KR20100054475A - Led package - Google Patents

Led package Download PDF

Info

Publication number
KR20100054475A
KR20100054475A KR1020080113422A KR20080113422A KR20100054475A KR 20100054475 A KR20100054475 A KR 20100054475A KR 1020080113422 A KR1020080113422 A KR 1020080113422A KR 20080113422 A KR20080113422 A KR 20080113422A KR 20100054475 A KR20100054475 A KR 20100054475A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led chip
led
substrate
led package
phosphor layer
Prior art date
Application number
KR1020080113422A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이재희
김재윤
신옥희
Original Assignee
삼성엘이디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성엘이디 주식회사 filed Critical 삼성엘이디 주식회사
Priority to KR1020080113422A priority Critical patent/KR20100054475A/en
Publication of KR20100054475A publication Critical patent/KR20100054475A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PURPOSE: An LED package is provided to prevent the deterioration of brightness by including a reflection member comprised of a coating layer and a reflection wall which are arranged on the outer circumference of the fluorescent material. CONSTITUTION: In an LED package, a substrate is arranged on the both sides of the LED chip and is bonded with the LED chip through a wire. An electrode(140) is arranged in the outer side of the substrate. A resin mould unit(150) molds the LED chip, a lower part of the substrate and the electrode. The fluorescent material layer(110) is formed on the resin mould unit. The fluorescent material layer comprises a reflecting member having the coating on the external side of the fluorescent material layer.

Description

LED 패키지{LED package}LED package {LED package}

본 발명은 LED 패키지에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 형광체층의 외측 둘레에 코팅층 또는 반사벽으로 이루어진 반사부재를 구비한 LED 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to an LED package, and more particularly to an LED package having a reflecting member consisting of a coating layer or a reflective wall around the outer side of the phosphor layer.

일반적으로 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 전류가 흐를 때 빛을 내는 반도체 발광소자이며, GaAs, GaN 광반도체로 이루어진 P-N 접합 다이오드(junction diode)로 전기에너지를 빛에너지로 바꾸어 주는 것이다.In general, a light emitting diode (LED) is a semiconductor light emitting device that emits light when current flows, and converts electrical energy into light energy using a P-N junction diode made of GaAs and GaN optical semiconductors.

상기 LED 특성을 결정하는 요소로는 색, 취도 및 광변환 효율 등이 있다. 이러한 제품의 특성은 1차적으로는 LED 소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료와 그 구조에 의해 결정되지만, 2차적인 요소로는 LED 칩을 실장하기 위한 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다.Factors determining the LED characteristics include color, brittleness and light conversion efficiency. The characteristics of such a product are primarily determined by the compound semiconductor material and its structure used in the LED device, but the secondary factor is also greatly influenced by the structure for mounting the LED chip.

따라서, 사용자 요구에 따른 발광 효과를 얻기 위해서는 LED 칩의 재료 또는 구조의 1차적인 요소 이외에도, LED 패키지의 구조 및 그에 사용되는 재료 등도 개 선할 필요가 있다. Therefore, in order to obtain a luminous effect according to user requirements, it is necessary to improve the structure of the LED package and the materials used therein, in addition to the primary elements of the material or structure of the LED chip.

특히, 최근에 LED 패키지의 사용 범위가 모바일 단말기와 같은 소형조명에서 실내외의 일반조명, 자동차 조명, 대형 LCD(Liquid Crystal Display)용 백라이트(Backlight)로 그 적용범위가 점차 확대됨에 따라, 고효율 및 휘도를 향상시키고자 하는 노력이 진행되고 있다.In particular, as the application range of LED packages is gradually expanded from small lights such as mobile terminals to indoor and outdoor general lighting, automotive lighting, and large liquid crystal display (LCD) backlights, high efficiency and brightness Efforts are underway to improve this.

도 1은 일반적인 LED 패키지의 구조를 나타낸 단면도로, 상기 LED 패키지(10)는 전극(15)이 형성된 기판(14)과 상기 기판(14)과 와이어 본딩(13)이 이루어진 LED 칩(12), 상기 기판(14)과 LED 칩(12)을 몰딩한 몰딩부(16) 및 상기 몰딩부(16)의 상면에 구비된 수지층(11)의 구조로 이루어져 있다. 1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a general LED package, wherein the LED package 10 includes a substrate 14 having an electrode 15 formed thereon, an LED chip 12 having a substrate 14 and wire bonding 13 formed thereon, The molding part 16 formed by molding the substrate 14 and the LED chip 12 and the resin layer 11 provided on an upper surface of the molding part 16 are formed.

여기서 상기 몰딩부(16)는 상기 LED 칩(12)으로부터 들어오는 빛을 반사시켜 수지층(11)으로 내보내는 역할을 한다. 그리고 상기 수지층(11)은 상기 몰딩부(16) 또는 상기 기판(14)의 표면에서 반사된 LED 칩(12)의 빛을 흡수하여 출사시키거나, 상기 LED 칩(12)으로부터 발광된 빛을 흡수하여 출사시키는 역활을 한다. Here, the molding part 16 serves to reflect the light coming from the LED chip 12 and to send it out to the resin layer 11. The resin layer 11 absorbs and emits light of the LED chip 12 reflected from the molding part 16 or the surface of the substrate 14, or emits light emitted from the LED chip 12. It absorbs and emits.

그러나 이때, 상기 수지층(11)의 측면은 그대로 외부에 개방되어 있기 때문에, 상기 수지층(11)의 측면으로 향하는 빛은 모아지지 않고 퍼져 나가면서 휘도를 떨어뜨려 상기 LED 패키지(10)의 발광 효율을 저하시키는 문제점이 발생하였다. However, at this time, since the side surface of the resin layer 11 is open to the outside as it is, light directed toward the side surface of the resin layer 11 is not collected and spreads while lowering the luminance to emit light of the LED package 10. There was a problem of lowering the efficiency.

따라서, 본 발명은 종래 LED 패키지의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 형광체층의 외측 둘레에 코팅층 또는 반사벽으로 이루어진 반사부재를 구비함으로써, 휘도 저하를 방지하는 LED 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve all the disadvantages and problems of the conventional LED package, by providing a reflecting member consisting of a coating layer or a reflective wall around the outer periphery of the phosphor layer, to provide a LED package that prevents the brightness deterioration have.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 제 1 실시예는 LED 칩; 상기 LED 칩의 양측부에 구비되며, 상기 LED 칩과 와이어 본딩되는 기판; 상기 기판의 외측면에 구비된 전극;상기 LED 칩, 전극 및 기판의 하부를 몰딩하는 수지 몰딩부; 및 상기 수지 몰딩부의 상면에 형성되며, 외측 둘레에 코팅층으로 이루어진 반사부재가 구비된 형광체층; 을 포함하는 LED 패키지를 제공함에 있다.The first embodiment of the present invention for achieving the above object is an LED chip; Substrates provided at both sides of the LED chip and wire-bonded with the LED chip; An electrode provided on an outer surface of the substrate; a resin molding unit molding the LED chip, the electrode, and a lower portion of the substrate; And a phosphor layer formed on an upper surface of the resin molding part and having a reflective member formed of a coating layer on an outer circumference thereof. In providing an LED package comprising a.

또한, 상기 코팅층은 반사율이 우수한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 코팅될 수 있다.In addition, the coating layer may be coated with a silicone resin or an epoxy resin excellent in reflectance.

또한, 상기 와이어 본딩은 상기 칩 하면과 상기 기판의 하면을 연결시킬 수 있다.In addition, the wire bonding may connect the lower surface of the chip and the lower surface of the substrate.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 2 실시예는 LED 칩; 상기 LED 칩의 양측부에 구비되며, 상기 LED 칩과 와이어 본딩되는 기판; 상기 기판의 외측면에 구비된 전극; 상기 LED 칩, 전극 및 기판의 하부를 몰딩하는 수지 몰딩부; 및 상기 수지 몰딩부의 상면에 형성되며, 외측에 반사벽으로 이루어진 반사부재가 구 비된 형광체층; 을 포함하는 LED 패키지를 제공함에 있다.A second embodiment of the present invention for achieving the above object is an LED chip; Substrates provided at both sides of the LED chip and wire-bonded with the LED chip; An electrode provided on an outer surface of the substrate; A resin molding part molding a lower part of the LED chip, an electrode, and a substrate; And a phosphor layer formed on an upper surface of the resin molding part and having a reflection member formed of a reflection wall on the outside thereof. In providing an LED package comprising a.

또한, 상기 반사벽은 반사율이 우수한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 구성될 수 있다.In addition, the reflective wall may be made of a silicone resin or an epoxy resin having excellent reflectance.

또한, 상기 반사벽의 측면에는 상부가 확개된 확개부가 더 구비될 수 있다.In addition, the side of the reflecting wall may be further provided with an extension portion is enlarged.

또한, 상기 반사벽은 상기 형광체층의 상면은 개방되고, 상기 형광체층의 외측면만을 둘러싼 형태로 형성될 수 있다.In addition, the reflective wall may be formed in a form in which an upper surface of the phosphor layer is opened and surrounds only an outer surface of the phosphor layer.

이상에서, 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 LED 패키지는 형광체층의 외측 둘레에 코팅층 또는 반사벽으로 이루어진 반사부재를 구비함으로써, 휘도 저하를 방지하여 LED 패키지의 발광 효율을 개선할 수 있는 장점이 있다.As described above, the LED package according to the present invention has an advantage of improving the luminous efficiency of the LED package by preventing a decrease in luminance by providing a reflective member made of a coating layer or a reflective wall around the outer circumference of the phosphor layer.

또한, 반사벽은 형광체층과 도광판 사이의 계면을 보호하여 LED 패키지의 신뢰성 및 내구성을 향상시키는 효과가 있다.In addition, the reflective wall protects the interface between the phosphor layer and the light guide plate, thereby improving the reliability and durability of the LED package.

본 발명에 따른 LED 패키지에 대한 기술적 구성을 비롯한 작용효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예가 도시된 도면을 참조하여 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.Details regarding the operational effects including the technical configuration of the LED package according to the present invention will be clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings in which preferred embodiments of the present invention are shown.

도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 대하여 상세히 설명한다.2 to 4 will be described in detail with respect to the LED package according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도와 평면도로서, 도 2a는 코팅층으로 이루어진 반사부개가 구비된 LED 패키지의 단면도이고, 도 2b는 도 2a에 대한 평면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view and a plan view of an LED package according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2A is a cross-sectional view of an LED package having a reflective part including a coating layer, and FIG. 2B is a plan view of FIG. 2A.

도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 LED 패키지(100)는 LED 칩(120), 상기 LED 칩(120)의 양측부에 구비된 기판(130), 상기 기판(130)의 외측면에 구비된 전극(140), 상기 LED 칩(120), 기판(130) 및 전극(140)의 몰딩하는 수지 몰딩부(150), 상기 수지 몰딩부(150)의 상면에 형성되며 코팅층으로 이루어진 반사부재가 구비된 형광체층(110)을 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 2, the LED package 100 according to the first embodiment of the present invention includes an LED chip 120, a substrate 130 provided at both sides of the LED chip 120, and the substrate 130. And formed on an upper surface of the electrode 140, the LED chip 120, the substrate 130, and the resin molding part 150 for molding the electrode 140 and the resin molding part 150. It includes a phosphor layer 110 provided with a reflective member consisting of a coating layer.

여기서, 상기 LED 칩(120)에는 통상적인 방식의 LED 칩이 적용되며 바람직하게는 GaN 계열의 LED 칩이 사용될 수 있다. 또한, 상기 LED 칩(120) 하면은 상기 기판(130)의 하면과 와이어 본딩(125)에 의해 서로 전기적으로 접속되며 이때, 상기 와이어(125)는 일반적으로 금(Au)으로 이루어지는 것이 바람직하다.In this case, a conventional LED chip is applied to the LED chip 120, and preferably, a GaN-based LED chip may be used. In addition, the bottom surface of the LED chip 120 is electrically connected to each other by the bottom surface of the substrate 130 and the wire bonding 125, wherein the wire 125 is generally made of gold (Au).

상기 LED 칩(120)의 양측부에 구비된 상기 기판(130)은 인쇄회로기판, 세라믹기판 또는 BT 레진 중 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 전극(140)은 상기 기판(130)의 외측면에 관통홀(도면미도시)을 가공한 뒤 상기 관통홀에 전기적 통전물질인 은(Ag)등을 채워넣음으로써 형성된다. 따라서, 상기 기판(130)과 와이어 본딩(125) 된 상기 LED 칩(120)은 상기 전극(140)을 통해 외부로부터 전원을 인가받아 빛을 발광하게 된다. 그리고 상기 기판(130)의 표면에는 상기 LED 칩(120)으로부터 발광된 빛을 반사시켜 상기 형광체층(110)으로 내보내도록 코팅물질(도면미도시)이 더 도포될 수 있다.The substrate 130 provided at both sides of the LED chip 120 may be made of any one of a printed circuit board, a ceramic substrate, and a BT resin, and the electrode 140 may be formed on an outer surface of the substrate 130. After processing the through-hole (not shown) is formed by filling the through-hole (Ag), such as an electrically conductive material. Therefore, the LED chip 120 wire-bonded with the substrate 130 emits light by receiving power from the outside through the electrode 140. In addition, a coating material (not shown) may be further applied to the surface of the substrate 130 to reflect the light emitted from the LED chip 120 to be emitted to the phosphor layer 110.

상기 수지몰딩부(150)는 상기 LED 칩(120), 기판(130) 및 전극(140)의 하부를 몰딩하여 상기 LED 칩(120)과 와이어 본딩(125)을 보호하고, 상기 LED 칩(120)으로부터 발광된 빛을 반사시켜 외부로 즉, 상기 형광체층(110)으로 내보내는 역할을 한다. 따라서, 상기 수지 몰딩부(150)는 반사율이 우수한 실리콘수지 또는 에폭시수지 등으로 이루어지는 것이 바람직하다. The resin molding part 150 protects the LED chip 120 and the wire bonding 125 by molding lower portions of the LED chip 120, the substrate 130, and the electrode 140, and the LED chip 120. Reflects the light emitted from the outside to the outside, that is, to the phosphor layer 110. Therefore, the resin molding part 150 is preferably made of a silicone resin or epoxy resin with excellent reflectance.

상기 형광체층(110)은 형광체를 함유한 수지층으로 상기 수지몰딩부(150) 및 상기 기판(130)의 표면에서 반사된 LED 칩(120)의 빛을 흡수하여 출사시키거나, 상기 LED 칩(120)으로부터 발광된 빛을 흡수하여 출사시키는 역활을 한다. 따라서, 상기 LED 칩(120) 발광시 상기 LED 칩(120)을 구성하는 반도체 소자에 따라 발생되는 R.G.B 파장대의 빛은 상기 형광체층(110)에 함유된 형광체에 의해서 백색광으로 전환되어 상기 LED 패키지(100)로부터 발산되어 백색광의 광원으로 제공될 수 있다.The phosphor layer 110 is a resin layer containing phosphors to absorb and emit light of the LED chip 120 reflected from the surface of the resin molding part 150 and the substrate 130, or the LED chip ( It serves to absorb and emit light emitted from the 120. Therefore, when the LED chip 120 emits light, the light of the RGB wavelength band generated by the semiconductor device constituting the LED chip 120 is converted into white light by the phosphor contained in the phosphor layer 110, so that the LED package ( 100 may be provided as a light source of white light.

그러나, 상기 형광체층(110)의 외측면은 외부에 그대로 개방되어 있어 상기 LED 칩(120)으로부터 발광되거나 상기 수지몰딩부(150) 및 기판(130)의 표면에서 반사된 LED 칩(120)의 빛이 모아지지 않고 상기 형광체층(110)의 외측면으로 퍼져 나갈 수 있기 때문에, 상기 형광체층(110)의 외측 둘레에 코팅층(113)으로 이루어진 반사부재가 구비된다. 즉, 상기 LED 칩(120)으로부터 발광되거나 상기 수지몰딩부(150) 및 상기 기판(130)의 표면에서 반사된 LED 칩(120)의 빛이 상기 코팅 층(113)을 통해 재차 반사되어 상기 형광체층(110) 상면으로만 출사됨으로써, 휘도 저하를 방지할 수 있도록 하였다. However, the outer surface of the phosphor layer 110 is open to the outside as it is of the LED chip 120 emitted from the LED chip 120 or reflected from the surface of the resin molding 150 and the substrate 130 Since light may spread to the outer surface of the phosphor layer 110 without being collected, a reflective member including a coating layer 113 is provided around the outer side of the phosphor layer 110. That is, the light emitted from the LED chip 120 or reflected from the surface of the resin molding part 150 and the substrate 130 is reflected by the light of the LED chip 120 again through the coating layer 113 and the phosphor By emitting only to the upper surface of the layer 110, it is possible to prevent the lowering of the brightness.

이때, 상기 코팅층(113)의 재질은 상기 몰딩수지부(150)와 같이 반사율이 우수한 실리콘수지 또는 에폭시 수지 등으로 이루어지는 것이 바람직하다. In this case, the material of the coating layer 113 is preferably made of a silicone resin or an epoxy resin having excellent reflectance, such as the molding resin portion 150.

그고 상기 코팅층(113)의 두께는 5㎛ 내지 10㎛으로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 형광체층(110)의 상부 표면은 상기 LED 칩(120)으로부터 발광된 빛이 출사되는 상기 형광체층(110)의 상면에는 코팅층(113)이 형성되지 않도록 주의한다. 상기 형광체층(110)의 상면 또는 그 외 다른 부분에 코팅이 되는 것을 방지하기 위해서는 상기 형광체층(110)의 외측 둘레에 대응되는 마스크(도면미도시)를 사용하여 코팅층(113)을 형성할 수 있다.The thickness of the coating layer 113 is preferably 5 μm to 10 μm, and the upper surface of the phosphor layer 110 has the phosphor layer 110 through which light emitted from the LED chip 120 is emitted. Note that the coating layer 113 is not formed on the upper surface of the. In order to prevent the coating on the upper surface or other portions of the phosphor layer 110, the coating layer 113 may be formed using a mask (not shown) corresponding to the outer periphery of the phosphor layer 110. have.

또한, 상기 형광체층(110) 상에는 상기 LED 칩(120)으로부터 발광되는 빛을 균일하게 외부로 전달하는 역할을 하는 플라스틱 성형 렌즈의 하나인 도광판(도면미도시)이 구비된다.In addition, the phosphor layer 110 is provided with a light guide plate (not shown), which is one of plastic molding lenses that uniformly transmits light emitted from the LED chip 120 to the outside.

도 3 및 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도와 평면도로서, 도 3a는 반사벽로 이루어진 반사부재가 구비한 LED 패키지의 단면도이고, 도 3b는 도 3a에 대한 평면도이고, 도 4a는 측면에 확개부를 더 구비된 반사벽으로 이루어진 반사부재가 구비된 LED 패키지의 단면도이고, 도 4b는 도 4a에 대한 평면도이다.3 and 4 are cross-sectional views and a plan view of the LED package according to a second embodiment of the present invention, Figure 3a is a cross-sectional view of the LED package with a reflective member made of a reflective wall, Figure 3b is a plan view of Figure 3a, Figure 4a is a cross-sectional view of the LED package with a reflecting member consisting of a reflective wall further provided with an enlargement on the side, Figure 4b is a plan view of Figure 4a.

도 3 및 4를 참조하여 설명하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 LED 패키 지(100)는 LED 칩(120), 상기 LED 칩(120)의 양측부에 구비된 기판(130), 상기 기판(130)의 외측면에 구비된 전극(140), 상기 LED 칩(120), 기판(130) 및 전극(140)의 몰딩하는 수지 몰딩부(150), 상기 수지 몰딩부(150)의 상면에 형성되며 반사벽(117)으로 이루어진 반사부재가 구비된 형광체층(110)을 포함하여 이루어진다. Referring to FIGS. 3 and 4, the LED package 100 according to the second embodiment of the present invention includes an LED chip 120, a substrate 130 provided at both sides of the LED chip 120, and An electrode 140, an LED chip 120, a substrate 130, and a resin molding part 150 for molding the electrode 140 provided on an outer surface of the substrate 130 and an upper surface of the resin molding part 150. And a phosphor layer 110 having a reflective member formed of a reflective wall 117.

상기 제 2 실시예의 LED 패키지는 상기 제 1 실시예의 LED 패키지와는 다른 반사부재를 구비하며, 앞서 설명한 도 2와 동일한 기능을 하는 구성요소는 동일한 도면 부호를 사용하였으며, 이하 중복되는 설명은 생략한다.The LED package of the second embodiment has a reflective member different from that of the LED package of the first embodiment, and the components having the same functions as those of FIG. 2 described above have the same reference numerals, and will not be repeated. .

상기 형광체층(110)은 도 3과 같은 상기 형광체층(110)의 외측에 반사벽(117)으로 이루어진 반사부재를 구비하여 상기 LED 칩(120)으로부터 발광되거나 상기 수지몰딩부(150) 및 상기 기판(130)의 표면에서 반사된 LED 칩(120)의 빛이 상기 반사벽(117)을 통해 재차 반사되어 상기 형광체층(110) 상면으로만 출사되도록 하여, 휘도 저하를 방지할 수 있게 된다. 이때, 상기 반사벽(117)의 재질은 상기 몰딩수지부(150)와 같은 반사율이 우수한 실리콘수지 또는 에폭시 수지 등으로 이루어지는 것이 바람직하다. The phosphor layer 110 includes a reflective member formed of a reflective wall 117 on the outer side of the phosphor layer 110 as shown in FIG. 3 to emit light from the LED chip 120 or the resin molding part 150 and the The light of the LED chip 120 reflected from the surface of the substrate 130 is reflected again through the reflective wall 117 is emitted only to the upper surface of the phosphor layer 110, it is possible to prevent the lowering of the brightness. At this time, the material of the reflective wall 117 is preferably made of a silicone resin or epoxy resin excellent in the same reflectance as the molding resin portion 150.

또한, 상기 반사벽(117)은 도 4에 도시된 바와 같이 지향각을 충분히 확보할 수 있도록 측면에 상부가 확개된 확개부(118)가 더 구비된 형태로도 이루어질 수 있다. 이처럼 상기 반사벽(117)은 도시된 바와 같은 형상에만 한정되지 않고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 반사율을 향상시킬 수 있는 형상으로 다양하게 변형될 수 있다. 그리고 상기 반사벽(117)은 상기 형광체층(110)의 상면이 개방되고 상기 형광체층(110)의 외측면만을 둘러싼 형태로 금형 또는 압출방식에 의해 가공되 며, 상기 반사벽(117)의 높이는 상기 형광체층(110)의 높이보다 높게 형성되는 것이 바람직하다. In addition, as shown in FIG. 4, the reflective wall 117 may be formed in a form in which an enlarged portion 118 having an upper portion is enlarged at a side thereof to sufficiently secure a directing angle. As described above, the reflective wall 117 is not limited to the shape as shown, and may be variously modified into a shape capable of improving the reflectance within the technical scope of the present invention. The reflective wall 117 is processed by a mold or an extrusion method in which the upper surface of the phosphor layer 110 is opened and surrounds only the outer surface of the phosphor layer 110, and the height of the reflective wall 117 is It is preferably formed higher than the height of the phosphor layer 110.

또한, 상기 반사벽(117)은 상기 형광체층(110) 상에 구비되는 도광판 사이에서 범퍼 역할을 하여, 상기 LED 패키지(100)를 보호하는 역할을 할 수 있다.In addition, the reflective wall 117 may serve as a bumper between the light guide plates provided on the phosphor layer 110 to protect the LED package 100.

이와 같이. 본 발명에 따른 LED 패키지는 상기 형광체층(110)의 외측 둘레에 코팅층(113) 또는 반사벽(117)으로 이루어진 반사부재를 구비함으로써, 휘도 저하를 방지하여 LED 패키지(100)의 발광 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 반사벽(117)은 상기 형광체층(110)과 도광판 사이의 계면을 보호하여 LED 패키지(100)의 신뢰성 및 내구성을 향상시킨다.like this. The LED package according to the present invention includes a reflecting member made of a coating layer 113 or a reflecting wall 117 around the outer side of the phosphor layer 110, thereby preventing luminance degradation to improve the luminous efficiency of the LED package 100. can do. In addition, the reflective wall 117 protects the interface between the phosphor layer 110 and the light guide plate to improve the reliability and durability of the LED package 100.

이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention described above have been described in detail, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom.

따라서, 본 발명의 권리 범위는 개시된 실시예에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변경 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.Accordingly, the scope of the present invention is not limited to the disclosed embodiments, but various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims should also be considered as belonging to the scope of the present invention. .

도 1은 일반적인 LED 패키지의 구조를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing the structure of a typical LED package.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도와 평면도로서, 도 2a는 코팅층으로 이루어진 반사부재가 구비된 LED 패키지의 단면도이고, 도 2b는 도 2a에 대한 평면도.2 is a cross-sectional view and a plan view of the LED package according to the first embodiment of the present invention, Figure 2a is a cross-sectional view of the LED package with a reflective member consisting of a coating layer, Figure 2b is a plan view of Figure 2a.

도 3 및 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도와 평면도로서, 도 3a는 반사벽으로 이루어진 반사부재가 구비된 LED 패키지의 단면도이고, 도 3b는 도 3a에 대한 평면도이고, 도 4a는 측면에 확개부를 더 구비한 반사벽으로 이루어진 반사부재가 구비된 LED 패키지의 단면도이고, 도 4b는 도 4a에 대한 평면도.3 and 4 are a cross-sectional view and a plan view of the LED package according to a second embodiment of the present invention, Figure 3a is a cross-sectional view of the LED package with a reflective member made of a reflective wall, Figure 3b is a plan view of Figure 3a, Figure 4a is a cross-sectional view of the LED package with a reflecting member consisting of a reflecting wall further having an enlargement on the side, Figure 4b is a plan view of Figure 4a.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 ><Explanation of Signs of Major Parts of Drawings>

100 : LED 패키지 110 : 형광체층100: LED package 110: phosphor layer

113 : 코팅층 117 : 반사벽113: coating layer 117: reflective wall

118 : 확개부 120 : LED 칩 118: expansion part 120: LED chip

125 : 와이어 130 : 기판125: wire 130: substrate

140 : 전극 150 : 수지몰딩부140: electrode 150: resin molding

Claims (7)

LED 칩;LED chip; 상기 LED 칩의 양측부에 구비되며, 상기 LED 칩과 와이어 본딩되는 기판;Substrates provided at both sides of the LED chip and wire-bonded with the LED chip; 상기 기판의 외측면에 구비된 전극;An electrode provided on an outer surface of the substrate; 상기 LED 칩, 전극 및 기판의 하부를 몰딩하는 수지 몰딩부; 및A resin molding part molding a lower part of the LED chip, an electrode, and a substrate; And 상기 수지 몰딩부의 상면에 형성되며, 외측 둘레에 코팅층으로 이루어진 반사부재가 구비된 형광체층; A phosphor layer formed on an upper surface of the resin molding part and having a reflective member formed of a coating layer on an outer circumference thereof; 을 포함하는 LED 패키지.LED package comprising a. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 코팅층은 반사율이 우수한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 코팅되는 LED 패키지.The coating layer is a LED package coated with a silicone resin or epoxy resin excellent in reflectance. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 와이어 본딩은 상기 칩 하면과 상기 기판의 하면을 연결시키는 LED 패키지. The wire bonding is an LED package connecting the lower surface of the chip and the substrate. LED 칩;LED chip; 상기 LED 칩의 양측부에 구비되며, 상기 LED 칩과 와이어 본딩되는 기판;Substrates provided at both sides of the LED chip and wire-bonded with the LED chip; 상기 기판의 외측면에 구비된 전극;An electrode provided on an outer surface of the substrate; 상기 LED 칩, 전극 및 기판의 하부를 몰딩하는 수지 몰딩부; 및A resin molding part molding a lower part of the LED chip, an electrode, and a substrate; And 상기 수지 몰딩부의 상면에 형성되며, 외측에 반사벽으로 이루어진 반사부재가 구비된 형광체층; A phosphor layer formed on an upper surface of the resin molding part and provided with a reflective member formed of a reflective wall on an outer side thereof; 을 포함하는 LED 패키지.LED package comprising a. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 반사벽은 반사율이 우수한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 구성되는 LED 패키지.The reflective wall is an LED package composed of a silicone resin or an epoxy resin excellent in reflectance. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 반사벽의 측면에는 상부가 확개된 확개부가 더 구비되는 LED 패키지.LED side package is further provided on the side of the reflective wall is an extension portion is expanded. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 반사벽은 상기 형광체층의 상면은 개방되고, 상기 형광체층의 외측면만을 둘러싼 형태로 LED 패키지.The reflective wall is an LED package in a form in which the upper surface of the phosphor layer is opened, surrounding only the outer surface of the phosphor layer.
KR1020080113422A 2008-11-14 2008-11-14 Led package KR20100054475A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080113422A KR20100054475A (en) 2008-11-14 2008-11-14 Led package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080113422A KR20100054475A (en) 2008-11-14 2008-11-14 Led package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100054475A true KR20100054475A (en) 2010-05-25

Family

ID=42279199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080113422A KR20100054475A (en) 2008-11-14 2008-11-14 Led package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100054475A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10128423B2 (en) Light emitting device and lighting apparatus having the same
KR101114197B1 (en) Light emitting device and lighing system
US8309983B2 (en) Light emitting device package and lighting system having the same
US8525213B2 (en) Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
US9420642B2 (en) Light emitting apparatus and lighting apparatus
KR100851183B1 (en) Semiconductor light emitting device package
US8132934B2 (en) Light emitting device and light unit having the same
KR101088910B1 (en) LED package and method of manufacturing the same
KR100550750B1 (en) Luminescent diode package and method for manufacturing led package
TWI606616B (en) Light emitting device package
US20090189171A1 (en) Light emitting diode package
KR101114151B1 (en) Light emitting device and lighing system
KR20130014755A (en) Light emitting device package and lighting system
KR101655464B1 (en) Light emitting device package, method for fabricating the same and lighting system including the same
KR20120014391A (en) Light emitting device and lighing system
KR101039979B1 (en) Light emitting device package and lighting system
JP2017162997A (en) Light-emitting device and illuminating device
KR101154656B1 (en) Light emitting device and lighing system
KR20100118457A (en) Backlight unit and method for manufacturing the same
KR20100054475A (en) Led package
KR101047795B1 (en) Semiconductor light emitting device
KR102142718B1 (en) Light emitting device and light apparatus having thereof
CN113497013B (en) Light emitting device
KR102109139B1 (en) Light emitting device and lighting system
KR20110131429A (en) Light emitting device and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
WITN Withdrawal due to no request for examination