KR20100036686A - 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 - Google Patents
이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100036686A KR20100036686A KR1020080096029A KR20080096029A KR20100036686A KR 20100036686 A KR20100036686 A KR 20100036686A KR 1020080096029 A KR1020080096029 A KR 1020080096029A KR 20080096029 A KR20080096029 A KR 20080096029A KR 20100036686 A KR20100036686 A KR 20100036686A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- metal
- photodiode
- interlayer insulating
- forming
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 89
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
실시예에 따른 이미지 센서는 포토 다이오드가 형성된 반도체 기판; 컨택 플러그, 금속배선, 비아를 포함하고, 상기 반도체 기판 위에 형성된 하나 이상의 층간절연층; 및 상기 층간절연층 중 상부 층간절연층의 상부 금속배선 위에 형성된 단차 내부에 형성된 금속매립층을 포함한다.
실시예에 의하면, 이미지 센서의 상부 금속배선을 오픈하는 과정에서 발생된 단차의 여향을 배제함으로써, 마이크로 렌즈를 형성하는 과정에서 포토레지스트 찌꺼기가 발생되는 현상을 방지할 수 있고, 이미지 센서의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
적층형 이미지 센서, 상부 금속배선, 포토 레지스트, 마이크로 렌즈
Description
실시예는 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 크게, 전하 결합 소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)로 구분된다.
상기 CMOS 이미지 센서는 제어회로 및 신호처리회로 등을 주변회로로 사용하는 씨모스 기술을 이용하여 단위 화소의 수량에 해당하는 모스 트랜지스터들을 반도체 기판에 형성함으로써 모스 트랜지스터들에 의해 각 단위 화소의 출력을 순차적으로 검출하는 스위칭 방식을 채용한 소자이다.
도 1은 적층형 이미지 센서의 구조를 도시한 측단면도이고, 도 2는 마이크로 렌즈가 형성된 후의 이미지 센서의 형태를 도시한 상면도이다.
도 1을 참조하면, 적층형 이미지 센서는 기판(10)의 액티브 영역을 정의하는 소자분리영역(12), 기판(10) 내부에 적층형 구조로 형성된 다수의 포토 다이오드(11), 기판(10)에 형성된 게이트(13), 소스/드레인 영역(14) 및 컨택 플러그(16), 금속배선(17, 21), 비아(18)가 형성된 다층 구조의 층간절연층(15, 19, 20)을 포함한다.
상기 게이트(13)를 포함한 하부 구조물이 상기 기판(10)에 형성되면, 상기 기판(10) 위에 하부 층간절연층(15)을 형성하고, 상기 하부 층간절연층(15)에 컨택 플러그(16)를 형성한 후 상기 컨택 플러그와 연결되는 하부 금속배선(17)을 형성한다.
이후, 중간 금속배선 및 중간 금속배선 사이를 연결하는 비아(18)를 포함하는 중간 층간절연층(19)을 형성하고, 그 위에 상부 금속배선(21)을 포함하는 상부 층간절연층(20)을 형성한다.
상기 상부 금속배선(top metal)(21)은 패키징 및 프로브 테스트를 위하여 포토 레지스트 패터닝 공정, 식각 공정에 의하여 오픈되는데, 이때, 오픈된 상기 상부 금속배선(21)과 주위의 상기 상부 층간절연층(20) 사이에 약 7000Å 내지 10000Å의 단차(T)가 발생된다.
이후, 상기 포토 다이오드(11)에 수직하게 대응되는 상기 상부 층간절연층(20) 위에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이를 열처리하여 마이크로 렌즈(미도시)를 형성하는데, 상기 상부 금속배선(21)의 단차(T)에 형성된 포토레지스트 물질은 디포커싱 현상에 의하여 노광이 충분히 이루어지지 않게 된다.
따라서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성함에 있어서, 상기 단차(T) 상에도 포토레지스트 찌꺼기(Residue)가 남게 되고, 이는 전류 전달에 악영향을 미친다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 마이크로 렌즈를 형성한 후 상기 단차(T) 상에 잔류된 포토레지스트 찌꺼기를 제거하기 위한 노광 공정이 추가로 진행되며, 추가 노광 공정을 위한 마스크가 별도로 제작되어야 한다. 따라서, 공정이 복잡하여지고, 생산 시간 및 비용이 증가되는 문제점이 있다.
실시예는 이미지 센서의 상부 금속배선을 오픈하는 과정에서 발생된 단차의 영향을 배제함으로써, 마이크로 렌즈를 형성하는 과정에서 포토레지스트 찌꺼기가 발생되는 현상을 방지할 수 있는 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지 센서는 포토 다이오드가 형성된 반도체 기판; 컨택 플러그, 금속배선, 비아를 포함하고, 상기 반도체 기판 위에 형성된 하나 이상의 층간절연층; 및 상기 층간절연층 중 상부 층간절연층의 상부 금속배선 위에 형성된 단차 내부에 형성된 금속매립층을 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 반도체 기판 내부에 포토 다이오드를 형성하는 단계; 반도체 기판에 소자분리영역, 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 트랜지스터가 형성된 상기 반도체 기판 위에 컨택 플러그, 금속배선, 비아를 포함하는 하나 이상의 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 층간절연층 중 상부 금속배선이 노출되도록 상부 층간절연층의 일부를 제거하는 단계; 상기 상부 층간절연층의 일부를 제거하는 과정에서 발생된 상기 상부 금속배선 위의 단차가 매립되도록 하여 상기 상부 층간절연층 위에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 상부 층간절연층의 표면이 드러나도록 상기 금속층을 연마하여 상기 단차 내부에 금속매립층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 의하면, 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 이미지 센서의 상부 금속배선을 오픈하는 과정에서 발생된 단차의 여향을 배제함으로써, 마이크로 렌즈를 형성하는 과정에서 포토레지스트 찌꺼기가 발생되는 현상을 방지할 수 있다.
둘째, 상부 금속배선에 포토레지스트 찌꺼기가 잔류되는 현상을 방지할 수 있으므로, 이미지 센서의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
셋째, 상부 금속배선에 잔류된 포토레지스트 찌꺼기를 제거하기 위한 별도의 노광 공정 및 마스크 제작이 필요없으므로 공정을 단순화할 수 있고, 생산 시간 및 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
첨부된 도면을 참조하여, 실시예에 따른 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.
이하, 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되므로 본 발명의 기술적 사상과 직접적인 관련이 있는 핵심적인 구성부만을 언급하기로 한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되 는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도 3은 실시예에 따른 금속층(180)이 형성된 후의 이미지 센서의 구조를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
포토레지스트 패터닝 공정, 이온 주입 공정, 패턴 제거 공정 등을 차례대로 진행하여 반도체 기판, 가령 실리콘 웨이퍼 상태의 반도체 기판(100)에 포토 다이오드(110)를 형성한다.
실시예에 따른 이미지 센서는 적층형 구조를 가지는 이미지 센서인 것으로 하며, 따라서 상기 포토 다이오드(110)는 다수개로서 기판 내부에 수직하게 차례대로 형성된다.
가령, 반도체 기판(100)의 광흡수 계수에 따라 밑으로부터 적색 포토 다이오드, 녹색 포토 다이오드, 청색 포토 다이오드의 순서로 형성될 수 있다.
이와 같은 적층형 이미지 센서는 반도체 기판이 컬러 필터의 기능을 수행하므로 별도의 컬러필터층을 형성할 필요가 없다.
다음으로, 상기 반도체 기판(100)의 표면에 트랜치를 형성하고, 트랜치가 매립되도록 하여 기판 전면에 절연층을 형성한 후 기판 표면이 노출되도록 연마 공정을 진행한다. 따라서, 액티브 영역을 정의하는 소자분리영역(120)이 형성된다.
이후, 트랜지스터를 구성하는 게이트(130), 게이트 절연막, 스페이서를 형성하고, 이온주입공정을 통하여 소스/드레인 영역(131)을 형성한다.
상기 트랜지스터는 다수개로 형성되는데, 포토 다이오드에서 발생된 전기신 호를 축적하는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)에 축적된 전기신호를 저장하는 부유 확산(FD; Floating Diffusion)층, 부유 확산층(FD)으로 전원을 인가하는 리셋 트랜지스터(Rx), 부유확산층(FD)에 전기신호가 저장됨에 따라 게이트 전위가 변화되고, 전기신호를 인가하는 억세스 트랜지스터(Ax), 억세스 트랜지스터(Ax)에 의하여 인가된 전기신호를 출력하는 셀렉터 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 셀렉트 트랜지스터(Sx), 상기 억세스 트랜지스터(Ax), 상기 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 상기 리셋 트랜지스터(Rx)는 실질적으로 동일한 구성을 갖는다.
다음으로, 트랜지스터를 포함한 상기 반도체 기판(100) 위에 제1 층간절연층(140)을 적층하고, 하부 구조물과 전기적으로 연결되는 컨택 플러그(141)를 상기 제1 층간절연층(140) 상에 형성한다.
상기 제1 층간절연층(140) 위에 제2 층간절연층(150)을 형성하고, 상기 제2 층간절연층(150) 상에 상기 컨택 플러그(141)와 연결되는 제1 금속배선(151) 및 제1 비아(152)를 형성한다.
상기 제2 층간절연층(150) 위에 제3 층간절연층(160)을 형성하고, 상기 제3 층간절연층(160) 상에 상기 제1 비아(152)와 연결되는 제2 금속배선(161) 및 제2 비아(162)를 형성한다.
이어서, 상기 제3 층간절연층(160) 위에 제4 층간절연층(170)을 형성하고, 상기 제4 층간절연층(170) 상에 상기 제2 비아(162)와 연결되는 제3 금속배선(171)을 형성한다.
상기 층간절연층들(140, 150, 160, 170)은 가령, 옥사이드 계열의 물질로 형성될 수 있으며, 실시예보다 적거나 많은 층으로 형성될 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서는 적층형 이미지 센서이므로, 컬러필터층, 평탄화 보호층 등을 필요로 하지 않으며, 패키징 및 프로브 테스트와 같은 후속 공정을 위하여 상기 제3 금속배선(171)을 노출시키기 위한 패터닝 공정 및 식각 공정이 진행된다.
이때, 상기 제3 금속배선(171) 위의 상기 제4 층간절연층(170) 상에 단차가 발생된다.
실시예에서는, 상기 단차의 문제점을 극복하기 위하여 상기 단차가 매립되도록 하여 제4 층간절연층(170) 위에 금속층(180)을 증착한다.
상기 금속층(180)은 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속을 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 증착함으로써 형성될 수 있으며, 상기 금속층(180)을 형성하기 전에 상기 제4 층간절연층(170) 위에는 배리어금속층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
상기 배리어금속층은 Ti, TiN, Ti/TiN 등의 금속을 이용하여 형성될 수 있다.
도 4는 실시예에 따른 마이크로 렌즈(190)가 형성된 후의 이미지 센서의 구조를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
상기 금속층(180)이 형성되면, 상기 제4 층간절연층(170)의 표면이 드러나도록 상기 금속층(180)을 연마한다.
따라서, 상기 단차는 금속매립층(182)에 의하여 제거될 수 있다.
이후, 상기 제4 층간절연층(170) 위에 네거티브 포토레지스트층을 형성하고, 패터닝 공정을 통하여 상기 포토 다이오드(110)에 수직하게 대응되는 포토레지스트 패턴을 형성한다.
다음으로, 열처리 공정을 진행하여 상기 포토레지스트 패턴을 렌즈 형태로 가공함으로써, 마이크로 렌즈(190)를 형성한다.
상기 마이크로 렌즈(190)는 상기 포토레지스트 패턴의 식각 공정을 통해서도 형성될 수 있다.
실시예에 의하면, 마이크로 렌즈(190)를 형성하기 위하여 포토 레지스트 공정을 진행하는 경우 상기 금속매립층(182)이 단자를 보완하므로, 포토 레지스트 끼꺼기가 잔류되는 등의 문제점을 해결할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 적층형 이미지 센서의 구조를 도시한 측단면도.
도 2는 마이크로 렌즈가 형성된 후의 이미지 센서의 형태를 도시한 상면도.
도 3은 실시예에 따른 금속층이 형성된 후의 이미지 센서의 구조를 개략적으로 도시한 측단면도.
도 4는 실시예에 따른 마이크로 렌즈가 형성된 후의 이미지 센서의 구조를 개략적으로 도시한 측단면도.
Claims (10)
- 포토 다이오드가 형성된 반도체 기판;컨택 플러그, 금속배선, 비아를 포함하고, 상기 반도체 기판 위에 형성된 하나 이상의 층간절연층; 및상기 층간절연층 중 상부 층간절연층의 상부 금속배선 위에 형성된 단차 내부에 형성된 금속매립층을 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 포토 다이오드는상기 반도체 기판의 아래로부터 형성된 적색 포토 다이오드, 녹색 포토 다이오드, 청색 포토 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 금속매립층의 사이, 그리고 상기 포토 다이오드에 수직하게 대응되는 상기 상부 층간절연층에 형성된 마이크로 렌즈를 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 금속매립층은텅스텐, 알루미늄, 구리 중 하나 이상의 금속을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 단차 및 상기 금속매립층 사이에 형성된 배리어금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 반도체 기판 내부에 포토 다이오드를 형성하는 단계;반도체 기판에 소자분리영역, 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 트랜지스터가 형성된 상기 반도체 기판 위에 컨택 플러그, 금속배선, 비아를 포함하는 하나 이상의 층간절연층을 형성하는 단계;상기 층간절연층 중 상부 금속배선이 노출되도록 상부 층간절연층의 일부를 제거하는 단계;상기 상부 층간절연층의 일부를 제거하는 과정에서 발생된 상기 상부 금속배선 위의 단차가 매립되도록 하여 상기 상부 층간절연층 위에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 상부 층간절연층의 표면이 드러나도록 상기 금속층을 연마하여 상기 단차 내부에 금속매립층을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 포토 다이오드를 형성하는 단계는상기 반도체 기판의 내부에 적색 포토 다이오드를 형성하는 단계;상기 적색 포토 다이오드 위에 녹색 포토 다이오드를 형성하는 단계; 및상기 녹색 포토 다이오드 위에 청색 포토 다이오드를 형성하는 단계를 포함 하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 금속매립층이 형성된 상기 상부 층간절연층 위에 포토 레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토 레지스트층을 패터닝하여 상기 포토 다이오드에 수직하게 대응되는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 마이크로 렌즈로 가공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 금속매립층은텅스텐, 알루미늄, 구리 중 하나 이상의 금속을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 단계는상기 단차를 포함하는 상기 상부 금속배선, 상기 상부 층간절연층 위에 배리어금속층을 형성하는 단계;상기 단차가 매립되도록 하여 상기 배리어금속층 위에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080096029A KR101024739B1 (ko) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080096029A KR101024739B1 (ko) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100036686A true KR20100036686A (ko) | 2010-04-08 |
| KR101024739B1 KR101024739B1 (ko) | 2011-03-24 |
Family
ID=42214158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080096029A KR101024739B1 (ko) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101024739B1 (ko) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720466B1 (ko) | 2005-12-28 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 |
| KR20070071025A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스이미지센서의 금속배선 제조 방법 |
| KR100840658B1 (ko) * | 2006-08-23 | 2008-06-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
-
2008
- 2008-09-30 KR KR1020080096029A patent/KR101024739B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101024739B1 (ko) | 2011-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7541212B2 (en) | Image sensor including an anti-reflection pattern and method of manufacturing the same | |
| US8035143B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| KR100614793B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법. | |
| US8541878B2 (en) | Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus | |
| TW201322434A (zh) | 裝置及半導體影像感測元件與其形成方法 | |
| KR20140016799A (ko) | 크로스토크 격리를 갖는 융기된 포토다이오드 | |
| CN111261645B (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
| CN101308821B (zh) | 制造图像传感器的方法 | |
| KR20190070485A (ko) | 후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| CN110875339B (zh) | 影像传感器及其制造方法 | |
| US7129108B2 (en) | CMOS image sensor and manufacturing method thereof | |
| US20090090989A1 (en) | Image Sensor and Method of Manufacturing the Same | |
| KR100922548B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 제조 방법 | |
| US11948962B2 (en) | Charge release layer to remove charge carriers from dielectric grid structures in image sensors | |
| KR101024739B1 (ko) | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 | |
| TWI717795B (zh) | 影像感測器及其形成方法 | |
| CN111415950B (zh) | 影像传感器及其制造方法 | |
| JP2010118661A (ja) | イメージセンサー及び前記イメージセンサーの製造方法 | |
| KR100856948B1 (ko) | 이미지 센서 제조방법 | |
| US7745251B2 (en) | Method of fabricating CMOS image sensor | |
| US8003505B2 (en) | Image sensor and method of fabricating the same | |
| KR20110068679A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| CN113937117A (zh) | 图像感测装置 | |
| KR20100057237A (ko) | 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| KR20060037145A (ko) | 커패시터를 구비하는 씨모스형 이미지 센서의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |