KR102136634B1 - Display device - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 제1 보조 전극, 제1 보조 전극과 위에 형성되어 있고, 제1 입력 단자, 제1 출력 단자 및 제1 제어 단자를 가지는 제1 박막 트랜지스터, 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 제1 보조 전극은 제1 박막 트랜지스터와 중첩하고, 제1 입력 단자와 전기적으로 연결되어 있다.A display device according to the present invention includes a substrate, a first auxiliary electrode formed on a substrate, a first auxiliary electrode, and a first thin film transistor formed on the first input terminal and having a first input terminal, a first output terminal, and a first control terminal, It includes a pixel electrode connected to the first thin film transistor, the first auxiliary electrode overlaps the first thin film transistor, and is electrically connected to the first input terminal.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly to an organic light emitting display device.

유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자(organic light emitting element)와 이를 구동하기 위한 복수의 박막 트랜지스터를 포함한다. 이들은 복수의 박막으로 만들어지며 공정 상의 이유로 대개는 박막 트랜지스터는 아래 쪽에, 유기 발광 소자는 위쪽에 위치하며, 유기 발광 소자의 애노드(anode)는 아래 쪽에, 캐소드(cathode)는 위쪽에 위치한다.The organic light emitting diode display includes an organic light emitting element and a plurality of thin film transistors for driving the same. They are made of a plurality of thin films, and for process reasons, thin film transistors are usually located at the bottom, the organic light emitting device is located at the top, the anode of the organic light emitting device is located at the bottom, and the cathode is located at the top.

이와 같은 유기 발광 표시 장치는 빛을 위로 방출하는 상부 방출(top emission) 방식과 아래 쪽으로 방출하는 하부 방출(bottom emission) 방식으로 나눌 수 있다. 하부 방출 방식의 경우 유기 발광 소자의 아래 쪽에 위치한 박막 트랜지스터 때문에 빛을 방출할 수 있는 면적이 좁기 때문에 박막 트랜지스터의 아래에는 차광 부재(black matrix)를 형성하지 않는다.Such an organic light emitting display device may be divided into a top emission method emitting light upward and a bottom emission method emitting light downward. In the case of the lower emission type, a black matrix is not formed under the thin film transistor because the area capable of emitting light is small due to the thin film transistor located below the organic light emitting device.

한편, 표시 장치를 구동하기 위한 박막 트랜지스터의 반도체는 비정질 규소를 결정화하여 형성한 다결정 규소로 형성할 수 있다.Meanwhile, the semiconductor of the thin film transistor for driving the display device may be formed of polycrystalline silicon formed by crystallizing amorphous silicon.

그러나 차광 부재를 형성하지 않으면 빛의 산란 등을 방지하기 위해서 편광판을 별도로 추가하여야 하는 문제점이 있다.However, if a light blocking member is not formed, there is a problem in that a polarizing plate must be separately added to prevent light scattering.

그리고 비정질 규소를 다결정화 한 경우 형성되는 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 균일하지 않아 화질이 고르지 못하게 되는 문제점이 있다.In addition, in the case of polycrystalline amorphous silicon, there is a problem in that the electrical characteristics of the formed thin film transistor are not uniform, resulting in uneven image quality.

따라서 본 발명은 편광판을 설치하지 않으면서도 킹크(kink) 효과를 감소하고 안정 전압(saturation voltage)을 감소시키고, 균일한 화질을 얻을 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention provides a display device capable of reducing a kink effect, reducing a saturation voltage, and obtaining a uniform image quality without installing a polarizing plate.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 제1 보조 전극, 제1 보조 전극과 위에 형성되어 있고, 제1 입력 단자, 제1 출력 단자 및 제1 제어 단자를 가지는 제1 박막 트랜지스터, 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 제1 보조 전극은 제1 박막 트랜지스터와 중첩하고, 제1 입력 단자와 전기적으로 연결되어 있다.A display device according to the present invention for achieving the above object is formed on a substrate, a first auxiliary electrode formed on a substrate, a first auxiliary electrode, and a first input terminal, a first output terminal, and a first control terminal. And a first thin film transistor and a pixel electrode connected to the first thin film transistor, wherein the first auxiliary electrode overlaps the first thin film transistor and is electrically connected to the first input terminal.

제1 박막 트랜지스터는 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역과 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역 사이에 형성되어 있는 제1 채널 영역을 포함하는 다결정 규소를 포함하며, 제1 보조 전극은 제1 소스 영역을 경유하여 제1 입력 단자와 연결되어 있다.The first thin film transistor includes polycrystalline silicon including a first source region having a high concentration of impurities and a first drain region and a first channel region formed between the first source region and the first drain region. The first auxiliary electrode is connected to the first input terminal through the first source region.

제1 보조 전극은 제1 입력 전극과 직접 연결되어 있다.The first auxiliary electrode is directly connected to the first input electrode.

제1 보조 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다.The first auxiliary electrode may be made of an opaque conductive material.

제1 보조 전극은 투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다.The first auxiliary electrode may be made of a transparent conductive material.

제1 보조 전극은 기판 전면에 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode may be formed on the entire surface of the substrate.

제1 신호선, 제1 신호선과 교차하는 제2 신호선, 제1 박막 트랜지스터의 제1 제어 단자에 연결되어 있는 제2 출력 단자, 제1 신호선과 연결되어 있는 제2 제어 단자, 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 입력 단자를 포함하는 제2 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터와 중첩하고, 제2 입력 단자와 전기적으로 연결되어 있는 제2 보조 전극을 더 포함할 수 있다.The first signal line, the second signal line intersecting the first signal line, the second output terminal connected to the first control terminal of the first thin film transistor, the second control terminal connected to the first signal line, and the second signal line A second thin film transistor including a second input terminal and a second auxiliary electrode overlapping the second thin film transistor and electrically connected to the second input terminal may be further included.

제2 박막 트랜지스터는 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역과 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역 사이의 제2 채널 영역을 포함하는 다결정 규소를 포함하고, 제2 보조 전극은 제2 소스 영역을 경유하여 제2 입력 전극과 연결되어 있다.The second thin film transistor includes polycrystalline silicon including a second source region having a high concentration of impurities and a second channel region between the second drain region and the second source region and the second drain region, and the second auxiliary electrode Is connected to the second input electrode via the second source region.

제2 보조 전극은 제1 입력 전극과 직접 연결되어 있다.The second auxiliary electrode is directly connected to the first input electrode.

제2 보조 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다.The second auxiliary electrode may be made of an opaque conductive material.

화소 전극 위에 형성되어 있는 발광층을 더 포함할 수 있다.A light emitting layer formed on the pixel electrode may be further included.

본 발명의 실시예에서와 같이 보조 전극을 이용하여 반도체의 아래에 소스와 연결된 게이트를 형성하면 킹크 효과를 감소하고 안정 전압을 감소시켜 균일한 화질을 얻을 수 있다.When the gate connected to the source is formed under the semiconductor by using the auxiliary electrode as in the embodiment of the present invention, uniform image quality can be obtained by reducing the kink effect and reducing the stable voltage.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.1 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a layout view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 2 taken along line III-III.
4 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 2 taken along line IV-IV.
5 and 6 are cross-sectional views of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention taken along line III-III of FIG. 2.

그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Then, with reference to the accompanying drawings will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily carry out.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, thicknesses are enlarged to clearly represent various layers and regions. The same reference numerals are used for similar parts throughout the specification. When a portion of a layer, film, region, plate, etc. is said to be “above” another portion, this includes not only the case “directly above” the other portion but also another portion in the middle. Conversely, when one part is "just above" another part, it means that there is no other part in the middle.

먼저 도 1을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.First, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment will be described in detail with reference to FIG. 1.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of signal lines 121, 171, and 172 connected to them and a plurality of pixels PX arranged substantially in the form of a matrix. ).

신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171), 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있다.The signal lines include a plurality of gate lines 121 that transmit a gate signal (or a scan signal), a plurality of data lines 171 that transmit a data signal, and a plurality of driving voltage lines that transmit a driving voltage. (driving voltage line) 172. The gate lines 121 extend substantially in the row direction and are almost parallel to each other, and the data lines 171 extend substantially in the column direction and are substantially parallel to each other. The driving voltage line 172 extends approximately in the column direction.

각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 박막 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting element)(LD)를 포함한다.Each pixel PX includes a switching transistor (Qs), a driving transistor (Qd), a storage capacitor (Cst), and an organic light emitting element (LD). Includes.

스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.The switching transistor Qs has a control terminal, an input terminal, and an output terminal. The control terminal is connected to the gate line 121, and the input terminal is a data line 171 ), and the output terminal is connected to the driving transistor Qd. The switching transistor Qs transmits the data signal received from the data line 171 to the driving transistor Qd in response to the scan signal received from the gate line 121.

구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.The driving transistor Qd also has a control terminal, an input terminal and an output terminal, the control terminal being connected to the switching transistor Qs, the input terminal being connected to the driving voltage line 172, and the output terminal being an organic light emitting element (LD). The driving transistor Qd flows an output current I LD whose size varies according to a voltage applied between the control terminal and the output terminal.

축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.The capacitor Cst is connected between the control terminal and the input terminal of the driving transistor Qd. The capacitor Cst charges the data signal applied to the control terminal of the driving transistor Qd and maintains it even after the switching transistor Qs is turned off.

유기 발광 소자(LD)는 예를 들면 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로서, 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압선(172)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.The organic light emitting diode LD is, for example, an organic light emitting diode (OLED), an anode connected to the output terminal of the driving transistor Qd, and a cathode connected to the common voltage line 172. (cathode). The organic light emitting diode LD displays an image by emitting light with different intensities according to the output current I LD of the driving transistor Qd.

스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)로서 이들 중 적어도 하나는 도 2에 도시한 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 그러나 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 소자(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.The switching transistor Qs and the driving transistor Qd are n-channel field effect transistors (FETs), and at least one of them may have a structure as shown in FIG. 2. However, at least one of the switching transistor Qs and the driving transistor Qd may be a p-channel field effect transistor. In addition, the connection relationship between the transistors Qs and Qd, the capacitor Cst, and the organic light emitting element LD may be changed.

경우에 따라서는 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 외에도 구동 트랜지스터(Qd)나 유기 발광 소자(LD)의 문턱 전압 보상을 위한 다른 트랜지스터들이 더 있을 수 있다.In some cases, in addition to the switching transistor Qs and the driving transistor Qd, there may be other transistors for compensating the threshold voltage of the driving transistor Qd or the organic light emitting diode LD.

그러면 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조에 대하여 도 2 내지 도 4를 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.The detailed structure of the organic light emitting display device shown in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4 together with FIG. 1.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 4는 도 2의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.2 is a layout view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic light emitting display device of FIG. 2 taken along line III-III, and FIG. 4 is an organic light emitting device of FIG. 2. It is a cross-sectional view of the display device taken along line IV-IV.

도 2 내지 4를 참조하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에는 보조 전극(10)이 형성되어 있다. 보조 전극(10)은 불투명한 도전 물질로 이루어진다.2 to 4, an auxiliary electrode 10 is formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic. The auxiliary electrode 10 is made of an opaque conductive material.

보조 전극(10)을 포함하는 기판(110) 위에 산화 규소 또는 질화 규소 등으로 이루어진 차단층(111)이 형성되어 있다. 차단층(111)은 보조 전극(10)을 노출하는 접촉 구멍(15)을 포함한다.A blocking layer 111 made of silicon oxide or silicon nitride is formed on the substrate 110 including the auxiliary electrode 10. The blocking layer 111 includes a contact hole 15 exposing the auxiliary electrode 10.

차단층(111) 위에는 제1 및 제2 반도체(151a, 151b)가 형성되어 있고, 제2 반도체(151b)에는 축전기용 반도체(157)가 연결되어 있다.First and second semiconductors 151a and 151b are formed on the blocking layer 111, and a semiconductor 157 for a capacitor is connected to the second semiconductor 151b.

제1 및 제2 반도체(151a, 151b)는 보조 전극(10)과 중첩되어 있으며 접촉 구멍(15)을 통해서 보조 전극(10)과 연결되어 있다. 제1 및 제2 반도체(151a, 151b)는 비정질 규소를 결정화한 다결정 규소 따위로 이루어진다. The first and second semiconductors 151a and 151b overlap the auxiliary electrode 10 and are connected to the auxiliary electrode 10 through the contact hole 15. The first and second semiconductors 151a and 151b are made of polycrystalline silicon crystallized from amorphous silicon.

제1 및 제2 반도체(151a, 151b)의 제1 및 제2 소스 영역(153a, 153b)과 제1 및 제2 드레인 영역(155a, 155b)은 n형 또는 p형 불순물로 도핑되어 있으며, 각각 다른 불순물로 도핑될 수 있다. 제1 및 제2 소스 영역(153a, 153b)과 채널 영역(154a, 154b) 사이, 제1 드레인 영역(155a, 155b)과 채널 영역(154a, 154b) 사이에는 저농도 도핑 영역(152) 또는 오프셋 영역이 형성될 수 있다.The first and second source regions 153a and 153b and the first and second drain regions 155a and 155b of the first and second semiconductors 151a and 151b are doped with n-type or p-type impurities, respectively. It can be doped with other impurities. Low concentration doped region 152 or offset region between first and second source regions 153a, 153b and channel regions 154a, 154b, and between first drain regions 155a, 155b and channel regions 154a, 154b. It can be formed.

제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역(153a, 155a) 사이에 고농도 도핑 영역(154c)을 포함할 수 있으며, 드레인 및 소스 영역으로 사용된다.A high concentration doped region 154c may be included between the first source region and the first drain regions 153a and 155a, and used as a drain and source region.

보조 전극(10)과 연결되는 반도체에도 도전형 불순물이 고농도로 도핑되는 것이 바람직하며, 예를 들어 소스 영역(153a, 153b)일 수 있다.The semiconductor connected to the auxiliary electrode 10 is also preferably doped with conductive impurities at a high concentration, and may be, for example, source regions 153a and 153b.

제1 및 제2 반도체(151a, 151b) 위에는 산화 규소 또는 질화 규소로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. A gate insulating layer 140 made of silicon oxide or silicon nitride is formed on the first and second semiconductors 151a and 151b.

게이트 절연막(140) 위에는 제1 제어 전극(124a)을 포함하는 게이트선(121) 및 제2 제어 전극(124b)이 형성되어 있다.The gate line 121 and the second control electrode 124b including the first control electrode 124a are formed on the gate insulating layer 140.

게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗으며, 제1 제어 전극(124a)은 위로 돌출하여 스위칭 트랜지스터의 채널부(154a)와 중첩하고 있다. 게이트선(121)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함할 수 있다.The gate line 121 mainly extends in the horizontal direction, and the first control electrode 124a protrudes upward and overlaps the channel portion 154a of the switching transistor. The gate line 121 may include a wide end (not shown) for connection to another layer or an external driving circuit.

제2 제어 전극(124b)은 게이트선(121)과 분리되어 있으며 구동 박막 트랜지스터의 채널부(154b)와 중첩하고 있다. The second control electrode 124b is separated from the gate line 121 and overlaps the channel portion 154b of the driving thin film transistor.

제2 제어 전극(124b)은 세로 방향으로 길게 뻗은 유지 전극(127)을 포함하고, 유지 전극(127)은 반도체의 유지 전극부(157)와 중첩되어 있다.The second control electrode 124b includes a sustain electrode 127 extended in a vertical direction, and the sustain electrode 127 overlaps the sustain electrode portion 157 of the semiconductor.

게이트선(121)과 제2 제어 전극(124b) 및 유지 전극(127)의 위에는 제1 층간 절연막(180p)이 형성되어 있고, 제1 층간 절연막(180p) 위에는 데이터 신호를 전달하는 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)이 형성되어 있다.A first interlayer insulating layer 180p is formed on the gate line 121, the second control electrode 124b, and the storage electrode 127, and a data line 171 transmitting a data signal on the first interlayer insulating layer 180p ), the driving voltage line 172 and the first and second output electrodes 175a and 175b are formed.

데이터선(171) 및 구동 전압선(172)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 데이터선(171)은 제1 제어 전극(124a)을 향하여 뻗은 제1 입력 전극(173a)을 포함하고, 구동 전압선(172)은 제2 제어 전극(124b)을 향하여 뻗은 제2 입력 전극(173b)을 포함한다.The data line 171 and the driving voltage line 172 mainly extend in a vertical direction to intersect the gate line 121. The data line 171 includes a first input electrode 173a extending toward the first control electrode 124a, and the driving voltage line 172 is a second input electrode 173b extending toward the second control electrode 124b. It includes.

제1 및 제2 입력 전극(173a, 173b)은 제1 층간 절연막(180p) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(161, 164)을 통해서 각각 제1 및 제2 소스 영역(153a, 153b)과 연결되어 있다. The first and second input electrodes 173a and 173b are respectively provided with first and second source regions 153a and 153b through contact holes 161 and 164 formed in the first interlayer insulating layer 180p and the gate insulating layer 140. And is connected.

제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)과도 분리되어 있다. 제1 출력 전극(175a)은 제1 층간 절연막(180p) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(162, 163)을 통해서 제1 드레인 영역(155a) 및 제2 입력 전극(124b)과 연결되어 있고, 제2 출력 전극(175b)은 제1 층간 절연막(180p) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(165)을 통해서 제2 드레인 영역(155b)과 연결되어 있다.The first and second output electrodes 175a and 175b are separated from each other and are also separated from the data line 171 and the driving voltage line 172. The first output electrode 175a is connected to the first drain region 155a and the second input electrode 124b through contact holes 162 and 163 formed in the first interlayer insulating layer 180p and the gate insulating layer 140. The second output electrode 175b is connected to the second drain region 155b through the contact hole 165 formed in the first interlayer insulating layer 180p and the gate insulating layer 140.

제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a)은 제1 제어 전극(124a)을 중심으로 서로 마주하며, 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b)은 제2 제어 전극(124b)을 중심으로 서로 마주한다.The first input electrode 173a and the first output electrode 175a face each other around the first control electrode 124a, and the second input electrode 173b and the second output electrode 175b are the second control electrodes Face each other with (124b) as the center.

제1 제어 전극(124a), 제1 입력 전극(173a) 및 제1 출력 전극(175a)은 제1 반도체(151a)와 함께 스위칭 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(Qs)를 이루며, 제2 제어 전극(124b), 제2 입력 전극(173b) 및 제2 출력 전극(175b)은 제2 반도체(151b)와 함께 구동 박막 트랜지스터(Qd)를 이룬다.The first control electrode 124a, the first input electrode 173a, and the first output electrode 175a form a switching thin film transistor (TFT) Qs together with the first semiconductor 151a, and the second The control electrode 124b, the second input electrode 173b, and the second output electrode 175b together with the second semiconductor 151b form a driving thin film transistor Qd.

앞에서 설명한 스위칭 박막 트랜지스터(Qs), 구동 박막 트랜지스터(Qd), 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등의 구조는 하나의 예일 뿐이며 여러 가지 다른 예가 있을 수 있다.The structures of the switching thin film transistor Qs, the driving thin film transistor Qd, the gate line 121, the data line 171, and the driving voltage line 172 described above are only one example and may have various other examples.

데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b) 위에는 제2 층간 절연막(180q)이 형성되어 있다. 제2 층간 절연막(180q)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어진 하부막(도시하지 않음)과 유기 절연물로 만들어진 상부막(도시하지 않음)을 포함한다. 유기 절연물은 4.0 이하의 유전 상수를 가지는 것이 바람직하고, 감광성(photosensitivity)을 가질 수도 있으며, 평탄면을 제공할 수도 있다. 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어진 단일막 구조를 가질 수도 있다.A second interlayer insulating layer 180q is formed on the data line 171, the driving voltage line 172, and the first and second output electrodes 175a and 175b. The second interlayer insulating layer 180q includes a lower layer (not shown) made of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide and an upper layer (not shown) made of an organic insulating material. The organic insulating material preferably has a dielectric constant of 4.0 or less, may have photosensitivity, or may provide a flat surface. The passivation layer 180 may have a single layer structure made of an inorganic insulating material or an organic insulating material.

제2 층간 절연막(180q)에는 제2 출력 전극(175b)을 드러내는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다.A contact hole 185 exposing the second output electrode 175b is formed in the second interlayer insulating layer 180q.

제2 층간 절연막(180q) 위에는 화소 전극(pixel electrode)(191)이 형성되어 있다. A pixel electrode 191 is formed on the second interlayer insulating layer 180q.

화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등으로 이루어진 투명 물질로 이루어지며, 접촉 구멍(185)을 통해 제2 출력 전극(175b)과 연결되어 있다.The pixel electrode 191 is made of a transparent material made of ITO or IZO, and is connected to the second output electrode 175b through a contact hole 185.

화소 전극(191) 위에는 격벽(partition)(360)이 형성되어 있다. 격벽(360)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)(365)를 정의하며, 유기 절연물 또는 무기 절연물로 만들어질 수 있는데, 특히 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있으며, 이 경우 격벽(360)이 차광 부재의 역할을 하며 그 형성 공정이 간단하다. A partition 360 is formed on the pixel electrode 191. The partition wall 360 surrounds the edge of the pixel electrode 191 like a bank to define an opening 365, and may be made of an organic insulating material or an inorganic insulating material, particularly as a photosensitive agent including black pigment. It can be made, in this case, the partition wall 360 serves as a light blocking member, and the forming process is simple.

격벽(360)이 정의하는 화소 전극(191) 위의 개구부(365) 내에는 유기 발광 부재(organic light emitting member)(370)가 형성되어 있다. 유기 발광 부재(370)는 발광층 및 발광층의 효율을 높이기 위한 부대층(auxiliary layer) 을 포함하는 복층 구조로 이루어질 수 있다.An organic light emitting member 370 is formed in the opening 365 on the pixel electrode 191 defined by the partition wall 360. The organic light emitting member 370 may be formed of a multi-layer structure including a light emitting layer and an auxiliary layer for increasing the efficiency of the light emitting layer.

발광층은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어질 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다. The light emitting layer may be made of an organic material or a mixture of organic materials and inorganic materials that uniquely emit light of any one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue. The organic light emitting display device displays a desired image with a spatial sum of primary color light emitted from the light emitting layer.

부대층은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 정공 주입층(electron injecting layer) 및 전자 주입층(hole injecting layer)을 포함한다.The secondary layer includes a hole transport layer for balancing electrons and holes, an electron transport layer, and an electron injecting layer and an electron injection layer for enhancing injection of electrons and holes. injecting layer).

발광 부재(370) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 기판 전면에 형성되어 있다. A common electrode 270 is formed on the entire surface of the substrate on the light emitting member 370.

공통 전극(270)은 전자 주입(electron injection)이 양호하고 유기 물질에 영향을 미치지 않는 도전 물질로 만들어 질 수 있으며, 몰리브덴, 크롬, 은, 알루미늄 또는 그 합금 등의 반사성 금속을 포함할 수 있다. The common electrode 270 may be made of a conductive material that has good electron injection and does not affect the organic material, and may include a reflective metal such as molybdenum, chromium, silver, aluminum, or an alloy thereof.

이러한 유기 발광 표시 장치에서, 화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 소자(LD)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드, 공통 전극(270)이 캐소드가 된다.In such an organic light emitting display device, the pixel electrode 191, the organic light emitting member 370, and the common electrode 270 form an organic light emitting element LD, the pixel electrode 191 is an anode, and the common electrode 270 is a cathode. Becomes.

이러한 유기 발광 표시 장치는 기판(110)의 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시하며, 유기 발광 부재(370)에서 방출된 빛은 공통 전극(270)에 의하여 반사되어 아래쪽을 향한다.The organic light emitting display device emits light to the bottom of the substrate 110 to display an image, and light emitted from the organic light emitting member 370 is reflected by the common electrode 270 and directed downward.

이때, 유기 발광 부재, 화소 전극(191) 및 공통 전극(270) 중 적어도 하나의 두께를 조절하여 적색, 녹색, 청색 화소에 따라서 발광되는 색의 파장을 증폭하게 하는 미세 공진 구조를 가지도록 형성할 수 있다. 이러한 미세 공진 구조는 광로 길이(optical length)만큼 떨어져 있는 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이를 반복적으로 반사함으로써 보강 간섭에 의해 특정 파장의 빛을 증폭하는 것으로, 예를 들면, 화소 전극(191)의 두께를 적색>녹색>청색 순으로 다르게 형성하여 특정 파장을 강화시킬 수 있다. At this time, by adjusting the thickness of at least one of the organic light emitting member, the pixel electrode 191 and the common electrode 270 to be formed to have a fine resonant structure to amplify the wavelength of the color emitted by the red, green, and blue pixels. Can. The micro-resonance structure amplifies light of a specific wavelength by constructive interference by repeatedly reflecting between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 separated by an optical length, for example, a pixel electrode The specific wavelength may be enhanced by differently forming the thickness of (191) in the order of red>green>blue.

본 발명의 실시예에서는 반도체 아래에 도전 물질로 보조 전극을 형성하고, 보조 전극과 소스 전극을 전기적으로 연결함으로써 소스 전극과 연결된 보조 전극이 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 동작하여 버퍼층과 반도체 사이에도 채널이 형성되기 때문에 킹크 효과 및 안정 전압을 감소시킬 수 있다.In an embodiment of the present invention, the auxiliary electrode is formed of a conductive material under the semiconductor, and the auxiliary electrode and the source electrode are electrically connected to each other, so that the auxiliary electrode connected to the source electrode acts as a gate electrode of the thin film transistor so that a channel is formed between the buffer layer and the semiconductor. Since it is formed, the kink effect and the stable voltage can be reduced.

또한, 불투명한 물질로 보조 전극을 형성하여 가려주므로 박막 트랜지스터에서의 빛샘을 방지할 수 있고, 또한 외부광이 박막 트랜지스터에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.In addition, since an auxiliary electrode is formed and covered with an opaque material, light leakage in the thin film transistor can be prevented, and external light can be prevented from affecting the thin film transistor.

[제2 실시예][Second Embodiment]

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로, 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2.

대부분의 층간 구조는 제1 실시예의 유기 발광 표시 장치와 동일하므로 다른 부분에 대해서만 구체적으로 설명한다.Since most of the interlayer structures are the same as those of the organic light emitting diode display of the first embodiment, only other parts will be described in detail.

도 5의 유기 발광 표시 장치는 소스 전극(173a, 173b)이 접촉 구멍(15)을 통해서 보조 전극(10)과 연결되어 있다. 제1 실시예에서는 소스 전극(173a, 173b)과 연결된 소스 영역(153a, 153b)을 통해서 보조 전극(10)과 연결하나, 제2 실시예에서는 소스 전극(173a, 173b)과 보조 전극(10)이 직접 연결되어 있다.In the organic light emitting diode display of FIG. 5, source electrodes 173a and 173b are connected to the auxiliary electrode 10 through a contact hole 15. In the first embodiment, the auxiliary electrode 10 is connected through the source regions 153a and 153b connected to the source electrodes 173a and 173b, but in the second embodiment, the source electrodes 173a and 173b and the auxiliary electrode 10 are connected. This is directly connected.

[제3 실시예][Third Example]

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로, 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2.

대부분의 층간 구조는 제1 실시예의 유기 발광 표시 장치와 동일하므로 다른 부분에 대해서만 구체적으로 설명한다.Since most of the interlayer structures are the same as those of the organic light emitting diode display of the first embodiment, only other parts will be described in detail.

도 6의 유기 발광 표시 장치는 보조 전극(10)을 불투명한 도전 물질이 아닌 ITO 또는 IZO 와 같은 투명한 도전 물질로 형성하며, 제2 실시예와 달리 기판(110) 전면에 형성되어 있다. 따라서 보조 전극(10)을 형성하기 위하여 사진 식각 공정을 사용하지 않아도 되므로 제조 공정을 단순화할 수 있다. 도 6의 구조에서는 외부광이 박막 트랜지스터에 영향을 주는 것을 막고, 외부광이 산란되어 화질을 떨어뜨리는 것을 방지하기 위해서 부분적으로 편광판을 배치할 수 있다.The organic light emitting display device of FIG. 6 is formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO instead of an opaque conductive material, and is formed on the entire surface of the substrate 110 unlike the second embodiment. Therefore, it is not necessary to use a photolithography process to form the auxiliary electrode 10, thereby simplifying the manufacturing process. In the structure of FIG. 6, a polarizing plate may be partially disposed to prevent external light from affecting the thin film transistor and to prevent external light from being scattered and deteriorating image quality.

또한, 제2 실시예에서와 같이 소스 전극(173a)과 보조 전극(10)을 직접 연결할 수 있다.Also, as in the second embodiment, the source electrode 173a and the auxiliary electrode 10 may be directly connected.

110: 절연 기판 121: 게이트선
124a, 124a: 제어 전극 127: 유지 전극
140: 게이트 절연막 154a, 154b: 반도체
163a, 163b, 165a, 165b: 저항성 접촉 부재
171: 데이터선 172: 구동 전압선
173a, 173b: 입력 전극 175a, 175b: 출력 전극
180p, 180q: 층간 절연막
161, 162, 163, 164, 165, 185: 접촉 구멍
191: 화소 전극 270: 공통 전극
360: 격벽
365: 개구부 370: 유기 발광 부재
Cst: 유지 축전기 ILD: 구동 전류
LD: 유기 발광 소자 PX: 화소
Qs: 스위칭 트랜지스터 Qd: 구동 트랜지스터110: insulating substrate 121: gate line
124a, 124a: control electrode 127: sustain electrode
140: gate insulating film 154a, 154b: semiconductor
163a, 163b, 165a, 165b: resistive contact member
171: data line 172: driving voltage line
173a, 173b: input electrode 175a, 175b: output electrode
180p, 180q: interlayer insulating film
161, 162, 163, 164, 165, 185: contact hole
191: pixel electrode 270: common electrode
360: bulkhead
365: opening 370: organic light emitting member
Cst: Holding capacitor I LD : Driving current
LD: organic light-emitting element PX: pixel
Qs: Switching transistor Qd: Driving transistor

Claims (12)

기판,
상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 보조 전극,
상기 제1 보조 전극을 덮는 차단층,
상기 차단층 위에 형성되어 있는 반도체층,
상기 반도체층 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,
상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 제1 제어 전극,
상기 제1 제어 전극 및 상기 게이트 절연막을 덮는 층간 절연막,
상기 층간 절연막 위에 형성되어 있는 제1 입력 전극 및 제1 출력 전극,
구동 전압을 전달하며, 일 방향으로 연장되어 있는 복수의 구동 전압선, 및
상기 제1 입력 전극 및 상기 제1 출력 전극보다 상부층에 형성되어 있는 화소 전극
을 포함하고,
상기 반도체층, 상기 제1 입력 전극, 상기 제1 출력 전극 및 상기 제1 제어 전극은 제1 박막 트랜지스터를 구성하고,
상기 반도체층은 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역과 상기 제1 소스 영역 및 상기 제1 드레인 영역 사이에 형성되어 있는 제1 채널 영역을 포함하며,
상기 제1 보조 전극은 상기 반도체층의 상기 제1 소스 영역에서부터 상기 제1 채널 영역을 지나 상기 제1 드레인 영역까지 연속적으로 상기 반도체층과 중첩하고,
상기 제1 입력 전극은 상기 차단층 및 상기 층간 절연막에 형성되어있는 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 보조 전극과 직접 연결되며,
상기 제1 입력 전극은 상기 층간 절연막에 형성되어 있는 접촉 구멍을 통하여 상기 반도체층의 상기 제1 소스 영역과 직접 연결되어 있으며,
상기 제1 박막 트랜지스터가 턴 오프 상태인 경우, 상기 제1 보조 전극은 상기 복수의 구동 전압선과 연결되지 않아 상기 구동 전압을 인가받지 않는 표시 장치.Board,
A first auxiliary electrode formed on the substrate,
A blocking layer covering the first auxiliary electrode,
A semiconductor layer formed on the blocking layer,
A gate insulating film formed on the semiconductor layer,
A first control electrode formed on the gate insulating film,
An interlayer insulating film covering the first control electrode and the gate insulating film,
A first input electrode and a first output electrode formed on the interlayer insulating film,
A plurality of driving voltage lines that transmit a driving voltage and extend in one direction, and
A pixel electrode formed on an upper layer than the first input electrode and the first output electrode
Including,
The semiconductor layer, the first input electrode, the first output electrode and the first control electrode constitute a first thin film transistor,
The semiconductor layer includes a first source region and a first drain region, and a first channel region formed between the first source region and the first drain region,
The first auxiliary electrode continuously overlaps the semiconductor layer from the first source region of the semiconductor layer to the first drain region after passing through the first channel region,
The first input electrode is directly connected to the first auxiliary electrode through a contact hole formed in the blocking layer and the interlayer insulating film,
The first input electrode is directly connected to the first source region of the semiconductor layer through a contact hole formed in the interlayer insulating film,
When the first thin film transistor is turned off, the first auxiliary electrode is not connected to the plurality of driving voltage lines, so that the driving voltage is not applied. 제1항에서,
상기 제1 보조 전극은 불투명한 도전 물질 또는 투명한 도전 물질로 이루어지는 표시 장치.In claim 1,
The first auxiliary electrode is a display device made of an opaque conductive material or a transparent conductive material. 제1항에서,
제1 신호선,
상기 제1 신호선과 교차하는 제2 신호선,
상기 제1 박막 트랜지스터의 제1 제어 전극에 연결되어 있는 제2 출력 전극, 상기 제1 신호선과 연결되어 있는 제2 제어 전극, 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 입력 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터,
상기 제2 박막 트랜지스터와 중첩하고, 상기 제2 입력 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제2 보조 전극을 더 포함하는 표시 장치.In claim 1,
Signal Line 1,
A second signal line intersecting the first signal line,
A second thin film comprising a second output electrode connected to the first control electrode of the first thin film transistor, a second control electrode connected to the first signal line, and a second input electrode connected to the second signal line. transistor,
And a second auxiliary electrode overlapping the second thin film transistor and electrically connected to the second input electrode. 제3항에서,
상기 제2 박막 트랜지스터는 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역과 상기 제2 소스 영역 및 상기 제2 드레인 영역 사이의 제2 채널 영역을 포함하는 반도체층을 포함하는 표시 장치.In claim 3,
The second thin film transistor includes a semiconductor layer including a second source region and a second drain region and a second channel region between the second source region and the second drain region. 제3항에서,
상기 제2 보조 전극은 상기 제1 입력 전극과 직접 연결되어 있는 표시 장치.In claim 3,
The second auxiliary electrode is a display device directly connected to the first input electrode. 제4항 또는 제5항에서,
상기 제2 보조 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어지는 표시 장치.In claim 4 or 5,
The second auxiliary electrode is a display device made of an opaque conductive material. 제1항에서,
상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 발광층, 및
상기 발광층 위에 형성되어 있는 공통 전극을 더 포함하는 표시 장치.In claim 1,
The light emitting layer formed on the pixel electrode, and
A display device further comprising a common electrode formed on the emission layer. 기판,
상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 보조 전극,
상기 기판 위에 형성되어 있으며, 제1 제어 전극, 제1 입력 전극, 제1 출력 전극 및 제1 반도체층을 포함하는 제1 박막 트랜지스터,
상기 기판 위에 형성되어 있으며, 제2 제어 전극, 제2 입력 전극, 제2 출력 전극 및 제2 반도체층을 포함하는 제2 박막 트랜지스터,
구동 전압을 전달하며, 일 방향으로 연장되어 있는 복수의 구동 전압선, 및
상기 제1 출력 전극 또는 상기 제2 출력 전극과 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고,
상기 제1 반도체층은 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역과 상기 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역 사이에 형성되어 있는 제1 채널 영역을 포함하고,
상기 제1 제어 전극은 상기 제1 반도체층의 상기 제1 채널 영역과 중첩하고,
상기 제1 보조 전극은 상기 제1 반도체층 및 상기 제1 제어 전극과 중첩하고,
상기 제1 보조 전극은 상기 제1 제어 전극과 다른 층에 위치하고,
상기 제1 보조 전극은 상기 제1 반도체층의 상기 제1 소스 영역과 전기적으로 연결되고,
상기 제1 입력 전극은 상기 제1 반도체층의 상기 제1 소스 영역 및 상기 제1 보조 전극에 다른 도전층을 통하지 않고 직접 연결되어 있고,
상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층은 같은 층 위에 위치하며,
상기 제1 박막 트랜지스터가 턴 오프 상태인 경우, 상기 제1 보조 전극은 상기 복수의 구동 전압선과 연결되지 않아 상기 구동 전압을 인가받지 않는 표시 장치.Board,
A first auxiliary electrode formed on the substrate,
A first thin film transistor formed on the substrate and including a first control electrode, a first input electrode, a first output electrode, and a first semiconductor layer,
A second thin film transistor formed on the substrate and including a second control electrode, a second input electrode, a second output electrode, and a second semiconductor layer,
A plurality of driving voltage lines that transmit a driving voltage and extend in one direction, and
And a pixel electrode electrically connected to the first output electrode or the second output electrode,
The first semiconductor layer includes a first source region and a first drain region and a first channel region formed between the first source region and the first drain region,
The first control electrode overlaps the first channel region of the first semiconductor layer,
The first auxiliary electrode overlaps the first semiconductor layer and the first control electrode,
The first auxiliary electrode is located on a different layer from the first control electrode,
The first auxiliary electrode is electrically connected to the first source region of the first semiconductor layer,
The first input electrode is directly connected to the first source region and the first auxiliary electrode of the first semiconductor layer without passing through another conductive layer,
The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are located on the same layer,
When the first thin film transistor is turned off, the first auxiliary electrode is not connected to the plurality of driving voltage lines, so that the driving voltage is not applied. 제8항에서,
상기 제1 보조 전극은 불투명한 도전 물질 또는 투명한 도전 물질로 이루어지는 표시 장치.In claim 8,
The first auxiliary electrode is a display device made of an opaque conductive material or a transparent conductive material. 제8항에서,
상기 제1 보조 전극은 상기 반도체층의 상기 제1 소스 영역에서부터 상기 제1 채널 영역을 지나 상기 제1 드레인 영역까지 연속적으로 상기 반도체층과 중첩하는 표시 장치.In claim 8,
The first auxiliary electrode continuously overlaps the semiconductor layer from the first source region of the semiconductor layer to the first drain region after passing through the first channel region. 제8항에서,
상기 기판 위에 형성되어 있는 제2 보조 전극을 더 포함하며,
상기 제2 반도체층은 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역과 상기 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역 사이에 형성되어 있는 제2 채널 영역을 포함하고,
상기 제2 제어 전극은 상기 제2 반도체층의 상기 제2 채널 영역과 중첩하고,
상기 제2 보조 전극은 상기 제2 반도체층 및 상기 제2 제어 전극과 중첩하고,
상기 제2 보조 전극은 상기 제2 제어 전극과 다른 층에 위치하고,
상기 제2 제어 전극과 상기 제2 보조 전극이 가지는 전압은 서로 다르고,
상기 제2 보조 전극은 상기 제2 반도체층의 상기 제2 소스 영역과 전기적으로 연결되고,
상기 제2 입력 전극은 상기 제2 반도체층의 상기 제2 소스 영역 및 상기 제2 보조 전극에 다른 도전층을 통하지 않고 직접 연결되어 있는 표시 장치.In claim 8,
Further comprising a second auxiliary electrode formed on the substrate,
The second semiconductor layer includes a second source region and a second drain region and a second channel region formed between the second source region and the second drain region,
The second control electrode overlaps the second channel region of the second semiconductor layer,
The second auxiliary electrode overlaps the second semiconductor layer and the second control electrode,
The second auxiliary electrode is located on a different layer from the second control electrode,
The voltages of the second control electrode and the second auxiliary electrode are different,
The second auxiliary electrode is electrically connected to the second source region of the second semiconductor layer,
The second input electrode is directly connected to the second source region and the second auxiliary electrode of the second semiconductor layer without passing through another conductive layer. 제8항에서,
상기 제1 제어 전극과 상기 제1 보조 전극은 서로 전기적으로 절연되어 있는 표시 장치.In claim 8,
The display device wherein the first control electrode and the first auxiliary electrode are electrically insulated from each other.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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