KR20100029958A - Magnetic structure and magnetron sputtering device having the same - Google Patents

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전영하
이지언
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Abstract

PURPOSE: A magnet structure and a magnetron sputtering device with the same are provided to improve the uniformity and deposition rate of a thin film by optimizing the size and arrangement of permanent magnets. CONSTITUTION: A magnet structure(29) includes first and second permanent magnets(39,41) and first and second auxiliary magnets(43,45). The first and second permanent magnets are located under a target with an etching surface and create main magnetic flux by differentiating the direction of magnetic moment. The first and second auxiliary magnets create sub magnetic flux transforming the main magnetic flux. The first permanent magnet is located in the central axis of the target and the second permanent magnet surrounds the first permanent magnet with a first distance from the first permanent magnet. The first auxiliary magnet is located a second distance from the first permanent magnet and the second auxiliary magnet is located a third distance from the second permanent magnet.

Description

자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치 {Magnetic structure and magnetron sputtering device having the same}Magnetic structure and magnetron sputtering device having the same

본 발명은 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 특히 마그네트론 스퍼터링 공정에서 타깃의 침식 프로파일을 극대화하고 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a magnet structure and a magnetron sputtering apparatus having the same, and more particularly, to a magnet structure capable of maximizing the erosion profile of a target and improving the uniformity of a thin film in a magnetron sputtering process, and a magnetron sputtering apparatus having the same.

일반적으로 물리기상 증착(Physical Vapor Deposition; PVD) 방법은 스퍼터링(sputtering), 전자빔증발(E-beam evaporation), 열증발(Thermal evaporation) 또는 펄스레이저 증착(Pulsed Laser Deposition; PLD) 등과 같은 다양한 기술들로 나뉠 수 있다.In general, physical vapor deposition (PVD) methods include a variety of techniques such as sputtering, E-beam evaporation, thermal evaporation, or pulsed laser deposition (PLD). Can be divided into

이 중에서, 마그네트론을 이용한 스퍼터링(Magnetron sputtering) 기술은 가스를 진공상태의 챔버(chamber) 내로 주입하여 플라즈마를 생성시키고, 이온화된 가스입자를 증착하고자하는 타깃(target) 물질과 충돌시킨 후 충돌에 의해 스퍼터된 입자를 기판에 증착시키는 것이다. 따라서, 이러한 기술을 이용한 마그네트론 스퍼터링 장치는 상대적으로 저온에서 박막을 제조할 수 있고, 전기장에 의해 가속 된 이온들이 기판에 치밀하게 증착된다는 장점 때문에 널리 사용하고 있다.Among them, the magnetron sputtering technique injects a gas into a vacuum chamber to generate a plasma, collides with a target material to be deposited, and then collides with a target material to be deposited. The sputtered particles are deposited on a substrate. Therefore, the magnetron sputtering apparatus using this technique is widely used because of the advantages that the thin film can be manufactured at a relatively low temperature and the ions accelerated by the electric field are densely deposited on the substrate.

상기와 같은 마그네트론 스퍼터링 장치에 대한 일례가 도 1, 도2a 및 도 2b에 도시되어 있다. 도 1은 종래기술에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2a는 도 1의 장치에 사용된 자석들에서 중심축 우측에 형성된 자기장의 분포를 보여주는 도면이며, 도 2b는 도 1의 마그네트론 스퍼터링 장치에 사용된 타깃의 식각 프로파일을 보여주는 단면도이다.An example of such a magnetron sputtering apparatus is shown in FIGS. 1, 2A and 2B. 1 is a cross-sectional view schematically showing a magnetron sputtering apparatus according to the prior art, Figure 2a is a view showing the distribution of the magnetic field formed on the right side of the central axis in the magnets used in the device of Figure 1, Figure 2b A cross-sectional view showing the etching profile of a target used in a magnetron sputtering device.

도 1, 도 2a 및 도 2b에서 도시한 바와 같이, 마그네트론 스퍼터링 장치(1)는 원형 평판타깃(2), 지지대(3), 내부자석(4) 및 외부자석(5)을 포함하여 구성된다. 상기 원형 평판타깃(2)은 중심축(6)을 기준으로 회전대칭을 이루고 있고, 식각면(7)에서 침식이 발생한다. 상기 지지대(3)는 원형 평판타깃(2)의 하부에 위치하고, 내부자석(4) 및 외부자석(5)을 지지한다.As shown in FIGS. 1, 2A and 2B, the magnetron sputtering apparatus 1 includes a circular flat plate target 2, a support 3, an inner magnet 4 and an outer magnet 5. The circular plate target 2 is rotationally symmetrical with respect to the central axis 6, and erosion occurs in the etching surface 7. The support 3 is located below the circular flat plate target 2 and supports the inner magnet 4 and the outer magnet 5.

상기 외부자석(5)은 내부자석(4)의 자기모멘트 방향과 반대되는 방향으로 지지대(3)의 가장자리에 부착된다. 예를 들어, 상기 내부자석(4)의 N극이 원형 평판타깃(2)과 인접하면 외부자석(5)의 S극이 원형 평판타깃(2)과 인접하게 된다. 따라서, 상기 내부자석(4) 및 외부자석(5)은 원형 평판타깃(2)의 표면 전체에 터널형의 폐회로 자기장(8)을 형성시킨다. 이 경우, 전기장(9)과 자기장(8)의 방향이 서로 수직인 직교영역(10)이 형성된다. 상기 직교영역(10)에서 로렌츠 힘에 의해 전자가 구속되는 힘이 최대가 되어 고밀도의 플라즈마가 형성되고, 원형 평판타깃(2)의 식각면(7)에서 침식이 진행된다.The outer magnet 5 is attached to the edge of the support 3 in the direction opposite to the direction of the magnetic moment of the inner magnet (4). For example, when the N pole of the inner magnet 4 is adjacent to the circular plate target 2, the S pole of the outer magnet 5 is adjacent to the circular plate target 2. Thus, the inner magnet 4 and the outer magnet 5 form a closed loop magnetic field 8 of tunnel type on the entire surface of the circular flat plate target 2. In this case, the orthogonal region 10 in which the directions of the electric field 9 and the magnetic field 8 are perpendicular to each other is formed. In the orthogonal region 10, the force by which electrons are constrained by the Lorentz force is maximized to form a high-density plasma, and erosion proceeds in the etching surface 7 of the circular plate target 2.

그러나, 상기 식각면(7)에서의 침식은 식각면(7) 전체에 균일하게 발생하지 않고 내부자석(4)과 외부자석(5) 사이의 직교영역(10)에서 주로 발생하게 된다. 따라서, 원형 평판타깃(2)은 도 2b에 도시한 바와 같이 V자 형상의 국부적인 침식 프로파일(E1)을 갖게 된다. 결과적으로, 이러한 종래기술에서는 고가인 원형 평판타깃(2)의 사용효율이 낮다는 문제점이 있었다. 또한, V자 형상의 침식이 진행될수록 원형 평판타깃(2)과 증착 대상물인 기판이 이루는 각도가 변하여　기판에 증착된 박막의 두께가 균일하지 않다는 문제점도 있었다.However, the erosion in the etching surface 7 does not occur uniformly in the entire etching surface 7 but occurs mainly in the orthogonal region 10 between the inner magnet 4 and the outer magnet 5. Thus, the circular flat plate target 2 has a V-shaped local erosion profile E1 as shown in FIG. 2B. As a result, in this prior art, there is a problem that the use efficiency of the expensive circular flat plate target 2 is low. In addition, as the V-shaped erosion proceeds, the angle between the circular flat plate target 2 and the substrate to be deposited changes, which causes a problem that the thickness of the thin film deposited on the substrate is not uniform.

이러한 문제점을 해결하기 위한 평판 마그네트론 스퍼터링 장치에 대한 일례가 하기 [문헌 1]에 개시되어 있다. 상기 평판 마그네트론 스퍼터링 장치는 타깃을 안치하고 절연시키는 타깃 안치부, 영구자석부 및 이송부를 포함하여 구성된다. 상기 영구자석부는 적어도 두 개의 영구자석 폐회로를 갖으며, 상기 타깃에 자기장을 인가한다. 상기 이송부는 영구자석부를 타깃 표면과 평행한 소정면 상에서 왕복운동시킨다.An example of a flat plate magnetron sputtering apparatus for solving such a problem is disclosed in the following [Document 1]. The flat plate magnetron sputtering apparatus includes a target settling portion, a permanent magnet portion, and a transfer portion for placing and insulating a target. The permanent magnet part has at least two permanent magnet closed circuits and applies a magnetic field to the target. The conveying part reciprocates the permanent magnet on a predetermined surface parallel to the target surface.

그러나, 상기 평판 마그네트론 스퍼터링 장치는 타깃의 사용효율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있으나 영구자석부를 왕복운동시키는 이송부 및 이와 관련된 주변기기들에 의하여 대형화되고, 장치의 구조가 복잡해진다는 문제점이 있다. 또한, 표면과 평행한 소정면 상에서 왕복운동하는 영구자석부로 인하여 플라즈마를 균일하게 제어하는 것이 어렵다는 문제점도 있다.However, the flat plate magnetron sputtering device has an advantage of improving the use efficiency of the target, but has a problem of being enlarged by the transfer unit and related peripheral devices reciprocating the permanent magnet part, and the structure of the device is complicated. In addition, there is a problem that it is difficult to uniformly control the plasma due to the permanent magnet portion reciprocating on a predetermined surface parallel to the surface.

한편, 하기 [문헌 2]에는 마그네트론 스퍼터링 장치 내에 서로 다른 자장의 세기를 갖는 자석을 주기적으로 배치하고, 상기 자석을 구동모터에 의하여 회전시킴으로써 타깃의 침식형상을 균일하게 하는 기술의 일 예가 개시되어 있다. 그러 나, 상기 [문헌 2]에서와 같이 증착 공정 중 자석의 배치구조를 변경하면, 이에 따른 스퍼터링 장치의 증착 조건을 수정해야 하고, 구동모터와 같은 주변장치로 인해 스퍼터링 장치의 구조가 복잡해지며, 관리가 불편해진다는 문제점이 있다.On the other hand, the following [Document 2] discloses an example of a technique of uniformly placing the magnet having a different magnetic field strength in the magnetron sputtering device, and by rotating the magnet by a drive motor to uniform the erosion shape of the target. . However, when the arrangement structure of the magnet is changed during the deposition process as in [Document 2], the deposition conditions of the sputtering apparatus must be corrected accordingly, and the structure of the sputtering apparatus becomes complicated due to a peripheral device such as a driving motor. There is a problem that management becomes inconvenient.

[문헌 1] 대한민국 공개특허공보 제2001-0076021호 (2001. 08. 11 공개)[Document 1] Korean Unexamined Patent Publication No. 2001-0076021 (published Aug. 11, 2001)

[문헌 2] 대한민국 공개특허공보 제2005-0006501호 (2005. 01. 17 공개)[Document 2] Korean Unexamined Patent Publication No. 2005-0006501 (published Jan. 17, 2005)

본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 타깃의 식각면과 나란한 자력선을 생성하고, 타깃의 식각 면적을 넓혀 타깃의 이용효율을 향상시킬 수 있는 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention has been made to solve the problems described above, the magnetic structure and the magnetron having a magnetic structure that can be parallel to the etch surface of the target, and to increase the etching area of the target to improve the utilization efficiency of the target It is to provide a sputtering apparatus.

본 발명의 다른 목적은 고정된 영구자석의 크기와 배열을 최적화하여 박막의 균일도와 증착률을 향상시킬 수 있는 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a magnet structure capable of improving the uniformity and deposition rate of a thin film by optimizing the size and arrangement of a fixed permanent magnet and a magnetron sputtering apparatus having the same.

본 발명의 또 다른 목적은 스퍼터링 장치의 구조를 단순화시키고, 종래기술에 비하여 유지관리를 손쉽게 할 수 있는 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a magnet structure and a magnetron sputtering device having the same, which simplifies the structure of the sputtering device and can be easily maintained as compared with the prior art.

본 발명의 또 다른 목적은 서로 이격하는 영구자석들 사이마다 냉각수단을 배치하여 냉각수로부터 발생하는 영구자석의 손상을 방지하고, 냉각수의 온도를 제어하기에 용이한 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to arrange the cooling means between the permanent magnets spaced apart from each other to prevent damage to the permanent magnets generated from the coolant, and to easily control the temperature of the coolant magnet structure and the magnetron sputtering apparatus having the same To provide.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 자석 구조체는 식각면을 구비하는 타깃부 하부에 위치하고, 자기모멘트의 방향을 서로 다르게 하여 주 자력선을 생성시키는 제1영구자석 및 제2영구자석, 상기 제1영구자석 및 상기 제2영구자석 사이에서 서로 제1거리만큼 이격하고, 자기모멘트의 방향이 서로 다르게 배치되어 상기 주 자력선을 변형시키는 보조 자력선을 생성하는 제1보조자석 및 제2보조자석을 포함하되, 상기 제1영구자석은 상기 타깃부의 중심축 상에 위치하고, 상기 제2 영구자석은 상기 제1영구자석과 이격한 위치에서 상기 제1영구자석을 둘러싸도록 배치되고, 상기 제1보조자석은 상기 제1영구자석과 제2거리만큼 이격하고, 상기 제2보조자석은 상기 제2영구자석과 제3거리만큼 이격하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the magnet structure according to the present invention is positioned below the target part having an etching surface, and has a first permanent magnet and a second permanent magnet which generate main magnetic lines by varying directions of magnetic moments, the first permanent magnet. It includes a first auxiliary magnet and a second auxiliary magnet spaced apart from each other by a first distance between the permanent magnet and the second permanent magnet, the direction of the magnetic moment is arranged differently to generate an auxiliary magnetic line to deform the main magnetic line The first permanent magnet is positioned on a central axis of the target portion, and the second permanent magnet is disposed to surround the first permanent magnet at a position spaced apart from the first permanent magnet, and the first auxiliary magnet is the first permanent magnet. The first permanent magnet is spaced apart by a second distance, and the second auxiliary magnet is characterized in that spaced apart from the second permanent magnet by a third distance.

또, 본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치는 외주실드와 상기 외주실드의 내측 하부에 마련된 지지대와 상기 지지대의 상부에 위치하여 식각면으로부터 상기 지지대의 반대 방향으로 증착 물질이 방출되는 타깃부와 상기 지지대에 부착되어 상기 타깃부와 이격하여 위치하고, 자기모멘트의 방향을 서로 다르게 하여 주 자력선을 생성시키는 제1영구자석과 제2영구자석 및 상기 제1영구자석과 상기 제2영구자석 사이에서 서로 제1거리만큼 이격하여 위치하고, 자기모멘트의 방향이 서로 다르게 배치되어 상기 주 자력선을 변형시키는 보조 자력선을 생성시키는 제1보조자석 및 제2보조자석을 포함하되, 상기 제1영구자석은 상기 타깃부의 중심축 상에 위치하고, 상기 제2 영구자석은 상기 제1영구자석과 이격한 위치에서 상기 제1영구자석을 둘러싸도록 배치되며, 상기 제1보조자석은 상기 제1영구자석과 제2거리만큼 이격하고, 상기 제2보조자석은 상기 제2영구자석과 제3거리만큼 이격하는 것을 특징으로 한다.In addition, the magnetron sputtering apparatus according to the present invention is located on the outer peripheral shield and the support provided on the inner lower portion of the outer shield and the upper portion of the support and the target portion and the support to release the deposition material in the opposite direction of the support from the etching surface A first distance between the first permanent magnet and the second permanent magnet, and the first permanent magnet and the second permanent magnet, which are attached and spaced apart from the target part to generate main magnetic lines by varying directions of magnetic moments. Located apart from each other, the direction of the magnetic moment is different from each other and includes a first auxiliary magnet and a second auxiliary magnet for generating an auxiliary magnetic line to deform the main magnetic line, wherein the first permanent magnet on the central axis of the target portion And the second permanent magnet surrounds the first permanent magnet at a position spaced apart from the first permanent magnet. Is disposed, the first subsidiary magnet is the second subsidiary magnet spaced apart by the first permanent magnet and the second distance, and is characterized in that spaced apart by the second permanent magnet and the third distance.

또, 본 발명에 따른 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장 치는 상기 제1보조자석과 상기 제2보조자석의 높이는 상기 제1영구자석 및 상기 제2영구자석의 높이보다 낮은 것을 특징으로 한다.In addition, the magnet structure and the magnetron sputtering device having the same according to the present invention is characterized in that the height of the first auxiliary magnet and the second auxiliary magnet is lower than the height of the first permanent magnet and the second permanent magnet.

또, 본 발명에 따른 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치는 상기 제1거리는 상기 제2거리 및 상기 제3거리보다 짧은 것을 특징으로 한다.In addition, the magnet structure and the magnetron sputtering apparatus having the same according to the present invention is characterized in that the first distance is shorter than the second distance and the third distance.

또, 본 발명에 따른 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치는 상기 제1영구자석의 자기모멘트는 상기 제1보조자석의 자기모멘트와는 다른 방향으로 형성되고, 상기 제2영구자석의 자기모멘트는 상기 제2보조자석의 자기모멘트와는 다른 방향으로 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, in the magnet structure and the magnetron sputtering apparatus having the same according to the present invention, the magnetic moment of the first permanent magnet is formed in a direction different from that of the first auxiliary magnet, and the magnetic moment of the second permanent magnet is Characterized in that the direction different from the magnetic moment of the second auxiliary magnet.

또, 본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치는 상기 제1영구자석, 상기 제2영구자석, 상기 제1보조자석 및 상기 제2보조자석에서 서로 인접하는 자석들 사이마다 냉각수단이 배치된 것을 특징으로 한다.In addition, the magnetron sputtering apparatus according to the present invention is characterized in that a cooling means is disposed between the magnets adjacent to each other in the first permanent magnet, the second permanent magnet, the first auxiliary magnet and the second auxiliary magnet. .

또, 본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치는 상기 제1보조자석 및 상기 제2보조자석은 영구자석으로 이루어진 것을 특징으로 한다.In addition, the magnetron sputtering apparatus according to the present invention is characterized in that the first auxiliary magnet and the second auxiliary magnet is made of a permanent magnet.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 의하면, 고정된 자석 구조체의 배열과 크기를 변화시켜 자기장을 제어함으로써 타깃의 사용효율을 향상시키고, 기판에 증착된 박막의 균일도 및 증착률을 향상시킬 수 있다는 효과가 얻어진다.As described above, according to the magnet structure and the magnetron sputtering apparatus having the same according to the present invention, by varying the arrangement and size of the fixed magnet structure to control the magnetic field, the use efficiency of the target is improved, and the thin film deposited on the substrate The effect that the uniformity and the deposition rate can be improved is obtained.

또한, 본 발명에 따른 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 의하면, 자석 구조체를 구동하는 별도의 장치를 설치하지 않고 스퍼터링 장 치의 구조를 단순화시켜 제작 및 유지관리를 손쉽게 할 수 있다는 효과가 얻어진다.In addition, according to the magnet structure and the magnetron sputtering device having the same according to the present invention, the effect of simplifying the structure of the sputtering device can be easily manufactured and maintained without installing a separate device for driving the magnet structure. .

또한, 본 발명에 따른 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 의하면, 서로 이격하는 영구자석들 사이에 냉각수단을 배치하여 냉각수로부터 발생하는 영구자석의 손상을 방지하고, 냉각수의 온도를 용이하게 제어할 수 있다는 효과가 얻어진다.In addition, according to the magnet structure and the magnetron sputtering apparatus having the same according to the present invention, by placing the cooling means between the permanent magnets spaced apart from each other to prevent damage to the permanent magnets generated from the cooling water, and to easily control the temperature of the cooling water The effect that can be obtained is obtained.

본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부 도면에 의해 더욱 명확하게 될 것이다.The above and other objects and novel features of the present invention will become more apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.

이하, 본 발명의 구성을 도면에 따라서 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the structure of this invention is demonstrated in detail according to drawing.

또한, 본 발명의 설명에 있어서는 동일 부분은 동일 부호를 붙이고, 그 반복 설명은 생략한다.In addition, in description of this invention, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and the repeated description is abbreviate | omitted.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3의 마그네트론 스퍼터링 장치에 적용되는 자석 구조체를 개략적으로 도시한 평면도이다. 3 is a cross-sectional view schematically showing a magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a plan view schematically showing a magnet structure applied to the magnetron sputtering apparatus of FIG.

도 3 및 도 4에서 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치(21)는 외주실드(23), 지지대(25), 타깃부(27) 및 자석 구조체(29)를 포함하여 구성된다. 상기 외주실드(23)는 상부와 하부가 개방되어 있고, 마그네트론 스퍼터 링 장치(21)의 내벽에 의해 지지된다. 상기 외주실드(23)의 내측 하부에 자석 구조체(29)를 지지하기 위한 지지대(25)가 위치하고 있다. 상기 지지대(25)의 상부에는 식각면(35)으로부터 증착 물질을 방출하는 타깃부(27)가 위치한다. 상기 타깃부(27)에는 전압원(37)의 음극이 연결되어 있다. 따라서, 상기 타깃부(27) 및 외주실드(23)와의 전압차로 인하여 식각면(35)에 수직한 전기장이 발생하게 된다. 상기 타깃부(27) 및 지지대(25) 사이에는 자석 구조체(29)가 위치한다.As shown in FIGS. 3 and 4, the magnetron sputtering apparatus 21 according to the present invention includes an outer circumferential shield 23, a support 25, a target portion 27, and a magnet structure 29. The outer circumference shield 23 is open at the top and the bottom, and is supported by the inner wall of the magnetron sputtering device 21. A support 25 for supporting the magnet structure 29 is positioned on the inner lower portion of the outer shield 23. The upper portion of the support 25 is a target portion 27 for emitting a deposition material from the etching surface 35 is located. The target portion 27 is connected to the cathode of the voltage source 37. Therefore, an electric field perpendicular to the etching surface 35 is generated due to the voltage difference between the target portion 27 and the outer shield 23. A magnet structure 29 is positioned between the target portion 27 and the support 25.

상기 자석 구조체(29)는 지지대(25)에 부착되어 있고, 상기 타깃부(27)에 이격하여 배치된다. 상기 자석 구조체(29)는 제1영구자석(39), 제2영구자석(41) 및 보조자석들(43, 45)을 포함하여 구성된다. 상기 제1영구자석(39)은 타깃부(27)의 식각면(35)에 수직한 중심축(CA) 상에서 지지대(25)에 부착되어있다. 상기 제1영구자석(39)은 원통형으로 구성되는 것이 바람직하다.The magnet structure 29 is attached to the support 25 and is spaced apart from the target portion 27. The magnet structure 29 includes a first permanent magnet 39, a second permanent magnet 41, and auxiliary magnets 43 and 45. The first permanent magnet 39 is attached to the support 25 on a central axis CA perpendicular to the etching surface 35 of the target portion 27. The first permanent magnet 39 is preferably configured in a cylindrical shape.

