KR20100021171A - 프로브 카드 모듈 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치 - Google Patents

프로브 카드 모듈 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20100021171A
KR20100021171A KR1020080079934A KR20080079934A KR20100021171A KR 20100021171 A KR20100021171 A KR 20100021171A KR 1020080079934 A KR1020080079934 A KR 1020080079934A KR 20080079934 A KR20080079934 A KR 20080079934A KR 20100021171 A KR20100021171 A KR 20100021171A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor chip
ground
probe
failure
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020080079934A
Other languages
English (en)
Inventor
유상규
강성모
조창현
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020080079934A priority Critical patent/KR20100021171A/ko
Publication of KR20100021171A publication Critical patent/KR20100021171A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

프로브 카드 모듈은 기판, 접지 탐침 및 릴레이부를 포함한다. 기판은 반도체 칩의 테스트에 이용되는 테스트 명령어를 반도체 칩에 제공하는 입출력 신호 라인, 전원 전압을 상기 반도체 칩에 제공하는 전원 라인 및 접지 전원을 상기 반도체 칩에 제공하는 접지 라인을 구비한다. 접지 탐침은 접지 라인을 반도체 칩의 접지 전극에 전기적으로 연결한다. 릴레이부는 접지 탐침 및 반도체 칩의 접지 전극 사이에 접속되고, 반도체 칩의 테스트 시에 반도체 칩의 불량이 발생하면, 접지 탐침과 반도체 칩의 접지 전극의 전기적 연결을 차단한다. 따라서 프로브 카드의 탐침 손상을 방지하여 탐침 손상으로 인한 비용 손실을 감소시킬 수 있고, 반도체 칩의 동반 불량 발생을 감소시켜 반도체 칩의 수율을 향상시킬 수 있다.
프로브 카드, 반도체 테스트 장치, 탐침

Description

프로브 카드 모듈 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치{PROBE CARD MODULE AND SEMICONDUCTOR TEST APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 반도체 테스트 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 프로브 카드의 탐침 손상을 방지할 수 있고, 반도체 칩의 수율을 향상시킬 수 있는 프로브 카드 모듈 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼 상의 반도체 칩이 제조되면, 패키징(packaging) 작업의 전 단계로서, 웨이퍼 상태에서 반도체 칩의 전기적 특성을 테스트하는 이디에스(EDS: Electrical Die Sort) 테스트를 수행한다. 이디에스 테스트를 수행하기 위해서는 반도체 테스트 장비로부터 테스트 명령어를 비롯한 전기 신호를 받아서 테스트되는 반도체 칩에 전달하는 프로브 카드가 필요하다.
최근에는 생산성 향상을 위해 웨이퍼에 형성된 복수 개의 반도체 칩들 중 일부 또는 전부를 동시에 테스트하는 기술이 개발되었다.
그런데, 반도체 칩들의 테스트 중, 하나의 반도체 칩에서라도 단락(short circuit)과 같은 불량이 발생하면, 과전류로 인해 프로브 카드에 구비된 탐침(needle)이 손상될 수 있고, 불량이 발생한 반도체 칩으로 인해, 불량이 발생한 반도체 칩의 주변에 있는 양품의 반도체 칩도 손상을 입어 동반 불량이 발생하는 경우가 생겨 수율을 감소시키는 원인이 된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 프로브 카드의 탐침이 손상되는 것을 방지하고, 테스트되는 반도체 칩의 동반 불량의 발생을 감소시킬 수 있는 프로브 카드 모듈을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한 본 발명은 프로브 카드의 탐침이 손상되는 것을 방지하고, 테스트되는 반도체 칩의 동반 불량의 발생을 감소시킬 수 있는 반도체 테스트 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 모듈은 기판, 접지 탐침 및 릴레이부를 포함한다. 상기 기판은 반도체 칩의 테스트에 이용되는 테스트 명령어를 상기 반도체 칩에 제공하는 입출력 신호 라인, 전원 전압을 상기 반도체 칩에 제공하는 전원 라인 및 접지 전압을 상기 반도체 칩에 제공하는 접지 라인을 구비한다. 상기 접지 탐침은 상기 접지 라인을 상기 반도체 칩의 접지 전극에 전기적으로 연결한다. 상기 릴레이부는 상기 접지 탐침 및 상기 반도체 칩의 상기 접지 전극 사이에 접속되고, 상기 반도체 칩의 테스트 시에 상기 반도체 칩의 불량이 발생하면, 상기 접지 탐침과 상기 반도체 칩의 접지 전극의 전기적 연결을 차단한다.
상기 릴레이부는 릴레이 스위치를 포함할 수 있고, 상기 반도체 칩의 불량이 발생했을 때, 상기 스위치를 오프시킬 수 있다.
상기 프로브 카드 모듈은 상기 반도체 칩의 불량이 발생했을 때, 상기 반도체 칩의 불량을 감지하는 불량 감지부를 더 포함할 수 있다.
상기 불량 감지부는 상기 반도체 칩의 과전류를 검출하여 상기 반도체 칩의 불량을 감지할 수 있다.
상기 불량 감지부는, 상기 반도체 칩의 불량을 감지하면, 상기 릴레이부에 불량 감지 신호를 전송할 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 모듈은 기판, 접지 탐침들 및 릴레이 스위치들을 포함한다. 상기 기판은 복수의 반도체 칩들 테스트에 이용되는 테스트 명령어를 상기 반도체 칩들에 제공하는 입출력 신호 라인, 전원 전압을 상기 반도체 칩들에 제공하는 전원 라인 및 접지 전압을 상기 반도체 칩들에 제공하는 접지 라인을 구비한다. 상기 접지 탐침들은 상기 접지 라인을, 상기 각각의 반도체 칩들에 포함된 접지 전극에 전기적으로 연결한다. 상기 릴레이 스위치들은 상기 각각의 접지 탐침들 및 상기 각각의 반도체 칩들의 접지 전극 사이에 접속되고, 상기 반도체 칩들의 테스트 시에 불량이 발생하면, 상기 불량이 발생한 반도체 칩에 연결된 스위치를 오프시킨다.
상기 프로브 카드 모듈은 상기 반도체 칩들의 불량을 감지하는 불량 감지부를 더 포함할 수 있다.
상기 불량 감지부는 불량이 감지된 반도체 칩에 연결된 릴레이 스위치에 불 량 감지 신호를 전송할 수 있다.
상기 릴레이 스위치들 중에서, 상기 불량 감지 신호를 수신한 릴레이 스위치는 오프될 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 장치는 호스트 컴퓨터, 테스트 헤드, 프로브 카드 모듈을 포함한다. 상기 호스트 컴퓨터는 반도체 칩의 테스트 명령어를 전송한다. 상기 테스트 헤드는 상기 테스트 명령어를 수신하여 복수개의 포고핀들을 통해 출력한다. 상기 프로브 카드 모듈은 상기 포고핀들과 연결되고, 상기 테스트 명령어를 상기 반도체 칩에 전송한다. 상기 프로브 카드 모듈은 기판, 접지 탐침 및 릴레이부를 포함한다. 기판은 상기 테스트 명령어를 상기 반도체 칩에 제공하는 입출력 신호 라인, 전원 전압을 상기 반도체 칩에 제공하는 전원 라인 및 접지 전압을 상기 반도체 칩에 제공하는 접지 라인을 구비한다. 상기 접지 탐침은 상기 접지 라인을 상기 반도체 칩의 접지 전극에 전기적으로 연결한다. 상기 릴레이부는 상기 접지 탐침 및 상기 접지 전극 사이에 접속되고, 상기 반도체 칩의 테스트 시에 불량이 발생하면, 상기 접지 탐침과 상기 반도체 칩의 접지 전극의 전기적 연결을 차단한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 모듈 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치는, 불량 반도체 칩의 과전류에 의해 프로브 카드의 탐침들이 손상되는 것을 방지할 수 있고, 불량 반도체 칩으로 인해 불량 반도체 칩과 인접해 있는 다른 반도체 칩들이 손상되는 동반 불량의 발생도 방지할 수 있다. 따라서 프로브 카드 의 탐침 손상으로 인한 비용 손실을 감소시킬 수 있고, 반도체 칩의 수율을 향상시킬 수 있다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에"직접 연결되어" 있다거나 "직접 접 속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 도면상의 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 모듈을 설명하기 위한 블록도이 다.
도1을 참조하면, 프로브 모듈(100)은 기판(110), 탐침들(131, 133, 135) 및 릴레이부(150)를 포함한다.
프로브 모듈(100)의 기판(110)에는 입출력 신호 라인(111), 전원 라인(113) 및 접지 라인(115)이 형성된다. 입출력 신호 라인(111)은 반도체 칩(170)의 테스트에 이용되는 명령어 신호, 클럭 신호 및 컨트롤 신호를 반도체 칩(170)에 제공하기 위한 라인일 수 있고, 전원 라인(113)은 전원 전압을 반도체 칩(170)에 제공하기 위한 라인일 수 있고, 접지 라인(115)는 접지 전압을 반도체 칩(170)에 제공하기 위한 라인일 수 있다.
탐침들(131, 133, 135)은 입출력 신호 라인(111)을 반도체 칩(170)의 입출력 전극(171)에 전기적으로 연결하기 위한 입출력 탐침(131), 전원 라인(113)을 반도체 칩(170)의 전원 전극(173)에 전기적으로 연결하기 위한 전원 탐침(133) 및 접지 라인(115)을 반도체 칩(170)의 접지 전극(175)에 전기적으로 연결하기 위한 접지 탐침(135)을 구비한다.
릴레이부(150)는 접지 탐침(135) 및 반도체 칩(170)의 접지 전극(175) 사이에 접속되고, 반도체 칩(170)의 테스트 시에 반도체 칩(170)의 불량이 발생하면, 접지 탐침(135)을 반도체 칩(170)의 접지 전극(175)으로부터 분리시킨다. 즉, 접지 탐침(135)과 반도체 칩(170)에 구비된 접지 전극(175)의 전기적 연결을 차단한다. 릴레이부(150)는 릴레이 스위치(151)를 포함할 수 있고, 반도체 칩(170)의 불량이 발생했을 때, 릴레이 스위치(151)를 오프시킬 수 있다. 즉, 정상 테스트 중에는 릴 레이 스위치(151)를 닫고, 반도체 칩(170)의 불량이 발생했을 때에는, 릴레이 스위치(170)를 열어 접지 탐침(135)과 반도체 칩(170)에 구비된 접지 전극(175)의 전기적 연결을 차단시킨다.
도2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 모듈을 설명하기 위한 블록도이다.
도2를 참조하면, 프로브 모듈(200)은 기판(110), 탐침들(131, 133, 135), 릴레이부(150) 및 불량 감지부(190)를 포함한다. 즉, 도2에 도시된 프로브 모듈(200)는 도1에 도시된 프로브 모듈(100)과 비교하여 불량 감지부(190)를 더 포함한다.
불량 감지부(190)는 반도체 칩(170)의 불량이 발생했을 때, 반도체 칩(170)의 불량을 감지한다. 불량 감지부(190)는, 반도체 칩(170)에 기준 전류 이상인 과전류가 흐를 때, 과전류를 검출하여 반도체 칩(170)의 불량을 감지할 수 있다. 불량 감지부(190)는 반도체 칩(170)의 불량이 발생했을 때, 릴레이부(150)에 불량 감지 신호(FDS)를 전송하고, 릴레이부(150)는 불량 감지 신호(FDS)에 응답하여 접지 탐침(135)과 반도체 칩(170)에 구비된 접지 전극(175)의 전기적 연결을 차단한다.
따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 도1의 프로브 카드 모듈(100) 및 도2의 프로브 카드 모듈(200)은, 반도체 칩(170)의 테스트 시에 반도체 칩(170)의 불량이 발생했을 때, 반도체 칩(170)의 과전류에 의해 탐침들(131, 133, 135)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 모듈을 설명하기 위한 블록도이다.
도3을 참조하면, 프로브 모듈(300)은 기판(310), 탐침들(331, 333, 335, 341, 343, 345, 351, 353, 355) 및 릴레이부들(361, 363, 365)을 포함한다.
프로브 모듈(300)의 기판(310)에는 입출력 신호 라인(311), 전원 라인(313) 및 접지 라인(315)이 형성된다. 입출력 신호 라인(311)은 반도체 칩들(371, 373, 375)의 테스트에 이용되는 명령어 신호, 클럭 신호 및 컨트롤 신호를 반도체 칩들(371, 373, 375)에 제공하기 위한 라인일 수 있고, 전원 라인(313)은 전원 전압을 반도체 칩들(371, 373, 375)에 제공하기 위한 라인일 수 있고, 접지 라인(315)은 접지 전압을 반도체 칩들(371, 373, 375)에 제공하기 위한 라인일 수 있다.
탐침들(331, 333, 335, 341, 343, 345, 351, 353, 355)은 입출력 신호 라인(311)을 반도체 칩들(371, 373, 375) 각각의 입출력 전극에 전기적으로 연결하기 위한 입출력 탐침들(331, 341, 351), 전원 라인(313)을 반도체 칩들(371, 373, 375) 각각의 전원 전극에 전기적으로 연결하기 위한 전원 탐침들(333, 343, 353) 및 접지 라인(315)을 반도체 칩들(371, 373, 375) 각각의 접지 전극에 전기적으로 연결하기 위한 접지 탐침들(335, 345, 355)을 구비한다.
릴레이부들(361, 363, 365)은 각각 접지 탐침들(335, 345, 355) 및 반도체 칩들(371, 373, 375)의 접지 전극 사이에 접속된다. 반도체 칩들(371, 373, 375)의 테스트 시에 불량이 발생하면, 불량이 발생한 반도체 칩에 연결된 릴레이부는 접지 탐침과 반도체 칩에 구비된 접지 전극의 전기적 연결을 차단시킨다. 예를 들면, 반도체 칩들(371, 373, 375)의 테스트 시에 반도체 칩(373)에 불량이 발생하면, 릴레이부(353)는 접지 탐침(345)과 반도체 칩(373)에 구비된 접지 전극의 전기적 연결 을 차단시킬 수 있다.
릴레이부들(361, 363, 365)은 릴레이 스위치들(362, 364, 366)을 포함할 수 있고, 릴레이부들(361, 363, 365) 각각에 연결된 반도체 칩들(371, 373, 375)의 불량이 발생했을 때, 릴레이 스위치들(362, 364, 366) 중에서 불량 반도체 칩에 연결된 스위치를 오프시켜 접지 탐침과 반도체 칩에 구비된 접지 전극의 전기적 연결을 차단시킬 수 있다.
반도체 칩들(371, 373, 375)의 개수 및 반도체 칩들(371, 373, 375)의 개수에 상응하는 릴레이부들(361, 363, 365)의 개수는 듀얼 다이 테스트(Dual Die Test) 방식에서는 2개씩이고, 쿼드 다이 테스트(Quad Die Test)방식에서는 4개씩일 수 있다. 하지만, 반도체 칩들(371, 373, 375)의 개수 및 반도체 칩들(371, 373, 375)의 개수에 상응하는 릴레이부들(361, 363, 365)의 개수는 이에 한정되지 않는 복수개일 수 있다.
도4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 모듈을 설명하기 위한 블록도이다.
도4를 참조하면, 프로브 모듈(400)은 기판(310), 탐침들(331, 333, 335, 341, 343, 345, 351, 353, 355), 릴레이부들(361, 363, 365) 및 불량 감지부(390)를 포함한다. 즉, 도4에 도시된 프로브 모듈(400)는 도3에 도시된 프로브 모듈(300)과 비교하여 불량 감지부(390)를 더 포함한다.
불량 감지부(390)는 반도체 칩들(371, 373, 375)의 불량이 발생했을 때, 반도체 칩들(371, 373, 375)의 불량을 감지한다. 불량 감지부(390)는, 반도체 칩 들(371, 373, 375) 중에서 기준 전류 이상인 과전류가 흐르는 반도체 칩이 있을 때, 과전류를 검출하여 반도체 칩들(371, 373, 375)의 불량을 감지할 수 있다. 불량 감지부(390)는, 반도체 칩들(371, 373, 375) 중에서 어느 하나의 반도체 칩에서 불량이 발생했을 때, 불량인 반도체 칩에 연결된 릴레이부에 불량 감지 신호(FDS)를 전송하고, 불량 감지 신호(FDS)를 수신한 릴레이부는 불량 감지 신호(FDS)에 응답하여 릴레이부의 양측에 연결된 접지 탐침과 반도체 칩에 구비된 접지 전극의 전기적 연결을 차단시킨다. 예를 들면, 반도체 칩들(371, 373, 375)의 테스트 중에 반도체 칩(373)에 불량이 발생하여 과전류가 흐를 때, 불량 감지부(390)는 과전류를 검출하여 반도체 칩(373)의 불량을 감지하고, 반도체 칩(373)에 연결된 릴레이부(363)에 불량 감지 신호(FDS)를 전송하고, 릴레이부(363)는 수신한 불량 감지 신호(FDS)에 응답하여 접지 탐침(345)과 반도체 칩(373)에 구비된 접지 전극의 전기적 연결을 차단시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 도3의 프로브 카드 모듈(300) 및 도4의 프로브 카드 모듈(400)은, 반도체 칩들(371, 373, 375)의 테스트 중에 반도체 칩들(371, 373, 375) 중에서 어느 하나의 반도체 칩에서 불량이 발생했을 때, 불량 반도체 칩의 과전류에 의해 탐침들(331, 333, 335, 341, 343, 345, 351, 353, 355)이 손상되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 불량 반도체 칩으로 인해 불량 반도체 칩과 인접해 있는 다른 반도체 칩들의 손상 야기도 방지할 수 있다.
도5는 본 발명의 일 실시예에 다른 반도체 테스트 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도5를 참조하면, 반도체 테스트 장치(500)는 호스트 컴퓨터(510), 테스트 헤드(530) 및 프로브 카드 모듈(550)을 포함한다.
호스트 컴퓨터(510)는 하나 이상의 반도체 칩(570)을 테스트 하기 위한 테스트 명령어(CMD)를 전송한다. 테스트 헤드(530)는 호스트 컴퓨터(510)로부터 테스트 명령어(CMD)를 수신하고, 수신한 테스트 명령어(CMD)를 복수개의 포고핀들(540)을 통해 출력한다. 프로브 모듈(550)은 포고핀들(550)과 연결되어 테스트 명령어(CMD)를 하나 이상의 반도체 칩(570)에 전송한다. 프로브 모듈(550)은 도1 내지 도4에 도시된 프로브 모듈들(100, 200, 300, 400) 중에 하나일 수 있다. 즉, 테스트 되는 반도체 칩(570)이 하나인 경우, 플로브 모듈(550)은 도1에 도시된 프로브 모듈(100) 또는 도2에 도시된 프로브 모듈(200)일 수 있고, 테스트 되는 반도체 칩(570)의 개수가 복수인 경우, 프로브 모듈(550)은 도3에 도시된 프로브 모듈(300) 또는 도4에 도시된 프로브 모듈일 수 있다. 예를 들면, 테스트 되면 반도체 칩(570)의 개수가 복수인 경우, 프로브 모듈(550)은 도3에 도시된 프로브 모듈(300)일 수 있고, 이때, 프로브 모듈(550)은 기판(310), 탐침들(331, 333, 335, 341, 343, 345, 351, 353, 355) 및 릴레이부들(361, 363, 365)을 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 장치(500)는 하나 이상의 반도체 칩의 테스트 시에 어느 하나의 반도체 칩에서 불량이 발생했을 때, 불량 반도체 칩의 과전류에 의해 프로브 카드의 탐침들이 손상되는 것을 방지할 수 있고, 불량 반도체 칩으로 인해 불량 반도체 칩과 인접해 있는 다른 반도체 칩들에 불량을 일으키는 동반 불량의 발생도 감소시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 프로브 카드 모듈 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치는, 불량 반도체 칩의 과전류에 의해 프로브 카드의 탐침들이 손상되는 것을 방지할 수 있고, 불량 반도체 칩으로 인해 불량 반도체 칩과 인접해 있는 다른 반도체 칩들에 불량을 일으키는 동반 불량의 발생도 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 프로브 카드의 탐침 손상으로 인한 비용 손실을 감소시킬 수 있고, 반도체 칩의 수율을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 모듈을 설명하기 위한 블록도이다.
