KR20100035559A - 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 포토마스크 - Google Patents
극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 포토마스크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100035559A KR20100035559A KR1020080094994A KR20080094994A KR20100035559A KR 20100035559 A KR20100035559 A KR 20100035559A KR 1020080094994 A KR1020080094994 A KR 1020080094994A KR 20080094994 A KR20080094994 A KR 20080094994A KR 20100035559 A KR20100035559 A KR 20100035559A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- mask
- extreme ultraviolet
- hard mask
- ultraviolet rays
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 225
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 46
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 18
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 16
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 14
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001804 chlorine Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 19
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 11
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 10
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000000226 double patterning lithography Methods 0.000 description 3
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 3
- 150000005837 radical ions Chemical class 0.000 description 3
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- OUFGXIPMNQFUES-UHFFFAOYSA-N molybdenum ruthenium Chemical compound [Mo].[Ru] OUFGXIPMNQFUES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 nitride carbides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- CNEOGBIICRAWOH-UHFFFAOYSA-N methane;molybdenum Chemical compound C.[Mo] CNEOGBIICRAWOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 극자외선용 블랭크 마스크 및 포토마스크를 제조 방법에 관한 것으로서 특히, 로딩 효과를 저감하기 위해 투명기판 위에 반사막, 캡핑막, 버퍼막, 흡수막, 하드마스크막 및 레지스트막을 포함하는 구조를 가지며, 이에 따른 Fidelity, 라인 에지 거칠기(LER), 선형성(Linearity)이 향상되어 우수한 품질의 극자외선용 포토마스크를 제조할 수 있는 극자외선용 블랭크 마스크를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 극자외선용 포토마스크 제조 시 노광광의 입사각에 대한 그림자 효과 (Shadowing Effect)를 저감하기 위해 흡수막의 패턴 형성을 사다리꼴로 형성할 수 있도록 흡수막의 건식 식각 특성이 깊이 방향으로 느린 것을 특징으로 한다.
이를 통해 우수한 품질의 극자외선용 포토마스크 제작이 가능한 우수한 품질의 극자외선용 블랭크 마스크를 제조하는 방법에 관한 것이다.
극자외선용 블랭크 마스크, 로딩 효과, 그림자 효과, 하드마스크, 표면 처리
Description
본 발명은 13.5nm의 극자외선 (EUV; Extreme Ultra Violet)광을 노광광으로 사용하는 EUV 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 32nm 이하 특히 22nm에서 적용이 가능한 블랭크 마스크 및 그를 이용한 포토마스크 제조방법에 관한 것이다. 상세하게는 하드마스크막을 적어도 함유하는 구조의 블랭크 마스크를 통해 로딩 효과 (Loading Effect)를 저감하고, 우수한 성능의 블랭크 마스크를 제조하는 방법에 관한 것이다.
제품의 고집직화에 따른 광 리소그래피 (Photo-Lithography) 기술발전은 해상도 (Resolution)을 향상시키기 위해 436nm의 g-line, 365nm의 i-line, 248nm의 KrF, 193nm의 ArF로 발전해 왔으며, 포토마스크 기술 또한 바이너리 인텐서티 (Binary Intensity) 블랭크 마스크에서 위상반전 (Phase Shift) 블랭크 마스크와 같은 구조 개발이 이루어져 왔다. 먼저 바이너리 인텐서티 블랭크 마스크의 경우 투명기판 위에 차광막, 반사방지막, 레지스트막이 순차적으로 형성된 구조를 가지며 위상반전 블랭크 마스크의 경우 투명기판 위에 위상반전막, 차광막, 반사방지 막, 레지스트막이 형성된 구조로 이루어진다.
이러한 종래의 바이너리와 위상반전 블랭크 마스크는 빛의 투과 및 차단을 통해 웨이퍼 (Wafer)상에 패턴을 전사하는 기능을 가지게 되며, 이러한 블랭크 마스크를 통해 45nm, 32nm의 해상도를 가지는 패턴 (Pattern)을 ArF나 ArF 액침노광 (Immersion) Lithography 및 Double Patterning Lithography (DPL)등과 같은 투과형 리소그래피 기술을 통해 구현하였다.
그러나, 상기의 ArF Immersion Lithography 및 DPL 기술은 결함 (Defect) 문제, Align Error 해결과 같은 문제점 및 낮은 공정상수 k1으로 복잡한 근접 효과 보정 (OPC; Optical Proximity Correction)이 필요하게 되고 이에 따라 그의 기술을 대체할 수 있으며, 더 미세한 최소 선폭을 구현할 수 있는 극자외선 리소그래피 (EUVL; Extreme Ultaviolet Lithography)가 대두되고 있다.
극자외선 리소그래피 기술은 기존의 투과형 리소그래피 기술과는 달리 13.5nm의 극 자외선 노광광은 포토마스크를 구성하는 대부분의 물질들이 투과를 하지 못하기 때문에 기존의 투과형 리소그래피 방법이 아닌 반사형 리소그래피 방법을 적용하게 된다. 이러한 반사형 리소그래피 방법은 일반적인 투과형 리소그래피와는 다른 구조 및 특성이 필요하게 되며, 일반적으로 기판위에 노광광에 대하여 40% 이상의 반사율을 가지는 반사층, 노광광을 흡수하는 흡수층 및 레지스트막이 형성된 구조를 가지게 된다.
그러나, 상기의 극자외선용 블랭크 마스크 및 포토마스크가 구현하고자 하는 최소선폭이 32nm 이하 22nm이고, 상대적으로 포토레지스트 (Photoresist)의 두께가 구현하고자 하는 최소선폭보다 두껍기 때문에 동일한 크기로 노광 되더라고 건식식각 (Dry Etch)시 매크로 로딩 효과 (Macro Loading Effect) 및 마이크로 로딩 효과 (Micro Loading Effect)에 의하여 높은 집적 패턴과 낮은 집적 패턴의 크기 및 단독패턴과 조밀패턴의 크기가 서로 달라지는 문제점이 있다. 상기의 문제점은 포토레지스트를 노광 및 현상 후 식각할 경우, 포토레지스트를 식각마스크로 하여 포토레지스트 하부의 막을 식각하게 되는데, 동일한 현상액, 또는 식각 가스량에 대해 단위 면적당 반응하는 반응물의 반응속도 및 제거속도가 패턴의 집적도가 높은 패턴이 상대적으로 집적도가 적은 패턴 또는 단독패턴보다 작으므로 식각이 잘 되지 않아 CD의 차이가 나타나는 것으로 알려져 있다.
상기의 문제점을 해결하고자 포토레지스트의 두께를 낮추게 되면 로딩 효과와 미세 패턴의 선형성 (Linearity)과 피델리티 (Fidelity)가 향상되나 포토마스크를 건식식각하여 제조하는 경우, 포토레지스트와 식각 물질의 식각비 (Selectivity)가 높지 못하기 때문에 하부 층 식각 시 포토레지스트가 데미지 (Damage)를 받아 레지스트 패턴의 형상 변화 및 심각할 경우 하부의 막이 손상을 입게 되어, 본래의 포토레지스트 패턴을 흡수막상에 정확하게 전사하는 것이 곤란해진다. 이런 이유로, 포토마스크의 패턴형성에 있어서 식각마스크로서 이용되는 포토레지스트의 부담을 경감시킬 필요가 있다.
또한 형성하는 포토마스크 패턴의 미세화에 대응하여 포토레지스트 패턴도 미세화되게 되지만, 포토레지스트의 막 두께를 얇게 하는 일 없이 레지스트 패턴만 을 미세화하면, 식각마스크로서 기능하는 포토레지스트부의 레지스트 막 두께와 패턴폭과의 비 (Aspect Ratio)가 커져 버린다. 일반적으로 포토레지스트 두께와 패턴폭의 비가 커지면 그 패턴형상이 열화 되기 쉽고, 이것을 마스크로 하는 흡수막 패턴전사 정밀도가 나빠진다. 극단적인 경우에는, 레지스트 패턴의 일부가 쓰러지거나 박리를 일으켜 패턴 누락이 생기거나 하는 일도 일어난다. 따라서, 포토마스크 패턴의 미세화에 수반하여, 흡수막의 패터닝용의 마스크로서 이용하는 레지스트의 막 두께를 얇게 하여 두께 대비 패턴폭의 비가 너무 커지지 않게 할 필요가 있다. 그러나, 현실적으로 포토레지스트 마스크의 식각에 대한 내성과 고해상도, 패터닝 정밀도를 모두 만족시키는 것은 기술적으로 어렵고, 종래의 패터닝 프로세스를 유지하는 한, 상기 제시된 문제점을 근본적으로 해결하기엔 어려움이 있다.
또한 포토레지스트로 사용되는 화학증폭형 레지스트는 그의 화학 증폭제인 강산(H+)에 의한 영향을 받게 된다. 따라서, 포토레지스트에 근접한 하부막은 노광 후 현상시 화학증폭작용제인 강산(H+)을 중화시킬 수 있는 염기성 물질로 인해 현상 시 스컴 (Scum)이 표면에 잔류하게 되어 소정의 원하는 패턴 형성이 어렵게 된다. 반면에 하부 박막 표면의 산성 물질은 이러한 화학증폭형 레지스트의 강산을 증폭시켜 소정의 원하는 두께의 패턴 형성보다 커지는 문제점을 야기시키게 되어 우수한 품질의 패턴 형성이 어렵게 된다.
극자외선용 블랭크 마스크의 흡수막의 경우 EUV 리소그래피의 특성상 반사형 리소그래피 기술로 인해 노광광이 3 내지 7도로 입사각이 기울어져 있기 때문에 그 로 인한 그림자 효과 (Shadowing Effect)가 발생하게 된다. 이러한 그림자 효과는 소정의 원하는 패턴 크기를 제한 시키게 되며, 기존의 수직한 패턴 형성 시 목표 CD 대비 낮은 작은 CD (Under CD)가 형성되는 문제점을 가지게 된다.
본 발명은 상기의 문제점들을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 극자외선용 블랭크 마스크 및 포토마스크의 건식식각 시 로딩 효과의 감소, 선형성 개선, 식각 선택비가 개선되고, 흡수막의 두께에 의한 그림자 효과 (Shadowing Effect)를 저감할 수 있는 극자외선용 블랭크 마스크 및 포토마스크 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 레지스트 패턴을 우수하게 하기 위한 하부 박막의 표면 오염농도를 제어하여 수직한 패턴이 가능하게 하며, 이를 이용한 우수한 품질의 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 제조방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 극자외선 포토마스크의 원재료인 블랭크 마스크가 투명기판 위에 반사막, 캡핑막, 버퍼막, 흡수막을 적층하고 그 위에 하드마스크막 및 포토 레지스트막이 적층되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의한 블랭크 마스크 제조 방법의 경우,
a1) LTEM (Low Thermal Expansion Material) 기판 위에 다층의 반사막을 형성하는 단계;
b1) LTEM 기판 후면에 도전막을 형성하는 단계;
c1) 상기 a1) 단계에서 형성된 반사막 보호를 위해 캡핑막 (Capping Layer) 을 형성하는 단계;
d1) 상기 c1) 단계에서 형성된 캡핑막 위에 버퍼막 (Buffer Layer)을 형성하는 단계;
e1) 상기 d1) 단계에서 형성된 버퍼막위에 흡수막을 형성하는 단계;
f1) 상기 e1) 단계에서 형성된 흡수막 위에 하드마스크막을 형성하는 단계;
g1) 상시 f1) 단계에서 형성된 하드마스크막위에 레지스트막을 형성하여 극자외선용 블랭크 마스크를 제조하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
특히, 본 발명에 따른 극자외선 블랭크 마스크는 버퍼막과 흡수막 사이에 선택적으로 위상반전을 위한 위상반전막이 단층 또는 다층으로 형성되어 있으며, 이로 인한 흡수막에서의 반사광 광도가 0.01~30%, 위상반전이 반사막과 180도 반전되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 극자외선 블랭크 마스크는 a1) 단계의 반사막과 e1) 단계의 흡수막 사이에 c1) 단계의 캡핑막과, d1) 단계의 버퍼막을 선택적으로 형성하거나, 하지 않는 것을 특징으로 한다.
다음으로, 상세한 본 발명의 극자외선 블랭크 마스크의 특징을 나타낸다.
상기 a1) 단계에 있어서, 반사막은 이온빔 (Ion-Beam) 스퍼터링에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다. 반사막의 표면 거칠기 (Roughness)는 반사형 리소그래피 기술을 적용하는 EUVL 기술에서 노광광의 난반사를 발생시키는 요인으로 작용한다. 이러한 난반사는 높은 공간주파수 조도 (HSFR) 및 중앙 공간주파수 조도 (MSFR)로 분류할 수 있으며, 높은 공간주파는 주로 흡수막 및 반사막의 반사 감도(Contrast)를 감소시키는 요인이 되어 해상도를 저감시키며, 중앙 공간주파수 조도는 IPD (Image Placement Distribution)을 일으켜 CD 왜곡을 발생시키는 요인으로 작용한다. 따라서, 이러한 반사막 표면 조도 제어를 위해서는 반사막 증착 조건이 중요 요인으로 작용하며, 일반적인 스퍼터링 (Sputtering) 장비를 이용할 시 이온빔 스퍼터링 대비 증착 효율은 증가하나, 표면 조도 제어가 어렵게 되는 문제점이 있다. 따라서, 반사막의 우수한 표면 조도 제어를 위해서는 이온빔 스퍼터링 방법을 적용하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 보조 이온빔 스퍼터링 방법을 적용하여 스퍼터링시 충돌되는 원자의 충돌 에너지를 저감시켜 표면 조도를 향상시키며 또한 박막의 스트레스를 저감할 수 있다.
상기 a1) 단계에 있어서, 반사막은 EUV 노광광에 대하여 50% 내지 80% 의 반사율을 가지는 다층막으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 극자외선 리소그래피 기술의 특성상 반사형 리소그래피 구조로 인해 감도 (Contrast)는 반사막과 흡수막의 반사율 차이에 의해 결정된다. 따라서 정밀한 패턴 형성을 위해서는 흡수막과 반사막의 감도 차이가 커야 하며, 이를 위한 노광광이 반사막 표면에서의 반사율이 40% 이상이 되어야 하며, 바람직하게는 50% 이상인 것이 우수하다. 그러나, 극자외선 영역의 13.5nm에서 단일막으로 반사율이 50% 이상의 물질 개발은 극히 어렵다. 그 이유는 13.5nm 파장대 영역은 물질에 의한 자외선 흡수영역이 커져 반사, 투과보다는 흡수 영역이 크기 때문이다. 따라서, 반사막은 다층막의 내부반사를 이용하여 반사율을 설정해야 한다. 이 때 반사감도는 반사막과 흡수막의 반사 강도 차이에 의해 결정되므로 다층막의 반사율은 50~80%의 특징을 가져야 한다.
상기 a1) 단계에 있어서, 반사막은 2 내지 4 종류의 서로 다른 물질이 구성된 막이 교대로 40층 이상으로 적층되는 것을 특징으로 한다.
상기 a1) 단계에 있어서, 반사막은 몰리브데늄(Mo)/실리콘(Si), 또는 몰리브데늄(Mo)/루테늄(Ru) 또는 탄화 몰리브데늄(MoC)/실리콘(Si) 또는 탄화 몰리브데늄(MoC)/베릴륨(Be) 또는 몰르브데늄루테늄(MoRu)/베릴륨(Be) 또는 몰리브데늄(Mo)/루테늄(Ru)/실리콘(Si) 또는 몰리브데늄(Mo)/니오븀(Nb)인 것을 특징으로 한다.
상기 b1) 단계에 있어서, 도전막은 기판 후면에 선택적으로 적층 또는 적층하지 않는 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 b1) 단계에 있어서, 도전막의 물질로는 실리콘(Si), 루테늄(Ru), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 및 그의 산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 산화탄화물, 산화질화탄화물에서 선택되어진 1종 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 b1) 단계에 있어서, 도전막의 조성비는 금속성분이 50~100at%, 산화물이 0~33at%, 탄화물이 0~33at%, 질화물이 0~33at% 인 것을 특징으로 한다.
상기 c1) 단계에 있어서, 반사막을 보호하기 위한 캡핑막은 실리콘(Si), 루테늄(Ru), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 및 그의 산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 산화탄화물, 산화질화탄화물, 질화탄화물에서 선택되어진 1종 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 c1) 단계에 있어서, 캡핑막의 조성비는 금속성분이 50~100at%, 산화물이 0~33at%, 탄화물이 0~33at%, 질화물이 0~33at% 인 것을 특징으로 한다.
상기 d1) 단계에 있어서, 버퍼막의 물질로는 실리콘(Si), 루테늄(Ru), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 및 그의 산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 산화탄화물, 산화질화탄화물에서 선택되어진 1종 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 d1) 단계에 있어서, 버퍼막의 조성비는 금속성분이 50~100at%, 산화물이 0~33at%, 탄화물이 0~33at%, 질화물이 0~33at% 인 것을 특징으로 한다.
상기 e1) 단계에 있어서, 흡수막은 탄탈륨(Ta), 티탄늄(Ti), 실리콘(Si), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 루테늄(Ru), 니오븀(Nb), 하프늄(Hf)의 1종 이상의 금속과 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 수소(H), 붕소(B)를 1종 이상 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 e1) 단계에 있어서, 흡수막의 깊이 방향에 따른 조성비의 평균이 금속이 20~100at%, 비금속 성분이 20~50at%인 것을 특징으로 한다.
상기 e1) 단계에 있어서, 흡수막은 13.5nm의 EUV 노광광에 대하여 반사율이 0~5% 이내인 것을 특징으로 한다.
상기 e1) 단계에 있어서, 흡수막은 193nm, 248nm, 257nm의 검사파장에 대하여 반사율이 5 내지 20%인 것을 특징으로 한다. 극자외선용 블랭크 마스크의 결합 (Defect) 검사는 193nm, 248nm 257nm의 검사파장을 이용할 수 있다. 이 때 흡수막의 검사광에 대한 반사율이 20% 이상이 되면 검사감도가 떨어지는 문제점이 발생하 는 정밀한 검사가 어렵게 된다.
상기 e1) 단계에 있어서, 흡수막의 193nm, 248nm, 257nm의 검사파장에서의 반사율을 5 내지 20%로 제어하기 위해 표면처리를 핫 플레이트, 퍼니스 (Furance), 급속 열처리 장치 (Rapid Thermal Process), 플라즈마 (Plasma)를 대기 및 또는 진공에서 표면처리 하는 것을 특징으로 한다.
상기 e1) 단계에 있어서, 흡수막의 표면처리 시 가스 분위기는 진공 및 질소 및/또는 산소 분위기에서 하는 것을 특징으로 한다. 흡수막의 금속성분으로 인해 검사파장에서 반사율이 높게 되면 검사시 감도가 낮아져 정밀한 검사를 어렵게 한다. 따라서, 흡수막의 표면을 진공에서 표면처리 하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 질소 및/또는 산소 분위기에서 하는 것이 바람직하다. 이러한 이유는 질소 및 산소 분위기에서 표면처리시, 표면이 질화, 산화되어 반사율이 저감되기 때문이다. 또한 이렇게 질화된 박막은, 건식 식각 시 깊이 방향보다 질화율이 높아지기 때문에 플라즈마의 라디칼 (Radical) 이온이 반응하는 금속원자의 수가 줄어듦에 따라 빠른 식각 속도를 나타내게 된다. 따라서, 노광광의 입사각에 의해 발생하는 그림자효과에 적합한 사다리꼴 패턴을 형성할 수 있게 된다.
상기 e1) 단계에 있어서 표면 처리 후 검사파장에서의 표면 반사율 균일도를 향상시키기 위해 냉각 처리하는 것을 특징으로 한다. 기판의 표면처리는 기판의 면적과 위치에 의해 받는 표면 에너지와 매질의 특성으로 인해 받는 에너지양이 달라지게 된다. 일례로, 표면 열처리의 경우 표면이 받는 열에너지는 기판의 중심을 기점으로 확산되어 가는 거리와 기판의 모서리 부분을 통해 열전달 및 냉각되는 온도 의 균일도는 매질안에서 변하게 된다. 즉, 비정질의 매질이 반응 또는 열역학적으로 안정화 되는 운동성 (Mobility)는 매질의 중심부를 중심으로 많은 활동성을 보이며, 외곽부분으로 갈수록 운동성이 떨어지게 된다. 따라서, 냉각시에도 이러한 에너지의 움직임 분포에 따라 매질 내부의 에너지 감소속도가 떨어지게 되며, 이로인해 표면의 반사율 균일도가 변하게 된다. 따라서, 동일하게 열처리 진행후 매질 내부의 에너지 감소속도를 빠르게 하기 위하여 냉각 처리 하는 것이 바람직하며, 이러한 방법을 적용하며 반사율 균일도를 제어할 수 있다. 더욱 바람직하게는 열 에너지의 확산성 (Mobility)에 따라 기판의 영역별 열처리 및 냉각 온도를 조절하는 것이 바람직하다.
상기 e1) 단계에 있어서 흡수막의 표면 평탄도는 0.3um 이내인 것을 특징으로 한다. 흡수막의 평탄도는 건식 식각 시 플라즈마에 의한 라디칼 이온과 식각되는 매질의 거리 차이를 발생시키게 한다. 이러한 거리는 라디칼 이온의 공간내에서의 농도 변하를 가져오게 하며, 이러한 농도는 평탄도의 위치에 따라 국부적인 로딩효과를 발생시키게 되는 요인으로 작용한다. 따라서, 식각되는 흡수막의 평탄도는 0.3 um 이내인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 흡수막의 하부막 또한 0.3um 이내로 평탄도가 제어되는 것이 바람직하다. 이러한 평탄도 제어를 위해서는 공정 조건 및 표면 및 국부적인 플라즈마 처리를 하는 것이 바람직하며, 반면에 박막의 증착 후 발생하는 평탄도 변화를 고려하여 기판을 응력을 고려하는 것이 바람직하다. 이러한 방법으로는 또 다르게 기판의 후면에 응력 방지를 위한 금속막을 형성할 수 있으며, 이를 통해 발생한 후면의 응력과 반대방향으로 형성하는 박막을 증착하여 응력을 제어할 수도 있다.
상기 e1) 단계에 있어서 흡수막은 깊이 방향으로 식각 속도가 동일하거나, 느린 것을 특징으로 한다. 극자외선용 포토마스크는 노광광의 입사각으로 인해 기존의 투과형 리소그래피 방법과는 달리 수직 패턴 형성시 그림자 효과로 인해 목표 CD 보다 낮은 CD를 형성하게 된다. 따라서, 이를 저감하기 위해 흡수막의 두께는 낮을수록 우수한 특성을 나타내게 한다. 반면에 입사각에 대한 각도를 조정하기 위해 흡수막의 패턴 모양을 노광광의 입사각에 맞추어 사다리꼴 형태의 모습으로 제조하는 방법들이 연구되고 있다. 이 때, 흡수막의 깊이방향으로 식각 속도가 동일한 특성을 가지며, 건식식각 시 지속적인 플라즈마 라디칼 (Radical) 성분에 대하여 표면 상부에 인접한 부분은 지속적인 라디칼 성분에 의해 식각이 지속적으로 이루어지며, 하부는 식각이 느려지게 된다. 동일하게, 흡수막의 물질 특성 예를 들어 질소(N) 성분이 깊이 방향으로 낮게 하는 방법을 통해 식각 속도를 느리게 해도 무방하다. 이러한 방법은 탄소(C), 수소(H), 산소(O), 붕소(B)와 같은 반응성 가스 및 압력, 파워의 조절과 같은 방법 및 표면 처리와 같은 방법을 통해서도 제어가 가능하다.
상기 e1) 단계에 있어서 흡수막이 2층 이상으로 구성될 때 박막 밀도가 깊이 방향으로 높은 것을 특징으로 한다. 흡수막의 건식 식각 시 로딩 효과는 박막의 식각율에 의해서도 영향을 받게 되며, 이러한 식각률은 박막 밀도가 높을수록 식각율이 낮아진다. 따라서, 2층 구조의 흡수막이 형성되었을 경우, 그림자 효과를 저감 하기 위해 흡수막의 밀도가 하부층이 상부층보다 상대적으로 높은 박막 밀도를 가지는 것이 바람직하다.
상기 e1) 단계에 있어서 흡수막은 일반적인 스퍼터링 방법 및 이온 빔 스퍼터링 방법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 한다.
상기 f1) 단계에 있어서, 하드마스크막는 루테늄(Ru), 보론(B), 리튬(Li), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 코발트(Co), 텅스텐(W), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 하프늄(Hf), 플래티늄(Pt), 몰리브데늄(Mo), 로듐(Rh), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 실리콘(Si), 크롬(Cr), 셀렌(Se), 이트륨(Y)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 단독 및/또는 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 불소(F), 염소(Cl)의 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 f1) 단계에 있어서, 하드마스크막은 1층 및 또는 2층 이상으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 f1) 단계에 있어서, 하드마스크막은 하부의 흡수막과 상이한 건식 식각 특성을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 f1) 단계에 있어서, 하드마스크막이 불소 계열의 건식 식각 특성일 때 하부의 흡수막은 염소 계열의 가스에 의해 식각되는 것을 특징으로 한다.
상기 f1) 단계에 있어서, 하드마스크막의 두께가 5 내지 50nm 이하인 것을 특징으로 한다. 하드마스크막의 두께가 5nm 이하가 되면 하드마스크로서의 역할을 할 수 없으며 50nm 이상이 되면 로딩 효과가 커지는 문제점이 발생하게 된다. 이렇게 하드마스크막이 더 적층된 EUV 반사형 블랭크 마스크를 사용하면 종래의 포토레 지스트 패턴 대신에 하드마스크막 패턴을 식각마스크로 흡수막을 건식 식각할 수 있게 된다. 이 때, 하드마스크막 패턴의 두께가 포토레지스트의 두께에 비하여 매우 얇기 때문에 로딩효과가 거의 없다. 따라서 포토마스크에 작고 정밀한 패턴을 형성하는데 유리한 장점이 있다.
상기 f1) 단계에 있어서, 하드마스크막은 흡수막보다 면저항이 같거나 낮은 것을 특징으로 한다.
상기 f1) 단계에 있어서, 하드마스크의 면저항 (Sheet Resistance)이 5Ω~ 100kΩ/□이하인 것을 특징으로 한다. 흡수막 위에 적층된 하드마스크막이 상기 흡수막보다 면저항이 같거나 낮은 경우 차지업 현상을 방지하는 효과가 있으므로 더욱 높은 전압을 가지는 전자빔 묘화장치를 사용 가능하며, 작고 정밀한 포토마스크 패턴을 제조하기 쉬운 장점이 있다. 면저항이 5Ω/□ 이하로 하기 위해서는, 순수한 금속 성분을 적층하더라도 하드마스크의 두께를 50nm 이상의 두께로 하여야 하기 때문에 로딩효과가 커지는 문제 때문에 면저항이 5Ω/□ 이하로 하기 어려우며, 면저항이 100kΩ/□ 이상이 되면 차지업 현상이 발생하기 쉽다.
상기 f1) 단계에 있어서, 하드마스크막의 흡수막과의 건식 식각비가 3 내지 50이 되는 것을 특징으로 한다. 하드마스크막 패턴이 흡수막의 식각마스크로서의 역할을 충실히 하기 위하여 흡수막과의 식각비가 커야 하며, 3 이하가 되면 흡수막 식각시 하드마스크 패턴이 제거되어 그 하부의 흡수막이 손상을 받게 되며, 식각비가 50 이상이 되는 물질은 식각속도가 매우 느려 식각이 어렵다.
상기 f1) 단계에 있어서, 하드마스크막을 구성하는 원소 중에서 금속 원소가 30~90at%이며, 비금속 원소가 10~70at%인 것을 특징으로 한다.
상기 f1) 단계에 있어서, 하드마스크막은 DC 마그네트론 스퍼터링법, RF 스퍼터링법, 이온빔 스퍼터링법, 보조 이온 스퍼터링법등의 물리 기상 증착법(PVD; Physical Vapor Deposition), 원자층 적층법(ALD; Atomic Layer Deposition), 화학 기상 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition)등의 진공 증착법에 의해 적층되는 것이 바람직하다.
상기 f1) 단계에서 하드마스크막에 질소가 필수적으로 포함되는 경우 하드마스크막 표면처리를 필수적으로 실시하는 것을 특징으로 한다. 이는 극자외선용 블랭크 마스크 제조시 사용되는 화학증폭형 레지스트막으로부터 발생되는 강산이 하드마스크막에 포함된 질소와의 결합이 발생하여 강산의 중화가 발생하게 된다. 이는 질소가 Lewis Base, 강산이 Lewis Acid의 역할을 하여 Lewis 결합으로 인해 강산의 중화 반응이 일어나게 된다. 이로 인해 화학 증폭형 레지스트와 하드마스크막의 계면에서 화학증폭형 레지스트의 강산이 중화가 되어 화학 증폭형 레지스트가 현상액에 현상이 되지 않는 Scum이 발생하게 되고 이러한 현상을 기판의존성이라 한다. 이러한 기판의존성으로 인해 원하는 목표 CD의 구현이 힘들게 되고 이로 인해 고품질의 포토마스크 제조가 힘들게 된다. 따라서 하드마스크에 질소가 필수적으로 포함될 때 표면처리를 필수적으로 실시해야만 한다.
상기 f1) 단계에서 하드마스크막에 질소가 포함되는 않은 경우 하드마스크막의 표면처리를 선택적으로 실시하는 것을 특징으로 한다. 하드마스크막에 질소가 포함되지 않은 경우 강산의 중화에 의한 화학 증폭형 레지스트의 기판의존성은 발 생하지 않지만 레지스트의 접착력 증가나 박막의 Stress 완화를 위해 표면처리를 실시하는 것이 바람직하다.
상기 f1) 단계에서 하드마스크막에 의한 기판의존성을 제어하기 위해 하드마스크막의 불순물 이온 중 특히, 암모니아 (NH4+)를 포함한 염기성 불순물 이온이 1ppmv 이하인것을 특징으로 한다. 염기성 이온은 하드마스크막 상부에 증착되는 화학 증폭형 레지스트의 강산과 결합하게 되고 이러한 결합에 의해 중화된 강산으로 인해 기판 의존성 현상이 발생하게 된다. 따라서, 이러한 기판 의존성을 제어하기 위해 불순물 이온 중 특히 염기성 불순물 이온이 1ppmv 이하인 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 본 발명의 블랭크 마스크 및 포토마스크는 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, 하드마스크막을 포함하는 극자외선용 블랭크 마스크를 제조함으로서 종래의 레지스트막 대비 두께가 얇은 하드마스크막을 식각마스크로 하여 32nm 이하 22nm CD 구현 시 매크로 및 마이크로 로딩 효과를 저감할 수 있는 우수한 품질의 블랭크 마스크를 제공할 수 있다.
둘째, 흡수막의 조성비 및 밀도 및 증착 조건을 변경하여 노광광의 입사각에 근접하는 패턴 형성을 하여 그림자 효과를 저감하여 우수한 품질의 블랭크 마스크를 제공할 수 있다.
셋째, 기판, 반사막, 캡핑막, 버퍼막, 흡수막 및 하드마스크막의 평탄도를 제어하여 초점심도 마진을 확보할 수 있으며, 국부적인 로딩효과를 저감하여 우수한 품질의 블랭크 마스크를 제공한다.
이하 첨부된 도면 및 실시예를 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 하고자 한다. 다음에 설명되는 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
열팽챙 개수가 1 x 10-6/℃ 이하이고, 기판 평탄도 값이 TIR 100nm 이하로 제어되고, 표면거칠기가 0.09nmRa 인 6025 (6inch x 6inch x 0.25inch) 투명기판을 준비하였다. 그 위에 이온빔 스퍼터링 장치를 이용하여 몰리브데늄 (Mo)을 2.8nm 두께로 하고 실리콘 (Si)을 4.2nm 두께로 각각 교대로 적층하여 40층씩 적층하였다. 이 때 스퍼터링 압력은 1 x 10-2 및 1 x 10-5 torr에서 적층하였으며, 몰리브데늄과 실리콘 반사막의 표면거칠기 및 스트레스를 감소시키기 위해 보조 이온빔 발생장치에서 헬륨 가스를 기판 방향으로 향하게 하여 이온빔이 기판에 적층되는 막에 충돌하게 하였다. 이때 반사막의 표면 거칠기를 Atomic Force Spectrometer(AFM)을 이용하여 측정한 결과 0.09nmRa를 나타내어 우수한 표면 거칠기를 나타내었다.
다음에 상기 반사막 상부에 동일한 압력에서 캡핑막으로 루테늄(Ru)을 7nm 두께로 적층하였다. 그 다음 실리콘 산화막을 버퍼막으로 적층하였다. 그 후 탄탈륨 타겟으로 교환하고, 아르곤(Ar)을 80sccm, 질소(N2)를 20sccm, 파워를 400W, 압력을 1.2 x 10-3 torr로 하여 질화탄탈륨(TaN)을 흡수막으로 50nm 두께로 적층하였다. 이후 흡수막 상부에 하드마스크막으로 몰리실리(MoSi) 타겟을 이용하여 아르곤 78sccm, 질소 20sccm 산소 2sccm로 동일한 압력에서 몰리실리사이드 산화질화물(MoSiON)을 10nm 두께로 적층하였다. 이 때, 반사막의 표면 반사율이 13.5nm의 노광광에 대하여 62%를 나타내었으며, 흡수막에서의 13.5nm의 노광광에 대한 반사율은 0.3%를 나타내었으며, 검사파장인 193nm에서 흡수막의 반사율이 20% 로서 우수한 품질의 EUV용 블랭크 마스크가 제조되었다. 또한 국부적인 로딩 효과를 저감하기 위해 하드마스크막에서의 평탄도를 Flatmaster 장비를 이용하여 측정한 결과 0.09 um의 TIR 값을 우수한 평탄도를 나타내었다. 이때 제조된 흡수막 및 하드마스크막에 대한 조성비를 분석하기 위한 Auger Electron Spectrometer(AES)를 이용하여 깊이방향에 따른 조성비를 분석하였다. 분석한 결과 흡수막의 TaN의 조성비는 탄탈륨(Ta):76at%, 질소(N):24at%의 조성비를 나타내었으며, 하드마스크막의 MoSiON의 조성비는 몰리브데늄(Mo):10at%, 실리콘(Si):54at%, 질소(N):21at%, 산소(O):15at%의 조성비를 나타내었다.
이후 화학증폭형 레지스트인 FEP-171을 1500Å으로 도포한 후 소프트 베이거를 실시하고 50keV E-beam 묘화장치를 이용하여 Writing 및 현상을 실시한 후 SF6 및 O2 가스를 이용하여 하드마스크막을 건식 식각한 후 레지스트막을 제거하고, 하드마스크막을 식각마스크로 하여 흡수막을 Cl2 및 O2 가스를 이용하여 건식 식각 하였다. 이후 버퍼막을 식각하여 극자외선용 포토마스크를 제조하였다. 이 때 식각 패터닝을 FE-SEM으로 측정한 결과 Side Angle이 87도로서 수직한 패턴 형성과 식각 단면형상(LER)이 양호하였으며, 피델리티는 컨택홀 패턴의 특정비(측정된 CD 면적/설계한 면적)로 하였으며, 조밀 패턴 및 단독 패턴은 설계된 CD 와 패턴된 CD 차이를 가지고 평가하였다.
다음은 비교를 위하여 하드마스크막이 없는 상태의 극자외선용 블랭크 마스크를 제조하였으며, 동일한 공정 과정을 통해 형성된 패턴을 FE-SEM을 통해 측정하였다. 측정결과 Side Angle이 86도로 수직한 패턴이 형성되었으며, 피델리티와 특정비를 동일하게 측정하였다.
| 평가항목 | Design CD - Pattern CD [nm] | |||
| 32 | 45 | 60 | ||
| 하드마스크 有 | Fidelity | 0.96 | 0.97 | 0.99 |
| 조밀패턴 | 1.0 | 0.6 | 0.4 | |
| 단독패턴 | 0.6 | 0.3 | 0.1 | |
| 하드마스크 無 | Fidelity | 0.85 | 0.89 | 0.93 |
| 조밀패턴 | 3.9 | 2.7 | 1.8 | |
| 단독패턴 | 1.2 | 0.7 | 0.5 | |
<표 1. 하드마스크에 따른 Fidelity, 조밀패턴 및 단독 패턴의 CD 차이 평가 결과>
(실시예 2)
실시예 2는 도 2를 참조하여 상기 실시예 1의 하드마스크를 증착한 실시예의 동일한 방법으로 형성된 극자외선 블랭크 마스크에 단지, 질소의 유량을 20sccm, 30sccm, 40sccm으로 증가시켜 형성된 3층으로 구성된 흡수막으로 변경하여 극자외선용 블랭크 마스크 제조 후 동일한 공정 과정을 통해 건식 식각을 실시하였다. 이후 FE-SEM을 통해 Side Angle을 측정한 결과 79도의 사다리꼴 패턴 형성이 이루어져 노광광의 입사각에 대하여 그림자 효과를 저감할 수 있음을 확인할 수 있었다.
이 때 흡수막의 조성비를 AES 장비를 이용하여 질소의 조성비를 분석한 결과 하부층은 24at%, 중간층은 28at%, 상부층은 35at%으로 점점 질소의 조성비가 증가함을 알 수 있었다. 이러한 결과는 질소의 막내 함유율이 증가함에 따라 건식 식각 속도가 높아짐을 알 수 있다. 따라서, 건식 식각시 상부층의 식각 속도가 높아지고 하부층의 식각 속도가 낮아짐에 따라 패턴 형성이 사다리꼴의 형태로 나타남을 알 수 있다.
(비교예 1)
비교예 1은 도 3를 참조하여 상기 실시예 2와는 달리 흡수막의 형성을 질소의 유량을 40sccm, 30sccm, 20sccm으로 감소시켜 가면서 형성된 3층으로 구성된 흡수막으로 변경하여 제조된 극자외 블랭크 마스크를 동일한 공정 과정을 통해 건식 식각을 실시하였다. 이후 FE-SEM을 통해 Side Angle을 측정한 결과 89도의 수직한 패턴이 형성됨을 관측하였다. 동일하게 AES 장비를 이용하여 흡수막내의 질소의 조성비를 분석한 결과 하부층은 32at%, 중간층은 25at%, 상부층은 23at%의 조성비를 나타내어 건식 식각시 식각 속도가 깊이 방향으로 빨라질수록 수직한 패턴 형성이 이루어짐을 알 수 있다
(실시예 3)
상기 실시예 3은 실시예 1과 동일한 방법으로 형성된 흡수막 상부에 질소 분위기에서 퍼니스 장비를 이용하여 300도/15분간 열처리한 후 냉각 장치를 이용하여 23도까지 냉각한 후 흡수막에 대하여 반사율을 측정하였다. 이때 냉각에 소요된 시간은 10분이었으며, 144㎟ 영역의 49 Point에 대한 반사율 측정결과 노광광에 대한 평균 반사율은 0.19%, 균일도는 0.02%로 측정되었으며, 동일하게 검사파장인 193nm에서 평균 반사율이 17.4%, 균일도가 0.12%로 양호한 결과를 나타내었다. 이는 냉각 시 매질에 남겨있는 에너지 방출 속도를 증가시킴으로서 표면에 잔류하고 있는 에너지 분포의 균일도를 대기 냉각보다 우수하게 함을 알 수 있었다.
(비교예 2)
상기 실시예 3의 비교를 위해 동일한 공정으로 형성된 흡수막을 질소 분위기에서 퍼니스 장비를 이용하여 열처리를 실시예 3과 동일하게 실시하였다. 이후 냉각을 대기중에서 실시하여 23도까지 냉각하는데 43분의 소요시간이 걸렸다. 이 후 상온상태의 흡수막에 대하여 노광광에서의 반사율을 측정한 결과 49 Point에 대한 평균 반사율은 0.17%, 균일도 0.05%로 측정되었으며, 검사파장에서의 반사율은 평균 반사율이 17.2% 균일도가 0.32%로 측정되었다. 이러한 결과는 실시예 3과 비교시 균일도가 떨어짐을 알 수 있는데, 그 이유는 매질내의 에너지가 오래 지속될수 록 에너지에 의한 막내 균일도가 저하됨을 알 수 있다. 따라서, 냉각장치를 이용하여 냉각속도를 저감함으로서 막내 에너지 방출의 시간을 저감하고, 이에 따라 균일도 차이가 발생함을 알 수 있다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 본 발명에 따른 극자외선용 블랭크 마스크
200 : 본 발명에 따른 극자외선용 포토마스크
10 : LTEM 투명기판
20 : 반사막
30 : 캡핑막
40 : 버퍼막
50 : 흡수막
60 : 하드마스크막
70 : 레지스트막
Claims (22)
- LTEM 기판;상기 LTEM 기판 위에 형성되는 다층의 반사막;상기 LTEM 기판 후면에 형성되는 도전막;상기 반사막 위에 반사막 보호를 위해 형성되는 캡핑막;상기 캡핑막 위에 형성되는 버퍼막;상기 버퍼막 위에 형성되는 흡수막;상기 흡수막 위에 형성되는 하드마스크막;상기 하드마스크막 위에 형성되는 레지스트를 구비하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,극자외선 블랭크 마스크는 버퍼막과 흡수막 사이에 선택적으로 위상반전을 위한 위상반전막이 단층 또는 다층으로 형성되어 있으며, 이로 인한 흡수막에서의 반사광 광도가 0.01~30%, 위상반전이 반사막과 180도 반전되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,상기 극자외선 블랭크 마스크는 반사막과 흡수막 사이에 캡핑막과 버퍼막을 선택적으로 형성하거나, 하지 않는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,상기 극자외선 블랭크 마스크는 도전막이 기판 후면에 선택적으로 적층 또는 적층하지 않는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,흡수막은 탄탈륨(Ta), 티탄늄(Ti), 실리콘(Si), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 루테늄(Ru), 니오븀(Nb), 하프늄(Hf)의 1종 이상의 금속과 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 수소(H), 붕소(B)를 1종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,흡수막의 13.5nm의 노광광에 대하여 반사율이 0 내지 5%이며,깊이 방향에 따른 조성비의 평균이 금속이 20~100at%, 비금속 성분이 20~50at%인 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,흡수막의 193nm, 248nm, 257nm의 검사파장에서 반사율을 5 내지 20%로 제어하기 위해 표면처리를 핫 플레이트, 퍼니스(Furance), 급속 열처리 장치(Rapid Thermal Process), 플라즈마(Plasma)를 대기 및 또는 진공에서 표면처리 하는 것을 특징으로 극자외선용 블랭크 마스크 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,흡수막의 표면처리 시 가스 분위기는 진공 및 질소 및/또는 산소 분위기에서 하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,흡수막의 표면 처리 후 검사파장에서의 표면 반사율 균일도를 향상시키기 위해 냉각 처리하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,흡수막의 로딩효과를 저감하기 위해 흡수막의 평탄도가 0.3um 이내인 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,하드마스크막는 루테늄(Ru), 보론(B), 리튬(Li), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 코발트(Co), 텅스텐(W), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 하프늄(Hf), 플래티늄(Pt), 몰리브데늄(Mo), 로듐(Rh), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 실리콘(Si), 크롬(Cr), 셀렌(Se), 이트륨(Y)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 단독 및/또는 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 불소(F), 염소(Cl)의 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,하드마스크막은 1층 및 또는 2층 이상으로 구성되며, 하드마스크막은 하부의 흡수막과 상이한 건식 식각 특성을 가지는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 12항에 있어서,하드마스크막이 불소 계열의 건식 식각 특성일 때 하부의 흡수막은 염소 계열의 가스에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,하드마스크막의 두께가 5 내지 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,하드마스크막은 흡수막보다 면저항이 같거나 낮으며, 하드마스크의 면저항이 5Ω~ 100kΩ/□이하인 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,하드마스크막의 흡수막과의 건식 식각비가 3 내지 50이 되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,하드마스크막을 구성하는 원소 중에서 금속 원소가 30~90at%이며, 비금속 원소가 10~70at%인 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,하드마스크막에 질소가 필수적으로 포함되는 경우 하드마스크막 표면처리를 필수적으로 실시하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항 및 제 18항에 있어서,하드마스크막에 질소가 포함되는 않은 경우 하드마스크막의 표면처리를 선택적으로 실시하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 제 1항에 있어서,하드마스크막에 의한 기판의존성을 제어하기 위해 하드마스크막의 불순물 이온 중 특히, 암모니아 (NH4+)를 포함한 염기성 불순물 이온이 1ppmv 이하인 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- LTEM 기판;상기 LTEM 기판 위에 형성되는 다층의 반사막;상기 LTEM 기판 후면에 형성되는 도전막;상기 반사막 위에 반사막 보호를 위해 형성되는 캡핑막;상기 캡핑막 위에 형성되는 버퍼막;상기 버퍼막 위에 형성되는 흡수막;상기 흡수막 위에 형성되는 하드마스크막;상기 하드마스크막 위에 형성되는 레지스트를막을 구비하고,흡수막의 패턴 형태를 EUV 노광광의 입사각에 맞추어 사다리꼴 패턴을 형성하기 위해, 흡수막은 깊이 방향으로 식각 속도가 동일하거나, 느린 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
- 상기 21항에 있어서,흡수막이 2층 이상으로 구성될 때, 박막 밀도가 깊이 방향으로 높은 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20080094994A KR101485754B1 (ko) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 포토마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20080094994A KR101485754B1 (ko) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 포토마스크 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100035559A true KR20100035559A (ko) | 2010-04-05 |
| KR101485754B1 KR101485754B1 (ko) | 2015-01-26 |
Family
ID=42213421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20080094994A KR101485754B1 (ko) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 포토마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101485754B1 (ko) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014085037A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Applied Materials, Inc. | Method for etching euv material layers utilized to form a photomask |
| WO2014159427A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Applied Materials, Inc | Resist hardening and development processes for semiconductor device manufacturing |
| KR20150016056A (ko) * | 2013-08-01 | 2015-02-11 | 삼성전자주식회사 | 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크와 포토마스크를 이용하여 제조된 집적회로 소자 |
| KR20150105059A (ko) * | 2014-03-07 | 2015-09-16 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR20150122957A (ko) * | 2014-04-24 | 2015-11-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 위상 반전 마스크의 표면 개질 방법 및 이를 이용한 세정 방법 |
| KR101579852B1 (ko) * | 2015-03-25 | 2015-12-23 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR20160016506A (ko) * | 2014-07-31 | 2016-02-15 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Id 패턴의 결함이 프린트될 가능성을 완화시키는 방법 |
| US9454074B2 (en) | 2013-07-02 | 2016-09-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflective photomask blanks and reflective photomasks |
| KR20190059326A (ko) * | 2016-10-21 | 2019-05-30 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR20210054451A (ko) * | 2019-11-05 | 2021-05-13 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크 및 포토마스크 |
| KR102444967B1 (ko) * | 2021-04-29 | 2022-09-16 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| US20220342293A1 (en) * | 2019-09-26 | 2022-10-27 | Hoya Corporation | Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| KR102465982B1 (ko) * | 2021-07-13 | 2022-11-09 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102503790B1 (ko) * | 2021-10-07 | 2023-02-23 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| US11982935B2 (en) | 2019-05-21 | 2024-05-14 | AGC Inc. | Reflective mask blank for EUV lithography |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180012906A (ko) | 2016-07-27 | 2018-02-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP7313166B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2023-07-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010004043A (ko) * | 1999-06-28 | 2001-01-15 | 김영환 | 이유브이 노광 장비용 반사 마스크의 제조방법 |
| KR100604938B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2006-07-28 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 노광용 반사마스크 및 그 제조방법 |
| KR20070060529A (ko) * | 2005-12-08 | 2007-06-13 | 주식회사 에스앤에스텍 | 반사방지막이 형성된 블랭크 마스크, 그 제조방법 및 이를이용한 포토마스크 |
| KR20080001023A (ko) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법 |
-
2008
- 2008-09-26 KR KR20080094994A patent/KR101485754B1/ko active IP Right Grant
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8778574B2 (en) | 2012-11-30 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask |
| WO2014085037A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Applied Materials, Inc. | Method for etching euv material layers utilized to form a photomask |
| US9411237B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Resist hardening and development processes for semiconductor device manufacturing |
| WO2014159427A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Applied Materials, Inc | Resist hardening and development processes for semiconductor device manufacturing |
| US9454074B2 (en) | 2013-07-02 | 2016-09-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflective photomask blanks and reflective photomasks |
| KR20150016056A (ko) * | 2013-08-01 | 2015-02-11 | 삼성전자주식회사 | 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크와 포토마스크를 이용하여 제조된 집적회로 소자 |
| KR20150105059A (ko) * | 2014-03-07 | 2015-09-16 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR20150122957A (ko) * | 2014-04-24 | 2015-11-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 위상 반전 마스크의 표면 개질 방법 및 이를 이용한 세정 방법 |
| US9964850B2 (en) | 2014-07-31 | 2018-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to mitigate defect printability for ID pattern |
| KR20160016506A (ko) * | 2014-07-31 | 2016-02-15 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Id 패턴의 결함이 프린트될 가능성을 완화시키는 방법 |
| US10684552B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-06-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to mitigate defect printability for ID pattern |
| US11086227B2 (en) | 2014-07-31 | 2021-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to mitigate defect printability for ID pattern |
| KR101579852B1 (ko) * | 2015-03-25 | 2015-12-23 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR20190059326A (ko) * | 2016-10-21 | 2019-05-30 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11982935B2 (en) | 2019-05-21 | 2024-05-14 | AGC Inc. | Reflective mask blank for EUV lithography |
| US20220342293A1 (en) * | 2019-09-26 | 2022-10-27 | Hoya Corporation | Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| KR20210054451A (ko) * | 2019-11-05 | 2021-05-13 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크 및 포토마스크 |
| US11467485B2 (en) | 2019-11-05 | 2022-10-11 | S&S Tech Co., Ltd. | Blankmask and photomask for extreme ultraviolet lithography |
| KR102444967B1 (ko) * | 2021-04-29 | 2022-09-16 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102465982B1 (ko) * | 2021-07-13 | 2022-11-09 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102503790B1 (ko) * | 2021-10-07 | 2023-02-23 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101485754B1 (ko) | 2015-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101485754B1 (ko) | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 포토마스크 | |
| KR101567057B1 (ko) | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 | |
| KR101625382B1 (ko) | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법 | |
| US9207529B2 (en) | Reflective mask blank for EUV lithography, and process for its production | |
| US8367279B2 (en) | Reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing the same | |
| JP5348141B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク | |
| KR101172698B1 (ko) | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법 | |
| US20210278759A1 (en) | Method of manufacturing reflective mask blank, and reflective mask blank | |
| WO2010050518A1 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク | |
| KR20160016098A (ko) | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 | |
| JP5009590B2 (ja) | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 | |
| TWI784139B (zh) | 遮罩基底、相位轉移遮罩及半導體元件之製造方法 | |
| TWI778231B (zh) | 遮罩基底、相位轉移遮罩以及半導體元件之製造方法 | |
| JP5187060B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクの製造方法 | |
| TW200937111A (en) | Mask blank and method of manufacturing mask | |
| US11467485B2 (en) | Blankmask and photomask for extreme ultraviolet lithography | |
| JP2012159855A (ja) | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 | |
| JP2004128490A (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
| US11360377B2 (en) | Half-tone attenuated phase shift blankmask and photomask for EUV lithography | |
| KR20120057488A (ko) | 포토마스크 블랭크의 제조방법과 포토마스크 블랭크와 포토마스크 | |
| CN113242995A (zh) | 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 | |
| KR20190129661A (ko) | 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법 | |
| KR20240046292A (ko) | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US20220283492A1 (en) | Reflective mask blank and reflective mask | |
| KR20220121401A (ko) | 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200120 Year of fee payment: 6 |