KR20110133376A - 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법이 개시된다. 본 발명에 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(110)의 텍스쳐링 방법은 (a) 기판(110)의 표면에 요철부(112)를 형성하는 단계; 및 (b) 기판(110)을 화학적으로 습식 식각하는 습식 식각 공정 또는 기판(110)을 열처리하는 열처리 공정 중 적어도 어느 하나의 공정을 수행하여 기판(110)의 요철부(112)의 경사각을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법{TEXTURING METHOD FOR SUBSTRATE OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATING METHOD FOR ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE USING THE SAME}
본 발명은 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 유기 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드는 다양한 색의 발광이 가능하고 박막화 및 패턴 형성이 용이하기 때문에 평판 표시 소자의 용도로서 매우 활발히 연구되고 있다. 특히, 여러 가지 발광 다이오드 중에서도 유기 발광 다이오드는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으며 낮은 전압으로도 구동될 수 있다는 장점 때문에 최근 가장 활발히 연구되고 있는 소자 중에 하나이다.
유기 발광 다이오드는 통상적으로 투명 기판, 투명 전극, 유기물층, 반사 전극을 포함하여 구성된다. 이와 같이 구성된 유기 발광 다이오드는 반사 전극에서 주입된 전자(electron)와 투명 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기물층에서 결합하면서 광을 발광하는 방식으로 구동된다. 이렇게 발광된 광은 투명 전극과 투명 기판을 투과하여 외부로 빠져나가게 되는데, 이에 따라 유기 발광 다이오드는 외부로 광을 표시할 수 있게 된다.
이때에, 일반적으로는 투명 기판 보다는 투명 전극이, 투명 전극 보다는 외부(공기)가 굴절률이 크다. 이에 따라, 광이 굴절률이 큰 매질에서 굴절률이 작은 매질로 입사할 때 일어날 수 있는 전반사 현상이 유기 발광 다이오드에서도 발생할 수 있게 된다. 이러한 광의 전반사는 외부로 빠져 나오는 광의 양을 감소시켜 유기 발광 다이오드의 발광 효율을 저하시키는 주요한 원인이 되기 때문에 가급적 방지되어야 할 필요성이 대두되고 있다.
한편, 위와 같은 광의 전반사는 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 태양전지 분야에서 이들 소자의 효율을 감소시키는 주요 원인으로 파악되어 이를 해결하기 위한 많은 연구가 이루어지고 있다.
근래에 들어, 위와 같은 광의 전반사를 방지하기 위하여 발광 다이오드나 태양전지의 기판에 요철 패턴을 형성하는 기술이 소개되었다. 요철 패턴은 광의 전반사를 효과적으로 방지할 수 있기 때문에 이를 적극적으로 이용하는 경우 유기 발광 다이오드의 발광 효율을 크게 개선할 수 있게 된다.
통상적으로 요철 패턴은 사진 식각 공정(photolithography)을 통해 형성할 수 있다. 사진 식각 공정에는 화학 용액을 이용하여 기판 표면을 화학적으로 식각하는 습식 식각법과, 반응성 이온 식각(reactive ion etching: RIE)과 같이 식각용 가스를 플라즈마 상태로 형성하여 이를 기판에 충돌시킴으로써 기판 표면을 물리적으로 식각하는 건식 식각법이 있다.
그러나, 습식 식각법은 기판 상에 식각액이 고이는 현상이 발생하여 식각액의 접촉 시간 편차에 따른 식각율의 불균일성을 초래할 뿐만 아니라, 기본적으로 등방성(isotropic) 식각이므로 정밀한 요철 패턴의 형성이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 또한, 건식 식각법은 공정 장비가 고가이고 공정 단가가 높아서 유기 발광 다이오드의 대량 생산에 적용하기가 어려운 문제점이 있었다.
상술한 사진 식각 공정이 가지는 문제점을 해결하고자, 모래 등의 식각 입자를 압축 공기로 뿜어내어 기판에 조사함으로써, 기판의 표면에 요철 패턴을 형성하는 샌드 블래스팅법(sand blasting)이 제안되었다. 이러한 샌드 블래스팅은 공정이 단순하면서도 폐수가 발생되지 않는 장점이 있다.
그러나, 이러한 샌드 블래스팅법도 식각시에 기판 표면[특히, 글래스 기판]이 식각 입자에 의해 강한 물리적 충돌로 손상될 수 있고, 표면에 파티클 등이 잔류할 수 있어 기판의 상부에 형성되는 박막[이를 테면, 투명 전극]을 손상시킬 수 있다는 문제점이 있다. 또한, 다른 식각법에 비하여 기판에 형성되는 요철 패턴의 경사가 상대적으로 크게 될 뿐만 아니라, 분사되는 압력을 일정하게 하여도 실제로 분사되는 식각 입자를 균일하게 제어하는데 한계가 있기 때문에 요철 패턴의 거칠기가 불균일하게 되는 문제점이 있었다.
따라서, 종래의 샌드 블래스팅법을 이용하여 기판의 발광 효율을 기대 만큼 크게 향상시키는데 어려움이 있었다. 이에 종래의 샌드 블래스팅법을 개선하여 유기 발광 다이오드의 발광 효율을 효과적으로 개선시킬 수 있는 새로운 기술이 요구되고 있는 실정이다.
이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 유기 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법은 (a) 기판의 표면에 요철부를 형성하는 단계; 및 (b) 상기 기판을 화학적으로 습식 식각하는 습식 식각 공정 또는 상기 기판을 열처리하는 열처리 공정 중 적어도 어느 하나의 공정을 수행하여 상기 기판의 상기 요철부의 경사각을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기판은 글래스 기판일 수 있다.
상기 (a) 단계는 샌드 블래스팅법을 이용하여 수행될 수 있다.
상기 (b) 단계 이전에 상기 (a) 단계에서 발생하는 잔류물을 제거하는 세정 공정을 더 수행할 수 있다.
상기 세정은 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)의 혼합액을 사용하는 화학적 세정 또는 고압의 물을 사용하는 물리적 세정 중 적어도 어느 하나에 의하여 수행될 수 있다.
상기 세정은 상기 (a) 단계에서 발생하는 잔류물을 화학적으로 제거함과 동시에 물리적으로 제거할 수 있다.
상기 세정은 세정액에 초음파를 인가하여 수행할 수 있다.
상기 세정액은 수산화암모늄(NH40H)과 순수(DIW)의 혼합액일 수 있다.
상기 (b) 단계에서 상기 습식 식각 공정에 이용되는 식각액은 물(H2O)과 불산(HF)의 혼합액일 수 있다.
상기 (b) 단계에서 상기 열처리 공정은 550℃ 내지 750℃의 온도 범위에서 수행될 수 있다.
상기 (b) 단계에서 상기 습식 식각 공정 및 상기 열처리 공정 모두를 수행할 수 있다.
상기 습식 식각 공정을 먼저 수행한 후에 상기 열처리 공정을 수행할 수 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조 방법은 (a) 기판의 표면에 요철부를 형성하는 단계; 및 (b) 상기 기판을 화학적으로 습식 식각하는 습식 식각 공정 또는 상기 기판을 열처리하는 열처리 공정 중 적어도 어느 하나의 공정을 수행하여 상기 기판의 상기 요철부의 경사각을 조절하는 단계; (c) 상기 기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; (d) 상기 투명 전극층 상에 유기물층을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 유기물층 상에 반사 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기판은 글래스 기판일 수 있다.
상기 (a) 단계는 샌드 블래스팅법을 이용하여 수행될 수 있다.
상기 (a) 단계에서 상기 기판의 상부 표면에만 요철부가 형성될 수 있다.
상기 (a) 단계에서 상기 기판의 하부 표면에만 요철부가 형성될 수 있다.
상기 (a) 단계에서 상기 기판의 상부 및 하부 표면 모두에 요철부가 형성될 수 있다.
상기 (b) 단계 이전에 상기 (a) 단계에서 발생하는 잔류물을 제거하는 세정 공정을 더 수행할 수 있다.
상기 세정은 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)의 혼합액을 사용하는 화학적 세정 또는 고압의 물을 사용하는 물리적 세정 중 적어도 어느 하나에 의하여 수행될 수 있다.
상기 (b) 단계에서 상기 습식 식각 공정에 이용되는 식각액은 물(H2O)과 불산(HF)의 혼합액일 수 있다.
상기 세정은 상기 (a) 단계에서 발생하는 잔류물을 화학적으로 제거함과 동시에 물리적으로 제거할 수 있다.
상기 세정은 세정액에 초음파를 인가하여 수행할 수 있다.
상기 세정액은 수산화암모늄(NH40H)과 순수(DIW)의 혼합액일 수 있다.
상기 (b) 단계에서 상기 열처리 공정은 550℃ 내지 750℃의 온도 범위에서 수행될 수 있다.
상기 (c) 단계는 금속유기 화학기상 증착법을 이용하여 수행될 수 있다.
상기 (c) 단계에서 상기 투명 전극층의 증착 온도를 조절함으로써 상기 투명 전극층의 텍스쳐링 정도를 조절할 수 있다.
상기 증착 온도는 100 내지 450℃의 범위 내에서 조절될 수 있다.
상기 투명 전극층은 산화 아연을 포함할 수 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조 방법은 (a) 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; (c) 상기 투명 전극층 상에 유기물층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 유기물층 상에 반사 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계는 금속유기 화학기상 증착법을 이용하여 수행되며. 상기 (b) 단계에서 상기 투명 전극층의 증착 온도를 조절함으로써 상기 투명 전극층의 텍스쳐링 정도를 조절하는 것을 특징으로 한다.
상기 증착 온도는 100 내지 450℃의 범위 내에서 조절될 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판 상에 형성된 요철부의 거칠기를 감소시키고 경사를 완만하게 하여 유기 발광 다이오드용 기판의 광 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판 상에 형성된 요철부의 잔류물을 더 제거하여 기판의 요철부 상에 형성되는 박막의 손상을 방지하고 박막의 계면 특성(부착력)을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상술된 효과를 가지는 요철부가 형성된 기판을 이용하여 유기 발광 다이오드를 제조함으로써 유기 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 투명 전극의 형성시에 자연스럽게 투명 전극의 텍스쳐링이 이루어지도록 함으로써 투명 전극의 광 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 증착 온도를 조절하여 투명 전극의 텍스쳐링 정도를 조절할 수 있게 되므로 작업자가 원하는 형태의 요철 패턴을 투명 전극에 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상술된 효과를 가지는 투명 전극을 이용하여 유기 발광 다이오드를 제조함으로써 유기 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 요철부가 형성된 유기 발광 다이오드용 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극의 텍스쳐링 조절 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8 내지 도 10은 요철부가 형성된 기판을 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 11은 요철부가 형성된 기판을 이용하여 유기 발광 다이오드를 제조함에 따라 발생할 수 있는 유리한 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드를 나타내는 도면이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
기판의 텍스쳐링
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 요철부(112)가 형성된 유기 발광 다이오드용 기판(110)의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 먼저 기판(110)을 준비할 수 있다. 기판(110)은 유기 발광 다이오드(100)의 각 구성요소들이 형성되기 위한 기초 부재로서의 역할을 수행할 수 있다. 또한, 기판(110)은 유기 발광 다이오드(100)의 동작시에 광이 투과되는 통로로서의 역할도 수행할 수 있다. 이러한 의미에서, 본 발명의 기판(110)으로는 투명한 유리 기판을 이용하는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1을 더 참조하면, 기판(110) 표면에 텍스쳐링(texturing) 공정을 수행하여 거칠기를 형성할 수 있다. 여기서, 텍스쳐링이란 유기 발광 다이오드(100)의 기판(110)에 입사되는 광이 투과되지 못하고 기판(110)의 경계면에서 반사되는 광학적 손실을 방지하지 위한 것으로서, 기판(110)의 표면을 거칠게 하여 요철부(112)를 형성하는 것이다.
본 발명에서 기판(110) 표면을 텍스쳐링하는 방법은 특별하게 한정되지 아니하나 바람직하게는 샌드 블래스팅법을 이용하여 기판(110) 표면을 텍스쳐링할 수 있다. 여기서, 샌드 블래스팅법은 노즐(10)을 통해 소정의 압력으로 식각 입자를 분사하여 요철부(112)를 형성하는 방법을 말한다. 이때, 노즐(10) 또는 기판(110)이 이동하면서 기판(110)의 전면적에 걸쳐 샌드 블래스팅을 수행할 수 있으며, 보다 바람직하게는 다수개의 노즐(10)을 구비함으로써 대면적 기판(110)에 효율적으로 요철부(112)를 형성할 수 있다. 본 발명에서 설명되는 샌드 블래스팅은 식각 입자를 압축 공기로 분사하여 식각하는 건식 블래스팅과 액체와 함께 식각 입자를 분사하여 식각하는 습식 블래스팅을 모두 포함하는 의미일 수 있다.
한편, 본 발명의 샌드 블래스팅에 이용되는 식각 입자는 특별하게 한정되지 아니한다. 따라서, 모래 또는 작은 금속과 같이 물리적 충격으로 기판(110)에 요철을 형성시킬 수 있는 입자를 제한 없이 사용할 수 있다. 이를 테면, 본 발명에서는 Al2O3로 구성된 식각 입자를 이용할 수 있다.
또한, 도 1 내지 도 5에 도시되지는 않았지만, 기판(110) 표면에 정형화된 패턴을 정밀하게 형성하기 위하여 소정의 패턴을 가지는 마스크가 이용될 수 있다. 이러한 마스크로는 감광성 물질을 이용한 공지의 PR(photoresist) 마스크 또는 금속 마스크가 이용될 수 있다.
본 발명에서 요철부(112)가 형성되는 기판(110) 표면은 특별하게 한정되지 아니한다. 따라서, 기판(110)의 상부 표면에만 요철부(112)가 형성될 수 있으며, 기판(110)의 하부 표면에만 요철부(112)가 형성될 수도 있으며, 경우에 따라서는 기판(110)의 상부 및 하부 표면 모두에 요철부(112)가 형성될 수도 있다. 여기서 기판(110)의 상부 표면은 후술하는 유기 발광 다이오드(100)의 각 구성요소가 형성되는 위치를 의미할 수 있다.
도 2에서는 기판(110a, 110b, 110c)의 다양한 표면에 요철부(112a, 112b, 112c)가 형성된 모습을 나타내고 있다. 보다 구체적으로, 도 2의 (a)에서는 기판(110a)의 상부 표면에만 요철부(112a)가 형성된 모습을 나타내고 있으며, 도 2의 (b)에서는 기판(110b)의 하부 표면에만 요철부(112b)가 형성된 모습을 나타내고 있으며, 도 2의 (c)에서는 기판(110c)의 상부 및 하부 표면 모두에 요철부(112c)가 형성된 모습을 나타내고 있다. 이처럼, 본 발명에서는 기판(110a, 110b, 110c)의 다양한 표면에 텍스쳐링 공정을 수행함으로써 광학적 손실의 방지를 극대화할 수 있는 효과가 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 기판(110a)의 상부 표면에만 요철부(112a)가 형성된 기판(110a)을 대상으로 공정이 진행되는 모습을 살펴보기로 한다.
다음으로, 도 3을 더 참조하면, 기판(110) 표면을 세정하는 세정 공정을 수행할 수 있다. 앞서서 수행한 텍스쳐링 공정에 의하여 기판(110) 표면에는 잔류물(R)이 잔존하여 있을 수 있다. 이를 테면, 샌드 블래스팅법을 이용하여 기판(110) 표면에 텍스쳐링 공정을 수행하는 경우, 기판(110)의 조각 또는 식각제[예를 들면, 식각 입자]와 같은 잔류물(R)이 기판(110) 표면에 존재할 수 있다. 세정 공정은 후술하는 습식 식각 공정 또는 열처리 공정에 앞서서 기판(110) 표면에 존재하는 잔류물(R)을 제거하기 위하여 수행된다.
본 발명의 세정 공정은 화학적으로 수행될 수도 있다. 화학적으로 세정 공정을 진행하는 경우 잔류물(R)을 제거할 수 있는 세정제가 이용될 수 있다. 이러한 세정제로는 잔류물(R)을 제거할 수 있는 공지의 세정제가 제한 없이 이용될 수 있다. 이를 테면, 본 발명에서는 화학적인 세정제로서 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)의 혼합액이 이용될 수 있다.
또한, 경우에 따라서는, 본 발명의 세정 공정은 물리적으로 수행될 수도 있다. 물리적인 세정 공정은 고압으로 물을 분사하여 기판(110) 표면에 존재하는 잔류물(R)을 제거하는 방식으로 진행될 수 있다. 이때에, 고압으로 분사되는 물로는 순수[이를 테면, 탈이온수(deionized water)]가 이용될 수 있다.
또한, 경우에 따라서는, 본 발명의 세정 공정은 화학적 세정 공정과 물리적 세정 공정을 병행하여 수행될 수 있다. 이는 상술한 세정제를 이용한 화학적 세정 공정 및 고압의 물을 분사하는 물리적인 세정 공정이 동시에 수행되는 것을 의미할 수 있으나, 바람직하게는 화학적인 세정액에 물리적인 초음파를 인가하여 세정 공정을 수행하는 것을 의미할 수 있다. 이러한 세정 공정에 이용되는 세정액은 특별하게 한정되지 아니하나, 바람직하게는 수산화암모늄(NH40H)과 순수한 물(순수; DIW)로 구성된 혼합액을 세정액으로서 이용할 수 있다.
이처럼, 화학적인 세정액에 물리적인 초음파를 인가하여 세정 공정을 수행하는 경우, 세정액은 기판(110) 표면에 존재하는 잔류물(R)과 화학적으로 반응하며, 세정액에 인가되는 초음파는 미세 기포가 단시간 동안 생성/소멸되는 공동 현상(cavitation) 및 세정액의 분자를 가속시키는 물리적인 작용을 야기시키기 때문에, 효과적으로 기판(110) 표면의 세정 공정을 수행할 수 있게 된다.
보다 양호한 세정 효과를 얻기 위해서는 세정액을 상온 보다 높은 온도로 가열하고, 출력이 높은 초음파를 사용할 수 있다. 이에 따라, 세정 공정의 시간은 감소될 수 있게 되며, 보다 효과적으로 기판(110) 표면의 세정 공정을 수행할 수 있게 된다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 기판(110) 표면의 요철부(112)의 경사각을 조절하기 위한 공정을 수행할 수 있다. 이러한 공정은 크게 두 가지로 나눌 수 있는데, 하나는 기판(110)을 화학적으로 습식 식각하는 습식 식각 공정이고, 나머지 하나는 기판(110)을 열처리하는 열처리 공정이다. 본 발명에서는 두 가지 공정 중에서 하나의 공정만 진행하여 기판(110) 표면의 요철부(112)의 경사각을 조절할 수도 있으나, 바람직하게는 두 가지 공정 모두 진행하여 기판(110) 표면의 요철부(112)의 경사각을 조절할 수 있다. 이러한 의미에서, 이하의 설명에서는 두 가지 공정 모두 진행되는 경우에 한정하여 설명하도록 하겠다. 다만, 상술한 바와 같이, 각 공정과 관련하여 이하에서 설명되는 방식으로 두 가지 공정 중에서 하나의 공정만 진행되는 경우 역시 본 발명의 범주에 포함됨은 물론이라 할 것이다.
또한, 상술한 두 가지 공정 모두 진행하여 기판(110) 표면의 요철부(112)의 경사각을 조절함에 있어서, 어느 공정이 선행하여 이루어지는 지는 특별하게 한정되지 아니한다. 다만, 바람직하게는 습식 식각 공정이 선행하여 이루어질 수 있는데, 이러한 의미에서 이하의 설명에서는 습식 식각 공정이 열처리 공정 보다 선행하여 이루어지는 것으로 상정하고 설명하도록 하겠다.
다음으로, 도 4를 참조하면, 기판(110)에 습식 식각 공정을 수행하여 요철부(112)의 거칠기 및 경사각을 조절할 수 있다. 이러한 습식 식각 공정은 기판(110)을 식각할 수 있는 공지의 식각제를 제한 없이 사용할 수 있다. 일 예로 물(H2O)과 불산(HF)의 혼합액을 식각제로 사용할 수 있다.
이때, 기판(110)의 요철부(112)는 식각제의 화학적 반응에 의한 식각 작용으로 피크 투 피크(peak to peak) 값(거칠기 값)이 감소되고 요철부(112)의 경사가 완만해지게 된다. 이 과정에서 도 4의 요철부(112)의 거칠기는 도 3와 비교하여 감소될 수 있다.
다음으로, 도 5를 참조하면, 기판(110) 상에 고온의 열처리 공정을 수행하여 요철부(112)의 경사각을 더 조절할 수 있다. 보다 자세하게 설명하면, 물질의 상태가 전이(변화)될 수 있는 물질 고유의 전이 온도 이상으로 열처리함으로써, 기판(110)의 요철부(112)가 용융되어서 완만하게 변형되게 할 수 있다. 특히, 본 발명의 열처리 과정에서 요철부(112)의 샤프(sharp)한 첨단부가 제거되어 요철부(112)의 전체적인 경사가 더욱 완만해질 수 있다.
이러한 열처리 공정은 550℃ 내지 750℃의 고온에서 수행하는 것이 바람직하다. 이는 550℃ 이상의 고온을 처리하는 것은 일반적인 글래스 기판(110)의 전이 온도가 550℃ 이상이기 때문이며, 750℃ 이하로 수행하는 것은 그 이상의 고온을 처리하면 글래스 기판(110) 자체가 구부러지거나 늘어나게 되는 등 변형이 일어나서 글래스 기판(110) 상에 제조되는 소자의 신뢰성을 보장할 수 없기 때문이다. 한편, 열처리시의 분위기는 특별하게 제한되지 아니하며 질소 분위기 등 여러 가지 분위기가 기판(110) 주변에 조성될 수 있다.
이와 같이 본 발명에서는 세정 공정 및 요철부(112)의 경사각을 조절하는 공정을 통하여 기판(110) 표면에 잔류물(R)이 없으며, 거칠기가 작고 완만한 경사를 가지는 요철부(112)가 형성된 유기 발광 다이오드용 기판(110)을 구현할 수 있다. 이러한 기판(110)을 이용하여 유기 발광 다이오드(100)를 제조하는 경우, 유기물층(130)에서 발생된 광이 기판(110)에 입사되면서 전반사되는 것을 최소화할 수 있기 때문에, 유기 발광 다이오드(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
투명 전극의 텍스쳐링
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극(220)의 텍스쳐링 조절 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 투명 전극(220)은 유기 발광 다이오드용 기판(210)의 상부에 형성될 수 있다[참고로, 도 6의 유기 발광 다이오드용 기판(210)은 요철부가 형성되지 아니한 기판(210)을 도시하였다]. 투명 전극(220)은 기본적으로 반사 전극(240)과 함께 전극으로서의 역할을 수행할 수 있다. 또한, 투명 전극(220)은 유기물층(230)에서 방출된 광이 투과될 수 있는 경로로서의 역할을 수행할 수 있다. 이러한 의미에서 투명 전극(220)은 일정 이상의 광 투과도와 전기 전도성을 가지는 물질로 구성된다.
이러한 투명 전극(220)의 형성 방법으로는, 열 증착법(Thermal Evaporation), 전자빔 증착법(E-beam Evaporation), 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리기상 증착법(Physical Vapor Deposition: PVD), 및 저압 화학기상 증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition: LPCVD), 플라즈마 화학기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor deposition: PECVD)과 같은 화학기상 증착법(Chemical Vapor Deposition: CVD) 등의 여러 가지 증착법이 이용될 수 있으나, 바람직하게는 금속유기 화학기상 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD)이 이용될 수 있다.
금속유기 화학기상 증착법은 금속 유기 원료를 사용해 기판 위에 박막을 형성시키는 화학 증착법을 말한다. 이러한 금속유기 화학기상 증착법을 이용하는 경우, 매우 빠른 속도로 투명 전극(220)을 형성할 수 있다는 장점도 있으나, 무엇보다도 텍스쳐링된 투명 전극(220)을 형성할 수 있다는 장점이 있다. 투명 전극(220)의 텍스쳐링에 대해서 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다
투명 전극(220)을 형성하기 위하여 주로 사용되는 방법으로는 스퍼터링법을 들 수 있다. 스퍼터링법은 증착 공정이 열적 평형상태(equilibrium)에서 대단히 벗어난 상태에서 이루어지게 되므로, 투명 전극(220)의 표면이 전체적으로 평평하게 형성되게 된다. 그러나, 열역학적으로 좀 더 평형상태에 가까운 금속유기 화학기상 증착법을 이용하여 투명 전극(220)을 형성하는 경우, 투명 전극(220)의 표면이 텍스쳐링되는 효과를 구현할 수 있다. 투명 전극(220)의 표면이 텍스쳐링되는 정도는 금속유기 화학기상 증착법의 여러 가지 공정 변수, 이를 테면, 증착 온도, 증착 시간, 챔버 내의 분위기 등에 따라 달라질 수 있다. 본 발명에서는 이와 같은 여러 가지 공정 변수 중에서도 증착 온도를 조절하여 투명 전극(220) 표면의 텍스쳐링 정도를 조절하는 것을 하나의 특징적인 구성으로 한다.
보다 구체적으로, 도 7을 참조하여, 금속유기 화학기상 증착법의 증착 온도 변화에 따라 투명 전극(220) 표면의 텍스쳐링 정도가 조절되는 모습에 대해서 살펴보기로 한다.
도 7은 금속유기 화학기상 증착법으로 형성한 투명 전극의 표면을 주사 전자 현미경(SEM)으로 촬영한 사진이다. 보다 구체적으로, 도 7의 (a)는 금속유기 화학기상 증착법을 이용하여 상대적으로 높은 증착 온도에서 형성된 투명 전극(220)의 표면을 주사 전자 현미경으로 촬영한 사진이며, 도 7의 (b)는 금속유기 화학기상 증착법을 이용하여 상대적으로 낮은 증착 온도에서 형성된 투명 전극(220)의 표면을 주사 전자 현미경으로 촬영한 사진이다.
도 7의 (a)와 (b)를 비교하여 보면, 상대적으로 도 7의 (a)의 투명 전극의 표면이 도 7의 (b)의 투명 전극(220)의 표면 보다 작은 거칠기를 가지는 것을 확인할 수 있다. 이로부터 유추 할 수 있듯이, 금속유기 화학기상 증착법을 이용하여 상대적으로 높은 증착 온도에서 투명 전극(220)을 형성하는 경우 투명 전극(220)의 표면은 완만하여 지고 거칠기가 작은 요철 패턴이 형성되게 된다. 이와는 반대로, 금속유기 화학기상 증착법을 이용하여 상대적으로 낮은 증착 온도에서 투명 전극(220)을 형성하는 경우 투명 전극(220)에는 거칠기가 큰 요철 패턴이 형성되게 되는 것이다.
이러한 투명 전극(220)의 텍스쳐링 원리를 적절하게 이용하여 작업자는 투명 전극(220)의 텍스쳐링 정도를 원하는 대로 조절할 수 있다. 유기 발광 다이오드(200)가 이용되는 목적에 따라 적합한 투명 전극(220)의 텍스쳐링 정도는 달라질 수 있기 때문이다.
이러한 투명 전극(220)의 텍스쳐링 조절과 관련하여, 증착 온도의 조절 범위는 100 내지 250℃의 범위 내에서 이루어지는 것이 바람직하다. 다만, 반드시 이에 한정되지는 아니하며 본 발명이 이용되는 목적에 따라 증착 온도의 조절은 더욱 폭넓게 이루어질 수 있다.
또한, 금속유기 화학기상 증착법을 이용하여 투명 전극(220)을 형성하는 경우, 투명 전극(220)의 재질은 산화 아연인 것이 바람직하다. 산화 아연으로 구성된 투명 전극(220)을 제조하기 위한 소스물질로는 DEZ(diethylzinc) 및 H2O가 이용될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. DEZ는 두 개의 에틸(ethyl) 그룹과 하나의 아연이 결합되어 형성된 화합물로서 상온에서도 쉽게 산화아연의 형성에 관여할 수 있다. 투명 전극(220)의 특성이 저하되는 것을 방지하기 위하여 DEZ와 H2O는 반응 챔버(미도시됨)로 유입되기 전에 서로 혼합될 수 있을 것이다.
위에서 설명된 바와 같이, 본 발명에서는 금속유기 화학기상 증착법으로 투명 전극(220)을 형성하고 또한 증착 온도를 적절하게 조절함으로써 투명 전극(220)의 텍스쳐링 정도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 투명 전극(220)으로 입사하는 광의 손실을 최소화하고 투명 전극(220) 상부에 형성되는 유기물층(230)과의 계면 특성(부착력)을 향상시킬 수 있게 된다.
유기 발광 다이오드의 제조
(제1 실시예)
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따라 앞서 설명한 요철부(112)가 형성된 기판(110)을 이용하여 유기 발광 다이오드(100)를 제조하는 과정에 대해서 살펴보기로 한다.
도 8 내지 도 10은 요철부(112)가 형성된 기판(110)을 이용한 유기 발광 다이오드(100)의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
먼저, 도 5를 다시 참조하면, 요철부(112)가 형성된 기판(110)을 제조한다. 이와 관련한 제조 공정은 앞서 설명된 것과 동일하게 이루어질 수 있다. 또한, 도 2에서와 같이 기판(110a, 110b)의 상부 또는 하부에만 요철부(112a, 112b)가 형성될 수도 있으며 경우에 따라서는 기판(110c) 의 상부 및 하부 모두에 요철부(112c)가 형성될 수 있다.
다음으로, 도 8을 참조하면, 기판(110a, 110b, 110c) 상부에 투명 전극(120a, 120b)을 형성한다. 투명 전극(120a, 120b)의 형성은 종래의 방법을 이용하여 이루어질 수도 있으며, 앞서 설명된 방법[즉, 금속유기 화학기상 증착법의 증착법을 이용하여 투명 전극(120b)을 형성하되 증착 온도를 조절하여 투명 전극(120b)의 텍스쳐링을 조절하는 방법]을 이용하여 이루어질 수도 있다.
도 8에서는 본 실시예에서 이루어질 수 있는 다양한 투명 전극(120a, 120b)의 형성 방법에 관하여 도시하고 있다. 이에 대해서 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 8의 (a)에서는 상부에 요철부(112a)가 형성된 기판(110a)에 텍스쳐링된 투명 전극(120a)이 형성된 모습을 도시하고 있다. 또한, 도 8의 (b)에서는 하부에 요철부(112b)가 형성된 기판(110b)에 텍스쳐링된 투명 전극(120a)이 형성된 모습을 도시하고 있다. 또한, 도 8의 (c)에서는 상부 및 하부 모두에 요철부(112c)가 형성된 기판(110c)에 텍스쳐링된 투명 전극(120a)이 형성된 모습을 도시하고 있다. 또한, 도 8의 (d)에서는 상부에만 요철부(112a)가 형성된 기판(110a)에 텍스쳐링되지 않은 투명 전극(120b)이 형성된 모습을 도시하고 있다. 또한, 도 8의 (e)에서는 하부에만 요철부(112b)가 형성된 기판(110b)에 텍스쳐링되지 않은 투명 전극(120b)이 형성된 모습을 도시하고 있다. 또한, 도 8의 (f)에서는 상부 및 하부 모두에 요철부(112c)가 형성된 기판(110c)에 텍스쳐링되지 않은 투명 전극(120b)이 형성된 모습을 도시하고 있다.
이처럼 본 실시예에서는 다양한 방법으로 투명 전극(120)을 기판(110) 상부에 형성할 수 있으므로 보다 효과적으로 광 손실을 방지할 수 있게 된다. 상술한 여러 가지 형성 방법 중에서 어느 형성 방법을 이용할 것인지는 본 발명이 이용되는 목적에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 다만, 이하의 설명에서는 설명의 편의를 위하여 도 8의 (a)에 도시된 형성 방법을 선택한 것으로 상정하도록 한다.
다음으로, 도 9를 참조하면, 투명 전극(120) 상부에 유기물층(130)을 형성한다. 유기물층(130)에서는 전자와 정공이 결합하면서 광이 방출될 수 있다. 유기물층(130)의 형성 방법은 통상의 방법을 따르면 된다. 즉, 투명 전극(120) 상부에 정공 주입층(HIL: Hole Injection Layer) 및 정공 수송층(HTL: Hole Transport Layer)의 HIL/HTL층(미도시됨), 유기 발광층(EML: Emitting Layer; 미도시됨), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)의 EIL/ETL층(미도시됨) 등의 유기 박막을 순차적으로 증착하여 유기물층(130)을 형성할 수 있다.
이때에, 도 9에 도시되지는 않았지만, 정공 주입층은 버퍼층의 역할을 수행할 수 있다. 다시 말하여, 정공 주입층은 투명 전극의 바로 상부에 형성되면서 투명 전극의 상부 표면을 평탄하게 만들어 정공 주입층 상부에 형성되는 유기 발광층 등과의 계면 특성(부착력)을 향상시키는 역할을 할 수 있다. 이러한 정공 주입층을 구성하는 물질로는 공지의 전도성 고분자 물질인 poly(3,4-ethylenedioxythiophene)(PEDOT) 등이 이용될 수 있다.
다음으로, 도 10을 참조하면, 유기물층(130) 상부에 반사 전극(140)을 형성한다. 반사 전극(140)은 기본적으로 전극으로서의 역할을 수행할 수 있으며, 유기물층(130)에서 방출된 광을 반사시키는 역할을 수행할 수 있다. 이러한 의미에서 반사 전극(140)은 금속 전극인 것이 바람직하다. 이를 테면, 본 발명의 반사 전극(140)은 알루미늄 전극일 수 있다.
이와 같이 제조된 유기 발광 다이오드(100)는 다음과 같은 방식으로 구동된다. 먼저, 반사 전극(140)에서 주입된 전자(electron)와 투명 전극(120)으로부터 주입된 정공(hole)이 유기물층(130)에서 결합하면서 광을 방출한다. 이렇게 방출된 광은 투명 전극(120)과 투명 기판(110)을 투과하여 외부로 빠져나가게 되며, 이에 따라 유기 발광 다이오드(100)는 외부로 광을 표시할 수 있게 된다.
이때에, 투명 전극(120)의 굴절율은 약 1.8 내지 2.0이고, 기판(110)의 굴절율은 약 1.5이며, 외부(공기)의 굴절율은 약 1.0으로서, 투명 전극(120) 보다는 기판(110)이, 기판(110) 보다는 외부가 굴절률이 작다. 이에 따라, 광이 굴절률이 큰 매질에서 굴절률이 작은 매질로 입사할 때 일어날 수 있는 전반사(total internal reflection) 현상이 발생할 수 있게 된다. 이처럼 광이 전반사하여 유기 발광 다이오드(100) 외부로 빠져 나오지 못하고 내부에서 열로 손실되는 것은 유기 발광 다이오드(100)의 발광 효율을 낮게 만드는 하나의 주요한 원인이 된다.
도 11은 요철부(112)가 형성된 기판(110)을 이용하여 유기 발광 다이오드(100)를 제조함에 따라 발생할 수 있는 유리한 효과를 설명하기 위한 도면이다. 도 11에서는 굴절률이 큰 투명 전극(320, 120)에서 굴절률이 작은 기판(310, 110)으로 광이 입사하는 모습을 나타내고 있는데. 보다 구체적으로, 도 11의 (a)에서는 투명 전극(320)에서 요철부(112)가 형성되지 아니한 기판(310)을 향하여 광이 입사되는 모습을 나타내고 있으며, 도 11의 (b)는 본 발명의 투명 전극(120)에서 본 발명의 기판(110)을 향하여 광이 입사되는 모습을 나타내고 있다.
도 11의 (a)에서 광(R1)은 임계각(θ)보다 작은 각(θ1)을 가지고 기판(310)에 입사하기 때문에 굴절되어 기판(310)을 통과할 수 있다. 그러나, 광(R2)는 임계각(θ)보다 큰 각(θ2)을 가지고 기판(310)에 입사하기 때문에 전반사될 수 있다. 기판(310)에서 전반사되는 광(R2)이 많아지게 되는 경우 유기 발광 다이오드 내부에서 열로 손실되는 광이 많아지기 때문에 유기 발광 다이오드의 발광 효율이 저하되게 된다.
도 11의 (b)를 도 11의 (a)와 비교하여 봤을 때, 광(R1)의 경로는 변하지 않았지만, 광(R2)은 기판(110)을 통과한다. 보다 구체적으로, 광(R2)의 입사각(θ3)이 임계각(θ)보다 작기 때문에. 즉 광에 대한 전반사 조건이 깨졌기 때문에 광(R2)이 기판(110)을 통과하게 된다. 이와 같이, 기판(110)에 형성된 요철부(112)에 의해 기판(110)을 통과하는 광이 증가함에 따라, 유기 발광 다이오드(100)의 발광 효율이 향상될 수 있게 된다.
(제2 실시예)
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따라 앞서 설명된 투명 전극(220)의 형성 방법만을 이용하여 유기 발광 다이오드(200)를 제조하는 과정에 대해서 살펴보기로 한다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(200)를 나타내는 도면이다.
도 12를 참조하면, 기판(210)을 준비한다. 본 실시예의 기판은 요철부가 형성되지 않은 기판(210)을 준비하였다.
도 12를 더 참조하면, 기판(210) 상부에 투명 전극(220)을 형성한다. 이때에 투명 전극(220)은 금속유기 화학기상 증착법의 증착법을 이용하되 그 증착 온도를 조절하면서 형성된다. 이에 따라, 텍스쳐링된 투명 전극(220)이 기판(210) 상부에 형성될 수 있게 된다.
도 12를 더 참조하면, 투명 전극(220) 상부에 유기물층(230)을 형성하고 이어서 유기물층(230) 상에 반사 전극(240)을 형성한다. 유기물층(230)과 반사 전극(240)의 형성은 제1 실시예와 동일하게 이루어질 수 있다.
이렇게 제조된 유기 발광 다이오드(200)는 텍스쳐링된 투명 전극(220)을 채용함으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있게 된다[이러한 효과는 제1 실시예에서 도 11을 참조하여 설명되었던 효과와 유사한 원리에 의하여 구현될 수 있다]. 더욱이, 유기 발광 다이오드(200)의 제조 시에 증착 온도를 조절하여 투명 전극(220)의 텍스쳐링 정도를 조절할 수 있으므로, 유기 발광 다이오드의 종류, 크기, 두께 등이 변경되어도 적절하게 대처할 수 있게 된다. 즉, 작업자가 원하는 형태의 요철 패턴을 투명 전극(220)에 형성할 수 있게 된다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
10: 노즐
100, 200: 유기 발광 다이오드
110, 210: 기판
112: 요철부
120, 220: 투명 전극
130, 230: 유기물층
140, 240: 반사 전극

Claims (31)

  1. (a) 기판의 표면에 요철부를 형성하는 단계; 및
    (b) 상기 기판을 화학적으로 습식 식각하는 습식 식각 공정 또는 상기 기판을 열처리하는 열처리 공정 중 적어도 어느 하나의 공정을 수행하여 상기 기판의 상기 요철부의 경사각을 조절하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 글래스 기판인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (a) 단계는 샌드 블래스팅법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 (b) 단계 이전에 상기 (a) 단계에서 발생하는 잔류물을 제거하는 세정 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 세정은 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)의 혼합액을 사용하는 화학적 세정 또는 고압의 물을 사용하는 물리적 세정 중 적어도 어느 하나에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 세정은 상기 (a) 단계에서 발생하는 잔류물을 화학적으로 제거함과 동시에 물리적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 세정은 세정액에 초음파를 인가하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 세정액은 수산화암모늄(NH40H)과 순수(DIW)의 혼합액인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 습식 식각 공정에 이용되는 식각액은 물(H2O)과 불산(HF)의 혼합액인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 열처리 공정은 550℃ 내지 750℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 습식 식각 공정 및 상기 열처리 공정 모두를 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 습식 식각 공정을 먼저 수행한 후에 상기 열처리 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법.
  13. (a) 기판의 표면에 요철부를 형성하는 단계; 및
    (b) 상기 기판을 화학적으로 습식 식각하는 습식 식각 공정 또는 상기 기판을 열처리하는 열처리 공정 중 적어도 어느 하나의 공정을 수행하여 상기 기판의 상기 요철부의 경사각을 조절하는 단계
    (c) 상기 기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계;
    (d) 상기 투명 전극층 상에 유기물층을 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 유기물층 상에 반사 전극층을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판은 글래스 기판인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 (a) 단계는 샌드 블래스팅법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 (a) 단계에서 상기 기판의 상부 표면에만 요철부가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 (a) 단계에서 상기 기판의 하부 표면에만 요철부가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 (a) 단계에서 상기 기판의 상부 및 하부 표면 모두에 요철부가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  19. 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (b) 단계 이전에 상기 (a) 단계에서 발생하는 잔류물을 제거하는 세정 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 세정은 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)의 혼합액을 사용하는 화학적 세정 또는 고압의 물을 사용하는 물리적 세정 중 적어도 어느 하나에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  21. 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 습식 식각 공정에 이용되는 식각액은 물(H2O)과 불산(HF)의 혼합액인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  22. 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정은 상기 (a) 단계에서 발생하는 잔류물을 화학적으로 제거함과 동시에 물리적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 세정은 세정액에 초음파를 인가하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 세정액은 수산화암모늄(NH40H)과 순수(DIW)의 혼합액인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  25. 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 열처리 공정은 550℃ 내지 750℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  26. 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (c) 단계는 금속유기 화학기상 증착법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 (c) 단계에서 상기 투명 전극층의 증착 온도를 조절함으로써 상기 투명 전극층의 텍스쳐링 정도를 조절하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 증착 온도는 100 내지 450℃의 범위 내에서 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  29. 제26항에 있어서,
    상기 투명 전극층은 산화 아연을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  30. (a) 기판을 준비하는 단계;
    (b) 상기 기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계;
    (c) 상기 투명 전극층 상에 유기물층을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 유기물층 상에 반사 전극층을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 (b) 단계는 금속유기 화학기상 증착법을 이용하여 수행되며.
    상기 (b) 단계에서 상기 투명 전극층의 증착 온도를 조절함으로써 상기 투명 전극층의 텍스쳐링 정도를 조절하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 증착 온도는 100 내지 450℃의 범위 내에서 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014004469A2 (en) * 2012-06-25 2014-01-03 University Of Florida Research Foundation, Inc. Buckled organic light emitting diode for light extraction
KR101421023B1 (ko) * 2012-10-23 2014-07-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법
WO2014127085A1 (en) * 2013-02-13 2014-08-21 University Of Florida Research Foundation, Inc. Buckled organic light emitting diode for light extraction without blurring
KR20140147942A (ko) * 2013-06-19 2014-12-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014004469A2 (en) * 2012-06-25 2014-01-03 University Of Florida Research Foundation, Inc. Buckled organic light emitting diode for light extraction
WO2014004469A3 (en) * 2012-06-25 2014-02-27 University Of Florida Research Foundation, Inc. Buckled organic light emitting diode for light extraction
KR101421023B1 (ko) * 2012-10-23 2014-07-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법
WO2014127085A1 (en) * 2013-02-13 2014-08-21 University Of Florida Research Foundation, Inc. Buckled organic light emitting diode for light extraction without blurring
US9923162B2 (en) 2013-02-13 2018-03-20 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Buckled organic light emitting diode for light extraction without blurring
KR20140147942A (ko) * 2013-06-19 2014-12-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

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