상기 제2영구자석(41)은 지지대(25)의 가장자리를 따라 제1영구자석(39)을 둘러싸도록 배치된다. 즉, 상기 제2영구자석(41)은 원형의 고리모양으로 형성될 수 있다. 상기 제2영구자석(41)의 폭은 생성된 자기장의 크기와 방향을 조절하기 위하여 제1영구자석(39)의 폭과는 다를 수 있다. 상기 제2영구자석(41)은 제1영구자석(39)과 반대되는 방향의 자기모멘트를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제1영구자석(39)의 자기모멘트가 중심축(CA)과 나란한 방향을 따라 상부로 향할 경우 상기 제2영구자석(41)은 하부 방향의 자기모멘트를 갖도록 배치될 수 있다. 다시 말해, 상기 제1영구자석(39)의 S극이 지지대(25)에 부착되면 제2영구자석(41)의 N극이 지지대에 부착된다. 따라서, 상기 제1영구자석(39) 및 제2영구자석(41)은 타깃 부(27)의 전체 영역을 덮는 주 자력선을 형성한다.The second permanent magnet 41 is disposed to surround the first permanent magnet 39 along the edge of the support 25. That is, the second permanent magnet 41 may be formed in a circular ring shape. The width of the second permanent magnet 41 may be different from the width of the first permanent magnet 39 to adjust the size and direction of the generated magnetic field. The second permanent magnet 41 preferably has a magnetic moment in a direction opposite to that of the first permanent magnet 39. For example, when the magnetic moment of the first permanent magnet 39 is directed upward along the direction parallel to the central axis CA, the second permanent magnet 41 may be disposed to have the magnetic moment in the downward direction. In other words, when the S pole of the first permanent magnet 39 is attached to the support 25, the N pole of the second permanent magnet 41 is attached to the support. Accordingly, the first permanent magnet 39 and the second permanent magnet 41 form a main magnetic force line covering the entire area of the target portion 27.

상기 제1영구자석(39) 및 제2영구자석(41)의 사이에 보조자석들(43, 45)이 지지대(25)에 부착되어 있다. 상기 보조자석들(43, 45)은 영구자석으로 형성되고, 서로 다른 방향의 자기모멘트를 갖는 것이 바람직하다. 상기 보조자석들(43, 45)은 제2영구자석(41)과 동일한 모양으로 형성될 수 있다. 상기 보조자석들(43, 45)의 각각은 제1영구자석(39) 및 제2영구자석(41)과는 다른 높이를 가질 수 있다. 상기 보조자석들(43, 45) 각각의 높이는 제1영구자석(39) 및 제2영구자석(41)의 높이보다 낮은 것이 바람직하다. 이와 같이, 상기 보조자석들(43, 45) 각각의 높이를 제1영구자석(39) 및 제2영구자석(41)의 높이보다 낮게 함으로써 식각면(35) 근처에서 형성된 자기장의 모양이 왜곡되는 것을 방지하고, 생성된 자기장의 강도(intensity)가 조절될 수 있다. 또한, 상기 식각면(35)에 나란한 자기장은 타깃부(27)에 수직한 전기장과 함께 식각면(35) 부근 영역에서 고밀도의 플라즈마가 형성되도록 한다.The auxiliary magnets 43 and 45 are attached to the support 25 between the first permanent magnet 39 and the second permanent magnet 41. The auxiliary magnets 43 and 45 are formed of permanent magnets, and preferably have magnetic moments in different directions. The auxiliary magnets 43 and 45 may be formed in the same shape as the second permanent magnet 41. Each of the auxiliary magnets 43 and 45 may have a height different from that of the first and second permanent magnets 39 and 41. Preferably, the height of each of the auxiliary magnets 43 and 45 is lower than that of the first and second permanent magnets 39 and 41. As such, the shape of the magnetic field formed near the etching surface 35 is distorted by lowering the height of each of the auxiliary magnets 43 and 45 than the height of the first and second permanent magnets 39 and 41. And the intensity of the generated magnetic field can be adjusted. In addition, the magnetic field parallel to the etching surface 35 allows the high-density plasma to be formed in the region near the etching surface 35 together with the electric field perpendicular to the target portion 27.

이하, 상기 보조자석들(43, 45)을 각각 제1보조자석(43) 및 제2보조자석(45)이라 칭한다. 본 발명의 실시 예에 따라 보조자석들을 두 개로 한정하여 설명하지만 식각면에 나란한 자기장을 형성하기 위하여 타깃부 또는 스퍼터링 장치에 따라 두 개 이상의 보조자석들이 지지대에 마련되는 것도 가능하다.Hereinafter, the auxiliary magnets 43 and 45 will be referred to as a first auxiliary magnet 43 and a second auxiliary magnet 45, respectively. According to an exemplary embodiment of the present invention, the auxiliary magnets are limited to two, but two or more auxiliary magnets may be provided in the support according to the target part or the sputtering device in order to form a parallel magnetic field on the etching surface.

상기 제1보조자석(43)은 제2보조자석(45)과 제1거리(L1)만큼 이격하여 배치된다. 또한, 상기 제1보조자석(43)은 제1영구자석(39)과 제2거리(L2)만큼 이격하고, 상기 제2보조자석(45)은 상기 제2영구자석(41)과 제3거리(L3)만큼 이격하여 배 치된다. 이 경우, 상기 제1거리(L1)는 제2거리(L2) 및 제3거리(L3)보다 짧을 수 있다.The first auxiliary magnet 43 is spaced apart from the second auxiliary magnet 45 by a first distance L1. In addition, the first auxiliary magnet 43 is spaced apart from the first permanent magnet 39 by a second distance (L2), the second auxiliary magnet 45 is the second permanent magnet 41 and the third distance It is spaced apart by (L3). In this case, the first distance L1 may be shorter than the second distance L2 and the third distance L3.

상기 제1보조자석(43)은 제1영구자석(39)과는 다른 방향의 자기모멘트를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 제1영구자석(39)의 S극이 지지대(25)에 부착된 경우에 제1보조자석(43)의 N극이 지지대(25)에 부착될 수 있다. 또한, 상기 제2보조자석(45)은 제2영구자석(41)과는 다른 방향의 자기모멘트를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 제2영구자석(41)의 N극이 지지대(25)에 부착된 경우에 제2보조자석(45)의 S극이 지지대(25)에 부착될 수 있다. 다시 말해, 상기 제1보조자석(43)은 제2영구자석(41)과 동일한 방향의 자기모멘트를 갖고, 상기 제2보조자석(45)은 제1영구자석(39)과 동일한 방향의 자기모멘트를 갖는다.The first auxiliary magnet 43 preferably has a magnetic moment in a direction different from that of the first permanent magnet 39. For example, when the S pole of the first permanent magnet 39 is attached to the support 25, the N pole of the first auxiliary magnet 43 may be attached to the support 25. In addition, the second auxiliary magnet 45 preferably has a magnetic moment in a direction different from that of the second permanent magnet 41. For example, when the north pole of the second permanent magnet 41 is attached to the support 25, the south pole of the second auxiliary magnet 45 may be attached to the support 25. In other words, the first auxiliary magnet 43 has a magnetic moment in the same direction as the second permanent magnet 41, and the second auxiliary magnet 45 has a magnetic moment in the same direction as the first permanent magnet 39. Has

이에 따라, 상기 주 자력선에 따라 제1보조자석(43) 및 제2보조자석(45)의 개수, 자석의 크기, 세기, 자기모멘트의 방향 및 지지대(25) 상에서의 상대적인 위치 등을 조절함으로써 자력선의 크기, 방향 및 밀도를 제어할 수 있다.Accordingly, the magnetic force line by adjusting the number of the first auxiliary magnet 43 and the second auxiliary magnet 45, the size and strength of the magnet, the direction of the magnetic moment and the relative position on the support 25 in accordance with the main magnetic force line It is possible to control the size, direction and density of the.

한편, 상기 제1영구자석(39), 제2영구자석(41) 및 보조자석들(43, 45)에서 서로 인접하는 자석들 사이마다 냉각수단(47)이 마련되어 있다. 상기 냉각수단(47)은 고밀도의 플라즈마에 의하여 생성된 열로부터 타깃부(27)가 가열되는 것을 방지한다. 또한, 상기 냉각수단(47)은 자석 구조체(29)와 분리되어 서로 인접하는 자석들의 사이마다 배치됨으로 냉각수로 인해 자석 구조체(29)의 부식과 같은 손상을 방지할 수 있고, 냉각수단(47)의 표면적을 넓힘으로써 타깃부(27)의 냉각효율을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, cooling means 47 is provided between the magnets adjacent to each other in the first permanent magnet 39, the second permanent magnet 41, and the auxiliary magnets 43 and 45. The cooling means 47 prevents the target portion 27 from being heated from the heat generated by the high density plasma. In addition, the cooling means 47 is separated from the magnet structure 29 and disposed between each adjacent magnets to prevent damage such as corrosion of the magnet structure 29 due to the cooling water, the cooling means 47 The cooling efficiency of the target portion 27 can be improved by increasing the surface area of the target portion 27.

다음으로, 도 5 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 자석 구조체로 형성된 자력선과 타깃부의 식각 프로파일에 대하여 설명하기로 한다.Next, the etch profile of the magnetic force line and the target portion formed of the magnet structure according to the exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 7.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 자석 구조체에서 중심축 우측에 형성된 자기장의 분포를 보여주는 컴퓨터 시뮬레이션 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치에 사용된 타깃의 식각 프로파일을 보여주는 단면도이다.5 is a computer simulation diagram illustrating a distribution of a magnetic field formed on a right side of a central axis in a magnet structure according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a diagram illustrating an etching profile of a target used in a magnetron sputtering apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention. It is a cross section.

도 5 및 도 6에서 도시한 바와 같이, 상기 제1영구자석(39) 및 제2영구자석(41)은 주 자력선을 형성하여 타깃부(27)가 주 자력선 내부에 위치되도록 한다. 아울러, 상기 제1보조자석(43)은 제1영구자석(39), 제2영구자석(41) 및 제2보조자석(45)과 연계하고, 상기 제2보조자석(45)은 제1영구자석(39), 제2영구자석(41) 및 제1보조자석(43)과 연계하여 보조자력선을 형성한다. 상기 보조자력선은 타깃부(27)의 식각면(35) 주위에 형성된 주 자력선을 변형시킨다. 따라서, 상기 식각면(35)과 나란한 자력선은 보조자석들(43, 45) 때문에 도 2a에 도시한 종래기술에 비해 타깃부(27)에서 넓게 형성된다. 결과적으로, 도 6에서 도시한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 타깃부(27)의 식각 프로파일(E2)은 도 2b에 도시한 종래기술에 따른 타깃의 식각 프로파일(E1)에 비하여 넓은 폭을 갖는다.As shown in FIGS. 5 and 6, the first permanent magnet 39 and the second permanent magnet 41 form main magnetic lines of force so that the target portion 27 is positioned inside the main magnetic lines of force. In addition, the first auxiliary magnet 43 is connected to the first permanent magnet 39, the second permanent magnet 41 and the second auxiliary magnet 45, the second auxiliary magnet 45 is the first permanent The auxiliary magnetic force line is formed in association with the magnet 39, the second permanent magnet 41, and the first auxiliary magnet 43. The auxiliary magnetic force line deforms the main magnetic force line formed around the etching surface 35 of the target portion 27. Therefore, the magnetic lines of force parallel to the etch surface 35 are formed at the target portion 27 wider than the prior art shown in FIG. 2A due to the auxiliary magnets 43 and 45. As a result, as shown in FIG. 6, the etching profile E2 of the target part 27 according to the exemplary embodiment of the present invention has a wider width than the etching profile E1 of the target according to the related art shown in FIG. 2B. Have

다음으로, 본 발명의 실시 예에 따른 자석 구조체를 이용하여 타깃부와 기판 사이의 거리에 따른 박막의 균일도를 측정한 실험 데이터에 대하여 설명하기로 한다. 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치에서 타깃부와 기판 사이의 거리에 따른 박막의 균일도를 보여주는 그래프이다.Next, experimental data obtained by measuring the uniformity of the thin film according to the distance between the target portion and the substrate using the magnet structure according to the embodiment of the present invention will be described. 7 is a graph showing uniformity of a thin film according to a distance between a target portion and a substrate in the magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 7에서 도시한 바와 같이, 본 실험에 사용된 타깃부(27)는 12.7cm(5인치)의 폭과 8mm의 두께를 구비하는 원형의 금속으로 제조되었다. 상기 타깃부(27)에 1A의 전류를 인가한 상태에서 타깃부(27)와 기판 사이의 거리(D)를 10cm, 12cm 및 14cm로 조절하여 타깃의 식각 영역과 기판에 증착된 박막의 두께 균일도를 조사하였다. 마그네트론 스퍼터링 장치(21)에 스퍼터 가스를 주입한 후에, 타깃부(27)에 음의 전압을 인가하면 타깃부(27)를 포위하는 외주실드(23)와의 전압차로 인해 전기장이 형성되고, 상기 타깃부(27)에 형성된 균일한 자력선에 의해 식각면(35)의 넓은 영역에서 고밀도의 플라즈마가 발생한다.As shown in FIG. 7, the target portion 27 used in this experiment was made of a circular metal having a width of 12.7 cm (5 inches) and a thickness of 8 mm. In the state where a current of 1 A is applied to the target portion 27, the distance D between the target portion 27 and the substrate is adjusted to 10 cm, 12 cm, and 14 cm to uniform thickness of the thin film deposited on the etching region of the target and the substrate. Was investigated. After injecting the sputtering gas into the magnetron sputtering apparatus 21, when a negative voltage is applied to the target portion 27, an electric field is formed due to the voltage difference with the outer circumferential shield 23 surrounding the target portion 27, and the target The high density plasma is generated in the wide area of the etching surface 35 by the uniform magnetic force lines formed in the portion 27.

따라서, 본 실험에서 상기 타깃부(27)와 기판 사이의 거리가 늘어날수록 기판에 증착된 박막의 두께 균일도가 증가하는 것을 볼 수 있었다. 또한, 박막의 증착률은 약 120mm/min으로 종래기술보다 1.5배 정도 향상된 것으로 나타났다.Therefore, in the present experiment, it was found that the thickness uniformity of the thin film deposited on the substrate increases as the distance between the target portion 27 and the substrate increases. In addition, the deposition rate of the thin film was about 120mm / min appeared to be 1.5 times improved compared to the prior art.

이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시 예에 따라 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능한 것은 물론이다.As mentioned above, although the invention made by the present inventor was demonstrated concretely according to the said Example, this invention is not limited to the said Example and can be variously changed in the range which does not deviate from the summary.

본 발명은 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다. 상기와 같은 마그네트론 스퍼터링 장치는 반도체 소자, 광학 소자 또는 각종 기계부품 상에 박막을 증착하는 데 이용될 수 있다.The present invention relates to a magnet structure and a magnetron sputtering apparatus having the same. Such a magnetron sputtering device may be used to deposit thin films on semiconductor devices, optical devices or various mechanical parts.

도 1은 종래기술에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치를 개략적으로 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a magnetron sputtering apparatus according to the prior art.

도 2a는 도 1의 장치에 사용된 자석들에서 중심축 우측에 형성된 자기장의 분포를 보여주는 도면.2A shows the distribution of the magnetic field formed to the right of the central axis in the magnets used in the device of FIG. 1.

도 2b는 도 1의 마그네트론 스퍼터링 장치에 사용된 타깃의 식각 프로파일을 보여주는 단면도.FIG. 2B is a cross-sectional view showing an etching profile of a target used in the magnetron sputtering apparatus of FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치를 개략적으로 도시한 단면도.Figure 3 is a schematic cross-sectional view of a magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 마그네트론 스퍼터링 장치에 적용되는 자석 구조체를 개략적으로 도시한 평면도.4 is a plan view schematically showing a magnet structure applied to the magnetron sputtering apparatus of FIG.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 자석 구조체에서 중심축 우측에 형성된 자기장의 분포를 보여주는 컴퓨터 시뮬레이션 도면.5 is a computer simulation showing the distribution of the magnetic field formed on the right side of the central axis in the magnet structure according to the embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치에 사용된 타깃의 식각 프로파일을 보여주는 개략적 단면도.Figure 6 is a schematic cross-sectional view showing an etching profile of the target used in the magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치에서 타깃부와 기판 사이의 거리에 따른 박막의 균일도를 보여주는 그래프.7 is a graph showing the uniformity of the thin film according to the distance between the target portion and the substrate in the magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

21 : 마그네트론 스퍼터링 장치 23 : 외주실드21: magnetron sputtering device 23: outer shield

25 : 지지대 27 : 타깃부25: support 27: target portion

29 : 자석 구조체 35 : 식각면29 magnet structure 35 etching surface

37 : 전원부 39 : 제1영구자석37: power supply section 39: first permanent magnet

41 : 제2영구자석 43 : 제1보조자석41: 2nd permanent magnet 43: 1st auxiliary magnet

45 : 제2보조자석 47 : 냉각수단45: second auxiliary magnet 47: cooling means

Claims (12)

마그네트론 스퍼터링 장치에 장착되는 자석 구조체에 있어서,In the magnet structure mounted to the magnetron sputtering device, 식각면을 구비하는 타깃부 하부에 위치하고, 자기모멘트의 방향을 서로 다르게 하여 주 자력선을 생성시키는 제1영구자석 및 제2영구자석; 및A first permanent magnet and a second permanent magnet positioned below the target part having an etching surface and generating main magnetic lines by varying directions of magnetic moments; And 상기 제1영구자석 및 상기 제2영구자석 사이에서 서로 제1거리만큼 이격하고, 자기모멘트의 방향이 서로 다르게 배치되어 상기 주 자력선을 변형시키는 보조 자력선을 생성하는 제1보조자석 및 제2보조자석을 포함하되,A first auxiliary magnet and a second auxiliary magnet spaced apart from each other by a first distance between the first permanent magnet and the second permanent magnet, and having different directions of magnetic moments to generate an auxiliary magnetic force line that deforms the main magnetic force line Including, 상기 제1영구자석은 상기 타깃부의 중심축 상에 위치하고,The first permanent magnet is located on the central axis of the target portion, 상기 제2 영구자석은 상기 제1영구자석과 이격한 위치에서 상기 제1영구자석을 둘러싸도록 배치되고,The second permanent magnet is disposed to surround the first permanent magnet at a position spaced apart from the first permanent magnet, 상기 제1보조자석은 상기 제1영구자석과 제2거리만큼 이격하고, 상기 제2보조자석은 상기 제2영구자석과 제3거리만큼 이격하는 것을 특징으로 하는 자석 구조체.The first auxiliary magnet is spaced apart from the first permanent magnet by a second distance, and the second auxiliary magnet is spaced apart from the second permanent magnet by a third distance. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1보조자석 및 상기 제2보조자석 각각의 높이는 상기 제1영구자석 및 상기 제2영구자석의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 자석 구조체.The height of each of the first auxiliary magnet and the second auxiliary magnet is lower than the height of the first permanent magnet and the second permanent magnet. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1거리는 상기 제2거리 및 상기 제3거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 자석 구조체.And the first distance is shorter than the second distance and the third distance. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1영구자석의 자기모멘트는 상기 제1보조자석의 자기모멘트와는 다른 방향으로 형성되고, 상기 제2영구자석의 자기모멘트는 상기 제2보조자석의 자기모멘트와는 다른 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 자석 구조체.The magnetic moment of the first permanent magnet is formed in a direction different from the magnetic moment of the first auxiliary magnet, the magnetic moment of the second permanent magnet is formed in a direction different from the magnetic moment of the second auxiliary magnet. Magnetic structure made. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1영구자석은 원통 모양으로 형성되고,The first permanent magnet is formed in a cylindrical shape, 상기 제2영구자석, 상기 제1보조자석 및 상기 제2보조자석은 원형의 고리모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 자석 구조체.The second permanent magnet, the first auxiliary magnet and the second auxiliary magnet is characterized in that formed in a circular ring shape. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1보조자석 및 상기 제2보조자석은 영구자석으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자석 구조체.The first auxiliary magnet and the second auxiliary magnet is a magnetic structure, characterized in that made of a permanent magnet. 외주실드;Outer shield; 상기 외주실드의 내측 하부에 마련된 지지대;A support provided on an inner lower portion of the outer shield; 상기 지지대의 상부에 위치하여 식각면으로부터 상기 지지대의 반대 방향으 로 증착 물질이 방출되는 타깃부;A target part positioned above the support to emit deposition material from an etching surface in an opposite direction of the support; 상기 지지대에 부착되어 상기 타깃부와 이격하여 위치하고, 자기모멘트의 방향을 서로 다르게 하여 주 자력선을 생성시키는 제1영구자석과 제2영구자석; 및A first permanent magnet and a second permanent magnet attached to the support to be spaced apart from the target part and generating main magnetic lines of force by varying directions of magnetic moments; And 상기 제1영구자석과 상기 제2영구자석 사이에서 서로 제1거리만큼 이격하여 위치하고, 자기모멘트의 방향이 서로 다르게 배치되어 상기 주 자력선을 변형시키는 보조 자력선을 생성하는 제1보조자석 및 제2보조자석을 포함하되,A first auxiliary magnet and a second auxiliary magnet positioned apart from each other by a first distance between the first permanent magnet and the second permanent magnet, and having different directions of magnetic moments to generate an auxiliary magnetic force line that deforms the main magnetic force line Including magnets, 상기 제1영구자석은 상기 타깃부의 중심축 상에 위치하고,The first permanent magnet is located on the central axis of the target portion, 상기 제2 영구자석은 상기 제1영구자석과 이격한 위치에서 상기 제1영구자석을 둘러싸도록 배치되며,The second permanent magnet is disposed to surround the first permanent magnet at a position spaced apart from the first permanent magnet, 상기 제1보조자석은 상기 제1영구자석과 제2거리만큼 이격하고, 상기 제2보조자석은 상기 제2영구자석과 제3거리만큼 이격하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.The first auxiliary magnet is spaced apart from the first permanent magnet by a second distance, and the second auxiliary magnet is spaced apart from the second permanent magnet by a third distance magnetron sputtering apparatus. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1보조자석과 상기 제2보조자석 각각의 높이는 상기 제1영구자석 및 상기 제2영구자석의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.The magnetron sputtering device, characterized in that the height of each of the first auxiliary magnet and the second auxiliary magnet is lower than the height of the first permanent magnet and the second permanent magnet. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,The method according to claim 7 or 8, 상기 제1거리는 상기 제2거리 및 상기 제3거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.And the first distance is shorter than the second distance and the third distance. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,The method according to claim 7 or 8, 상기 제1영구자석의 자기모멘트는 상기 제1보조자석의 자기모멘트와는 다른 방향으로 형성되고, 상기 제2영구자석의 자기모멘트는 상기 제2보조자석의 자기모멘트와는 다른 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.The magnetic moment of the first permanent magnet is formed in a direction different from the magnetic moment of the first auxiliary magnet, the magnetic moment of the second permanent magnet is formed in a direction different from the magnetic moment of the second auxiliary magnet. Magnetron sputtering device. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1영구자석, 상기 제2영구자석, 상기 제1보조자석 및 상기 제2보조자석에서 서로 인접하는 자석들 사이마다 냉각수단이 배치된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.Magnetron sputtering apparatus, characterized in that the cooling means is disposed between the magnets adjacent to each other in the first permanent magnet, the second permanent magnet, the first auxiliary magnet and the second auxiliary magnet. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1보조자석 및 상기 제2보조자석은 영구자석으로 이루어진 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.The first auxiliary magnet and the second auxiliary magnet is a magnetron sputtering device, characterized in that made of a permanent magnet.
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