KR20070013961A - 플라즈마 디스플레이 장치 및 그의 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 서스테인 기간에 인가되는 서스테인 파형과 리셋 기간 이전에 인가되는 파형을 개선하는 플라즈마 디스플레이 장치 및 그의 구동 방법에 관한 것으로, 스캔 전극 또는 서스테인 전극에 인가되는 파형에 발생하는 노이즈를 저감하여 콘트라스트 특성을 향상시키고 또한 어드레스 방전을 안정시켜 패널의 구동안정성 저하를 억제하고, 고온 오방전의 발생을 저감시키는 효과가 있다.
이러한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극과 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널과 상기 전극들을 구동시키기 위한 구동부 및 상기 구동부를 제어하여, 리셋 기간 이전에 상기 스캔 전극과 서스테인 전극에 서로 역극성인 전압이 인가되는 예비 리셋 기간이 포함되고, 상기 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 하나 이상의 전극으로 서스테인 펄스가 인가되는 서스테인 기간의 길이가 방전셀 내의 공간전하를 저감시키기 위해 조절되도록 하는 구동 펄스 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치 및 그의 구동 방법{Plasma Display Apparatus and Driving Method Thereof}
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 도시한 도.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널 상에 형성된 전극들의 배열구조를 설명하기 위한 도.
도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 장치의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도.
도 4는 종래 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법에 따른 구동파형을 나타낸 도.
도 5는 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 장치에서의 고온 오방전을 설명하기 위한 도.
도 6은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치를 설명하기 위한 도.
도 7은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동방법의 제 1 실시예에 따른 구동파형을 나타낸 도.
도 8은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 구동파형에서 프레임 내의 서브필드 중 예비 리셋 기간이 포함되는 서브필드의 일예를 나타낸 도.
도 9는 도 7의 구동파형에 의해 감소하는 공간전하를 설명하기 위한 도.
도 10은 종래의 리셋 전압과 본 발명의 리셋 전압의 크기를 비교한 도.
도 11은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법의 제 2 실시예에 따른 구동파형을 나타낸 도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
600 : 플라즈마 디스플레이 패널 601 : 구동 펄스 제어부
602 : 데이터 구동부 603 : 스캔 구동부
604 : 서스테인 구동부 605 : 구동 전압 발생부
본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치(Plasma Display Apparatus)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리셋 기간(Reset Period) 이전에 인가되는 파형과 서스테인 기간에 인가되는 파형을 개선하는 플라즈마 디스플레이 장치 및 그의 구동 방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 전면기판과 후면기판 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발 광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 기판(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널(100) 및 배면을 이루는 후면 기판(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 페날(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
전면 페널(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(105)이 형성된다.
후면 패널(110)은 복수개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면 패널(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이러한 구조의 플라즈마 디스플레이 패널은 매트릭스(Matrix) 구조로 전극들이 형성되는데, 이를 첨부된 도 2를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널 상에 형성된 전극들의 배열구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널(20) 상에서 스캔 전극(Y1~Yn)이 서스테인 전극(Z1~Zn)과 나란한 방향으로 형성되고, 이러한 스캔 전극(Y1~Yn)과 서스테인 전극(Z1~Zn)과 교차되게 어드레스 전극(X1~Xm)이 형성된다.
이러한 스캔 전극(Y1~Yn) 및 서스테인 전극(Z1~Zn)과 어드레스 전극(X1~Xm)이 교차하는 지점에 방전셀이 형성되는 것이다. 이에 따라, 방전셀은 플라즈마 디스플레이 패널 상에서 매트릭스 형태로 형성되게 된다.
이러한, 전극 배열 구조를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널에 소정의 펄스를 공급하기 위한 구동회로들이 부착되어 플라즈마 디스플레이 장치가 구성된다.
이러한 플라즈마 디스플레이 장치에서 화상 계조를 구현하는 방법은 다음 도 3과 같다.
도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 장치의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 종래 플라즈마 디스플레이 장치의 화상 계조(Gray Level) 표현 방법은 한 프레임을 발광횟수가 다른 여러 서브필드로 나누고, 각 서 브필드는 다시 모든 셀들을 초기화시키기 위한 리셋 기간(RPD), 방전될 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간(APD) 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간(SPD)으로 나뉘어진다. 예를 들어, 256 계조로 화상을 표시하고자 하는 경우에 1/60 초에 해당하는 프레임기간(16.67ms)은 도 3과 같이 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지고, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어지게 된다.
각 서브필드의 리셋 기간 및 어드레스 기간은 각 서브필드마다 동일하다. 방전될 셀을 선택하기 위한 어드레스방전은 어드레스 전극과 스캔 전극인 투명전극 사이의 전압차에 의해 일어난다. 서스테인 기간은 각 서브필드에서 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가된다. 이와 같이 각 서브필드에서 서스테인 기간이 달라지게 되므로 각 서브필드의 서스테인 기간 즉, 서스테인 방전 횟수를 조절하여 화상의 계조를 표현하게 된다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형을 살펴보면 다음 도 4와 같다.
도 4는 종래 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법에 따른 구동파형을 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 장치는 모든 셀들을 초기화시키기 위한 리셋 기간, 방전할 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간, 선택된 셀의 방전을 유지시키기 위한 서스테인 기간 및 방전된 셀 내의 벽전하를 소거하기 위한 소거 기간으로 나뉘어 구동된다.
리셋 기간에 있어서, 셋업 기간에는 모든 스캔 전극들에 상승 램프파형(Ramp-up)이 동시에 인가된다. 이 상승 램프파형에 의해 전화면의 방전셀들 내에는 약한 암방전(Dark Discharge)이 일어난다. 이 셋업 방전에 의해 어드레스 전극과 서스테인 전극 상에는 정극성 벽전하가 쌓이게 되며, 스캔 전극 상에는 부극성의 벽전하가 쌓이게 된다.
셋다운 기간에는 상승 램프파형이 공급된 후, 상승 램프파형의 피크전압보다 낮은 정극성 전압에서 떨어지기 시작하여 그라운드(GND)레벨 전압 이하의 특정 전압레벨까지 떨어지는 하강 램프파형(Ramp-down)이 셀들 내에 미약한 소거방전을 일으킴으로써 스캔 전극에 과도하게 형성된 벽 전하를 충분히 소거시키게 된다. 이 셋다운 방전에 의해 어드레스 방전이 안정되게 일어날 수 있을 정도의 벽전하가 셀들 내에 균일하게 잔류된다.
어드레스 기간에는 부극성 스캔 펄스가 스캔 전극들에 순차적으로 인가됨과 동시에 스캔 펄스에 동기되어 어드레스 전극에 정극성의 데이터 펄스가 인가된다. 이 스캔 펄스와 데이터 펄스의 전압 차와 리셋 기간에 생성된 벽 전압이 더해지면서 데이터 펄스가 인가되는 방전셀 내에는 어드레스 방전이 발생된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀들 내에는 서스테인 전압(Vs)이 인가될 때 방전이 일어날 수 있게 하는 정도의 벽전하가 형성된다. 서스테인 전극에는 셋다운 기간과 어드레스 기간 동안에 스캔 전극과의 전압차를 줄여 스캔 전극과의 오방전이 일어나지 않도록 정극성 전압(Vz)이 공급된다.
서스테인 기간에는 스캔 전극과 서스테인 전극들에 교번적으로 서스테인 펄 스(Sus)가 인가된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀은 셀 내의 벽 전압과 서스테인 펄스가 더해지면서 매 서스테인 펄스가 인가될 때 마다 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에 서스테인 방전 즉, 표시방전이 일어나게 된다.
서스테인 방전이 완료된 후, 소거 기간에서는 펄스폭과 전압레벨이 작은 소거 램프파형(Ramp-ers)의 전압이 서스테인 전극에 공급되어 전화면의 셀들 내에 잔류하는 벽 전하를 소거시키게 된다.
한편, 이와 같은 구동 파형으로 구동되는 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서 전술한 리셋 기간에 셋업 기간에 인가되는 상승 램프파형(Ramp-up)은 전화면의 모든 방전 셀에 인가된다. 또한, 전술한 리셋 기간에 셋업 기간에 인가되는 상승 램프파형(Ramp-up)은 모든 방전셀의 상태를 균일하게 하기 위해 즉, 모든 방전셀을 효과적으로 초기화시키기 위해 상대적으로 고전압의 파형을 인가하게 된다.
이렇게 리셋 기간에 셋업 기간에 고전압의 상승 램프파형(Ramp-up)이 모든 방전 셀에 인가됨으로 인해서 모든 방전 셀에는 방전이 일어난다. 그에 따라 표시방전이 일어나지 않아야 하는 리셋 기간에서 발광 현상이 일어나게 된다. 이러한 발광 현상은 표시 방전에 의한 목적하는 계조 표현에 악영향을 미칠 뿐 아니라 콘트라스트 특성을 악화시키는 문제점이 있다.
또한, 이러한 구동파형으로 구동되는 종래 플라즈마 디스플레이 패널은 일반적으로 패널 주변의 온도가 고온일 때 오방전이 발생하게 된다. 여기서 패널 주변의 온도가 고온일 경우에 발생하는 오방전을 고온 오방전이라 한다. 이러한 고온 오방전을 살펴보면 다음 도 5와 같다.
도 5는 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 장치에서의 고온 오방전을 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 살펴보면, 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 장치에서는 패널 주변의 온도가 상대적으로 높은 고온인 경우에 방전셀 내의 공간전하(501)와 벽전하(500)의 재결합 비율이 증가하기 때문에 방전에 참여하는 벽전하의 절대양이 감소함으로써 오방전이 발생한다. 여기서, 전술한 공간전하(501) 방전셀 내의 공간에 존재하는 전하로서 전술한 벽전하(500)와는 달리 방전에 참여하지 않는다.
예를 들면, 어드레스 기간에서 공간전하(501)와 벽전하(500)의 재결합 비율이 증가하여 어드레스 방전에 참여하는 벽전하(500)의 양이 감소하여 어드레스 방전을 불안정하게 한다. 이러한 경우에는 어드레싱의 순서가 뒤쪽일수록 공간전하(501)와 벽전하(500)가 재결합할 수 있는 시간이 충분하게 확보가 되기 때문에 어드레스 방전이 더욱 불안정하게 된다. 이에 따라, 어드레스 기간에서 온(On)된 방전셀이 서스테인 기간에서 오프(Off)되는 등의 고온 오방전이 발생한다.
