KR20100032761A - Light emitting diode package - Google Patents

Light emitting diode package Download PDF

Info

Publication number
KR20100032761A
KR20100032761A KR1020080091782A KR20080091782A KR20100032761A KR 20100032761 A KR20100032761 A KR 20100032761A KR 1020080091782 A KR1020080091782 A KR 1020080091782A KR 20080091782 A KR20080091782 A KR 20080091782A KR 20100032761 A KR20100032761 A KR 20100032761A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
package
red phosphor
receiving groove
Prior art date
Application number
KR1020080091782A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
전충배
조영진
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020080091782A priority Critical patent/KR20100032761A/en
Publication of KR20100032761A publication Critical patent/KR20100032761A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PURPOSE: As the insert forming box the red color fluorescent substance film which the light-emitting diode package contain the red-emitting phosphor in the resin shield part containing the yellow fluorescent material to the horizontal direction. The spectrum of the red light emitting part is reinforced. CONSTITUTION: A package main body(111) comprises the storing groove. First and second electrode structures(113, 114) are formed in the package body in order to expose to the bottom surface of the storing groove. The blue LED(Light Emitting Diode) chip(117) is mounted in the bottom surface of the storing groove in order to be electrically connected to the first and the second electrode structure. While being formed in order to surround the blue-LED chip, resin shield parts(119a, 119c) contain the yellow fluorescent material. It is inserted into the resin shield part to the horizontal direction and it is formed and the red color fluorescent substance film(119b) contain the red-emitting phosphor.

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}Light Emitting Diode Package {LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 특히 적색 파장 부분을 보강하여 연색성을 높인 발광다이오드 패키지에 관련된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package having enhanced color rendering properties by reinforcing a red wavelength portion.

일반적으로 발광다이오드(LED)는 우수한 단색성 피크 파장을 가지며 광 효율성이 우수하고 소형화가 가능하다는 장점 때문에 주로 패키지 형태로서 다양한 디스플레이 장치 및 광원으로서 널리 이용되고 있다. 특히 조명장치 및 디스플레이 장치의 백라이트(backlight)를 대체할 수 있는 고효율, 고출력 광원으로서 적극적으로 개발되고 있는 추세에 있다.In general, light emitting diodes (LEDs) are widely used as various display devices and light sources mainly as packages because of their advantages of having excellent monochromatic peak wavelength, excellent light efficiency, and miniaturization. In particular, there is a trend to actively develop as a high efficiency, high output light source that can replace the backlight of the lighting device and the display device.

도 1은 종래 LED 패키지의 단면도이고, 도 2는 도 1에 나타낸 종래 LED 패키지의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view of a conventional LED package, Figure 2 is a view showing the emission spectrum of the conventional LED package shown in FIG.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 발광다이오드 패키지(10)는 패키지 본체(11)와, 발광다이오드 칩(17)을 포함한다. 패키지 본체(11)에는 발광다이오드 칩(17)을 실장하기 위한 실장부(12)가 형성되어 있고, 그 실장부(12)를 둘러싼 측벽에는 반사면(15)이 형성되어 있다. 또한, 실장부(12)의 바닥에는 리드전극(13, 14)이 배치되어 있고, 패키지(10) 내에 실장된 발광다이오드 칩(17)은 와이어에 의 해 상기 리드전극(13, 14)과 전기적으로 접속될 수 있다. 그리고, 실장된 발광다이오드 칩(17)은 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등으로 이루어진 수지 포장부(19)에 의해 봉지되어 있다.1 and 2, the conventional light emitting diode package 10 includes a package body 11 and a light emitting diode chip 17. The package body 11 is provided with a mounting portion 12 for mounting the light emitting diode chip 17, and a reflection surface 15 is formed on the side wall surrounding the mounting portion 12. In addition, lead electrodes 13 and 14 are disposed at the bottom of the mounting part 12, and the light emitting diode chip 17 mounted in the package 10 is electrically connected to the lead electrodes 13 and 14 by wires. Can be connected to. The mounted LED chip 17 is sealed by a resin packaging portion 19 made of epoxy resin, silicone resin, or the like.

