the pressing unit (210, 220) is changed through the pressure adjusting unit (s370), the pressing distance is If changed, the changed pressure distance is stored in the pressure control unit as the pressure distance values of the
이렇게 가압 조절부에 저장된 가압 거리 값은 다음 순서의 반도체 소자의 검사 공정에서 다시 사용된다. The pressure distance value stored in the pressure control unit is used again in the inspection process of the semiconductor device of the following sequence.
한편, 도 3 및 도 4에 개시된 반도체 소자의 접촉 연결 방법은 두 개의 가압부(210, 220)에 의한 가압력이 서로 동일한 경우를 가정하여 설명되었으나, 이러한 두 개의 가압부(210, 220)의 가압력은 서로 상이하게 측정될 수 있다. 따라서, 이러한 경우, 가압부(210)에서 측정된 가압력과 가압부(220)에서 측정된 가압력을 서 로 비교하는 과정이 필요하다. 이러한 비교 과정은 다양하게 구성될 수 있으나, 본 실시예에서는 가압부(210)에서 측정된 가압력과 가압부(220)에서 측정된 가압력의 차이가 서로 6%를 초과하는 경우, 가압력 조절부는 이를 에러 상황으로 판단하여 설비의 가동을 중단하고 관리자에게 에러 표시를 전달하도록 구성될 수 있다. On the other hand, the contact connection method of the semiconductor device disclosed in Figures 3 and 4 has been described on the assumption that the pressing force by the two pressing unit (210, 220) is the same, but the pressing force of the two pressing unit (210, 220) Can be measured differently from each other. Therefore, in this case, it is necessary to compare the pressing force measured by the
물론, 이와는 달리, 두 개의 가압부(210, 220)의 가압력은 서로 상이하더라도 가압력 조절부를 통해 두 개의 가압부(210, 220)의 가압 거리를 각각 별도로 조절하도록 구성될 수도 있다. 이러한 실시예들 모두 본 발명의 첨부된 특허 청구 범위에 속하는 것임은 자명하다. Of course, the pressing force of the two
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 첨부된 특허 청구 범위에 속하는 것은 당연하다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the technical idea of the present invention, and it is obvious that the present invention belongs to the appended claims. Do.
도 1은 반도체 소자 접촉 연결 장치에 의한 일반적인 반도체 소자 접촉 연결 방법을 개략적으로 보여주는 순서도이다. 1 is a flowchart schematically showing a general method of connecting a semiconductor device by a semiconductor device contact connection device.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 접촉 연결 장치를 개략적으로 보여주는 분해 사시도이다. 2 is an exploded perspective view schematically illustrating a semiconductor device contact connecting apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 접촉 연결 장치에 의한 반도체 소자 접촉 연결 방법을 개략적으로 보여주는 순서도이다. 3 is a flowchart schematically illustrating a method for connecting a semiconductor device by a semiconductor device contact connecting device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 도 3의 반도체 소자 접촉 연결 방법에서 가압부의 가압 거리를 조절하는 방법의 일례를 개략적으로 보여주는 순서도이다. FIG. 4 is a flowchart schematically illustrating an example of a method of adjusting a pressing distance of a pressing unit in the method of contact connecting the semiconductor devices of FIG. 3.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080116812A KR20100058113A (en) | 2008-11-24 | 2008-11-24 | Contact connection device for semiconductor device and contact connection method to semiconductor device using the same |
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KR101415984B1 (en) * | 2013-05-16 | 2014-07-09 | (주)에이젯 | Controlling method of a testing handler for contact of semiconductor devices |
CN104841639A (en) * | 2011-12-08 | 2015-08-19 | 泰克元有限公司 | Test handler |
KR20160127967A (en) * | 2015-04-28 | 2016-11-07 | (주)케이엔 | Data inspection device for semiconductor memory |
-
2008
- 2008-11-24 KR KR1020080116812A patent/KR20100058113A/en not_active Application Discontinuation
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KR101415984B1 (en) * | 2013-05-16 | 2014-07-09 | (주)에이젯 | Controlling method of a testing handler for contact of semiconductor devices |
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