KR20100055672A - 직류 고전압 전원 발생장치 및 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치. - Google Patents

직류 고전압 전원 발생장치 및 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치. Download PDF

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Abstract

본 발명은 직류 고전압 전원 발생장치 및 고압 교정 파형 발생장치에 관한 것으로서, 직류 고전압 전원 발생장치는 교류전압을 인가받아 정류된 전압을 출력하는 정류기; 제1차측 권선의 제1단자가 정류된 전압을 인가받고, 제2단자는 스위칭 트랜지스터와 연결되며, 제2차측 권선의 제1단자는 다이오드와 연결되는 고주파 트랜스포머; 및 상기 다이오드에 연결되어 직류 고전압을 출력하는 직류전압 출력부를 포함하며, 상기 트랜스포머의 권선비와 상기 스위칭 트랜지스터의 듀티비 조정으로 상기 직류전압출력부의 출력전압을 가변시키는 것을 특징으로 하는 직류 고전압 전원 발생장치이며, 본 발명에 의하면 저렴한 생산비용으로 안전적인 전원을 공급할 수 있는 장치 및 사용자가 출력파형을 임의로 조정이 가능한 임펄스 발생장치를 제공할 수 있다.
Figure P1020080114510
직류전원 발생장치, 임펄스, 파형측정.

Description

직류 고전압 전원 발생장치 및 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치. {High DC voltage generator and High voltage calibration waveform generator for impulse measurement device}
본 발명은 직류 고전압 전원 발생장치 및 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 트랜스포머의 권선비와 스위칭 트랜지스터를 이용한 듀티비의 조정으로 직류 고전압을 발생시키는 직류 고전압 전원 발생장치 및 이를 이용하며 IGBT 스위칭 동작으로 상승시간 또는 하강시간이 매우 빠른 구형파를 연속적으로 발생시키는 고압 교정 파형 발생장치이다.
광역화 정보통신망의 구축으로 교통, 통신, 행정, 금융, 생산설비, 사무자동화, 공장자동화, 건물의 자동화 등 모든 분야에 대한 고도정보화 사회시스템이 구축되고 있다. 특히 컴퓨터 기술 발달에 따라 산업 및 경제 전반에 걸쳐 네트워크 시스템이 급속도록 개발되고 있는 실정이다.
이와 같은 시스템들은 컴퓨터 네트워크 시스템들이 서로 유기적으로 구동하 면서 미세한 오차로 인해 커다란 문제가 발생될 수 있으므로 전원공급의 신뢰성 향상을 위해 전원상태를 지속적으로 관측하고 서지 및 노이즈를 측정하기 위한 임펄스 측정장치를 필요로 한다.
최근 반도체 기술의 발전에 힘입어 최근에는 고속 ADC(Analog to digital converter)와 마이크로프로세서 및 디바이더 회로 등으로 구성된 저비용의 측정장치 개발이 가능하나 이들 측정장치의 핵심요소인 임펄스 파형측정의 정확성을 검증하기에는 고가의 교정장치가 필요하며 전문적인 인력을 필요로 하는 문제점이 있다.
일반적으로 임펄스 디바이더를 비롯한 측정장치의 응답특성의 분석을 위해서 상승시간 또는 하강시간이 빠른 구형파 발생기가 이용되고 있다.
그러나 기존의 이러한 구형파 발생기는 사용자가 임의로 펄스 폭 및 주파수 등의 출력파형의 파라미터를 변경하기가 쉽지 않으며, 구형파 또는 뇌임펄스 파형으로 고정된 경우가 일반적이다.
또한 분압비가 큰 디바이더의 경우에는 정밀한 측정을 위한 분압비에 상당하는 고전압 임펄스를 인가하여 시험하여야 하나 이를 위해서는 외부의 별도의 고전압 전원을 필요로 하는 번거로움이 있다.
종래의 전원공급장치는 출력단이 무부하 상태에서는 전압의 가변이 어려우며 이로 인해 대부분 내부에 저항을 삽입하여 단일 전압을 발생시키는 형태로 구현이 되고 있어 상황에 따른 다양한 전압출력에 대한 불편함을 가지고 있으며, 다양한 전압출력을 위해서는 별도의 구동장치들이 요구되므로 그 생산비용이 증가되는 문 제점을 가지고 있다.
본 발명은 상승시간 또는 하강시간이 매우 빠른 구형파를 연속적으로 발생시키며 펄스폭 및 주파수를 쉽게 가변시킬 수 있는 시험 파형발생기를 제공하고자 한다.
또한 저렴한 생산비용으로 안정적인 전원을 공급하며, 시험 파형발생기에 적용하기 위한 직류전원소스를 제공할 수 있는 직류전원공급장치를 제공하고자 한다.
이상과 같은 과제를 해결하고자 본 발명은, 직류 고전압 전원 발생장치에 있어서, 교류전압을 인가받아 정류된 전압을 출력하는 정류기; 제1차측 권선의 제1단자가 정류된 전압을 인가받고, 제2단자는 스위칭 트랜지스터와 연결되며, 제2차측 권선의 제1단자는 다이오드와 연결되는 고주파 트랜스포머; 및 상기 다이오드에 연결되어 직류 고전압을 출력하는 직류전압 출력부를 포함하며, 상기 트랜스포머의 권선비와 상기 스위칭 트랜지스터의 듀티비 조정으로 상기 직류전압출력부의 출력전압을 가변시키는 것을 특징으로 하는 직류 고전압 전원 발생장치이다.
바람직하게는 상기 직류전압출력부는, 상기 트랜스포머로부터 출력되는 직류전압을 충전하는 제1 출력단 커패시터; 상기 제1 출력단 커패시터와 병렬 연결된 제1 출력단 저항; 상기 제1 출력단 저항과 직렬 연결되며, 가변 저항과 커패시터가 병렬로 구성된 적분기; 및 상기 적분기와 병렬로 연결되는 비교기(Comparator)를 포함하며, 상기 직류전압출력부는 상기 제1 출력단 커패시터의 직류전압의 출력시에 출력단의 무부하 상태에서도 상기 적분기와 비교기를 통해 상기 출력되는 직류전압의 제어가 가능할 수 있다.
보다 바람직하게는 상기 스위칭 트랜지스터는, MOSFET으로 형성되어, 상기 트랜스포머로의 전압인가를 제어하며, 듀티비를 조정하여 상기 트랜스포머의 출력전압을 가변시키며, 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트로 스위칭 제어신호를 전송하는 전압컨트롤러를 더 포함할 수 있다.
나아가서 상기 전압컨트롤러는, 클럭신호를 발생시키는 클럭제너레이터; 클럭신호를 입력받아 펄스신호를 출력하며, 가변저항을 통해 상기 스위칭 트랜지스터의 듀티비 제어가 가능한 제1 멀티바이브레이터; 상기 제1 멀티바이브레이터로부터의 출력신호와 반대되는 신호를 입력받아 펄스신호를 출력하는 제2 멀티바이브레이터; 및 상기 제1 멀티바이브레이터 및 제2 멀티바이브레이터로부터의 출력신호를 입력받아 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트로 스위칭 제어신호를 전송하여 상기 스위칭 트랜지스터의 듀티비 조절 및 상기 트랜스포머의 출력 전압을 제어하는 게이트 드라이버를 포함할 수 있다.
여기서 상기 게이트 드라이브는, 상기 제1 멀티바이브레이터의 출력신호를 입력받는 제1 트랜지스터; 상기 제2 멀티바이브레이터의 출력신호를 입력받는 제2 트랜지스터; 및 상기 제2 트랜지스터의 출력신호에 따라 동작하는 제1 MOSFET를 포함하며, 상기 제1 멀티바이브레이터의 출력이 하이레벨(High Level)인 경우 상기 제1 트랜지스터만 도통되어 제1 트랜지스터의 출력신호가 상기 스위칭 트랜지스터 의 게이트로 전송되며, 상기 제1 멀티바이브레이터의 출력이 로우레벨(Low Level)인 경우 상기 제2 멀티바이브레이터의 출력이 하이레벨(High Level)이 되어 상기 제2 트랜지스터를 통해 상기 제1 MOSFET이 도통되어 상기 제1 MOSFET의 출력신호가 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트로 전송될 수 있다.
나아가서 상기 직류전압출력부는, 기준 전압를 발생시키는 제3 멀티바이브레이터를 더 포함하며, 상기 비교기는, 상기 제3 멀티바이브레이터로부터의 기준전압과 상기 적분기의 커패시터의 충전전압을 대비하여 상기 적분기의 커패시터의 충전전압이 상기 제3 멀티바이브레이터로부터의 기준전압보다 큰 경우 하이레벨(High Level)신호를 상기 제1 트랜지스터의 베이스단자로 전송하여 상기 게이트 드라이브의 출력신호를 차단할 수 있다.
또한 본 발명은 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치에 있어서, 일측은 직류전원을 인가받고 타측은 출력단에 연결되며, 상기 인가받은 직류전원이 분압되어 충전되는 제2 출력단 커패시터; 및 상기 제2 출력단 커패시터에 충전되는 전압을 방전 또는 출력단으로 출력하게 하는 IGBT 스위치를 포함하며, 상기 제2 출력단 커패시터에 충전된 전압이 상기 IGBT 스위치에 의해 반복적으로 방전 또는 출력단으로 출력됨으로써, 출력단에서 구형의 펄스전압이 출력되는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치이다.
바람직하게는 기준 전압을 인가받아 구형파 형태의 클럭신호를 발생시키는 클럭 제너레이터; 상기 클럭 제너레이터로부터의 클럭신호에 따라 상기 IGBT 스위 치의 스위칭 동작을 제어하는 제2 MOSFET을 구비한 드라이버; 및 상기 직류 고전압 전원 발생장치로부터 직류 전압을 인가 받아 제2 출력단 커패시터를 충전하며, 상기 IGBT 스위치의 스위칭 동작에 의해 반복적으로 상기 제2 출력단 커패시터에 충전된 전하를 방전 또는 출력단으로 출력하여 구형파 펄스전압을 출력하는 구형파 발생부를 포함할 수 있다.
나아가서 상기 클럭 제너레이터는, 가변저항의 저항변화에 따라 충전량이 조절되는 제너레이터 커패시터; 상기 제너레이터 커패시터의 전하 충전량에 따라 동작하는 제3 트랜지스터; 상기 제3 트랜지스터의 출력신호에 따라 동작하여 상기 제너레이터 커패시터의 충전과 방전을 반복시켜 구형파 형태의 클럭신호를 발생시키는 낸드게이트(NAND Gate); 및 상기 구형파 형태의 클럭신호를 인가받아 상기 드라이버 구동신호를 발생시키는 제4 멀티바이브레이터를 포함할 수 있다.
보다 바람직하게는 상기 클럭 제너레이터는, 상기 제4 멀티바이브레이터의 주파수는 고정된 상태에서 듀티비만을 조정하기 위한 커패시터 및 가변저항을 더 포함할 수 있다.
나아가서 상기 드라이버는, 상기 클럭 제너레이터로부터 구형파 클럭신호를 입력받고, 상기 클럭신호에 따라 도통되는 제4 트랜지스터; 및 상기 제4 트랜지스터에 의해 게이트와 소스간에 부전압이 발생되며, 상기 부전압을 통해 상기 IGBT를 구동시키기 위한 신호전압을 발생시키는 제2 MOSFET을 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 구형파 발생부는, 상기 직류 고전압 전원 발생장치로부터 전송되는 직류전압을 충전하는 제2 출력단 커퍼시터를 포함하며, 상기 제2 출력단 커패시터에 충전된 전하가 상기 IGBT의 스위칭 동작에 따라 방전하여 구형파전압을 출력할 수 있다.
또한 본 발명은 본 발명에 따른 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치와 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생장치를 결합하여 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생장치로부터 출력되는 고전압 직류전원을 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치에 인가시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 사용자의 선택에 따른 다양한 상황에서 다양한 전압을 출력하며, 시험 파형발생기에 적용하기 위한 직류전원소스로 고주파 트랜스포머와 스위치 디바이스를 이용해 안전적인 전원을 공급할 수 있는 장치를 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치는 그 구성이 간단하여 저렴한 가격으로 파형 발생장치의 생산이 가능하며, 나아가서 출력되는 파형이 20ns 이하의 빠른 상승 또는 하강 시간을 갖으며 출력되는 구형파의 펄스폭과 주파수가 가변되어 사용자가 출력파형을 임의로 조정이 가능하므로 고정밀 디바이더의 개발 및 측정기의 성능검증에 매우 용이하다.
나아가서 본 발명에 의한 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치와 직류 고전압 전원 발생장치를 결합하여 직류 고전압 전원 발생장치로부터 출력되는 고전압 직류전원을 고압 교정 파형 발생장치에 인가함으로써 저렴한 비용으로 직류 전원 발생장치와 파형 발생장치를 일체형으로 구성할 수도 있 다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 설명하기 위하여 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하고 이를 참조하여 살펴본다.
도 1은 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생 장치에 대한 개략적인 구성을 나타내는 블록도이다.
본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생 장치(10)는 절연형 DC-DC 컨버터 구조로서, 정류기(100), 고주파 트랜스포머(200), 전압 컨트롤러(300), 스위칭 트랜지스터(350) 및 직류전압 출력부(400)로 구성이 된다.
정류기(100)는 교류 전압을 인가받아 직류로 변환하여 출력을 하며, 고주파 트랜스포머(200)는 권선비에 따라 전압을 승압시키며, 전압 컨트롤러(300)는 트랜스포머(200)로의 전압인가를 제어하며 스위칭 트랜지스터(350)의 듀티비를 조절하여 출력전압을 가변시키고, 직류전압 출력부(400)는 트랜스포머(200)로부터 출력되는 직류 고전압 전원을 제어하여 출력한다.
도 2는 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생 장치에 대한 구성을 도시한다.
도 2를 참조하여 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생 장치(10)의 동작원리를 살펴보면, 게이트 제어신호에 의해 스위칭 트랜지스터(Q11)(350)가 도통되면 트랜스포머(200)의 1차측 권선으로 전류가 흐르고 2차측에는 흑점의 방향에 따라 1차측과 반대 극성의 전압이 발생한다. 이 전압은 다이오드(D12)에 의해 차단되어 1차권선의 인덕턴스에만 에너지가 저장된다.
이 상태에서 스위칭 트랜지스터(Q11)(350)가 차단되면, 트랜스포머(200)의 2차측에 반대극성의 전압이 유기되고 다이오드(D12)를 거쳐 출력단의 제1 출력단 커패시터(C14)(420)를 충전시킨다. 이때 출력전압은 트랜스포머(200)의 권선비(N)와 스위칭 트랜지스터(Q11)(350)의 듀티비에 따라 결정되며 듀티비 조정에 의해 출력전압을 가변시킬 수 있다.
스위칭 트랜지스터(Q11)(350)의 제어를 위해서 본 발명에서는 스위칭 트랜지스터(Q11)(350)의 게이트 드라이버를 구성하는데, 도 3은 스위칭 트랜지스터의 게이트 드라이버의 구성을 나타낸다.
도 3을 참조하여 게이트 드라이버에 대하여 살펴보면, 제1 멀티바이브레이터(373)는 TTL 계열의 멀티바이브레이터 IC(74LS221)로써 클럭 신호를 입력으로 받아 외부의 가변저항(Rx)을 통해 듀티비의 제어가 가능하며 노이즈 특성도 우수하다.
제1 멀티바이브레이터(373)의 출력신호는 제1 트랜지스터(Q12)(261)와 연결되며 제1 멀티바이브레이터(373)의 출력신호와 반대 값이 제2 멀티바이브레이터(375)의 입력 신호로 연결된다.
예를 들어 제1 멀티바이브레이터(373)의 출력이 하이레벨(High Level)인 경우 제2 멀티바이브레이터(375)의 출력은 로우레벨(Low Level)상태가 되며, 이때는 제1 트랜지스터(Q12)(361)만 도통되어 스위칭 트랜지스터(Q11)(350)의 게이트에 하이레벨(High Level)상태의 전압이 발생한다.
반대로 제1 멀티바이브레이터(373)가 로우레벨(Low Level)인 경우에는 제2 멀티바이브레이터(375)의 출력은 하이레벨(High Level)이 되며, 이때는 제2 트랜지스터(13)(363)가 도통되어 제1 MOSFET(Q14)(365)를 도통시키고 스위칭 트랜지스터(Q11)(350)의 게이트 신호측에는 0V가 발생된다. 여기서 제1 MOSFET(Q14)(365)는 응답속도를 향상시키며 스위칭 트랜지스터(Q11)(350)의 게이트측에 정확하고 빠른 동작특성을 나타내게 된다.
다시 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생 장치에 대한 나머지 구성을 살펴보면, 일반적인 전원공급장치는 무부하 상태시에 전압의 가변이 어려우며 대부분 내부에 저항을 삽입하여 단일 전압을 발생하는 형태이지만, 본 발명에서는 출력단에 가변저항(R13) 및 커패시터(C14)로 구성된 적분회로(420)와 비교기(455)를 통해 무부하시에도 출력전압을 자동적으로 제어할 수 있다.
도 4는 본 발명에 있어서 출력단에 연결되는 비교기에 대한 구성을 나타낸다.
도 4에 도시된 바와 같이 적분기(420)의 커패시터(C14)에 충전된 전압이 제3 멀티바이브레이터(451)의 출력단에 연결된 기준 전압보다 크면 비교기(455)의 출력은 하이레벨(High Level) 상태가 되며, 제3 멀티바이브레이터(451)의 출력 신호는 다이오드(D13)가 도통되므로 로우레벨(Low Level)이 되고 상기 게이트 드라이버의 제1 트랜지스터(Q12)(361)의 베이스에 전송되어 스위칭 트랜지스터(Q11)(350)의 게 이트 출력신호가 차단된다.
이와 동시에 트랜스포머(200) 일차측이 차단되어 출력전압을 안정화시키며, 트랜스포머(200) 2차측의 저항(R12)의 부담이 적어지므로 소형화가 가능하다.
이와 같은 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생장치에 의해 발생된 직류 고전압은 구형파 발생을 위한 전원소스로 사용될 수 있으며, 단독으로도 직류 전원장치로 사용가능하다.
나아가서 직류 고전압 전원 발생장치의 출력단에 무부하시에도 출력전압을 자동적으로 제어가 가능하므로 사용자의 편리성이 더욱 증가된다.
그럼 이하에서는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치에 대하여 살펴보기로 한다.
도 5는 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치의 개략적인 구성도를 나타낸다.
본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치(50)는 기준 전압을 인가받아 구형파 형태의 클럭신호를 발생시키는 클럭 제너레이터(500), 클럭 제너레이터(500)로부터의 클럭신호에 따라 고속 IGBT 스위치(700)의 스위칭 동작을 제어하는 드라이버(600) 및 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생장치(10)로부터 직류 전압을 인가 받아 고속 IGBT 스위치(700)의 스위칭 동작에 따라 구형파 펄스신호를 출력하는 구형파 발생부(800)로 구성이 된다.
설명의 편의를 위해 도 5에서는 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생장치(10)로부터 직류 전압을 인가받는 것으로 도시되어 있으나 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치(50)는 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생장치(10)뿐만 아니라 다양한 다른 직류 전원 발생 장치로부터 직류 전원을 인가 받을 수도 있다.
도 6은 본 발명에 있어서, 클럭 제너레이터의 구성을 나타낸다.
클럭 제너레이터(500)는 스위칭 제어를 위한 기준 클럭 신호를 발생하는 부분으로 도 6에 도시된 바와 같이 낸드게이트(NAND Gate:Q22)(520) 및 제4 멀티바이브레이터(540) 등의 TTL IC로 구성할 수 있어서, 매우 안정적이며 노이즈에 대한 영향이 적다.
도 6을 참조하여 그 동작원리를 살펴보면, 초기상태에서 전원이 인가시 낸드게이트(Q22a)의 출력단이 로우레벨(Low level)이라 하면 이 신호는 동시에 다른 낸드게이트(Q22b)의 입력단에 인가되며 다른 낸드게이트(Q22b)의 출력은 하이레벨(High level) 상태를 유지한다.
동시에 가변저항(R21)(511)을 통해 커패시터(C21)(513)에 전하가 충전되며, A지점의 전압은 가변저항(R21)(511)과 커패시터(C21)(513)의 시정수에 따라 서서히 상승한다. 이 전압이 제3 트랜지스터(Q21)(515)의 동작전압 이상이 되면 낸드게이트(Q22a)의 입력단은 로우레벨(Low Level) 상태가 되며 출력단은 하이레벨(High Level) 상태가 된다. 이때 다른 낸드게이트(Q22b)의 출력은 로우레벨(Low Level)이 되어 커패시터(C21)(513)의 충전전압이 가변저항(R21)(511)을 통해 감쇠되어 제3 트랜지스터(Q21)(515)를 OFF 시키며, 이를 반복함으로써 B지점에는 구형파 형태의 클럭 신호가 발생하게 된다.
여기서 가변저항(R21)(511)이 증가함에 따라 시정수가 커지므로 B지점에 발 생되는 클럭의 주파수는 낮아지며 가변저항(R21)(511)만으로도 클럭 주파수의 제어가 용이하다.
상기 구형파 형태의 클럭 신호는 다시 제4 멀티바이브레이터(540)의 입력단에 인가되며 이를 통해 안정적인 게이트 구동 신호를 얻을 수 있다. 여기서 제4 멀티바이브레이터(540)의 외부에 연결된 커패시터(Cy)와 저항(Ry)은 주파수는 고정된 상태에서 듀티비만을 조정하기 위하여 설치될 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치의 드라이버, 고속 IGBT 스위치 및 구형파 발생부의 구성을 나타낸다.
본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치는 하강시간이 20ns 이내의 빠른 특성을 나타내기 위해 도 7과 같이 빠른 응답특성의 고속 스위치 IGBT 소자(Q25)(700)를 메인 스위치로 사용하며, 이를 신속하게 ON-OFF 시키기 위해 제2 MOSFET(Q24)(630)를 이용하여 드라이버를 구성한다.
도 8은 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치의 각 구성부분에서의 구동신호를 나타내며, 도 8을 참조하여 도 7의 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치의 구성에 대한 동작을 살펴보면, 제4 멀티바이브레이터(540)의 출력신호가 제4 트랜지스터(Q23)(610)의 베이스단에 인가되면 제4 트랜지스터(Q23)(610)가 도통되고 제2 MOSFET(Q24)(630)의 게이트와 소스간에는 부전압이 발생한다.
이 부전압에 의해 p채널 FET가 턴온(Turn ON)되며 드라이버의 커패시터(C22)(640)에 충전되어 있던 전하가 드라이버의 출력단의 저항(R25)로 방류되며 스위칭 소자인 IGBT(Q25)(700)를 구동하기 위한 신호전압이 IGBT(Q25)(700)의 게이 트단에 발생한다.
여기서 제4 트랜지스터(Q23)(610)는 전류증폭용 소자이며, 제2 MOSFET(Q24)(630)는 바이폴러 트랜지스터에 비해 동작시간이 매우 빠르므로 빠른 상승시간을 갖는 게이트 신호를 발생시킬 수 있다.
이와 같은 과정을 통해 IGBT(Q25)(700)가 턴온(Turn ON)되면 구형파 발생부(800)의 제2 출력단 커패시터(C23)(830)에 충전된 전하가 IGBT(Q25)(700)와 구형파 발생부(800)의 출력단 저항(R27)(820)을 통해 방류되며, 구형파 발생부(800)의 최종 출력단에서 빠른 하강시간을 갖는 구형파전압을 얻을 수 있다.
본 발명에서는 구형파 발생부(800)의 제2 출력단 커패시터(C23)(830)에 충전된 전하를 IGBT(Q25)(700)를 통해 방전하는 형태로 만약 제2 출력단 커패시터(C23)(830)가 없다면 구형파 발생부(800)의 입력단 저항(R26)(810)와 출력단 저항(R27)(820)의 분압비에 해당하는 전압이 항상 구형파 발생부(800)의 출력단에 발생하며 인가전압과 저항의 관계에 따라 항상 지속적인 전류가 흐른다. 따라서 출력단 저항의 용량이 매우 커져야하므로 큰 출력을 얻기 어려우며 이에 따른 전력손실도 증가한다.
또한 인가전압의 전원구성은 회로결선 상태에 따라 인덕턴스성분이 포함되므로 빠른 상승시간 또는 하강시간을 갖는 구형파 전압을 얻을 수 없다.
이를 개선하기 위해 본 발명에서는 제2 출력단 커패시터(C23)(830)를 장착함으로써 출력전압이 인가전압과 동일함으로 인한 효율이 개선되며 외부 결선에 의한 인덕턴스 성분의 영향이 매우 미미함으로 상승시간을 단축시킬 수 있다.
도 9는 본 발명에 따른 구형파 발생부(800)의 최종 출력단에서 출력되는 구형파 펄스전압을 측정한 파형을 나타낸다.
도 9의 그래프에 나타난 바와 같이 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치는 고속의 IGBT 스위치를 장착하여 하강시간이 빠른 구형파 전압을 얻을 수 있다.
도 10a 및 도 10b는 도 6의 본 발명의 클럭 제너레이터에 있어서 가변저항(Ry)의 조정에 따른 듀티비의 변화로 출력파형의 펄스폭이 변경되는 실시예를 나타낸다.
도 10a 및 도 10b의 그래프에서 보는 바와 같이 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치는 사용자가 용이하게 듀티비를 조정할 수 있어 그에 따라 상황에 맞는 다양한 파형을 얻을 수 있게 된다.
나아가서 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생장치와 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치를 결합하여 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생장치로부터 직류 고전압 전원을 발생시키고 이를 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치에 인가하여 구형파 임펄스 전압을 얻을 수도 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치는 그 구성이 간단하여 저렴한 가격으로 파형 발생장치의 생산이 가능하다.
나아가서 출력되는 파형이 20ns 이하의 빠른 상승 또는 하강 시간을 갖으며 출력되는 구형파의 펄스폭과 주파수가 가변되어 사용자가 출력파형을 임의로 조정이 가능하므로 고정밀 디바이더의 개발 및 측정기의 성능검증에 매우 용이하다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생 장치에 대한 개략적인 구성을 나타내며,
도 2는 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생 장치의 각 구성에 대한 세부적인 장치를 나타내며,
도 3은 본 발명의 직류 고전압 전원 발생 장치에 있어서, 게이트 드라이브의 구성을 나타내며,
도 4는 본 발명의 직류 고전압 전원 발생 장치에 있어서, 비교기의 동작을 위한 구성을 나타내며,
도 5는 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치의 개략적인 구성을 나타내며,
도 6은 본 발명의 고압 교정 파형 발생장치에 있어서, 클럭 제너레이터의 구성을 나타내며,
도 7은 본 발명의 고압 교정 파형 발생장치에 있어서, 드라이버, IGBT 스위치 및 구형파 발생부의 구성을 나타내며,
도 8은 본 발명의 고압 교정 파형 발생장치에 있어서, 각 구성부분에서의 구동신호를 나타내며,
도 9는 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치의 출력단에서 출력되는 구형파 펄스 전압을 측정한 실시예를 나타내며,
도 10a 및 도 10b는 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치의 듀티비 조정 에 따른 출력파형의 펄스폭이 변경되는 실시예를 나타낸다.
<도면의 주요부호에 대한 설명>
10 : 본 발명에 따른 직류 고전압 전원 발생장치,
50 : 본 발명에 따른 고압 교정 파형 발생장치,
100 : 정류기, 200 : 고주파 트랜스포머,
300 : 전압 컨트롤러, 350 : 스위칭 트랜지스터,
400 : 직류전압 출력부, 455 : 비교기,
500 : 클럭 제너레이터, 530 : 낸드 게이트(NAND gate),
600 : 드라이버,
700 : IGBT 스위치, 800: 구형파 발생부.

Claims (18)

  1. 직류 고전압 전원 발생장치에 있어서,
    교류전압을 인가받아 정류된 전압을 출력하는 정류기;
    제1차측 권선의 제1단자가 정류된 전압을 인가받고, 제2단자는 스위칭 트랜지스터와 연결되며, 제2차측 권선의 제1단자는 다이오드와 연결되는 고주파 트랜스포머; 및
    상기 다이오드에 연결되어 직류 고전압을 출력하는 직류전압 출력부를 포함하며,
    상기 트랜스포머의 권선비와 상기 스위칭 트랜지스터의 듀티비 조정으로 상기 직류전압출력부의 출력전압을 가변시키는 것을 특징으로 하는 직류 고전압 전원 발생장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 직류전압출력부는,
    상기 트랜스포머로부터 출력되는 직류전압을 충전하는 제1 출력단 커패시터;
    상기 제1 출력단 커패시터와 병렬 연결된 제1 출력단 저항;
    상기 제1 출력단 저항과 직렬 연결되며, 가변 저항과 커패시터가 병렬로 구성된 적분기; 및
    상기 적분기와 병렬로 연결되는 비교기(Comparator)를 포함하며,
    상기 직류전압출력부는 상기 제1 출력단 커패시터의 직류전압의 출력시에 출력단의 무부하 상태에서도 상기 적분기와 비교기를 통해 상기 출력되는 직류전압의 제어가 가능한 것을 특징으로 하는 직류 고전압 전원 발생장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터는, MOSFET으로 형성되어, 상기 트랜스포머로의 전압인가를 제어하며, 듀티비를 조정하여 상기 트랜스포머의 출력전압을 가변시키며,
    상기 스위칭 트랜지스터의 게이트로 스위칭 제어신호를 전송하는 전압컨트롤러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 직류 고전압 전원 발생장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 전압컨트롤러는,
    클럭신호를 발생시키는 클럭제너레이터;
    클럭신호를 입력받아 펄스신호를 출력하며, 가변저항을 통해 상기 스위칭 트랜지스터의 듀티비 제어가 가능한 제1 멀티바이브레이터;
    상기 제1 멀티바이브레이터로부터의 출력신호와 반대되는 신호를 입력받아 펄스신호를 출력하는 제2 멀티바이브레이터; 및
    상기 제1 멀티바이브레이터 및 제2 멀티바이브레이터로부터의 출력신호를 입력받아 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트로 스위칭 제어신호를 전송하여 상기 스위칭 트랜지스터의 듀티비 조절 및 상기 트랜스포머의 출력 전압을 제어하는 게이트 드라이버를 포함하는 것을 특징으로 하는 직류 고전압 전원 발생장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 게이트 드라이브는,
    상기 제1 멀티바이브레이터의 출력신호를 입력받는 제1 트랜지스터;
    상기 제2 멀티바이브레이터의 출력신호를 입력받는 제2 트랜지스터; 및
    상기 제2 트랜지스터의 출력신호에 따라 동작하는 제1 MOSFET를 포함하며,
    상기 제1 멀티바이브레이터의 출력이 하이레벨(High Level)인 경우 상기 제1 트랜지스터만 도통되어 제1 트랜지스터의 출력신호가 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트로 전송되며,
    상기 제1 멀티바이브레이터의 출력이 로우레벨(Low Level)인 경우 상기 제2 멀티바이브레이터의 출력이 하이레벨(High Level)이 되어 상기 제2 트랜지스터를 통해 상기 제1 MOSFET이 도통되어 상기 제1 MOSFET의 출력신호가 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트로 전송되는 것을 특징으로 하는 직류 고전압 전원 발생장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 직류전압출력부는,
    기준 전압를 발생시키는 제3 멀티바이브레이터를 더 포함하며,
    상기 비교기는, 상기 제3 멀티바이브레이터로부터의 기준전압과 상기 적분기의 커패시터의 충전전압을 대비하여 상기 적분기의 커패시터의 충전전압이 상기 제 3 멀티바이브레이터로부터의 기준전압보다 큰 경우 하이레벨(High Level)신호를 상기 제1 트랜지스터의 베이스단자로 전송하여 상기 게이트 드라이브의 출력신호를 차단하는 것을 특징으로 하는 직류 고전압 전원 발생장치.
  7. 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치에 있어서,
    일측은 직류전원을 인가받고 타측은 출력단에 연결되며, 상기 인가받은 직류전원이 분압되어 충전되는 제2 출력단 커패시터; 및
    상기 제2 출력단 커패시터에 충전되는 전압을 방전 또는 출력단으로 출력하게 하는 IGBT 스위치를 포함하며,
    상기 제2 출력단 커패시터에 충전된 전압이 상기 IGBT 스위치에 의해 반복적으로 방전 또는 출력단으로 출력됨으로써, 출력단에서 구형의 펄스전압이 출력되는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    기준 전압을 인가받아 구형파 형태의 클럭신호를 발생시키는 클럭 제너레이터;
    상기 클럭 제너레이터로부터의 클럭신호에 따라 상기 IGBT 스위치의 스위칭 동작을 제어하는 제2 MOSFET을 구비한 드라이버; 및
    상기 직류 고전압 전원 발생장치로부터 직류 전압을 인가 받아 제2 출력단 커패시터를 충전하며, 상기 IGBT 스위치의 스위칭 동작에 의해 반복적으로 상기 제2 출력단 커패시터에 충전된 전하를 방전 또는 출력단으로 출력하여 구형파 펄스전압을 출력하는 구형파 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 클럭 제너레이터는,
    가변저항의 저항변화에 따라 충전량이 조절되는 제너레이터 커패시터;
    상기 제너레이터 커패시터의 전하 충전량에 따라 동작하는 제3 트랜지스터;
    상기 제3 트랜지스터의 출력신호에 따라 동작하여 상기 제너레이터 커패시터의 충전과 방전을 반복시켜 구형파 형태의 클럭신호를 발생시키는 낸드게이트(NAND Gate); 및
    상기 구형파 형태의 클럭신호를 인가받아 상기 드라이버 구동신호를 발생시키는 제4 멀티바이브레이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 클럭 제너레이터는,
    상기 제4 멀티바이브레이터의 주파수는 고정된 상태에서 듀티비만을 조정하기 위한 커패시터 및 가변저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 드라이버는,
    상기 클럭 제너레이터로부터 구형파 클럭신호를 입력받고, 상기 클럭신호에 따라 도통되는 제4 트랜지스터; 및
    상기 제4 트랜지스터에 의해 게이트와 소스간에 부전압이 발생되며, 상기 부전압을 통해 상기 IGBT를 구동시키기 위한 신호전압을 발생시키는 제2 MOSFET을 포함하는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 구형파 발생부는,
    상기 직류 고전압 전원 발생장치로부터 전송되는 직류전압을 충전하는 제2 출력단 커퍼시터를 포함하며,
    상기 제2 출력단 커패시터에 충전된 전하가 상기 IGBT의 스위칭 동작에 따라 방전하여 구형파전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
  13. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 직류 고전압 전원 발생장치로부터 출 력되는 고전압 직류전원을 이용하여 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치에 있어서,
    일측은 직류전원을 인가받고 타측은 출력단에 연결되며, 상기 인가받은 직류전원이 분압되어 충전되는 제2 출력단 커패시터; 및
    상기 제2 출력단 커패시터에 충전되는 전압을 방전 또는 출력단으로 출력하게 하는 IGBT 스위치를 포함하며,
    상기 제2 출력단 커패시터에 충전된 전압이 상기 IGBT 스위치에 의해 반복적으로 방전 또는 출력단으로 출력됨으로써, 출력단에서 구형의 펄스전압이 출력되는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    기준 전압을 인가받아 구형파 형태의 클럭신호를 발생시키는 클럭 제너레이터;
    상기 클럭 제너레이터로부터의 클럭신호에 따라 상기 IGBT 스위치의 스위칭 동작을 제어하는 제2 MOSFET을 구비한 드라이버; 및
    상기 직류 고전압 전원 발생장치로부터 직류 전압을 인가 받아 제2 출력단 커패시터를 충전하며, 상기 IGBT 스위치의 스위칭 동작에 의해 반복적으로 상기 제2 출력단 커패시터에 충전된 전하를 방전 또는 출력단으로 출력하여 구형파 펄스전압을 출력하는 구형파 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응 답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 클럭 제너레이터는,
    가변저항의 저항변화에 따라 충전량이 조절되는 제너레이터 커패시터;
    상기 제너레이터 커패시터의 전하 충전량에 따라 동작하는 제3 트랜지스터;
    상기 제3 트랜지스터의 출력신호에 따라 동작하며, 상기 제너레이터 커패시터의 충전과 방전을 반복시켜 구형파 형태의 클럭신호를 발생시키는 낸드게이트(NAND Gate); 및
    상기 구형파 형태의 클럭신호를 인가받아 상기 드라이버 구동신호를 발생시키는 제4 멀티바이브레이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 클럭 제너레이터는,
    상기 제4 멀티바이브레이터의 주파수는 고정된 상태에서 듀티비만을 조정하기 위한 커패시터 및 가변저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 드라이버는,
    상기 클럭 제너레이터로부터 구형파 클럭신호를 입력받고, 상기 클럭신호에 따라 도통되는 제4 트랜지스터; 및
    상기 제4 트랜지스터에 의해 게이트와 소스간에 부전압이 발생되며, 상기 부전압을 통해 상기 IGBT를 구동시키기 위한 신호전압을 발생시키는 제2 MOSFET을 포함하는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 구형파 발생부는,
    상기 직류 고전압 전원 발생장치로부터 전송되는 직류전압을 충전하는 제2 출력단 커퍼시터를 포함하며,
    상기 제2 출력단 커패시터에 충전된 전하가 상기 IGBT의 스위칭 동작에 따라 방전하여 구형파전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 임펄스 측정기의 응답특성 평가를 위한 고압 교정 파형 발생장치.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014025110A1 (ko) * 2012-08-09 2014-02-13 서울대학교 산학협력단 전력 소자 제어 장치 및 이를 이용한 전력 소자 제어 방법
KR20140038108A (ko) * 2012-09-20 2014-03-28 현대모비스 주식회사 차동 펄스 방식을 이용하여 스위칭 게이트를 구동하는 차량용 저전압 직류전원변환장치 및 방법
KR20180022064A (ko) * 2016-08-23 2018-03-06 엘지전자 주식회사 고전압발생기 및 공기조화기
KR20220032297A (ko) * 2020-09-07 2022-03-15 파스코이엔지(주) 정현파 듀티 변조를 적용한 전자 바이브레이터 구동 알고리즘

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0757428B1 (en) 1995-07-31 1998-11-18 Hewlett-Packard Company Flyback converter
US6950319B2 (en) 2003-05-13 2005-09-27 Delta Electronics, Inc. AC/DC flyback converter
US6862194B2 (en) 2003-06-18 2005-03-01 System General Corp. Flyback power converter having a constant voltage and a constant current output under primary-side PWM control
KR101071820B1 (ko) * 2004-05-31 2011-10-11 엘지전자 주식회사 세탁 장치 및 이를 이용한 세탁 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014025110A1 (ko) * 2012-08-09 2014-02-13 서울대학교 산학협력단 전력 소자 제어 장치 및 이를 이용한 전력 소자 제어 방법
KR20140038108A (ko) * 2012-09-20 2014-03-28 현대모비스 주식회사 차동 펄스 방식을 이용하여 스위칭 게이트를 구동하는 차량용 저전압 직류전원변환장치 및 방법
KR20180022064A (ko) * 2016-08-23 2018-03-06 엘지전자 주식회사 고전압발생기 및 공기조화기
KR20220032297A (ko) * 2020-09-07 2022-03-15 파스코이엔지(주) 정현파 듀티 변조를 적용한 전자 바이브레이터 구동 알고리즘

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