KR20100040508A - 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법 - Google Patents

태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100040508A
KR20100040508A KR1020080099650A KR20080099650A KR20100040508A KR 20100040508 A KR20100040508 A KR 20100040508A KR 1020080099650 A KR1020080099650 A KR 1020080099650A KR 20080099650 A KR20080099650 A KR 20080099650A KR 20100040508 A KR20100040508 A KR 20100040508A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass substrate
etchant
texturing
solar cell
nozzle
Prior art date
Application number
KR1020080099650A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101055891B1 (ko
Inventor
최영환
Original Assignee
최영환
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 최영환 filed Critical 최영환
Priority to KR1020080099650A priority Critical patent/KR101055891B1/ko
Publication of KR20100040508A publication Critical patent/KR20100040508A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101055891B1 publication Critical patent/KR101055891B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • H01L31/02366Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법은 글래스 기판(100) 상에 마스크층이 형성되어 있지 않은 상태에서 글래스 기판(100)을 습식 식각하여 글래스 기판(100) 상에 요철부를 형성하는 것을 특징으로 하며, (a) 글래스 기판(100)을 준비하는 단계; 및 (b) 글래스 기판(100)의 표면에 노즐(111)을 통하여 글래스 기판(100)을 식각할 수 있는 식각액(121)을 분사하는 단계를 포함한다.
태양전지, 텍스처링, 습식 식각, 노즐

Description

태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법{A Texturing Method For Glass Substrate Of Solar Cell}
본 발명은 태양전지에 관한 것이다. 보다 상세하게는 태양전지용 글래스 기판의 표면을 습식 식각하여 태양전지용 글래스 기판의 표면에 요철이 형성되도록 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법에 관한 것이다.
태양전지는 외부에서 들어온 빛에 의해 태양전지의 반도체 내부에서 전자와 정공의 쌍이 생성되고, 이러한 전자와 정공의 쌍에서 pn 접합에서 발생한 전기장에 의해 전자는 n형 반도체로 이동하고 정공은 p형 반도체로 이동함으로써 전력을 생산한다.
태양광을 전기 에너지로 변환시킬 수 있는 태양전지의 전력 생산 성능은 일반적으로 광 에너지가 전기 에너지로 변환되는 광전 변환 효율을 측정한다.
한편, 태양전지로 입사된 태양광의 일부는 태양전지를 구성하는 다양한 층간의 경계에서 반사됨으로써 태양전지의 전력 생산에 기여할 수 없게 되어 태양전지의 효율을 떨어드린다. 따라서, 태양전지의 효율을 향상시키기 위해서는 상술한 바와 같은 태양광의 반사 양을 가급적 줄여야 한다.
이를 위하여, 태양전지에서는 텍스쳐링(texturing) 공정이 널리 쓰이고 있다. 텍스쳐링 공정이란 태양전지를 구성하는 기판이나 다양한 층의 표면을 거칠게 만드는 것, 즉 기판이나 다양한 층의 표면에 요철 형상의 패턴을 형성하는 것을 말한다. 예를 들어, 태양전지용 글래스 기판의 표면이 거칠어지면 표면에서 한번 반사된 빛이 재반사되어 입사된 빛의 반사율을 감소시킴으로써 광 포획량이 증가되어 태양전지의 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
최근 사용되는 있는 텍스처링 방법으로는 플라즈마 식각법, 스크라이빙(scribing)법, 샌드 블라스트법(sand blast) 등이 알려져 있다.
플라즈마 식각법은 기판 상에 포토레지스트 또는 실리콘 산화막과 같은 마스크 레이어를 형성한 후 플라즈마로 기판을 식각하여 기판 상에 요철 패턴을 형성하는 방법으로서 공정 시간이 오래 걸리며 고가의 진공 장비가 필요하기 때문에 공정 단가가 높다는 문제점이 있었다.
또한, 스크라이빙법은 기판 표면을 기계적으로 절삭하여 V형 홈을 형성한 후 상기 홈을 화학적으로 식각하여 기판 상에 요철 패턴을 형성하는 방법으로서 이 역시 공정 시간이 오래 걸리는 문제점이 있었다.
또한, 샌드 블라스트법은 글래스 기판의 표면을 모래 등을 물리적으로 충돌시켜서 기판 상에 요철 패턴을 형성하는 방법으로서 기판이 오염되거나 기판에 크랙이 발생하는 등 텍스쳐링 과정에서 기판이 손상되는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 공정 방식이 간단하고 공정 시간이 단축되며 공정 단가가 저렴한 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법은 글래스 기판 상에 마스크층이 형성되어 있지 않은 상태에서 상기 글래스 기판을 습식 식각하여 상기 글래스 기판 상에 요철부를 형성하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법은 (a) 글래스 기판을 준비하는 단계; 및 (b) 상기 글래스 기판의 표면에 노즐을 통하여 상기 글래스 기판을 식각할 수 있는 식각액을 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 식각액에 의하여 상기 글래스 기판이 식각되어 상기 글래스 기판 상에 요철부가 형성될 수 있다.
상기 (b) 단계에서 상기 글래스 기판 상에는 마스크층이 형성되어 있지 않을 수 있다.
상기 글래스 기판이 수직으로 세워진 상태에서 상기 식각액을 분사할 수 있다.
상기 노즐은 스트레이트형 노즐일 수 있다.
상기 스트레이트형 노즐은 복수개가 1 열 또는 1 행의 형태로 배열될 수 있다.
상기 스트레이트형 노즐은 복수개가 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
상기 노즐은 슬릿형 노즐일 수 있다.
상기 (b) 단계에서 상기 글래스 기판은 상기 노즐의 일측 방향으로 이동할 수 있다.
상기 (b) 단계에서 상기 글래스 기판과 상기 노즐 중의 적어도 하나에 진동을 인가할 수 있다.
상기 식각액은 불산, 황산, 질산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 (b) 단계에서 상기 식각액의 종류, 상기 식각액의 농도, 상기 식각액의 온도, 상기 식각액의 분사 압력, 상기 식각액의 분사 시간 중 적어도 하나를 조절하여 상기 글래스 기판을 식각할 수 있다.
상기 (b) 단계에서 상기 글래스 기판의 제1 표면에는 제1 노즐을 통하여 상기 글래스 기판의 제1 표면을 식각할 수 있는 제1 식각액을 분사하고, 상기 글래스 기판의 제2 표면에는 제2 노즐을 통하여 상기 글래스 기판의 제2 표면을 식각할 수 있는 제2 식각액을 분사할 수 있다.
상기 제1 식각액과 상기 제2 식각액은 식각액의 종류, 식각액의 농도, 식각액의 온도, 식각액의 분사 압력, 식각액의 분사 시간 중 적어도 하나가 다르게 조절될 수 있다.
본 발명에 따르면, 태양전지용 글래스 기판의 표면을 습식 식각하여 태양전지용 글래스 기판의 표면에 소정의 요철 패턴을 형성함으로써 방식이 간단하고 공정 시간이 단축되며 공정 단가가 저렴하게 태양전지용 글래스 기판을 텍스쳐링 할 수 있는 효과를 갖는다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현 될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일 또는 유사한 기능을 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