현재 LED를 사용하여 백색발광장치를 구현하는 방법 중 가장 널리 사용되고 있는 방법은 청색 LED상에 황색 형광체를 도포하는 방법이다. 이와 같이 황색 형광체로서 백색광 등 원하는 파장대의 출력광을 얻기 위하여 수지 포장부(19) 내에는 형광체 입자들이 분산되어 있는데, 예컨대 YAG계 황색 형광체가 실리콘 수지 내에 분산되어 분포될 수 있다.Currently, the most widely used method of implementing a white light emitting device using an LED is a method of applying a yellow phosphor on a blue LED. As described above, in order to obtain output light of a desired wavelength band such as white light, phosphor particles are dispersed in the resin packaging unit 19. For example, YAG-based yellow phosphor may be dispersed and distributed in a silicone resin.

이와 같은 황색 형광체로는 YAG계 이외에도 TAG계 또는 규산염 형광체도 사용될 수 있는데, 특히 YAG계나 TAG계는 Ce 발광특성을 이용한 우수한 형광체로서 청색광을 여기광으로 사용하고 있다. 이러한 종래의 황색 형광체는 도 2에 도시된 바와 같이 황색 발광 부분의 단일 스펙트럼만을 가지고 있다.As the yellow phosphor, a TAG or silicate phosphor may be used in addition to the YAG type. In particular, the YAG or TAG type uses blue light as excitation light as an excellent phosphor using Ce emission characteristics. This conventional yellow phosphor has only a single spectrum of the yellow light emitting portion as shown in FIG.

그런데, 이와 같이 황색 발광 부분의 단일 스펙트럼을 갖는 LED 패키지는 연색성이 떨어지는 단점을 갖고 있다. 다시 말해, 연색성은 조명된 피사체의 색 재현 충실도를 나타내는 광원의 성질로서 그 연색성을 평가하기 위해 연색 지수로 나타내어지게 되는데, 이때 물건의 색이 LED 패키지로부터 제공된 빛을 통해 본 경우와 자연광 아래서 본 경우에 있어 차이를 보이게 되는 것이다.However, the LED package having a single spectrum of the yellow light emitting part has a disadvantage of poor color rendering. In other words, color rendering is a property of a light source that represents the color reproduction fidelity of an illuminated subject, which is represented by a color rendering index to evaluate the color rendering, where the color of the object is seen through light provided from the LED package and under natural light. Will make a difference.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 LED 칩이 실장된 본체의 수납 홈에 형성되어 청색 형광체를 함유한 수지포장부와, 그 수지포장부의 수평방향으로 삽입·형성된 적색 형광체를 함유한 적색 형광체막을 갖는 LED 패키지를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of which is formed in the receiving groove of the main body on which the LED chip is mounted, the resin packaging portion containing a blue phosphor, and inserted and formed in the horizontal direction of the resin packaging portion An LED package having a red phosphor film containing a red phosphor is provided.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 LED 패키지는 수납 홈을 갖는 패키지 본체와, 상기 수납 홈의 저면에 노출되도록 상기 패키지 본체에 형성된 제1 및 제2전극구조와, 상기 제1 및 제2전극구조에 전기적으로 접속되도록 상기 수납 홈의 저면에 실장된 청색 발광다이오드 칩과, 상기 청색 발광다이오드 칩을 둘러싸도록 형성되며 황색 형광체를 함유한 수지 포장부, 및 상기 수지 포장부에 수평방향으로 삽입·형성되어 적색 형광체를 함유한 적색 형광체막을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.The LED package according to the present invention for achieving the above object is a package body having a receiving groove, the first and second electrode structure formed in the package body to be exposed to the bottom surface of the receiving groove, and the first and second A blue light emitting diode chip mounted on a bottom surface of the accommodating groove so as to be electrically connected to an electrode structure, a resin packaging portion formed to enclose the blue light emitting diode chip and containing a yellow phosphor, and inserted into the resin packaging portion in a horizontal direction And a red phosphor film formed to contain a red phosphor.

상기의 구성 결과 본 발명에 따른 LED 패키지는 황색 형광체를 함유한 수지포장부에 수평방향으로 적색 형광체를 함유한 적색 형광체막을 삽입·형성하는 것에 의해 적색 발광 부분의 스펙트럼을 보강해 줌으로써 LED 패키지의 연색성을 증가시킬 수 있을 것이다.As a result of the above configuration, the LED package according to the present invention reinforces the spectrum of the red light emitting part by inserting and forming a red phosphor film containing a red phosphor in a horizontal direction in a resin packaging containing a yellow phosphor, thereby rendering the color rendering property of the LED package. Will be able to increase.

이하, 도면을 참조하여 상기 구성과 관련해 좀더 구체적으로 살펴보고자 한다. Hereinafter, the configuration will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도이고, 도 4는 도 3에 나타낸 LED 패키지의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.3 is a cross-sectional view of the LED package according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a view showing the emission spectrum of the LED package shown in FIG.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 하나의 실시예에 따른 LED 패키지는 수납 홈을 형성하여 외곽을 이루는 패키지 본체(111)와, 상기 패키지 본체(111)의 수납 홈에 구비되고 외부로부터 전압을 인가받아 청색의 자외선을 제공하는 발광다이오드 칩(117)과, 그 실장된 발광다이오드 칩(117)을 둘러싸고 패키지 본체(111)의 수납 홈을 메우는 수지 포장부(119a, 119c)(이하 제1형광층), 및 그 제1형광층(119a, 119c)에 수평으로 삽입·형성되고 적색 형광체를 함유한 적색 형광체막(119b)(이하, 제2형광층)으로 구성되어 있다.3 and 4, the LED package according to an embodiment of the present invention is provided in the package main body 111 and the receiving groove of the package main body 111 to form an outer receiving groove Resin packaging parts 119a and 119c which fill the storage grooves of the package main body 111 around the light emitting diode chip 117 and the mounted light emitting diode chip 117 by applying voltage from the outside ( The first phosphor layer and a red phosphor film 119b (hereinafter referred to as a second phosphor layer) which are inserted and formed horizontally in the first phosphor layers 119a and 119c horizontally and contain a red phosphor.

이때, 제1형광층(119a, 119c)은 YAG계(혹은 TAG계)의 황색 형광체를 함유한 에폭시 수지, 또는 YAG계의 황색 형광체를 함유한 실리콘 수지로 이루어지고, 제2형광층(119b)은 아연 셀레늄계의 적색 형광체를 함유한 에폭시 또는 실리콘 수지로 이루어져 있다.In this case, the first fluorescent layers 119a and 119c are made of an epoxy resin containing a YAG-based (or TAG-based) yellow phosphor, or a silicone resin containing a YAG-based yellow phosphor, and the second fluorescent layer 119b. It consists of an epoxy or silicone resin containing silver zinc selenium-based red phosphor.

여기서, 외부의 프레임을 이루고 있는 패키지 본체(111)는 플라스틱 재질로 하여 사출 성형에 의해 형성될 수 있는데, 그 가운데 영역에는 상측을 향해 개방된 오목한 수납 홈을 형성하고 있다. 이때, 수납 홈의 측벽을 따라 그 가운데 영역에는 계단 형태의 단차(段差)를 이루고 있어 수납 홈의 상측과 하측 부위를 경계 짓고 있으며, 수납 홈의 측벽은 빛을 반사시킬 수 있도록 반사 물질이 추가적으로 형 성될 수 있다.Here, the package body 111 constituting the outer frame may be formed by injection molding using a plastic material, in which a concave receiving groove opened toward the upper side is formed. At this time, a step-shaped step is formed along the side wall of the storage groove, and the upper and lower portions of the storage groove are bounded, and the sidewall of the storage groove has an additional reflective material to reflect light. Can be made.

그리고, 본체(111)의 수납 홈에 혹은 수납 홈 내에 형성된 별도의 실장부(112)에는 발광다이오드 칩(117)이 실장되어 있다. 이때, 발광다이오드 칩(117)은 이후에 다시 기술되겠지만 외부로부터 전압을 인가받아 주로 450~470nm 파장대의 청색 광원을 제공하게 된다.The light emitting diode chip 117 is mounted in a separate mounting portion 112 formed in or in the storage groove of the main body 111. In this case, the light emitting diode chip 117 will be described later, but the voltage is applied from the outside to provide a blue light source mainly in the 450 ~ 470nm wavelength range.

또한, 그 수납 홈의 바닥에는 외부로부터 관통하여 유입된 혹은 수납 홈의 저면에 노출되도록 정극성(+) 및 부극성(-)의 제1 및 제2전극구조(113, 114)가 형성되어 있다. 이러한 제1 및 제2전극구조(113, 114)는 외부의 전원부와 전기적으로 접속되며, 이를 통해 외부로부터 전압이 인가되게 된다. 이때, 제1 및 제2전극구조(113, 114)는 실질적으로 발광다이오드 칩(117)과 접촉하는 도전 와이어(113a, 114a)를 추가적으로 포함할 수 있다.In addition, first and second electrode structures 113 and 114 of positive (+) and negative (-) are formed at the bottom of the storage groove so as to penetrate from the outside or be exposed to the bottom of the storage groove. . The first and second electrode structures 113 and 114 are electrically connected to an external power supply unit, whereby a voltage is applied from the outside. In this case, the first and second electrode structures 113 and 114 may further include conductive wires 113a and 114a substantially in contact with the light emitting diode chip 117.

발광 다이오드 칩(117)이 실장되어 있는 패키지 본체(111)의 수납 홈에는 제1형광층(119a, 119c)이 형성되어 있다. 이때, 하측에 위치하는 제1형광층(119a)은 수납 홈의 단차 부위 하측에 위치하고, 앞서서도 언급되었듯이 예컨대 YAG계의 황색 형광체를 함유하는 에폭시 수지 혹은 YAG계의 황색 형광체를 함유하는 실리콘 수지로 이루어져 있다.First fluorescent layers 119a and 119c are formed in the accommodation grooves of the package body 111 on which the light emitting diode chip 117 is mounted. At this time, the first fluorescent layer 119a located at the lower side is positioned below the stepped portion of the receiving groove, and as mentioned above, for example, an epoxy resin containing a YAG-based yellow phosphor or a silicone resin containing a YAG-based yellow phosphor. Consists of

이와 같은 하측의 제1형광층(119a)은 예를 들어 황색 형광체를 함유한 젤(jel) 형태의 에폭시 수지를 본체(111)의 수납 홈에 주입한 후 UV(ultraviolet) 경화나 열 경화를 통해 형성될 수 있다.The lower first fluorescent layer 119a is, for example, injected with a gel-type epoxy resin containing a yellow phosphor into an accommodating groove of the main body 111, and then through UV (ultraviolet) curing or thermal curing. Can be formed.

그리고, 수납 홈의 단차 부위 하측에 형성된 하측의 제1형광층(119a)상에는 그 하측의 제1형광층(119a)과 수평하게 오버랩(overlap)된 대략 10㎛ 이하, 더욱 자세하게는 3~10㎛의 범위에 있는 얇은 제2형광층(119b)이 형성되어 있다. 이때, 제2형광층(119a)은 수납 홈의 단차부상에 위치하도록 형성되며, 그 형성 두께는 단차 부위의 높이와 동일하게 형성되는 것이 바람직하다. 다시 말해, 단차 부위의 높이는 제2형광층(119a)의 두께를 결정하는데 이용될 수 있다.On the lower first fluorescent layer 119a formed below the stepped portion of the storage groove, approximately 10 μm or less overlapped horizontally with the lower first fluorescent layer 119a, and more specifically, 3 to 10 μm. The thin second fluorescent layer 119b in the range of is formed. In this case, the second fluorescent layer 119a is formed to be positioned on the stepped portion of the accommodating groove, and the forming thickness thereof is preferably equal to the height of the stepped portion. In other words, the height of the stepped portion may be used to determine the thickness of the second fluorescent layer 119a.

이와 같은 제2형광층(119b)은 아연 셀레늄계의 적색 형광체를 함유하는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지로 이루어지며, 그 형성방법에 있어서는 하측의 제1형광층(119a)의 형성방법과 동일하다.The second fluorescent layer 119b is made of an epoxy resin or a silicone resin containing a zinc selenium-based red phosphor. The method of forming the second fluorescent layer 119b is the same as the method of forming the lower first fluorescent layer 119a.

상기 제2형광층(119b)상에는 다시 수납 홈의 단차 부위 상측에 위치하는 상측의 제1형광층(119c)이 형성되어 있다. 물론 이때 단차 부위의 상측에 위치하는 상측의 제1형광층(119c)은 단차 부위의 하측에 위치하는 하측의 제1형광층(119a)과 동일하게 YAG계의 황색 형광체를 포함하는 에폭시 수지 혹은 YAG계의 황색 형광체를 포함하는 실리콘 수지로 이루어져 있다. 그 형성방법에 있어서는, 수납 홈의 단차 하측 부위에 위치하는 하측의 제1형광층(119a) 혹은 그 하측의 제1형광층(119a)과 오버랩되어 형성된 제2형광층(119b)의 형성방법과 동일하다.On the second fluorescent layer 119b, an upper first fluorescent layer 119c, which is located above the stepped portion of the receiving groove, is formed. Of course, at this time, the upper first fluorescent layer 119c positioned above the stepped portion is the same as the lower first fluorescent layer 119a positioned below the stepped portion of the epoxy resin or YAG containing YAG-based yellow phosphor. It consists of the silicone resin containing the yellow fluorescent substance of the type | system | group. In the formation method, the formation method of the 2nd fluorescent layer 119b formed overlapping with the 1st fluorescent layer 119a of the lower side located in the lower side part of the step | step of a storage groove, or the lower 1st fluorescent layer 119a, and same.

이에 더해, 본 발명의 하나의 실시예에 따른 LED 패키지는 수납 홈을 둘러싸며 패키지 본체(111)에 고정되어 형성된 (볼록)렌즈가 추가적으로 구성될 수 있다. 이와 같은 렌즈는 패키지 본체(111)의 수납 홈에 형성된 수지 포장부(119a, 119c) 중 상측의 제1형광층(119c)을 외부로부터 보호함과 동시에, 그 수납 홈에 실장된 발광다이오드 칩(117)으로부터 제공된 광원을 외부로 확산시키는 역할을 하게 된 다.In addition, the LED package according to the exemplary embodiment of the present invention may further include a (convex) lens formed to be fixed to the package body 111 by surrounding the receiving groove. Such a lens protects the first fluorescent layer 119c on the upper side of the resin packaging parts 119a and 119c formed in the accommodating groove of the package main body 111 from the outside, and also includes a light emitting diode chip mounted in the accommodating groove ( 117) serves to diffuse the light source provided to the outside.

이와 같이 구성된 LED 패키지의 발광다이오드 칩(117)에는 외부로부터 제1 및 제2전극구조(113, 114)를 통해, 더 자세하게는 그 제1 및 제2전극구조(113, 114) 및 도전 와이어를 통해 전압이 인가된다.The light emitting diode chip 117 of the LED package configured as described above is provided with the first and second electrode structures 113 and 114 and the conductive wires in detail through the first and second electrode structures 113 and 114 from the outside. Voltage is applied through.

이때, 발광 다이오드 칩(117)은 그 전압을 인가받아 대략 450~470nm 파장대의 자외선, 즉 청색 광원을 제공하게 되고, 그 제공된 청색 광원을 본체(111)의 수납 홈에 형성된 제1형광층(119a, 119c) 및 제2형광층(119b)의 황색 형광체와 적색 형광체가 각각 흡수하여 여기 상태가 된다.At this time, the LED chip 117 is applied with the voltage to provide ultraviolet light, that is, a blue light source in the wavelength range of approximately 450 ~ 470nm, the first fluorescent layer 119a formed in the receiving groove of the main body 111 , 119c and the yellow phosphor and the red phosphor of the second fluorescent layer 119b are absorbed and brought into an excited state.

그리고, 그 여기된 각각의 황색 형광체와 적색 형광체는 특정 파장대에 해당되는 황색 및 적색의 빛을 발광하게 된다. 이때 적색은 가령 600nm 이상의 파장대에 해당될 수 있다.Each of the excited yellow phosphor and red phosphor emits yellow and red light corresponding to a specific wavelength band. In this case, the red color may correspond to, for example, a wavelength band of 600 nm or more.

그 결과, 본 발명의 LED 패키지는 청색 발광다이오드 칩(117)으로부터 직접 제공된 청색의 빛과, 황색 형광체 및 적색 형광체를 통해 제공된 황색 및 적색의 빛이 혼합되어 백색광을 구현하게 된다.As a result, in the LED package of the present invention, blue light provided directly from the blue light emitting diode chip 117 and yellow and red light provided through the yellow phosphor and the red phosphor are mixed to realize white light.

이때 본 발명은 적색 형광체를 포함하는 제2형광층(119b)의 형성을 통해 도 4에서 확인할 수 있는 바와 같이 옐로이쉬(yellowish)한 백색광에 레디쉬(redish)한 백색광을 더해주어 자연광에 더욱 가까운 백색광을 구현함으로써 연색성을 개선시킬 수 있게 된다.In this case, the present invention adds redish white light to yellowish white light as shown in FIG. 4 through the formation of the second fluorescent layer 119b including the red phosphor, which is closer to natural light. By implementing the white light it is possible to improve the color rendering.

이와 동시에, 본 발명의 LED 패키지는 수납 홈의 측벽을 따라 형성된 계단 형태의 단차 부위를 통해 수지 포장부(119a, 119c) 중 상측의 제1형광층(119c)의 외부로 방사(放射)되는 빛의 효율을 증가시키게 된다.At the same time, the LED package according to the present invention emits light to the outside of the upper first fluorescent layer 119c among the resin packaging parts 119a and 119c through a stepped step portion formed along the sidewall of the receiving groove. It will increase the efficiency of.

다시 말해, 청색 발광다이오드 칩(117)으로부터 출사된 청색 광원은 수납 홈의 단차 부위 상측에 형성되어 공기와 접촉하는 상측의 제1형광층(119c)의 계면(界面)에서 임계각 이상이 될 때 전반사가 이루어져 그 빛이 수납 홈의 내부로 다시 유입되고 이로 인해 수납 홈의 내부에서 빛의 손실이 발생하게 된다.In other words, the blue light source emitted from the blue light emitting diode chip 117 is formed at the upper side of the stepped portion of the accommodating groove, and is totally reflected when the critical light is greater than or equal to the critical angle at the interface of the upper first fluorescent layer 119c in contact with air. The light is introduced back into the inside of the receiving groove, which causes a loss of light inside the receiving groove.

이때 본 발명의 수납 홈 측벽에 형성된 단차 부위는 이와 같이 전반사에 의해 내부로 유입된 빛을 다시 외부로 반사시켜 줌으로써 광의 방사 효율을 증대시켜 주게 된다.At this time, the stepped portion formed in the side wall of the receiving groove of the present invention increases the radiation efficiency of the light by reflecting the light introduced into the interior by total reflection again to the outside.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지를 나타내는 도면이다.5 is a view showing an LED package according to another embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지는 수납 홈이 형성되고 그 수납 홈의 측벽을 따라 계단 형태의 단차 부위가 형성되어 외곽을 이루는 패키지 본체(211)와, 상기 패키지 본체(211)의 수납 홈에 구비되고 외부로부터 전압을 인가받아 청색의 광원을 제공하는 발광다이오드 칩(217)과, 그 실장된 발광다이오드 칩(217)을 둘러싸고 본체(211)의 수납 홈에 메우는 수지 포장부(219a, 219c, 219e)(이하, 제1형광층)와, 상기 제1형광층(219a, 219c, 219e)의 사이사이에서 수평하게 삽입·형성되어 있는 복수의 적색 형광체막(219b, 219d)(이하, 제2형광층)으로 구성되어 있다.As shown in FIG. 5, the LED package according to another embodiment of the present invention includes a package body 211 formed with an accommodating groove and having an outer stepped stepped portion formed along a sidewall of the accommodating groove. A light emitting diode chip 217 provided in a receiving groove of the package main body 211 and applied with a voltage from the outside to provide a blue light source, and surrounding the mounted light emitting diode chip 217 and placed in the receiving groove of the main body 211. A plurality of red phosphor films are horizontally inserted and formed between the resin packaging portions 219a, 219c, and 219e (hereinafter, referred to as a first fluorescent layer) and the first fluorescent layers 219a, 219c, and 219e. 219b and 219d (hereinafter referred to as second fluorescent layer).

여기에서 물론 제1형광층(219a, 219c, 219e)은 YAG계의 황색 형광체를 함유하는 에폭시 수지, 또는 YAG계의 황색 형광체를 함유하는 실리콘 수지로 이루어지며, 제2형광층(219b, 219d)은 아연 셀레늄계의 적색 형광체를 함유하는 에폭시 또 는 실리콘 수지로 이루어져 있다.Here, of course, the first fluorescent layers 219a, 219c, and 219e are made of an epoxy resin containing a YAG-based yellow phosphor, or a silicone resin containing a YAG-based yellow phosphor, and the second fluorescent layers 219b and 219d. It consists of an epoxy or silicone resin containing silver zinc selenium-based red phosphor.

이와 같은 점을 제외한 기타 수납 홈을 갖는 패키지 본체(211)와, 발광다이오드 칩(217) 등의 구성 요소들과 관련된 자세한 내용들은 앞서서의 내용들과 크게 다르지 않으므로, 그것들로 대신하고자 한다.Except for this, the details related to the components of the package body 211 and other elements of the light emitting diode chip 217 and the like may be replaced with those described above.

물론 지금까지 기술한 바 있는 LED 패키지는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 하나의 실시예에서 볼 때 제1형광층(119a, 119c)의 사이에 제2형광층(119b)을 수평하게 삽입·형성하는 것이 아니라, 제1형광층의 상측 및/혹은 하측면에 수평하게 오버랩되는 적어도 하나의 제2형광층을 형성하는 것이다. 가령, 제1형광층의 상측면에서 수평하게 오버랩되는 제2형광층을 형성하는 경우, 본체의 수납 홈에 제1형광층을 형성하고 난 후, 그 제1형광층의 상측 면에 제2형광층을 형성하는 것이다.Of course, the LED package described so far may be variously modified without departing from the spirit of the present invention. For example, in one embodiment of the present invention, rather than horizontally inserting and forming the second fluorescent layer 119b between the first fluorescent layers 119a and 119c, the upper side of the first fluorescent layer and / Or at least one second fluorescent layer overlapping horizontally on the lower side. For example, in the case of forming the second fluorescent layer that is horizontally overlapped on the upper surface of the first fluorescent layer, after forming the first fluorescent layer in the receiving groove of the main body, the second fluorescent light is formed on the upper surface of the first fluorescent layer. To form a layer.

또한, 본 발명의 다른 실시예에서 볼 때 제1형광층(219a, 219c, 219e)의 사이사이에 2개의 제2형광층(219b, 219d)이 수평하게 삽입·형성되는 것을 예시하였지만, 그러한 제2형광층의 형성 개수를 넘어 얼마든지 추가하여 형성될 수도 있을 것이다.Also, in another embodiment of the present invention, two second fluorescent layers 219b and 219d are horizontally inserted and formed between the first fluorescent layers 219a, 219c, and 219e. It may be formed by adding any number beyond the number of formation of the second fluorescent layer.

따라서, 이와 관련해서는 이후에 기술되는 청구범위에 그 권리범위를 밝혀 밝혀두고자 한다.Therefore, in this regard, it is intended that the scope of the claims be disclosed in the following claims.

도 1은 종래의 LED 패키지의 단면도1 is a cross-sectional view of a conventional LED package

도 2는 도 1에 나타낸 LED 패키지의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면2 is a view showing an emission spectrum of the LED package shown in FIG.

도 3은 본 발명에 따른 LED 패키지의 단면도3 is a cross-sectional view of the LED package according to the present invention

도 4는 도 3에 나타낸 LED 패키지의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면4 is a view showing an emission spectrum of the LED package shown in FIG.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지를 나타내는 도면5 is a view showing an LED package according to another embodiment of the present invention

Claims (8)

수납 홈을 갖는 패키지 본체;A package body having a receiving groove; 상기 수납 홈의 저면에 노출되도록 상기 패키지 본체에 형성된 제1 및 제2전극구조;First and second electrode structures formed on the package body to be exposed to a bottom surface of the receiving groove; 상기 제1 및 제2전극구조에 전기적으로 접속되도록 상기 수납 홈의 저면에 실장된 청색 발광다이오드 칩;A blue light emitting diode chip mounted on a bottom surface of the accommodating groove so as to be electrically connected to the first and second electrode structures; 상기 청색 발광다이오드 칩을 둘러싸도록 형성되며 황색 형광체를 함유한 수지 포장부; 및 A resin packaging part formed to surround the blue light emitting diode chip and containing a yellow phosphor; And 상기 수지 포장부에 수평방향으로 삽입·형성되어 적색 형광체를 함유한 적색 형광체막을 포함하는 발광다이오드 패키지.A light emitting diode package including a red phosphor film containing red phosphors inserted into the resin packaging part in a horizontal direction. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 수납 홈의 내부 측벽에는 적어도 하나의 단차부가 형성되며, At least one stepped portion is formed on an inner sidewall of the receiving groove, 상기 적색 형광체막은 상기 수납 홈의 단차부상에 위치하도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The red phosphor film is formed to be located on the stepped portion of the receiving groove. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 적색 형광체막은 상기 적색 형광체가 분산된 투명 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The red phosphor film is a light emitting diode package, characterized in that made of a transparent resin in which the red phosphor is dispersed. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 적색 형광체는 아연 셀레늄계 적색 형광체인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The red phosphor is a light emitting diode package, characterized in that the zinc selenium-based red phosphor. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 투명수지는 상기 수지포장부를 구성하는 수지와 동일한 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The transparent resin is a light emitting diode package, characterized in that the same as the resin constituting the resin packaging. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 투명수지는 실리콘 수지, 에폭시 수지 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The transparent resin is a light emitting diode package, characterized in that the silicone resin, epoxy resin or a mixture thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 적색 형광체막은 3~10㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The red phosphor film has a thickness of 3 ~ 10㎛ the LED package. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수납 홈의 내부 측벽에는 계단 형태의 복수의 단차부가 형성되며,A plurality of stepped portions are formed on the inner sidewall of the receiving groove, 상기 적색 형광체막은 상기 수납 홈의 단차부마다 위치하도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The red phosphor film is formed so as to be located at each step of the receiving groove.
KR1020080091782A 2008-09-18 2008-09-18 Light emitting diode package KR20100032761A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080091782A KR20100032761A (en) 2008-09-18 2008-09-18 Light emitting diode package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080091782A KR20100032761A (en) 2008-09-18 2008-09-18 Light emitting diode package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100032761A true KR20100032761A (en) 2010-03-26

Family

ID=42181894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080091782A KR20100032761A (en) 2008-09-18 2008-09-18 Light emitting diode package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100032761A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5026404B2 (en) LED package
US7906892B2 (en) Light emitting device
US8039862B2 (en) White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same
JP4229447B2 (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method
KR101297405B1 (en) Light emitting device employing dielectric multilayer reflecting mirror
TWI436506B (en) Led package structure using a prefabricated phosphor cap
US20110089815A1 (en) Light-emitting device
US10707189B2 (en) Light-emitting device
JP2005268708A (en) Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same
JPWO2016171109A1 (en) Lighting device, display device, and television receiver
US8461609B2 (en) Light emitting device package
KR101641266B1 (en) Display apparatus having light emitting device package
KR20090073598A (en) Led package
KR101518459B1 (en) Light emitting diode package
JP4853252B2 (en) Lighting device
KR20100032761A (en) Light emitting diode package
KR20100051476A (en) Light emitting diode package
KR20110102063A (en) Led device having enhanced efficiency
KR101724699B1 (en) Light emitting apparatus and lighting system
KR101367378B1 (en) Light emitting device employing dielectric multilayer reflecting mirror
KR102467197B1 (en) Light emitting diode package, backlight unit and liquid crystal display device comprising the same
KR20100050043A (en) Light emitting diode package
TW201442291A (en) Light emitting diode package structure
KR20080088218A (en) Light emitting diode with reduced chromatic deviation
KR101707972B1 (en) Display apparatus having light emitting device package

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid