KR20100045438A - Ｎ,ｎ'-비스(1,1-디하이드로퍼플루오로-ｃ3-ｃ5-알킬)퍼릴렌-3,4:9,10-테트라카르복실산 디이미드의 용도 - Google Patents

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바스프 에스이
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Abstract

본 발명은 전하 수송 물질 또는 엑시톤 수송 물질로서 사용되는 N,N'-비스(1,1-디하이드로퍼플루오로-C3-C5-알킬)퍼릴렌-3,4:9,10-테트라카르복실산 디이미드의 용도에 관한 것이다.

Description

Ｎ,Ｎ'-비스(1,1-디하이드로퍼플루오로-Ｃ3-Ｃ5-알킬)퍼릴렌-3,4:9,10-테트라카르복실산 디이미드의 용도{USE OF N,N'-BIS(1,1-DIHYDROPERFLUORO-C3-C5-ALKYL)PERYLENE-3,4:9,10-TETRACARBOXYLIC DIIMIDES}
본 발명은 전하 수송 물질 또는 엑시톤(exciton) 수송 물질로서 사용되는 N,N'-비스(1,1-디하이드로퍼플루오로-C3-C5-알킬)퍼릴렌-3,4:9,10-테트라카르복실산 디이미드의 용도에 관한 것이다.
전통적인 무기 반도체뿐만 아니라, 장래에는 저분자량 물질 또는 중합체 물질에 기초한 유기 반도체가 여러 전자 산업 분야에서 점점 더 사용될 것으로 예상된다. 여러 경우에, 상기 유기 반도체는, 전통적인 무기 반도체에 비해, 더 우수한 기판 적합성 및 이에 기초한 반도체 부품의 더 우수한 가공성을 비롯한 이점을 갖는다. 상기 유기 반도체에서는 연성 기판 위에서 가공할 수 있고, 이의 경계 오비탈 에너지가 분자 모델링 방법에 의해 특정 이용 범위로 정확하게 조정될 수 있다. 상기 부품 비용이 상당히 낮아지면서 유기 전자소자의 연구 분야에 부흥기가 도래하였다. 유기 전자소자는 신규 물질 개발 및 유기 반도체 층에 기초한 전자 부품의 제조 방법과 주로 관련된다. 상기 유기 전자소자로는 특히 유기 전계 효과 트랜지스터(OFET; organic field-effect transistor) 및 유기 발광 다이오드(OLED; organic light-emitting diode), 및 광전지를 들 수 있다. 유기 전계 효과 트랜지스터, 예를 들면 저장 소자 및 집적 광전자 장치에서 사용되는 유기 전계 효과 트랜지스터로 인해 상기 유기 전자소자의 개발 가능성이 커졌다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 발광 물질이 전기 전류에 의해 여기될 때 이 발광 물질의 특성을 이용한다. 평판 영상 디스플레이 유닛을 제조하기 위해 음극선관 및 액정 디스플레이에 대한 대안으로서 OLED가 특히 중요하다. OLED를 포함하는 장치는 초소형 설계 및 본질적으로 낮은 전력 소모로 인해 이동 용도에, 예를 들면 휴대폰, 휴대용 컴퓨터 등에서의 이동 용도에 특히 적합하다. 또한, 광 유도 여기 상태(높은 엑시톤 확산 길이)에 대해 수송 폭이 최대이고 이동도가 높아서, 소위 엑시톤 태양 전지에서 활물질로서 사용하기에 유리하게 적합한 물질로 인해 상기 장치의 개발 가능성도 커졌다. 일반적으로, 상기 활물질에 기초한 태양 전지로 인해 매우 우수한 양자 수율을 달성할 수 있게 되었다.
따라서, 전하 수송 물질 또는 엑시톤 수송 물질로서 적합한 유기 화합물이 매우 요구된다.
피.알.엘. 말렌펀트(P.R.L. Malenfant) 등은 문헌[Applied Physics Letters Vol. 80, No. 14 (2002), p. 2517-2519]에서 N,N'-디옥틸-3,4:9,10-퍼릴렌테트라카르복스이미드에 기초한 유기 전계 효과 트랜지스터를 기재하였다.
케이. 데야마(K. Deyama) 등은 문헌[Dyes and Pigments, Vol. 30, No. 1, p. 73-78, 1996]에서 이미드 질소 원자가 n-헵타플루오로프로필을 비롯한 퍼플루오로알킬 라디칼을 보유하는 3,4:9,10-퍼릴렌테트라카르복스이미드를 기재하였다. 유기 전계 효과 트랜지스터(OFT)에서 및 유기 광전지(OPV)에서 반도체로서 사용되는 이의 용도는 기재되어 있지 않다.
민-민 쉬(Min-Min Shi) 등은 문헌[Acta Chimica Sinica, Vol. 64, 2006, No. 8, p. 721-726]에서 N,N'-비스퍼플루오로페닐-3,4:9,10-퍼릴렌테트라카르복스이미드 및 N,N'-비스(1,1-디하이드로퍼플루오로옥틸)-3,4:9,10-퍼릴렌테트라카르복스이미드의 전자 이동도를 기재하였다. 유기 전계 효과 트랜지스터로서 그리고 유기 광전지에서 사용되는 용도와 관련하여 상기 화합물의 전자 이동도는 여전히 개선될 필요가 있다. 엑시톤 태양 전지에서 사용가능한 용도도 기재되어 있지 않다.
제트. 바오(Z. Bao) 등은 문헌[Chem. Mater. 2007, 19, 816-824]에서 박막 트랜지스터(TFT)에서 n형 반도체로서의 퍼릴렌디이미드의 불화 유도체의 용도를 기재하였다. 이 경우에, 이미드 질소 원자가 불화 아릴 라디칼을 보유하는 퍼릴렌디이미드를 사용하였다.
본원의 우선일에 미공개된 제PCT/EP2006/070143호(= WO 제2007/074137호)에는 하기 일반식 A의 화합물 및 유기 전계 효과 트랜지스터에서 n형 반도체로서 사용되는 이의 용도가 기재되어 있다:
일반식 A
Figure pct00001
[상기 식 중,
R1, R2, R3 및 R4 라디칼 중 1개 이상은 Br, F 및 CN으로부터 선택된 치환기이고,
Y1은 O 또는 NRa이며, Ra는 수소 또는 유기 라디칼이고,
Y2는 O 또는 NRb이며, Rb는 수소 또는 유기 라디칼이고,
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 O 또는 NRc이며, Rc는 유기 라디칼이고,
Z3 및 Z4는 각각 독립적으로 O 또는 NRd이며, Rd는 유기 라디칼이고,
Y1이 NRa이고, Z1 및 Z2 라디칼 중 1개 이상이 NRc인 경우, Ra는 또한 1개의 Rc 라디칼과 함께 인접 결합(flanking bond) 사이에 2개 내지 5개의 원자를 갖는 연결 기일 수 있으며,
Y2가 NRb이고, Z3 및 Z4 라디칼 중 1개 이상이 NRd인 경우, Rb는 1개의 Rd 라디칼과 함께 또한 인접 결합 사이에 2개 내지 5개의 원자를 갖는 연결 기일 수 있다].
본원의 우선일에 미공개된 제PCT/EP2007/051532호(= WO 제2007/093643호)에는 유기 전자소자에서, 특히 유기 전계 효과 트랜지스터, 태양 전지 및 유기 발광 다이오드에 대한 유기 전자소자에서 반도체, 특히 n형 반도체로서 사용되는 일반식 B의 화합물의 용도가 기재되어 있다:
일반식 B
Figure pct00002
[상기 식 중,
n은 2, 3 또는 4이고,
Rn1, Rn2, Rn3 및 Rn4 라디칼 중 1개 이상은 불소이며,
임의로 추가의 Rn1, Rn2, Rn3 및 Rn4 라디칼 중 1개 이상은 Cl 및 Br로부터 독립적으로 선택된 치환기이고, 나머지 라디칼은 각각 수소이며,
Y1은 O 또는 NRa이고, Ra는 수소 또는 유기 라디칼이며,
Y2는 O 또는 NRb이고, Rb는 수소 또는 유기 라디칼이며,
Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 O이고,
Y1이 NRa인 경우, Z1 및 Z2 라디칼 중 1개는 또한 NRc일 수 있으며, Ra 및 Rc 라디칼은 함께 인접 결합 사이에 2개 내지 5개의 원자를 갖는 연결 기일 수 있고,
Y2가 NRb인 경우, Z3 및 Z4 라디칼 중 1개는 또한 NRd일 수 있으며, Rb 및 Rd 라디칼은 함께 인접 결합 사이에 2개 내지 5개의 원자를 갖는 연결 기일 수 있다].
