KR20100053136A - Display device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A display device is provided to reduce a stable voltage by using an auxiliary electrode and forming a source and a gate under a semiconductor. CONSTITUTION: A first counter electrode(10) is formed on a substrate(110). A first thin film transistor having a first input terminal, a first output terminal, and a first control terminal is formed on a first auxiliary electrode. A pixel electrode is connected to the first thin film transistor. The first counter electrode is overlapped with the thin film transistor. The first counter electrode is electrically connected to the first input terminal. The thin film transistor comprises a first source domain having high doped impurity, a first drain region, and a polycrystalline silicon having a first channel formed between the first source and drain region.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly to an organic light emitting display device.

유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자(organic light emitting element)와 이를 구동하기 위한 복수의 박막 트랜지스터를 포함한다. 이들은 복수의 박막으로 만들어지며 공정 상의 이유로 대개는 박막 트랜지스터는 아래 쪽에, 유기 발광 소자는 위쪽에 위치하며, 유기 발광 소자의 애노드(anode)는 아래 쪽에, 캐소드(cathode)는 위쪽에 위치한다.The organic light emitting display includes an organic light emitting element and a plurality of thin film transistors for driving the organic light emitting element. These are made of a plurality of thin films. For process reasons, the thin film transistor is located on the lower side and the organic light emitting element is on the upper side. The anode of the organic light emitting element is located on the lower side and the cathode is located on the upper side.

이와 같은 유기 발광 표시 장치는 빛을 위로 방출하는 상부 방출(top emission) 방식과 아래 쪽으로 방출하는 하부 방출(bottom emission) 방식으로 나눌 수 있다. 하부 방출 방식의 경우 유기 발광 소자의 아래 쪽에 위치한 박막 트랜지스터 때문에 빛을 방출할 수 있는 면적이 좁기 때문에 박막 트랜지스터의 아래에는 차광 부재(black matrix)를 형성하지 않는다.The organic light emitting display device may be divided into a top emission type in which light is emitted upward and a bottom emission type in which the light is emitted in a downward direction. In the case of the bottom emission type, a black matrix is not formed under the thin film transistor because the area capable of emitting light is narrow due to the thin film transistor located under the organic light emitting element.

한편, 표시 장치를 구동하기 위한 박막 트랜지스터의 반도체는 비정질 규소를 결정화하여 형성한 다결정 규소로 형성할 수 있다.On the other hand, the semiconductor of the thin film transistor for driving the display device can be formed of polycrystalline silicon formed by crystallizing amorphous silicon.

그러나 차광 부재를 형성하지 않으면 빛의 산란 등을 방지하기 위해서 편광판을 별도로 추가하여야 하는 문제점이 있다.However, if a light shielding member is not formed, there is a problem that a polarizing plate must be separately added to prevent scattering of light or the like.

그리고 비정질 규소를 다결정화 한 경우 형성되는 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 균일하지 않아 화질이 고르지 못하게 되는 문제점이 있다.When the amorphous silicon is polycrystallized, the electrical characteristics of the thin film transistor to be formed are not uniform, resulting in an uneven image quality.

따라서 본 발명은 편광판을 설치하지 않으면서도 킹크(kink) 효과를 감소하고 안정 전압(saturation voltage)을 감소시키고, 균일한 화질을 얻을 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a display device capable of reducing a kink effect, reducing a saturation voltage, and obtaining a uniform image quality without providing a polarizing plate.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 제1 보조 전극, 제1 보조 전극과 위에 형성되어 있고, 제1 입력 단자, 제1 출력 단자 및 제1 제어 단자를 가지는 제1 박막 트랜지스터, 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 제1 보조 전극은 제1 박막 트랜지스터와 중첩하고, 제1 입력 단자와 전기적으로 연결되어 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including a substrate, a first auxiliary electrode formed on the substrate, a first auxiliary electrode, and a first input terminal, a first output terminal, And a pixel electrode connected to the first thin film transistor. The first auxiliary electrode overlaps the first thin film transistor and is electrically connected to the first input terminal.

제1 박막 트랜지스터는 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역과 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역 사이에 형성되어 있는 제1 채널 영역을 포함하는 다결정 규소를 포함하며, 제1 보조 전극은 제1 소스 영역을 경유하여 제1 입력 단자와 연결되어 있다.The first thin film transistor includes a first source region doped with a high concentration of impurities and a first channel region formed between the first drain region and the first source region and the first drain region, 1 auxiliary electrode is connected to the first input terminal via the first source region.

제1 보조 전극은 제1 입력 전극과 직접 연결되어 있다.The first auxiliary electrode is directly connected to the first input electrode.

제1 보조 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다.The first auxiliary electrode may be made of an opaque conductive material.

제1 보조 전극은 투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다.The first auxiliary electrode may be made of a transparent conductive material.

제1 보조 전극은 기판 전면에 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode may be formed on the entire surface of the substrate.

제1 신호선, 제1 신호선과 교차하는 제2 신호선, 제1 박막 트랜지스터의 제1 제어 단자에 연결되어 있는 제2 출력 단자, 제1 신호선과 연결되어 있는 제2 제어 단자, 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 입력 단자를 포함하는 제2 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터와 중첩하고, 제2 입력 단자와 전기적으로 연결되어 있는 제2 보조 전극을 더 포함할 수 있다.A first signal line, a second signal line intersecting the first signal line, a second output terminal connected to the first control terminal of the first thin film transistor, a second control terminal connected to the first signal line, and a second signal line, A second thin film transistor including a second input terminal, and a second auxiliary electrode overlapping the second thin film transistor and electrically connected to the second input terminal.

제2 박막 트랜지스터는 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역과 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역 사이의 제2 채널 영역을 포함하는 다결정 규소를 포함하고, 제2 보조 전극은 제2 소스 영역을 경유하여 제2 입력 전극과 연결되어 있다.The second thin film transistor includes a polycrystalline silicon including a second source region doped with a high concentration of impurities and a second channel region between the second drain region and the second source region and the second drain region, Is connected to the second input electrode via the second source region.

제2 보조 전극은 제1 입력 전극과 직접 연결되어 있다.The second auxiliary electrode is directly connected to the first input electrode.

제2 보조 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다.The second auxiliary electrode may be made of an opaque conductive material.

화소 전극 위에 형성되어 있는 발광층을 더 포함할 수 있다.And a light emitting layer formed on the pixel electrode.

본 발명의 실시예에서와 같이 보조 전극을 이용하여 반도체의 아래에 소스와 연결된 게이트를 형성하면 킹크 효과를 감소하고 안정 전압을 감소시켜 균일한 화질을 얻을 수 있다.As in the embodiment of the present invention, by forming the gate connected to the source under the semiconductor using the auxiliary electrode, the kink effect can be reduced and the stable voltage can be reduced to obtain a uniform image quality.

그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. It will be understood that when an element such as a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the element directly over another element, Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

먼저 도 1을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.First, an OLED display according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of an OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다.1, the OLED display includes a plurality of signal lines 121, 171, and 172, a plurality of pixels PX connected to the pixels, and arranged in a matrix form, ).

신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171), 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있다.The signal line includes a plurality of gate lines 121 for transmitting gate signals (or scanning signals), a plurality of data lines 171 for transmitting data signals, a plurality of driving voltage lines and a driving voltage line 172. The gate lines 121 extend substantially in the row direction, are substantially parallel to each other, the data lines 171 extend in a substantially column direction, and are substantially parallel to each other. The driving voltage line 172 extends in a substantially column direction.

각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 박막 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting element)(LD)를 포함한다.Each pixel PX includes a switching transistor Qs, a driving transistor Qd, a storage capacitor Cst, and an organic light emitting element LD. .

스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.The switching transistor Qs has a control terminal, an input terminal and an output terminal. The control terminal is connected to the gate line 121 and the input terminal is connected to the data line 171 , And an output terminal thereof is connected to the driving transistor Qd. The switching transistor Qs transfers the data signal received from the data line 171 to the driving transistor Qd in response to the scanning signal received from the gate line 121. [

구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.The driving transistor Qd also has a control terminal, an input terminal and an output terminal. The control terminal is connected to the switching transistor Qs, the input terminal is connected to the driving voltage line 172, (LD). The driving transistor Qd passes an output current I LD whose magnitude varies depending on the voltage applied between the control terminal and the output terminal.

축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지 한다.The capacitor Cst is connected between the control terminal and the input terminal of the driving transistor Qd. The capacitor Cst charges the data signal applied to the control terminal of the driving transistor Qd and holds it even after the switching transistor Qs is turned off.

유기 발광 소자(LD)는 예를 들면 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로서, 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압선(172)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.The organic light emitting diode LD is an organic light emitting diode (OLED), for example, and includes an anode connected to the output terminal of the driving transistor Qd and a cathode connected to the common voltage line 172. [ (cathode). The organic light emitting diode LD emits light with different intensity according to the output current I LD of the driving transistor Qd to display an image.

스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)로서 이들 중 적어도 하나는 도 2에 도시한 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 그러나 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 소자(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.The switching transistor Qs and the driving transistor Qd are n-channel field effect transistors (FETs), and at least one of them may have a structure as shown in FIG. However, at least one of the switching transistor Qs and the driving transistor Qd may be a p-channel field-effect transistor. Also, the connection relationship between the transistors Qs and Qd, the capacitor Cst, and the organic light emitting diode LD may be changed.

경우에 따라서는 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 외에도 구동 트랜지스터(Qd)나 유기 발광 소자(LD)의 문턱 전압 보상을 위한 다른 트랜지스터들이 더 있을 수 있다.In some cases, in addition to the switching transistor Qs and the driving transistor Qd, there may be further transistors for compensating the threshold voltage of the driving transistor Qd or the organic light emitting diode LD.

그러면 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조에 대하여 도 2 내지 도 4를 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.The detailed structure of the organic light emitting display shown in FIG. 1 will now be described in detail with reference to FIG. 2 through FIG. 4 with reference to FIG.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 4는 도 2의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a layout diagram of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a line III-III of FIG. Sectional view taken along line IV-IV of Fig.

도 2 내지 4를 참조하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에는 보조 전극(10)이 형성되어 있다. 보조 전극(10)은 불투명한 도전 물질로 이루어진다.Referring to FIGS. 2 to 4, an auxiliary electrode 10 is formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic. The auxiliary electrode 10 is made of an opaque conductive material.

보조 전극(10)을 포함하는 기판(100) 위에 산화 규소 또는 질화 규소 등으로 이루어진 차단층(111)이 형성되어 있다. 차단층(111)은 보조 전극(10)을 노출하는 접촉 구멍(15)을 포함한다.A barrier layer 111 made of silicon oxide or silicon nitride is formed on the substrate 100 including the auxiliary electrode 10. The barrier layer 111 includes a contact hole 15 for exposing the auxiliary electrode 10.

차단층(111) 위에는 제1 및 제2 반도체(151a, 151b)가 형성되어 있고, 제2 반도체(151b)에는 축전기용 반도체(157)가 연결되어 있다.The first and second semiconductor layers 151a and 151b are formed on the barrier layer 111 and the capacitor semiconductor 157 is connected to the second semiconductor layer 151b.

제1 및 제2 반도체(151a, 151b)는 보조 전극(10)과 중첩되어 있으며 접촉 구멍(15)을 통해서 보조 전극(10)과 연결되어 있다. 제1 및 제2 반도체(151a, 151b)는 비정질 규소를 결정화한 다결정 규소 따위로 이루어진다. The first and second semiconductors 151a and 151b overlap the auxiliary electrode 10 and are connected to the auxiliary electrode 10 through the contact hole 15. [ The first and second semiconductors 151a and 151b are made of polycrystalline silicon in which amorphous silicon is crystallized.

제1 및 제2 반도체(151a, 151b)의 제1 및 제2 소스 영역(153a, 153b)과 제1 및 제2 드레인 영역(155a, 155b)은 n형 또는 p형 불순물로 도핑되어 있으며, 각각 다른 불순물로 도핑될 수 있다. 제1 및 제2 소스 영역(153a, 153b)과 채널 영역(154a, 154b) 사이, 제1 드레인 영역(155a, 155b)과 채널 영역(154a, 154b) 사이에는 저농도 도핑 영역(152) 또는 오프셋 영역이 형성될 수 있다.The first and second source regions 153a and 153b and the first and second drain regions 155a and 155b of the first and second semiconductors 151a and 151b are doped with n-type or p-type impurities, It can be doped with other impurities. A lightly doped region 152 or an offset region 152 is formed between the first and second source regions 153a and 153b and the channel regions 154a and 154b and between the first drain regions 155a and 155b and the channel regions 154a and 154b. Can be formed.

제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역(153a, 155a) 사이에 고농도 도핑 영역(154c)을 포함할 수 있으며, 드레인 및 소스 영역으로 사용된다.A heavily doped region 154c may be formed between the first source region and the first drain region 153a and 155a and used as a drain and a source region.

보조 전극(10)과 연결되는 반도체에도 도전형 불순물이 고농도로 도핑되는 것이 바람직하며, 예를 들어 소스 영역(153a, 153b)일 수 있다.It is preferable that the semiconductor to be connected to the auxiliary electrode 10 is also doped with a conductive impurity at a high concentration. For example, it may be the source region 153a or 153b.

제1 및 제2 반도체(15a, 151b) 위에는 산화 규소 또는 질화 규소로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. A gate insulating film 140 made of silicon oxide or silicon nitride is formed on the first and second semiconductors 15a and 151b.

게이트 절연막(140) 위에는 제1 제어 전극(124a)을 포함하는 게이트선(121) 및 제2 제어 전극(124b)이 형성되어 있다.A gate line 121 and a second control electrode 124b including a first control electrode 124a are formed on the gate insulating layer 140. [

게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗으며, 제1 제어 전극(124a)은 위로 돌출하여 스위칭 트랜지스터의 채널부(154a)와 중첩하고 있다. 게이트선(121)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함할 수 있다.The gate line 121 extends mainly in the horizontal direction, and the first control electrode 124a protrudes upward and overlaps the channel section 154a of the switching transistor. The gate line 121 may include a wide end (not shown) for connection with another layer or an external driving circuit.

제2 제어 전극(124b)은 게이트선(121)과 분리되어 있으며 구동 박막 트랜지스터의 채널부(154b)와 중첩하고 있다. The second control electrode 124b is separated from the gate line 121 and overlaps the channel portion 154b of the driving thin film transistor.

제2 제어 전극(124b)은 세로 방향으로 길게 뻗은 유지 전극(127)을 포함하고, 유지 전극(127)은 반도체의 유지 전극부(157)와 중첩되어 있다.The second control electrode 124b includes a sustain electrode 127 extending in the longitudinal direction and the sustain electrode 127 overlaps the sustain electrode portion 157 of the semiconductor.

게이트선(121)과 제2 제어 전극(124b) 및 유지 전극(127)의 위에는 제1 층간 절연막(180p)이 형성되어 있고, 제1 층간 절연막(180p) 위에는 데이터 신호를 전달하는 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)이 형성되어 있다.A first interlayer insulating film 180p is formed on the gate line 121, the second control electrode 124b and the sustain electrode 127. On the first interlayer insulating film 180p, a data line 171 A driving voltage line 172, and first and second output electrodes 175a and 175b.

데이터선(171) 및 구동 전압선(172)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 데이터선(171)은 제1 제어 전극(124a)을 향하여 뻗은 제1 입력 전극(173a)을 포함하고, 구동 전압선(172)은 제2 제어 전극(124b)을 향하여 뻗은 제2 입력 전극(173b)을 포함한다.The data line 171 and the driving voltage line 172 extend mainly in the vertical direction and intersect with the gate line 121. The data line 171 includes a first input electrode 173a extending toward the first control electrode 124a and the driving voltage line 172 includes a second input electrode 173b extending toward the second control electrode 124b. .

제1 및 제2 입력 전극(173a, 173b)은 제1 층간 절연막(180p) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(161, 164)을 통해서 각각 제1 및 제2 소스 영역(153a, 153b)과 연결되어 있다. The first and second input electrodes 173a and 173b are electrically connected to the first and second source regions 153a and 153b through contact holes 161 and 164 formed in the first interlayer insulating film 180p and the gate insulating film 140, Lt; / RTI >

제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)과도 분리되어 있다. 제1 출력 전극(175a)은 제1 층간 절연막(180p) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(162, 163)을 통해서 제1 드레인 영역(155a) 및 제2 입력 전극(124b)과 연결되어 있고, 제2 출력 전극(175b)은 제1 층간 절연막(180p) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(165)을 통해서 제2 드레인 영역(155b)과 연결되어 있다.The first and second output electrodes 175a and 175b are separated from each other and are separated from the data line 171 and the driving voltage line 172. [ The first output electrode 175a is connected to the first drain region 155a and the second input electrode 124b through the contact holes 162 and 163 formed in the first interlayer insulating film 180p and the gate insulating film 140 And the second output electrode 175b is connected to the second drain region 155b through the first interlayer insulating film 180p and the contact hole 165 formed in the gate insulating film 140. [

제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a)은 제1 제어 전극(124a)을 중심으로 서로 마주하며, 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b)은 제2 제어 전극(124b)을 중심으로 서로 마주한다.The first input electrode 173a and the first output electrode 175a face each other with respect to the first control electrode 124a and the second input electrode 173b and the second output electrode 175b face the second control electrode 124a, (124b).

제1 제어 전극(124a), 제1 입력 전극(173a) 및 제1 출력 전극(175a)은 제1 반도체(154a)와 함께 스위칭 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(Qs)를 이루며, 제2 제어 전극(124b), 제2 입력 전극(173b) 및 제2 출력 전극(175b)은 제2 반도체(154b)와 함께 구동 박막 트랜지스터(Qd)를 이룬다.The first control electrode 124a, the first input electrode 173a and the first output electrode 175a together with the first semiconductor 154a constitute a switching thin film transistor (TFT) Qs, The control electrode 124b, the second input electrode 173b and the second output electrode 175b constitute a driving thin film transistor Qd together with the second semiconductor 154b.

앞에서 설명한 스위칭 박막 트랜지스터(Qs), 구동 박막 트랜지스터(Qd), 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등의 구조는 하나의 예일 뿐이며 여러 가지 다른 예가 있을 수 있다.The structures of the switching thin film transistor Qs, the driving thin film transistor Qd, the gate line 121, the data line 171, the driving voltage line 172, and the like described above are only examples, and may be various other examples.

데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b) 위에 는 제2 층간 절연막(180q)이 형성되어 있다. 제2 층간 절연막(180q)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어진 하부막(도시하지 않음)과 유기 절연물로 만들어진 상부막(도시하지 않음)을 포함한다. 유기 절연물은 4.0 이하의 유전 상수를 가지는 것이 바람직하고, 감광성(photosensitivity)을 가질 수도 있으며, 평탄면을 제공할 수도 있다. 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어진 단일막 구조를 가질 수도 있다.A second interlayer insulating film 180q is formed on the data line 171, the driving voltage line 172, and the first and second output electrodes 175a and 175b. The second interlayer insulating film 180q includes a lower film (not shown) made of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide and an upper film (not shown) made of an organic insulating material. The organic insulating material preferably has a dielectric constant of 4.0 or less, may have photosensitivity, and may provide a flat surface. The protective film 180 may have a single film structure made of an inorganic insulating material or an organic insulating material.

제2 층간 절연막(180q)에는 제2 출력 전극(175b)을 드러내는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다.A contact hole 185 for exposing the second output electrode 175b is formed in the second interlayer insulating film 180q.

제2 층간 절연막(180q) 위에는 화소 전극(pixel electrode)(191)이 형성되어 있다. A pixel electrode 191 is formed on the second interlayer insulating film 180q.

화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등으로 이루어진 투명 물질로 이루어지며, 접촉 구멍(185)을 통해 제2 출력 전극(175b)과 연결되어 있다.The pixel electrode 191 is made of a transparent material such as ITO or IZO and is connected to the second output electrode 175b through the contact hole 185. [

화소 전극(191) 위에는 격벽(partition)(360)이 형성되어 있다. 격벽(360)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)(365)를 정의하며, 유기 절연물 또는 무기 절연물로 만들어질 수 있는데, 특히 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있으며, 이 경우 격벽(360)이 차광 부재의 역할을 하며 그 형성 공정이 간단하다. A partition 360 is formed on the pixel electrode 191. The barrier rib 360 may surround the edge of the pixel electrode 191 to define an opening 365 as a bank and may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material. In this case, the partition wall 360 acts as a light shielding member, and the formation process is simple.

격벽(360)이 정의하는 화소 전극(191) 위의 개구부(365) 내에는 유기 발광 부재(organic light emitting member)(370)가 형성되어 있다. 유기 발광 부재(370)는 발광층 및 발광층의 효율을 높이기 위한 부대층(auxiliary layer) 을 포함하는 복층 구조로 이루어질 수 있다.An organic light emitting member 370 is formed in the opening 365 on the pixel electrode 191 defined by the barrier rib 360. The organic light emitting member 370 may have a multilayer structure including an emission layer and an auxiliary layer for enhancing the efficiency of the emission layer.

발광층은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어질 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다. The light emitting layer may be formed of a mixture of an organic material or an organic material and an inorganic material that uniquely emits any one of primary colors such as red, green, and blue primary colors. The organic light emitting display displays a desired image with a spatial sum of basic color light emitted from the light emitting layer.

부대층은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 정공 주입층(electron injecting layer) 및 전자 주입층(hole injecting layer)을 포함한다.The auxiliary layer includes a hole transport layer for balancing electrons and holes, an electron transport layer, an electron injecting layer for enhancing the injection of electrons and holes, and an electron injection layer injecting layer.

발광 부재(370) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 기판 전면에 형성되어 있다. On the light emitting member 370, a common electrode 270 is formed on the entire surface of the substrate.

공통 전극(270)은 전자 주입(electron injection)이 양호하고 유기 물질에 영향을 미치지 않는 도전 물질로 만들어 질 수 있으며, 몰리브덴, 크롬, 은, 알루미늄 또는 그 합금 등의 반사성 금속을 포함할 수 있다. The common electrode 270 may be made of a conductive material having good electron injection and not affecting an organic material, and may include a reflective metal such as molybdenum, chrome, silver, aluminum, or an alloy thereof.

이러한 유기 발광 표시 장치에서, 화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 소자(LD)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드, 공통 전극(270)이 캐소드가 된다.In this organic light emitting display, the pixel electrode 191, the organic light emitting member 370 and the common electrode 270 constitute an organic light emitting diode LD. The pixel electrode 191 is an anode, the common electrode 270 is a cathode, .

이러한 유기 발광 표시 장치는 기판(110)의 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시하며, 유기 발광 부재(370)에서 방출된 빛은 공통 전극(270)에 의하여 반사되어 아래쪽을 향한다.The OLED display emits light toward the bottom of the substrate 110 to display an image. Light emitted from the organic light emitting member 370 is reflected by the common electrode 270 and directed downward.

이때, 유기 발광 부재, 화소 전극(191) 및 공통 전극(270) 중 적어도 하나의 두께를 조절하여 적색, 녹색, 청색 화소에 따라서 발광되는 색의 파장을 증폭하게 하는 미세 공진 구조를 가지도록 형성할 수 있다. 이러한 미세 공진 구조는 광로 길이(optical length)만큼 떨어져 있는 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이를 반복적으로 반사함으로써 보강 간섭에 의해 특정 파장의 빛을 증폭하는 것으로, 예를 들면, 화소 전극(191)의 두께를 적색>녹색>청색 순으로 다르게 형성하여 특정 파장을 강화시킬 수 있다. At this time, the thickness of at least one of the organic light emitting member, the pixel electrode 191, and the common electrode 270 is adjusted to have a fine resonance structure for amplifying the wavelength of light emitted according to red, green, and blue pixels . Such a fine resonance structure repeatedly reflects between the pixel electrode 191 and the common electrode 270, which are separated by an optical length, thereby amplifying light of a specific wavelength by constructive interference. For example, (191) may be formed differently in the order of red, green, and blue to enhance the specific wavelength.

본 발명의 실시예에서는 반도체 아래에 도전 물질로 보조 전극을 형성하고, 보조 전극과 소스 전극을 전기적으로 연결함으로써 소스 전극과 연결된 보조 전극이 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 동작하여 버퍼층과 반도체 사이에도 채널이 형성되기 때문에 킹크 효과 및 안정 전압을 감소시킬 수 있다.In the embodiment of the present invention, the auxiliary electrode is formed of a conductive material under the semiconductor, and the auxiliary electrode connected to the source electrode operates as the gate electrode of the thin film transistor by electrically connecting the auxiliary electrode and the source electrode, The kink effect and the stable voltage can be reduced.

또한, 불투명한 물질로 보조 전극을 형성하여 가려주므로 박막 트랜지스터에서의 빛샘을 방지할 수 있고, 또한 외부광이 박막 트랜지스터에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the auxiliary electrode is formed by an opaque material, the light leakage in the thin film transistor can be prevented, and the external light can be prevented from affecting the thin film transistor.

[제2 실시예][Second Embodiment]

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로, 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an OLED display according to another embodiment of the present invention, taken along line III-III of FIG. 2. Referring to FIG.

대부분의 층간 구조는 제1 실시예의 유기 발광 표시 장치와 동일하므로 다른 부분에 대해서만 구체적으로 설명한다.Most of the interlayer structure is the same as that of the organic light emitting diode display of the first embodiment, so only the other portions will be described in detail.

도 5의 유기 발광 표시 장치는 소스 전극(173a, 173b)이 접촉 구멍(15)을 통해서 보조 전극(10)과 연결되어 있다. 제1 실시예에서는 소스 전극(173a, 173b)과 연결된 소스 영역(153a, 153b)을 통해서 보조 전극(10)과 연결하나, 제2 실시예에서는 소스 전극(173a, 173b)과 보조 전극(10)이 직접 연결되어 있다.5, the source electrodes 173a and 173b are connected to the auxiliary electrode 10 through the contact hole 15. In addition, The source electrodes 173a and 173b and the auxiliary electrode 10 are connected to the auxiliary electrode 10 through the source regions 153a and 153b connected to the source electrodes 173a and 173b in the first embodiment. Are directly connected.

[제3 실시예][Third Embodiment]

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로, 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view of the OLED display according to another embodiment of the present invention, taken along the line III-III of FIG. 2. Referring to FIG.

대부분의 층간 구조는 제1 실시예의 유기 발광 표시 장치와 동일하므로 다른 부분에 대해서만 구체적으로 설명한다.Most of the interlayer structure is the same as that of the organic light emitting diode display of the first embodiment, so only the other portions will be described in detail.

도 6의 유기 발광 표시 장치는 보조 전극(10)을 불투명한 도전 물질이 아닌 ITO 또는 IZO 와 같은 투명한 도전 물질로 형성하며, 제2 실시예와 달리 기판(110) 전면에 형성되어 있다. 따라서 보조 전극(10)을 형성하기 위하여 사진 식각 공정을 사용하지 않아도 되므로 제조 공정을 단순화할 수 있다. 도 6의 구조에서는 외부광이 박막 트랜지스터에 영향을 주는 것을 막고, 외부광이 산란되어 화질을 떨어뜨리는 것을 방지하기 위해서 부분적으로 편광판을 배치할 수 있다.6, the auxiliary electrode 10 is formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO instead of an opaque conductive material, and is formed on the entire surface of the substrate 110, unlike the second embodiment. Accordingly, since the photolithography process is not required to form the auxiliary electrode 10, the manufacturing process can be simplified. In the structure of FIG. 6, a polarizing plate may be partially disposed in order to prevent external light from affecting the thin film transistor and prevent external light from being scattered and deteriorating the image quality.

또한, 제1 실시예에서와 같이 소스 전극(173a)과 연결된 반도체와 보조 전극(10)을 직접 연결할 수 있다.In addition, as in the first embodiment, the auxiliary electrode 10 can be directly connected to the semiconductor connected to the source electrode 173a.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of an OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.2 is a layout diagram of an OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 2 taken along line III-III.

도 4는 도 2의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 2 cut along the line IV-IV.

도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.5 and 6 are cross-sectional views of the organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention, taken along the line III-III of FIG. 2. Referring to FIG.

<도면 부호의 설명>&Lt; Description of reference numerals &

110: 절연 기판 121: 게이트선110: Insulation substrate 121: Gate line

124a, 124a: 제어 전극 127: 유지 전극124a, 124a: control electrode 127: sustain electrode

140: 게이트 절연막 154a, 154b: 반도체140: gate insulating film 154a, 154b: semiconductor

163a, 163b, 165a, 165b: 저항성 접촉 부재163a, 163b, 165a, 165b: resistive contact member

171: 데이터선 172: 구동 전압선171: Data line 172: Driving voltage line

173a, 173b: 입력 전극 175a, 175b: 출력 전극173a, 173b: input electrodes 175a, 175b: output electrodes

180p, 180q: 층간 절연막180p, and 180q: an interlayer insulating film

161, 162, 163, 164, 165, 185: 접촉 구멍161, 162, 163, 164, 165, 185: contact holes

191: 화소 전극 270: 공통 전극191: pixel electrode 270: common electrode

360: 격벽360: partition wall

365: 개구부 370: 유기 발광 부재365: opening 370: organic light emitting member

Cst: 유지 축전기 ILD: 구동 전류Cst: Maintain capacitor I LD : Drive current

LD: 유기 발광 소자 PX: 화소LD: organic light emitting element PX: pixel

Qs: 스위칭 트랜지스터 Qd: 구동 트랜지스터Qs: switching transistor Qd: driving transistor

Claims (11)

기판, Board, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 보조 전극,A first auxiliary electrode formed on the substrate, 상기 제1 보조 전극과 위에 형성되어 있고, 제1 입력 단자, 제1 출력 단자 및 제1 제어 단자를 가지는 제1 박막 트랜지스터,A first thin film transistor formed on the first auxiliary electrode and having a first input terminal, a first output terminal, and a first control terminal, 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극The pixel electrode connected to the first thin film transistor 을 포함하고,/ RTI &gt; 상기 제1 보조 전극은 상기 제1 박막 트랜지스터와 중첩하고, 상기 제1 입력 단자와 전기적으로 연결되어 있는 표시 장치.Wherein the first auxiliary electrode overlaps with the first thin film transistor and is electrically connected to the first input terminal. 제1항에서,The method of claim 1, 상기 제1 박막 트랜지스터는 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역과 상기 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역 사이에 형성되어 있는 제1 채널 영역을 포함하는 다결정 규소를 포함하며,The first thin film transistor includes a first source region doped with a high concentration of impurities and a first channel region formed between the first source region and the first drain region and a first drain region, , 상기 제1 보조 전극은 상기 제1 소스 영역을 경유하여 상기 제1 입력 단자와 연결되어 있는 표시 장치.Wherein the first auxiliary electrode is connected to the first input terminal via the first source region. 제1항에서,The method of claim 1, 상기 제1 보조 전극은 상기 제1 입력 전극과 직접 연결되어 있는 표시 장치.Wherein the first auxiliary electrode is directly connected to the first input electrode. 제2항 또는 제3항에서,3. The method according to claim 2 or 3, 상기 제1 보조 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어지는 표시 장치.Wherein the first auxiliary electrode is made of an opaque conductive material. 제2항 또는 제3항에서,3. The method according to claim 2 or 3, 상기 제1 보조 전극은 투명한 도전 물질로 이루어지는 표시 장치.Wherein the first auxiliary electrode is made of a transparent conductive material. 제5항에서,The method of claim 5, 상기 제1 보조 전극은 기판 전면에 형성되어 있는 표시 장치.And the first auxiliary electrode is formed on the entire surface of the substrate. 제1항에서,The method of claim 1, 제1 신호선,A first signal line, 상기 제1 신호선과 교차하는 제2 신호선,A second signal line crossing the first signal line, 상기 제1 박막 트랜지스터의 제1 제어 단자에 연결되어 있는 제2 출력 단자, 상기 제1 신호선과 연결되어 있는 제2 제어 단자, 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 입력 단자를 포함하는 제2 박막 트랜지스터,A second thin film transistor having a second output terminal connected to a first control terminal of the first thin film transistor, a second control terminal connected to the first signal line, and a second input terminal connected to the second signal line, transistor, 상기 제2 박막 트랜지스터와 중첩하고, 상기 제2 입력 단자와 전기적으로 연결되어 있는 제2 보조 전극을 더 포함하는 표시 장치.And a second auxiliary electrode overlapping the second thin film transistor and electrically connected to the second input terminal. 제7항에서,8. The method of claim 7, 상기 제2 박막 트랜지스터는 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역과 상기 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역 사이의 제2 채널 영역을 포함하는 다결정 규소를 포함하고,Wherein the second thin film transistor comprises a polycrystalline silicon including a second source region and a second drain region doped with a high concentration of impurities and a second channel region between the second source region and the second drain region, 상기 제2 보조 전극은 상기 제2 소스 영역을 경유하여 상기 제2 입력 전극과 연결되어 있는 표시 장치.And the second auxiliary electrode is connected to the second input electrode via the second source region. 제7항에서,8. The method of claim 7, 상기 제2 보조 전극은 상기 제1 입력 전극과 직접 연결되어 있는 표시 장치.And the second auxiliary electrode is directly connected to the first input electrode. 제8항 또는 제9항에서,10. The method according to claim 8 or 9, 상기 제2 보조 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어지는 표시 장치.And the second auxiliary electrode is made of an opaque conductive material. 제1항에서,The method of claim 1, 상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 발광층을 더 포함하는 표시 장치.And a light emitting layer formed on the pixel electrode.
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