KR20090130593A - 패각칩을 포함하는 인조대리석 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 베이스 수지; 및 평균 입경이 6 메쉬 이상인 패각칩을 포함하는 인조대리석 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 인조대리석의 내부에 균일하게 분포한 상태로 함유된 패각칩 자체의 독특한 빛깔 및 미려한 빛 반사 효과를 통하여, 탁월한 외관 효과를 발휘하는 인조대리석을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 패각칩의 우수한 항균성, 살균성 및 탈취성으로 인해, 친환경적인 인조대리석을 제공할 수 있는 장점이 있다.
인조대리석, 베이스 수지, 패각칩, 조개, 굴, 소라, 홍합, 전복

Description

패각칩을 포함하는 인조대리석 및 그 제조 방법 {An artificial marble comprising shell chips, and preparation method thereof}
본 발명은 패각칩을 포함하는 인조대리석 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
아크릴 수지 등으로 제조되는 인조대리석은 수지 자체의 은은한 투명성 및 고급스러운 질감 등의 장점을 가져 싱크대, 세면대, 화장대 또는 은행이나 일반 매장의 접수대와 같은 각종 카운터 상판 등 다양한 용도로 사용되고 있다. 일반적으로 인조대리석은 베이스 수지에 무기 충전제, 색깔 및 패턴을 구현하는 칩 및 각종의 첨가제를 혼합하고, 이를 경화시키는 단계를 거쳐서 제조된다.
인조대리석을 제조할 때 사용되는 칩의 종류는 매우 다양하지만, 주로 베이스 수지와 동일한 수지에 안료 등의 첨가제를 혼합하여 경화시킨 후 이를 분쇄하여 제조되는 수지 칩 또는 돌 가루나 석영과 같은 천연석으로 되는 칩 등이 사용되고 있다.
상기에서 수지 칩의 경우 베이스 수지와의 상용성이 우수하다는 장점이 있다. 그러나, 표면 강도가 떨어져 내마모성이 열악하기 때문에, 장기간 사용할 경 우에는 대리석의 외부 패턴이나 질감이 쉽게 손상된다는 단점이 있다. 또한 강도가 높은 천연석의 칩을 사용할 경우에는, 수지 칩의 단점인 낮은 내마모성은 어느 정도 개선되나, 천연석의 경도 특성으로 인해 표면 연마 등의 후가공이 필요하며, 절단 시에 석재 가공용 공구를 사용해야 하는 등 기존의 설비를 활용할 수 없어 제조비용이 크게 증가한다는 단점이 있다.
또한, 전술한 단점 외에도, 상기 기존 칩들의 경우, 표현되는 외관 패턴이 매우 단조롭기 때문에, 보다 미려한 외관 패턴을 갖는 인테리어 소재에 대한 수요자의 욕구를 충족시키지 못한다는 단점도 가지고 있다. 이에 따라, 기존 칩들이 가지는 단점을 극복하고, 인조대리석에 보다 화려하고, 다채로운 외관 효과를 구현할 수 있는 기술의 개발이 요구된다.
본 발명은 전술한 문제점을 고려하여 이루어진 것으로, 패각칩 자체의 독특한 빛깔 및 반사 효과를 통하여 보다 화려하고, 다채로운 외관 패턴의 구현이 가능하고, 항균성, 살균성 및 탈취성 등 친환경적인 특성도 탁월한 인조대리석 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 베이스 수지; 및 평균입경이 6 메쉬 이상인 패각칩을 포함하는 인조대리석을 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 다른 수단으로서, 베이스 수지용 조성물을 캐스팅 라인으로 공급하는 제 1 단계;
캐스팅 라인으로 공급된 베이스 수지용 조성물에 패각칩을 낙하시켜, 상기 패각칩을 상기 조성물 내에 포함시키는 제 2 단계; 및
패각칩이 포함된 베이스 수지용 조성물을 경화시키는 제 3 단계를 포함하는 인조대리석의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에서는 인조대리석의 내부에 균일하게 분포한 상태로 함유된 패각칩 자체의 독특한 빛깔 및 미려한 빛 반사 효과를 통하여, 탁월한 외관 효과를 발휘하 는 인조대리석을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 패각칩의 우수한 항균성, 살균성 및 탈취성으로 인해, 친환경적인 인조대리석을 제공할 수 있는 장점이 있다.
본 발명은, 베이스 수지; 및
평균입경이 6 메쉬 이상인 패각칩을 포함하는 인조대리석에 관한 것이다.
이하, 본 발명의 인조대리석을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 인조대리석에서 사용될 수 있는 베이스 수지의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않는다.
즉, 본 발명에서는 아크릴계 인조대리석, 폴리에스테르계 인조대리석, 에폭시계 인조대리석, 멜라민계 인조대리석 및 E-스톤 계열 인조대리석 등을 포함한, 이 분야에서 공지된 각종의 인조대리석의 제조를 위해 사용되는 베이스 수지를 제한 없이 사용할 수 있다. 상기에서 사용된 용어 『E-스톤』은 천연 석분, 석영, 유리, 거울 및 수산화 알루미늄 등을 주재료로 하고, 10 중량% 이하의 수지 성분을 포함하는 인조대리석을 의미한다.
본 발명에서 사용될 수 있는 상기와 같은 베이스 수지의 예로는 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지 및 멜라민 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다.
상기에서 아크릴 수지의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않으며, 그 예로는 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트 및 글리시딜 (메타)아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 단량체를 포함하는 수지를 들 수 있다.
또한, 상기 불포화 폴리에스테르의 종류 역시 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 α,β-불포화 이염기산 또는 상기 이염기산 및 포화 이염기산의 혼합물과 다가 알코올의 축합 반응을 통해 제조되는 것으로서, 산가가 5 내지 40이고, 분자량이 1,000 내지 5,000인 폴리에스테르 수지를 사용할 수 있다. 이 때 상기 폴리에스테르 수지를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 상기 이염기산 등을 다가 알코올과 특정 비율(ex. 알콜성 수산기 몰수/카복실기 몰수 = 0.8 내지 1,2)로 혼합한 후, 상기를 불활성 가스(ex. 탄산가스 및/또는 질소가스) 기류 하 특정 온도(ex. 140℃ 내지 250℃)에서 축합 반응시키면서 생성수를 제거하고 반응 진행 정도에 따라서 온도를 서서히 상승시키는 방법으로 제조할 수 있다.
상기에서 사용되는 α,β-불포화 이염기산 또는 포화 이염기산의 예로는 무수 말레산(maleic anhydride), 시트라콘산(citraconic acid), 푸마르산(fumaric acid), 이타콘산(itaconic acid), 프탈산(phthalic acid), 무수 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산(terephthalic acid), 호박산(succinic acid), 아디프산(aipic acid), 세바스산(sebacic acid) 및/또는 테트라히드로프탈산 등을 들 수 있고; 다가 알코올의 예로는 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 프로필 렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 1,3-부틸렌 글리콜, 수소화 비스페놀 A, 트리메틸롤 프로판 모노아릴 에테르, 네오펜틸 글리콜, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 및/또는 글리세린 등을 들 수 있다. 상기 폴리에스테르 수지는 또한, 필요에 따라서는, 아크릴산, 프로피온산(propionic acid) 및/또는 안식향산(benzoic acid) 등의 일염기산; 또는 트리멜리트산(trimellitic acid) 및/또는 벤졸의 테트라카본산 등의 다염기산 등을 추가로 포함할 수 있다.
또한, 상기에서 사용될 수 있는 에폭시 수지의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 이관능 또는 다관능성 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 상기 에폭시 수지의 예로는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 테트라페닐 에탄 에폭시 수지 및 페놀 노볼락형 에폭시 수지를 들 수 있고, 상기 중 일종 또는 이종 이상의 혼합을 사용할 수 있다.
본 발명의 인조대리석은 전술한 베이스 수지 내에 패각칩을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서 사용하는 용어 『패각칩』은 패각류의 껍질로부터 제조된 칩을 의미하며, 이 때 상기 패각류의 예로는 각종 조개류, 소라류, 굴류, 전복류 및 홍합류 등이 포함되나, 이에 제한되지 않는다. 상기와 같은 패각류의 껍질은 그 자체로서 독특한 빛깔을 나타내고, 또한 포함되는 진주층 등이 미려한 빛 반사 효과를 보이기 때문에, 인조대리석에 탁월한 심미감을 연출할 수 있다. 또한, 상기 패각류는 우수한 항균성, 살균성 및 탈취성을 가져, 인조대리석에 적용 시, 미려한 외관 효과의 연출과 함께 탁월한 친환경성을 나타낼 수 있는 소재이다.
본 발명에서는 상기 패각칩의 평균 입경이 6 메쉬(mesh) 이상인 것을 특징으로 한다. 상기 평균 입경이 6 메쉬 미만이면, 함유된 패각칩이 인조대리석의 외부에서 인식되지 않거나, 또는 칩에 의한 반사 효과 등이 떨어질 우려가 있다. 본 발명에서 상기 패각칩 평균 입경의 상한은 특별히 한정되지 않으나, 전체 인조대리석 두께의 200%를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 패각칩의 두께가 상기 범위를 초과하면, 인조대리석에 포함되어 있을 수 있는 기존의 칩 등과의 조화가 이루어지지 않아 이질적으로 인식되는 등 외관 효과가 오히려 저하될 우려가 있다.
본 발명에서는 또한, 상기 패각칩 표면의 전부 또는 일부가 투명 수지 또는 중합성 모노머 성분에 의해 표면처리되어 있을 수 있다. 이와 같은 투명 수지 또는 중합성 모노머로의 처리를 통하여, 패각칩의 내오염성 및 내화학약품성을 개선하는 효과가 있다.
패각칩의 표면 처리 시에는 우수한 내오염성 및 내화학약품성을 갖는 것으로서, 광투과율은 70% 이상, 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 90% 이상인 투명 수지 또는 중합성 모노머를 사용한다. 이와 같은 특정 범위의 광투과율을 갖는 수지 또는 모노머를 사용함으로써, 패각칩이 단독으로 인조대리석에 첨가된 경우와 동등한 질감 및 외관 효과를 구현할 수 있다. 상기 광투과율이 70% 미만이면, 처리된 패각칩이 외부에서 잘 인식되지 않아, 인조대리석의 질감 및 외관 패턴이 저하될 우려가 있다.
사용될 수 있는 투명 수지의 예로는 아크릴 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있고, 중합성 모노머의 예로는 스티렌 또는 메틸 (메타)아크릴레이트 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 탁월한 내화학약품성 및 내오염성을 갖고, 광투과율이 70% 이상인 것이라면 특별히 제한되는 것은 아니다.
상기와 같은 투명 수지 또는 중합성 모노머로의 처리 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 투명 수지 등의 내에 패각류 또는 패각칩을 삽입하여 평판으로 제조한 후, 이를 분쇄하여 사용하는 방법, 또는 투명 수지로 패각칩 표면의 전부 또는 일부를 코팅 또는 라미네이트 처리하는 방법을 사용할 수 있다.
본 발명에서 상기 패각칩은 베이스 수지 100 중량부에 대하여 5 중량부 내지 50 중량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 함량이 5 중량부 미만이면, 패각칩 첨가로 인한 외관 효과가 저하될 우려가 있고, 50 중량부를 초과하면, 패각칩 또는 인조대리석 자체의 변형이 유발되거나, 또는 인조대리석 전반에서 패각칩만이 인식되어 외관 효과가 오히려 저하될 우려가 있다.
본 발명의 인조대리석은 또한 상기 패각칩에 추가로, 일반적인 수지칩 및 천연소재칩의 일종 또는 이종 이상을 포함할 수 있다. 이 때 수지칩의 예로는 아크릴 수지칩, 에폭시 수지칩, 멜라민 수지칩 또는 (불포화) 폴리에스테르 수지칩 등을 들 수 있고, 천연소재칩의 예로는 자개, 돌, 석분, 석영, 숯가루, 황토, 자석가루, 향료, 펄(pearl) 및 거울 가루의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 상기와 같은 수지칩 및/또는 천연소재칩의 함량은 특별히 한정되지 않으며, 목적하는 효과를 해치지 않는 범위에서 적절히 첨가되면 된다.
본 발명의 인조대리석은 또한 상기 베이스 수지 100 중량부에 대하여, 100 중량부 내지 200 중량부의 무기 충전제를 추가로 포함할 수 있다. 이 때 무기 충진제의 구체적인 예로는 탄산칼슘, 알루민산 칼슘, 실리카, 수산화 금속(ex. 수산화 알루미늄 또는 수산화 마그네슘) 및 알루미나의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 무기 충진제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 100 중량부 내지 200 중량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서는 또한 분산성, 대리석 강도 및 침전 방지 등의 관점에서 상기 무기 충전제를 실란 커플링제 또는 티타네이트계 커플링제 등의 커플링제로 표면 처리하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 인조대리석은 또한 가교제를 추가로 포함할 수 있다. 이 때 사용될 수 있는 가교제의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 분자 내에 공중합 가능한 이중결합을 가져, 전술한 베이스 수지와 가교 결합이 가능하다면 어느 것이나 사용될 수 있다. 이와 같은 가교제의 예로는 다관능성 아크릴계 단량체, 보다 구체적으로는 에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트(EDMA), 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트(2EDMA), 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트(3EDMA), 테트라에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트(4EDMA), 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트(TMPMA), 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 폴리부틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트 및 네오펜틸글리콜 디(메타) 아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있으며, 이 중 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트(TMPMA) 및/또는 에틸렌클리콜 디(메타)아크릴레이트(EDMA) 등을 사용하는 것이 보다 바람직하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 0.2 중량부 내지 10 중량부의 양으로 사용하는 것이 바람직하다. 상기 함량이 0.2 중량부보다 작으면, 인조대리석 표면에 요철이 발생하거나, 기계적인 강도, 내열성 및/또는 내열변색성 등의 물성이 저하될 우려가 있다. 또한, 상기 함량이 5 중량부를 초과하면, 과도한 발열에 의한 크랙(Crack)이 발생하거나 칩과 베이스 성분과의 경계면이 분리될 가능성이 높아져 인조대리석 패턴이 저하될 우려가 있다.
본 발명의 인조대리석은 또한 경화제를 추가로 포함할 수 있으며, 이는 제조 공정에서 수지 조성물의 중합 및 경화 반응을 촉진시키는 역할을 한다. 이와 같은 경화제의 종류로는 유기 과산화물을 들 수 있고, 구체적으로는 벤조일 퍼옥사이드 및 디쿠밀 퍼옥사이드 등의 디아실 퍼옥사이드; 부틸히드로 퍼옥사이드 및 쿠밀 히드로 퍼옥사이드 등의 히드로 퍼옥사이드; t-부틸퍼옥시 말레인산; t-부틸 히드로퍼옥사이드; t-부틸히드로퍼옥시 부틸레이트; 아세틸 퍼옥사이드; 라우로일 퍼옥사이드; 아조비스 이소부티로니트릴; 아조비스 디메틸발레로 니트릴; t-부틸퍼옥시 네오데카노에이트; 및 t-아밀퍼옥시-2-에틸 헥사노에이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다. 본 발명에서는 상기 중 t-부틸히드로퍼옥시 부틸레이트 및/또는 벤조일 퍼옥사이드 등을 사용하는 것이 바람직하고, 경우에 따라서는 아민의 퍼옥사이드 및 술폰산의 혼합물; 또는 퍼옥사이드 및 코발트 화합물의 혼합물을 사용하여 중합 및 경화가 실온에서 수행되도록 할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기와 같은 경화제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 0.2 중량부 내지 3 중량부의 양으로 사용하는 것이 바람직하다. 상기 함량이 0.2 중량 부보다 작으면, 제조 공정 시에 경화속도가 느려지거나, 충분한 경화가 일어나지 않을 우려가 있고, 3 중량부를 초과하면, 경화속도가 오히려 지연되거나, 부분적인 미경화가 발생할 우려가 있다.
본 발명의 인조대리석에는 상기 외에도 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위에서 소포제; 유기 또는 무기 안료나 염료; 자외선 흡수제; 인계 또는 무기 금속계 난연제; 스테아린산계 또는 실리콘계 이형제; 카테콜계 또는 하이드로퀴논류의 중합억제제; 및 페놀계, 아민계, 퀴논계, 유황계 또는 인계 산화 방지제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제가 적절히 첨가될 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 인조대리석은 이 분야의 공지된 방법을 포함한 다양한 방법으로 제조될 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 인조대리석은, 베이스 수지용 조성물을 캐스팅 라인으로 공급하는 제 1 단계;
캐스팅 라인으로 공급된 베이스 수지용 조성물에 패각칩을 낙하시켜, 상기 패각칩을 상기 조성물 내에 포함시키는 제 2 단계; 및
패각칩이 포함된 베이스 수지용 조성물을 경화시키는 제 3 단계를 포함하는 방법으로 제조될 수 있다.
상기 방법은 연속 캐스팅 공법으로 본 발명의 인조대리석을 제조하는 방법이다. 상기 공정은 패각칩 및 베이스 수지용 조성물의 비중 차이를 감안하여, 인조대리석 내부에 패각칩을 균일하게 혼합시키기 위해 수행된다.
즉, 일반적으로 패각류의 껍질로 제조된 칩의 비중은 약 2.6 정도로 베이스 수지용 조성물의 비중(약 1.6 내지 1.8)에 비하여 높다. 따라서, 상기 조성물 및 패각류를 통상의 방식으로 단순히 혼합하여 캐스팅 라인 등 경화 공정에 도입할 경우에는, 패각칩이 베이스 수지용 조성물 내에 불균일하게 침강하여 혼합의 균일성이 저하되고, 또한 주형 초기 및 말기의 인조대리석 내의 패각 함유량이 현저히 떨어지게 되는 문제점이 있다.
이에 따라 본 발명에서는 포함되는 패각칩을 뺀 나머지 조성물을 제조하여, 이를 먼저 캐스팅 라인에 공급, 도포한 후, 패각칩은 별도의 공급 장치를 이용해 균일한 분포로 상기 조성물에 낙하, 함유시킨다. 이 경우, 패각칩은 상대적으로 높은 비중에 의해 베이스 수지용 조성물의 하부로 균일하게 침강하게 되고, 경화 후 베이스 수지의 하단부에 패각칩이 균일하게 분포된 인조대리석을 얻을 수 있다.
즉, 본 발명의 제 1 단계는 패각칩을 제외한 베이스 수지용 조성물을 연속 캐스팅 라인으로 공급, 도포하는 단계이다. 이 때 사용되는 베이스 수지용 조성물은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 단량체 및 고분자량체(ex. 올리고머 또는 중합체)를 포함하는 수지 시럽일 수 있다. 이 때 사용되는 단량체 및 고분자량체의 구체적인 종류는 전술한 바와 같다. 본 발명의 제 1 단계의 베이스 수지용 조성물에는 또한 수지칩, 천연소재칩 또는 기타 첨가제가 포함되어 있을 수 있다.
본 발명의 제 2 단계는 제 1 단계에서 캐스팅 라인으로 공급된 베이스 수지용 조성물에 패각칩을 낙하시켜, 상기 패각칩을 베이스 수지용 조성물에 함유시키 는 단계이다.
이 때 사용되는 패각칩의 구체적인 종류는 전술한 바와 같으며, 이러한 패각칩은, (1) 패각류 소재를 분쇄하는 단계; 및
(2) 분쇄된 패각류 소재를 수세 처리하는 단계를 포함하는 방법으로 제조될 수 있다.
상기 패각칩 제조 과정에서는 또한, 단계 (1)에서 패각류 소재를 분쇄 후 일정 크기로 선별하는 절차를 추가로 수행할 수 있고, 단계 (2)의 수세 처리 후에 분쇄된 패각류 소재를 건조한 후, 이를 연마(polishing)하는 단계를 추가로 수행할 수도 있으며, 분쇄 전 또는 후의 패각류를 전술한 투명 수지로 처리하는 공정을 추가로 수행할 수도 있다.
또한, 본 발명의 제 2 단계에서 상기 패각칩의 낙하는 별도의 공급 장치, 예를 들면 캐스팅 라인의 상부에 설치된 진동판에 의해 수행할 수 있으며, 이 때 상기 진동판은 상기 캐스팅 라인과 동일한 폭을 가지는 것이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 제 2 단계에서는 패각칩을 조성물 내로 균일하게 낙하시킬 수 있는 수단이라면, 어떠한 공급 수단도 사용할 수 있다.
본 발명의 제 3 단계에서는 상기 제 2 단계에서 패각칩이 포함된 조성물을 경화시키게 되고, 이 때 경화 방법은 특별히 한정되지 않는다. 본 발명의 제 3 단계에서는 제 2 단계에서 함유된 패각칩이 조성물의 하단부로 균일하게 침강된 상태에서 경화 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 이와 같은 상태에서 경화 공정을 수행하게 되며, 베이스 수지의 하단부(즉, 제품 표면)에 패각칩이 균일하게 분포한 인조대리석을 수득할 수 있게 된다.
본 발명에서는 전술한 경화 공정을 수행한 후에, 경화된 베이스 수지를 재단하는 공정을 포함할 수 있다. 이 때 재단 공정에는 경화물을 목적하는 크기로 절단하는 공정 또는 경화된 제품의 표면(즉, 베이스 수지의 하단부)를 샌딩하는 공정 등이 포함된다.
이와 같은 재단 공정을 통해 인조대리석의 표면을 매끄럽게 마무리할 수 있다.

Claims (14)

  1. 베이스 수지; 및
    평균입경이 6 메쉬 이상인 패각칩을 포함하는 인조대리석.
  2. 제 1 항에 있어서, 베이스 수지가 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지 및 멜라민 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  3. 제 1 항에 있어서, 패각칩은 조개류, 소라류, 굴류, 전복류 및 홍합류로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  4. 제 1 항에 있어서, 패각칩은 표면의 전부 또는 일부가 투명 수지 또는 중합성 모노머에 의해 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  5. 제 4 항에 있어서, 투명 수지 또는 중합성 모노머는 광투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  6. 제 4 항에 있어서, 투명 수지가 아크릴 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으 로 하는 인조대리석.
  7. 제 1 항에 있어서, 패각칩은 베이스 수지 100 중량부에 대하여 5 중량부 내지 50 중량부의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  8. 제 1 항에 있어서, 수지칩 및 천연소재칩으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  9. 제 1 항에 있어서, 무기 충전제, 가교제, 경화제, 소포제, 안료, 염료, 자외선 흡수제, 난연제, 이형제, 중합억제제 및 산화 방지제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  10. 베이스 수지용 조성물을 캐스팅 라인으로 공급하는 제 1 단계;
    캐스팅 라인으로 공급된 베이스 수지용 조성물에 패각칩을 낙하시켜, 상기 패각칩을 상기 조성물 내에 포함시키는 제 2 단계; 및
    패각칩이 포함된 베이스 수지용 조성물을 경화시키는 제 3 단계를 포함하는 인조대리석의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 패각칩은 (1) 패각류 소재를 분쇄하는 단계; 및
    (2) 분쇄된 패각류 소재를 수세 처리하는 단계를 포함하는 방법으로 제조되 는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 패각칩의 낙하를 캐스팅 라인의 상부에 설치된 진동판에 의해 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 진동판은 캐스팅 라인과 동일한 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 10 항에 있어서, 제 3 단계에서 경화된 베이스 수지를 재단하는 공정을 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
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