KR20100050100A - 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 서로 나란한 스캔 전극과 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 프레임(Frame)의 적어도 하나의 서브필드(Sub-Field)의 리셋 기간과 어드레스 기간 사이에서 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나에 대폭 소거 신호를 공급하는 구동부를 포함할 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치{Plasma Display Apparatus}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널을 포함한다.
플라즈마 디스플레이 패널에는 격벽으로 구획된 방전 셀(Cell) 내에 형광체 층이 형성되고, 아울러 복수의 전극(Electrode)이 형성된다.
플라즈마 디스플레이 패널의 전극에 구동 신호를 공급하면, 방전 셀 내에서는 공급되는 구동 신호에 의해 방전이 발생한다. 여기서, 방전 셀 내에서 구동 신호에 의해 방전이 될 때, 방전 셀 내에 충진 되어 있는 방전 가스가 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고, 이러한 진공 자외선이 방전 셀 내에 형성된 형광체를 발광시켜 가시 광을 발생시킨다. 이러한 가시 광에 의해 플라즈마 디스플레이 패널의 화면상에 영상이 표시된다.
본 발명은 리셋 기간에서 공급되는 리셋 신호와 어드레스 기간에서 공급되는 스캔 신호의 사이 기간에서 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나에 대폭 소 거 신호를 공급하여 방전셀 내의 벽전하의 분포가 비정상인 경우에 방전셀 내에서 소거 방전을 발생시키는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 서로 나란한 스캔 전극과 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 프레임(Frame)의 적어도 하나의 서브필드(Sub-Field)의 리셋 기간과 어드레스 기간 사이에서 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나에 대폭 소거 신호를 공급하는 구동부를 포함할 수 있다.
또한, 대폭 소거 신호의 펄스폭은 5㎲~500㎲일 수 있다.
또한, 대폭 소거 신호의 전압은 60V~300V일 수 있다. 또한, 대폭 소거 신호의 전압은 100V~220V인 것도 가능하다.
또한, 리셋 기간에서는 스캔 전극에 전압이 점진적으로 하강하는 하강램프(Ramp-Down) 신호를 포함하는 리셋 신호가 공급되고, 어드레스 기간에서는 스캔 전극에 스캔 기준 신호가 공급되고, 대폭 소거 신호는 리셋 신호와 스캔 기준 신호 사이에서 스캔 전극에 공급될 수 있다.
또한, 대폭 소거 신호의 공급 이후에 스캔 전극에는 전압이 점진적으로 하강하는 하강 신호가 공급될 수 있다.
또한, 대폭 소거 신호와 리셋 신호의 사이에서 서스테인 전극에 정극성의 제 1 신호가 공급될 수 있다.
또한, 제 1 신호와 대폭 소거 신호는 일부 중첩(Overlap)될 수 있다.
또한, 제 1 신호의 전압은 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 스캔 전 극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 서스테인 신호의 전압과 동일할 수 있다.
또한, 리셋 기간에서는 스캔 전극에 전압이 점진적으로 하강하는 하강램프(Ramp-Down) 신호를 포함하는 리셋 신호가 공급되고, 어드레스 기간에서는 스캔 전극에 스캔 신호가 공급되고, 대폭 소거 신호는 리셋 신호와 스캔 신호 사이에서 서스테인 전극에 공급될 수 있다.
또한, 대폭 소거 신호와 리셋 신호와 사이에서 스캔 전극에는 대폭 소거 신호보다 펄스폭이 작은 제 2 신호가 공급될 수 있다.
또한, 제 2 신호와 대폭 소거 신호 사이에서 서스테인 전극에는 대폭 소거 신호보다 펄스폭이 작은 제 3 신호가 공급될 수 있다.
또한, 제 2 신호와 제 3 신호는 일부 중첩(Overlap)될 수 있다.
또한, 대폭 신호의 전압은 어드레스 기간에서 서스테인 전극에 공급되는 정극성 전압과 동일할 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 리셋 기간에서 공급되는 리셋 신호와 어드레스 기간에서 공급되는 스캔 신호의 사이 기간에서 방전셀 내의 벽전하의 분포가 비정상인 경우에 방전셀 내에서 소거 방전을 발생시킴으로써 오방전의 발생을 방지하며, 이에 따라 영상의 화질을 개선하는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 살펴보면, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(100)과 구동부(110)를 포함할 수 있다.
플라즈마 디스플레이 패널(100)은 서로 나란한 스캔 전극(Y1~Yn)과 서스테인 전극(Z1~Zn)을 포함하고, 아울러 스캔 전극 및 서스테인 전극과 교차하는 어드레스 전극(X1~Xm)을 포함할 수 있다.
구동부(110)는 프레임(Frame)의 적어도 하나의 서브필드(Sub-Field)에서 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 스캔 전극, 서스테인 전극 또는 어드레스 전극 중 적어도 하나로 구동신호를 공급하여, 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 화면에 영상이 구현되도록 할 수 있다. 보다 상세하게는 구동부(110)는 프레임(Frame)의 적어도 하나의 서브필드(Sub-Field)의 리셋 기간과 어드레스 기간 사이에서 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나에 대폭 소거 신호를 공급할 수 있다.
여기, 도 1에서는 구동부(110)가 하나의 보드(Board) 형태로 이루어지는 경우만 도시하고 있지만, 본 발명에서 구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)에 형성된 전극에 따라 복수개의 보드 형태로 나누어지는 것도 가능하다. 예를 들면, 구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 스캔 전극을 구동시키는 제 1 구동부(미도시)와, 서스테인 전극을 구동시키는 제 2 구동부와, 어드레스 전극을 구동시키는 제 3 구동부(미도시)로 나누어질 수 있는 것이다.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 서로 나란한 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)이 형성되는 전면 기판(201)과, 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)과 교차하는 어드레스 전극(213, X)이 형성되는 후면 기판(211)을 포함할 수 있다.
스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)이 형성된 전면 기판(201)에는 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)의 방전 전류를 제한하며 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z) 간을 절연시키는 상부 유전체 층(204)이 배치될 수 있다.
상부 유전체 층(204)이 형성된 전면 기판(201)에는 방전 조건을 용이하게 하기 위한 보호 층(205)이 형성될 수 있다. 이러한 보호 층(205)은 2차 전자 방출 계수가 높은 재질, 예컨대 산화마그네슘(MgO) 재질을 포함할 수 있다.
후면 기판(211) 상에는 어드레스 전극(213, X)이 형성되고, 이러한 어드레스 전극(213, X)이 형성된 후면 기판(211)의 상부에는 어드레스 전극(213, X)을 덮으며 어드레스 전극(213, X)을 절연시키는 하부 유전체 층(215)이 형성될 수 있다.
하부 유전체 층(215)의 상부에는 방전 공간 즉, 방전 셀을 구획하기 위한 스트라이프 타입(Stripe Type), 웰 타입(Well Type), 델타 타입(Delta Type), 벌집 타입 등의 격벽(212)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 전면 기판(201)과 후면 기판(211)의 사이에서 적색(Red : R)광을 방출하는 제 1 방전 셀, 청색(Blue : B)광을 방출하는 제 2 방전 셀 및 녹색(Green : G)광을 방출하는 제 3 방전 셀 등이 형 성될 수 있다.
도 2에 도시된 격벽(212)의 구조뿐만 아니라, 다양한 형상의 격벽의 구조도 가능할 것이다. 예컨대, 격벽(212)은 제 1 격벽(212b)과 제 2 격벽(212a)을 포함하고, 여기서, 제 1 격벽(212b)의 높이와 제 2 격벽(212a)의 높이가 서로 다른 차등형 격벽 구조, 제 1 격벽(212b) 또는 제 2 격벽(212a) 중 하나 이상에 배기 통로로 사용 가능한 채널(Channel)이 형성된 채널형 격벽 구조, 제 1 격벽(212b) 또는 제 2 격벽(212a) 중 하나 이상에 홈(Hollow)이 형성된 홈형 격벽 구조 등이 가능할 것이다.
여기서, 차등형 격벽 구조인 경우에는 제 1 격벽(212b)의 높이가 제 2 격벽(212a)의 높이보다 더 낮을 수 있다. 아울러, 채널형 격벽 구조인 경우에는 제 1 격벽(212b)에 채널이 형성될 수 있다.
격벽(212)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 소정의 방전 가스가 채워질 수 있다.
아울러, 격벽(212)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(214)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 적색 광을 발생시키는 제 1 형광체 층, 청색 광을 발생시키는 제 2 형광체 층 및 녹색 광을 발생시키는 제 3 형광체 층이 형성될 수 있다.
또한, 후면 기판(211) 상에 형성되는 어드레스 전극(213)은 폭이나 두께가 실질적으로 일정할 수도 있지만, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 폭이나 두께와 다를 수도 있을 것이다. 예컨대, 방전 셀 내부에서의 폭이 나 두께가 방전 셀 외부에서의 그것보다 더 넓거나 두꺼울 수 있을 것이다.
스캔 전극(202), 서스테인 전극(203) 및 어드레스 전극(213) 중 적어도 하나로 소정의 신호가 공급되면 방전셀 내에서는 방전이 발생할 수 있다. 이와 같이, 방전셀 내에서 방전이 발생하게 되면, 방전셀 내에 채워진 방전 가스에 의해 자외선이 발생할 수 있고, 이러한 자외선이 형광체층(214)의 형광체 입자에 조사될 수 있다. 그러면, 자외선이 조사된 형광체 입자가 가시광선을 발산함으로써 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 화면에는 소정의 영상이 표시될 수 있는 것이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에서 영상의 계조를 구현하기 위한 영상 프레임(Frame)에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 살펴보면 영상의 계조(Gray Level)를 구현하기 위한 프레임은 복수의 서브필드(Subfield, SF1~SF8)를 포함할 수 있다.
아울러, 복수의 서브필드는 방전셀을 방전이 발생하지 않을 방전셀을 선택하거나 혹은 방전이 발생하는 방전셀을 선택하기 위한 어드레스 기간(Address Period) 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간(Sustain Period)으로 나누어 질 수 있다.
예를 들어, 256 계조로 영상을 표시하고자 하는 경우에 예컨대 하나의 프레임은 도 3과 같이 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지고, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 어드레스 기간과 서스테인 기간을 포함할 수 있다.
또는, 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드는 초기화를 위한 리셋 기간을 더 포함하는 것도 가능하다.
아울러, 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드는 서스테인 기간을 포함하지 않을 수 있다.
한편, 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 신호의 개수를 조절하여 해당 서브필드의 계조 가중치를 설정할 수 있다. 즉, 서스테인 기간을 이용하여 각각의 서브필드에 소정의 계조 가중치를 부여할 수 있다. 예를 들면, 제 1 서브필드의 계조 가중치를 20으로 설정하고, 제 2 서브필드의 계조 가중치를 21으로 설정하는 방법으로 각 서브필드의 계조 가중치가 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가되도록 각 서브필드의 계조 가중치를 결정할 수 있다. 이와 같이 각 서브필드에서 계조 가중치에 따라 각 서브필드의 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 신호의 개수를 조절함으로써 다양한 영상의 계조를 구현할 수 있다.
여기, 도 3에서는 하나의 영상 프레임이 8개의 서브필드로 이루어진 경우만으로 도시하고 설명하였지만, 이와는 다르게 하나의 영상 프레임을 이루는 서브필드의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 제 1 서브필드부터 제 12 서브필드까지의 12개의 서브필드로 하나의 영상 프레임을 구성할 수도 있고, 10개의 서브필드로 하나의 영상 프레임을 구성할 수도 있는 것이다.
또한, 여기 도 3에서는 하나의 영상 프레임에서 계조 가중치의 크기가 증가하는 순서에 따라 서브필드들이 배열되었지만, 이와는 다르게 하나의 영상 프레임에서 서브필드들이 계조 가중치가 감소하는 순서에 따라 배열될 수도 있고, 또는 계조 가중치에 관계없이 서브필드들이 배열될 수도 있는 것이다.
한편, 프레임에 포함된 복수의 서브필드 중 적어도 하나는 선택적 소거 서브필드(Selective Erase Subfield, SE)이고, 아울러 복수의 서브필드 중 적어도 하나는 선택적 쓰기 서브필드(Selective Write Subfield, SW)인 것도 가능하다.
하나의 프레임이 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드와 선택적 쓰기 서브필드를 포함하는 경우에는, 프레임의 복수의 서브필드 중 첫 번째 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드이고, 나머지는 선택적 소거 서브필드인 것이 바람직할 수 있다.
또는, 프레임에 포함된 모든 서브필드들이 선택적 소거 서브필드인 경우도 가능하다.
여기서, 선택적 소거 서브필드는 어드레스 기간에서 어드레스 전극에 데이터 신호(Data)가 공급된 방전셀을 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 오프(Off)시키는 서브필드이다.
그리고 선택적 쓰기 서브필드는 어드레스 기간에서 어드레스 전극에 데이터 신호(Data)가 공급된 방전셀을 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 온(On)시키는 서브필드이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구동방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 이하에서 설명될 구동신호들은 앞선 도 1의 구동부(110)가 공급하는 것일 수 있다.
도 4를 살펴보면, 프레임(Frame)의 복수의 서브필드(Sub-Field) 중 적어도 하나의 서브필드의 초기화를 위한 리셋 기간(Reset Period : RP)에서는 스캔 전극(Y)으로 리셋 신호(RS)를 공급할 수 있다. 여기서, 리셋 신호(RS)는 전압이 점 진적으로 상승하는 상승 램프 신호(Ramp-Up : RU) 및 전압이 점진적으로 하강하는 하강 램프 신호(Ramp-Down : RD)를 포함할 수 있다.
예를 들면, 리셋 기간의 셋업 기간(SU)에서는 스캔 전극에 상승 램프 신호(RU)가 공급되고, 셋업 기간 이후의 셋다운 기간(SD)에서는 스캔 전극에 하강 램프 신호(RD)가 공급될 수 있다.
스캔 전극에 상승 램프 신호가 공급되면, 상승 램프 신호에 의해 방전 셀 내에는 약한 암방전(Dark Discharge), 즉 셋업 방전이 일어난다. 이 셋업 방전에 의해 방전 셀 내에는 벽 전하(Wall Charge)의 분포가 균일해질 수 있다.
상승 램프 신호가 공급된 이후, 스캔 전극에 하강 램프 신호가 공급되면, 방전 셀 내에서 미약한 소거 방전(Erase Discharge), 즉 셋다운 방전이 발생한다. 이 셋다운 방전에 의해 방전 셀 내에는 어드레스 방전이 안정되게 일어날 수 있을 정도의 벽전하가 균일하게 잔류될 수 있다.
리셋 기간 이후의 소거 기간(Erase Period : EP)에서는 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나에서 대폭 소거 신호(Wide Width Erasing Signal : WS)가 공급될 수 있다. 여기 도 4에서는 리셋 기간과 어드레스 기간(Address Period : AP) 사이에 소거 기간이 배치되는 경우를 도시하고 있지만, 소거 기간은 리셋 기간에 포함되는 것이 가능하고, 또는 어드레스 기간에 포함되는 것도 가능할 수 있다.
이와 같이, 리셋 기간과 어드레스 기간의 사이에서 대폭 소거 신호(WS)가 공급되면, 방전셀 내에서 벽전하의 분포 특성이 비이상적인 경우에 방전셀 내에서 소거 방전을 발생시킴으로써 벽전하의 양을 균일하게 줄일 수 있다.
이러한 소거 기간에 대해서는 이후에 보다 상세히 설명하기로 한다.
리셋 기간 이후의 어드레스 기간(AP)에서는 하강 램프 신호의 최저 전압보다는 높은 전압을 갖는 스캔 기준 신호(Ybias)가 스캔 전극에 공급될 수 있다.
또한, 어드레스 기간에서는 스캔 기준 신호(Ybias)의 전압으로부터 하강하는 스캔 신호(Sc)가 스캔 전극에 공급될 수 있다.
한편, 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 펄스폭은 다른 서브필드의 스캔 신호의 펄스폭과 다를 수 있다. 예컨대, 시간상 뒤에 위치하는 서브필드에서의 스캔 신호의 폭이 앞에 위치하는 서브필드에서의 스캔 신호의 폭보다 작을 수 있다. 또한, 서브필드의 배열 순서에 따른 스캔 신호 폭의 감소는 2.6㎲(마이크로초), 2.3㎲, 2.1㎲, 1.9㎲ 등과 같이 점진적으로 이루어질 수 있거나 2.6㎲, 2.3㎲, 2.3㎲, 2.1㎲......1.9㎲, 1.9㎲ 등과 같이 이루어질 수도 있다.
이와 같이, 스캔 신호가 스캔 전극으로 공급될 때, 스캔 신호에 대응되게 어드레스 전극(X)에 데이터 신호(Dt)가 공급될 수 있다.
이러한 스캔 신호와 데이터 신호가 공급되면, 스캔 신호와 데이터 신호 간의 전압 차와 리셋 기간에 생성된 벽 전하들에 의한 벽 전압이 더해지면서 데이터 신호가 공급되는 방전 셀 내에는 어드레스 방전이 발생될 수 있다.
아울러, 어드레스 방전이 발생하는 어드레스 기간에서 서스테인 전극에는 스캔 전극과 어드레스 전극 사이에서 어드레스 방전이 효과적으로 발생하도록 하기 위해 서스테인 기준 신호(Zbias)신호를 공급할 수 있다.
어드레스 기간 이후의 서스테인 기간(SP)에서는 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나에 서스테인 신호(SUS)가 공급될 수 있다. 예를 들면, 스캔 전극과 서스테인 전극에 교번적으로 서스테인 신호가 공급될 수 있다.
이러한 서스테인 신호가 공급되면, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전 셀은 방전 셀 내의 벽 전압과 서스테인 신호의 서스테인 전압(Vs)이 더해지면서 서스테인 신호가 공급될 때 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에 서스테인 방전 즉, 표시방전이 발생될 수 있다.
소거 기간에서 공급되는 대폭 소거 신호(WS)에 대해 보다 상세히 설명하면 아래와 같다.
대폭 소거 신호는 리셋 신호(RS)와 스캔 기준 신호(Ybias) 사이에서 스캔 전극에 공급될 수 있다.
리셋 기간의 끝단에서 방전셀 내에서의 벽전하의 분포가 도 5와 같은 경우를 가정하여 보자.
도 5와 같이, 리셋 기간의 끝단에서 스캔 전극과 서스테인 전극 상에는 부극성의 전하들이 형성되고 어드레스 전극 상에는 양극성의 전하들이 형성되는 경우에는 소거 기간에서 정극성 신호인 대폭 소거 신호가 공급되더라도 소거 방전이 발생하지 않을 수 있다. 아울러, 소거 기간 이후의 어드레스 기간에서 스캔 전극에 스캔 신호(Sc)가 공급되고 어드레스 전극에 데이터 신호(Dt)가 공급될 때 스캔 전극과 어드레스 전극 사이에서 정상적인 어드레스 방전이 발생할 수 있다.
이에 따라, 리셋 기간의 끝단에서 도 5와 같은 벽전하의 분포 특성을 갖는 경우에는 서스테인 기간에서 정상적인 서스테인 방전이 발생할 수 있는 것이다.
반면에, 패널의 주변 온도, 구동 시간 등의 이유로 인해 리셋 기간에서 발생하는 셋업 방전 또는 셋다운 방전이 불안정해짐에 따라 도 6의 경우와 같이 스캔 전극과 어드레스 전극 상에는 양극성의 전하들이 형성되고 서스테인 전극 상에는 부극성의 전하들이 형성되는 경우를 가정하여 보자.
이러한 경우에는, 소거 기간에서 스캔 전극에 공급되는 정극성의 대폭 소거 신호에 의해 방전셀 내에서 소거 방전이 발생할 수 있다.
그러면, 방전셀 내에서 소거 방전이 발생함에 따라 도 7의 경우와 같이 벽전하의 양이 감소할 수 있고, 이에 따라 이후의 어드레스 기간에서 안정적인 어드레스 방전이 발생할 수 있다.
만약, 리셋 기간의 끝단에서 도 6과 같은 벽전하의 분포 특성을 갖는 경우에 대폭 소거 신호가 공급되지 않는다고 가정해보자.
이러한 경우에는, 어드레스 기간에서 어드레스 전극에 데이터 신호를 공급하지 않아도 스캔 전극에 공급되는 스캔 신호의 전압에 의해 스캔 전극과 어드레스 전극 사이에서 어드레스 방전이 발생할 수 있다.
그러면, 이후의 서스테인 기간에서 데이터 신호가 공급되지 않는 방전셀에서도 서스테인 방전이 발생함으로써 영상의 화질이 악화될 수 있다.
반면에, 리셋 기간의 끝단에서 도 6과 같은 벽전하의 분포 특성을 갖는다고 하더라도 리셋 기간과 어드레스 기간 사이에서 대폭 소거 신호를 공급한다면 방전셀 내에서 소거 방전을 발생시킬 수 있기 때문에 서스테인 기간에서 데이터 신호가 공급되지 않는 방전셀에서 서스테인 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있는 것이다. 이에 따라, 영상의 화질을 개선하는 것이 가능한 것이다.
아울러, 대폭 소거 신호의 공급 이후에 스캔 전극에는 전압이 점진적으로 하강하는 하강 신호(FS)가 공급될 수 있다. 이러한 경우에는, 대폭 소거 신호의 소거 방전 이후에 방전셀들에서의 벽전하의 분포를 보다 균일하게 할 수 있다.
한편, 리셋 기간과 어드레스 기간의 사이에서 펄스폭이 작은 세폭 소거 신호를 공급하여 방전셀 내에서 소거 방전을 발생시키는 것도 가능할 수 있다.
그러나 세폭 소거 신호를 이용하여 소거 방전을 발생시키는 경우에는 충분한 양의 벽전하를 소거시키기가 어려울 수 있고, 이에 따라 도 6과 같은 경우에 세폭 소거 신호에 의해 소거 방전이 발생한 이후에도 여전히 방전셀 내에는 과도하게 많은 양의 벽전하가 분포할 수 있으며 이로 인해 서스테인 기간에서는 데이터 신호가 공급되지 않는 방전셀 내에서 서스테인 방전이 발생할 수 있다.
도 8 내지 도 9는 대폭 소거 신호의 전압과 펄스폭에 대해 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 8은 대폭 소거 신호(WS)의 전압(Ve)이 0V~360V에서 휘점 발생을 관찰한 데이터이다.
실험 조건은 아래와 같다.
1. 서스테인 신호(SUS)의 전압(Vs)은 대략 180V이다.
2. 대폭 소거 신호의 펄스폭(Te)은 대략 50㎲이다.
3. 용이한 소정 패턴의 영상을 소정 시간 이상 화면상에 표시한 상태에서 다 수의 관찰자가 관찰한 대략적인 휘점의 개수의 평균을 산출한다. 여기서, 휘점의 평균 개수는 관찰자의 시력 등의 요인에 의해 변동될 수 있다. 따라서 이하에서는 휘점의 개수를 5개의 단위로 구분하여 설명하기로 한다. 예를 들어, 실제 측정한 휘점의 평균 개수가 대략 98개인 경우에는 휘점의 평균 개수가 대략 100개인 것으로 간주하고, 실제 측정한 휘점의 평균 개수가 대략 92개인 경우에는 휘점의 평균 개수가 대략 90개인 것으로 간주하는 것이다.
휘점의 관찰 방법의 일예를 들면 아래와 같다.
먼저, 풀-화이트(Full-White) 영상을 소정 시간 이상 표시한 이후에 상기한 풀-화이트 영상을 풀-블랙(Full-Black) 영상으로 전환한다.
여기서, 풀-블랙 영상으로 전환된 시점에서 패널의 모든 셀들은 오프(Off)되어야 하는데, 셀들 중 소정의 셀들은 광을 발산할 수 있다. 즉, 휘점이 발생할 수 있는 것이다.
이와 같이, 풀-블랙 영상으로 전환된 시점에서 광을 발산하는 셀들은 어드레스 기간에서 데이터 신호가 공급되지 않아도 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생한 것이라고 볼 수 있다.
따라서 불-블랙 영상으로 전환된 시점에서 광을 발산하는 셀들의 개수, 즉 휘점의 개수를 관찰함으로써 오방전의 발생 정도를 가늠할 수 있는 것이다.
실험 결과, 도 8의 경우와 같이, 대폭 소거 신호의 전압이 OV인 경우, 즉 대폭 소거 신호를 공급하지 않은 경우에는 관찰된 휘점의 평균 개수는 대략 100개이다.
또한, 대폭 소거 신호의 전압이 대략 20V, 40V인 경우에도 관찰된 휘점의 개수가 대략 100개를 유지하였다. 이러한 경우는, 대폭 소거 신호의 전압이 과도하게 낮아서 대폭 소거 신호가 공급되더라도 소거 방전이 발생하지 않은 것으로 볼 수 있다.
반면에, 대폭 소거 신호의 전압이 대략 60V인 경우에는 휘점의 개수가 대략 60개 정도로 감소하였고, 대폭 소거 신호의 전압이 대략 80V인 경우에는 휘점의 개수가 대략 40개 정도로 감소하였음을 알 수 있다.
또한, 대폭 소거 신호의 전압이 대략 100V인 경우에는 휘점의 개수가 급격히 감소하여 대략 15개이며, 대폭 소거 신호의 전압이 대략 120V~140V인 경우에는 휘점이 실질적으로 발생하지 않았음을 알 수 있다.
아울러, 대폭 소거 신호의 전압이 대략 160V~200V인 경우에는 휘점의 개수가 대략 10개이고, 대폭 소거 신호의 전압이 대략 220V인 경우에도 휘점의 개수가 대략 15개로서 충분히 적은 수준을 유지할 수 있다.
아울러, 대폭 소거 신호의 전압이 대략 240V~300V인 경우에는 휘점의 개수가 약간 증가하지만 여전히 40~50개 정도로 상대적으로 적은 수준을 유지할 수 있다.
반면에, 대폭 소거 신호의 전압이 대략 320V인 경우에는 휘점의 개수가 급격히 증가하여 대략 85개이며, 대폭 소거 신호의 전압이 대략 340V~360V인 경우에는 휘점의 개수가 대략 90~95개로서 과도하게 많은 것을 알 수 있다. 이러한 경우는, 대폭 소거 신호의 전압이 과도하게 높아서 대폭 소거 신호에 의한 방전 이후에 방전셀 내에 벽전하의 양이 감소하지 않고 동등 수준을 유지하거나 오히려 벽전하의 양이 증가하는 것으로 볼 수 있다.
상기한 도 8의 데이터를 고려할 때, 대폭 소거 신호의 전압이 대략 60V이상인 경우에 휘점 감소의 효과가 있는 것으로 볼 수 있다. 따라서 대폭 소거 신호의 전압이 대략 60V이상인 경우가 바람직할 수 있을 것이다.
또한, 휘점의 개수가 상대적으로 적은 수준을 유지하는 상태, 예컨대 휘점의 개수가 대략 60개 이하의 수준을 유지하는 상태를 양호한 것으로 간주한다면 대폭 소거 신호의 전압(Ve)은 60V~300V인 것이 바람직할 수 있다.
아울러, 휘점 발생을 충분히 감소시켜 영상의 화질을 최적화시키는 것을 고려한다면 휘점의 개수가 대략 15개 이하의 수준을 유지할 수 있도록 대록 소거 신호의 전압은 100V~220V인 것이 더욱 바람직할 수 있는 것이다.
다음, 도 9는 대폭 소거 신호의 펄스폭(Te)이 대략 0~1000㎲에서의 휘점 발생을 관찰한 데이터이다.
실험조건은 아래와 같다.
1. 서스테인 신호(SUS)의 전압은 대략 200V이다.
2. 대폭 소거 신호의 전압은 대략 120V이다.
3. 휘점 관찰 방법은 도 8의 데이터에서 설명한 바와 실질적으로 동일함.
실험 결과, 도 9의 경우와 같이, 대폭 소거 신호의 펄스폭이 0㎲인 경우, 즉 대폭 소거 신호를 공급하지 않은 경우에는 관찰된 휘점의 평균 개수는 대략 60개이다.
또한, 대폭 소거 신호의 펄스폭이 1㎲인 경우에도 관찰된 휘점의 개수가 대 략 60개를 유지하였다. 이러한 경우는, 대폭 소거 신호의 펄스폭이 과도하게 짧아서 대폭 소거 신호가 공급되더라도 소거 방전이 발생하지 않거나 소거 방전의 세기가 과도하게 약한 것으로 볼 수 있다.
반면에, 대폭 소거 신호의 펄스폭이 대략 5㎲~50㎲인 경우에는 휘점의 개수가 대략 50개 정도로 감소하였고, 대폭 소거 신호의 펄스폭이 대략 100㎲인 경우에는 휘점의 개수가 대략 30개 정도로 감소하였고, 대폭 소거 신호의 펄스폭이 대략 200㎲인 경우에는 휘점의 개수가 대략 25개로 감소하였음을 알 수 있다.
