KR20100018648A - Multi-coupled transmission line and power divider - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전송선로에 관한 것으로, 특히 기존의 λ/4 파장 전송선로의 길이를 감소시켜 소형화가 가능한 다중 결합 전송선로 및 이를 이용한 전력분배기에 관한 것이다.The present invention relates to a transmission line, and more particularly, to a multiple-coupled transmission line capable of miniaturization by reducing the length of an existing λ / 4 wavelength transmission line and a power divider using the same.
RF회로상의 각 소자간의 신호전달 경로가 되는 전송선로는 현대 무선통신 시스템의 기본 소자로서, RF회로상의 임피던스 정합을 위한 정합소자로서 이용되며, 스파이럴 인덕터와 미앤더 라인 같은 수동소자뿐 아니라 커플러 및 전력분배기 등의 기능성 수동소자의 제작에도 이용된다. The transmission line, which is a signal transmission path between each element on the RF circuit, is a basic element of modern wireless communication system, and is used as a matching element for impedance matching on the RF circuit, and couplers and power as well as passive elements such as spiral inductors and meander lines. It is also used to manufacture functional passive elements such as distributors.
이러한 전송선로는 전자회로망과 다르게, 신호가 외부로 복사(radiation)되어 손실이 늘어나지 않도록 외부를 차폐(shield)하여야 하며, 전송선로를 이용하여 유닛 간을 연결하여도 임피던스가 흐트러지지 않도록 설계되어야 한다.Unlike electronic circuits, these transmission lines must be shielded from the outside so that signals are radiated to the outside so that the loss does not increase. The transmission lines must be designed so that impedances are not disturbed even if they are connected between units using transmission lines. .
도 1은 종래 기술에 의한 λ/4 파장의 전송선로를 나타낸 도면이다. 1 is a diagram illustrating a transmission line having a wavelength of λ / 4 according to the prior art.
이와 같은 λ/4 파장형 전송선로(1)의 길이는 동작 주파수에 의해서 선로길이가 결정되게 된다. 그런데, 기존의 λ/4 파장형 전송선로(1)의 길이는 주파수에 반비례하기 때문에 낮은 주파수에서는 파장이 매우 길어 소형화의 어려움이 발생하게 된다.The length of the λ / 4
이에 따라 λ/4 파장형 전송선로(1)의 선로파장을 줄이기 위해서 λ/4 파장형 전송선로(1)의 양단에 병렬 커패시터를 추가하게 되면 전송선로의 길이 θ가 감소되는 효과를 가지게 된다. 이를 도 2에 도시하였다.Accordingly, when parallel capacitors are added at both ends of the λ / 4
도 2는 종래 기술의 다른 예에 의한 π형 전송선로의 구조를 나타낸 도면으로서, π형 전송선로(5)는 도 1과 같은 λ/4 파장형 전송선로(1)의 양단에 병렬 커패시터(C)를 추가하여 전송선로의 길이 θ를 감소시킨 것이다.2 is a view showing the structure of a π transmission line according to another example of the prior art, wherein the
도 2의 2포트 회로망에 대한 ABCD 파라미터를 구하면, 아래 수학식 1과 같이 된다.When ABCD parameters for the two-port network of FIG. 2 are obtained,
수학식 1에서 어드미턴스 행렬을 구하면, 아래 수학식 2와 같이 된다.When the admittance matrix is obtained from
여기서, 수학식 2로부터 어드미턴스 행렬 [Yb]와 같게 되는 조건을 구하면, 아래 수학식 3과 4와 같이 된다.Here, the condition that becomes equal to the admittance matrix [Yb] from Equation (2) is obtained as shown in
즉, 수학식 3과 4를 만족하도록 도 2의 회로망에 대한 선로 임피던스(Z)와 병렬 커패시턴스(C)를 적절히 선택하면, 도 2의 회로망과 기존의 λ/4 파장형 전송선로(1)는 등가가 된다. 이와 같이, 선로 임피던스 Z를 갖는 전송선로와 병렬 커패시터(C)를 이용하면, 기존의 λ/4 파장형 전송선로(1)보다 전송선로의 길이가 줄어든 전송선로를 구현할 수 있다.That is, if the line impedance Z and the parallel capacitance C for the network of FIG. 2 are properly selected so as to satisfy
이와 같은 도 2의 전송선로의 구조는 인덕터가 없이 병렬 커패시터와 분포정수 소자를 사용하여 λ/4 파장의 전송선로를 구현하는 방법이다. The structure of the transmission line of FIG. 2 is a method of implementing a transmission line having a wavelength of λ / 4 using a parallel capacitor and a distribution constant element without an inductor.
기존의 λ/4 파장형 전송선로에 병렬 커패시터(C)를 연결하면 선로길이는 λ/4 파장에서 θ로 줄게 되며, 감소된 선로길이 θ에 반비례하여 특성 임피던스 Z0가 Z로 변하게 된다. 그러나 사이즈가 작아짐에 따라 전송선로의 특성 임피던스(Z)가 커진다. 선로길이(θ)가 감소하면 감소될수록 특성 임피던스(Z)는 급속히 증가하는 현상을 가진다. 이러한 이유로 인해 λ/4 파장형 전송선로(1)를 줄이는 방법은 근 본적으로 높은 특성 임피던스에 의해 제약을 받게 된다.When the parallel capacitor C is connected to the existing λ / 4 wavelength transmission line, the line length is reduced to θ at the λ / 4 wavelength, and the characteristic impedance Z 0 is changed to Z in inverse proportion to the reduced line length θ. However, as the size decreases, the characteristic impedance Z of the transmission line increases. As the line length θ decreases, the characteristic impedance Z rapidly increases. For this reason, the method of reducing the λ / 4 wavelength
즉, 도 2와 같은 π형 전송선로(5)의 단점은 선로길이가 감소하는 반면, 선로의 특성 임피던스가 증가한다는 점이다. 이것은 상기 수학식 3에 기인한다. That is, a disadvantage of the π-
예를 들면, 포트 임피던스가 50Ω이고, 선로의 길이가 l/12 파장인 경우, 윌킨슨 전력 분배기를 구성하는 선로의 특성 임피던스는 141.4Ω이다. 그러나 GaAs기판 상의 전송선로에 대한 특성 임피던스는 최대 100Ω 정도까지는 실현 가능하며, 그 이상의 특성 임피던스를 가지는 선로를 제작하는 것은 불가능하다. For example, if the port impedance is 50 Ω and the line length is 1/12 wavelength, the characteristic impedance of the line constituting the Wilkinson power divider is 141.4 Ω. However, the characteristic impedance of the transmission line on the GaAs substrate can be realized up to about 100Ω, and it is impossible to produce a line having a characteristic impedance higher than that.
이러한 제약조건 때문에 윌킨슨 전력 분배기에 대한 선로길이를 각각 l/12 파장과 l/8 파장 정도까지만 축소시키므로, 전송선로의 길이에 대한 축소의 한계에 대한 문제점이 발생한다.Because of these constraints, the line length for the Wilkinson power divider is reduced only to about l / 12 wavelength and l / 8 wavelength, respectively, which causes a problem of the limitation of the reduction of the length of the transmission line.
π형 전송선로(5)의 경우 인덕터를 사용하지 않고 λ/4 파장 전송선로의 크기를 줄일 수 있는 방법을 제시하고 있지만, 소형화 및 SoC(System on Chip)화 되어가는 RF 수동소자의 최근 경향을 볼 때 만족스러울 만큼의 소형화를 이루어내고 있지 못하고 있다.In case of the π-type transmission line (5), a method of reducing the size of the λ / 4 wavelength transmission line without using an inductor is proposed, but the recent trend of miniaturization and SoC (System on Chip) has become a trend. It is not satisfactorily miniaturized.
한편, 도 1의 ABCD 행렬은 아래의 수학식 5와 6과 같이 주어진다.Meanwhile, the ABCD matrix of FIG. 1 is given by
그리고, 아래 수학식 7 내지 9는 π형 전송선로(5)와 λ/4 파장형 전송선로(1)가 등가가 되기 위한 조건을 보여준다.In addition,
상기 수학식 7과 8로부터, π형 전송선로(5)의 길이가 감소할수록 병렬 커패시터 C가 커지고, 선로의 특성 임피던스 Z가 증가하는 것을 알 수 있다.It can be seen from
상기 π형 전송선로(5)의 구조를 이용해서 소형 커플러를 설계할 경우에 선로길이가 감소에 따라, 임피던스 Z가 증가했으며, 선로길이가 λ/8 파장 이하가 되는 경우에 특성 임피던스 Z가 100Ω 이상이 되어 전송선로를 이용해서 구현이 불가 능한 것을 알 수 있다.In the case of designing a small coupler using the structure of the π-
본 발명의 목적은 λ/4 파장형 전송선로를 결합선로와 병렬 커패시터로 구현함으로써, λ/4 파장형 전송선로를 보다 더 축소시킬 수 있는 다중 결합 전송선로를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a multi-coupled transmission line that can further reduce the lambda / 4 wavelength transmission line by implementing a lambda / 4 wavelength transmission line with a coupling line and a parallel capacitor.
본 발명의 다른 목적은 제안된 π형 다중결합 전송선로 구조를 이용하여 전력 분배기를 설계함에 따라 기존의 회로에 비해서 전송선로의 축소가 가능함으로써, 수동소자의 SoC(System on Chip)의 구현이 가능하도록 한 다중 결합 전송선로를 이용한 전력 분배기를 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to design a power divider using the proposed π-type multi-coupled transmission line structure to reduce the transmission line compared to the existing circuit, it is possible to implement the SoC (System on Chip) of passive devices The present invention provides a power divider using multiple coupled transmission lines.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기술적 수단은, 입력포트 측에 소정의 길이로 형성된 제1 선로; 상기 제1 선로와 일정 간격으로 이격 형성되어 커플링 커패시턴스가 형성되는 제2 선로; 상기 제2 선로와 일정 간격 이격 형성되어 커플링 커패시턴스가 형성되는 제3 선로; 상기 제1 선로와 제2 선로 및 제3 선로의 일측과 결합되어 선로들을 상호 연결하는 결합선로; 상기 제1 선로의 입력노드와 저전위 사이에 연결된 제1 커패시터; 및 상기 결합선로와 출력포트 사이의 출력노드와 저전위 사이에 연결되는 제2 커패시터;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Technical means of the present invention for achieving the above object, the first line formed to a predetermined length on the input port side; A second line spaced apart from the first line at a predetermined interval to form a coupling capacitance; A third line formed to be spaced apart from the second line to form a coupling capacitance; A coupling line coupled to one side of the first line, the second line, and the third line to interconnect the lines; A first capacitor connected between the input node of the first line and a low potential; And a second capacitor connected between the output node and the low potential between the coupling line and the output port.
구체적으로, 상기 제3 선로에서 결합선로와 연결되는 반대측은 저전위에 연결되어 있는 것을 특징으로 하며, 상기 제1 선로와 제2 선로, 제3 선로 및 결합선로의 전체 형상은 대략 '∃'자 형태인 것을 특징으로 한다.Specifically, the opposite side connected to the coupling line in the third line is connected to the low potential, the overall shape of the first line, the second line, the third line and the coupling line is approximately '∃' shape It is characterized by that.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 기술적 수단은, 입력포트와 제1 출력포트 사이에 설치된 다중 결합형의 제1 전송선로; 상기 입력포트와 제2 출력포트 사이에 설치된 다중 결합형의 제2 전송선로; 상기 입력포트와 저전위 사이에 연결된 제1 커패시터; 상기 제1 출력포트와 저전위 사이와 상기 제2 출력포트와 저전위 사이에 각각 연결된 제2 커패시터들; 및 상기 제1 출력포트와 제2 출력포트 사이에 연결된 제3 커패시터;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Another technical means of the present invention for achieving the above object, the first transmission line of the multiple coupling type provided between the input port and the first output port; A second transmission line of a multiple coupling type installed between the input port and the second output port; A first capacitor connected between the input port and a low potential; Second capacitors connected between the first output port and the low potential and between the second output port and the low potential, respectively; And a third capacitor connected between the first output port and the second output port.
상기 제1 및 제2 전송선로는 각각, 입력포트 측에 소정의 길이로 형성된 제1 선로; 상기 제1 선로와 일정 간격으로 이격 형성되어 커플링 커패시턴스가 형성되는 제2 선로; 상기 제2 선로와 일정 간격 이격 형성되어 커플링 커패시턴스가 형성되는 제3 선로; 및 상기 제1 선로와 제2 선로 및 제3 선로의 일측과 결합되어 선로들을 상호 연결하는 결합선로;로 이루어진 것을 특징으로 한다.Each of the first and second transmission lines having a predetermined length at an input port side; A second line spaced apart from the first line at a predetermined interval to form a coupling capacitance; A third line formed to be spaced apart from the second line to form a coupling capacitance; And a coupling line coupled to one side of the first line, the second line, and the third line to interconnect the lines.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 λ/4 파장형 전송선로를 결합선로와 병렬 커패시터로 구현함으로써, λ/4 파장형 전송선로를 보다 더 축소시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, the present invention is advantageous in that the lambda / 4 wavelength transmission line can be further reduced by implementing the coupling line and the parallel capacitor.
또한, 다중결합 전송선로 구조를 이용하여 전력 분배기를 설계함에 따라 기 존의 회로에 비해서 전송선로의 축소가 가능함으로써, 수동소자의 SoC(System on Chip)의 구현이 가능한 이점이 있다.In addition, by designing a power divider using a multi-coupled transmission line structure, it is possible to reduce the transmission line as compared to the existing circuit, there is an advantage that the implementation of SoC (System on Chip) of the passive element.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 다중 결합 전송선로의 구조를 나타낸 도면이다.3 is a diagram showing the structure of a multiple-coupled transmission line according to an embodiment of the present invention.
다중 결합 전송선로(10)는, 입력포트(PORT1) 측에 소정의 길이로 형성된 제1 선로(11)와, 상기 제1 선로(11)의 입력노드(Nd1)와 저전위(GND) 사이에 연결된 제1 커패시터(C1)와, 상기 제1 선로(11)와 일정 간격으로 이격 형성되어 커플링 커패시턴스(Cp)가 형성되는 제2 선로(13)와, 상기 제2 선로(13)와 일정 간격 이격 형성되어 커플링 커패시턴스(Cp)가 형성되는 제3 선로(15)와, 상기 제1 선로(11)와 제2 선로(13) 및 제3 선로(15)의 일측과 출력포트(PORT2) 사이에 결합되어 선로들(11, 13, 15)을 상호 연결하는 결합선로(17)와, 상기 결합선로(17)와 출력포트(PORT2) 사이의 출력노드(Nd2)와 저전위(GND) 사이에 연결되는 제2 커패시터(C2)를 포함하여 구성되어 있다.The
상기 제3 선로(15)에서 결합선로(17)와 연결되는 반대측은 저전위(GND)에 연결되어 있고, 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)는 각 선로에 대해 병렬로 연결되어 있다.The opposite side of the
아울러, 상기 제1 선로(11)와 제2 선로(13), 제3 선로(15) 및 결합선로(17)의 전체 형상은 대략 '∃'자 형태로 이루어져 있다.In addition, the overall shape of the
이와 같이 π형 다중결합 전송선로 구조에서 커플링 커패시턴스(Cp)를 이용하면, 기존의 λ/4 파장형 전송선로(1)와 π형 전송선로(5)의 선로길이보다 축소시킬 수 있으며, 도 3에서 보는 바와 같이 각 선로(11∼15)의 길이(θ1)는 커플링 커패시턴스(Cp)로 인해 감소하게 되며, 이로 인해 전체 회로가 소형화가 가능하게 된다.By using the coupling capacitance (Cp) in the π-type multi-coupled transmission line structure as described above, the length of the λ / 4
즉, 상기 배경기술의 수학식 9로부터 특성 임피던스 Z를 감소시키기 위해서는 π형 전송선로(5)의 구조에서 병렬 커패시터(C)가 줄어들어야 함을 알 수 있으며, 작은 값의 커패시턴스를 가지는 선로구조를 이용해야 하므로, 도 3과 같은 다중 결합 전송선로(10)의 구조를 이용하게 된 것이다. That is, in order to reduce the characteristic impedance Z from Equation 9 of the background art, it can be seen that the parallel capacitor C must be reduced in the structure of the π-
이와 같은 π형 다중 결합 전송선로(10)의 장점은 아래와 같다.The advantages of the π-type multiplexed
선로 간의 커플링에 의해 형성되는 커플링 커패시턴스(Cp)는 그 일부분이 병렬 커패시터(C1, C2)로서 작용하게 되며, 전송선로의 선로 길이의 감소에 기여하게 된다. 그리고, 전체 병렬 커패시터(C1+C2)의 용량은 C1＋C2＋α·Cp(α는 실험 계수임)가 되며, 이는 π형 전송선로(5)의 선로길이의 감소에 기여하는 병렬 커패시터의 용량 C에 해당한다. The coupling capacitance Cp formed by the coupling between the lines acts as a part of the parallel capacitors C1 and C2, and contributes to the reduction in the length of the transmission line. The capacity of the entire parallel capacitor C1 + C2 becomes C1 + C2 + α · Cp (α is the experimental coefficient), which corresponds to the capacity C of the parallel capacitor, which contributes to the reduction in the line length of the π-
다중 결합 전송선로(10)에서 선로간에 형성되는 커플링 커패시턴스(Cp)의 일부분이 선로길이 감소에 기여하는 병렬 커패시터(C1, C2)의 용량으로서 작용하므로, 다중 결합 전송선로(10)의 입/출력포트(PORT1, PORT2)에서 요구되는 병렬 커패 시턴스(C1, C2)는 기존의 π형 전송선로(5)에 사용되는 커패시턴스(C)에 비해 작은 값(C1+C2 < C)을 가지게 된다. 즉, 상기 수학식 7로부터 다중 결합 전송선로(10)의 임피던스는 π형 전송선로(5)의 임피던스에 비해 감소함을 알 수 있다. 그러므로 기존의 π형 전송선로(5)의 구조와는 달리 선로길이가 감소됨에 따라 선로가 가지는 임피던스가 급격히 증가되는 문제점이 발생하지 않으며, 이는 수동소자를 소형화하여 구현할 수 있음을 의미한다. Since a portion of the coupling capacitance Cp formed between the lines in the multiple
예를 들어, 선로의 길이가 λ/4 파장인 경우, π형 전송선로(5)의 임피던스는 200Ω인 반면 다중 결합 전송선로(10)의 임피던스는 60Ω이 된다. 따라서 다중 결합 전송선로(10)의 구조를 이용하면 선로의 길이가 매우 감소하여도 선로의 임피던스가 급격하게 증가되는 현상이 발생되지 않는다. 그래서 다중 결합 전송선로(10)의 구조를 이용하게 되면 π형 전송선로(5)보다 소형화된 수동소자의 구현이 가능하게 된다.For example, when the length of the line is λ / 4 wavelength, the impedance of the π-
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 다중 결합 전송선로를 이용한 전력 분배기를 나타낸 도면으로서, 전력분배기는 도 3과 같이 구성된 다중 결합 전송선로를 복수개 이용하였다.FIG. 4 is a diagram illustrating a power divider using multiple coupled transmission lines according to another embodiment of the present invention. The power divider uses a plurality of multiple coupled transmission lines configured as shown in FIG. 3.
즉, 전력분배기(100)는, 입력포트(PORT1)와 제1 출력포트(PORT2) 사이에 설치된 제1 전송선로(10)와, 입력포트(PORT1)와 제2 출력포트(PORT3) 사이에 설치된 제2 전송선로(20)와, 상기 제1 및 제2 전송선로(10, 20)의 입력노드(Nd11)와 저전위(GND) 사이에 병렬로 연결된 복수의 커패시터(C11, C12)와, 상기 제1 전송선 로(10)의 제1 출력노드(Nd12)와 저전위(GND) 사이에 병렬로 연결된 제3 커패시터(C13)와, 상기 제2 전송선로(20)의 제2 출력노드(Nd13)와 저전위(GND) 사이에 병렬로 연결된 제4 커패시터(C14)와, 상기 제1 출력노드(Nd12)와 제2 출력노드(Nd13) 사이에는 제1 저항(R11)과 제5 커패시터(C15) 및 제2 저항(R12)이 상호 직렬로 연결되어 있다.That is, the
상기 제1 전송선로(10)와 제2 전송선로(20)는 상호 동일한 구성으로 이루어져 있는 데, 각 전송선로(10, 20)는 도 3과 같은 다중 결합 전송선로(10)와 동일하게 구성되어 있다.The
즉, 제1 및 제2 전송선로(10, 20)는 각각, 입력포트(PORT1) 측에 소정의 길이로 형성된 제1 선로(11)와, 상기 제1 선로(11)와 일정 간격으로 이격 형성되어 커플링 커패시턴스가 형성되는 제2 선로(13)와, 상기 제2 선로(13)와 일정 간격 이격 형성되어 커플링 커패시턴스가 형성되는 제3 선로(15)와, 상기 제1 선로(11)와 제2 선로(13) 및 제3 선로(15)의 일측과 출력포트 사이에 결합되어 선로들(11, 13, 15)을 상호 연결하는 결합선로(17)를 포함하여 구성되어 있다.That is, the first and
상기 제3 선로(15)에서 결합선로(17)와 연결되는 반대측은 저전위(GND)에 연결되어 있다.The other side of the
아울러, 상기 각 전송선로(10, 20)의 전체 형상은 대략 '∃'자 형태로 이루어져 있다.In addition, the overall shape of each transmission line (10, 20) is formed of a substantially '∃' shape.
이와 같이 구성된 윌킨슨 전력분배기(100)의 신호 특성을 살펴보면, 먼저 도 5a의 입력포트(PORT1)에서의 반사 손실 특성에서 보는 바와 같이 5.3GHz 내지 7.3GHz에서 반사 손실이 대략 -10dB 이하로 나타나 이 주파수대역에서의 RF 전송 특성이 우수한 것으로 나타났다.Referring to the signal characteristics of the
아울러, 도 5b의 제2 출력포트(PORT3)에서의 전력 분배 특성에서 보는 바와 같이, 5.3GHz 내지 7.3GHz 범위에서 동위상 분배 특성이 나타났으며, 대략 -5dB 이상의 전력분배 특성이 나타났다.In addition, as shown in the power distribution characteristics in the second output port (PORT3) of Figure 5b, in-phase distribution characteristics appeared in the range of 5.3GHz to 7.3GHz, power distribution characteristics of about -5dB or more appeared.
그리고, 도 5c의 제1 및 제2 출력포트(PORT2, PORT3) 사이의 신호 격리 특성에서 보는 바와 같이, 5.3GHz 내지 7.3GHz 범위에서 대략 -11dB 이하의 신호 격리 특성이 나타났다.As shown in the signal isolation characteristic between the first and second output ports PORT2 and PORT3 of FIG. 5C, a signal isolation characteristic of about −11 dB or less is shown in the range of 5.3 GHz to 7.3 GHz.
도 6과 같이 GaAs기판 상에 제작된 다중 결합 전송선로 구조를 이용한 전력분배기(100)는 5.5GHz 내지 7.5GHz 사이에서 RF특성이 양호한 것으로 나타났다.As shown in FIG. 6, the
도 6과 같이 GaAs 기판 상에 제작된 전력분배기(100)는 기판의 두께가 98㎛이고, 그 유전율(εr)이 12.9이다.As shown in FIG. 6, the
이와 같이 다중 결합 전송선로를 이용한 전력분배기(100)의 장점은 상기 다중 결합 전송선로(10)의 장점과 동일하므로 생략하도록 한다.As described above, the advantages of the
λ/4 파장형 전송선로(1) 및 π형 전송선로(5)의 구조를 이용하여 제작한 기존의 전력분배기와, 본 발명에 의한 다중 결합 전송선로(10, 20)의 구조를 이용하여 제작한 전력분배기(100)에 대한 RF성능은 아래 표 1에 요약하였다.Manufactured using the existing power divider fabricated using the structure of the λ / 4 wavelength transmission line (1) and the π-type transmission line (5), and the structure of the multiple-coupled transmission line (10, 20) according to the present invention. RF performance for one
표 1에서 보는 바와 같이 다중 결합 전송선로 구조를 이용한 전력분배기(100)는 기존의 λ/4 파장형 전송선로(1)를 이용한 전력분배기와 비교해서 대략 15% 정도의 크기를 가지며, π형 전송선로(5)의 구조를 이용하여 제작한 기존의 전력분배기와 비교해서는 대략 45% 정도의 회로 크기를 가지므로 수동소자의 소형화에 훨씬 유리하며, SoC 형태의 제작도 가능한 것을 알 수 있다.As shown in Table 1, the
상기의 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 기술적 사상 내에서 다양한 수정, 변경 및 부가가 가능할 것이다. 그러므로, 이러한 수정, 변경 및 부가는 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Preferred embodiments of the present invention are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art will be able to make various modifications, changes, and additions within the spirit of the present invention. Therefore, such modifications, changes and additions should be determined not only by the claims below, but also by equivalents to those claims.
도 1은 종래 기술에 의한 λ/4 파장의 전송선로를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a transmission line having a wavelength of λ / 4 according to the prior art.
도 2는 종래 기술의 다른 예에 의한 π형 전송선로를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a? -Type transmission line according to another example of the prior art.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 다중 결합 전송선로의 구조를 나타낸 도면이다.3 is a diagram showing the structure of a multiple-coupled transmission line according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 다중 결합 전송선로를 이용한 전력 분배기를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a power divider using a multiple coupled transmission line according to another embodiment of the present invention.
도 5a의 도 4의 입력포트(PORT1)에서의 반사손실 특성을 나타낸 그래프이다.5A is a graph illustrating return loss characteristics of the input port PORT1 of FIG. 4.
도 5b는 도 4의 제2 출력포트(PORT3)에서의 전력 분배 특성을 나타낸 그래프이다.FIG. 5B is a graph showing power distribution characteristics of the second output port PORT3 of FIG. 4.
도 5c는 도 4의 제1 및 제2 출력포트(PORT2, PORT3) 사이의 신호 격리 특성을 나타낸 그래프이다.FIG. 5C is a graph showing signal isolation characteristics between the first and second output ports PORT2 and PORT3 of FIG. 4.
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 도 4의 구현 예를 나타낸 도면이다.6 is a view showing an embodiment of Figure 4 according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10: 다중 결합 전송선로 11: 제1 선로10: multiple coupling transmission line 11: first line
13: 제2 선로 15: 제3 선로13: second track 15: third track
17: 결합선로 100: 전력분배기17: coupling line 100: power divider
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080077234A KR20100018648A (en) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | Multi-coupled transmission line and power divider |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080077234A KR20100018648A (en) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | Multi-coupled transmission line and power divider |
Publications (1)
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| KR20100018648A true KR20100018648A (en) | 2010-02-18 |
Family
ID=42089222
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR20100018648A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101452220B1 (en) * | 2013-06-04 | 2014-10-22 | 경희대학교 산학협력단 | Wide band filter type power divider and combiner |
| CN105337014A (en) * | 2015-11-26 | 2016-02-17 | 华南理工大学 | Small unequal Wilkinson power divider |
| WO2021045512A1 (en) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 삼성전자 주식회사 | Structure of coupler for antenna module and electronic device including same |
-
2008
- 2008-08-07 KR KR1020080077234A patent/KR20100018648A/en not_active Application Discontinuation
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