먼저, 본 발명에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법은 글래스 기판 상에 마스크층이 형성되어 있지 않은 상태에서 상기 글래스 기판을 습식 식각하여 상기 글래스 기판 상에 요철부를 형성하는 것을 특징으로 한다. 즉, 본 발명은 요철부의 원 패턴이 형성되어 있는 마스크층의 개재 없이 글래스 기판의 표면을 글래스 기판을 습식 식각할 수 있는 식각액으로 글래스 기판의 표면을 식각하여 글래스 기판 상에 요철부를 형성함으로써 글래스 기판을 텍스쳐링 하는 것을 특징으로 한다.
도 1a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1a를 참조하면, 본 실시예에 따른 텍스쳐링 방법은 글래스 기판(100)의 표면에 복수개의 스트레이트형 노즐(111)을 통하여 글래스 기판(100)을 식각할 수 있는 식각액(121)을 분사하는 단계를 포함한다.
글래스 기판(100)은 통상적인 태양전지 제조시 채용할 수 있는 어떠한 글래스 기판이라도 포함할 수 있으며, 예를 들어, 일반 글래스, 저철분 글래스, 강화 글래스 등을 포함할 수 있다.
스트레이트형 노즐(111)은 소정의 액체를 분사할 수 있는 형태의 노즐이면 특별하게 제한되지는 않으나 본 발명에서 노즐을 통하여 분사되는 액체가 글래스 기판을 식각할 수 있는 식각액이므로 스트레이트형 노즐(111)은 상기 식각액에 노출되어도 손상되지 않는 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 도 1a를 참조하면, 본 실시예에서는 글래스 기판(100)을 수직으로 세 운 상태(즉 텍스쳐링 면이 지면에 대하여 수직인 상태)에서 텍스쳐링 공정을 수행하는 것으로 도시되어 있지만 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 필요에 따라서는 글래스 기판(100)을 수평으로 누인 상태(즉 텍스쳐링 면이 지면에 대하여 수평인 상태)에서 텍스쳐링 공정을 수행할 수도 있다.
또한, 도 1a를 참조하면, 본 실시예에서는 복수개의 스트레이트형 노즐(111)을 이용하여 텍스쳐링 공정을 수행하는 것으로 도시되어 있지만 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 필요에 따라서는 단일 노즐을 사용하여 텍스쳐링 공정을 수행할 수도 있다. 다만 단일 노즐을 사용하는 경우에는 텍스쳐링 공정 수행시 글래스 기판에 대하여 노즐을 스캐닝 하는 방식 등을 이용하여 텍스쳐링 공정의 생산성 제고를 도모할 수 있다.
또한, 도 1a를 참조하면, 본 실시예에서는 복수개의 스트레이트형 노즐(111)을 매트릭스 형태로 배열하여 텍스쳐링 공정을 수행하는 것으로 도시되어 있지만 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 필요에 따라서는 복수개의 노즐(111)을 1 열 또는 1 행의 형태로 배열하여 텍스쳐링 공정을 수행할 수도 있다. 다만 1 열 또는 1 행의 형태로 배열된 노즐을 사용하는 경우에는 텍스쳐링 공정 수행시 글래스 기판에 대하여 노즐을 스캐닝 하는 방식 등을 이용하여 텍스쳐링 공정의 생산성 제고를 도모할 수 있다.
한편, 도 1a에는 도시되어 있지 않지만, 글래스 기판(100)의 표면에 노즐(111)을 통하여 식각액(121)을 분사하는 과정 중에 글래스 기판(100)은 노즐(121)의 일측 방향으로 이동할 수 있다. 이는 텍스쳐링 공정의 생산성 향상을 위하여 텍스쳐링 공정 중에 노즐(111)에 대하여 글래스 기판(100)을 이동시킴으로써 복수개의 글래스 기판(100)에 대하여 연속적으로 텍스쳐링 공정을 수행할 수 있도록 하기 위함이다.
또한, 도 1a에는 도시되어 있지 않지만, 글래스 기판(100)의 표면에 노즐(111)을 통하여 식각액(121)을 분사하는 과정 중에 글래스 기판(100)과 노즐(111) 중의 적어도 하나에 진동을 인가할 수 있다. 이는 텍스쳐링 공정의 균일도 향상을 위하여 텍스쳐링 공정 중에 글래스 기판(100) 및/또는 노즐(111)에 진동을 인가함으로써 글래스 기판(100)은 노즐(111)에 대하여 전후로 오실레이션(oscillation)하고, 및/또는 노즐(111)은 글래스 기판(100)에 대하여 상하로 오실레이션 하도록 하기 위함이다.
식각액(121)은, 예를 들어, 일반 글래스, 저철분 글래스, 강화 글래스 등을 포함하는 글래스 기판(100)을 식각할 수 있는 불산, 황산, 질산 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만 반드시 이에 한정되지는 않는다.
또한, 글래스 기판(100)의 표면에 식각액(121)을 분사하는 과정에서 식각액(121)의 종류, 식각액(121)의 농도, 식각액(121)의 온도, 식각액(121)의 분사 압력, 식각액(121)의 분사 시간 중 적어도 하나를 조절하여 글래스 기판(100)의 식각 정도, 즉 텍스쳐링 정도를 조절할 수 있다.
도 1b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1b를 참조하면, 본 실시예에 따른 텍스쳐링 방법은 글래스 기판(100)의 양 표면에 복수개의 스트레이트형 노즐(112, 113)을 통하여 글래스 기판(100)을 식각할 수 있는 식각액(122, 123)을 분사하는 단계를 포함한다.
도시한 바와 같이, 도 1b의 제2 실시예에 따른 방법은 도 1a의 제1 실시예에 따른 방법과 비교할 때 글래스 기판(100)의 양 표면을 동시에 식각하여 텍스쳐링 공정을 수행하는 점을 제외하고는 특별한 차이점이 없다는 것을 알 수 있다. 이에 이하의 제2 실시예에 대한 설명은 상기 제1 실시예와의 차이점에 대해서만 하기로 한다.
도 1b를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 텍스처링 방법은 제1 스트레이트형 노즐(112)과 제2 스트레이트형 노즐(113)을 통하여 글래스 기판(100)의 양 표면에 각각 제1 식각액(122)과 제2 식각액(123)을 분사함으로써 글래스 기판(100)의 양면에 대하여 동시에 텍스쳐링 공정을 수행하는 것을 특징으로 한다. 이는 태양전지의 응용 분야에 따라서는 글래스 기판의 양면을 텍스쳐링 해야 하는 경우에 있는데 이러한 경우에 본 실시예의 방법을 채용하면 글래스 기판의 양면을 효율적으로 텍스쳐링 할 수 있게 된다.
이때 글래스 기판(100)의 전면에는 제1 스트레이트형 노즐(112)을 통하여 글래스 기판(100)의 전면을 식각할 수 있는 제1 식각액(122)을 분사하고, 글래스 기판(100)의 후면에는 제2 스트레이트형 노즐(113)을 통하여 글래스 기판의 후면을 식각할 수 있는 제2 식각액(123)을 분사할 수 있다.
또한, 이때 제1 식각액(122)과 제2 식각액(123)은 식각액의 종류, 식각액의 농도, 식각액의 온도, 식각액의 분사 압력, 식각액의 분사 시간 중 적어도 하나가 다르게 조절될 수 있으며, 그 결과 글래스 기판(100)의 양면의 텍스쳐링 정도를 다르게 조절할 수 있다.
한편, 도 1b를 참조하면, 본 실시예에서는 글래스 기판(100)을 동시에 텍스쳐링 하기 위하여 글래스 기판(100)의 양측에 제1 및 제2 스트레이트형 노즐(112, 113)을 설치하여 텍스쳐링 공정을 수행하는 것으로 도시되어 있지만 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 필요에 따라서는 도 1a에서와 같이 글래스 기판(100)의 전면 측에만 스트레이트형 노즐(111)을 설치하고 글래스 기판(100)의 전면에 대하여 식각액(121)을 분사하여 텍스쳐링 공정을 수행하고, 글래스 기판(100)의 후면은 글래스 기판(100)의 전면에 대하여 식각액(121)을 분사하는 과정에서 발생하는 식각액(120)의 증기(fume)에 의하여 텍스쳐링 공정을 수행함으로써 글래스 기판(100)의 양면에 대하여 동시에 텍스쳐링 공정을 수행할 수도 있다.
도 2a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2a를 참조하면, 본 실시예에 따른 텍스쳐링 방법은 글래스 기판(100)의 표면에 슬릿형 노즐(114)을 통하여 글래스 기판(100)을 식각할 수 있는 식각액(124)을 분사하는 단계를 포함한다.
도시한 바와 같이, 도 2a의 제3 실시예에 따른 방법은 도 1a의 제1 실시예에 따른 방법과 비교할 때 복수개의 스트레이트형 노즐(111) 대신에 단일개의 슬릿형 노즐(114)을 사용하여 글래스 기판(100)에 대하여 텍스쳐링 공정을 수행하는 점을 제외하고는 특별한 차이점이 없다는 것을 알 수 있다. 이에 이하의 제3 실시예에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 2b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2b를 참조하면, 본 실시예에 따른 텍스쳐링 방법은 글래스 기판(100)의 양 표면에 슬릿형 노즐(115, 116)을 통하여 글래스 기판(100)을 식각할 수 있는 식각액(125, 126)을 분사하는 단계를 포함한다.
도시한 바와 같이, 도 2b의 제4 실시예에 따른 방법은 도 2a의 제3 실시예에 따른 방법과 비교할 때 글래스 기판(100)의 양 표면을 동시에 식각하여 텍스쳐링 공정을 수행하는 점을 제외하고는 특별한 차이점이 없다는 것을 알 수 있다. 이에 이하의 제4 실시예에 대한 설명은 상기 제3 실시예와의 차이점에 대해서만 하기로 한다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 텍스처링 방법은 제1 슬릿형 노즐(115)과 제2 슬릿형 노즐(116)을 통하여 글래스 기판(100)의 양 표면에 각각 제1 식각액(125)과 제2 식각액(126)을 분사함으로써 글래스 기판(100)의 양면에 대하여 동시에 텍스쳐링 공정을 수행하는 것을 특징으로 한다.
도 3은 본 발명에 따라 텍스쳐링된 태양전지용 글래스 기판의 표면을 촬영한 SEM 사진이다.
도 3의 SEM 사진은 글래스 기판의 표면에 스트레이트형 노즐을 통하여 상온에서 황산과 질산을 혼합한 식각액을 20분간 분사한 후에 글래스 기판의 표면을 촬영한 것이다.
도시한 바와 같이, 태양전지용 글래스 기판의 표면에 요철부가 형성되어 텍스쳐링된 글래스 기판을 얻을 수 있음을 알 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법은 글래스 기판 상에 마스크층이 형성되어 있지 않은 상태에서 글래스 기판을 습식 식각하여 글래스 기판 상에 요철부를 형성하는 것을 특징으로 함으로써, 방식이 간단하고 공정 시간이 단축되며 공정 단가가 저렴한 이점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
도 1a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따라 텍스쳐링된 태양전지용 글래스 기판의 표면을 촬영한 SEM 사진이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 태양전지용 글래스 기판
111, 112, 113: 스트레이트형 노즐
114, 115, 116: 슬릿형 노즐
121, 122, 123, 124, 125, 126: 식각액

Claims (15)

  1. 글래스 기판 상에 마스크층이 형성되어 있지 않은 상태에서 상기 글래스 기판을 습식 식각하여 상기 글래스 기판 상에 요철부를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법.
  2. (a) 글래스 기판을 준비하는 단계; 및
    (b) 상기 글래스 기판의 표면에 노즐을 통하여 상기 글래스 기판을 식각할 수 있는 식각액을 분사하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 식각액에 의하여 상기 글래스 기판이 식각되어 상기 글래스 기판 상에 요철부가 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 글래스 기판 상에는 마스크층이 형성되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 글래스 기판이 수직으로 세워진 상태에서 상기 식각액을 분사하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 노즐은 스트레이트형 노즐인 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 스트레이트형 노즐은 복수개가 1 열 또는 1 행의 형태로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 스트레이트형 노즐은 복수개가 매트릭스 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 노즐은 슬릿형 노즐인 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 글래스 기판은 상기 노즐의 일측 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 글래스 기판과 상기 노즐 중의 적어도 하나에 진동을 인가하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
  12. 제2항에 있어서,
    상기 식각액은 불산, 황산, 질산 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
  13. 제2항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 식각액의 종류, 상기 식각액의 농도, 상기 식각액의 온도, 상기 식각액의 분사 압력, 상기 식각액의 분사 시간 중 적어도 하나를 조절하여 상기 글래스 기판을 식각하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
  14. 제2항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 글래스 기판의 제1 표면에는 제1 노즐을 통하여 상기 글래스 기판의 제1 표면을 식각할 수 있는 제1 식각액을 분사하고, 상기 글래스 기판의 제2 표면에는 제2 노즐을 통하여 상기 글래스 기판의 제2 표면을 식각할 수 있는 제2 식각액을 분사하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 식각액과 상기 제2 식각액은 식각액의 종류, 식각액의 농도, 식각액의 온도, 식각액의 분사 압력, 식각액의 분사 시간 중 적어도 하나가 다르게 조절되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 글래스 기판의 텍스쳐링 방법.
KR1020080099650A 2008-10-10 2008-10-10 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법 KR101055891B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080099650A KR101055891B1 (ko) 2008-10-10 2008-10-10 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080099650A KR101055891B1 (ko) 2008-10-10 2008-10-10 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110023319A Division KR20110033914A (ko) 2011-03-16 2011-03-16 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100040508A true KR20100040508A (ko) 2010-04-20
KR101055891B1 KR101055891B1 (ko) 2011-08-09

Family

ID=42216586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080099650A KR101055891B1 (ko) 2008-10-10 2008-10-10 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101055891B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101304103B1 (ko) * 2011-10-17 2013-09-05 호서대학교 산학협력단 초박형 글래스판 제조 방법
KR101325948B1 (ko) * 2011-12-02 2013-11-07 (주)에스티아이 태양전지용 유리기판 텍스처링 장치 및 방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685393B1 (ko) * 2004-05-24 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 습식 식각 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101304103B1 (ko) * 2011-10-17 2013-09-05 호서대학교 산학협력단 초박형 글래스판 제조 방법
KR101325948B1 (ko) * 2011-12-02 2013-11-07 (주)에스티아이 태양전지용 유리기판 텍스처링 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101055891B1 (ko) 2011-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101010286B1 (ko) 태양 전지의 제조 방법
US9023682B2 (en) Method for producing a photovoltaic solar cell
CN102712999B (zh) 涂覆基材的方法
US20120094421A1 (en) Method of manufacturing solar cell
Addonizio et al. Plasma etched c-Si wafer with proper pyramid-like nanostructures for photovoltaic applications
Wang et al. Investigated performance improvement of the micro-pressure sandblast-treated multi-crystalline Si wafer sliced using diamond wire sawing
KR101055891B1 (ko) 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법
KR20110033914A (ko) 태양전지용 글래스 기판의 텍스처링 방법
KR101030043B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR20100097537A (ko) 요철 구조가 형성된 기판의 제조 방법
KR101083375B1 (ko) 모스-아이 구조를 이용한 태양전지의 제조방법
KR101161807B1 (ko) 플라즈마 도핑과 확산을 이용한 후면접합 태양전지의 제조방법 및 그 태양전지
KR20110133376A (ko) 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법
CN108123009B (zh) 一种rie制绒的黑硅电池的制备方法
KR101382585B1 (ko) 초박형 에미터 접합층을 갖는 블랙 실리콘 태양전지 및 그 제조방법
JP2013008753A (ja) 球状光電変換素子の製造方法。
KR100995708B1 (ko) 요철 구조가 형성된 기판의 제조 방법
KR20120129292A (ko) 태양 전지의 제조 방법
US20140246092A1 (en) Silicon substrate and manufacturing method thereof
KR101359407B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
KR101282951B1 (ko) 태양전지의 제조 방법
KR101103144B1 (ko) 후면전극형 태양전지 제조 방법
KR102301640B1 (ko) 웨이퍼형 태양전지 및 그의 제조 방법
KR101101587B1 (ko) 실리콘 태양전지의 선택적 에미터 형성 방법
KR20120134895A (ko) 태양전지 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140527

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150604

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160721

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170710

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee