KR20100043943A - Organic light emitting display apparatus - Google Patents

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KR20100043943A
KR20100043943A KR1020080103208A KR20080103208A KR20100043943A KR 20100043943 A KR20100043943 A KR 20100043943A KR 1020080103208 A KR1020080103208 A KR 1020080103208A KR 20080103208 A KR20080103208 A KR 20080103208A KR 20100043943 A KR20100043943 A KR 20100043943A
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Abstract

PURPOSE: An organic electroluminescent display device is provided to obtain high transmittance by arranging a pixel electrode on an incline formation unit of the organic light emitting device. CONSTITUTION: An organic light emitting device(130) is obliquely arranged on the substrate. The organic light emitting device includes a pixel electrode(131), an opposite electrode(133), and an intermediate layer(135). The opposite electrode faces the pixel electrode. The intermediate layer is interposed between the pixel electrode and the opposite electrode. The intermediate layer includes a light emitting layer. An incline formation unit(119) is arranged on the substrate. The incline formation unit has a first upper side and a second upper side.

Description

유기 발광 디스플레이 장치{Organic light emitting display apparatus}Organic light emitting display apparatus

본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 투명 디스플레이 장치로 활용할 수 있도록 투과도가 향상된 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device having improved transmittance to be utilized as a transparent display device.

일반적으로 유기 발광 디스플레이 장치는 화소전극과, 화소전극에 대향하는 대향전극과, 화소전극과 대향전극 사이에 개재된 발광층을 포함하는 중간층을 구비한다. 이러한 유기 발광 디스플레이 장치는 화소전극과 대향전극에 인가되는 전기적 신호로부터 중간층에 포함된 발광층에서 광을 생성하여 외부로 방출함으로써 이미지를 구현할 수 있다.In general, an organic light emitting display device includes an intermediate layer including a pixel electrode, a counter electrode facing the pixel electrode, and a light emitting layer interposed between the pixel electrode and the counter electrode. Such an organic light emitting display device may implement an image by generating light from an emission layer included in an intermediate layer from an electrical signal applied to a pixel electrode and an opposite electrode and emitting the light to the outside.

도 1은 종래의 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 종래의 유기 발광 디스플레이 장치, 특히 능동 구동형 유기 발광 디스플레이 장치는 기판(10) 상에 배치된 박막 트랜지스터(20)와, 이 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자(30)를 구비한다. 박막 트랜지스터(20)는 소스전극(21), 드레인전극(23), 반도체층(25) 및 게이트전극(27)을 구비한다. 물론 필요에 따라 도 1에 도시된 것과 같이 게이트절연막(12), 층간절연 막(14)을 구비할 수 있다. 유기 발광 소자(30)는 화소전극(31), 대향전극(33) 및 중간층(35)을 구비한다. 박막 트랜지스터(30) 상부에는 평탄화막(16)이 배치되며, 이 평탄화막(16) 상에 유기 발광 소자(30)가 화소정의막(18)에 의해 정의되는 화소영역에 배치된다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a conventional organic light emitting display device. Referring to FIG. 1, a conventional organic light emitting display device, particularly an active driving organic light emitting display device, includes a thin film transistor 20 disposed on a substrate 10 and an organic light emitting element 30 electrically connected to the thin film transistor. It is provided. The thin film transistor 20 includes a source electrode 21, a drain electrode 23, a semiconductor layer 25, and a gate electrode 27. Of course, if necessary, the gate insulating film 12 and the interlayer insulating film 14 may be provided as shown in FIG. 1. The organic light emitting element 30 includes a pixel electrode 31, a counter electrode 33, and an intermediate layer 35. The planarization layer 16 is disposed on the thin film transistor 30, and the organic light emitting element 30 is disposed on the planarization layer 16 in the pixel region defined by the pixel definition layer 18.

이러한 유기 발광 디스플레이 장치는 중간층(35)에서 생성되는 광을 기판(10)을 통해 외부로 방출하는 배면발광형과 대향전극(33)을 통해 외부로 방출하는 전면발광형으로 나뉠 수 있다. 배면발광형의 경우 대향전극(33)은 반사성 물질로 형성되며 전면발광형의 경우 화소전극(31)이 반사성 물질로 형성될 수 있다.The organic light emitting display device may be divided into a bottom emission type emitting light generated in the intermediate layer 35 to the outside through the substrate 10 and a top emission type emitting light to the outside through the counter electrode 33. In the case of the bottom emission type, the counter electrode 33 may be formed of a reflective material, and in the case of the front emission type, the pixel electrode 31 may be formed of a reflective material.

한편, 투명 유기 발광 디스플레이 장치라 함은 광이 유기 발광 디스플레이 장치를 통과함으로써 유기 발광 디스플레이 장치 일측에 배치된 피사체를 유기 발광 디스플레이 장치의 타측에서 관찰할 수 있는 유기 발광 디스플레이 장치이다. 이를 위해서는 기판(10)의 전면(全面)에 배치되는 대향전극(33)이 반사성 물질로 형성되어서는 안되기 때문에, 전면발광형과 관련하여 투명 유기 발광 디스플레이 장치 구현이 시도되고 있다.On the other hand, the transparent organic light emitting display device is an organic light emitting display device that can observe the subject disposed on one side of the organic light emitting display device from the other side of the organic light emitting display device as light passes through the organic light emitting display device. To this end, since the counter electrode 33 disposed on the entire surface of the substrate 10 should not be formed of a reflective material, a transparent organic light emitting display device has been attempted in connection with a top emission type.

그러나 전면발광형 유기 발광 디스플레이 장치라 하더라도 광이 화소전극(31)을 광이 통과할 수는 없기에, 도 1에서 A로 표시된 부분과 같이 화소전극(31)에 해당하는 부분을 광이 통과할 수 없어 투명 디스플레이 장치의 구현에 있어서 한계가 있을 수밖에 없었다. 물론 화소전극(13)들 사이의 간격을 넓히면 광 투과도를 높일 수는 있으나, 그러할 경우 유기 발광 디스플레이 장치를 이용하여 이미지를 구현할 시 화소전극(13)들 사이의 간격이 넓기 때문에 고해상도의 이미지 디스플레이가 용이하지 않게 된다는 문제점이 있었다. 한편 화소전극(13)의 사이즈를 줄일 수도 있으나, 그 경우 유기 발광 디스플레이 장치를 이용하여 이미지를 구현할 시 발광면적이 줄어들게 되어 휘도가 저하된다는 문제점이 있었다.However, even in a top-emitting organic light emitting display device, since light does not pass through the pixel electrode 31, light may pass through a portion corresponding to the pixel electrode 31 as shown by A in FIG. 1. Therefore, there was no limit to the implementation of the transparent display device. Of course, the light transmittance can be increased by increasing the distance between the pixel electrodes 13, but in such a case, when the image is implemented by using the organic light emitting display device, the distance between the pixel electrodes 13 is wide, so that a high resolution image display is performed. There was a problem that not easy. On the other hand, although the size of the pixel electrode 13 may be reduced, in this case, when the image is implemented by using the organic light emitting display device, the emission area may be reduced, resulting in a decrease in luminance.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 투명 디스플레이 장치로 활용할 수 있도록 투과도가 향상된 유기 발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve various problems including the above problems, and an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device having improved transmittance to be utilized as a transparent display device.

본 발명은 (i) 기판과, (ii) 화소전극, 상기 화소전극과 대향된 대향전극 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층을 갖는 유기 발광 소자를 구비하며, 상기 유기 발광 소자는 상기 기판에 대하여 비스듬하게 배치된 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.The present invention provides an organic light emitting device having (i) a substrate, (ii) a pixel electrode, a counter electrode facing the pixel electrode, and an intermediate layer interposed between the pixel electrode and the counter electrode and including a light emitting layer. The organic light emitting diode provides an organic light emitting display device which is disposed obliquely with respect to the substrate.

이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 기판 상에 배치되며, 상기 기판과 평행한 제1상면 및 상기 기판에 대해 비스듬한 제2상면을 갖는 경사형성부를 더 구비하고, 상기 유기 발광 소자는 상기 경사형성부의 상기 제2상면 상에 배치되는 것으로 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the inclined forming portion is disposed on the substrate, the first upper surface parallel to the substrate and the second upper surface oblique to the substrate, the organic light emitting device is the inclined formation It can be arrange | positioned on the said 2nd upper surface of a part.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화막을 더 구비하고, 상기 경사형성부는 상기 평탄화막 상에 배치되는 것으로 할 수 있다.According to still another aspect of the present invention, the thin film transistor may be further disposed on the substrate and a planarization film covering the thin film transistor, and the inclination forming portion may be disposed on the planarization film.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소전극은 상기 평탄화막 상에 배치되어 상기 기판과 평행한 제1부분과, 상기 경사형성부의 제2상면 상에 배치되어 상기 기판에 대하여 비스듬한 제2부분을 갖는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the pixel electrode is disposed on the planarization film and the first portion parallel to the substrate, and the second portion disposed on the second upper surface of the inclined forming portion is beveled with respect to the substrate It can be made to have.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 중간층은 상기 화소전극의 상기 제1부분을 제외한 부분 상에 배치되는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the intermediate layer may be disposed on a portion other than the first portion of the pixel electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막을 더 구비하며, 상기 화소정의막은 상기 화소전극의 제2부분의 적어도 일부를 상기 화소정의막 외측으로 노출시키는 것으로 할 수 있다.According to still another aspect of the present invention, the pixel definition layer may further include a pixel defining layer covering an edge of the pixel electrode, wherein the pixel definition layer exposes at least a portion of the second portion of the pixel electrode to the outside of the pixel definition layer. .

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 평탄화막은 상기 박막 트랜지스터의 소스전극과 드레인전극 중 어느 한 전극의 적어도 일부를 상기 평탄화막 외측으로 노출시키는 컨택홀을 가지며, 상기 화소전극은 상기 박막 트랜지스터의 소스전극과 드레인전극 중 상기 컨택홀에 의해 노출된 전극에 전기적으로 연결되는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the planarization film has a contact hole for exposing at least a portion of one of the source electrode and the drain electrode of the thin film transistor to the outside of the planarization film, the pixel electrode is a source of the thin film transistor The electrode and the drain electrode may be electrically connected to the electrode exposed by the contact hole.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소전극은 상기 경사형성부 상에 배치되거나 상기 평탄화막과 상기 경사형성부에 걸쳐 배치되며, 상기 박막 트랜지스터는 상기 화소전극 하부에 배치되는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the present invention, the pixel electrode may be disposed on the inclined forming portion or disposed over the planarization film and the inclined forming portion, and the thin film transistor may be disposed under the pixel electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박막 트랜지스터의 상기 기판 상으로의 정사영 이미지와 상기 화소전극의 상기 기판 상으로의 정사영 이미지가 중첩되도록 상기 박막 트랜지스터와 상기 화소전극이 배치되는 것으로 할 수 있다.According to still another aspect of the present invention, the thin film transistor and the pixel electrode may be disposed such that the orthographic image on the substrate and the orthographic image on the substrate overlap with each other.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소전극은 반사성 물질로 형성된 층을 포함하는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the pixel electrode may comprise a layer formed of a reflective material.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 유기 발광 디스플레이 장치에 따르면, 투명 디스플레이 장치로 활용할 수 있도록 투과도가 향상된 유기 발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.According to the organic light emitting display device of the present invention made as described above, it is possible to implement an organic light emitting display device having improved transmittance to be utilized as a transparent display device.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는 기판(100)과, 유기 발광 소자(130)를 구비한다. 기판(100)은 글라스재 또는 플라스틱재 등의 다양한 투광성 재료로 형성된 것일 수 있다. 여기서 투광성 재료라고 함은 입사하는 광의 적어도 일부를 투과시키는 것을 의미한다.Referring to FIG. 2, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes a substrate 100 and an organic light emitting element 130. The substrate 100 may be formed of various light transmitting materials such as glass or plastic. The light transmissive material herein means to transmit at least a portion of incident light.

유기 발광 소자(130)는 화소전극(131)과, 화소전극(131)과 대향된 대향전극(133) 및 화소전극(131)과 대향전극(133) 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층(135)을 갖는다.The organic light emitting element 130 is an intermediate layer 135 interposed between the pixel electrode 131, the counter electrode 133 facing the pixel electrode 131, and the pixel electrode 131 and the counter electrode 133 and including a light emitting layer. Has

화소전극(131)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향전극(133)은 캐소드 전극의 기능을 한다. 물론, 이 화소전극(131)과 대향전극(133)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.The pixel electrode 131 functions as an anode electrode, and the counter electrode 133 functions as a cathode electrode. Of course, the polarity of the pixel electrode 131 and the counter electrode 133 may be reversed.

화소전극(131)은 반사형 전극으로 구비될 수 있는 바, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막층을 포함할 수 있다. 물론 이 반사막층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 층을 더 구비할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다.The pixel electrode 131 may be provided as a reflective electrode, and may include a reflective layer formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, a compound thereof, or the like. Of course, various modifications are possible, such as further comprising a layer formed of ITO, IZO, ZnO or In 2 O 3 on the reflective film layer.

대향전극(133)은 투명 전극으로 구비될 수 있는데, 예컨대 광이 투과할 수 있도록 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 박막층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 도전성 물질 형성된 보조전극이나 버스전극을 구비할 수 있다.The counter electrode 133 may be provided as a transparent electrode, for example, a thin film layer formed of Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg, and a compound thereof, and ITO, IZO, ZnO or An auxiliary electrode or a bus electrode formed with a transparent conductive material such as In 2 O 3 may be provided.

화소전극(131)과 대향전극(133) 사이에 구비되는 중간층(135)은 저분자 또는 고분자 물질로 구비될 수 있다. 저분자 물질로 형성될 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 물질이 사용될 수 있다. 이러한 층들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.The intermediate layer 135 provided between the pixel electrode 131 and the counter electrode 133 may be formed of a low molecular or polymer material. When formed of a low molecular material, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL) : Electron Injection Layer can be formed by stacking single or complex structure. Usable materials are copper phthalocyanine (CuPc), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N ' -Diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3) Various materials can be used. These layers can be formed by vacuum deposition.

고분자 물질로 형성될 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분 자 물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다. 물론 중간층(135)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.When formed of a polymer material, it may have a structure which is usually provided with a hole transport layer (HTL) and a light emitting layer (EML), wherein PEDOT is used as the hole transport layer, and poly-phenylenevinylene (PPV) and poly It uses a high molecular material such as fluorene (Polyfluorene) and can be formed by screen printing or inkjet printing method. Of course, the intermediate layer 135 is not necessarily limited thereto, and may have various structures.

이와 같은 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 경우, 유기 발광 소자(130)가 기판(100)에 대하여 비스듬하게 배치된다. 따라서 도 2에 도시된 것과 같이 유기 발광 디스플레이 장치에 광이 입사할 경우 유기 발광 소자(130)에 의해 광의 투과가 이루어지지 않는 부분(B)의 면적은 유기 발광 소자(130)의 면적보다 작게 된다. 따라서 도 1에 도시된 것과 같은 종래의 유기 발광 디스플레이 장치에 광이 입사할 경우 유기 발광 소자(130)에 의해 광의 투과가 이루어지지 않는 부분(A)의 넓이보다 도 2에 도시된 것과 같은 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치에 광이 입사할 경우 유기 발광 소자(130)에 의해 광의 투과가 이루어지지 않는 부분(B)의 넓이가 훨씬 더 작아지게 된다. 이에 따라 종래의 유기 발광 디스플레이 장치보다 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는 광 투과율을 획기적으로 높일 수 있게 되어, 투명 디스플레이 장치를 효과적으로 구현할 수 있다. 특히 유기 발광 소자(130)와 기판(100) 사이의 각도(화소전극(131)과 기판(100) 사이의 각도)가 20° 이상일 시 투과면적이 10% 증가하는 것을 알 수 있으며, 제조공정에서 불량 발생 없이 형성할 수 있는 유기 발광 소자(130)와 기판(100) 사이의 최대 각도(화소전극(131)과 기판(100) 사이의 최대 각도)는 70° 이므로, 유기 발광 소자(130)와 기판(100) 사이의 각도(화소전극(131)과 기판(100) 사이의 각도)는 20° 내지 70°가 되도록 하는 것이 바람직하다.In the organic light emitting display device according to the present embodiment, the organic light emitting element 130 is disposed obliquely with respect to the substrate 100. Therefore, as shown in FIG. 2, when light is incident on the organic light emitting display device, the area of the portion B where the light is not transmitted by the organic light emitting element 130 is smaller than the area of the organic light emitting element 130. . Therefore, when light is incident on the conventional organic light emitting display device as shown in FIG. 1, the present embodiment as shown in FIG. 2 is larger than the width of the portion A where no light is transmitted by the organic light emitting element 130. When light is incident on the organic light emitting diode display according to the example, the width of the portion B where the light is not transmitted by the organic light emitting element 130 becomes much smaller. Accordingly, the organic light emitting display device according to the present exemplary embodiment can significantly increase the light transmittance than the conventional organic light emitting display device, thereby effectively implementing the transparent display device. In particular, when the angle between the organic light emitting element 130 and the substrate 100 (the angle between the pixel electrode 131 and the substrate 100) is 20 ° or more, the transmission area increases by 10%. Since the maximum angle (maximum angle between the pixel electrode 131 and the substrate 100) between the organic light emitting device 130 and the substrate 100 that can be formed without defects is 70 °, the organic light emitting device 130 and The angle between the substrate 100 (angle between the pixel electrode 131 and the substrate 100) is preferably set to 20 ° to 70 °.

물론 유기 발광 소자(130) 자체의 면적(결국 화소전극(131)의 면적)은 도 1에 도시된 것과 같은 종래의 유기 발광 디스플레이 장치의 유기 발광 소자(30)에 비해 크게 줄어들지 않게 되므로, 유기 발광 소자(130)에서 광을 생성하여 유기 발광 디스플레이 장치에서 이미지를 구현할 시에는 그 휘도가 종래의 유기 발광 디스플레이 장치보다 저하되거나 하지 않게 된다. 또한 유기 발광 소자(130)들 사이의 간격 역시 종래의 유기 발광 디스플레이 장치에 구비되는 유기 발광 소자들 사이의 간격보다 커지지 않도록 할 수 있으므로, 투명 디스플레이 장치를 구현하면서도 해상도가 저하되지 않도록 할 수 있다.Of course, the area of the organic light emitting element 130 itself (the area of the pixel electrode 131) is not significantly reduced compared to the organic light emitting element 30 of the conventional organic light emitting display device as shown in FIG. When the light is generated by the element 130 to implement an image in the organic light emitting display device, the luminance is not lowered or lower than that of the conventional organic light emitting display device. In addition, the spacing between the organic light emitting diodes 130 may also not be larger than the spacing between the organic light emitting diodes provided in the conventional organic light emitting display device, so that resolution may not be reduced while implementing a transparent display device.

유기 발광 소자(130)가 기판(100)에 대해 비스듬하게 배치되도록 하기 위하여, 구체적으로는 도 2에 도시된 것과 같이 경사형성부(119)를 더 구비할 수 있다. 이 경사형성부(119)는 기판(100) 상에 배치되는 것으로, 기판(100)과 평행한 제1상면(119a) 및 기판(100)에 대해 비스듬한 제2상면(119b)을 갖는다. 유기 발광 소자(130)는 경사형성부(119)의 제2상면(119b) 상에 배치된다. 이러한 경사형성부(119)는 입사하는 광의 적어도 일부를 투과시키는 물질로 형성할 수 있는 바, 예컨대 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 옥사이드 등과 같은 물질로 형성할 수 있다.In order for the organic light emitting device 130 to be disposed obliquely with respect to the substrate 100, in detail, the organic light emitting device 130 may further include an inclination forming unit 119 as illustrated in FIG. 2. The inclined forming portion 119 is disposed on the substrate 100 and has a first upper surface 119a parallel to the substrate 100 and a second upper surface 119b oblique to the substrate 100. The organic light emitting element 130 is disposed on the second upper surface 119b of the inclined portion 119. The inclined portion 119 may be formed of a material that transmits at least a portion of incident light, and may be formed of a material such as silicon nitride or silicon oxide.

한편, 능동 구동형 유기 발광 디스플레이 장치의 경우에는 도 2에 도시된 것과 같이 기판(100) 상에 박막 트랜지스터(120)가 배치되고 이 박막 트랜지스터(120)를 덮는 평탄화막(116)을 더 구비할 수도 있는데, 이 경우 경사형성부(119)는 평탄화막(116) 상에 배치된다.Meanwhile, in the case of an active driving type organic light emitting display device, a thin film transistor 120 is disposed on the substrate 100 and further includes a planarization film 116 covering the thin film transistor 120, as shown in FIG. 2. In this case, the inclination forming unit 119 is disposed on the planarization layer 116.

박막 트랜지스터(120)는 소스전극(121)과, 드레인전극(123)과, 소스전극(121) 및 드레인전극(123)에 각각 접하는 반도체층(125)과, 소스전극(121)과 드레인전극(123)과 반도체층(125)과 절연된 게이트전극(127)을 포함한다. 반도체층(125)을 게이트전극(127)으로부터 절연시키기 위해 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 절연성 물질로 형성된 게이트절연막(114)이 그 사이에 개재될 수 있으며, 소스전극(121)과 드레인전극(123)을 게이트전극(127)으로부터 절연시키기 위해 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 절연성 물질로 형성된 층간절연막(116)이 그 사이에 개재될 수 있다. 물론 소스전극(121)과 드레인전극(123)은 반도체층(125)에 각각 접하는 바, 이를 위해 게이트절연막(114)과 층간절연막(116)에는 컨택홀들이 형성될 수 있다.The thin film transistor 120 includes a source electrode 121, a drain electrode 123, a semiconductor layer 125 in contact with the source electrode 121, and a drain electrode 123, and a source electrode 121 and a drain electrode ( 123 and the gate electrode 127 insulated from the semiconductor layer 125. In order to insulate the semiconductor layer 125 from the gate electrode 127, a gate insulating film 114 formed of an insulating material such as silicon oxide or silicon nitride may be interposed therebetween, and the source electrode 121 and the drain electrode ( An interlayer insulating film 116 formed of an insulating material such as silicon oxide or silicon nitride may be interposed therebetween to insulate the 123 from the gate electrode 127. Of course, the source electrode 121 and the drain electrode 123 may be in contact with the semiconductor layer 125, and contact holes may be formed in the gate insulating layer 114 and the interlayer insulating layer 116.

반도체층(125)은 비정질 실리콘층, 다결정질 실리콘층, 산화물 반도체물질층으로 형성될 수 있으며, 또는 유기 반도체 물질로 형성될 수도 있다. 도면에서 자세히 도시되지는 않았으나, 필요에 따라 반도체층(125)은 도펀트로 도핑되는 소스 영역 및 드레인 영역과, 채널 영역을 구비할 수 있다. 소스전극(121)과 드레인전극(123)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 티타늄, 몰리텅스텐, 은, 구리 또는 알루미늄 등과 같은 물질로 형성될 수 있다. 물론 이와 같은 소스전극(121)과 드레인전극(123)은 단일층으로 형성될 수도 있을 뿐만 아니라 다층 구조로도 형성될 수도 있는데, 예컨대 티타늄층과 알루미늄층과 티타늄층의 구조를 가질 수도 있다. 게이트전극(127)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 MoW, Ag, Cu 또는 Al 등과 같은 물질로 형성될 수 있다.The semiconductor layer 125 may be formed of an amorphous silicon layer, a polycrystalline silicon layer, an oxide semiconductor material layer, or may be formed of an organic semiconductor material. Although not shown in detail in the drawings, the semiconductor layer 125 may include a source region and a drain region doped with a dopant, and a channel region, if necessary. The source electrode 121 and the drain electrode 123 may be formed of a material such as titanium, molybdenum, silver, copper, or aluminum in consideration of conductivity. Of course, the source electrode 121 and the drain electrode 123 may be formed not only in a single layer but also in a multilayer structure, for example, may have a structure of a titanium layer, an aluminum layer, and a titanium layer. The gate electrode 127 may be formed of a material such as MoW, Ag, Cu, or Al in consideration of adhesion to adjacent layers, surface flatness of the stacked layers, and workability.

평탄화막(116)은 박막 트랜지스터(120)를 덮으면서 그 상면이 평탄한 것으로, 아크릴 등과 같은 물질로 형성할 수 있다. 화소전극(131)은 박막 트랜지스터(120)의 소스전극(121)과 드레인전극(123) 중 어느 한 전극에 전기적으로 연결되는 바, 이를 위해 평탄화막(116)은 박막 트랜지스터(120)의 소스전극(121)과 드레인전극(123) 중 어느 한 전극의 적어도 일부를 평탄화막(116) 외측으로 노출시키는 컨택홀(116a)을 가지며, 화소전극(131)은 박막 트랜지스터(120)의 소스전극(121)과 드레인전극(123) 중 컨택홀(116a)에 의해 노출된 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.The planarization layer 116 covers the thin film transistor 120 and has a flat top surface, and may be formed of a material such as acrylic. The pixel electrode 131 is electrically connected to any one of the source electrode 121 and the drain electrode 123 of the thin film transistor 120. For this purpose, the planarization layer 116 is a source electrode of the thin film transistor 120. A contact hole 116a exposing at least a portion of one of the 121 and drain electrodes 123 to the outside of the planarization layer 116, and the pixel electrode 131 is a source electrode 121 of the thin film transistor 120. ) And the electrode exposed by the contact hole 116a of the drain electrode 123 may be electrically connected.

이 경우, 화소전극(131)은 도 2의 일부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 도 3에 도시된 것과 같이 평탄화막(116) 상에 배치되어 기판(100)과 평행한 제1부분(131a)과, 경사형성부(119)의 제2상면(119b) 상에 배치되어 기판(100)에 대하여 비스듬한 제2부분(131b)을 가질 수 있다. 중간층(135)은 도 3에 도시된 것과 같이 화소전극(131)의 제1부분(131a)과 제2부분(131b) 상에 걸쳐 배치될 수도 있고, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도인 도 4에 도시된 바와 같이 중간층(135)은 화소전극(131)의 제1부분(131a)을 제외한 부분 상에 배치될 수도 있다. 도 4에 도시된 것과 같은 경우 중간층(135) 하면이 도 3에 도시된 것과 같은 경우보다 꺾이는 부분이 적기 때문에 중간층(135)을 더욱 균일하게 형성할 수 있으며, 이에 따라 유기 발광 소자의 불량률을 획기적으로 낮출 수 있다.In this case, the pixel electrode 131 is disposed on the planarization film 116 as shown in FIG. 3, which is a schematic enlarged view of a portion of FIG. 2, and the first portion 131a parallel to the substrate 100. The second part 131b may be disposed on the second upper surface 119b of the inclined forming part 119 to be oblique to the substrate 100. The intermediate layer 135 may be disposed on the first portion 131a and the second portion 131b of the pixel electrode 131 as illustrated in FIG. 3, and may emit organic light according to another embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 4, which is a cross-sectional view schematically illustrating a portion of the display device, the intermediate layer 135 may be disposed on a portion other than the first portion 131a of the pixel electrode 131. In the case shown in FIG. 4, since the lower surface of the intermediate layer 135 has fewer bending portions than the case shown in FIG. 3, the intermediate layer 135 may be formed more uniformly, thereby significantly reducing the defective rate of the organic light emitting device. Can be lowered.

한편, 화소전극(131)의 가장자리를 덮는 화소정의막(118)을 더 구비할 수 있 는 바, 이 화소정의막(118)이 화소전극(131)의 제2부분(131b)의 적어도 일부를 화소정의막(118) 외측으로 노출시키도록 할 수 있다. 이를 통해 중간층(135)이 화소전극(131)의 제1부분(131a)을 제외한 부분 상에 배치되도록 할 수 있다.The pixel definition layer 118 may be further provided to cover the edges of the pixel electrode 131. The pixel definition layer 118 may cover at least a portion of the second portion 131b of the pixel electrode 131. The pixel defining layer 118 may be exposed to the outside. As a result, the intermediate layer 135 may be disposed on a portion of the pixel electrode 131 except for the first portion 131a.

한편, 박막 트랜지스터(120)는 전술한 바와 같이 소스전극(121), 드레인전극(123), 게이트전극(125) 등과 같은 광을 통과시키지 않는 구성요소들을 구비할 수 있는 바, 유기 발광 소자(130)를 기판(100)에 대해 비스듬하게 배치시킴으로써 유기 발광 디스플레이 장치에 입사한 광의 투과도를 높인다 하더라도 유기 발광 디스플레이 장치에 입사한 광이 박막 트랜지스터(120)에 의해 차단될 수도 있다. 따라서, 화소전극(131)이 경사형성부(119) 상에 배치되거나 평탄화막(116)과 경사형성부(119)에 걸쳐 배치되도록 하고, 박막 트랜지스터(120)는 이 화소전극(131) 하부에 배치되도록 할 수 있다. 화소전극(131)은 반사성 물질로 형성될 수 있어 광을 통과시키지 않은 바, 따라서 박막 트랜지스터(120) 역시 이러한 화소전극(131)에 의해 광이 차단되는 영역에 배치시킴으로써 박막 트랜지스터(120)에 의해 추가적으로 광이 차단되는 것을 방지하기 위함이다. 이러한 구성을 효과적으로 구현하기 위하여, 박막 트랜지스터(120)의 기판(100) 상으로의 정사영 이미지와 화소전극(131)의 기판(100) 상으로의 정사영 이미지가 중첩되도록 박막 트랜지스터(120)와 화소전극(131)을 배치할 수 있다.Meanwhile, as described above, the thin film transistor 120 may include components that do not pass light such as the source electrode 121, the drain electrode 123, and the gate electrode 125. ) Is obliquely disposed with respect to the substrate 100 to increase the transmittance of the light incident on the organic light emitting display device, but the light incident on the organic light emitting display device may be blocked by the thin film transistor 120. Accordingly, the pixel electrode 131 is disposed on the inclination forming unit 119 or is disposed over the planarization film 116 and the inclination forming unit 119, and the thin film transistor 120 is disposed under the pixel electrode 131. Can be deployed. Since the pixel electrode 131 may be formed of a reflective material and thus does not pass light, the thin film transistor 120 is also disposed in the region where the light is blocked by the pixel electrode 131. In addition to preventing the light is blocked. In order to effectively implement such a configuration, the thin film transistor 120 and the pixel electrode overlap the orthographic image on the substrate 100 of the thin film transistor 120 and the orthographic image on the substrate 100 of the pixel electrode 131. 131 may be disposed.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정 한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

도 1은 종래의 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a conventional organic light emitting display device.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 일부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view schematically illustrating a portion of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically illustrating a portion of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 기판 112: 게이트절연막100 substrate 112 gate insulating film

114: 층간절연막 116: 평탄화막114: interlayer insulating film 116: planarization film

118: 화소정의막 119: 경사형성부118: pixel defining layer 119: inclined forming portion

120: 박막 트랜지스터 121: 소스전극120: thin film transistor 121: source electrode

123: 드레인전극 125: 반도체층123: drain electrode 125: semiconductor layer

127: 게이트전극 130: 유기 발광 소자127: gate electrode 130: organic light emitting device

131: 화소전극 133: 대향전극131: pixel electrode 133: counter electrode

135: 중간층135: middle layer

Claims (10)

기판; 및Board; And 화소전극, 상기 화소전극과 대향된 대향전극 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층을 갖는 유기 발광 소자;를 구비하며,And an organic light emitting element having a pixel electrode, an opposite electrode facing the pixel electrode, and an intermediate layer interposed between the pixel electrode and the opposite electrode and including a light emitting layer. 상기 유기 발광 소자는 상기 기판에 대하여 비스듬하게 배치된 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And the organic light emitting element is disposed obliquely with respect to the substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 상에 배치되며, 상기 기판과 평행한 제1상면 및 상기 기판에 대해 비스듬한 제2상면을 갖는 경사형성부를 더 구비하고,An inclination forming portion disposed on the substrate and having a first upper surface parallel to the substrate and a second upper surface oblique to the substrate; 상기 유기 발광 소자는 상기 경사형성부의 상기 제2상면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And the organic light emitting diode is disposed on the second upper surface of the inclined portion. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터; 및A thin film transistor disposed on the substrate; And 상기 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화막;을 더 구비하고,And a planarization film covering the thin film transistor. 상기 경사형성부는 상기 평탄화막 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And the inclination forming portion is disposed on the planarization layer. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 화소전극은 상기 평탄화막 상에 배치되어 상기 기판과 평행한 제1부분과, 상기 경사형성부의 제2상면 상에 배치되어 상기 기판에 대하여 비스듬한 제2부분을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And the pixel electrode is disposed on the planarization layer and has a first portion parallel to the substrate, and a second portion disposed on a second upper surface of the inclined forming portion and oblique to the substrate. . 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 중간층은 상기 화소전극의 상기 제1부분을 제외한 부분 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And the intermediate layer is disposed on a portion other than the first portion of the pixel electrode. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막을 더 구비하며, 상기 화소정의막은 상기 화소전극의 제2부분의 적어도 일부를 상기 화소정의막 외측으로 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And a pixel definition layer covering an edge of the pixel electrode, wherein the pixel definition layer exposes at least a portion of the second portion of the pixel electrode to the outside of the pixel definition layer. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 평탄화막은 상기 박막 트랜지스터의 소스전극과 드레인전극 중 어느 한 전극의 적어도 일부를 상기 평탄화막 외측으로 노출시키는 컨택홀을 가지며, 상기 화소전극은 상기 박막 트랜지스터의 소스전극과 드레인전극 중 상기 컨택홀에 의해 노출된 전극에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장 치.The planarization layer has a contact hole exposing at least a portion of one of the source electrode and the drain electrode of the thin film transistor to the outside of the planarization layer, and the pixel electrode is formed in the contact hole of the source electrode and the drain electrode of the thin film transistor. An organic light emitting display device, characterized in that it is electrically connected to the exposed electrode. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 화소전극은 상기 경사형성부 상에 배치되거나 상기 평탄화막과 상기 경사형성부에 걸쳐 배치되며,The pixel electrode is disposed on the inclined forming portion or across the planarization film and the inclined forming portion. 상기 박막 트랜지스터는 상기 화소전극 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.The thin film transistor is disposed below the pixel electrode. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 박막 트랜지스터의 상기 기판 상으로의 정사영 이미지와 상기 화소전극의 상기 기판 상으로의 정사영 이미지가 중첩되도록 상기 박막 트랜지스터와 상기 화소전극이 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And the thin film transistor and the pixel electrode are arranged such that an orthographic image on the substrate of the thin film transistor and an orthographic image on the substrate are overlapped with each other. 제8항 또는 제9항에 있어서,10. The method according to claim 8 or 9, 상기 화소전극은 반사성 물질로 형성된 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.The pixel electrode includes a layer formed of a reflective material.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101108170B1 (en) * 2010-03-15 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
KR20120019025A (en) * 2010-08-24 2012-03-06 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display device
US20160020430A1 (en) * 2014-07-17 2016-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus
US9287339B2 (en) 2010-10-28 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR20160034461A (en) * 2014-09-19 2016-03-30 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device
TWI549284B (en) * 2010-10-28 2016-09-11 三星顯示器有限公司 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US10141381B2 (en) 2015-04-13 2018-11-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode (OLED) array substrate, method of manufactering the same, and related display apparatus
EP3499578A1 (en) * 2017-12-18 2019-06-19 LG Display Co., Ltd. Multi-view display device
US10439012B2 (en) 2017-11-21 2019-10-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20210035749A (en) * 2019-09-23 2021-04-01 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Display device and method of fabricating the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3785710B2 (en) * 1996-12-24 2006-06-14 株式会社デンソー EL display device
JP4009817B2 (en) 2001-10-24 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
JP4165478B2 (en) * 2003-11-07 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
JP4534054B2 (en) 2004-06-25 2010-09-01 京セラ株式会社 Organic EL display panel and its manufacturing method

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101108170B1 (en) * 2010-03-15 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
US8193017B2 (en) 2010-03-15 2012-06-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US8796702B2 (en) 2010-03-15 2014-08-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
KR20120019025A (en) * 2010-08-24 2012-03-06 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display device
US9761647B2 (en) 2010-10-28 2017-09-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US9287339B2 (en) 2010-10-28 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
TWI549284B (en) * 2010-10-28 2016-09-11 三星顯示器有限公司 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US9484554B2 (en) 2014-07-17 2016-11-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus
US20160020430A1 (en) * 2014-07-17 2016-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus
KR20160034461A (en) * 2014-09-19 2016-03-30 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device
US10141381B2 (en) 2015-04-13 2018-11-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode (OLED) array substrate, method of manufactering the same, and related display apparatus
US10439012B2 (en) 2017-11-21 2019-10-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
EP3499578A1 (en) * 2017-12-18 2019-06-19 LG Display Co., Ltd. Multi-view display device
US10804330B2 (en) 2017-12-18 2020-10-13 Lg Display Co., Ltd. Multi-view display device
KR20210035749A (en) * 2019-09-23 2021-04-01 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Display device and method of fabricating the same

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