아울러, 대폭 소거 신호의 펄스폭이 대략 500㎲~1000㎲이상인 경우에는 휘점이 실질적으로 발생하지 않았음을 알 수 있다.
상기한 도 9의 데이터를 고려할 때, 대폭 소거 신호의 펄스폭이 대략 5㎲이상인 경우에 휘점 감소의 효과가 있는 것으로 볼 수 있다. 따라서 대폭 소거 신호의 펄스폭이 대략 5㎲이상인 경우가 바람직할 수 있을 것이다.
대폭 소거 신호의 펄스폭이 대략 500㎲이상인 경우에 실질적으로 휘점이 발생하지 않았기 때문에 대폭 신호의 펄스폭을 500㎲보다 크게 하는 것은 구동시간의 부족을 야기할 뿐이며, 휘점 방지의 측면에서는 의미가 없는 것으로 볼 수 있다. 따라서 대폭 소거 신호의 펄스폭은 대략 5㎲이상 500㎲인 것이 바람직할 수 있다.
아울러, 대폭 소거 신호의 펄스폭이 증가하면 할수록 구동시간의 부족은 심화될 수 있다. 따라서 휘점 발생의 방지 정도를 적정수준으로 유지한 상태에서 대폭 소거 신호의 펄스폭을 최대한 감소시키는 것도 바람직할 수 있다. 예를 들면, 도 9의 데이터에서 대폭 소거 신호의 펄스폭이 대략 200㎲인 경우에는 대략 25개의 휘점이 발생할 수 있지만, 이정도 수준도 양호한 수준일 수 있기 때문에 대폭 신호이 펄스폭을 대략 5㎲보다는 크거나 같고 200㎲보다는 작거나 같은 정도로 결정하는 것도 바람직한 것이다.
도 10 내지 도 11은 대폭 소거 신호의 공급 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
대폭 소거 신호는 프레임의 복수의 서브필드에서 각각 공급되는 것이 가능하다. 즉, 프레임의 모든 서브필드에서 대폭 소거 신호가 공급될 수 있는 것이다.
또는, 도 10 내지 도 11의 경우와 같이 프레임의 복수의 서브필드 중 소정의 서브필드에서는 대폭 소거 신호가 공급되고, 나머지 서브필드에서는 대폭 소거 신호가 공급되지 않을 수 있다.
예컨대, 도 10의 경우와 같이 프레임의 복수의 서브필드 중 제 1 서브필드(SF1)에서는 대폭 소거 신호가 공급되고, 나머지 서브필드에서는 대폭 소거 신호가 공급되지 않을 수 있다. 여기서, 제 1 서브필드(SF1)는 프레임의 복수의 서브필드 중 시간적으로 가장 먼저 배치되는 서브필드일 수 있다.
이와 같이, 프레임의 복수의 서브필드 중 시간적으로 가장 먼저 배치되는 서브필드에서 대폭 소거 신호를 공급하는 이유는 프레임의 복수의 서브필드 중에서 첫 번째 서브필드에서 오방전이 발생할 가능성이 상대적으로 높기 때문이다.
또는, 도 11의 경우와 같이 제 1 서브필드(SF1)에서 대폭 소거 신호를 공급하고, 이후에 서브필드 중 제 1 서브필드와 시간적으로 이격된 임의의 서브필드, 예컨대 도 11의 경우와 같이 제 3 서브필드(SF3)에서 대폭 소거 신호를 공급할 수 있다.
이와 같이, 제 1 서브필드에서 대폭 소거 신호를 공급하고, 이후에 제 1 서브필드와 시간적으로 이격된 다른 임의의 서브필드에서 대폭 소거 신호를 공급하는 이유는 제 1 서브필드에서 대폭 소거 신호에 의해 안정된 방전이 시간이 지남에 따라 불안정해질 가능성이 증가할 수 있기 때문이다. 따라서 한 프레임 내에서 제 1 서브필드에서 대폭 소거 신호를 공급하여 방전을 안정시킨 이후에 소정 시간이 지난 이후에 임의의 서브필드에서 다시 대폭 소거 신호를 공급함으로써 방전이 불안정해질 수 있는 가능성을 줄이는 것이다.
도 12 내지 도 13은 제 1 신호에 대해 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 12를 살펴보면 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드에서는 대폭 소거 신호(WS)와 리셋 신호(RS)의 사이에서 서스테인 전극에 정극성의 제 1 신호(S1)가 공급될 수 있다.
이와 같이, 대폭 소거 신호와 리셋 신호의 사이에서 서스테인 전극에 제 1 신호(S1)가 공급되면, 대폭 소거 신호에 의해 소거 방전이 발생하기 이전에 제 1 신호에 의해 소거 방전이 발생할 수 있다. 따라서 대폭 소거 신호에 의해 발생하는 소거 방전을 더욱 안정시킬 수 있다.
아울러, 제 1 신호를 공급하게 되면, 대폭 소거 신호에 의해 발생하는 소거 방전의 세기가 감소하더라도 방전셀 내에서 충분한 양의 벽전하를 소거하는 것이 가능할 수 있다.
또한, 제 1 신호의 전압(V1)은 충분한 세기의 소거 방전을 발생시키기 위해 이후의 서스테인 기간에서 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 서스테인 신호(SUS)의 전압(Vs)과 실질적으로 동일한 것이 가능하다.
또는, 제 1 신호의 전압(V1)은 어드레스 기간에서 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 기준 신호(Zbias)의 전압(Vzb)과 실질적으로 동일한 것도 가능할 수 있다.
아울러, 제 1 신호(S1)는 도 13의 경우와 같이 대폭 소거 신호(WS)의 일부 중첩(Overlap)되는 것이 가능할 수 있다. 자세하게는, 제 1 신호의 공급시점이 대폭 소거 신호의 공급시점보다 시간적으로 앞서고, 아울러 대폭 소거 신호의 공급시점은 제 1 신호의 종료시점보다 앞서게 됨으로써 대폭 소거 신호와 제 1 신호가 d1기간에서 중첩되는 것이 가능한 것이다.
도 14 내지 도 15는 대폭 소거 신호가 서스테인 전극에 공급되는 것에 대해 설명하기 위한 도면이다. 이하에서는 이상에서 상세히 설명한 내용에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다. 예를 들어, 대폭 소거 신호(WS)가 서스테인 전극에 공급되는 경우에도 앞선 도 10 내지 도 11의 경우와 같은 방법이 적용될 수 있는 것이다.
먼저, 도 14를 살펴보면 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드에서는 리셋 신호(RS)와 스캔 신호(Sc) 사이에서 서스테인 전극에 대폭 소거 신호(WS)가 공급되는 것이 가능할 수 있다.
이와 같이, 대폭 소거 신호가 서스테인 전극에 공급되는 경우에도 대폭 소거 신호의 전압 및 펄스폭의 특징은 앞선 도 8 내지 도 9에서 상세히 설명한 바와 같 을 수 있다.
아울러, 대폭 소거 신호가 서스테인 전극에 공급되는 경우에도 방전셀 내에서 소거 방전을 발생시킴으로써 벽전하의 양을 줄일 수 있다.
예를 들어, 도 15와 같이 리셋 기간의 끝단에서 스캔 전극 상에는 부극성의 전하들이 형성되고, 서스테인 전극과 어드레스 전극 상에는 양극성의 전하들이 형성되어 있는 경우를 가정하여 보자.
이러한 경우에 대폭 소거 신호가 공급되지 않는다면, 데이터 신호가 공급되지 않는 방전셀에서 서스테인 방전이 발생할 수 있다. 즉, 오방전(Misfiring)이 발생할 수 있는 것이다.
반면에, 도 15와 같은 벽전하의 분포 상태에서 대폭 소거 신호가 공급되는 경우에는 대폭 소거 신호에 의해 소거 방전이 발생함으로써 방전셀 내에서 벽전하의 양을 줄일 수 있다. 이에 따라, 오방전의 발생을 방지할 수 있는 것이다.
한편, 구동전압을 발생시키는 전압 발생 회로의 개수를 줄여 제조 단가를 줄이기 위해 대폭 소거 신호의 전압(Ve)을 어드레스 기간에서 서스테인 전극에 공급되는 서스테인 기준 신호(Zbias)의 전압(Vzb)과 실질적으로 동일하게 하는 것도 가능하다.
도 16 내지 도 17은 제 2 신호에 대해 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 16을 살펴보면 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드에서는 대폭 소거 펄스(WS)가 서스테인 전극에 공급되며, 아울러 대폭 소거 신호(WS)와 리셋 신호(RS)와 사이에서 스캔 전극에 제 2 신호(S2)가 공급될 수 있다. 여기서, 제 2 신호(S2)는 펄스폭(W1)이 대폭 소거 신호의 펄스폭(Te)보다 작은 세폭(Narrow Width) 펄스이다.
이와 같이, 대폭 소거 신호와 리셋 신호의 사이에서 스캔 전극에 제 2 신호(S2)가 공급되면, 대폭 소거 신호에 의해 소거 방전이 발생하기 이전에 제 2 신호에 의해 소거 방전이 발생할 수 있다. 따라서 대폭 소거 신호에 의해 발생하는 소거 방전을 더욱 안정시킬 수 있다.
아울러, 제 2 신호를 공급하게 되면, 대폭 소거 신호에 의해 발생하는 소거 방전의 세기가 감소하더라도 방전셀 내에서 충분한 양의 벽전하를 소거하는 것이 가능할 수 있다.
또한, 제 2 신호는 대폭 소거 신호 발생시키는 소거 방전을 더욱 효과적으로 안정시키기 위한 것이므로 제 2 신호에 의해 발생하는 소거 방전의 세기가 충분히 약해도 관계없다. 따라서 제 2 신호는 펄스폭(W1)이 상대적으로 작은 세폭 펄스인 것이 가능한 것이다.
또한, 도 17의 경우와 같이 제 2 신호의 전압(V2)은 이후의 서스테인 기간에서 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 서스테인 신호(SUS)의 전압(Vs)과 실질적으로 동일한 것이 가능하다. 이와 같이, 제 2 신호의 전압(V2)을 서스테인 전압(Vs)과 실질적으로 동일하게 한다면 제 2 신호의 전압의 크기, 즉 펄스 크기(△V)는 서스테인 신호(SUS)의 전압의 크기(△Vs)보다 클 수 있다.
아울러, 제 2 신호가 펄스폭(W1)이 상대적으로 작은 세폭 펄스이기 때문에 제 2 신호에 의해 소거 방전이 발생한 이후에 대폭 소거 신호에 의해 발생하는 소 거 방전을 안정시키기 위해서는 제 2 신호와 대폭 소거 신호를 시간적으로 이격시키는 것이 바람직할 수 있다. 즉, 제 2 신호의 종료 시점은 대폭 소거 신호의 공급 시점보다 d2만큼 빠를 수 있는 것이다.
도 18 내지 도 19는 제 3 신호에 대해 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 18을 살펴보면 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드에서는 대폭 소거 신호(WS)가 서스테인 전극에 공급되고 제 2 신호(S2)와 대폭 소거 신호 사이에서 서스테인 전극에는 제 3 신호(S3)가 공급될 수 있다.
여기서, 제 3 신호는 펄스폭(W2)이 대폭 소거 신호의 펄스폭(Te)보다 작은 세폭 펄스일 수 있다. 아울러, 제 3 신호의 펄스폭(W2)은 제 2 신호의 펄스폭(W1)과 동일한 것도 가능하고, 서로 상이한 경우도 가능할 수 있다.
이와 같이, 제 3 신호가 공급되는 경우에는 대폭 소거 신호에 의해 소거 방전이 발생하기 이전에 제 2 신호 및 제 3 신호에 의해 우선적인 소거 방전을 발생시킬 수 있어서 대폭 소거 신호에 의한 소거 방전을 더욱 안정시킬 수 있다.
아울러, 도 19의 경우와 같이 제 2 신호 및 제 3 신호가 공급될 때 보다 안정적인 소거 방전을 발생시키도록 하기 위해 제 2 신호와 제 3 신호는 일부 중첩되는 것이 바람직할 수 있다. 또한, 제 3 신호와 대폭 소거 신호는 시간적으로 서로 이격되도록 하는 것이 바람직할 수 있다.
또한, 제 3 신호에 의한 소거 방전에 의해 벽전하들이 충분히 소거되도록 하기 위해 제 3 신호의 전압(V3)은 대폭 소거 신호의 전압(Ve)보다 높은 것이 바람직할 수 있다.
도 20 내지 도 21은 대폭 소거 신호를 공급하는 또 다른 방법의 일례에 대해 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 20을 살펴보면 한 프레임 내에서 적어도 하나의 서브필드에서는 데폭 소거 신호(WS)가 스캔 전극에 공급될 수 있고, 나머지 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드에서는 대폭 소거 신호가 서스테인 전극에 공급될 수 있다.
예컨대, 도 20의 경우와 같이 제 1 서브필드(SF1)에서는 스캔 전극에 대폭 소거 신호가 공급되었다면, 제 1 서브필드(SF1)와 연속되는 다음 서브필드인 제 2 서브필드(SF2)에서는 대폭 소거 신호가 서스테인 전극에 공급될 수 있는 것이다.
이와 같이, 소정의 서브필드에는 대폭 소거 신호를 스캔 전극에 공급하여 소거 방전을 발생시키고, 다른 소정의 서브필드에서는 대폭 소거 신호를 서스테인 전극에 공급하여 소거 방전을 발생시키게 되면, 소거 방전의 형태를 서브필드별로 다르게 하는 것이 가능할 수 있다. 이에 따라, 방전셀 내에서 벽전하를 보다 효과적으로 소거 하는 것이 가능하다.
다음, 도 21을 살펴보면 한 프레임에서는 (a)의 경우와 같이 대폭 소거 신호를 스캔 전극에 공급하고, 다른 프레임에서는 (b)의 경우와 같이 대폭 소거 신호를 서스테인 전극에 공급할 수 있다. 즉, 프레임별로 대폭 소거 신호를 공급하는 전극을 다르게 하는 것이 가능한 것이다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해 설명하기 위한 도면.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조에 대해 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에서 영상의 계조를 구현하기 위한 영상 프레임(Frame)에 대해 설명하기 위한 도면.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구동방법의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 8 내지 도 9는 대폭 소거 신호의 전압과 펄스폭에 대해 설명하기 위한 도면.
도 10 내지 도 11은 대폭 소거 신호의 공급 방법의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 12 내지 도 13은 제 1 신호에 대해 설명하기 위한 도면.
도 14 내지 도 15는 대폭 소거 신호가 서스테인 전극에 공급되는 것에 대해 설명하기 위한 도면.
도 16 내지 도 17은 제 2 신호에 대해 설명하기 위한 도면.
도 18 내지 도 19는 제 3 신호에 대해 보다 상세히 설명하기 위한 도면.
도 20 내지 도 21은 대폭 소거 신호를 공급하는 또 다른 방법의 일례에 대해 설명하기 위한 도면.

Claims (14)

  1. 서로 나란한 스캔 전극과 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널; 및
    프레임(Frame)의 적어도 하나의 서브필드(Sub-Field)의 리셋 기간과 어드레스 기간 사이에서 상기 스캔 전극 및 상기 서스테인 전극 중 적어도 하나에 대폭 소거 신호를 공급하는 구동부;
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 대폭 소거 신호의 펄스폭은 5㎲~500㎲인 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 대폭 소거 신호의 전압은 60V~300V인 플라즈마 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 대폭 소거 신호의 전압은 100V~220V인 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 리셋 기간에서는 상기 스캔 전극에 전압이 점진적으로 하강하는 하강램 프(Ramp-Down) 신호를 포함하는 리셋 신호가 공급되고,
    상기 어드레스 기간에서는 상기 스캔 전극에 스캔 기준 신호가 공급되고,
    상기 대폭 소거 신호는 상기 리셋 신호와 상기 스캔 기준 신호 사이에서 상기 스캔 전극에 공급되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 대폭 소거 신호의 공급 이후에 상기 스캔 전극에는 전압이 점진적으로 하강하는 하강 신호가 공급되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 대폭 소거 신호와 상기 리셋 신호의 사이에서 상기 서스테인 전극에 정극성의 제 1 신호가 공급되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 신호와 상기 대폭 소거 신호는 일부 중첩(Overlap)되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 신호의 전압은 상기 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 상기 스캔 전극 및 상기 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 서스테인 신호의 전압과 동일한 플라즈마 디스플레이 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 리셋 기간에서는 상기 스캔 전극에 전압이 점진적으로 하강하는 하강램프(Ramp-Down) 신호를 포함하는 리셋 신호가 공급되고,
    상기 어드레스 기간에서는 상기 스캔 전극에 스캔 신호가 공급되고,
    상기 대폭 소거 신호는 상기 리셋 신호와 상기 스캔 신호 사이에서 상기 서스테인 전극에 공급되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 대폭 소거 신호와 상기 리셋 신호와 사이에서 상기 스캔 전극에는 상기 대폭 소거 신호보다 펄스폭이 작은 제 2 신호가 공급되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 신호와 상기 대폭 소거 신호 사이에서 상기 서스테인 전극에는 상기 대폭 소거 신호보다 펄스폭이 작은 제 3 신호가 공급되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 신호와 상기 제 3 신호는 일부 중첩(Overlap)되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 대폭 신호의 전압은 상기 어드레스 기간에서 상기 서스테인 전극에 공급되는 정극성 전압과 동일한 플라즈마 디스플레이 장치.
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