마찬가지로, US 제7,026,643호에는 유기 박막 트랜지스터에 대한 반도체 물질로서의 N,N'-3,4:9,10-퍼릴렌테트라카르복스이미드의 용도가 기재되어 있고, 구체적으로 N,N'-디(n-1H,1H-퍼플루오로옥틸)퍼릴렌-3,4:9,10-테트라카르복스이미드가 사용된다.
본 발명에 이르러, 놀랍게도, N,N'-비스(1,1-디하이드로퍼플루오로-C3-C5-알킬)-퍼릴렌-3,4:9,10-테트라카르복실산 디이미드가 전하 수송 물질 또는 엑시톤 수송 물질로서 특히 유리하게 적합한 것으로 밝혀졌다. 상기 화합물은 전하 이동도가 굉장히 높은, 공기 중 안정한 n형 반도체로서 특히 주목할만하다.
따라서, 본 발명은 전하 수송 물질 또는 엑시톤 수송 물질로서 사용되는 하기 일반식 I의 화합물의 용도를 처음으로 제공한다:
일반식 I
Figure pct00003
[상기 식 중,
Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 퍼플루오로-C2-C4-알킬이다].
일반식 I의 화합물에서, Ra 및 Rb 라디칼은 동일한 또는 상이한 정의를 가질 수 있다. 바람직한 실시양태에서, Ra 및 Rb 라디칼은 동일한 정의를 갖는다.
Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 펜타플루오로-에틸(C2F5), n-헵타플루오로프로필(n-C3F7), 헵타플루오로이소프로필(CF(CF3)2), n-노나플루오로부틸(n-C4F9) 및 또한 C(CF3)3, CF2CF(CF3)2, CF(CF3)(C2F5)로부터 선택되는 것이 바람직하다.
Ra 및 Rb는 각각 n-헵타플루오로프로필(n-C3F7)인 것이 바람직하다.
일반식 I의 화합물은 유기 반도체로서 특히 유리하게 적합하다. 일반식 I의 화합물은 일반적으로 n형 반도체로서 작용한다. 본 발명에 따라 사용된 일반식 I의 화합물이 다른 반도체와 조합되어 에너지 준위가 n형 반도체로서 작용하는 다른 반도체를 생성하는 경우, 이례적인 경우로 일반식 I의 화합물은 p-반도체로서 작용할 수도 있다.
일반식 I의 화합물은 이의 공기 안정성이 뛰어나다. 또한, 일반식 I의 화합물은 공지된 유기 반도체 물질로부터 일반식 I의 화합물을 명확히 구별시키는 높은 전하 수송 이동도를 갖는다. 일반식 I의 화합물은 추가로 높은 점멸비(on/off ratio)를 갖는다.
일반식 I의 화합물은 유기 전계 효과 트랜지스터에 특히 유리하게 적합하다. 일반식 I의 화합물은 예를 들면 집적 회로(IC; integrated circuit)의 제조에서 사용될 수 있고, 이를 위해 통상의 n-채널 MOSFET(metal oxide semiconductor field-effect transistor; 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)가 현재까지 사용되어 왔다. 게다가, 일반식 I의 화합물은 예를 들면 마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러, 정적 RAM 및 기타 디지털 논리 회로에 대한 CMOS형 반도체 소자이다. 반도체 물질의 제조의 경우, 일반식 I의 화합물은 추가로 다음의 공정: 인쇄(오프셋, 플렉소, 그라비어, 스크린인쇄, 잉크젯, 전자사진), 증발, 레이저 전사, 포토리소그래피, 드롭 캐스팅 중 어느 하나의 공정으로 가공될 수 있다. 일반식 I의 화합물은 디스플레이(구체적으로 대면적 디스플레이 및/또는 플렉서블 디스플레이) 및 RFID 태그에서 사용하기에 특히 적합하다.
일반식 I의 화합물은 유기 전계 효과 트랜지스터, 유기 태양 전지 및 유기 발광 다이오드에서 전자 전도체로서 특히 유리하게 적합하다. 또한, 일반식 I의 화합물은 특히 엑시톤 태양 전지에서 엑시톤 수송 물질로서 유리한다.
또한, 일반식 I의 화합물은 형광 변환에 기초한 디스플레이에서 형광 염료로서 특히 유리하게 적합하다. 상기 디스플레이는 일반적으로 투명 기판, 이 기판 위에 존재하는 형광 염료 및 방사선원을 포함한다. 통상적인 방사선원은 청광(color by blue; 컬러-바이-블루) 또는 UV 광(color by uv; 컬러-바이-UV)을 발광한다. 상기 염료는 청광 또는 UV 광 중 어느 하나의 광을 흡수하여 녹색 이미터로서 사용된다. 상기 디스플레이에서, 예를 들면, 적광은 청광 또는 UV 광을 흡수하는 녹색 이미터에 의해 적색 이미터를 여기시켜 생성된다. 적합한 컬러-바이-블루 디스플레이는 예를 들면 WO 제98/28946호에 기재되어 있다. 적합한 컬러-바이-UV 디스플레이는 예를 들면 더블유.에이. 크로스랜드(W.A. Crossland), 아이.디. 스프리글(I.D. Sprigle) 및 에이.비. 다비(A.B. Davey)가 문헌[Photoluminescent LCDs (PL-LCD) using phosphors, Cambridge University and Screen Technology Ltd., Cambridge, UK]에서 기재하였다. 또한, 일반식 I의 화합물은, 전기영동 효과에 기초하여, 하전된 피그먼트 염료(pigment dye)를 통해 색상을 온(on) 및 오프(off) 전환시키는 디스플레이에서 특히 적합하다. 상기 전기영동 디스플레이는 예를 들면 US 제2004/0130776호에 기재되어 있다.
또한, 일반식 I의 화합물은 특히 레이저 용접 또는 열 관리에 적합하다.
본 발명은 1개 이상의 게이트 구조물, 소스 전극 및 드레인 전극, 및 반도체로서, 특히 n형 반도체로서 사용되는 상기 정의된 일반식 I의 화합물 1종 이상을 갖는 기판을 포함하는 유기 전계 효과 트랜지스터를 더 제공한다.
본 발명은 복수의 유기 전계 효과 트랜지스터를 포함하고, 이 유기 전계 효과 트랜지스터 중 적어도 몇몇의 트랜지스터가 상기 정의된 일반식 I의 화합물 1종 이상을 포함하는 기판을 더 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 기판의 1개 이상을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.
구체적인 실시양태는 유기 전계 효과 트랜지스터의 패턴(표면 형태)을 갖는 기판으로서, 각각의 트랜지스터가
- 기판 위에 배치된 유기 반도체,
- 전도성 채널의 전도도를 제어하는 게이트 구조물, 및
- 상기 전도성 채널의 양 단자에서 전도성 소스 전극 및 드레인 전극
을 포함하고, 상기 유기 반도체가 1종 이상의 일반식 I의 화합물로 구성되거나, 일반식 I의 화합물을 포함하는 기판이다. 또한, 상기 유기 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 유전체를 포함한다.
추가의 구체적인 실시양태는 유기 전계 효과 트랜지스터의 패턴을 갖는 기판으로서, 각각의 트랜지스터가 집적 회로를 형성하거나, 집적 회로의 일부이고, 이 트랜지스터 중 적어도 몇몇의 트랜지스터가 1종 이상의 일반식 I의 화합물을 포함하는 기판이다.
적합한 기판은 원칙적으로 이러한 목적에 공지된 물질이다. 적합한 기판으로는 예를 들면 금속(바람직하게는 주기율표의 8족, 9족, 10족 또는 11족의 금속, 예컨대 Au, Ag, Cu), 산화 물질(예컨대, 유리, 세라믹, SiO2, 특히 석영), 반도체(예컨대, 도핑된 Si, 도핑된 Ge), 금속 합금(예컨대, Au, Ag, Cu 등에 기초한 금속 합금), 반도체 합금, 중합체(예컨대, 폴리비닐 클로라이드, 폴리올레핀, 예를 들면 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 불소중합체, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리우레탄, 폴리알킬 (메트)아크릴레이트, 폴리스티렌 및 이들의 혼합물 및 복합물), 무기 고체(예컨대, 염화암모늄), 종이 및 이들의 조합을 들 수 있다. 상기 기판은 연성 또는 경성일 수 있고, 원하는 용도에 따라 곡면 또는 평면 기하구조를 갖는다.
반도체 소자에 통상적인 기판은 매트릭스(예컨대, 석영 또는 중합체 매트릭스) 및, 임의로 유전체 상부 층을 포함한다.
적합한 유전체로는 SiO2, 폴리스티렌, 폴리-α-메틸스티렌, 폴리올레핀(예컨대, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리이소부텐), 폴리비닐카르바졸, 불화 중합체(예컨대, Cytop), 시아노풀루란(예컨대, CYMM), 폴리비닐페놀, 폴리-p-크실렌, 폴리비닐 클로라이드, 또는 열로 또는 대기 수분에 의해 가교결합될 수 있는 중합체가 있다. 구체적인 유전체로는 "자기조립(self-assembled) 나노유전체", 즉 SiCl 작용기를 포함하는 단량체, 예를 들면 Cl3SiOSiCl3, Cl3Si-(CH2)6-SiCl3, Cl3Si-(CH2)12-SiCl3로부터 수득되고/되거나 대기 수분에 의해 또는 용매로 희석된 물의 첨가에 의해 가교결합되는 중합체가 있다(예를 들면, 문헌[Faccietti Adv. Mat. 2005, 17, 1705-1725] 참조). 또한, 물 대신에 하이드록실 함유 중합체, 예컨대 폴리비닐페놀 또는 폴리비닐 알콜 또는 비닐페놀 및 스티렌의 공중합체가 가교결합 성분으로서 작용할 수 있다. 또한, 1종 이상의 추가의 중합체, 예를 들면 폴리스티렌이 가교결합 조작 동안 존재하여, 가교결합될 수도 있다(Facietti, 미국 특허 출원 제2006/0202195호 참조).
기판은 추가로 기판 위에 보통 배치되는 전극(예를 들면, 유전체 위의 비전도층 위에 증착되거나, 비전도층 내에 내장되는 전극), 예컨대 OFET의 게이트 전극, 드레인 전극 및 소스 전극을 포함할 수 있다. 기판은 추가로 유전체 상부 층(즉, 게이트 유전체) 아래에 통상적으로 배치되는 OFET의 전도성 게이트 전극을 포함할 수 있다.
구체적인 실시양태에서, 절연층(게이트 절연층)은 기판 표면의 적어도 일부 위에 존재한다. 상기 절연층은 바람직하게는 무기 절연체, 예컨대 SiO2, 질화규소(Si3N4) 등, 강유전성 절연체, 예컨대 Al2O3, Ta2O5, La2O5, TiO2, Y2O3 등, 유기 절연체, 예컨대 폴리이미드, 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리비닐 알콜, 폴리아크릴레이트 등, 및 이들의 조합으로부터 선택된 1개 이상의 절연체를 포함한다.
소스 전극 및 드레인 전극에 적합한 물질은 원칙적으로 전기 전도성 물질이다. 상기 물질로는 금속, 바람직하게는 주기율표의 6족, 7족, 8족, 9족, 10족 또는 11족의 금속, 예컨대 Pd, Au, Ag, Cu, Al, Ni, Cr 등을 들 수 있다. 또한, 전도성 중합체, 예컨대 PEDOT(= 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)):PSS(= 폴리(스티렌설포네이트)), 폴리아닐린, 표면 개질 금 등이 적합하다. 바람직한 전기 전도성 물질은 비저항이 10 -3 Ω×m 미만, 바람직하게는 10 -4 Ω×m 미만, 특히 10 -6 또는 10 -7 Ω×m 미만이다.
구체적인 실시양태에서, 드레인 전극 및 소스 전극은 유기 반도체 물질 위에 적어도 부분적으로 존재한다. 기판은 반도체 물질 또는 IC에 통상 사용되는 추가의 부품, 예컨대 절연체, 저항기, 커패시터, 전도체 트랙 등을 포함할 수 있는 것으로 이해된다.
전극은 통상의 공정, 예컨대 증발, 리소그래피 공정 또는 기타 구조화 공정에 의해 도포될 수 있다.
또한, 반도체 물질은 인쇄에 의해 분산상 중의 적합한 보조제(중합체, 계면활성제)와 함께 가공될 수 있다.
제1 바람직한 실시양태에서, 1종 이상의 일반식 I의 화합물(및 적절한 경우 추가의 반도체 물질)의 증착은 기상 증착 공정(물리적 증기 증착, PVD)에 의해 수행된다. PVD 공정은 고진공 조건하에 수행되고 다음의 단계: 증발, 수송, 증착을 포함한다. 놀랍게도, 일반식 I의 화합물은 분해되고/되거나 원치않는 부산물을 형성하지 않기 때문에 PVD 공정에서 사용하기에 특히 유리하게 적합한 것으로 밝혀졌다. 증착된 물질은 고순도로 수득된다. 구체적인 실시양태에서, 상기 증착된 물질은 결정 형태로 수득되거나, 결정질 함량이 높다. 일반적으로, PVD의 경우, 1종 이상의 일반식 I의 화합물은 이의 증발 온도보다 높은 온도로 가열되고 결정화 온도보다 낮게 냉각되어 기판 위에 증착된다. 증착에서 기판의 온도는 약 20 내지 250℃, 더 바람직하게는 50 내지 200℃ 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 놀랍게도, 일반식 I의 화합물의 증착에서 기판 온도 상승은 달성된 반도체 소자의 특성에 유리한 효과를 미칠 수 있는 것으로 밝혀졌다.
수득된 반도체 층의 두께는 일반적으로 소스 전극과 드레인 전극 사이의 옴 접촉에 충분하다. 증착은 불활성 분위기하에, 예를 들면, 질소, 아르곤 또는 헬륨하에 수행될 수 있다. 증착은 통상적으로 대기압에서 또는 저압하에 수행된다. 적합한 압력 범위는 약 10-7 내지 1.5 bar이다.
일반식 I의 화합물은 10 내지 1,000 nm, 더 바람직하게는 15 내지 250 nm의 두께로 기판 위에 증착되는 것이 바람직하다. 구체적인 실시양태에서, 일반식 I의 화합물은 적어도 부분적으로 결정 형태로 증착된다. 이러한 목적을 위해, 특히 상기 기재된 PVD 공정이 적합하다. 또한, 미리 제조된 유기 반도체 결정을 사용할 수 있다. 랄.에이. 라우디스(R.A. Laudise) 등은 문헌["Physical Vapor Growth of Organic Semi-Conductors", Journal of Crystal Growth 187 (1998), pages 449-454] 및 문헌["Physical Vapor Growth of Centimeter-sized Crystals of α-Hexathiophene", Journal of Crystal Growth 1982 (1997), pages 416-427]에서 상기 결정을 수득하기에 적합한 공정은 기재하였고, 상기 문헌은 참조문헌으로 본원에 인용되어 있다.
바람직한 제2 실시양태에서, 1종 이상의 일반식 I의 화합물(및 적절한 경우 추가의 반도체 물질)의 증착은 스핀 코팅에 의해 수행된다. 따라서, 놀랍게도, 반도체 기판을 제조하기 위해 습식 공정 방법에서 본 발명에 따라 사용된 일반식 I의 화합물을 또한 사용할 수 있다. 따라서, 일반식 I의 화합물은 또한 인쇄 공정에 의해 반도체 소자, 특히 OFET 또는 OFET에 기초한 반도체 소자를 제조하는데 적합해야 한다. 이러한 목적을 위해, 통상의 인쇄 공정(잉크젯, 플렉소, 오프셋, 그라비어; 요판 인쇄, 나노임프린팅)를 사용할 수 있다. 인쇄 공정에서 일반식 I의 화합물을 사용하기 위해 바람직한 용매로는 방향족 용매, 예컨대 톨루엔, 크실렌 등이 있다. 또한, 점증 물질, 예컨대 중합체, 예를 들면 폴리스티렌 등을 상기 "반도체 잉크"에 첨가할 수 있다. 이 경우에, 사용된 유전체는 상술한 화합물이다.
바람직한 실시양태에서, 본 발명의 전계 효과 트랜지스터는 박막 트랜지스터(TFT)이다. 통상의 구성에서, 박막 트랜지스터는 기판 위에 배치된 게이트 전극, 이 게이트 전극 위에 및 기판 위에 배치된 게이트 절연층, 이 게이트 절연층 위에 배치된 반도체 층, 이 반도체 층 위에 배치된 저항 접촉 층, 및 이 저항 접촉 층 위에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는다.
바람직한 실시양태에서, 1종 이상의 일반식 I의 화합물(및 적절한 경우 1종 이상의 추가의 반도체 물질)의 증착 이전에 기판 표면은 개질 처리된다. 이렇게 개질시키면 반도체 물질이 결합되는 구역 및/또는 반도체 물질이 증착될 수 없는 구역이 형성된다. 기판 표면은 기판 표면에 그리고 일반식 I의 화합물에 결합하기에 적합한 1종 이상의 일반식 C1의 화합물로 개질시키는 것이 바람직하다. 적합한 실시양태에서, 1종 이상의 일반식 I의 화합물(및 적절한 경우 추가의 반전도성 화합물)의 증착을 개선하기 위해 기판 표면의 일부 또는 기판 표면의 전부는 1종 이상의 일반식 C1의 화합물로 코팅된다. 추가의 실시양태는 상응하는 제조 공정에 의해 기판 위에 일반식 C1의 화합물의 패턴을 증착하는 단계를 포함한다. 상기 단계는 이러한 목적에 공지된 마스크(mask) 공정 및 예를 들면 US 제11/353,934호에 기재된 소위 "패터닝(patterning)" 공정을 포함하고, 상기 공보는 참조문헌으로 본원에 인용되어 있다.
적합한 화학식 C1의 화합물은 기판 및 1종 이상의 일반식 I의 반도체 화합물 둘 다와 결합 상호작용할 수 있다. 용어 "결합 상호작용"은 화학 결합(공유 결합), 이온 결합, 배위 상호작용, 반 데르 발스 상호작용, 예를 들면 쌍극자-쌍극자 상호작용 등) 및 이들의 조합의 형성을 포함한다. 적합한 일반식 C1의 화합물로는 다음의 화합물이 있다:
- 실란, 포스폰산, 카르복실산, 하이드록삼산, 예컨대 알킬트리클로로실란, 예를 들면 n-옥타데실트리클로로실란; 트리알콕시실란 기를 갖는 화합물, 예를 들면 알킬트리알콕시실란, 예컨대 n-옥타데실트리메톡시실란, n-옥타데실트리에톡시실란, n-옥타데실트리(n-프로필)옥시실란, n-옥타데실트리(이소프로필)옥시실란; 트리알콕시아미노알킬실란, 예컨대 트리에톡시아미노프로필실란 및 N[(3-트리에톡시실릴)프로필]에틸렌디아민; 트리알콕시알킬 3-글리시딜 에테르 실란, 예컨대 트리에톡시프로필 3-글리시딜 에테르 실란; 트리알콕시알릴실란, 예컨대 알릴트리메톡시실란; 트리알콕시(이소시아네이토알킬)실란; 트리알콕시실릴(메트)아크릴로일옥시알칸 및 트리알콕시실릴(메트)아크릴아미도알칸, 예컨대 1-트리에톡시실릴-3-아크릴-오일-옥시프로판.
- 아민, 포스핀 및 황 함유 화합물, 특히 티올.
일반식 C1의 화합물은 알킬트리알콕시실란, 특히 n-옥타데실트리메톡시실란, n-옥타데실트리에톡시실란; 헥사알킬디실라잔, 특히 헥사메틸디실라잔(HMDS); C8-C30-알킬티올, 특히 헥사데칸티올; 머캅토카르복실산 및 머캅토설폰산, 특히 머캅토아세트산, 3-머캅토프로피온산, 머캅토숙신산, 3-머캅토-1-프로판설폰산 및 이들의 알칼리 금속염 및 암모늄으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 반도체를 포함하는 다양한 반도체 구성, 예를 들면 상부 접촉, 상부 게이트, 바닥 접촉, 바닥 게이트, 또는 그외 수직 구성, 예를 들면 US 제2004/0046182호에 기재된 VOFET(수직 유기 전계 효과 트랜지스터; vertical organic field-effect transistor) 등이 고안될 수 있다.
반도체는 층 두께가 예를 들면 10 nm 내지 5 ㎛이고, 유전체는 층 두께가 50 nm 내지 10 ㎛이다. 전극은 예를 들면 20 nm 내지 1 ㎛일 수 있다. 또한, OFET는 조합되어 다른 부품, 예컨대 링 오실레이터 또는 인버터를 형성할 수 있다.
본 발명의 추가의 양태는 n형 반도체 및/또는 p-반도체일 수 있는 복수의 반도체 부품을 포함하는 전자 부품을 제공하는 것이다. 상기 부품의 예로는 전계 효과 트랜지스터(FET; field-effect transistor), 양극 접합 트랜지스터(BJT; bipolar junction transistor), 터널 다이오드, 컨버터, 발광 부품, 생물학적 및 화학적 검출기 또는 센서, 온도 의존성 검출기, 광검출기, 예컨대 편광 민감성 광검출기, 게이트, AND, NAND, NOT, OR, TOR 및 NOR 게이트, 레지스터, 스위치, 타이머 유닛, 정적 또는 동적 저장부품 및 프로그램 가능한 스위치를 비롯한 기타 동적 또는 순차, 논리 또는 기타 디지털 부품이 있다.
구체적인 반도체 소자로는 인버터가 있다. 디지털 논리에서, 인버터는 입력 신호를 반전시키는 게이트이다. 인버터는 NOT 게이트라고도 불린다. 실시간 인버터 스위치는 입력 전류의 반대를 구성하는 출력 전류를 갖는다. 예를 들면, TTL 스위치에 통상적인 값은 (0, +5V)이다. 디지털 인버터를 작동시키면, 전압 전달 곡선(VTC; voltage transfer curve), 즉 출력 전류에 대한 입력 전류의 곡선이 재작도된다. 이상적으로, 상기 전압 전달 곡선은 계단식 곡선이고, 실제 측정 곡선이 이 계단에 더 가깝게 근접할수록, 인버터가 더 우수하다. 본 발명의 구체적인 실시양태에서, 일반식 I의 화합물은 인버터에서 유기 n형 반도체로서 사용된다.
또한, 일반식 I의 화합물은 유기 광전지(OPV)에서 사용하기에 특히 유리하게 적합하다. 원칙적으로, 일반식 I의 화합물은 염료 감응형 태양 전지에서 사용하기에 적합하다. 그러나, 여기 상태의 확산(엑시톤 확산)을 특징으로 하는 태양 전지에서 일반식 I의 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우에, 사용된 반도체 물질 중 1종 또는 2종 둘 다 여기 상태의 확산(엑시톤 이동도)이 뛰어나다. 또한, 중합체 쇄를 따라 여기 상태를 전도시키는 중합체에 의한 여기 상태의 확산을 특징으로 하는 1종 이상의 반도체 물질의 조합이 적합하다. 본 발명과의 관계에서, 상기 태양 전지는 엑시톤 태양 전지라 불린다. 태양 전지에서 태양 에너지의 전기 에너지로의 직접 천이는 반도체 물질의 내부 광 효과, 즉 p-n형 천이 또는 쇼트키(Schottky) 접촉에서 광자의 및 양 전하 및 음 전하 캐리어의 분리의 흡수에 의한 전자-정공 쌍의 생성에 기초한다. 예를 들면, 광자가 반도체에 침투하여 전자를 여기시킴으로써 전자가 가전자대로부터 전도대로 천이될 때에 엑시톤이 형성될 수 있다. 그러나, 전류를 생성시키기 위해서는, 흡수된 광자에 의해 생성된 여기 상태는 정공 및 전자를 생성시켜 애노드 및 캐소드로 유동하기 위해 p-n형 천이에 도달해야 한다. 이렇게 생성된 광전압은 태양 전지가 이의 전력을 전달하는 내부 회로에서 광전류를 발생시킬 수 있다. 반도체는 이의 띠 간격보다 에너지가 더 큰 광자만을 흡수할 수 있다. 따라서, 반도체 띠 간격의 크기는 전기 에너지로 전환될 수 있는 태양광의 비율을 결정짓는다. 태양 전지는 보통 태양 에너지를 매우 효과적으로 이용하기 위해 띠 간격이 상이한 2종의 흡수 물질로 구성된다. 대부분의 유기 반도체는 엑시톤 확산 길이가 10 nm 이하이다. 여기 상태가 매우 넓은 거리에 걸쳐 전해질 수 있는 유기 반도체가 본원에서 여전히 요구된다. 본 발명에 이르러, 놀랍게도, 상기 기재된 일반식 I의 화합물은 엑시톤 태양 전지에서 사용하기에 특히 유리하게 적합한 것으로 밝혀졌다.
적합한 유기 태양 전지는 일반적으로 층 구조를 갖고 일반적으로 다음의 층: 애노드, 광활성 층 및 캐소드 중 1개 이상을 포함한다. 따라서, 상기 층은 일반적으로 이에 통상적인 기판으로 구성된다. 유기 태양 전지의 구조는 예를 들면 US 제2005/0098726 A1호 및 US 제2005/0224905 A1호에 기재되어 있고, 상기 공보는 참조문헌으로 본원에 전부 인용되어 있다.
적합한 기판으로는 예를 들면 산화 물질(예컨대, 유리, 세라믹, SiO2, 특히 석영 등), 중합체(예컨대, 폴리비닐 클로라이드, 폴리올레핀, 예컨대 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 불소중합체, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리알킬 (메트)아크릴레이트, 폴리스티렌 및 이들의 혼합물 및 복합물) 및 이들의 조합이 있다.
적합한 전극(캐소드, 애노드)은 원칙적으로 금속(바람직하게는 주기율표의 2족, 8족, 9족, 10족, 11족 또는 13족의 금속, 예컨대 Pt, Au, Ag, Cu, Al, In, Mg, Ca), 반도체(예컨대, 도핑된 Si, 도핑된 Ge, 인듐 주석 산화물(ITO), 갈륨 인듐 주석 산화물(GITO), 아연 인듐 주석 산화물(ZITO) 등), 금속 합금(예컨대, Pt, Au, Ag, Cu 등에 기초한 금속 합금, 특히 Mg/Ag 합금), 반도체 합금 등이다. 사용된 애노드는 입사광에 실질적으로 투명한 물질인 것이 바람직하다. 상기 물질로는 예를 들면 ITO, 도핑된 ITO, ZnO, TiO2, Ag, Au, Pt를 들 수 있다. 사용된 캐소드는 입사광을 실질적으로 반사하는 물질인 것이 바람직하다. 상기 물질로는 예를 들면 금속 필름, 예를 들면 Al, Ag, Au, In, Mg, Mg/Al, Ca 등의 금속 필름을 들 수 있다.
일부의 경우에, 광활성 층은 유기 반도체 물질로서 상기 정의된 일반식 I의 화합물로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 1개 이상의 층으로 구성되거나, 이 1개 이상의 층을 포함한다. 일 실시양태에서, 광활성 층은 1종 이상의 유기 억셉터 물질을 포함한다. 광활성 층 이외에, 1개 이상의 추가의 층, 예를 들면 전자 전도성을 갖는 층(ETL, 전자 수송 층) 및 흡수할 필요가 없는 정공 전도 물질을 포함하는 층(정공 수송 층, HTL), 흡수해서는 안 되는 엑시톤 및 정공 차단 층(예컨대, EBL), 증배층이 존재할 수 있다. 적합한 엑시톤 및 정공 차단층은 예를 들면 US 제6,451,415호에 기재되어 있다.
적합한 엑시톤 차단층으로는 예를 들면 US 제7,026,041호에 기재되어 있는 베토쿠프로인(BCP), 4,4',4''-트리스[3-메틸페닐(페닐)아미노]트리페닐아민(m-MT데이타) 또는 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT)이 있다.
본 발명의 엑시톤 태양 전지는 광활성 도너-억셉터 이질접합에 기초한다. 1종 이상의 일반식 I의 화합물이 HTM(정공 수송 물질)으로서 사용될 때, 상응하는 ETM(엑시톤 수송 물질)은, 일반식 I의 화합물의 여기 이후에, 전자가 신속하게 ETM으로 수송되도록 선택되어야 한다. 적합한 ETM으로는 예를 들면 C60 및 다른 풀러렌, 퍼릴렌-3,4:9,10-비스(디카르복스이미드)(PTCD) 등이 있다. 1종 이상의 일반식 I의 화합물이 ETM으로서 사용될 때, 상보형 HTM은, 여기 이후에, 정공이 신속하게 HTM으로 수송되도록 선택되어야 한다. 이질접합은 평판 구성을 가질 수 있거나(문헌[Two layer organic photovoltaic cell, C. W. Tang, Appl. Phys. Lett., 48 (2), 183-185 (1986) 또는 N. Karl, A. Bauer, J. Holzapfel, J. Marktanner, M. Mobus, F. Stolzle, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 252, 243-258 (1994)] 비교), 벌크 이질접합(또는 상호침투성 도너-억셉터 망목)으로서 실행될 수 있다(예를 들면, 문헌[C. J. Brabec, N. S. Sariciftci, J. C. Hummelen, Adv. Funct. Mater., 11 (1), 15 (2001)] 비교). 1종 이상의 일반식 I의 화합물과 HTL(정공 수송 층) 또는 ETL(엑시톤 수송 층) 사이의 이질접합에 기초한 광활성 층은 MiM, pin, pn, Mip 또는 Min 구조(M = 금속, p = p-도핑된 유기 또는 무기 반도체, n = n-도핑된 유기 또는 무기 반도체, i = 유기층의 고유 전도성 시스템)를 갖는 태양 전지에서 사용될 수 있다(예를 들면, 문헌[J. Drechsel et al., Org. Eletron., 5 (4), 175 (2004)] 또는 문헌[Maennig et al., Appl. Phys. A 79, 1-14 (2004)] 비교). 또한, 상기 광활성 층은 문헌[J. Appl. Phys, 93 (7), 3693-3723 (2003), 저자: P. Peumnas, A. Yakimov, S. R. Forrest]에서 기재된 바대로 텐덤(tandem) 전지에서 사용될 수 있다(특허 US 제4,461,922호, US 제6,198,091호 및 US 제6,198,092호 비교). 또한, 상기 광활성 층은 서로 적층된 2개 이상의 MiM, pin, Mip 또는 Min 다이오드로 구성된 텐덤 전지에서 사용될 수 있다(특허 출원 DE 제103 13 232.5호 비교)(J. Drechsel et al., Thin Solid Films, 451452, 515-517 (2004)).
일반식 I의 화합물의 박층 및 모든 다른 층의 박층은 저압하의 또는 불활성 가스 분위기하의 증기 증착에 의해, 레이저 어블레이션에 의해 또는 용액 또는 분산액으로 가공가능한 방법, 예컨대 스핀 코팅법, 나이프 코팅법, 캐스팅 방법, 분무법, 딥 코팅법 또는 인쇄법(예컨대, 오프셋, 플렉소, 오프셋, 그라비어; 요판, 나노임프린팅)에 의해 제조될 수 있다. M, n, i 및 p 층의 층 두께는 통상적으로 10 내지 1,000 nm, 바람직하게는 10 내지 400 nm이다.
사용된 기판은 예를 들면 투명 전도층(예컨대, SnO2:F, SnO2:In, ZnO:Al, 탄소 나노튜브, 금속 박층)으로 일반적으로 코팅된 유리, 금속 호일 또는 중합체 필름이다.
일반식 I의 화합물 이외에, 다음의 반도체 물질이 유기 광전지에서 사용하기에 적합하다:
아센, 예컨대 안트라센, 테트라센, 펜타센 및 치환된 아센. 치환된 아센은 전자 공여 치환기(예컨대, 알킬, 알콕시, 에스테르, 카르복실레이트 또는 티오알콕시), 전자 흡인 치환기(예컨대, 할로겐, 니트로 또는 시아노) 및 이들의 조합으로부터 선택된 1개 이상의 치환기를 포함한다. 이는 2,9-디알킬펜타센 및 2,10-디알킬펜타센, 2,10-디알콕시펜타센, 1,4,8,11-테트라알콕시펜타센 및 루브렌(5,6,11,12-테트라페닐나프타센)을 포함한다. 적합한 치환된 펜타센은 US 제2003/0100779호 및 US 제6,864,396호에 기재되어 있다. 바람직한 아센은 루브렌(5,6,11,12-테트라페닐나프타센)이다.
프탈로시아닌, 예컨대 헥사데카클로로프탈로시아닌 및 헥사데카플루오로프탈로시아닌, 금속 비함유 프탈로시아닌 및 2가 금속, 특히 티타닐옥시, 바나딜옥시, 철, 구리, 아연의 금속을 포함하는 프탈로시아닌, 특히 구리 프탈로시아닌, 아연 프탈로시아닌 및 금속 비함유 프탈로시아닌, 구리 헥사데카클로로프탈로시아닌, 아연 헥사데카클로로프탈로시아닌, 금속 비함유 헥사데카클로로프탈로시아닌, 구리 헥사데카플루오로프탈로시아닌, 헥사데카플루오로프탈로시아닌 또는 금속 비함유 헥사데카플루오로프탈로시아닌.
포르피린, 예를 들면 5,10,15,20-테트라(3-피리딜)포르피린(TpyP).
액정(LC) 물질, 예를 들면 헥사벤조코로넨(HBC-PhC12) 또는 다른 코로넨, 코로넨디이미드, 또는 트리페닐렌, 예컨대 2,3,6,7,10,11-헥사헥실티오트리페닐렌(HTT6) 또는 2,3,6,7,10,11-헥사키스(4-n-노닐페닐)트리페닐렌(PTP9), 2,3,6,7,10,11-헥사키스(운데실옥시)트리페닐렌(HAT11). 원반상형(discotic) LC가 특히 바람직하다.
티오펜, 올리고티오펜 및 이들의 치환된 유도체. 적합한 올리고티오펜은 쿼터티오펜, 퀸퀘티오펜, 섹시티오펜, α,ω-디(C1-C8)알킬올리고티오펜, 예컨대 α,ω-디헥실쿼터티오펜, α,ω-디헥실퀸퀘티오펜 및 α,ω-디헥실섹시티오펜, 폴리(알킬티오펜) 예컨대 폴리(3-헥실티오펜), 비스(디티에노티오펜), 안트라디티오펜 및 디알킬안트라디티오펜, 예컨대 디헥실안트라디티오펜, 페닐렌-티오펜(P-T) 올리고머 및 이들의 유도체, 특히 α,ω-알킬-치환 페닐렌-티오펜 올리고머이다.
바람직한 티오펜, 올리고티오펜 및 이들의 치환된 유도체는 폴리-3-헥실티오펜(P3HT) 또는 α,α'-비스(2,2-디시아노비닐)퀸퀘티오펜(DCV5T) 유형의 화합물, 폴리(3-(4-옥틸페닐)-2,2'-비티오펜)(PTOPT), 폴리(3-(4'-(1",4",7"-트리옥사옥틸)페닐)티오펜)(PEOPT), 폴리(3-(2'-메톡시-5'-옥틸페닐)티오펜)(POMeOPT), 폴리(3-옥틸티오펜)(P3OT), 피리딘 함유 중합체, 예컨대 폴리(피리도피라진 비닐렌), 알킬 기로 변형된 폴리(피리도피라진 비닐렌), 예를 들면 EHH-PpyPz, PTPTB 공중합체, 폴리벤즈이미다조벤조페난트롤린(BBL), 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-코-비스-N,N'-(4-메톡시페닐)-비스-N,N'-페닐-1,4-페닐렌디아민)(PFMO); (PCPDTBT) 폴리[2,6-(4,4-비스(2-에틸헥실)-4H-사이클로펜타[2,1-b;3,4-b']-디티오펜)-4,7-(2,1,3-벤조티아디아졸)](문헌[Brabec C., Adv. Mater., 2996, 18, 2884] 참조)이다.
파라페닐렌비닐렌 및 파라페닐렌비닐렌 함유 올리고머 및 중합체, 예를 들면 폴리파라페닐렌비닐렌(PPV), MEH-PPV(폴리(2-메톡시-5-(2'-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)), MDMO-PPV(폴리(2-메톡시-5-(3',7'-디메틸옥틸옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)), 시아노-파라페닐렌비닐렌(CN-PPV), 알콕시 기로 변형된 CN-PPV.
PPE-PPV 혼성 중합체(페닐렌-에티닐렌/페닐렌-비닐렌 혼성 중합체).
폴리플루오렌 및 교대 폴리플루오렌 공중합체, 예를 들면 4,7-디티엔-2'-일-2,1,3-벤조티아디아졸과의 공중합체, 및 또한 폴리(9,9'-디옥틸플루오렌-코-벤조티아디아졸)(F8BT), 폴리(9,9'-디옥틸플루오렌-코-비스-N,N'-(4-부틸페닐)-비스-N,N'-페닐-1,4-페닐렌디아민)(PFB).
폴리카르바졸, 즉 카르바졸 함유 올리고머 및 중합체, 예컨대 (2,7) 및 (3,6).
폴리아닐린, 즉 아닐린 함유 올리고머 및 중합체.
트리아릴아민, 폴리트리아릴아민, 폴리사이클로펜타디엔, 폴리피롤, 폴리푸란, 폴리실롤, 폴리포스폴, N,N'-비스-(3-메틸페닐)-N,N'-비스-(페닐)-벤질리딘(TPD), 4,4'-비스(카르바졸-9-일) 비페닐(CBP), 2,2',7,7'-테트라키스-(N,N-디-p-메톡시페닐-아민)-9,9'-스피로비플루오렌(스피로-MeOTAD).
풀러렌, 특히 C60 및 이의 유도체, 예컨대 PCBM(= [6,6]-페닐-C61-부티르산 메틸 에스테르). 이 경우에, 풀러렌 유도체는 정공 전도체일 것이다.
구리(I) 요오다이드, 구리(I) 티오시아네이트.
p-n형 혼합 물질, 즉 한 물질 및 중합체 내에 도너 및 억셉터를 갖는 물질, C60을 포함하는 블록 공중합체 및 중합체, C60 아조 염료, 및 문헌[S. Adv. Mater. 2006, 18, 1754, 저자: Kelly]에 기재된 것과 같은 도너/억셉터 시스템으로서 카로티노이드 유형의 화합물 및 포르피린 유형의 화합물 및 퀴노이드 액정 화합물을 포함하는 삼량체 혼합 물질.
또한, 모든 상술한 반도체 물질은 도핑될 수 있다. 도펀트의 예로는 Br2, 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄(F4-TCNQ) 등이 있다.
본 발명은 상기 정의된 일반식 I의 화합물 1종 이상을 포함하는 유기 발광 다이오드(OLED)를 더 제공한다. 일반식 I의 화합물은 전하 수송 물질(전자 전도체)로서 작용할 수 있다.
유기 발광 다이오드는 원칙적으로 여러 층으로 구성될 수 있다. 유기 발광 다이오드는 (1) 애노드, (2) 정공 수송 층, (3) 발광층, (4) 전자 수송 층 및 (5) 캐소드를 포함한다. 또한, 유기 발광 다이오드는 언급한 층 모두를 갖지 않을 수 있다. 마찬가지로, 예를 들면 (1)층(애노드), (3)층(발광층) 및 (5)층(캐소드)을 갖는 유기 발광 다이오드가 적합하고, 이 경우에 (2)층(정공 수송 층) 및 (4)층(전자 수송 층)의 기능은 인접 층이 떠맡는다. 마찬가지로, (1)층, (2)층, (3)층 및 (5)층 또는 (1)층, (3)층, (4)층 및 (5)층을 갖는 OLED가 적합하다. 유기 발광 다이오드의 구조 및 이의 제조 방법은 원칙적으로 당해 분야의 숙련된 당업자에게, 예를 들면 WO 제2005/019373호로부터 공지되어 있다. OLED의 개별 층에 적합한 물질은 예를 들면 WO 제00/70655호에 개시되어 있다. 상기 문헌의 개시내용은 본원에 참조된다. 본 발명의 OLED는 당해 분야의 숙련된 당업자에게 공지된 방법에 의해 제조될 수 있다. 일반적으로, OLED는 개별 층을 적합한 기판 위에 연속적으로 증기 증착하여 제조된다. 적합한 기판으로는 예를 들면 유리 또는 중합체 필름이 있다. 증기 증착의 경우, 통상의 기술, 예컨대 열 증발, 화학 증기 증착 및 기타 기술을 사용할 수 있다. 대안적인 공정에서, 유기층은 적합한 용매 중의 용액 또는 분산액으로부터 코팅될 수 있고, 이를 위해 당해 분야의 숙련된 당업자에게 공지된 코팅 기술이 이용된다. OLED의 층 중 1개의 층에서, 바람직하게는 발광층에서 일반식 I의 화합물뿐만 아니라 중합체 물질을 갖는 조성물이 일반적으로 용액으로부터 가공하여 층으로서 도포된다.
본 발명의 일반식 I의 화합물을 사용하면, OLED를 고효율로 수득할 수 있다. 본 발명의 OLED는 전계발광이 유용한 모든 장치에서 사용될 수 있다. 적합한 장치는 고정 및 이동 영상 디스플레이 유닛으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 고정 영상 디스플레이 유닛으로는 예를 들면 컴퓨터 및 텔레비전의 영상 디스플레이 유닛, 프린터, 주방 용품 및 광고용 패널에서 사용되는 영상 디스플레이 유닛, 조명 및 정보 패널에서 사용되는 영상 디스플레이 유닛이 있다. 이동 영상 디스플레이 유닛으로는 예를 들면 휴대폰, 휴대용 컴퓨터, 디지털 카메라, 차량, 및 버스 및 기차에서 행선 안내 표시 표지판에서 사용되는 영상 디스플레이 유닛이 있다. 또한, 일반식 I의 화합물은 역구조(inverse structure)를 갖는 OLED에서 사용될 수 있다. 상기 역구조 OLED에서 일반식 I의 화합물은 이때에 발광층에서 사용되는 것이 바람직하다. 상기 역구조 OLED 및 이 OLED에서 통상적으로 사용되는 물질은 당해 분야의 숙련된 당업자에게 공지되어 있다.
일반식 I의 화합물을 전하 수송 물질 또는 엑시톤 수송 물질로서 사용하기 전에, 일반식 I의 화합물을 정제 공정으로 처리하는 것이 바람직할 수 있다. 적합한 정제 공정은 일반식 I의 화합물을 기상으로 전환하는 단계를 포함한다. 이는 승화 또는 PVD(물리적 증기 증착)에 의한 정제를 포함한다. 분별 승화가 바람직하다. 일반식 I의 화합물의 분별 승화 및/또는 증착의 경우에, 온도 구배가 사용된다. 일반식 I의 화합물을 캐리어 가스 스트림 내에서 가열하여 승화시키는 것이 바람직하다. 이어서, 캐리어 가스는 분리 챔버를 통해 유동한다. 적합한 분리 챔버는 온도가 상이한 2개 이상의 상이한 분리 구역을 갖는다. 3구역 노를 사용하는 것이 바람직하다. 분별 승화에 적합한 공정 및 장치는 US 제4,036,594호에 기재되어 있다.
본 발명은 기상 증착 공정 또는 습식 도포 공정에 의해 1종 이상의 일반식 I의 화합물을 기판 위에 증착하거나, 1종 이상의 일반식 I의 화합물을 도포하는 공정을 더 제공한다.
본 발명은 다음의 비제한적인 실시예에 참조하여 자세히 기재되어 있다.
실시예
트랜지스터 특징을 측정하기 위한 일반적인 방법
물리적 증기 증착( PVD )에 의한 반도체 기판의 제법
장치 준비: 바닥-게이트 상부-접촉 구성
장치에 사용된 기판은 고도로 도핑된 n형(100 nm) 규소 웨이퍼(< 0.004 Ω-1cm)이었다. 게이트 유전체로서 사용되는 SiO2 층(단위면적당 커패시턴스 Ci = 10 nF/㎠)을 Si 기판 위에 열 성장시켜 두께를 3,000 Å로 만들었다. SiO2/Si 기판을 아세톤, 이어서 이소프로판올으로 세척하여 세정하였다. 유기 반도체 박막(45 nm)을 진공 증착 챔버(Angstrom Engineering, Inc., 캐나다 소재)를 사용하여 10-6 torr에서 0.3~0.5 Å/s의 증착 속도로 25 내지 150℃의 적절히 한정된 온도(통상적으로 125℃)로 유지되는 Si/SiO2 기판 위에 증기 증착시켰다. 상부-접촉 구성의 박막 트랜지스터를 사용하여 상기 물질의 전하 이동도를 측정하였다. 금 소스 전극 및 드레인 전극(통상적인 채널 길이는 100 ㎛이고, 폭/길이 비는 약 20임)을 섀도 마스크(shadow mask)를 통해 증기 증착시켰다. 상기 장치의 전류-전압(I-V) 특징을 Keithley 4200-SCS 반도체 매개변수 분석기를 사용하여 측정하였다. 전하 캐리어 이동도(μ) 및 점멸 전류비(Ion/Ioff)와 같은 중요한 장치 매개변수는 표준 절차를 이용하여 게이트 전압(Vg)에 대한 소스-드레인 전류(Id)의 특징으로부터 얻었다.
표면 처리
상기 기판 표면을 후속적으로 n-옥타데실트리에톡시실란(OTS, C18H37Si(OC2H5)3)(Aldrich Chem. Co.로부터 입수)으로 처리하여 개질하였다. 이를 위해, 수액적의 OTS를 진공 건조기 내에서 예열(약 100℃)된 석영 블록의 상부에 적하하였다. 상기 건조기를 진공 상태(약 25 mm Hg)하에 1 분 동안 즉시 배기시키고, 진공용 밸브를 잠갔다. SiO2/Si 기판을 적어도 5 시간 동안 처리하여 소수성 표면을 만들었다. 후속적으로, 상기 기판을 110℃에서 15 분 동안 소성하고, 이소프로판올로 세정하고 질소 스트림으로 건조시켰다.
실시예 1:
N,N'-비스(헵타플루오로부틸)퍼릴렌-3,4:9,10-테트라카르복실산 디이미드(PBI)
퍼릴렌-3,4:9,10-테트라카르복실산 비스언하이드리드 1.0 g(2.54 mmol)을 건조 N-메틸피롤리돈(NMP) 15 ml 중에 용해시키고 초음파로 30 분 동안 처리하였다. 이어서, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부틸아민 1.43 g(7.19 mmol) 및 아세트산 920 ㎎을 첨가하였다. 상기 혼합물을 압력 용기에서 200℃에서 12 시간 동안 교반한 후, 2 N HCl 100 ml에 부었다. 형성된 고형분을 여과 제거하고 건조시켰다. 미정제 생성물을 디클로로메탄으로 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 적색의 분말을 얻었다. 수율: 482 ㎎ (25%). 1H NMR (CDCl3): δ 8.78 (d, 3J = 8.0 Hz, 2H), 8.71 (d, 3J = 8,1 Hz, 2H), 5.04 (t, 3J = 15.5 Hz, 4H); 19F NMR (376.49 MHz, CDCl3); δ -80.97 (t, J = 9.8 Hz, 6H), -116.39 (m, 4H), -128.22 (m, 4H); 융점: 421℃; HR-MS (APCI(음화 모드, 클로로포름, 아세토니트릴)): 789.0264 (M+Cl-), 계산치 789.0268 (C32H12F14N2O4Cl); UV/Vis (CH2Cl2): λmax (ε) = 524 (85 200), 488 (50 900), 457 nm (18 500 M-1cm-1); 순환 전압전류법 (CH2Cl2, 0.1 M 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트(TBAHFP) 대 페로센): Ered ½ (PBI/PBI-) = -0.95 V, Ered ½ (PBI-/PBI2 -) = -1.15 V.
상기 화합물을 3구역 승화 장치(Blue Thermo Electron Corporation(독일 린드베르크 소재), 고진공 4.6×10-4 Torr)에서 3 회 승화시켜 정제하였다. 3개의 온도 구역을 250℃, 190℃ 및 148℃에서 운전하였다. 반도체 기판을 제조하기 위해, 온도 구역 2로부터 얻은 물질을 사용하였다. PVD 공정에 일반적인 방법에 따라 반도체 기판을 사용하였다. 그 결과는 도 1 및 도 2에 도시되어 있다.
Figure pct00004
실시예 2:
N,N'-비스(2,2,3,3,4,4,5,5,5-노나플루오로펜틸)-3,4:9,10-테트라카르복실산 디이미드
Figure pct00005
건조 NMP 34 ml 중의 퍼릴렌-3,4:9,10-테트라카르복실산 비스언하이드리드 2.23 g(5.69 mmol), 노나플루오로펜틸아민 4.00 g(16.1 mmol), 아세트산 2.00 g을 압력 용기에서 200℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시킨 후, 이 혼합물을 2 N HCl에 붓고, 형성된 고형분을 여과 제거하였다. 상기 고형분을 탄산수소나트륨 수용액(2% 농도 용액) 중에서 반복하여 가열함으로써 남아있는 비스언하이드리드를 제거하였다. 상기 고형분을 여과 제거하고 톨루엔으로부터 결정화하여 표제 화합물 655 ㎎(0.767 mmol, 이론치의 13%)을 얻었다.
1H-NMR (400 MHz, CDCl3, TMS): δ = 5.05 (t, 4H, 3J (H,F) = 15.8 Hz), 8.72 (d, 4H, 3J (H,H) = 8.1 Hz), 8.78 (d, 4H, 3J (H,H) = 8.0 Hz);
HR-MS (apci(음화 모드)): 854.0526 (M-), 계산치 854.0515 (C34H12F18N2O4)
전기화학 (CH2Cl2, 0.1 M TBAHFP 대 페로센):
Ered ½(PBI/PBI-) = -0.96 V, Ered ½ (PBI-/PBI2 -)= -1.15 V.
표제 화합물을 3구역 승화 장치(Blue Thermo Electron Corporation(독일 린드베르크 소재), 고진공 4.6×10-4 Torr)에서 승화시켜 정제하였다. 표제 화합물 304.6 ㎎을 출발 물질로 하여 3개의 온도 구역을 300℃, 230℃ 및 100℃에서 운전하여 화합물 A1(진적색) 226 ㎎, 화합물 A2(적색) 9.6 ㎎ 및 잔여물(진갈색) 12 ㎎을 얻었다.
반도체 기판을 제조하기 위해, 온도 구역 2로부터 얻은 물질을 사용하였다. PVD 공정에 일반적인 방법에 따라 반도체 기판을 사용하였다.
Figure pct00006
(*) 상대 습도: 50%
(**) 괄호: (IDS)½에 대한 VGS의 기울기로부터 얻은 μ
상기 장치는 질소하에 150℃에서 60 분 동안 어닐링 공정으로 처리하였다. 상기 어닐링 공정 이후에, 상기 장치는 다음의 특징을 나타냈다:
μ: 0.61 ㎠/Vs
Vt: 36.9 V
Ion/Ioff : 5.7 x 106

Claims (12)

  1. 전하 수송 물질 또는 엑시톤(exciton) 수송 물질로서 사용되는, 하기 일반식 I의 화합물의 용도:
    일반식 I
    Figure pct00007

    [상기 식 중,
    Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 퍼플루오로-C2-C4-알킬이다].
  2. 제1항에 있어서, Ra 및 Rb는 각각 n-헵타플루오로프로필인 용도.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 유기 전계 효과 트랜지스터, 유기 태양 전지 및 유기 발광 다이오드에서 전자 전도체로서 사용되는 일반식 I의 화합물의 용도.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 유기 전자소자에서 반도체 물질로서 사용되는 일반식 I의 화합물의 용도.
  5. 제4항에 있어서, 유기 전계 효과 트랜지스터에서 n형 반도체로서 사용되는 용도.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 유기 광전지에서 활물질로서, 특히 엑시톤 태양 전지에서 엑시톤 수송 물질로서 사용되는 일반식 I의 화합물의 용도.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 형광 변환에 기초한 디스플레이에서 형광 염료로서, 태양 전지와 임의로 결합된 집광 플라스틱 소자에서, 전기영동 디스플레이에서 피그먼트 염료(pigment dye)로서, 화학발광에 기초한 분야에서 형광 염료로서 사용되는 일반식 I의 화합물의 용도.
  8. 1개 이상의 게이트 구조물, 소스 전극 및 드레인 전극, 및 제1항 또는 제2항에 정의된 일반식 I의 화합물 1종 이상을 n형 반도체로서 갖는 기판을 포함하는 유기 전계 효과 트랜지스터.
  9. 복수의 유기 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 기판으로서, 이 유기 전계 효과 트랜지스터 중 적어도 몇몇의 트랜지스터는 제1항 또는 제2항에 정의된 일반식 I의 화합물 1종 이상을 포함하는 것인 기판.
  10. 제9항에 정의된 1개 이상의 기판을 포함하는 반도체 소자.
  11. 제1항 또는 제2항에 정의된 일반식 I의 화합물 1종 이상을 포함하는 유기 발광 다이오드(OLED).
  12. 기상 증착 공정 또는 습식 도포 공정에 의해 1종 이상의 일반식 I의 화합물을 기판 위에 증착하거나, 1종 이상의 일반식 I의 화합물을 기판에 도포하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170016862A (ko) * 2014-06-17 2017-02-14 바스프 에스이 N-플루오로알킬-치환된 디브로모나프탈렌 디이미드 및 반도체로서의 그의 용도

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110168248A1 (en) * 2008-09-19 2011-07-14 Basf Se Use of dibenzotetraphenylperiflanthene in organic solar cells
CN102234366B (zh) * 2010-04-29 2013-01-23 海洋王照明科技股份有限公司 含噻吩单元苝四羧酸二酰亚胺共聚物及其制备方法和应用
JP5515069B2 (ja) * 2011-04-04 2014-06-11 国立大学法人 香川大学 ペリレンテトラカルボン酸ビスイミド誘導体、ｎ−型半導体、ｎ−型半導体の製造方法、および電子装置
JP6021895B2 (ja) 2011-05-06 2016-11-09 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ペルフルオロアルキル置換基を有する発色団
KR20150017718A (ko) 2012-05-31 2015-02-17 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 코폴리머, 유기 반도체 재료, 유기 전자 디바이스 및 태양 전지 모듈
JP6131949B2 (ja) 2012-06-01 2017-05-24 三菱化学株式会社 金属酸化物含有半導体層の製造方法及び電子デバイス
CN105355792A (zh) * 2015-11-26 2016-02-24 电子科技大学 一种基于有机无机杂化阴极缓冲层的有机太阳能电池
WO2018216035A1 (en) * 2017-05-26 2018-11-29 Council Of Scientific And Industrial Research An assembly of porphyrin-fullerene and use thereof

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4036594A (en) * 1973-12-17 1977-07-19 Veba-Chemie Ag Apparatus for recovering higher melting organic materials via fractional sublimation
US4461922A (en) * 1983-02-14 1984-07-24 Atlantic Richfield Company Solar cell module
US6198091B1 (en) * 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with a mixed electrical configuration
US6451415B1 (en) * 1998-08-19 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer
US6198092B1 (en) * 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration
JP4700835B2 (ja) * 2001-05-01 2011-06-15 株式会社ブリヂストン 炭化ケイ素粉末及びその製造方法並びに炭化ケイ素焼結体
US7026643B2 (en) * 2001-05-04 2006-04-11 International Business Machines Corporation Organic n-channel semiconductor device of N,N' 3,4,9,10 perylene tetracarboxylic diimide
WO2003028125A2 (en) * 2001-09-27 2003-04-03 3M Innovative Properties Company Substituted pentacene semiconductors
US20030097010A1 (en) * 2001-09-27 2003-05-22 Vogel Dennis E. Process for preparing pentacene derivatives
US6911716B2 (en) * 2002-09-09 2005-06-28 Lucent Technologies, Inc. Bipolar transistors with vertical structures
US6831771B2 (en) * 2003-01-08 2004-12-14 Sipix Imaging Inc. Electronic whiteboard using electrophoretic display
US7592539B2 (en) * 2003-11-07 2009-09-22 The Trustees Of Princeton University Solid state photosensitive devices which employ isolated photosynthetic complexes
US20050224905A1 (en) * 2004-04-13 2005-10-13 Forrest Stephen R High efficiency organic photovoltaic cells employing hybridized mixed-planar heterojunctions
WO2006086082A2 (en) * 2004-12-23 2006-08-17 Northwestern University Siloxane-polymer dielectric compositions and related organic field-effect transistors
DE102005032583A1 (de) * 2005-07-11 2007-01-25 Basf Ag Substituierte Rylenderivate
DE102005037115A1 (de) * 2005-08-03 2007-02-08 Basf Ag Mehrfachchromophore
DE102005043572A1 (de) * 2005-09-12 2007-03-15 Basf Ag Fluoreszenzkonversionssolarzellen auf Basis von Terrylenfluoreszenzfarbstoffen
DE102005053995A1 (de) * 2005-11-10 2007-05-24 Basf Ag Verwendung von Rylenderivaten als Photosensibilisatoren in Solarzellen
DE102005061997A1 (de) * 2005-12-23 2007-07-05 Basf Ag Naphthalintetracarbonsäurederivate und deren Verwendung
US7795145B2 (en) * 2006-02-15 2010-09-14 Basf Aktiengesellschaft Patterning crystalline compounds on surfaces
KR20080103076A (ko) * 2006-02-17 2008-11-26 바스프 에스이 플루오르화 릴렌테트라카르복실산 유도체 및 이의 용도
CA2646205A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Basf Se Use of aryl- or alkyloxy-substituted phthalocyanines as markers for liquids
US20080090325A1 (en) * 2006-10-17 2008-04-17 Basf Aktiengesellschaft Method for producing organic field-effect transistors
JP5470606B2 (ja) * 2006-05-04 2014-04-16 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 有機電界効果トランジスタの製造方法
US20070259475A1 (en) * 2006-05-04 2007-11-08 Basf Aktiengesellschaft Method for producing organic field-effect transistors
US20070269924A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Basf Aktiengesellschaft Patterning nanowires on surfaces for fabricating nanoscale electronic devices
US20080009092A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-10 Basf Aktiengesellschaft Use of chlorinated copper phthalocyanines as air-stable n-channel organic semiconductors
US20080087878A1 (en) * 2006-10-17 2008-04-17 Basf Akiengesellschaft Use of perylene diimide derivatives as air-stable n-channel organic semiconductors
US20080035914A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Basf Aktiengesellschaft Use of perylene diimide derivatives as air-stable n-channel organic semiconductors
US20080054258A1 (en) * 2006-08-11 2008-03-06 Basf Aktiengesellschaft Use of perylene diimide derivatives as air-stable n-channel organic semiconductors
EP2280971A1 (en) * 2008-03-19 2011-02-09 Basf Se N,n'-bis(fluorophenylalkyl)-substituted perylene-3,4:9,10-tetracarboximides, and the preparation and use thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170016862A (ko) * 2014-06-17 2017-02-14 바스프 에스이 N-플루오로알킬-치환된 디브로모나프탈렌 디이미드 및 반도체로서의 그의 용도

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Publication number Publication date
JP2010531056A (ja) 2010-09-16
EP2170862A1 (en) 2010-04-07
US20100171108A1 (en) 2010-07-08
CN101772492A (zh) 2010-07-07
WO2009000756A1 (en) 2008-12-31

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