또한, 패널 주변의 온도가 상대적으로 높을 경우에 서스테인 기간에 서스테인 방전이 발생하면 방전 시 공간전하(501)의 속도가 빨라지게 되고, 이에 따라 공간전하(501)와 벽전하(500)의 재결합 비율이 증가한다. 이에 따라, 어느 하나의 서스테인 방전 이후에 공간전하(501)와 벽전하(500)의 재결합에 의해 서스테인 방전에 참여하는 벽전하(500)의 양이 감소하여 다음 서스테인 방전이 발생하지 않는 등의 고온 오방전이 발생하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 리셋 기간 이전에 인가되는 파형을 개선하고, 서스테인 기간에 인가되는 파형을 개선하여 노이즈의 발생을 저감시키고, 고온 오방전 및 저온 오방전의 발생을 저감시키는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극과 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널과, 상기 전극들을 구동시키기 위한 구동부 및 상기 구동부를 제어하여, 리셋 기간 이전에 상기 스캔 전극과 서스테인 전극에 서로 역극성인 전압이 인가되는 예비 리셋 기간이 포함되고, 상기 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 하나 이상의 전극으로 서스테인 펄스가 인가되는 서스테인 기간의 길이가 방전셀 내의 공간전하를 저감시키기 위해 조절되도록 하는 구동 펄스 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구동 펄스 제어부는 상기 예비 리셋 기간이 상기 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 어느 하나의 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함되도록 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구동 펄스 제어부는 상기 예비 리셋 기간이 상기 프레임의 복수의 서브필드 중 어느 하나의 서브필드의 서스테인 기간과 그 다음 서브필드의 리셋 기간 사이에 포함되도록 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구동 펄스 제어부는 상기 예비 리셋 기간이 상기 프레임의 복수 의 서브필드 중 가장 앞선 하나의 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함되도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구동 펄스 제어부는 상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 적어도 어느 하나에 전압의 크기가 점진적으로 변하는 램프(Ramp)파형이 인가되도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구동 펄스 제어부는 상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극에 부극성 전압을 인가하고, 상기 서스테인 전극에는 정극성 전압이 인가되도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구동 펄스 제어부는 상기 스캔 전극에 하강 램프(Ramp)의 부극성 전압이 인가되고, 상기 서스테인 전극에는 일정하게 유지되는 정극성 전압이 인가되도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구동 펄스 제어부는 상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압이 그라운드 레벨(GND)부터 소정 전압까지 하강하도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구동 펄스 제어부는 상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압의 크기는 상기 어드레스 기간에 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 크기와 동일하도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구동 펄스 제어부는 상기 서스테인 전극으로 인가되는 정극성 전압이 서스테인 전압(Vs)이도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구동 펄스 제어부는 상기 서스테인 기간의 길이가 조절되는 서브 필드가 상기 복수의 서브필드의 모든 서브필드이도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구동 펄스 제어부는 상기 서스테인 기간의 길이의 조절은, 상기 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 펄스가 인가되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간을 조절하는 것이도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 기간에서 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간은 100㎲이상 1㎳이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 기간에서 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간은
상기 서스테인 기간에서 인가되는 마지막 서스테인 펄스가 그라운드 레벨(GND)을 유지하는 기간인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 기간에서 공급되는 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급기간은 1㎲이상 1㎳이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 기간에서 공급되는 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급기간은 상기 서스테인 기간에서 인가되는 마지막 서스테인 펄스가 서스테인 전압(Vs)을 유지하는 기간인 것을 특징으로 한다.
또한, 상술한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법은 프레임의 서브필드의 리셋 기간 이전에는 스캔 전극과 서스테인 전극에 서로 역극성인 전압을 인가하는 예비 리셋 기간이 포함되고, 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 서스테인 펄스가 인가되는 서스테인 기간의 길이는 방전셀 내의 공간전하를 저감시키기 위해 조절되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 예비 리셋 기간은 상기 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 어느 하나의 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 예비 리셋 기간은 상기 복수의 서브필드 중 어느 하나의 서브필드의 서스테인 기간과 그 다음 서브필드의 리셋 기간의 사이에 포함되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 예비 리셋 기간은 상기 프레임의 복수의 서브필드 중 가장 앞선 하나의 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 적어도 어느 하나에 전압의 크기가 점진적으로 변하는 램프(Ramp)파형이 인가되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극에 부극성 전압이 인가되고, 상기 서스테인 전극에는 정극성 전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스캔 전극에 하강 램프(Ramp)의 부극성 전압이 인가되고, 상기 서스테인 전극에는 일정하게 유지되는 정극성 전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압은 그라운드 레벨(GND)부터 소정 전압까지 하강하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압의 크기는 상기 어드레스 기간에 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 크기와 동일한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 전극으로 인가되는 정극성 전압은 서스테인 전압(Vs)인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 기간의 길이가 조절되는 서브필드는 상기 복수의 서브필드의 모든 서브필드인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 기간의 길이의 조절은, 상기 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 펄스가 인가되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간을 조절하는 것임을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 기간에서 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간은 100㎲이상 1㎳이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 기간에서 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간은 상기 서스테인 기간에서 인가되는 마지막 서스테인 펄스가 그라운드 레벨(GND)을 유지하는 기간인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 기간에서 공급되는 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급기간은 1㎲이상 1㎳이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 기간에서 상기 마지막 서스테인 방전을 일으키기 위한 서스테인 펄스의 공급기간은 상기 서스테인 기간에서 인가되는 마지막 서스테인 펄스가 서스테인 전압(Vs)을 유지하는 기간인 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치 및 그의 구동방법을 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)을 포함하는 유지 전극이 형성되고, 이러한 유지 전극과 교차하는 방향으로 형성된 어드레스 전극(X)을 포함하며, 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극(X), 스캔 전극(Y) 및 서스테인 전극(Z)에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널(600)과, 플라즈마 디스플레이 패널(600)에 형성된 어드레스 전극(X)에 데이터를 공급하기 위한 데이터 구동부(602)와, 스캔 전극(Y)을 구동하기 위한 스캔 구동부(603)와, 공통 전극인 서스테인 전극(Z)을 구동하기 위한 서스테인 구동부(604)와, 플라즈마 디스플레이 패널(600) 구동 시 스캔 구동부(603) 및 서스테인 구동부(604)를 제어하기 위한 구동 펄스 제어부(601)와, 각각의 구동부(603, 604)에 필요한 구동전압을 공급하기 위한 구동전압 발생부(605)를 포함한다.
여기서, 전술한 플라즈마 디스플레이 패널(600)은 전면 패널(미도시)과 후면 패널(미도시)이 일정한 간격을 두고 합착되고, 다수의 전극들 예를 들어, 스캔 전극(Y) 및 서스테인 전극(Z)을 포함하는 유지 전극이 복수개 형성되고, 또한 스캔 전극(Y) 및 서스테인 전극(Z)을 포함하는 유지 전극과 교차되게 어드레스 전극(X)이 형성된다.
데이터 구동부(602)에는 도시하지 않은 역감마 보정회로, 오차확산회로 등에 의해 역감마보정 및 오차확산 된 후, 서브필드 맵핑회로에 의해 각 서브필드에 맵핑된 데이터가 공급된다. 이러한 데이터 구동부(602)는 입력되는 데이터를 샘플링하고 래치(Latch)한 다음, 그 데이터를 어드레스 전극(X)에 공급하게 된다.
스캔 구동부(603)는 리셋 기간 동안 상승 램프파형(Ramp-up)과 하강 램프파형(Ramp-down)을 스캔 전극(Y)에 공급한다. 또한, 스캔 구동부(603)는 어드레스 기간 동안 부극성 스캔 전압(-Vy)의 스캔 펄스(Scan)를 스캔 전극(Y)에 순차적으로 공급하고, 서스테인 기간 동안에는 서스테인 펄스(SUS)를 스캔 전극(Y)에 공급한다.
서스테인 구동부(604)는 하강 램프파형(Ramp-down)이 발생되는 기간과 어드레스 기간 동안과 어드레스 기간 동안 정극성의 서스테인 바이어스 전압(Vz)을 서스테인 전극(Z)에 공급하고 서스테인 기간 동안 스캔 구동부(603)와 교대로 동작하여 서스테인 펄스(SUS)를 서스테인 전극(Z)에 공급하게 된다.
구동 펄스 제어부(601)는 스캔 구동부(603) 또는 서스테인 구동부(604)의 동작 타이밍과 동기화를 제어하기 위한 타이밍 제어신호를 발생하고 그 타이밍 제어신호를 스캔 구동부(603) 또는 서스테인 구동부(604)에 공급함으로써 스캔 구동부(603) 또는 서스테인 구동부(604)를 제어한다. 특히, 이러한 구동 펄스 제어부(601)는 전술한 스캔 구동부(603) 또는 서스테인 구동부(604)를 제어하여, 리셋 기간 이전에 상기 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)에 서로 역극성인 전압이 인가되는 예비 리셋 기간이 포함되고, 상기 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 서스테인 펄스가 인가되는 서스테인 기간의 길이가 방전셀 내의 공간전하를 저감시키기 위해 조절되도록 한다.
구동전압 발생부(605)는 셋업 전압(Vsetup), 스캔 기준 전압(Vsc), 부극성 스캔 전압(-Vy), 서스테인 전압(Vs), 데이터 전압(Vd) 등을 발생한다. 이러한 구동전압들은 방전가스의 조성이나 방전셀 구조에 따라 변할 수 있다.
이러한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 기능은 이후의 구동 방법의 설명에서 보다 명확히 될 것이다.
도 7은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동방법의 제 1 실시예에 따른 구동파형을 나타낸 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 구동파형은 프레임의 서브필드 중 하나 이상의 서브필드의 리셋 기간 이전에는 상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극에 서로 역극성인 전압을 인가하여 방전 셀 내에 벽전하(Wall Charge)를 쌓기 위해 리셋 기간 이전에 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)에 서로 역극성인 전압이 인가되는 예비 리셋 기간이 포함된다. 또한 여기서, 상기 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 하나 이상으로 서스테인 펄스가 인가되는 서스테인 기간의 길이는 방전셀 내의 공간전하를 저감시키기 위해 조절된다.
여기서, 서스테인 기간의 조절에 대해 먼저 살펴보면 다음과 같다.
이러한, 서스테인 기간의 길이의 조절은, 서스테인 기간에서 마지막 서스테 인 펄스(SUSL)가 인가되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간을 조절하는 것인 것이 바람직하다. 예를 들면, 제 1 서브필드의 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z)으로 마지막 서스테인 펄스(SUSL)가 공급되는 시점이 t0이고, 이러한 제 1 서브필드 이후의 제 2 서브필드에서 리셋 기간이 t1의 시점에서 시작된다고 가정하면, 서스테인 기간의 길이의 조절의 t0-t1사이의 기간을 조절하는 것이다.
여기서, 서스테인 기간의 길이의 조절은 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 펄스가 공급되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간을 조절함으로써 달성된다. 즉, 마지막 서스테인 펄스가 공급되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간을 조절함으로써, 전체 서스테인 기간의 길이가 조절된다.
여기서, 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간은 100㎲이상 1㎳이하인 것이 바람직하다. 여기서 전술한 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급이 종료된다는 의미는 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 전압이 대략 최대 전압의 10%이하로 되었을 경우를 의미한다. 즉, 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 최대 전압이 200V라고 가정하면, 이러한 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 전압이 대략 20V이하가 되었을 경우를 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급이 종료되었다고 한다.
바람직하게는, 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 펄스의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간은 도 7과 같이 서스테인 기간에서 인가되는 서스테인 펄스 중 마지막 서스테인 펄스(SUSL)가 서스테인 전압(Vs)으로부터 그라운드 레벨(GND)로 떨어진 이후에 그라운드 레벨(GND)을 유지하는 기간(WS1)이다.
이와 같이, 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋기간 시점까지의 기간을 100㎲이상 1㎳이하의 범위로 조절하면, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온, 예컨대 40℃ 이상의 온도인 경우에 이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 의해 오방전이 발생하는데, 이러한 오방전을 발생시키는 주원인인 방전셀 내의 공간 전하를 감소시키게 된다.
이와 같이, 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간을 충분히 길게 설정하면 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급 이후에 공간전하가 저감될 만큼의 충분한 시간이 확보된다. 이에 따라, 방전셀 내에서의 공간전하가 감소하는 것이다.
앞서 설명한 바와 같이, 방전셀 내의 공간전하는 방전셀 내에서 소정의 전극 상에 위치하는 벽전하와 재결합함으로써, 방전에 참여하는 전하인 벽전하의 절대양을 감소시키는 것이다. 결국, 방전셀 내에서의 공간전하의 양을 감소시키면 패널 주변의 온도가 상대적으로 높은 고온인 경우에 발생하는 고온 오방전의 발생을 저 감시킬 수 있는 것이다.
여기서, 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급이 종료된 이후에서 다음 서브필드의 리셋 기간 시점까지의 기간을 100㎲이상으로 한 이유는, 즉 하한 임계치를 100㎲로 설정한 이유는 플라즈마 디스플레이 패널의 서스테인 방전 시 발생된 공간전하를 충분히 감소시킬 수 있도록 하기 위한 것이고, 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급이 종료된 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간 시점까지의 기간을 1㎳이하로 한 이유, 즉 상한 임계치를 1㎳로 설정한 이유는 플라즈마 디스플레이 패널의 서스테인 구동 시 서스테인 기간의 동작 마진을 확보하기 위해서이다.
이러한 본 발명에서 전술한 바와 같은 서스테인 기간의 길이가 조절되는 서브필드는 하나의 프레임 내에서 임의로 선택될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동방법에 따른 구동파형이 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 소정의 전압이 인가되는 복수의 서브필드의 조합에 의하여 화상을 표현하는 것임을 고려할 때 서스테인 기간의 길이가 조절되는 서브필드를 선택하는 경우에는 보다 효과적인 고온 오방전의 개선을 위해 하나의 프레임의 전 서브필드를 선택하는 것이 바람직하다. 즉, 하나의 프레임의 모든 서브필드의 서스테인 기간에서 서스테인 기간의 조절된다.
한편, 예비 리셋 기간이 서스테인 기간과 리셋 기간 사이에 포함되는 것에 대해 상세히 살펴보면 다음과 같다.
전술한 예비 리셋 기간은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 구동파형이 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 소정의 전압이 인가되는 복수의 서브필드의 조합에 의하여 화상을 표현하는 것임을 고려할 때 전술한 예비 리셋 기간은 복수의 서브필드의 모든 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함될 수도 있고, 또한 예비 리셋 기간은 복수의 서브필드 중 적어도 어느 하나의 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함될 수도 있다. 예컨대 이러한 예비 리셋 기간이 두 개의 서브필드의 사이에 포함되는 경우에는 이전 서브필드의 서스테인 기간과 그 다음 서브필드의 리셋 기간의 사이에 포함되는 것이 바람직하다.
그러나 하나의 프레임의 길이가 한정되어 있고, 리셋 기간, 어드레스 기간 또는 서스테인 기간의 구동 마진을 고려하면 프레임 중에서 하나의 서브필드에 전술한 예비 방전이 포함되도록 설정하는 것이 바람직한데, 이를 첨부된 도 8을 참조하여 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.
도 8은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 구동파형에서 프레임 내의 서브필드 중 예비 리셋 기간이 포함되는 서브필드의 일예를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)에 서로 역극성의 전압이 공급되는 예비 리셋 기간은 하나의 프레임의 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함되는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 도 8과 같이 하나의 프레임의 시작 단계에서 방전셀 내의 공간전하를 방전셀 내의 소정의 전극 상으로 끌어들임으로써 구동의 효율을 높인다는 관점에서 고려할 때 이러한 예비 리셋 기간은 하나의 프레임의 첫 번째 서브필드, 즉 계조 가중치가 가장 낮은 제 1 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함된다.
이러한 예비 리셋 기간에서는 방전셀 내의 스캔 전극 상에 정극성 전하를 쌓고, 서스테인 전극 상에 부극성 전하를 쌓는다. 이와 같은 예비 리셋 기간에서 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 어느 하나에 전압의 크기가 점진적으로 변하는 램프(Ramp)파형이 인가된다. 즉 스캔 전극에만 램프파형이 인가되거나, 또는 서스테인 전극에만 램프파형이 인가되거나, 또는 스캔 전극과 서스테인 전극 모두에 램프 파형이 인가될 수도 있는 것이다.
여기서, 전술한 바와 같이 예비 리셋 기간에서 방전셀 내의 스캔 전극 상에 정극성 전하를 쌓고, 서스테인 전극 상에 부극성 전하를 쌓기 위해 스캔 전극에는 부극성 전압이 인가되고, 서스테인 전극에는 정극성 전압이 인가되도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 설정된 소정의 기준 전압에 대하여 스캔 전극과 서스테인 전극에 서로 반대 전압이 인가되도록 하여 벽전하가 생성될 수 있도록 하는 것이다.
이러한 각 전극에 인가되는 전압을 램프 파형의 관점에서 보면, 스캔 전극에 전압이 점진적으로 하강하는 부극성 전압의 하강 램프 파형이 인가되거나, 또는 서스테인 전극에 전압이 점진적으로 상승하는 정극성 전압의 상승 램프가 인가되는 것이다.
이와 같이, 예비 리셋 기간에서 스캔 전극에 부극성 전압을 인가하고, 서스테인 전극에는 정극성 전압을 인가함으로써, 방전셀 내의 공간전하의 양을 줄이게 되는데, 이러한 방전셀 내에서의 공간전하의 감소를 도 9를 결부하여 설명하면 다음과 같다.
도 9는 도 7의 구동파형에 의해 감소하는 공간전하를 설명하기 위한 도면이다.
도 9를 살펴보면, 전술한 바와 같이 예비 리셋 기간에서 스캔 전극(Y)에 부극성 전압을 인가하고, 서스테인 전극(Z)에는 정극성 전압을 인가하면, 방전셀 내에서 방전에 참여하지 않는 공간전하(901)들이 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 상으로 끌리고, 이처럼 끌린 공간전하(901)는 전술한 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 상에서 벽전하(900)로 동작한다. 이에 따라, 공간전하(901)의 절대양이 감소하고 방전셀 내의 소정의 전극 상에 위치하는 벽전하(900)의 양이 증가한다. 결국, 패널 주변의 온도가 상대적으로 높아지더라도 방전셀 내의 벽전하(900)의 양을 충분히 제공한다. 결국, 패널 주변의 온도가 상대적으로 높은 고온인 경우에 방전셀 내에서 방전에 참여하지 않는 공간전하(901)와 벽전하(900)가 서로 재결합하여 방전에 참여하는 벽전하(900)의 절대양이 감소함으로써 발생하는 고온 오방전의 발생이 저감된다. 즉 고온 오방전이 개선된다.
한편, 전술한 바와 같이 예비 리셋 기간에서 스캔 전극(Y)에 인가되는 부극성 전압은 제어의 용이성을 고려할 때 하강 램프(Ramp)파형인 것이 바람직하다. 또한, 서스테인 전극(Z)에 인가되는 정극성 전압은 소정 전압치를 일정하게 유지하는 정극성 전압인 것이 바람직하다. 여기서 전술한 스캔 전극(Y)에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압의 하강하는 기울기는 조절가능하다. 예컨대, 보다 빠르고 강하게 공간전하를 끌어들이고자 하는 경우에는 기울기를 급하게, 즉 상승시간을 짧게 할 수 있다. 이와 같은 예비 리셋 기간에서 스캔 전극(Y)에 인가되는 부극성 전압과 서스테인 전극(Z)에 인가되는 정극성 전압의 파형은 전술한 바와 같은 파형으로 한정되는 것은 아니고 변경 가능한 것이다. 즉 전술한 바와 같이, 스캔 전극(Y)에 전압이 일정하게 유지되는 부극성 전압을 인가하고, 서스테인 전극(Z)에 상승 램프를 인가하는 등 다양하게 변경가능한 것이다.
여기서, 전술한 스캔 전극(Y)에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압 그라운드 레벨(GND)부터 소정 전압까지 하강하도록 설정된다. 이때 하강 램프의 부극성 전압의 크기는 어드레스 기간에 스캔 전극(Y)으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 크기와 동일하도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 하강 램프의 부극성 전압의 크기와 어드레스 기간에 스캔 전극(Y)으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 크기와 동일함으로써, 또 다른 구동 전압 공급부(미도시)의 추가 없이도 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 구동파형을 구현할 수 있게 된다. 다르게 표현하면 종래의 구동장치에서 어드레스 기간에서 스캔 펄스의 전압을 공급하기 위한 소정의 구동 전압 공급부(미도시)의 제어 타이밍만을 조절함으로써 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 구동파형을 구현할 수 있다.
한편, 전술한 서스테인 전극(Z)에 인가되는 정극성 전압은 서스테인 전압(Vs)인 것이 바람직하다.
이와 같이, 서스테인 기간과 리셋 기간의 사이에 벽전하를 쌓아올리기 위한 예비 리셋 기간을 두고, 이러한 예비 리셋 기간에서 스캔 전극(Y)에 부극성 전압을 인가하고, 서스테인 전극(Z)에 정극성 전압을 인가하여 방전셀 내의 스캔 전극(Y)상에 정극성 벽전하들을 쌓고, 서스테인 전극(Z)상에 부극성 벽전하들을 쌓아줌으로써, 이후의 리셋 기간의 셋업 기간에서 리셋 펄스의 상승 램프의 전압 크기를 줄일 수 있게 된다. 그 이유는 전술한 리셋 기간의 셋업 기간에서 상승 램프는 방전셀 내에서 벽전하를 쌓아주는 역할을 하게 되는데, 이러한 상승 램프가 인가되기 전에 예비 리셋 기간에서 이미 일정양의 벽전하를 쌓아둔 상태이기 때문에 상승 램프의 크기가 작아도 방전셀 내에서 셋업에 필요한 충분한 양의 벽전하를 쌓아줄 수 있기 때문이다. 이와 같이 리셋 기간의 리셋 펄스의 상승램프 파형의 크기를 종래와 비교하면 다음 도 10과 같다.
도 10은 종래의 리셋 전압과 본 발명의 리셋 전압의 크기를 비교한 도면이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 도 9의 (a)에서는 종래의 리셋펄스를 나타내었고, (b)에서는 본 발명의 리셋펄스를 나타내었다. 이를 살펴보면 종래의 구동파형에서의 리셋 펄스의 전압의 크기보다 본 발명의 구동파형에서의 리셋 펄스의 전압의 크기가 더 작다. 이는 본 발명의 구동파형에서는 리셋 기간 이전에 스캔 전극과 서스테인 전극에 서로 역극성인 전압이 인가되는 예비 리셋 기간이 더 포함됨으로 인해, 리셋 기간 직전에 스캔 전극(Y)상에 정극성의 벽전하들이 쌓이고, 서스테인 전극(Z)상에는 부극성의 벽전하들이 쌓이게 되어 리셋 기간에서 충분한 양의 벽전하들을 이용할 수 있기 때문이다.
이에 따라, 본 발명의 구동 파형에서는 리셋 펄스의 셋업 전압(Vsetup2)의 크기가 종래의 리셋 펄스의 셋업 전압(Vsetup1)보다 낮아도 충분한 리셋을 수행할 수 있다. 이때, 본 발명의 리셋 펄스의 전압치(Vsetup2)가 종래의 리셋 펄스의 셋업 전압(Vsetup1)보다 낮게 하여 리셋 펄스를 최소화시켜 콘트라스트 특성을 향상시킬 수 있다.
이상에서와 같이 본 발명은 리셋 기간에서의 상승 램프 파형을 줄일 수도 있으며, 온도에 따른 오방전 발생을 저감시킬 수 있다.
이상의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법의 제 1 실시예에서는 서스테인 기간의 길이를 조절하는 경우에 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간을 조절하는 방법으로 서스테인 기간의 길이를 조절하였지만, 서스테인 펄스의 공급기간을 조절함으로써 전체 서스테인 기간의 길이를 조절할 수도 있다. 이를 첨부된 도 11을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 11은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동방법의 제 2 실시예에 따른 구동파형을 나타낸 도면이다.
도 11을 살펴보면, 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 방전을 일으키기 위한 서스테인 펄스, 즉 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급기간을 조절함으로써 전체 서스테인 기간의 길이, 즉 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 펄스가 인가되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간의 길이를 조절한다.
여기서, 서스테인 기간에서 스캔 전극 또는 서스테인 전극에 서스테인 전압 (Vs)이 교번되어 인가되는 것을 고려할 때 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 방전을 일으키기 위한 서스테인 펄스의 공급기간은 서스테인 기간에서 인가되는 마지막 서스테인 펄스(SUSL)가 서스테인 전압(Vs)을 유지하는 기간인 것이 바람직하다. 이러한 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급기간은 1㎲이상 1㎳이하의 범위 내에서 조절되는 것이 바람직하다.
여기서, 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 방전을 일으키기 위한 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급기간을 1㎲이상으로 설정한 이유는, 즉 하한 임계치를 1㎲로 설정한 이유는 플라즈마 디스플레이 패널의 서스테인 방전 시 원하는 크기의 서스테인 방전을 일으키기 위함이고, 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 방전을 일으키기 위한 마지막 서스테인 펄스(SUSL)의 공급기간을 1㎳이하로 설정한 이유는, 즉 상한 임계치를 1㎳로 설정한 이유는 서스테인 방전 시 발생된 공간전하를 충분히 감소시키며 동시에 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동 시 서스테인 기간의 동작 마진을 확보하기 위해서이다.
이러한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법의 제 2 실시에는 제 1 실시예와 비교하여 마지막 서스테인 펄스의 공급 기간을 조절하는 것이 차이점이고, 예비 리셋 기간이 포함되는 등의 특징은 동일하므로 더 이상의 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체 적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 방전이 일어나는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간을 조절하고 서스테인 기간과 리셋 기간 사이에 방전셀 내에 벽전하를 쌓는 예비 리셋 기간을 더 포함시켜 구동을 안정시키고 온도에 따른 오방전의 발생을 억제하는 효과가 있다.

Claims (32)

  1. 스캔 전극과 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널;
    상기 전극들을 구동시키기 위한 구동부; 및
    상기 구동부를 제어하여, 리셋 기간 이전에 상기 스캔 전극과 서스테인 전극에 서로 역극성인 전압이 인가되는 예비 리셋 기간이 포함되고, 상기 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 하나 이상의 전극으로 서스테인 펄스가 인가되는 서스테인 기간의 길이가 방전셀 내의 공간전하를 저감시키기 위해 조절되도록 하는 구동 펄스 제어부;
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 펄스 제어부는
    상기 예비 리셋 기간이 상기 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 어느 하나의 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함되도록 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 구동 펄스 제어부는
    상기 예비 리셋 기간이 상기 프레임의 복수의 서브필드 중 어느 하나의 서브 필드의 서스테인 기간과 그 다음 서브필드의 리셋 기간 사이에 포함되도록 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 펄스 제어부는
    상기 예비 리셋 기간이 상기 프레임의 복수의 서브필드 중 가장 앞선 하나의 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 구동 펄스 제어부는
    상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 적어도 어느 하나에 전압의 크기가 점진적으로 변하는 램프(Ramp)파형이 인가되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 구동 펄스 제어부는
    상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극에 부극성 전압을 인가하고, 상기 서스테인 전극에는 정극성 전압이 인가되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 구동 펄스 제어부는
    상기 스캔 전극에 하강 램프(Ramp)의 부극성 전압이 인가되고, 상기 서스테인 전극에는 일정하게 유지되는 정극성 전압이 인가되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 구동 펄스 제어부는
    상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압이 그라운드 레벨(GND)부터 소정 전압까지 하강하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 구동 펄스 제어부는
    상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압의 크기는 상기 어드레스 기간에 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 크기와 동일하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 구동 펄스 제어부는
    상기 서스테인 전극으로 인가되는 정극성 전압이 서스테인 전압(Vs)이도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 펄스 제어부는
    상기 서스테인 기간의 길이가 조절되는 서브필드가 상기 복수의 서브필드의 모든 서브필드이도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  12. 제 1 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 구동 펄스 제어부는
    상기 서스테인 기간의 길이의 조절은, 상기 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 펄스가 인가되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간을 조절하는 것이도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간에서 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간은 100㎲이상 1㎳이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간에서 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간은
    상기 서스테인 기간에서 인가되는 마지막 서스테인 펄스가 그라운드 레벨(GND)을 유지하는 기간인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간에서 공급되는 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급기간은 1㎲이상 1㎳이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간에서 공급되는 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급기간은
    상기 서스테인 기간에서 인가되는 마지막 서스테인 펄스가 서스테인 전압(Vs)을 유지하는 기간인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  17. 스캔 전극과 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법에 있어서,
    프레임의 서브필드의 리셋 기간 이전에는 상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극에 서로 역극성인 전압을 인가하는 예비 리셋 기간이 포함되고, 상기 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 하나 이상으로 서스테인 펄스가 인가되는 서스테인 기간 의 길이는 방전셀 내의 공간전하를 저감시키기 위해 조절되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 예비 리셋 기간은 상기 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 어느 하나의 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 예비 리셋 기간은 상기 복수의 서브필드 중 어느 하나의 서브필드의 서스테인 기간과 그 다음 서브필드의 리셋 기간의 사이에 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 예비 리셋 기간은 상기 프레임의 복수의 서브필드 중 가장 앞선 하나의 서브필드의 리셋 기간 이전에 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  21. 제 17 항 내지 제 20 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 적어 도 어느 하나에 전압의 크기가 점진적으로 변하는 램프(Ramp)파형이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  22. 제 17 항 내지 제 20 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극에 부극성 전압이 인가되고, 상기 서스테인 전극에는 정극성 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 스캔 전극에 하강 램프(Ramp)의 부극성 전압이 인가되고, 상기 서스테인 전극에는 일정하게 유지되는 정극성 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압은 그라운드 레벨(GND)부터 소정 전압까지 하강하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압의 크기는 상기 어드레 스 기간에 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 크기와 동일한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  26. 제 22 항에 있어서,
    상기 서스테인 전극으로 인가되는 정극성 전압은 서스테인 전압(Vs)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  27. 제 17 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간의 길이가 조절되는 서브필드는 상기 복수의 서브필드의 모든 서브필드인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  28. 제 17 항 또는 제 27 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간의 길이의 조절은, 상기 서스테인 기간에서 마지막 서스테인 펄스가 인가되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간을 조절하는 것임을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간에서 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간은 100㎲이상 1㎳이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간에서 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급이 종료되는 시점에서 다음 서브필드의 리셋 기간까지의 기간은
    상기 서스테인 기간에서 인가되는 마지막 서스테인 펄스가 그라운드 레벨(GND)을 유지하는 기간인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  31. 제 28 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간에서 공급되는 상기 마지막 서스테인 펄스의 공급기간은 1㎲이상 1㎳이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간에서 상기 마지막 서스테인 방전을 일으키기 위한 서스테인 펄스의 공급기간은
    상기 서스테인 기간에서 인가되는 마지막 서스테인 펄스가 서스테인 전압(Vs)을 유지하는 기간인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
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