도2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 모듈을 설명하기 위한 블록도이다.
도3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 모듈을 설명하기 위한 블록도이다.
도4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 모듈을 설명하기 위한 블록도이다.
도5는 본 발명의 일 실시예에 다른 반도체 테스트 장치를 설명하기 위한 블록도이다.

Claims (10)

  1. 반도체 칩의 테스트에 이용되는 테스트 명령어를 상기 반도체 칩에 제공하는 입출력 신호 라인, 전원 전압을 상기 반도체 칩에 제공하는 전원 라인 및 접지 전압을 상기 반도체 칩에 제공하는 접지 라인을 구비한 기판;
    상기 접지 라인을 상기 반도체 칩의 접지 전극에 전기적으로 연결하는 접지 탐침; 및
    상기 접지 탐침 및 상기 반도체 칩의 상기 접지 전극 사이에 접속되고, 상기 반도체 칩의 테스트 시에 상기 반도체 칩의 불량이 발생하면, 상기 접지 탐침과 상기 반도체 칩의 접지 전극의 전기적 연결을 차단하는 릴레이부를 포함하는 프로브 카드 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 릴레이부는,
    릴레이 스위치를 포함하고, 상기 반도체 칩의 불량이 발생했을 때, 상기 릴레이 스위치를 오프시키는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 칩의 불량이 발생했을 때, 상기 반도체 칩의 불량을 감지하는 불량 감지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.
  4. 제3항에 있어서, 상기 불량 감지부는,
    상기 반도체 칩의 과전류를 검출하여 상기 반도체 칩의 불량을 감지하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.
  5. 제3항에 있어서, 상기 불량 감지부는,
    상기 반도체 칩의 불량을 감지하면, 상기 릴레이부에 불량 감지 신호를 전송하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.
  6. 복수의 반도체 칩들의 테스트에 이용되는 테스트 명령어를 상기 반도체 칩들에 제공하는 입출력 신호 라인, 전원 전압을 상기 반도체 칩들에 제공하는 전원 라인 및 접지 전압을 상기 반도체 칩들에 제공하는 접지 라인을 구비한 기판;
    상기 접지 라인을, 상기 각각의 반도체 칩들에 포함된 접지 전극에 전기적으로 연결하는 접지 탐침들; 및
    상기 각각의 접지 탐침들 및 상기 각각의 반도체 칩들의 접지 전극 사이에 접속된 릴레이 스위치들을 포함하고,
    상기 반도체 칩들의 테스트 시에 불량이 발생하면, 상기 불량이 발생한 반도체 칩에 연결된 릴레이 스위치를 오프시키는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반도체칩들의 불량을 감지하는 불량 감지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.
  8. 제7항에 있어서, 상기 불량 감지부는,
    불량이 감지된 반도체 칩에 연결된 릴레이 스위치에 불량 감지 신호를 전송하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 릴레이 스위치들 중에서, 상기 불량 감지 신호를 수신한 릴레이 스위치는 오프되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.
  10. 반도체 칩의 테스트 명령어를 전송하는 호스트 컴퓨터;
    상기 테스트 명령어를 수신하여 복수개의 포고핀들을 통해 출력하는 테스트 헤드; 및
    상기 포고핀들과 연결되고, 상기 테스트 명령어를 상기 반도체 칩에 전송하는 프로브 카드 모듈을 포함하고,
    상기 프로브 카드 모듈은,
    상기 테스트 명령어를 상기 반도체 칩에 제공하는 입출력 신호 라인, 전원 전압을 상기 반도체 칩에 제공하는 전원 라인 및 접지 전압을 상기 반 도체 칩에 제공하는 접지 라인을 구비한 기판;
    상기 접지 라인을 상기 반도체 칩의 접지 전극에 전기적으로 연결하는 접지 탐침; 및
    상기 접지 탐침 및 상기 접지 전극 사이에 접속되고, 상기 반도체 칩의 테스트 시에 상기 반도체 칩의 불량이 발생하면, 상기 접지 탐침과 상기 반도체 칩의 접지 전극의 전기적 연결을 차단하는 릴레이부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 장치.
KR1020080079934A 2008-08-14 2008-08-14 프로브 카드 모듈 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치 KR20100021171A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080079934A KR20100021171A (ko) 2008-08-14 2008-08-14 프로브 카드 모듈 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080079934A KR20100021171A (ko) 2008-08-14 2008-08-14 프로브 카드 모듈 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100021171A true KR20100021171A (ko) 2010-02-24

Family

ID=42090994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080079934A KR20100021171A (ko) 2008-08-14 2008-08-14 프로브 카드 모듈 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100021171A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102215319B1 (ko) * 2020-11-13 2021-02-15 (주)에이블리 반도체검사장비 디바이스 인터페이스 보드 및 그 운용방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102215319B1 (ko) * 2020-11-13 2021-02-15 (주)에이블리 반도체검사장비 디바이스 인터페이스 보드 및 그 운용방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI518332B (zh) 晶圓級探針卡總成
US8810269B2 (en) Method of testing a semiconductor structure
US20100039739A1 (en) Voltage fault detection and protection
JPH10223716A (ja) 集積回路の動作テストの実施方法
US7622940B2 (en) Semiconductor device having contact failure detector
US8624615B2 (en) Isolation circuit
US20120150478A1 (en) Method of testing an object and apparatus for performing the same
US20090096476A1 (en) Method of inspecting semiconductor circuit having logic circuit as inspection circuit
KR20100021171A (ko) 프로브 카드 모듈 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치
KR20000017387A (ko) 필름 캐리어 테이프 및 그의 테스트방법
KR100545907B1 (ko) 반도체 디바이스 테스트 장치 및 방법
KR100647473B1 (ko) 멀티 칩 패키지 반도체 장치 및 불량 검출방법
US6809378B2 (en) Structure for temporarily isolating a die from a common conductor to facilitate wafer level testing
JP5663943B2 (ja) 試験装置
JP2012063198A (ja) 半導体装置、半導体テスタおよび半導体テストシステム
KR102242257B1 (ko) 반도체검사장비 디바이스 인터페이스 보드 및 그 운용방법
KR20100082153A (ko) 반도체 디바이스 테스트 시스템
KR100821095B1 (ko) 반도체 테스트장치 및 그 테스트방법
KR20060005820A (ko) 반도체 소자의 병렬 테스트용 장치 및 병렬 테스트 방법
JP3783865B2 (ja) 半導体装置及びそのバーンインテスト方法、製造方法並びにバーンインテスト制御回路
KR100718457B1 (ko) 반도체 테스트 장치와 이를 이용한 반도체 소자 검사방법
JP4727641B2 (ja) テスター装置
KR100470989B1 (ko) 검증용프로우브카드
US8977210B2 (en) Radio-frequency circuit
US20030210068A1 (en) Apparatus of testing semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination